JPS62243673A - 速硬化性、熱安定性接着剤 - Google Patents

速硬化性、熱安定性接着剤

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JPS62243673A
JPS62243673A JP62056983A JP5698387A JPS62243673A JP S62243673 A JPS62243673 A JP S62243673A JP 62056983 A JP62056983 A JP 62056983A JP 5698387 A JP5698387 A JP 5698387A JP S62243673 A JPS62243673 A JP S62243673A
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filler
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リチャード　アルフレッド　レダー
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Stauffer Chemical Co
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は高温暴露の際とても低いレベルのガス発生を示
し、とても低いレベルのイオン汚染を有するグイ接着材
料として有効な接着剤配合物に関する。
以下余Ｐ 〔発明の背景〕 接着剤配合物、特に導電性接着剤は最近、ミクロ電子工
学産業において大きな人気を得てきた。
それらの接着剤は程々の目的に用いられており、より顕
著な用途の１つは、支持体またはその他の支持媒体への
半導体性グイまたはチップの接着である。これらの接着
剤に関する１つの共通の問題は、高温暴露の際ガスを発
生する傾向を示し、接着剤の硬化の間、または熱不安定
性による硬化した接着剤のその後の熱老化の間に形成さ
れる吸収または収蔵されたガスがそこで放出される。こ
れはあまりにもしばしば、電気部品の成功または失敗が
、接着剤中に空隙を形成した接着剤によって生ずるガス
発生の程度の直接の作用であり、それによって逆に接着
剤の熱および電気的特性に影響を与えるので重大な問題
である。そのような接着剤に関するその他の問題は、あ
る状況におけるアルカリ金属（例えばナトリウムおよび
／ｌたはカリウム）および塩素種によるイオン汚染が接
着剤の付近の電線の腐蝕につながりうることである。
最近ディサルＮ　（Ａ、Ｌ、　Ｄｉｓａｌｖｏ　）らの
米国特許第４，５５７，８６０号において、本質的成分
として、エポキシ樹脂、可溶性ポリイミド樹脂、および
モノエポキシ稀釈剤を含む接着剤システムが述べられた
。そのような接着剤は、従来のエポキシ硬化剤の使用に
よって硬化できるものである。そのような成分を有する
導電性接着剤を望むなら、その組成物に適当な導電性充
填剤を加えればよい。
〔発明の概要〕
本発明に従って、高温暴露の際のガス発生が低レベル、
並びに低イオン汚染レベルを示す新しい接着剤が開示さ
れる。本発明の接着剤は、また低体積抵抗率をも示し、
そのため床導電率を示す。
本発明の接着剤は、その硬化性配合物の本質的成分とし
て、エポキシ樹脂、可溶性ポリイミド樹脂、エポキシ樹
脂に４リイミドを溶解する反応性溶剤を含み、架橋剤と
して、アルケニルフェノール架橋剤・例えばポリヒドロ
キシおよびポリアルケニル置換基を含む芳香族化合物、
を含む。接着剤が製造され最終使用者に送られた後に加
えることのできる硬化剤は、このシステムを最終的に硬
化するために必要な、もう１つの本質的成分であるＯ 任意の成分として、特に相当のビニル官能価が反応溶剤
中に存在する際、その他の架橋剤およびラジカル触媒を
含む。充填剤は、このシステムの特Ｗｉを増すと考えら
れ、特に接着剤に電気的および／または熱伝導性を与え
るために用いてもよい。
〔発明の詳細な説明〕
本接着剤を本質的に一部含む（この硬化性接着剤組成物
の約２０から約３５ｉ？［ｉＩ臂−セント、好ましくは
約２５から約３　Ｑ　ｔ４−セント］エデキシ樹脂組成
物は、従来の架橋性多官能価エポキシ樹脂である。本発
明に有効なエポキシ樹脂は、１モルめたｖ１個以上の１
，２−ニブキシ基を含むエポキシ樹脂である。それらは
飽和または不飽和脂肪族、脂環式または複素環式基であ
ってもよく、天然のモノ嗜−またはポリマーでもよい。
そのような樹脂のニブキシドあたりの重量は約１００か
ら約２，０００の範囲にあるだろう。
有効なエポキシ樹脂は、エピノ１０ヒドリン、例えばエ
ビクロロヒドリン、および多価フェノールより誘導され
た多価フェノールのグリシジルポリエステルである。そ
のような多価フェノールの例として、レソルシノール、
ヒドロキノン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２，
２−グロノ９ン（または周知の「ビスフェノールＡＪＪ
、４．４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、ビス（４−
ヒドロキシフェニル）−１、１−エタン、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）−１，１−イソブタン、ビス（４−
ヒドロキシフェニル）−２，２−ブタン、ビス（２−ジ
ヒドロキシナフチルツメタン、フロログルシノール、オ
ヨヒヒス（４−ヒドロキシフェニルフスルホンが含まれ
る。さらに多価フェノールは２個以上のフェノール、ま
たは置換フェノール、メチレン橋を通じて結合した部分
、並びにノーログン化、例えば臭素化および塩素化フェ
ノール化合物を含むノボラック樹脂である。
その他のエポキシ樹脂は、多価アルコールをルイス酸触
媒、例えば三弗化硼素を用いてエピハロヒドリンと反応
させ、その後この生成物をアルカリ脱水素剤で処置する
ことによって作られた多価アルコールのグリシジルポリ
エーテルである。これらのポリエポキシ材料の製造に用
いられる多価アルコールには、グリセリン、エチレング
リコール、ポリピレングリコール、ジエチレングリコー
ル、ヘキサンジオール、ヘキサントリオール、トリメチ
ロールプロパン、トリメチロールエタン、インタエリト
リトール等が含まれる。
その他のエポキシ樹脂は、エピハロヒドリンおよびポリ
カルボン酸より誘導されたポリカルボン酸のグリシゾル
エステルである。ポリカルボン酸の例として、フタル酸
またはその無水物、イソフタル酸、テレフタル酸、テト
ラヒドロフタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、アジピ
ン酸、脂肪酸二量体、不飽和脂肪酸より作られた二塩基
酸およびアクリル酸、等を含む。
最も好ましいエポキシ樹脂は多価フェノールのグリシジ
ルポリエーテルであり、特に、ビスフェノールＡおよび
エポキシ化フェノールまたは特に好ましいクレゾールノ
ブラック樹脂のグリシジルポリエーテルである。
本発明の可溶性ポリイミド成分は、ポリイミド、エポキ
シ、反応性溶剤および芳香族架橋剤の接着剤組成物の約
２重ｆ％から約１５Ｍ９係、好ましくは約３重９係から
約１０重９％存在するチ・ぐがイギー社（Ｃｉｂａ−Ｇ
ｅｉｇｙ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ　）より商標ＸＵ２
１８として商業上入手可能な、ベイトマン（Ｊ、　Ｂａ
ｔｓｍａｎ　）らの米国特許第３，８５６，７５２号で
述べられているポリイミド樹脂のタイプは特に利用に適
当な樹脂である。それらは種々の溶剤に可溶な、完全に
イミド化された４リイミド樹脂であり、それらは参考文
献により組み込まれた上記参照米国特許でより完全に述
べられたように、フェニルインダンジアミンおよび二無
水物よジ誘導されるものである。これらのポリイミドは
、フェニルインダンジアミンを、少なくとも１つの反応
体に対する溶剤である有機反応媒体中の二無水物と、好
ましくは無水下、１００℃以下の条件で反応させて作ら
れる。この最終生成物は、イミド化が大体完了するまで
ポリアミド＠溶液を加熱し、または、ポリアミド酸溶液
と脱水剤を触媒とともに、またはなしで結合させ、場合
により、イミド化が大体完了するまで最終混合物を加熱
するといったいくつかの方法の１つによって望ましいポ
リイミドへ転化されるポリアミド酸である。こうして本
発明のポリイミド溶剤に可溶となったポリアミド酸溶液
、または一部イミド化ポリアミド酸溶液は本発明に用い
られることか認識されるだろうＱ本発明の第３の本質的
成分は、硬化後、硬化接着剤マトリックスの完全な一部
となる樹脂が硬化する前にエポキシ樹脂成分に可溶性４
リイミド樹脂が分散するようにする反応性溶剤である。
それらの溶剤は、例えば、その分子の一方の端において
、他の一端のアリール置換基と結合しているエポキシ基
を含んでいる。このタイプの典型的な溶剤は、フェニル
グリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、お
よび酸化スチレンを含む。
本発明の接着剤中有効な他のタイプの反応溶剤はビニル
不飽和部位を有するものである。好ましい溶剤はＮ−ビ
ニルピロリドンである。用いられるこの溶剤の量は、約
４０係から約５５Ｌ４、好ましくは約４５憾から約５５
鴫の範囲に及ぶ。
第４の本質的成分として、本発明は接着剤中に新しい架
橋剤の使用を含む。用いられたこの架橋剤は、ザール（
Ｓ、　Ｚａｈｌｒ　）らの米国特許第４．１００，１４
０号に述べられているタイプのアルケニルフェノール架
橋剤である。好ましくは、その芳香族環の中心にポリヒ
ドロキシおよびポリアルケニル置換基を含んでいる。ヒ
ドロキシ官能価は、この薬剤を、エポキシ樹脂および反
応溶剤として用いられた場合の反応性モノエポキシ稀釈
剤に含まれるエポキシ官能価と反応できるようにする。
このポリアルケニル置換基は、他の反応ビニル部（例え
ば、ビニル溶剤）が接着剤中に存在する場合特に有効で
あるが、完全に理解されていないため、ビニル基および
フリーラジカル開始剤を含む材料がはとんどない接着剤
システムにおいてよく作用する。１個より多いヒドロキ
シおよびアルケニル置換基の存在は好んで、この化合物
が適当に２個の他の分子と反応し、それによって本発明
に望ましい根本的な接着剤マ）　ＩＪワックス中架橋部
を提供することを保証する。この化合物の芳香族核はモ
ノフェニル、ビフェニルまたはビスフェノールでよい。
後者の場合、２個のフェニル環はビスフェノールＡの場
合のイソプロピリデンのように、架橋基によって互いに
結合している。アルケニル基は、アリルのような低級ア
ルケニルが好ましく、特定の反応に都合のよい部分にビ
ニル基を有する。すなわち、アルケニル基において、環
からはなれた末端の位置が好ましい。本発明に用いられ
る望ましい架橋化合物は、２　、２’−ジアリルビスフ
ェノールＡであり、ケミカルアブストラクト登録第１７
４５−８９−７号を有する、４．４′−イソグロビルイ
デンピス（２−アリルフェノール）である。アルケニル
フェノール架橋剤の類の他の化合物は、４　、４’−ヒ
ドロキシ−３，３′−アリル−ジフェニル、ビス−（４
−ヒドロキシ−３−アリルフェニル）−メタン、２，２
−ビス−（４−ヒドロキシ−３，５−ジアリル−フェニ
ル）−プロノ母ンおよびオイゲノールである。選ばれた
アルケニルフェノール化合物架橋剤は、上で述べられた
４成分接着剤の約１０重量％から約２５重量％（好まし
くは１０〜２０憾］存在してもよい。
上で述べた硬化性接着剤を用いたいと望む場合、硬化性
にする効果的な量の硬化剤と組み合わせる。
この硬化剤は、この系を硬化するに必要ではあるが、こ
の接着剤の配合者以外の誰かによって加えてもよく、そ
のため、この硬化性接着剤組成物に関しては、任意の成
分を有すると考えられる。一般的に、効果的なｆｌは、
上で述べた４つの付加物の約０．１重量％から約１．０
重菫係の量で十分であり、好ましくは０．３〜０．８憾
である。好ましい硬化剤は、アルキルまたはアリール置
換イミダゾール化合物である。本発明において用いられ
るこのタイプの望ましい化合物鉱、２−エチル、４−メ
チルイミダゾール（アルトリ、チ化学社（Ａｌｄｒｉｃ
ｈＣｈ＠ｍ１ｃａｌ　）の製品ＥＭＩ　）、２−メチル
イミダゾール等である。
付加的および任意の架橋剤もまた、本発明において用い
ることができる。それらは例えば、４種成分接着剤組成
物の約１５重量％まで、好ましくは７％から約１４憾の
範囲の量存在してもよい。
架橋剤は接着剤システム中に含まれる、およびモノビニ
ルまたは他のエチレン系不飽和有機化合物と共重合性の
＄　ＩＪエチレン系不飽和有機化合物より選はれたどの
ビニル不飽和とも反応する。
典型的な架橋剤は、限定されないが、トリアリル−８−
トリアジン−２，４，６−トリオン、シアヌル酸トリア
リル、燐酸トリアリル、亜燐酸トリアリル、トリメリッ
ト敵トリアリル、トリメシン酸トリアリル、ピロメリッ
ト酸テトラリル、ジグリコール酸ジアリル、ジグリコー
ルカルがン酸ジアリル、フマル酸ジアリル、イソシアン
緻ジアリル、イタコン酸シアリル、マレイン酸ジアリル
、マロン酸ジアリル、フタル酸ジアリル、およびジビニ
ル化合物、例えはジビニルスルホン、セパシン酸ジビニ
ル、ジビニルエーテルおよびジビニルベンゼンである。
本発明の組成物中の任意の架橋剤として有効なその他の
化合物は、ジアクリル酸グリコールおよびトリアクリル
酸、ジおよびトリメタクリル酸グリコール、ジメタクリ
ル酸エチレングリコール、ジメタクリル酸グロビレング
リコール、ジメタクリル散１，３−デチレングリコール
、およびトリメタクリル酸トリメチロールゾロ／母ンで
ある。
本発明中の架橋剤として有効なその他の化合物は、琥珀
酸ジアリル、アジピン酸ジアリル、セパシン酸ジアリル
、カルデン酸ジアリルエチレン、アコニット酸トリアリ
ル、硼酸トリアリル、くえん酸トリアリル、ビロメリ、
ト散トリアリル、アルミン酸トリアリル、チタン酸トリ
アリル、テトラカルがン酸テトラアリルベンゼン、トリ
ホスホン酸テトラアリル、およびフェニル燐酸トリアリ
ルである。
４リイミド樹脂の溶剤と架橋剤との間の架橋反応を促進
するため、本発明は、前述４成分接着剤組成物の５重量
憾まで、好ましくは約１憾から約２％の範囲の量の任意
のラジカル触媒を加えてもよい。本発明で用いられうる
触媒は、好ましい半減期を有する重合化触媒を生ずるラ
ジカルを含み、必要ではないが、選ばれた温度において
同じ程度の硬化時間を有する。
好ましい触媒は有機過酸化物（例えばペンワルト社のル
シドールディピジ、ン（ＬｕｃｌｄｏｌＤｉｖｉｓｉｏ
ｎ　、　Ｐｅｎｎｗａｌｔ　Ｃｏｍｐａｎｙ　）　）で
あり、例えば、ジ−ｔ−ブチル過酸化物、ｔ−ブチルペ
ルオキシピバレート、２．４−ジクロロベンゾイル過酸
化物、カブＩＪ　ＩＪル過酸化物、ラウロイル過酸化物
、グロピオニル過酸化物、アセチル過酸化物、ｔ−ブチ
ルペルオキシインブチル酸、ｐ−クロロベンゾイル過酸
化物、ベンゾイル過酸化物、ヒドロキシヘプチル過酸化
物、シクロヘキサノン過酸化物、２，５−ツメチルへキ
シル−２，５−ジ（ペルオキシベンゾエート）、ジ−ｔ
−ブチルジベルフタレート、ｔ−ブチルベルアセテート
、ｔ−プチルペルペンゾエート、ジクミル過酸化物、２
．５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルペルオキシラ
ヘキサン、ｔ−ブチルヒドロイルオキシド、メチルエチ
ルケトン過酸化物、ｐ−メタンヒドロペルオキシド、ク
メンヒドロペルオキシド、２．５−ジメチルへキシル−
２，５−ジヒドロペルオキシド、およびｔ−ブチルヒド
ロペルオキシドである。
本発明生触媒として有効なものは、ｇｅｍ−・ゾールオ
キシド（ヘイノルおよびシェ／４’−ドらの化学技術百
科（０，Ｈａｇｅｌｌ　ａｎｄ　Ｓ−８ｈｅｐｐａｒｄ
　＊Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ　ｏｆ　Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　）７８６頁、１４巻、１９
６７年で定義されたものノまたはイルオキシケタールで
ある。本発明中有効な典型的ペルオキシケタールは１，
１−ビス（ブチルペルオキシ）　３．３．５−トリメチ
ル−シクロヘキサン、１．１−ジー（ｔ−ブチルペルオ
キシ）シクロヘキサン、２，２−ビス（１−ブチルペル
オキシノブタン、エチル３．３−）（ブチルベルオキシ
ン−ブチレート、およびｎ−ブチル−４，４−ビス（１
−ブチルベルオキシフバレレートである。
本発明中の触媒として有効なその他の過酸化物誘導体は
、ｔ−アミル過酸化物（ペンウォルト社のルシドールデ
ィピゾ、ン（Ｌｕｃｉｄｏｌ　Ｄｉｖｉｓｉｏｎ＋Ｐｅ
ｎｗａｌｔ　Ｃｏｍｐａｙｙ　）　）である。典型的な
ｔ−アミル過酸化物は、ｔ−アミルペルオキシネオデカ
ノエート、ｔ−アミルペルオキシネオへブタノエート＼
　ｔ−アミルペルオキシピバレート、ｔ−アミルペルオ
キシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−アミルペルオキ
シペンゾエート、ｔ−アミルペルオキシアセテート、１
．１−ジー（ｔ−アミルイルオキシ）−シクロヘキサン
、２，２−ノー（ｔ−アミルベルオキシノプロパンエチ
ル、３，３−ジー（ｔ−アミルベルオキシフブチレート
、および０．０−１−アミル０−（２−エチルヘキシル
）−モノペルオキシカルボネートでアル。
本発明中の触媒としてその他の有効なものは、デュポン
社（ＤｕＰｏｎｔ　Ｃｏｍｐａｎｙ　）の商品ＶＡＺＯ
として売られている、化合物１，１−アゾビス（シクロ
ヘキサンカルゲニトリ／Ｌ／）である。
所望によフ、スクリーン印刷適性を向上させるため（以
下により詳しく述べるが、接着剤の転化の支持体として
用いられるポリオレフィンキャリヤーフィルムへの接着
剤組成物の湿潤性）、本発明の接着剤組成物に、ガラス
やシリカのような充填剤（例えばＣＡＢ　−０−ＳＩＬ
シリカ充填剤）を、この４成分接着剤組成物の約５重ｔ
ｈｔ壬まで、好ましくは約０．５４から約２．０係の範
囲の量、混和してよい。この充填剤はまた、接着剤硬化
の際発生するであろう空隙やピンホールをへらす助けに
もなる。望ましい充填剤は、ＴＧＣ−２３０、ＴＧＣ−
１０等と命名されたトランセン社（ＴｒａｎｓｅｎＣｏ
ｒｐｏｒａｔｉｏｎ　）の１０ミクロンよジ小さい大き
さのガラスである。ガラス充填剤が用いられた場合、好
ましくは、このガラスの融点は３５０℃から５００℃の
間がよい。シリカが充填剤として用いられた場合、その
大きさは１ミクロンより小さい方がよい。前記のグレー
ドのシリカはＴＳ−１００と命名されて販売しているデ
グサ社（Ｄｅｇｕａｓａ　）より得られる。
所望により本発明の組成物中に存在する金属は、本発明
の接着剤に電気的および熱伝導性を与えるため用いられ
る。この金属粒子は、４成分接着剤組成物の約１５０重
ｉ俤から約３５０重ｉ％、好ましくは約２００４から約
３００４の範囲の量で用いられるのがよい。最終硬化生
成物中に０．１ｏｈｒＩｖ／ｆｆｉまたはそれ以下の体
積抵抗基を得るために、この粒子を銀または金のような
貴金属にするか、または銅、鉄、ニッケル、またはアル
ミニウムのような非貴金属に貴金属を被膜するのが望ま
しい。分散を容易にするため、好ましくは１金属粒子は
１０ミクロンより小さくすべきだ、好ましい金属は銀で
あり、好ましい銀のグレードは、ハンディアンドバーマ
ン（Ｈａｎｄｙ　ａｎｄ　Ｈａｒｍａｎ　）により５Ｆ
−２３５，５Ｆ−２８２，等と命名され販売されている
ものである。
熱伝導性だけを望む場合、同じレベルの絶縁充填剤（例
えば酸化アルミニラムノを本接着剤中に用いるのがよい
。
ある場合、例えば銀の場合、充填剤は電気的並びに熱伝
導性の両方を与えるであろう。
これらの成分を用いることによって作られた、このタイ
プの接着剤組成物は、高温特性が重要な場所で種々の接
着用途に実用性を有する。例えば、高温環境下で金属−
金属結合および金属−プラスチ、り結合が、この接着剤
の実用性を示す例である。
本発明に関する、当業渚に周知の標準体積抵抗基の測定
によってわかったように、本組成物の接着剤は良好な導
電性を有しているので・特に適当な使用はチップ基盤へ
の半導体ダイの接着である。
例によって、以下に本発明の接着剤の好ましい実施態様
を示しさらに説明する。
例１ これは、ポリイミド樹脂に対するビニル溶剤、フリーラ
ジカル触媒、またはこの溶剤と反応する任意の架橋剤を
含まない本発明の接着剤の実施態様を説明するものであ
る。シリカ充填剤、導電性銀粉およびイミダゾール触媒
のような任意の好ましい実施態様を含む。
この配合物は、以下の成分より形成されている。
成　　分　　　　　　　　重量部 可溶性ポリイミド樹脂　　　　　　　　４．０フエニル
グリシジルエーテル　　　　　　　３２．０フエノール
エポキシノポ°ラツク樹脂　　　　　　　　１６．０２
１２′−ジアリルビスフェノールＡ”　　　　　　　　
　１８．０２−エチル−４−メチルイミダゾール０２．
０ シリカ充填剤　　　　　　　　　　　　０．４銀粉　　
　　　　１３０．０ ＊　Ｎ−メチルピロリドン饅剤中６７係。これはその後
の例でも同様に用いられた。
林Ｎ−メチルピロリドン溶剤中１０係溶液。これはその
後の例でも同様に用いられた。
この接着剤の１ｍｊを１５分間６０℃にさらすことＫよ
り粘着状態に部分的に硬化させた（または「Ｂ一段階」
）。最終粘着性フィルムをガラス支持体に付着したシリ
コンチップ（５×５−）に移した。
この最終配合物ｔ−３０秒間２３５℃でフラッシュ硬化
させた。空隙形成は、はとんどないと判断された。室温
ダイ剪断強度は１６ｋｌ／（３５ポンド〕以上で行った
。
チーｐｆ／接着剤／支持体複合材料の３０および６０分
間、２００℃での延長硬化はフラッシュ硬化方法におい
て同じ結果であった。
例２ 本実施態様において、例１の配合物に示した成分に加え
、ビニル溶剤（Ｎ−ビニルピロリドン）、フリーラジカ
ル触媒（ｔ−ブチルペルオキシベンゾエート）、および
架橋剤（トリーアリル−５−トリアジン−２，４，６−
トリオン）を用いた。これら３種の添加成分は、この系
全体に付加的１合性ビニル容ｉｔｔ提供する。この配合
物は以下のようなものである。
以下余白 成　　分　　　　　　　　重量部 可溶性ポリイミド樹脂　　　　　　　　１．２７エニル
グリシジルエーテル　　　　　　　１２．ＯＮ−ビニル
ピロリドン　　　　　　　　　　　　１．０フエノール
エポキシノボラツク樹脂　　　　　　　　　８，０２．
２′−シアリルビスフェノールＡ溶ｇ　　　　　　　　
７．。
２−エチル−４−メチルイミダゾール溶液　　　　　　
　２．０トリアリル−Ｂ−トリアジン−２，４，６−ト
リオン　　　　　　　２．Ｏｔ−ブチルペルオキシベン
ゾエート０．３７リカ充填剤　　　　　　　　　　　　
０．３銀粉　　　　　　７２．Ｏ Ｉ　Ｒ１の液体接着剤を、２０〜２５分間６７℃にさら
して粘着状態へとＢ段階にする。この粘着フィルムをガ
ラス支持体に付着したシリコンチ、グ（２００×２００
ミルノに移した。この組成物を３０秒間２５０℃にフラ
ッシュ硬化させる。支持体からチアｆｔ−除去するのに
１６ｋｇ（３５ポントノ必要であったので、この結合強
度はすぐれていると判断された。接着剤中の望ましくな
い空隙発生の量は無視してよい。
イオン混入レベルはとても低く、塩素７．５ｐｐｍ。
ナトリウムは検出限度の２．５１）ｐｍ以下、カリウム
も検出限度の５．０ｐｐｍ以下であった。
例３ この配合物は例２の接着剤と一般的成分タイブに関して
同じである。
可溶性ポリイミド樹脂　　　　　　　４．２７エニルグ
リシノルエーテル　　　　　　１６．ＯＮ−ビニルピロ
リドン　　　　　　　１６．０フェノールエポキシノゴ
ラ、り槓朗旨　　　　　　１６．０２．２′−シアリル
ビスフェノールＡ溶液　　　　　１２．０２−エチル−
４−メチルイミダゾール溶液　　　　　　λ０トリアリ
ルー３−トリアジンー２．４．６−ドリオ７　　　　　
６．０ジーｔ−ブチル過酸化物　　　　　　　　１．０
７リカ充填剤　　　　　　　　　　　０．４銀粉　　　
　　　１３０．０ 以下余白 本接着剤のＢ段階は６０℃で１５分間でなり、チップ接
着段階は例２で述べられたように前もって形成された。
２５０℃で３０秒間フフランュ硬化した後、この接着剤
中の空隙形成は無視できると判断され、室温ダイ剪断は
１６に１／（３５／ンド）以上であった。
１２０℃４５分間、その後２８０℃３０分間の延長硬化
による空隙形成は無視でき、室温グイ剪断は１６１ｗ（
３５ポントノ以上であり、高温グイ剪断（３００℃で６
０秒間測定〕も１６ｋｆ（３５ポントノであった〇 延長硬化接着剤の水抽出性イオン混入は、塩素５．９　
ｐｐｍ　、ナトリウムは検出限度の２．５ｐｐｍ以下１
カリウムも検出限度の５．０　ｐｐｍ以下であった。
例４ このサンプルは例１と同じであるが、さらに自己架橋を
するジアリルビスフェノールＡ化合物中に不飽和部位が
存在するよう圧する、ラジカル発生触媒（ジ−ｔ−ブチ
ル過酸化物）を含む。
成　　分　　　　　　　　　　重量部 可溶性ポリイミド樹脂　　　　　　　４．０フエニルグ
リシジルエーテル　　　　　　　３２．０フェノールエ
ポキシノデラ、り樹脂　　　　　　　　１６．０２１２
′−シアリルビスフェノールＡ溶ｉ　　　　　　　１８
．０２−エチＡ／−４−メチルイミダゾール溶液　　　
　　　　２．０ジーｔ−ブチル過酸化物　　　　　　　
　　　１．０７リカ充填剤　　　　　　　　　　　　０
．４銀粉　　　　　　１３０．０ この接着剤は同様に操作し、以下の特徴を得た。
ダイ剪断値は、ガラス上の５　Ｘ　５　ａｒｍ　（２０
０Ｘ２００ｍｉｌ）チ、グに対してのものである。
１８０℃、３０秒間　　　６．３５（１４ｌｂｇ）２３
０℃、３０秒間　　１６以上（３５１ｂｓＪ以下余白 速硬化条件　　　　　室温ダイ剪断０ｎ１２０１１．／
４５分間＋２８０？１：／３０分（ｉｎ　　　　　　１
６以上１７５Ｖ４５分間　　　　　　　　　　　　　１
６以上１２０Ｖ３０分間＋１７５’Ｃ／３０分間　　　
　　１６以上１２０１１、／６０分間　　　　　　　　
　　　　１６以上１２０℃７３０分間　　　　　　　　
　　　　１６以上１２　ＱＣ／１５せ間　　　　　　　
　　　　□６例５ この例は、ポリイミド樹脂を溶かすために用いた７！ニ
ルグリシゾルエーテルのかわりに、エチレン様不飽和結
合を有する他の溶剤（すなわち、Ｎ−ビニルピロリドン
）ｔ−用いた以外は例１と再び同じである。例１のフェ
ニルグリシジルエーテル実施態様は、Ｂ段階の際、わず
かによい粘着性を示す組成物を提供した。しかし、性能
の観点より、フェニルグリシツルエーテルは、ピロリド
ンとくらべて重要な添加物ではなかった。
この配合物は以下の成分により形成される。
以下飽８ 成　　分　　　　　　　　　　　重量部可溶性４リイミ
ド樹脂　　　　　　　　４．ＯＮ−ビニルピロリドン　
　　　　　　２２．０フエノールエ４キシノがう、り樹
脂　　　　　　　　１６．０２．２′−ジアリルビスフ
ェノールＡ溶液　　　　　　　１８．０２−エチルシト
メチルイミダゾール溶液　　　　　　　２．０トリーア
リル−８−トリアジン−２，４，６−トリオン　　　　
　１０．Ｏジーｔ−ブチル過酸化物　　　　　　　　　
０．４シリカ充填剤　　　　　　　　　　　　０．４銀
粉　　　　　　１３０．Ｏ Ｎ−ビニルピロリドンの揮発性のため、例１では６０℃
、１５分間であったのに対し、この接着剤では５０℃、
１０分間でＢ段階になりた。
例１および４に従いテストしたこの組成物の性質は、以
下のとおりである。
速硬化条件　　　室温グイ剪断（−） ２４０℃７３０秒間　　　　１６以上 以下余白 通常硬化条件　　　　室温グイ剪断（２）１２０Ｖ４５
分間＋２８０Ｃ／３０分間　　　　１６以上１２０Ｖ４
５分間＋１７５Ｃ／４５分間　　　　１６以上例に の例は例３で述べられ九接着剤組成物の付加的特徴を説
明するものである。この接着剤を「接着性固定ダイ接着
フィルムＪ　（ｒ　ＡｄｈｅｓｉマｓｌｙＭｏｕｎｔａ
ｂｌ＠Ｄｉ＠Ａｔｔａｃｈ　Ｆｉｌｍ　Ｊ　）という題
の１９８５年６月１３日出願、米国出願番号第７４４．
３５２号で述べ請求したダイシングフィルム生成物上に
接着剤原型として用いる試みをした。
Ｂ一段階 接着剤の１０ｃｙａの円を、１３分から１８分の時間進
行窓で１４０７でうまくＢ段階にした。これはたった１
〜３分の窓しか提供しない以前の接着剤よりすぐれてい
る。
１３〜１８分の範囲にある各時間でのＢ段階のサンプル
を各々ダイシング性質を測定し、硬化の間の空隙発生性
質に関して比較した。以下の傾向が観察された。
（ａ）１３分でＢ段階接着剤へのダイの移動がはっきり
判断された。Ｂ段階時間の増加に伴いとてもよいと判断
される１８分でのダイ移動が減少する。
（ｂ）　　空隙発生は１３分での良好から１８分でのか
なり良好に移った。
妥協して、１６分Ｂ段階時間をダイ移動のない低空隙発
生の最良の平衡を与えるものとして選んだ０ 保存寿命 前述のダイシングフィルム上に接着剤ノ母ターンへプリ
ントした際、室温保存寿命を調べると、この接着剤が少
なくとも４日間許容機能特性を有していることが示され
た。
少量の損失がみられた。
以下余ｅ 硬化行程　　　　　Ｎ量損失（引 １２０’Ｃ／藝柵＋２８０℃７３叶燗 −硬化を通した″ｉｆ損失　　　　３．２１＋３２０℃
恒温５分　　　　　　　　　０．０９３．３０ １２０℃／１５頒＋１７５℃／３０頒１−硬化を通した
重量損失　　　　２．０４＋１７５℃恒温６時間　　　
　　　　０．３９２．４３ ′ＦＬ気伝導伝 導性の性質のデータを得た０ １７５℃／６０頒１　　　　　　　１．２Ｘ１０−’１
７５℃／１２０舘　　　　　　　　８．０Ｘ１０”’１
７５℃／１８０頒　　　　　　　　６．８Ｘ１０−’１
７５℃／２４低燗　　　　　　　　６．２Ｘ１０”’１
２０℃／４５分間＋２８０℃／３０分間　　　９．９Ｘ
１０−４以下余Ｂ ダイ剪断 以下で報告するように、すばらしい結果が得られた。
５Ｘ５＋ｍ＋＋のダイの硬化条件　　ＲＴダイ剪断（ガ
ラス上）−ユ１２０Ｖ１５式＋１７５℃／３０頒　　　
１４以上りり℃／３０分間＋１７５’Ｃ／３０鼾　　　
１４以上１２０’Ｃ／３５０ｉＪ１＋１７５℃／３吋判
　　　１４以上１２０ヅ３５鼾＋２８０℃／３０頒　　
　１４以上１り５℃／３０稲　　　　　　　　　　１４
以上１８５ｒＪ／３０＆Ｊ　　　　　　　　　　　１４
以盾２り０℃／３０１ＡＩ′Ｕ１４以上 １２０℃７４５分間グラス２８０℃７３０分間の硬化行
程により、ガラス上の高温ダイ剪断は２２５℃で４．５
〜以上、３２０℃でも４．５　ｋＷ以上であった。
以下余白 １．２７　Ｘ　１．２７暖のダイの　　　ガラス上のダ
イ剪断Ｃ’ＫＳＩ）１２０℃／１５分間＋１７５’Ｃ／
３０分間　３．８１　０．９５３　０．５４４１２０Ｖ
１５分間＋２００′Ｃ７′３ＣｙＡ３．２２　０．８６
２　０．４４４１２ｏＶ１５分間＋２２５じべＷ分間　
３．７６　０．７２６　０．５４４１２０℃／２０分闇
＋２２５Ｖ３り例司　４．１７　０．７７１　０．３１
８１２０℃／４５分間＋２８０Ｖ３弼引司　３．７２　
１．３６　０．９５３アロイ（ＡｆｌｏｙＪ４２上 １．２７　Ｘ　１．２７ｍのダイの　　　のダイ剪断　
（ｋｆ／）１２０Ｃ／１５頒汁１７５Ｖ３（５）佃　２
．９９　０１９５　０．０４５１２０℃／１５分間＋２
００℃／３（５）油　２．７２００１．２７　Ｘ　１．
２７−のダイの　　　アロイ４２上の室温１．２７　Ｘ
　１．２７　ｍのダイの　　　原調上のグイ剪断（ｋｇ
）１２０”Ｃ／１５Ｍ＋　１７５℃／３（ＩＪ　　　３
，４０　　０．１１３要約して試験をしたこの接着剤は
、剥離塗装支持フィルム上の印刷性、Ｂ段階挙動（１４
０？での凝集強さ発現）、蓋用シート剥離、ダイシング
性能、ダイ表面強度および取付板、硬化行程発現（種々
の温度での空隙発生および室温並びに高温ダイ剪断強度
）：室温での保存寿命研究（使用に対するダイシングフ
ィルム生成物の毎日の検査）；導電性；および循環硬化
および追加的高温の間の重量損失に対するＴＧＡ走査に
関し許容内の性質を有していると判断された。
固有の流動性および硬化特性を有する均質組成物にする
ため本発明の接着剤の種々の成分に対し、特別の混合計
画を用いるのが好ましい。最初の段階は、高温で反応性
溶剤（ｆ−１えはフェニルグリシジルエーテル、Ｎ−ビ
ニルぎロリドン等）中に可溶性ポリイミド樹脂を溶解す
ることを含む。最終組成物がまだ暖かい間に、エポキシ
樹脂をその中に混ぜ、定形組成物を得る。周囲温度に冷
却した後、アルケニルフェノール架橋剤および、望む場
合、硬化剤（例えばイミダゾール硬化剤〕を加える。次
の段階は、所望によりトリアリル−３−トリアジン−２
，４，５−トリオン化合物のような架橋剤を加えること
を含む。その次の段階は、この組成物から、他の成分が
分離する傾向をさけるため触媒（例えばシーｔ−ブチル
過酸化物）をすばやく加え混和することを含む。その後
望む場合、シリカ充填剤および銀粉を加え完全に混和す
る。
前記は単に本発明のいくつかの実施態様を説明しようと
しただけであり、意味を限定するものではない。望まし
い保護の範囲は請求の範囲において述べられる。
以下余日

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、（ａ）エポキシ樹脂；（ｂ）可溶性ポリイミド樹脂
    ；（ｃ）可溶性ポリイミド樹脂をエポキシ樹脂に溶解す
    るための反応性溶剤；および（ｄ）架橋剤としての、ア
    ルケニルフェノール化合物を含む接着剤組成物。 ２、可溶性ポリイミド樹脂がフェニルインダンジアミン
    および二無水物より誘導されたポリイミド樹脂、ポリア
    ミド酸または一部イミド化されたポリアミド酸である、
    特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ３、前記可溶性ポリイミド樹脂を、組成物混合物の約２
    重量％から約１５重量％含む特許請求の範囲第１項記載
    の組成物。 ４、反応性溶剤が、その分子の一端において、他の一端
    のアリール置換基と結合しているエポキシ基を含む特許
    請求の範囲第１項記載の組成物。 ５、前記反応性溶剤がフェニルグリシジルエーテルであ
    る特許請求の範囲第４項記載の組成物。 ６、前記反応性溶剤を、接着剤組成物の４０重量％から
    約５５重量％含む特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ７、前記反応性溶剤がビニル不飽和を含む化合物である
    、特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ８、前記溶剤がＮ−ビニルピロリドンである特許請求の
    範囲第７項記載の組成物。 ９、前記エポキシ樹脂が多価フェノールのグリシジルポ
    リエーテルである特許請求の範囲第１項記載の組成物。 １０、前記エポキシ樹脂がフェノールエポキシノボラッ
    ク樹脂である特許請求の範囲第１項記載の組成物。 １１、前記エポキシ樹脂を接着剤組成物の約２０重量％
    から約３５重量％含む特許請求の範囲第１項記載の組成
    物。 １２、アルケニルフェノール架橋剤が約１０重量％から
    約２５重量％存在する特許請求の範囲第１項記載の組成
    物。 １３、アルケニルフェノール化合物がビスフェノール核
    を有する特許請求の範囲第１項記載の組成物。 １４、化合物が２，２′−ジアリルビスフェノールＡで
    ある特許請求の範囲第１３項記載の組成物。 １５、エポキシ樹脂がフェノールエポキシノボラック樹
    脂であり、溶剤がフェニルグリシジルエーテルを含み、
    アルケニルフェノール化合物がビスフェノール核を有す
    る特許請求の範囲第１項記載の組成物。 １６、アルケニルフェノール化合物が２，２′−ジアリ
    ルビスフェノールＡである特許請求の範囲第１５項記載
    の組成物。 １７、さらにイミダゾール硬化剤を含む特許請求の範囲
    第１項記載の組成物。 １８、前記硬化剤が２−エチル−４−メチルイミダゾー
    ルである特許請求の範囲第１７項記載の組成物。 １９、前記硬化剤を接着剤組成物の約０．１重量％から
    約１重量％を含む特許請求の範囲第１７項記載の組成物
    。 ２０、前記組成物がさらに、組成物中のビニル不飽和と
    反応するポリエチレン系不飽和有機化合物である架橋剤
    を含む特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ２１、前記架橋剤がトリアリル−ｓ−トリアジン−２，
    ４，６−トリオンである特許請求の範囲第２０項記載の
    組合物。 ２２、前記架橋剤を接着剤組成物の約１５重量％まで含
    む特許請求の範囲第２０項記載の組成物。 ２３、さらにラジカル触媒を含む特許請求の範囲第１項
    記載の組成物。 ２４、前記ラジカル触媒が有機過酸化物である特許請求
    の範囲第２３項記載の組成物。 ２５、前記ラジカル触媒がジ−第三ブチル過酸化物であ
    る特許請求の範囲第２３項記載の組成物。 ２６、前記ラジカル触媒がペルオキシケタールである特
    許請求の範囲第２３項記載の組成物。 ２７、前記ラジカル触媒がｔ−ブチルペルオキシベンゾ
    エートである特許請求の範囲第２３項の組成物。 ２８、前記触媒が１，１′−アゾビス（シクロヘキサン
    カルボニトリル）である特許請求の範囲第２３項の組成
    物。 ２９、前記触媒を接着剤組成物の約５重量％まで含む特
    許請求の範囲第２３項記載の組成物。 ３０、さらに充填材料を含む特許請求の範囲第１項記載
    の組成物。 ３１、前記充填剤がガラスである特許請求の範囲第３０
    項記載の組成物。 ３２、前記充填材料が、１０ミクロンより小さい寸法お
    よび約３５０℃から約５００℃の融点を有するガラス充
    填剤を含む特許請求の範囲第３１項記載の組成物。 ３３、前記充填剤がシリカである特許請求の範囲第３０
    項記載の組成物。 ３４、前記充填剤が１ミクロンより小さい大きさのシリ
    カである特許請求の範囲第３３項記載の組成物。 ３５、前記充填材料を接着剤組成物の約５重量％まで含
    む特許請求の範囲第３０項記載の組成物。 ３６、さらに導電性材料を含む特許請求の範囲第１項記
    載の組成物。 ３７、導電性材料が貴金属である特許請求の範囲第３６
    項記載の組成物。 ３８、貴金属が銀である特許請求の範囲第３７項記載の
    組成物。 ３９、導電性材料が非貴金属に貴金属を被膜したもので
    ある特許請求の範囲第３６項記載の組成物。 ４０、導電性材料を接着剤組成物の約１５０重量％から
    約３５０重量％含む特許請求の範囲第３６項記載の組成
    物。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006307055A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Hitachi Chem Co Ltd 接着フィルム、接着シート及び半導体装置
JP2007161880A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Asahi Kasei Corp ポリアミド酸ワニス組成物及び金属ポリイミド複合体
JP2010059387A (ja) * 2008-08-04 2010-03-18 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置
JP2014527106A (ja) * 2011-08-12 2014-10-09 ヘンケル・チャイナ・カンパニー・リミテッド 光学透明デュアル硬化接着剤組成物

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4826927A (en) * 1986-01-13 1989-05-02 Ciba-Geigy Corporation Mixtures containing polymides alkenyphenols and either epoxide group-free adducts or another polyimide
US4948449A (en) * 1986-05-07 1990-08-14 Minnesota Mining And Manufacturing Company Epoxy resin composition
US4808676A (en) * 1986-10-11 1989-02-28 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Polyetherimide/epoxyimide resin composition
US4874548A (en) * 1988-03-14 1989-10-17 Ameron, Inc. Conductive adhesive
AU3755189A (en) * 1988-05-11 1989-11-29 Ariel Electronics, Inc. Circuit writer
US5156772A (en) * 1988-05-11 1992-10-20 Ariel Electronics, Inc. Circuit writer materials
US5099090A (en) * 1988-05-11 1992-03-24 Ariel Electronics, Inc. Circuit writer
US5037689A (en) * 1989-02-17 1991-08-06 Basf Aktiengesellschaft Toughened thermosetting structural materials
US5225023A (en) * 1989-02-21 1993-07-06 General Electric Company High density interconnect thermoplastic die attach material and solvent die attach processing
EP0384704A3 (en) * 1989-02-21 1991-05-08 General Electric Company Die attach material and die attach process
US4994207A (en) * 1989-03-09 1991-02-19 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Thermoplastic film die attach adhesives
US4975221A (en) * 1989-05-12 1990-12-04 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation High purity epoxy formulations for use as die attach adhesives
US5159034A (en) * 1989-09-01 1992-10-27 Isp Investments Inc. Polymerization process using tertiary-amylperoxy pivalate as the free radical initiator
US5002818A (en) * 1989-09-05 1991-03-26 Hughes Aircraft Company Reworkable epoxy die-attach adhesive
JP2893782B2 (ja) * 1990-01-19 1999-05-24 日立化成工業株式会社 導電性接着剤および半導体装置
US5376403A (en) * 1990-02-09 1994-12-27 Capote; Miguel A. Electrically conductive compositions and methods for the preparation and use thereof
US5853622A (en) * 1990-02-09 1998-12-29 Ormet Corporation Transient liquid phase sintering conductive adhesives
US5258139A (en) * 1990-04-20 1993-11-02 Hitachi Chemical Company, Ltd. Epoxy resin and adhesive composition containing the same
JPH0412595A (ja) * 1990-05-02 1992-01-17 Mitsubishi Petrochem Co Ltd 導電性ペースト組成物
EP0651602B1 (en) 1993-10-29 1999-04-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive paste compound for via hole filling, printed circuit board which uses the conductive paste, and method of manufacturing the same
US5683627A (en) * 1995-03-15 1997-11-04 Tokuyama Corporation Curable electroconductive composition
JP5280597B2 (ja) * 2001-03-30 2013-09-04 サンスター技研株式会社 一液加熱硬化型エポキシ樹脂組成物および半導体実装用アンダーフィル材
US6482335B1 (en) 2001-05-16 2002-11-19 Conley Corporation Conductive adhesive and method
US20040158008A1 (en) * 2003-02-06 2004-08-12 Xiping He Room temperature printable adhesive paste
CN100575384C (zh) * 2003-04-16 2009-12-30 亨斯迈先进材料（瑞士）有限公司 用于低温固化的促进剂体系
MY142246A (en) * 2003-06-10 2010-11-15 Hitachi Chemical Co Ltd Adhesive film and process for preparing the same as well as adhesive sheet and semiconductor device
US20070226995A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-04 Gregory Alan Bone System and method for adhering large semiconductor applications to pcb
US20110218272A1 (en) * 2008-11-13 2011-09-08 Toho Tenax Co., Ltd. Thermosetting resin composition and prepreg using the same
CN102417808A (zh) * 2011-09-29 2012-04-18 西北工业大学 一种耐高温胶粘剂及其制备方法
CN103160232A (zh) * 2013-03-31 2013-06-19 广东普赛特电子科技股份有限公司 一种含改性镁粉的灌封胶及其制备方法
JP6508344B2 (ja) * 2015-08-28 2019-05-08 日立化成株式会社 緩衝シート用組成物及び緩衝シート
CN105462514A (zh) * 2015-11-24 2016-04-06 苏州盖德精细材料有限公司 一种高性能聚酰亚胺改性环氧树脂导电胶及其制备方法
DE112018002911T5 (de) * 2017-06-07 2020-02-20 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Thermisch leitende und elektrisch leitende Adhäsivzusammensetzung
CN108219730A (zh) * 2018-01-16 2018-06-29 黑龙江省科学院石油化学研究院 一种导电胶粘剂的制备方法及其导电胶黏剂
CN113429890B (zh) * 2021-07-14 2023-06-02 嘉兴蓉阳电子科技有限公司 复合型固化剂、胶黏剂、导电胶及其制备方法、应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52154896A (en) * 1976-06-17 1977-12-22 Ciba Geigy Ag Stably storable thermosetting mixture and process for producing said polymer mixture
JPS5341398A (en) * 1976-09-28 1978-04-14 Toshiba Corp Heat resistant resin composition
JPS54155297A (en) * 1978-05-30 1979-12-07 Toshiba Corp Resin composition
JPS6121173A (ja) * 1984-07-06 1986-01-29 ナシヨナル　スタ−チ　アンド　ケミカル　コ−ポレイシヨン 無溶剤ポリイミド改質エポキシ組成物

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH615935A5 (ja) * 1975-06-19 1980-02-29 Ciba Geigy Ag
JPS53134087A (en) * 1977-04-28 1978-11-22 Toshiba Corp Heat-resistant resin composition
US4401777A (en) * 1981-10-20 1983-08-30 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Curable resin composition comprising N-(alkenylphenyl)maleimide and epoxy composition
CH647249A5 (de) * 1981-12-23 1985-01-15 Ciba Geigy Ag Lagerstabile, waermehaertbare, einen polymerisationskatalysator enthaltende mischungen auf polyimidbasis.
US4692272A (en) * 1984-10-15 1987-09-08 Stauffer Chemical Company Thermally stable adhesive comprising soluble polyimide resin and epoxy resin

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52154896A (en) * 1976-06-17 1977-12-22 Ciba Geigy Ag Stably storable thermosetting mixture and process for producing said polymer mixture
JPS5341398A (en) * 1976-09-28 1978-04-14 Toshiba Corp Heat resistant resin composition
JPS54155297A (en) * 1978-05-30 1979-12-07 Toshiba Corp Resin composition
JPS6121173A (ja) * 1984-07-06 1986-01-29 ナシヨナル　スタ−チ　アンド　ケミカル　コ−ポレイシヨン 無溶剤ポリイミド改質エポキシ組成物

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006307055A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Hitachi Chem Co Ltd 接着フィルム、接着シート及び半導体装置
JP2007161880A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Asahi Kasei Corp ポリアミド酸ワニス組成物及び金属ポリイミド複合体
JP2010059387A (ja) * 2008-08-04 2010-03-18 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置
JP2014527106A (ja) * 2011-08-12 2014-10-09 ヘンケル・チャイナ・カンパニー・リミテッド 光学透明デュアル硬化接着剤組成物
US9708518B2 (en) 2011-08-12 2017-07-18 Henkel Ag & Co. Kgaa Optical transparent dual cure adhesives composition

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