JPH11322816A - 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents

樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置

Info

Publication number
JPH11322816A
JPH11322816A JP34202898A JP34202898A JPH11322816A JP H11322816 A JPH11322816 A JP H11322816A JP 34202898 A JP34202898 A JP 34202898A JP 34202898 A JP34202898 A JP 34202898A JP H11322816 A JPH11322816 A JP H11322816A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
paste composition
weight
component
unsaturated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP34202898A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiko Yamada
和彦 山田
Yoji Katayama
陽二 片山
Koichi Sawabe
浩一 沢辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP34202898A priority Critical patent/JPH11322816A/ja
Publication of JPH11322816A publication Critical patent/JPH11322816A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】表面実装方式の高密度半導体装置の半導体素子
と支持部材との接着性、耐熱性、耐湿性の改善を計り、
リフローソルダリング後の信頼性の高い半導体装置を提
供する。 【解決手段】不飽和ビスイミド系化合物と不飽和モノイ
ミド系化合物とラジカル重合開始剤と充填剤を含む樹脂
ペースト組成物(接着剤)及び半導体素子と支持部材と
の間に前記接着剤を介在させてなる半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はIC、LSI等の半
導体素子をリードフレーム、ガラスエポキシ配線板等に
接着するのに好適な樹脂ペースト組成物及びこれを用い
た半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の実装方式は高密度実装の点
から、従来のピン挿入方式から表面実装方式へと移行し
ている。基板への実装には基板全体を赤外線等で加熱す
るリフローソルダリングが用いられ、パッケージが20
0℃以上の高温に加熱されるため、パッケージ内部、特
に接着剤層中または封止材中に含まれる水分の急激な気
化・膨張によりパッケージクラックが発生し、半導体装
置の信頼性が低下する問題がある。この問題は42アロ
イリードフレームよりも銅リードフレームにおいて特に
深刻である。その理由の1つとしては、銅リードフレー
ムに対して接着剤の接着力が低いこと、銅リードフレー
ムのほうが42アロイリードフレームよりも線膨張係数
が大きいためにSiチップとの線膨張係数の差が大きき
なり、チップクラックやチップ反りが発生することがあ
る。
【0003】特開平5−1130号公報には、ジアミノ
基含有シロキサンオリゴマーと無水マレイン酸とから誘
導されるビスマレイミド、1,2−ポリブタジエンの側
鎖を酸化して得られるエポキシ化物および導電性粉末を
必須成分としてなることを特徴とする導電性ペーストの
開示がある。しかしながら、前記の高密度表面実装に該
導電性ペーストを用いても、200℃以上の耐リフロー
ソルダリング後の信頼性に課題が残る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は樹脂ペースト
組成物のリードフレームに対するピール強度、特に銅リ
ードフレームに対するピール強度を向上させ、かつ樹脂
ペースト組成物を低応力化することによりチップクラッ
クやチップ反りの発生を抑制することで従来技術の欠点
を除去し、銅リードフレームにおいてもリフローソルダ
リング時にクラックの無い樹脂ペースト組成物及びこれ
を用いた半導体装置を提供する。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は(A)一般式
〔1〕で表わされる不飽和ビスイミド系化合物、
【化3】 〔式中,R1は炭素数が2〜100の2価の有機基であ
る。また、R,Rは水素,低級アルキル基,ハロゲ
ン,フェニル基のいずれかであり、お互いに同じであっ
ても異なっていてもよい。〕 (B)一般式〔2〕で表わされる不飽和モノイミド系化
合物
【化4】 〔式中,R,Rは前記と同じである。R〜R
水素,低級アルキル基,フェニル基のいずれかであり、
お互いに同じであっても異なっていてもよい。nは0〜
18の整数である。〕 (C)ラジカル重合開始剤 (D)充填剤 を含有してなる樹脂ペースト組成物に関する。
【0006】また、本発明は前記(A)成分と(B)成
分の配合割合が(A)成分100重量部に対して(B)
成分1〜100重量部であることを特徴とする樹脂ペー
スト組成物。
【0007】また、前記充填剤が樹脂ペースト組成物総
量に対して5〜95重量%配合されてなることを特徴と
する樹脂ペースト組成物。
【0008】また、半導体素子が接着層を介して支持部
材に固着され、更に前記半導体素子の少なくとも1部が
樹脂組成物で被覆又は/及び封止されてなる半導体装置
において、前記接着層が上記のいずれかに記載の樹脂ペ
ースト組成物からなる半導体装置。
【0009】前記支持部材が銅リードフレームである半
導体装置。
【0010】前記、樹脂組成物がエポキシ樹脂、マレイ
ミド樹脂の少なくとも1種と球形シリカ粉(平均粒径1
〜15μm)を90重量%以上含む封止用樹脂組成物で
ある半導体装置。
【0011】本発明において、上記一般式〔1〕で表わ
される不飽和ビスイミド系化合物として、具体的には、
N,N'−ジフェニルメタンビスマレイミド、N,N'−
フェニレンビスマレイミド、N,N'−ジフェニルエー
テルビスマレイミド、N,N'−ジフェニルスルホンビ
スマレイミド、N,N'−ジシクロヘキシルメタンビス
マレイミド、N,N'−キシレンビスマレイミド、N,
N'−トリレンビスマレイミド、N,N'−キシリレンビ
スマレイミド、N,N'−ジフェニルシクロヘキサンビ
スマレイミド、N,N'−ジクロロージフェニルビスマ
レイミド、N,N'−ジフェニルメタンビスメチルマレ
イミド、N,N'−ジフェニルエーテルビスメチルマレ
イミド、N,N'−ジフェニルスルホンビスマレイミ
ド、2,2−ビス−4〔−4−〔マレイミドフェノキ
シ〕フェニル〕プロパン(それぞれ異性体を含む)、
N,N'−エチレンビスマレイミド,N,N'−ヘキサメ
チレンビスマレイミド,N,N'−ヘキサメチレンビス
メチルマレイミド等のN,N'−ビスマレイミド化合
物,これらN,N'−ビスマレイミド化合物とジアミン
類を付加させて得られる末端がN,N'−ビスマレイミ
ド骨格を有するプレポリマー、アニリン、ホルマリン縮
合物のマレイミド化物若しくはメチルマレイミド化物な
どが例示できる。又、次式で表されるダイマ―骨格を有
するジアミンと無水マレイン酸との反応物がある。
【化5】
【0012】また、上記不飽和ビスイミド系化合物に
は、モノ置換マレイミド、トリス置換マレイミド、テト
ラ置換マレイミドを併用することもできる。
【0013】本発明において、一般式〔1〕で表わされ
る不飽和ビスイミド系化合物は、一般式〔3〕で表わさ
れるジアミノ基含有化合物と一般式〔4〕で表わされる
不飽和ジカルボン酸無水物とから誘導される。
【化6】
【化7】 [式中、R1,R2,R3は前記と同じである。]ジア
ミノ基含有化合物としては、1,2−ジアミノエタン、
1,3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブタン、
1,5−ジアミノペンタン、1,6−ジアミノヘキサ
ン、1,7−ジアミノヘプタン、1,8−ジアミノオク
タン、1,9−ジアミノノナン、1,10−ジアミノデ
カン、1,11−ジアミノウンデカン、1,12−ジア
ミノドデカン等の脂肪族ジアミン、o−フェニレンジア
ミン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミ
ン、3,3'−ジアミノジフェニルエーテル、3,4'−
ジアミノジフェニルエーテル、4,4'−ジアミノジフ
ェニルエーテル、3,3'−ジアミノジフェニルメタ
ン、3,4'−ジアミノジフェニルメタン、4,4'−ジ
アミノジフェニルメタン、3,3'−ジアミノジフェニ
ルジフルオロメタン、3,4'−ジアミノジフェニルジ
フルオロメタン、4,4'−ジアミノジフェニルジフル
オロメタン、3,3'−ジアミノジフェニルスルホン、
3,4'−ジアミノジフェニルスルホン、4,4'−ジア
ミノジフェニルスルホン、3,3'−ジアミノジフェニ
ルスルフイド、3,4'−ジアミノジフェニルスルフイ
ド、4,4'−ジアミノジフェニルスルフイド、
【0014】3,3'−ジアミノジフェニルケトン、3,
4'−ジアミノジフェニルケトン、4,4'−ジアミノジ
フェニルケトン、2,2−ビス(3−アミノフェニル)
プロパン、2,2'−(3,4'−ジアミノジフェニル)
プロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(3−アミノフェニル)ヘキサフルオ
ロプロパン、2,2−(3,4'−ジアミノジフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミ
ノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス
(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3
−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−ア
ミノフェノキシ)ベンゼン、3,3'−(1,4−フェ
ニレンビス(1−メチルエチリデン))ビスアニリン、
3,4'−(1,4−フェニレンビス(1−メチルエチ
リデン))ビスアニリン、4,4'−(1,4−フェニ
レンビス(1−メチルエチリデン))ビスアニリン、
2,2−ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(4−(4−アミノフェノ
キシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−(3−
アミノフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェ
ニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−(3−アミ
ノフェノキシ)フェニル)スルフイド、ビス(4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル)スルフイド、ビス(4
−(3−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン、ビス
(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン等
の芳香族ジアミン等がある。また、次式で表されるダイ
マー骨格を有するジアミンがある。
【化8】
【0015】また、前記一般式〔4〕で表わされる不飽
和ジカルボン酸無水物としては、例えば無水マレイン
酸、無水シトラコン酸、無水ジクロルマレイン酸など、
あるいはこれらの化合物とジシクロジェンとのディール
ス・アルダー(Diels・Alder)付加物の少なくとも1種
が用いられる。
【0016】前記一般式〔3〕と前記一般式〔4〕よ
り、一般式〔1〕で示される不飽和ビスイミド系化合物
を得る反応については、特に、限定されないが、2段階
の反応で製造する方法がある。第1段階でアミド酸を製
造する。そのためには公知の方法が適用される。一般的
な方法としては、一般式〔3〕のジアミン化合物と一般
式〔4〕の不飽和ジカルボン酸無水物とを、両者の有機
溶剤中で接触させる方法がある。
【0017】通常、用いられている上記溶剤としては、
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルスルホキシド、N−メチルピロリドン、N−メチルカ
プロラクタム、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アセ
トン、ジエチルケトンなどがある。
【0018】次に、第2段階として、アミド酸を環化脱
水させてイミド環を生成させる。この方法としては、U
SP第3,018,290号、同第3,127,414号などに記載の方法
がある。即ち、アミド酸からの脱水は、無水物として無
水酢酸をアミド酸基1モル当たり1.05〜1.5モル
用い、第3アミン、例えば、トリエチルアミンをアミド
酸基1モルに対して0.15〜0.5モル添加し、更
に、触媒としてアミド酸基1モルに対して0.5〜0.
05モルの酢酸ニッケルの存在下で、アセトン中で行な
うのがよい。
【0019】本発明において、一般式〔2〕で表わされ
る不飽和モノイミド系化合物としては、例えば下記式
(イ)〜(リ)で表わされるものなどがある。
【化9】
【化10】 上記の不飽和モノイミド系化合物は、一般式〔5〕で表
わされるアミノシロキサン系化合物と一般式〔4〕で表
わされる不飽和ジカルボン酸無水物とから誘導される。
【化11】 [式中、R〜Rは前記と同じである。] その製造方法としては、特に限定されるものではない
が、前記一般式〔1〕の製造法において、ジアミン系化
合物に替えてアミノシロキサン系化合物を用いることに
よっても得ることができる。
【0020】本発明において、(A)成分である一般式
〔1〕で表される不飽和ビスイミド系化合物と、(B)
成分である一般式〔2〕で表される不飽和モノイミド系
化合物の配合割合は(A)成分100重量部に対して
(B)成分1〜100重量部が好ましく、5〜70重量
部がより好ましい。(B)成分の配合量が1重量部未満
ではピール強度及びチップ反り低減の効果に劣る傾向が
あり、100重量部を超えるとピール強度が低下する傾
向がある。また、本発明では、リフローソルダリング時
に於ける接着性、耐熱性、可橈性にすぐれ、耐クラック
性にすぐれた効果が得られる。
【0021】また、本発明の(C)成分であるラジカル
重合開始剤としては、メチルエチルケトンパーオキサイ
ド、アセチルアセトンパーオキサイド、イソブチルメチ
ルケトンパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイ
ド、ベンゾイルパーオキサイド、t−ブチルパーベンゾ
エート、t−ブチルハイドロパーオキサイドなどのパー
オキサイドが使用され、添加量は樹脂組成物総量100
重量部に対し0.05〜20重量部が好ましく、0.1
〜10がより好ましく、0.4〜5.0重量部が更に好
ましい。本発明に用いられる(D)成分の充填剤として
は特に制限はなく、各種のものが用いられるが、例え
ば、金、銀、銅、ニッケル、鉄、アルミニウム、ステン
レス、酸化ケイ素、窒化ホウ素、硼酸アルミニウム等の
他表面に金属(層)を有する粉体などの導電性粉体が挙
げられる。前記の粉体としてはシリカ、チタニア、ガラ
ス、酸化鉄などの無機絶縁紛体を使用することができ
る。充填剤の配合量は、樹脂ペースト組成物総量に対し
て5〜95重量%が好ましく、10〜90重量%がより
好ましく、20〜85重量%が更に好ましい。これらの
充填剤成分は単独又は2種以上混合して使用することが
できる。前記の導電性紛末は、いずれも平均粒径で10
μm以下であることが好ましい。平均粒径が10μmをこ
えると組成物の性状がペースト状にならず塗布性能が低
下し好ましくない。例えば、銀と窒化ホウ素やシリカな
どでは比重がかなり異なるため好ましい配合割合を重量
比で記載すると、次のとおりである。すなわち、銀等の
比重の大きい充填剤は40〜95重量%が好ましく、6
0〜90重量%がより好ましい。窒化ホウ素やシリカ等
の比較的比重の小さい充填剤は5〜60重量%が好まし
く、10〜50重量%がより好ましい。充填剤の配合割
合が小さくなると耐熱性がおとり、大きくなりすぎると
ペーストの粘度が高くなり塗布作業性が低下して好まし
くない。
【0022】本発明の樹脂ぺースト組成物には、ペース
ト組成物の作成時の作業性及び使用時の塗布作業性をよ
り良好ならしめるため、必要に御おじる応じて希釈剤を
添加することができる。希釈剤としては、ブチルセロソ
ルブ、カルビトール、酢酸ブチルセロソルブ、酢酸カル
ビトール、エチレングリコールジエチルエーテル、α―
テルピネオール等の比較的沸点の高い有機溶剤、PGE
(日本火薬株式会社製)、PP―101(東都化成株式
会社製)、ED−502、503,509(旭電化株式
会社製)、YED−122(油化シエルエポキシ株式会
社製)、KBM−403、LS−7970(信越化学株
式会社製)、TSL−8350、TSL−8355、T
SL−9905(東芝シリコーン株式会社製)等の1分
子中に1〜2個のエポキシ基を有する反応性希釈剤、及
び次の(a)〜(f)示すビニル化合物がボイド、硬化
性、接着強度の点から好ましい。
【化12】 また、ビニル基、アリル基、アクリロイル基又はメタク
リロイル基であり得る少なくとも1種の重合可能な炭素
―炭素二重結合を有する基を含有する単量体を使用する
ことができる。
【0023】このような単量体としては、例えばスチレ
ン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン、ジビニルベ
ンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルフタレートプレ
ポリマ、クロルスチレン、ゾクロルスチレン、ブロムス
チレン、ジブロムスチレン、ジアリルベンゼンホスネー
ト、ジアリルホスフィン酸エステル、アクリル酸、メタ
クリル酸エステル、トリアリルシアヌレート、トリアリ
ルシアヌレートプレポリマ、トリブロモフェノールアリ
ルエーテルなどがあり、これらの1種以上を用いること
ができる。希釈剤の使用量としては、樹脂ペースト組成
物総量に対して30重量部以下が好ましく、20重量部
以下がより好ましい。使用量が大きくなるとボイドが発
生したり接着強度が低下する傾向がある。
【0024】また、本発明の樹脂ペースト組成物には、
少なくとも1種のJ通号重合可能な炭素―炭素二重結合
を有する基を含有する不飽和ポリエステル樹脂組成物を
加えることができる。
【0025】ここで不飽和ポリエステル樹脂組成物と
は、不飽和二塩基酸、飽和二塩基酸及びその無水物また
はこれらの低級アルキルエステル誘導体とジオールまた
はアルキレンモノオキサイド及びその誘導体から、触媒
の存在または不存在下にエステル化、エステル交換等の
反応を利用して縮合または付加重合することによって合
成された不飽和基を含有するポリエステル樹脂母体と、
エチレン系(例えばビニル基、アリル基等)の重合性化
合物、並びに過酸化物触媒との混合物からなるものであ
る。この他に、ビスフェノールA型,ノボラック型等の
エポキシ化合物とメタアクリル酸またはアクリル酸と反
応して得られるビニルエステル系樹脂も有用である。ま
た、必要に応じ、本発明の目的を損なわない範囲で、3
官能以上の多塩基酸または多価アルコールを併用しても
よい。
【0026】また、架橋剤としては、例えばスチレン、
ビニルトルエン、α−メチルスチレン、ジビルベンゼ
ン、ジアリルフタレート、ジアリルフタレートプレポリ
マ、クロロスチレン、ジクロレスチレン、ブロムスチレ
ン、ジブロムスチレン、ジアリルベンゼンホスホネー
ト、ジアリルホスフィン酸エステル、アリル酸エステ
ル、メタアリル酸エステル、トリアリルシアヌレート、
トリアリルシアヌレートプレポリマ、トリブルモフェノ
ールアリルエーテルなどが用いられる。
【0027】本発明になる樹脂ペースト組成物には、さ
らに必要に応じて酸化カルシウム、酸化マグネシウム等
の吸湿剤、シランカップリング剤、チタンカップリング
剤等の接着力向上剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系
界面活性剤等の濡れ向上剤、シリコーン油等の消泡剤、
無機イオン交換体等のイオントラップ剤等を適宜添加す
ることができる。
【0028】上述した各成分を十分混合した後、更に例
えば三本ロール等で混練処理し、その後、減圧脱泡して
導電性樹脂ペースト組成物を製造することができる。本
発明の樹脂ペースト組成物は、粘度調整のため必要に応
じて有機溶剤を使用することができる。その有機溶剤と
しては、ジオキサン、ヘキサン、酢酸セロソルブ、エチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチルセロソルブア
セテート、ブチルカルビトールアセテート、イソホロン
等が挙げられ、これらは単独又は2種以上混合して使用
することができる。また、この樹脂ペースト組成物は、
硬化剤を使用しなくとも硬化するが、イミダゾール系の
誘導体やマレイン化触媒等を使用することもできる。
【0029】本発明の樹脂ペースト組成物を製造するに
は、前記(A),(B),(C),(D)成分を少なく
とも含む組成物を各種添加剤とともに、一括または分割
して撹拌器、らいかい器、3本ロール、プラネタリーミ
キサー等の分散・溶解装置を適宜組み合わせ、必要に応
じて加熱して混合、溶解、解粒混練または分散して均一
なペースト状とすれば良い。本発明における樹脂ペース
ト組成物は、使用する前に減圧脱泡しておくことが好ま
しい。
【0030】本発明においては、さらに上記のようにし
て製造した樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子と支
持部材とを接着した後、封止することにより半導体装置
とすることができる。本発明の樹脂ペースト組成物を用
いて半導体素子をリードフレーム等の支持部材に接着さ
せるには、まず支持部材上に樹脂ペースト組成物をディ
スペンス法、スクリーン印刷法、スタンピング法等によ
り塗布した後、半導体素子を圧着し、その後オーブン、
ヒートブロック等の加熱装置を用いて加熱硬化すること
により行うことができる。さらに、ワイヤボンド工程を
経たのち、通常の樹脂あるいはセラミックスを用いた方
法により少なくとも半導体素子の1部を被覆又は/及び
封止することにより完成された半導体装置とすることが
できる。
【0031】本発明を達成する上では封止方法としては
特に封止材としてエポキシ樹脂組成物を用いろことが有
用である。エポキシ樹脂としては例えば、ビスフェノー
ルA型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ
樹脂、アリルフェノールノボラック型エポキシ樹脂等の
グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、トリフェノールア
ルカン型エポキシ樹脂及びその重合物、ナフタレン型エ
ポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペン
タジエン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポ
キシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、脂環式
エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポ
キシ樹脂、更にはエポキシ樹脂の一部もしくは全部に1
分子中に置換又は非置換のアリル基を有するナフタレン
環を少なくとも1個以上有するエポキシ樹脂などが挙げ
られる。これらは公知の硬化剤、促進剤、充填材、カッ
プリング剤、着色剤などを配合してなる。
【0032】
【発明の実施の形態】次に、実施例により本発明を具体
的に説明する。実施例及び比較例で用いたエポキシ樹
脂、硬化剤、不飽和ビスマレイミドおよび不飽和モノマ
レイミドは以下のようにして作製した。 (1)エポキシ樹脂の調製 YDF−170(東都化成社製、ビスフェノールF型エ
ポキシ樹脂、エポキシ当量=170)7.5重量部及び
YL−980(油化シェルエポキシ社製、ビスフェノー
ルA型エポキシ樹脂、エポキシ当量=185)7.5重
量部を80℃に加熱し、1時間撹拌を続け、均一なエポ
キシ樹脂溶液を得た。 (2)硬化剤の調製 H−1(明和化成社製、フェノールノボラック樹脂、O
H当量=106)1.0重量部及び希釈剤としてPP−
101(東都化成社製、アルキルフェニルグリシジルエ
ーテル、エポキシ当量=230)2.0重量部を100
℃に加熱し、1時間撹拌を続け、均一なフェノール樹脂
溶液を調製した。 (3)硬化促進剤:2P4MHZ(四国化成社製イミダ
ゾール系硬化促進剤) (4)ラジカル重合開始剤:ブチルパーオキシベンゾエ
ート (5)充填剤:TCG−1( 銀粉) (6)希釈剤:PP―101(S―ブチルフェニルモノ
グリシジルエーテル)
【0033】(7)不飽和ビスマレイミドの作製 撹拌機、温度計および環流冷却器を設置した反応容器に
下式のダイマー骨格を有するジアミン100重量部と無
水マレイン酸30重量部を入れ、窒素を通気させながら
室温で1時間反応させた後脱水剤を添加して室温で一晩
撹拌する。その後、生成物をヘキサン抽出およびメタノ
ール洗浄して不飽和ビスマレイミドを得た。
【化13】 (8)不飽和モノマレイミドの作製 (7)と同様にして、撹拌機、温度計および環流冷却器
を設置した反応容器に、式〔7〕に示す化合物100重
量部を採り、無水マレイン酸50重量部を入れ、窒素を
通気させながら室温で1時間反応させた後脱水剤を添加
して室温で一晩撹拌する。その後、生成物をヘキサン抽
出およびメタノール洗浄して不飽和モノマレイミドを得
た。
【化14】
【0034】表1に示す配合割合で各材料を混合し、3
本ロールを用いて混練した後、5トル(Torr)以下で1
0分間脱泡処理を行い、樹脂ペースト組成物を得た。こ
の樹脂ペースト組成物の特性(粘度、ピール強度及び耐
リフロー性)を下記に示す方法で調べた。その結果を表
1に示す。
【表1】 (1)粘度:EHD型回転粘度計(東京計器社製)を用
いて25℃における粘度(Pa・s)を測定した。 (2)ピール強度:樹脂ペースト組成物を銅リードフレ
ーム上に約3.2mgを塗布し、この上に8mm×8m
mのSiチップ(厚さ0.4mm)を圧着し、さらにオ
ーブンで150℃まで30分で昇温し150℃で1時間
硬化させた。これを自動接着力装置(日立化成社製、内
製)を用い、240℃における引き剥がし強さ(kg/
チップ)を測定した。
【0035】(3)チップ反り:樹脂ペースト組成物を
銅リードフレーム上に約3.2mgを塗布し、この上に
5mm×13mmのSiチップ(厚さ0.4mm)を圧
着し、さらにオーブンで150℃まで30分で昇温し1
50℃で1時間硬化させた。これを表面粗さ計(sloan
社製、Dektuk 3030)を用い、チップ反り(μm)を測
定した。 (4)耐リフロー性:実施例及び比較例により得た樹脂
ペースト組成物を用い、下記リードフレームとSiチッ
プを、下記の硬化条件により硬化し接着した。その後日
立化成工業製エポキシ封止材(商品名CEL−462
0)により封止し、半田リフロー試験用パッケージを得
た。そのパッケージを温度及び湿度がそれぞれ85℃、
85%の条件に設定された恒温恒湿槽中で72時間吸湿
させた。その後240℃/10秒のリフロー条件で半田
リフローを行いパッケージの外部クラックの発生数を顕
微鏡(倍率:15倍)で観察した。5個のサンプルにつ
いてクラックの発生したサンプル数を示す。 チップサイズ:8mm×10mm パッケージ:QFP、14mm×20mm×2mm フレーム:銅 硬化条件:150℃まで30分で昇温、150℃で1時
間硬化
【0036】表1の結果から、本発明の樹脂ペースト組
成物(実施例1,2)はエポキシ樹脂を用いた樹脂ペー
スト組成物(比較例1)やビスマレイミドを単独で用い
た樹脂ペースト組成物(比較例2)に比較してピール強
度、チップ反りで良好な値を示し、耐リフロー性も優れ
ていた。このことから、本発明の樹脂ペースト組成物に
よればパッケージの外部クラックの発生が抑制され、銅
リードフレームにおいても信頼性の高いパッケージが得
られることが確認された。
【0037】
【発明の効果】本発明の樹脂ペースト組成物は、半導体
装置のダイボンディング材として使用した場合に銅リー
ドフレームにおいても、チップクラックやチップ反りお
よび半田リフロー時のペースト層の剥離を抑えることが
でき、リフロークラックの発生を低減させる。その結
果、半導体装置としての信頼性を向上させることができ
る。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(A)一般式〔1〕で表わされる不飽和ビ
    スイミド系化合物、 【化1】 〔式中,Rは炭素数が2〜100の2価の有機基であ
    る。また、R,Rは水素、低級アルキル基,ハロゲ
    ン,フェニル基のいずれかであり、お互いに同じであっ
    ても異なっていてもよい。〕 (B)一般式〔2〕で表わされる不飽和モノイミド系化
    合物 【化2】 〔式中,R,Rは前記と同じである。R〜R
    水素,低級アルキル基,フェニル基のいずれかであり、
    お互いに同じであっても異なっていてもよい。nは0〜
    18の整数である。〕 (C)ラジカル重合開始剤 (D)充填剤 を含有してなる樹脂ペースト組成物。
  2. 【請求項2】前記(A)成分と(B)成分の配合割合が
    (A)成分100重量部に対して(B)成分1〜100
    重量部であることを特徴とする請求項1記載の樹脂ペー
    スト組成物。
  3. 【請求項3】前記、充填剤が樹脂ぺースト組成物の総量
    に対して5〜95重量%配合されていることを特徴とす
    る請求項1又は2記載の樹脂ペースト組成物。
  4. 【請求項4】半導体素子が接着層を介して支持部材に固
    着され、更に前記半導体素子の少なくとも1部が樹脂組
    成物で被覆又は/及び封止されてなる半導体装置におい
    て、前記接着層が請求項1〜3のいずれかに記載の樹脂
    ペースト組成物からなる半導体装置。
  5. 【請求項5】支持部材が銅リードフレームであることを
    特徴とする請求項4記載の半導体装置。
  6. 【請求項6】樹脂組成物が、エポキシ樹脂、マレイミド
    樹脂の少なくとも1種と球形シリカ粉(平均粒径1〜1
    5μm)を90重量%以上含む封止用樹脂組成物である
    ことを特徴とする請求項4記載の半導体装置。
JP34202898A 1998-03-11 1998-12-01 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 Pending JPH11322816A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34202898A JPH11322816A (ja) 1998-03-11 1998-12-01 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6015998 1998-03-11
JP10-60159 1998-03-11
JP34202898A JPH11322816A (ja) 1998-03-11 1998-12-01 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11322816A true JPH11322816A (ja) 1999-11-26

Family

ID=26401233

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34202898A Pending JPH11322816A (ja) 1998-03-11 1998-12-01 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11322816A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004005392A2 (en) * 2002-07-03 2004-01-15 Henkel Loctite Corporation Maleimidopropyl trimethoxysilane and related free-radically polymerizable coupling agents as adhesion promotors in adhesive formulations
WO2009054508A1 (ja) * 2007-10-26 2009-04-30 Toagosei Co., Ltd. アルコキシシランの縮合物を含む硬化型組成物
JP2010212706A (ja) * 2010-04-19 2010-09-24 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料及びそれを用いた回路板の製造方法、回路板
KR101369023B1 (ko) * 2009-01-20 2014-02-28 다이요 홀딩스 가부시키가이샤 도전성 페이스트 및 투광성 도전 필름과 그의 제조 방법
CN105131027A (zh) * 2015-07-10 2015-12-09 南京工业大学 马来酰亚胺基三乙氧基硅烷类系列化合物的合成及自组装膜的制备方法
JP2017132877A (ja) * 2016-01-27 2017-08-03 京セラ株式会社 半導体接着用樹脂組成物及び半導体装置
KR20180075690A (ko) 2015-12-25 2018-07-04 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 봉지용 수지 조성물 및 반도체 장치

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004005392A2 (en) * 2002-07-03 2004-01-15 Henkel Loctite Corporation Maleimidopropyl trimethoxysilane and related free-radically polymerizable coupling agents as adhesion promotors in adhesive formulations
WO2004005392A3 (en) * 2002-07-03 2004-05-13 Henkel Loctite Corp Maleimidopropyl trimethoxysilane and related free-radically polymerizable coupling agents as adhesion promotors in adhesive formulations
US7199249B2 (en) 2002-07-03 2007-04-03 Henkel Corporation Free radically polymerizable coupling agents
WO2009054508A1 (ja) * 2007-10-26 2009-04-30 Toagosei Co., Ltd. アルコキシシランの縮合物を含む硬化型組成物
JP5640381B2 (ja) * 2007-10-26 2014-12-17 東亞合成株式会社 アルコキシシランの縮合物を含む活性エネルギー線硬化型コーティング剤組成物
KR101369023B1 (ko) * 2009-01-20 2014-02-28 다이요 홀딩스 가부시키가이샤 도전성 페이스트 및 투광성 도전 필름과 그의 제조 방법
JP2010212706A (ja) * 2010-04-19 2010-09-24 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料及びそれを用いた回路板の製造方法、回路板
CN105131027A (zh) * 2015-07-10 2015-12-09 南京工业大学 马来酰亚胺基三乙氧基硅烷类系列化合物的合成及自组装膜的制备方法
KR20180075690A (ko) 2015-12-25 2018-07-04 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 봉지용 수지 조성물 및 반도체 장치
US10262914B2 (en) 2015-12-25 2019-04-16 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Resin composition for encapsulation, and semiconductor device
JP2017132877A (ja) * 2016-01-27 2017-08-03 京セラ株式会社 半導体接着用樹脂組成物及び半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3288146B2 (ja) 導電性接着フィルム、接着法、導電性接着フィルム付き支持部材及び半導体装置
JP6029839B2 (ja) フィルム状接着剤、接着シート、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
JP5505421B2 (ja) フィルム状接着剤の製造方法、接着シート並びに半導体装置及びその製造方法
KR100794636B1 (ko) 알릴기 또는 비닐기를 가지는 에폭시 수지 함유 다이부착용 접착제
KR100970798B1 (ko) 접착 필름 및 이것을 이용한 반도체 장치
JP5134747B2 (ja) 接着フィルム及び半導体装置
US20070225438A1 (en) Resin Paste for Die Bonding
US5667899A (en) Electrically conductive bonding films
JP2002158239A (ja) ダイボンディング材及び半導体装置
JPH11322816A (ja) 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
JP5293496B2 (ja) 接着剤組成物、接着フィルム及び半導体装置
JP3777021B2 (ja) 接着フィルム
JP2006131914A (ja) ダイボンディング材
JP3978628B2 (ja) 接着フィルム
JPH11140386A (ja) 接着フィルム、その製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置
JP4013092B2 (ja) 接着フィルム
JPH0873832A (ja) 樹脂ペースト及び半導体装置
JPH11106455A (ja) 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
JPH11106454A (ja) 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
JP2003253220A (ja) フィルム状接着剤及び半導体接着テープ
JP2002138270A (ja) 接着フィルム、基材付き接着フィルム及びそれらの製造法、半導体用接着フィルム、半導体素子、支持部材、半導体素子と支持部材の接着法並びに半導体装置
JP3536640B2 (ja) 接着フィルム、その製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置
JP2000086742A (ja) エポキシ樹脂組成物及び導電性ペースト
JP4600704B2 (ja) 接着剤、接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
JP2002155262A (ja) 接着剤組成物及び半導体装置