JPS62244152A - 半導体パッケージ用セラミック基板 - Google Patents
半導体パッケージ用セラミック基板Info
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- JPS62244152A JPS62244152A JP8886786A JP8886786A JPS62244152A JP S62244152 A JPS62244152 A JP S62244152A JP 8886786 A JP8886786 A JP 8886786A JP 8886786 A JP8886786 A JP 8886786A JP S62244152 A JPS62244152 A JP S62244152A
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- Japan
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- lead frame
- glass
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 30
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- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 abstract description 18
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15158—Shape the die mounting substrate being other than a cuboid
- H01L2924/15162—Top view
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、サークワット（ＣｅｒＱｕａｄ）・セラミッ
ク基板よりなる高密度実装用基板に係り、より詳細には
、リードフレーム折曲時にサークワッド・セラミック基
板の牛ャビティ部を有する面に印刷されているシールガ
ラス縁端と基板縁端のクランク発生を防止できるように
した高密度実装用基板に関する。
ク基板よりなる高密度実装用基板に係り、より詳細には
、リードフレーム折曲時にサークワッド・セラミック基
板の牛ャビティ部を有する面に印刷されているシールガ
ラス縁端と基板縁端のクランク発生を防止できるように
した高密度実装用基板に関する。
従来、半導体ペレットをセラミック基板上に搭載する半
導体パンケージにはサーブイブ（Ｃａｒ口ＩＰ）タイプ
のものが多く用いられている。しかし、近年の半導体チ
ップの高集積化、高速化、電子装置の小型化、実装の高
密度化に伴い、サークワットタイプの半導体パッケージ
が開発され、使用に供されている。
導体パンケージにはサーブイブ（Ｃａｒ口ＩＰ）タイプ
のものが多く用いられている。しかし、近年の半導体チ
ップの高集積化、高速化、電子装置の小型化、実装の高
密度化に伴い、サークワットタイプの半導体パッケージ
が開発され、使用に供されている。
そして、該半導体パッケージは、第７〜１１図を参照し
ながら説明すると、サークワット・セラミ・ツク基板１
１の中央に形成さているキャビｉイ１２を有する面に低
融点シールガラス２３をスクリーン印刷した後、上記セ
ラミック基板１１を加熱、該シールガラス２３を焼成し
、該ガラス２３上にリードフレーム２４を載せ、上記焼
成温度以上の温度で該セラミック基板１１を加熱し、リ
ードフレーム２４をガラス上に融着することにより得て
いる。
ながら説明すると、サークワット・セラミ・ツク基板１
１の中央に形成さているキャビｉイ１２を有する面に低
融点シールガラス２３をスクリーン印刷した後、上記セ
ラミック基板１１を加熱、該シールガラス２３を焼成し
、該ガラス２３上にリードフレーム２４を載せ、上記焼
成温度以上の温度で該セラミック基板１１を加熱し、リ
ードフレーム２４をガラス上に融着することにより得て
いる。
しかし、上述した手法で得た半導体パッケージは、セラ
ミック基板１１の縁端部１４への低融点シールガラス２
３のスクリーン印刷が回能で、しかも印刷ズレがあり、
またセラミック基板１１の寸法にバラツキがあるため、
スクリーン印刷されたガラスペーストが該基板周面１７
にまで流出しく第１図参照）、更にはみ出す（第９図す
参照）という問題を有している。
ミック基板１１の縁端部１４への低融点シールガラス２
３のスクリーン印刷が回能で、しかも印刷ズレがあり、
またセラミック基板１１の寸法にバラツキがあるため、
スクリーン印刷されたガラスペーストが該基板周面１７
にまで流出しく第１図参照）、更にはみ出す（第９図す
参照）という問題を有している。
そこで、該半導体パッケージは、通常、セラミック基板
１１の外形寸法より少し小さいスクリーンパターンで設
計された低融点シールガラス２３で印刷、乾燥した後、
該シールガラス２３を焼成し、該基板上にリードフレー
ム２４を載せて（第１Ｏ図ａ参照）、該リードフレーム
２４をガラス２３上に融着することで得るようにしてい
る。
１１の外形寸法より少し小さいスクリーンパターンで設
計された低融点シールガラス２３で印刷、乾燥した後、
該シールガラス２３を焼成し、該基板上にリードフレー
ム２４を載せて（第１Ｏ図ａ参照）、該リードフレーム
２４をガラス２３上に融着することで得るようにしてい
る。
しかしながら、上述した従来の半導体パッケージの場合
、リードフレーム付けをする際、ガラス焼成温度以上に
セラミック基板を加熱する必要があり、加熱により該リ
ードフレームの自重で上記シールガラスが基板外方に押
し出されて基板の周面まで流動しく第１０図す参照）、
金型でリードフレームの折曲時に該リードフレームがセ
ラミック基板の縁端を圧迫し、基板縁端のシールガラス
にクラックを発生させる（第１１図参照）という問題を
有している。そして、該クランクは後工程においいてリ
ーク等の気密不良を発生し易（なるという問題につなが
る。
、リードフレーム付けをする際、ガラス焼成温度以上に
セラミック基板を加熱する必要があり、加熱により該リ
ードフレームの自重で上記シールガラスが基板外方に押
し出されて基板の周面まで流動しく第１０図す参照）、
金型でリードフレームの折曲時に該リードフレームがセ
ラミック基板の縁端を圧迫し、基板縁端のシールガラス
にクラックを発生させる（第１１図参照）という問題を
有している。そして、該クランクは後工程においいてリ
ーク等の気密不良を発生し易（なるという問題につなが
る。
本発明は、以上のような点に対処して創案されたもので
あって、その目的とするところは、リードフレーム付け
の際にシールガラスがセラミック基板の周面まで流動す
ることなく、また該リードフレームの折曲時にシールガ
ラスの縁端にクランクの発生のおそれを軽減した高密度
実装用基板を従供することにある。
あって、その目的とするところは、リードフレーム付け
の際にシールガラスがセラミック基板の周面まで流動す
ることなく、また該リードフレームの折曲時にシールガ
ラスの縁端にクランクの発生のおそれを軽減した高密度
実装用基板を従供することにある。
Ｃ問題点を解決するための手段および作用〕そして、上
記目的を達成するための手段とじての本発明の高密度実
装用基板は、キャビティを有する面にシールガラスを印
刷するようにしたサークワッド・セラミック基板よりな
る高密度実装用基板であって、該面の縁端部に基板外周
に沿って切欠が形成された構成よりなる。
記目的を達成するための手段とじての本発明の高密度実
装用基板は、キャビティを有する面にシールガラスを印
刷するようにしたサークワッド・セラミック基板よりな
る高密度実装用基板であって、該面の縁端部に基板外周
に沿って切欠が形成された構成よりなる。
ここで、上記構成において、通常、上記切欠は断面視に
おいて切欠始端と切欠終端とを結ぶ線分に対して基板内
方に窪むもしくは折曲する切欠として形成されており、
また該切欠は基板の全外周に沿って連続して形成されて
いる。
おいて切欠始端と切欠終端とを結ぶ線分に対して基板内
方に窪むもしくは折曲する切欠として形成されており、
また該切欠は基板の全外周に沿って連続して形成されて
いる。
そして、上記構成に基づく本発明の高密度実装用基板に
よれば、セラミック基板上へのシールガラスをスクリー
ン印刷するに際して、該シールガラスの端部が上記切欠
に沿って流動し、更に、リードフレーム付は作業時にお
いて該リードフレームの自重によって流動する上□記シ
ールガラスは切欠部分に保持され上記基板の周面に流出
するのを防止するように作用する。
よれば、セラミック基板上へのシールガラスをスクリー
ン印刷するに際して、該シールガラスの端部が上記切欠
に沿って流動し、更に、リードフレーム付は作業時にお
いて該リードフレームの自重によって流動する上□記シ
ールガラスは切欠部分に保持され上記基板の周面に流出
するのを防止するように作用する。
以下、図面を参照しながら、本発明を具体化した実施例
について説明する。
について説明する。
ここに、第１〜６図は本発明の実施例を示し、第１図は
サークワッド・セラミック基板の平面図、第２図ａは側
面図図、第２図すは第２図ａの部分拡大図、第３図ａは
第２図すにリードフレームを載せた状態を示す部分拡大
図、第３図すはリードフレーム付けした状態を示す部分
拡大図、第４図は第１図のセラミック基板にリードフレ
ーム付けをした状態の平面図、第５図は第４図の側面図
、第６図は第５図の部分拡大図である。なお、前述した
従来例を示す第７〜１１図と同一箇所、部材については
同一符号を付している。
サークワッド・セラミック基板の平面図、第２図ａは側
面図図、第２図すは第２図ａの部分拡大図、第３図ａは
第２図すにリードフレームを載せた状態を示す部分拡大
図、第３図すはリードフレーム付けした状態を示す部分
拡大図、第４図は第１図のセラミック基板にリードフレ
ーム付けをした状態の平面図、第５図は第４図の側面図
、第６図は第５図の部分拡大図である。なお、前述した
従来例を示す第７〜１１図と同一箇所、部材については
同一符号を付している。
本実施例の高密度実装用基板におけるサークワッド・セ
ラミック基板は、第１．２図に示すように正四角形状の
セラミック基板１１であって、該基板１１の中央に半導
体素子を収容するためのキャビティ１２が形成され、ま
た、該キャビティ１２を有する面１３の縁端部１４に切
欠１５が形成されている。
ラミック基板は、第１．２図に示すように正四角形状の
セラミック基板１１であって、該基板１１の中央に半導
体素子を収容するためのキャビティ１２が形成され、ま
た、該キャビティ１２を有する面１３の縁端部１４に切
欠１５が形成されている。
切欠１５は基板１１の周（縁）端に沿って金外周に連続
して形成され、面１３の縁端部１４に近傍する箇所に切
欠始端１６を有し、外周面１７の上記縁端部１４に近傍
する箇所に切欠終端１８を有し、該切欠始端１６と切欠
終端１８とを結ぶ線分１９に対して基板内方に折曲して
、切欠始端１６と折曲点２０とが傾斜面２１を形成し、
また折曲点２０と切欠終端１８とが縁面２２を形成し、
該縁面２２と上記面１３とが平行する段差を構成するよ
うに形成されている。
して形成され、面１３の縁端部１４に近傍する箇所に切
欠始端１６を有し、外周面１７の上記縁端部１４に近傍
する箇所に切欠終端１８を有し、該切欠始端１６と切欠
終端１８とを結ぶ線分１９に対して基板内方に折曲して
、切欠始端１６と折曲点２０とが傾斜面２１を形成し、
また折曲点２０と切欠終端１８とが縁面２２を形成し、
該縁面２２と上記面１３とが平行する段差を構成するよ
うに形成されている。
ここで、上記切欠始端１６と切欠終端１８との深さｈは
０．１５Ｊ、３５＋ｎｍ、折曲点２０と切欠終端１８と
の奥行きｄは０．１〜０．２５ｍｍ程度としである。
０．１５Ｊ、３５＋ｎｍ、折曲点２０と切欠終端１８と
の奥行きｄは０．１〜０．２５ｍｍ程度としである。
これは、基板１１上にスクリーン印刷する低融点シール
ガラスの厚みや該ガラス上に融着するリードフレームの
重量等によって定められるもので、通常、該シールガラ
スの厚みが０．２５ｍｍ 、リードフレームの厚みが０
．１５ｍｎ＋程度にされるので、上記深さｈは０．２５
ｍｍ 、奥行きｄは０．１５ｍｍ程度とすることが好ま
しい。そして、この段差によりシールガラスの流動を吸
収するようにしている。
ガラスの厚みや該ガラス上に融着するリードフレームの
重量等によって定められるもので、通常、該シールガラ
スの厚みが０．２５ｍｍ 、リードフレームの厚みが０
．１５ｍｎ＋程度にされるので、上記深さｈは０．２５
ｍｍ 、奥行きｄは０．１５ｍｍ程度とすることが好ま
しい。そして、この段差によりシールガラスの流動を吸
収するようにしている。
次ぎに、上述実施例の上記サークワッド・セラミック基
板１１よりなる高密度実装用基板の製造方法およびその
作用について、第２図および第４〜６図に基づいて説明
する。
板１１よりなる高密度実装用基板の製造方法およびその
作用について、第２図および第４〜６図に基づいて説明
する。
まず、キャビティ１２を有する面１３の四方の切欠始端
１６に囲まれる部分に低融点シールガラス２３をスクリ
ーン印刷した後、セラミック基板ＩＩを加熱し、シール
ガラス２３を焼成する。
１６に囲まれる部分に低融点シールガラス２３をスクリ
ーン印刷した後、セラミック基板ＩＩを加熱し、シール
ガラス２３を焼成する。
続いて、二亥シーＪレガラス２３上にリードフレーム２
４を載せる（第３図ａ参照）と、該シールガラス２３の
ガラスペーストがリードフレーム２４の自重により切欠
１５の切欠始端１６より傾斜面２１および縁面２２に沿
って流下・流動するものの途中で止まり、基板１１の外
周面にはみ出さすことなく、上記リードフレーム２４が
シールガラス２３に融着する（第３図す参照）。そして
、リードフレーム２４を金型により３字状に折曲するこ
とにより高密度実装用基板が製造できる（第６図参照）
。
４を載せる（第３図ａ参照）と、該シールガラス２３の
ガラスペーストがリードフレーム２４の自重により切欠
１５の切欠始端１６より傾斜面２１および縁面２２に沿
って流下・流動するものの途中で止まり、基板１１の外
周面にはみ出さすことなく、上記リードフレーム２４が
シールガラス２３に融着する（第３図す参照）。そして
、リードフレーム２４を金型により３字状に折曲するこ
とにより高密度実装用基板が製造できる（第６図参照）
。
そして、以上のように構成された高密度実装用基板は、
シールガラス２３のガラスペーストが基板１１の！！端
部１４まで流動することなく、咳縁端部１４に形成され
た切欠１５の存在により、該切欠１５内に誘導され、リ
ードフレーム２４の折曲部２５にガラスペーストがなく
空間部２６を形成するので、リードフレーム２４の折曲
時に、該リードフレーム２４の折曲部２５およびその近
傍がシールガラス２３と接触し・圧迫するおそれを少な
くできるように作用する。
シールガラス２３のガラスペーストが基板１１の！！端
部１４まで流動することなく、咳縁端部１４に形成され
た切欠１５の存在により、該切欠１５内に誘導され、リ
ードフレーム２４の折曲部２５にガラスペーストがなく
空間部２６を形成するので、リードフレーム２４の折曲
時に、該リードフレーム２４の折曲部２５およびその近
傍がシールガラス２３と接触し・圧迫するおそれを少な
くできるように作用する。
上述した実施例においては、基板の縁端部に形成した切
欠として、傾斜面と縁面とを有する折曲（段差）形状で
説明したが、該切欠としては、この形状に限定されるも
のでなく、例えば切欠始端と切欠終端とを結ぶ線分に対
して基板内方に凹状に窪む形状等としてもよい。換言す
れば、基板上に配設するシールガラスの縁端がリードフ
レーム折曲時に圧迫を受けないようにした形状であれば
よい。
欠として、傾斜面と縁面とを有する折曲（段差）形状で
説明したが、該切欠としては、この形状に限定されるも
のでなく、例えば切欠始端と切欠終端とを結ぶ線分に対
して基板内方に凹状に窪む形状等としてもよい。換言す
れば、基板上に配設するシールガラスの縁端がリードフ
レーム折曲時に圧迫を受けないようにした形状であれば
よい。
また、上述実施例においては、切欠を基板の全周にわた
って形成したもので説明したが、該切欠を部分的に形成
した構成、例えばリードフレームを融着する箇所のみに
形成した形状、その他基板の角部分に咳切欠を形成しな
いようにした形状等としてもよい。
って形成したもので説明したが、該切欠を部分的に形成
した構成、例えばリードフレームを融着する箇所のみに
形成した形状、その他基板の角部分に咳切欠を形成しな
いようにした形状等としてもよい。
なお、本発明は上述実施例に限定されるものでなく、本
発明の要旨を変更しない範囲内において変形実施できる
ものも含むものである。
発明の要旨を変更しない範囲内において変形実施できる
ものも含むものである。
以上の記載より明らかなように、本発明の高密度実装用
基板によれば、基板の縁端部に切欠を形成し、シールガ
ラスのガラスペーストが基板周面にまでンＲ動すること
がないので、リードフレーム折曲時に該リードがシール
ガラス縁端に接触することなく、また基板への圧迫が軽
減され、基板クラックやガラスクラック等の発生を防止
できるという効果を有する。
基板によれば、基板の縁端部に切欠を形成し、シールガ
ラスのガラスペーストが基板周面にまでンＲ動すること
がないので、リードフレーム折曲時に該リードがシール
ガラス縁端に接触することなく、また基板への圧迫が軽
減され、基板クラックやガラスクラック等の発生を防止
できるという効果を有する。
また、本発明の高密度実装用基板によれば、リードフレ
ームの折曲時にガラスクラックの発生を考慮する必要性
を減少できるので、リード折曲の作業効率を向上させる
ことができるという効果をも有する。
ームの折曲時にガラスクラックの発生を考慮する必要性
を減少できるので、リード折曲の作業効率を向上させる
ことができるという効果をも有する。
従って、本発明の高密度実装用基板によれば、クラック
の発生が軽減されるので、後工程におけるリーク等の気
密不良の発生を軽減でき、信幀性の高い半導体装置を提
供できるという効果を有する。
の発生が軽減されるので、後工程におけるリーク等の気
密不良の発生を軽減でき、信幀性の高い半導体装置を提
供できるという効果を有する。
第１〜６図は本発明の実施例を示し、第１図はサークワ
ッド・セラミック基板の平面図、第２図ａは側面図、第
２図すは第２図ａの部分拡大図、第３図ａは第２図すに
リードフレームを載せた状態を示す部分拡大図、第３図
すはリードフレーム付けした状態を示す部分拡大図、第
４図は第１図のセラミック基板にリードフレーム付けを
した状態の平面図、第５図は第４図の側面図、第６図は
第５図の部分拡大図、第７〜１１図は従来例を示し、第
７図はサークワッド・セラミック基板の平面図、第８図
は第７図の側面図、第９図ａ、ｂはシールガラススクリ
ーン印刷した状態を示す部分拡大断面図、第１Ｏ図ａは
リードフレームを載せた状態を示す部分拡大図、第１Ｏ
図すはリードフレームを融着した状態を示す部分拡大図
、第１１図はリードフレームを折曲した状態を示す断面
図である。 １１・・・サークワッド・セラミック基板、１２・・・
キャビティ、１３・・・キャビティを有する面、１４・
・・縁端部、１５・・・切欠、１６・・・切欠始端、１
７・・・外周面、１８・・・切欠終端 特 許 出願人 鳴海製陶株式会社 代理人 弁理士 吉 村 博 文 Ｎ１図
ッド・セラミック基板の平面図、第２図ａは側面図、第
２図すは第２図ａの部分拡大図、第３図ａは第２図すに
リードフレームを載せた状態を示す部分拡大図、第３図
すはリードフレーム付けした状態を示す部分拡大図、第
４図は第１図のセラミック基板にリードフレーム付けを
した状態の平面図、第５図は第４図の側面図、第６図は
第５図の部分拡大図、第７〜１１図は従来例を示し、第
７図はサークワッド・セラミック基板の平面図、第８図
は第７図の側面図、第９図ａ、ｂはシールガラススクリ
ーン印刷した状態を示す部分拡大断面図、第１Ｏ図ａは
リードフレームを載せた状態を示す部分拡大図、第１Ｏ
図すはリードフレームを融着した状態を示す部分拡大図
、第１１図はリードフレームを折曲した状態を示す断面
図である。 １１・・・サークワッド・セラミック基板、１２・・・
キャビティ、１３・・・キャビティを有する面、１４・
・・縁端部、１５・・・切欠、１６・・・切欠始端、１
７・・・外周面、１８・・・切欠終端 特 許 出願人 鳴海製陶株式会社 代理人 弁理士 吉 村 博 文 Ｎ１図
Claims (3)
- （１）キャビティを有する面にシールガラスを印刷する
ようにしたサークワッド・セラミック基板よりなる高密
度実装用基板において、該面の縁端部に基板外周に沿っ
て切欠が形成されていることを特徴とする高密度実装用
基板。 - （２）切欠が、切欠の断面視において切欠始端と切欠終
端とを結ぶ線分に対して基板内方に窪むもしくは折曲す
る切欠として形成されている特許請求の範囲第１項に記
載の高密度実装用基板。 - （３）切欠が基板の全外周に沿って連続して形成されて
いる特許請求の範囲第１項に記載の高密度実装用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61088867A JPH0754833B2 (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 半導体パッケージ用セラミック基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61088867A JPH0754833B2 (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 半導体パッケージ用セラミック基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62244152A true JPS62244152A (ja) | 1987-10-24 |
| JPH0754833B2 JPH0754833B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=13954958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61088867A Expired - Lifetime JPH0754833B2 (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 半導体パッケージ用セラミック基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0754833B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0198248A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路基板の製法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58135945U (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-13 | 京セラ株式会社 | ガラス封止形半導体パツケ−ジ |
| JPS6074652A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS6142156A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-02-28 | Kyocera Corp | ガラス封止形半導体パツケ−ジ |
-
1986
- 1986-04-16 JP JP61088867A patent/JPH0754833B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58135945U (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-13 | 京セラ株式会社 | ガラス封止形半導体パツケ−ジ |
| JPS6074652A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS6142156A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-02-28 | Kyocera Corp | ガラス封止形半導体パツケ−ジ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0198248A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路基板の製法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0754833B2 (ja) | 1995-06-07 |
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