JP2002138270A - 接着フィルム、基材付き接着フィルム及びそれらの製造法、半導体用接着フィルム、半導体素子、支持部材、半導体素子と支持部材の接着法並びに半導体装置 - Google Patents
接着フィルム、基材付き接着フィルム及びそれらの製造法、半導体用接着フィルム、半導体素子、支持部材、半導体素子と支持部材の接着法並びに半導体装置Info
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- H01L2924/156—Material
- H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
- H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 半導体装置に高い信頼性を与える、低温接着
性及び熱時接着力に優れる接着フィルム、基材付きフィ
ルム、これらのフィルムの製造法、これらのフィルム付
き支持部材、半導体素子及びこれらを用いた半導体装置
を提供する。 【解決手段】 重量平均分子量５０００〜１５００００
のフェノキシ樹脂を含有する接着フィルム、この接着フ
ィルムをダイシングテープ等の基材の上に積層した基材
付き半導体用接着フィルムの製造法、これらのフィルム
を用いて半導体素子と支持部材を加熱圧着することを特
徴とする半導体素子と支持部材の接着方法、前記接着フ
ィルムを接着させた支持部材、半導体の裏面に前記接着
フィルムを接着させた半導体素子並びに前記接着フィル
ムを用いて、支持部材に半導体素子を接着した構造を有
する半導体装置。
性及び熱時接着力に優れる接着フィルム、基材付きフィ
ルム、これらのフィルムの製造法、これらのフィルム付
き支持部材、半導体素子及びこれらを用いた半導体装置
を提供する。 【解決手段】 重量平均分子量５０００〜１５００００
のフェノキシ樹脂を含有する接着フィルム、この接着フ
ィルムをダイシングテープ等の基材の上に積層した基材
付き半導体用接着フィルムの製造法、これらのフィルム
を用いて半導体素子と支持部材を加熱圧着することを特
徴とする半導体素子と支持部材の接着方法、前記接着フ
ィルムを接着させた支持部材、半導体の裏面に前記接着
フィルムを接着させた半導体素子並びに前記接着フィル
ムを用いて、支持部材に半導体素子を接着した構造を有
する半導体装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、接着フィルム、基
材付き接着フィルム及びそれらの製造法、半導体用接着
フィルム、半導体素子、支持部材、半導体素子と支持部
材の接着法並びに半導体装置に関する。
材付き接着フィルム及びそれらの製造法、半導体用接着
フィルム、半導体素子、支持部材、半導体素子と支持部
材の接着法並びに半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣ及びＬＳＩ等の半導体素子と
リードフレームとの接合にはＡｕ−Ｓｉ共晶合金、半田
及び銀ペースト等が用いられている。Ａｕ−Ｓｉ共晶合
金は、耐熱性及び耐湿信頼性は高いが、弾性率が大きい
ため大型チップへ適用した場合に割れ易いほか、高価で
ある難点がある。半田は安価であるものの、耐熱性が劣
り、更に弾性率はＡｕ−Ｓｉ共晶合金と同様に高く、大
型チップへの適用が困難である。
リードフレームとの接合にはＡｕ−Ｓｉ共晶合金、半田
及び銀ペースト等が用いられている。Ａｕ−Ｓｉ共晶合
金は、耐熱性及び耐湿信頼性は高いが、弾性率が大きい
ため大型チップへ適用した場合に割れ易いほか、高価で
ある難点がある。半田は安価であるものの、耐熱性が劣
り、更に弾性率はＡｕ−Ｓｉ共晶合金と同様に高く、大
型チップへの適用が困難である。
【０００３】一方、銀ペーストは安価で、耐湿性が高
く、弾性率も上記三者の中では最も低く、３５０℃の熱
圧着型ワイヤボンダーに適用できる耐熱性も有するの
で、現在はＩＣやＬＳＩとリードフレームの接着用材料
の主流である。しかし、近年ＩＣやＬＳＩの高集積化が
進み、それに伴ってチップが大型化している中で、ＩＣ
やＬＳＩとリードフレームを銀ペ−ストで接合しようと
する場合、銀ペーストをチップ前面に広げ、塗布するに
は困難を伴う。
く、弾性率も上記三者の中では最も低く、３５０℃の熱
圧着型ワイヤボンダーに適用できる耐熱性も有するの
で、現在はＩＣやＬＳＩとリードフレームの接着用材料
の主流である。しかし、近年ＩＣやＬＳＩの高集積化が
進み、それに伴ってチップが大型化している中で、ＩＣ
やＬＳＩとリードフレームを銀ペ−ストで接合しようと
する場合、銀ペーストをチップ前面に広げ、塗布するに
は困難を伴う。
【０００４】マイクロエレクトロニック マニュファク
チュアリング アンド テスティング（MICROELECTRONI
C MANUFACTURING AND TESTING 1985年10月）に、導電性
フィラーを熱可塑性樹脂に充填したダイボンド用の接着
フィルムが報告された。この接着フィルムは熱可塑性樹
脂の融点付近まで温度を上げ、加圧接着するものであ
る。
チュアリング アンド テスティング（MICROELECTRONI
C MANUFACTURING AND TESTING 1985年10月）に、導電性
フィラーを熱可塑性樹脂に充填したダイボンド用の接着
フィルムが報告された。この接着フィルムは熱可塑性樹
脂の融点付近まで温度を上げ、加圧接着するものであ
る。
【０００５】上記接着フィルムは、融点の低い熱可塑性
樹脂を選んで用いると接着温度を低くすることができ、
リードフレームの酸化等、チップに与えるダメージは少
なくて済むが、熱時接着力が低いのでダイボンド後の熱
処理（例えばワイヤボンド、封止工程等）に耐えられな
いという欠点がある。また、そのような熱処理に耐えら
れる融点の高い熱可塑性樹脂を用いると、接着温度が高
くなり、リードフレームが酸化等のダメージを受け易く
なる問題がある。
樹脂を選んで用いると接着温度を低くすることができ、
リードフレームの酸化等、チップに与えるダメージは少
なくて済むが、熱時接着力が低いのでダイボンド後の熱
処理（例えばワイヤボンド、封止工程等）に耐えられな
いという欠点がある。また、そのような熱処理に耐えら
れる融点の高い熱可塑性樹脂を用いると、接着温度が高
くなり、リードフレームが酸化等のダメージを受け易く
なる問題がある。
【０００６】また、特定のポリイミド樹脂を用いた接着
フィルム、及びこれに導電性フィラーもしくは無機フィ
ラーを含有するダイボンド用接着フィルム（特開平6-14
5639号公報、特開平7-228697号公報等）は比較的低温で
接着でき、かつ良好な熱時接着力を有しているのでダイ
ボンド用として好適に使用できる。しかしながら、上記
の接着フィルムは、その構成成分である熱可塑性ポリイ
ミドの原料が高価であり、さらに製造工程が多いことか
ら、製造コストが大きいという欠点がある。
フィルム、及びこれに導電性フィラーもしくは無機フィ
ラーを含有するダイボンド用接着フィルム（特開平6-14
5639号公報、特開平7-228697号公報等）は比較的低温で
接着でき、かつ良好な熱時接着力を有しているのでダイ
ボンド用として好適に使用できる。しかしながら、上記
の接着フィルムは、その構成成分である熱可塑性ポリイ
ミドの原料が高価であり、さらに製造工程が多いことか
ら、製造コストが大きいという欠点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】請求項１〜８記載の発
明は、低温接着性及び熱時接着力に優れ、このものを用
いた半導体装置に高い信頼性を付与し、さらに製造コス
トの低減にも有効である接着フィルムを提供するもので
ある。請求項９及び１０記載の発明は、低温接着性及び
熱時接着力に優れ、このものを用いた半導体装置に高い
信頼性を付与し、製造コストの低減にも有効であり、さ
らに厚膜のフィルムでありＴＡＢ用及びＬＯＣ用として
も好適な基材付き接着フィルムを提供するものである。
明は、低温接着性及び熱時接着力に優れ、このものを用
いた半導体装置に高い信頼性を付与し、さらに製造コス
トの低減にも有効である接着フィルムを提供するもので
ある。請求項９及び１０記載の発明は、低温接着性及び
熱時接着力に優れ、このものを用いた半導体装置に高い
信頼性を付与し、製造コストの低減にも有効であり、さ
らに厚膜のフィルムでありＴＡＢ用及びＬＯＣ用として
も好適な基材付き接着フィルムを提供するものである。
【０００８】請求項１１記載の発明は、フィルムの仮張
りの工程及びその際に使用する機器を必要としない半導
体用接着フィルムを提供するものである。請求項１２記
載の発明は、膜厚及び特性のばらつきを極めて少なくし
て製造でき、さらに生産性よく製造できる接着フィルム
の製造法を提供するものである。請求項１３記載の発明
は、膜厚及び特性のばらつきを極めて少なくして製造で
き、さらに生産性よく製造できる基材付き接着フィルム
の製造法を提供するものである。
りの工程及びその際に使用する機器を必要としない半導
体用接着フィルムを提供するものである。請求項１２記
載の発明は、膜厚及び特性のばらつきを極めて少なくし
て製造でき、さらに生産性よく製造できる接着フィルム
の製造法を提供するものである。請求項１３記載の発明
は、膜厚及び特性のばらつきを極めて少なくして製造で
き、さらに生産性よく製造できる基材付き接着フィルム
の製造法を提供するものである。
【０００９】請求項１４記載の発明は、上記接着フィル
ム又は上記基材付き接着フィルムを、その特性である耐
熱性及び接着性を充分活かし、半導体素子及び支持部材
を簡便に作業性よく接着できる半導体素子と支持部材の
接着法を提供するものである。請求項１５記載の発明
は、耐久性及び耐熱性に優れ、半導体装置に好適に使用
できる接着フィルム付き支持部材を提供するものであ
る。
ム又は上記基材付き接着フィルムを、その特性である耐
熱性及び接着性を充分活かし、半導体素子及び支持部材
を簡便に作業性よく接着できる半導体素子と支持部材の
接着法を提供するものである。請求項１５記載の発明
は、耐久性及び耐熱性に優れ、半導体装置に好適に使用
できる接着フィルム付き支持部材を提供するものであ
る。
【００１０】請求項１６記載の発明は、耐久性及び耐熱
性に優れ、半導体装置に好適に使用できる接着フィルム
付き半導体素子を提供するものである。請求項１７記載
の発明は、耐久性及び耐熱性に優れ、高品位で高信頼性
を有する半導体装置を提供するものである。
性に優れ、半導体装置に好適に使用できる接着フィルム
付き半導体素子を提供するものである。請求項１７記載
の発明は、耐久性及び耐熱性に優れ、高品位で高信頼性
を有する半導体装置を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、重量平均分子
量が５０００〜１５００００であるフェノキシ樹脂を含
有してなる接着フィルムに関する。また本発明は、上記
フェノキシ樹脂が、Ｔｇが２００℃以下である上記接着
フィルムに関する。
量が５０００〜１５００００であるフェノキシ樹脂を含
有してなる接着フィルムに関する。また本発明は、上記
フェノキシ樹脂が、Ｔｇが２００℃以下である上記接着
フィルムに関する。
【００１２】また本発明は、上記フェノキシ樹脂が、下
記一般式（１）
記一般式（１）
【化２】 （式中、Ｒ1は二価の有機基を示し、複数個のＲ1は繰り
返し単位ごとに各々異なっていてもよい）で表される繰
り返し単位を有するものである上記接着フィルムに関す
る。
返し単位ごとに各々異なっていてもよい）で表される繰
り返し単位を有するものである上記接着フィルムに関す
る。
【００１３】また本発明は、さらに熱硬化性樹脂を含有
してなる上記接着フィルムに関する。また本発明は、さ
らにカップリング剤を含有してなる上記接着フィルムに
関する。また本発明は、上記カップリング剤がシラン系
カップリング剤である上記接着フィルムに関する。
してなる上記接着フィルムに関する。また本発明は、さ
らにカップリング剤を含有してなる上記接着フィルムに
関する。また本発明は、上記カップリング剤がシラン系
カップリング剤である上記接着フィルムに関する。
【００１４】また本発明は、さらにフィラーを含有して
なる上記接着フィルムに関する。また本発明は、フェノ
キシ樹脂１００重量部に対して、熱硬化性樹脂０〜２０
０重量部、カップリング剤０〜５０重量部及びフィラー
０〜８０００重量部を含有してなる上記接着フィルムに
関する。
なる上記接着フィルムに関する。また本発明は、フェノ
キシ樹脂１００重量部に対して、熱硬化性樹脂０〜２０
０重量部、カップリング剤０〜５０重量部及びフィラー
０〜８０００重量部を含有してなる上記接着フィルムに
関する。
【００１５】また本発明は、基材の片面又は両面に、直
接又は他の層を介して上記接着フィルムが積層されてな
る基材付き接着フィルムに関する。また本発明は、上記
基材が耐熱性のフィルムである基材付き接着フィルムに
関する。また本発明は、上記接着フィルムがダイシング
テープ上に積層されてなる半導体用接着フィルムに関す
る。
接又は他の層を介して上記接着フィルムが積層されてな
る基材付き接着フィルムに関する。また本発明は、上記
基材が耐熱性のフィルムである基材付き接着フィルムに
関する。また本発明は、上記接着フィルムがダイシング
テープ上に積層されてなる半導体用接着フィルムに関す
る。
【００１６】また本発明は、上記フェノキシ樹脂１００
重量部、熱硬化性樹脂０〜２００重量部、カップリング
剤０〜５０重量部及びフィラー０〜８０００重量部を有
機溶媒中で混合する工程、（２）基材上に上記混合液の
層を形成させる工程、（３）加熱、乾燥する工程、
（４）基材を除去する工程、を含むことを特徴とする接
着フィルムの製造方法に関する。
重量部、熱硬化性樹脂０〜２００重量部、カップリング
剤０〜５０重量部及びフィラー０〜８０００重量部を有
機溶媒中で混合する工程、（２）基材上に上記混合液の
層を形成させる工程、（３）加熱、乾燥する工程、
（４）基材を除去する工程、を含むことを特徴とする接
着フィルムの製造方法に関する。
【００１７】また本発明は、上記フェノキシ樹脂１００
重量部、熱硬化性樹脂０〜２００重量部、カップリング
剤０〜５０重量部及びフィラー０〜８０００重量部を有
機溶媒中で混合する工程、（２）基材上に上記混合液の
層を形成させる工程、（３）加熱、乾燥する工程、を含
むことを特徴とする基材付き接着フィルムの製造方法に
関する。
重量部、熱硬化性樹脂０〜２００重量部、カップリング
剤０〜５０重量部及びフィラー０〜８０００重量部を有
機溶媒中で混合する工程、（２）基材上に上記混合液の
層を形成させる工程、（３）加熱、乾燥する工程、を含
むことを特徴とする基材付き接着フィルムの製造方法に
関する。
【００１８】また本発明は、上記接着フィルム又は上記
基材付き接着フィルムを用いて、半導体素子と支持部材
とを加熱圧着することを特徴とする半導体素子と支持部
材の接着法に関する。また本発明は、支持部材上に上記
接着フィルム又は基材付き接着フィルムを接着させてな
る接着フィルム付き支持部材に関する。また本発明は、
半導体素子の裏面に上記接着フィルム又は上記基材付き
接着フィルムを接着させてなる接着フィルム付き半導体
素子に関する。また本発明は、上記接着フィルム又は上
記基材付き接着フィルムを用いて、支持部材に半導体素
子を接着した構造を有してなる半導体装置に関する。
基材付き接着フィルムを用いて、半導体素子と支持部材
とを加熱圧着することを特徴とする半導体素子と支持部
材の接着法に関する。また本発明は、支持部材上に上記
接着フィルム又は基材付き接着フィルムを接着させてな
る接着フィルム付き支持部材に関する。また本発明は、
半導体素子の裏面に上記接着フィルム又は上記基材付き
接着フィルムを接着させてなる接着フィルム付き半導体
素子に関する。また本発明は、上記接着フィルム又は上
記基材付き接着フィルムを用いて、支持部材に半導体素
子を接着した構造を有してなる半導体装置に関する。
【００１９】
【発明実施の形態】本発明の接着フィルムに用いるフェ
ノキシ樹脂は、重量平均分子量が５０００〜１５０００
０のフェノキシ樹脂である。本発明のフェノキシ樹脂を
含有する接着フィルムは、低温接着性及び熱時接着力に
優れるため、このフィルムを用いた半導体装置は高い信
頼性が付与される。また、従来の接着剤用樹脂に比べ、
原料が安価でさらに製造工程が少ないため、製造コスト
の低減にも有効である。また、上記フェノキシ樹脂は、
エポキシ樹脂と構造が類似していることからエポキシ樹
脂との相溶性がよく、接着フィルムに良好な接着性を付
与するのに好適である。
ノキシ樹脂は、重量平均分子量が５０００〜１５０００
０のフェノキシ樹脂である。本発明のフェノキシ樹脂を
含有する接着フィルムは、低温接着性及び熱時接着力に
優れるため、このフィルムを用いた半導体装置は高い信
頼性が付与される。また、従来の接着剤用樹脂に比べ、
原料が安価でさらに製造工程が少ないため、製造コスト
の低減にも有効である。また、上記フェノキシ樹脂は、
エポキシ樹脂と構造が類似していることからエポキシ樹
脂との相溶性がよく、接着フィルムに良好な接着性を付
与するのに好適である。
【００２０】本発明の接着フィルムに用いるフェノキシ
樹脂は、重量平均分子量が大きいほどフィルム形成性が
容易に得られ、また加熱圧着時の流動性に影響する溶融
粘度を広範囲に設定することができる。本発明の接着フ
ィルムに用いるフェノキシ樹脂の重量平均分子量は、５
０００〜１５００００の範囲であるが、中でも５０００
〜１０００００が好ましく、５０００〜８００００が溶
融粘度や他の樹脂との相溶性等の点でより好ましい。重
量平均分子量が１５００００を超えると接着時の流動性
及び他の樹脂との相溶性が損なわれ、５０００未満であ
るとフィルム形成性が悪くなる。
樹脂は、重量平均分子量が大きいほどフィルム形成性が
容易に得られ、また加熱圧着時の流動性に影響する溶融
粘度を広範囲に設定することができる。本発明の接着フ
ィルムに用いるフェノキシ樹脂の重量平均分子量は、５
０００〜１５００００の範囲であるが、中でも５０００
〜１０００００が好ましく、５０００〜８００００が溶
融粘度や他の樹脂との相溶性等の点でより好ましい。重
量平均分子量が１５００００を超えると接着時の流動性
及び他の樹脂との相溶性が損なわれ、５０００未満であ
るとフィルム形成性が悪くなる。
【００２１】なお、本明細書において、重量平均分子量
とはゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰ
Ｃ）から求められた重量平均分子量のことを意味する。
とはゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰ
Ｃ）から求められた重量平均分子量のことを意味する。
【００２２】また上記フェノキシ樹脂のＴｇ（ガラス転
移温度）は２００℃以下であることが好ましく、０〜２
００℃がより好ましく、０〜１５０℃が特に好ましい。
２００℃を超えると低温接着性が損なわれる傾向があ
り、０℃未満であるとフィルム形成性が損なわれる傾向
がある。
移温度）は２００℃以下であることが好ましく、０〜２
００℃がより好ましく、０〜１５０℃が特に好ましい。
２００℃を超えると低温接着性が損なわれる傾向があ
り、０℃未満であるとフィルム形成性が損なわれる傾向
がある。
【００２３】本発明に用いられるフェノキシ樹脂として
は、下記一般式（１）
は、下記一般式（１）
【化３】 （式中、Ｒ1は二価の有機基を示し、複数個のＲ1は繰り
返し単位ごとに各々異なっていてもよい）で表される繰
り返し単位を有するフェノキシ樹脂が好ましい。
返し単位ごとに各々異なっていてもよい）で表される繰
り返し単位を有するフェノキシ樹脂が好ましい。
【００２４】このようなフェノキシ樹脂としては、例え
ば、ビスフェノールＡ型〔Ｒ1がＣＨ2〕、ビスフェノー
ルＦ型〔Ｒ1がＣ(ＣＨ3)2〕、ビスフェノールＡＤ型
〔Ｒ1がＣＨＣＨ3〕、ビスフェノールＡＦ共重合型、ビ
スフェノールＳ型〔Ｒ1がＳＯ 2〕等のフェノキシ樹脂が
挙げられる。
ば、ビスフェノールＡ型〔Ｒ1がＣＨ2〕、ビスフェノー
ルＦ型〔Ｒ1がＣ(ＣＨ3)2〕、ビスフェノールＡＤ型
〔Ｒ1がＣＨＣＨ3〕、ビスフェノールＡＦ共重合型、ビ
スフェノールＳ型〔Ｒ1がＳＯ 2〕等のフェノキシ樹脂が
挙げられる。
【００２５】また、上記一般式（１）で表されるフェノ
キシ樹脂に、水酸基、カルボキシル基等の極性置換基を
含有させると、エポキシ樹脂との相溶性が向上し、均一
な外観や特性を付与することができる。
キシ樹脂に、水酸基、カルボキシル基等の極性置換基を
含有させると、エポキシ樹脂との相溶性が向上し、均一
な外観や特性を付与することができる。
【００２６】本発明の接着フィルムは、上記一般式
（１）で表されるフェノキシ樹脂に加えて、熱硬化性樹
脂を含有させることができる。
（１）で表されるフェノキシ樹脂に加えて、熱硬化性樹
脂を含有させることができる。
【００２７】上記熱硬化性樹脂を使用する場合、その使
用量は、フェノキシ樹脂１００重量部に対し、２００重
量部以下が好ましく、１００重量部以下がより好まし
い。２００重量部を超えるとフィルム形成性が悪くなる
傾向がある。下限は特に制限されないが、０．１重量部
が好ましい。
用量は、フェノキシ樹脂１００重量部に対し、２００重
量部以下が好ましく、１００重量部以下がより好まし
い。２００重量部を超えるとフィルム形成性が悪くなる
傾向がある。下限は特に制限されないが、０．１重量部
が好ましい。
【００２８】本発明において熱硬化性樹脂とは、熱によ
り架橋反応を起こしうる反応性化合物をいう。このよう
な化合物としては、例えば、エポキシ樹脂、シアネート
樹脂、ビスマレイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹
脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽
和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコ
ーン樹脂、レゾルシノールホルムアルデヒド樹脂、キシ
レン樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂、ケトン樹
脂、トリアリルシアヌレート樹脂、ポリイソシアネート
樹脂、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌラー
トを含有する樹脂、トリアリルトリメリタートを含有す
る樹脂、シクロペンタジエンから合成された熱硬化性樹
脂、芳香族ジシアナミドの三量化による熱硬化性樹脂等
が挙げられる。中でも、高温において優れた接着力を持
たせることができる点で、エポキシ樹脂、シアネート樹
脂及びビスマレイミド樹脂が好ましい。なお、これら熱
硬化性樹脂は単独で又は二種類以上を組み合わせて用い
ることができる。
り架橋反応を起こしうる反応性化合物をいう。このよう
な化合物としては、例えば、エポキシ樹脂、シアネート
樹脂、ビスマレイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹
脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽
和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコ
ーン樹脂、レゾルシノールホルムアルデヒド樹脂、キシ
レン樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂、ケトン樹
脂、トリアリルシアヌレート樹脂、ポリイソシアネート
樹脂、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌラー
トを含有する樹脂、トリアリルトリメリタートを含有す
る樹脂、シクロペンタジエンから合成された熱硬化性樹
脂、芳香族ジシアナミドの三量化による熱硬化性樹脂等
が挙げられる。中でも、高温において優れた接着力を持
たせることができる点で、エポキシ樹脂、シアネート樹
脂及びビスマレイミド樹脂が好ましい。なお、これら熱
硬化性樹脂は単独で又は二種類以上を組み合わせて用い
ることができる。
【００２９】好ましい熱硬化性樹脂の一つである上記エ
ポキシ樹脂としては、分子内に少なくとも２個のエポキ
シ基を含むものがより好ましく、硬化性や硬化物特性の
点からフェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹
脂が極めて好ましい。このような樹脂としては、例え
ば、ビスフェノールＡ型（又はＡＤ型、Ｓ型、Ｆ型）の
グリシジルエーテル、水添加ビスフェノールＡ型のグリ
シジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノー
ルＡ型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加
体ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、フェノー
ルノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノ
ボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールＡ
ノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂
のグリシジルエーテル、３官能型（又は４官能型）のグ
リシジルエーテル、ジシクロペンタジェンフェノール樹
脂のグリシジルエーテル、ダイマー酸のグリシジルエス
テル、３官能型（又は４官能型）のグリシジルアミン、
ナフタレン樹脂のグリシジルアミン等が挙げられ、これ
らは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用すること
ができる。
ポキシ樹脂としては、分子内に少なくとも２個のエポキ
シ基を含むものがより好ましく、硬化性や硬化物特性の
点からフェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹
脂が極めて好ましい。このような樹脂としては、例え
ば、ビスフェノールＡ型（又はＡＤ型、Ｓ型、Ｆ型）の
グリシジルエーテル、水添加ビスフェノールＡ型のグリ
シジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノー
ルＡ型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加
体ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、フェノー
ルノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノ
ボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールＡ
ノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂
のグリシジルエーテル、３官能型（又は４官能型）のグ
リシジルエーテル、ジシクロペンタジェンフェノール樹
脂のグリシジルエーテル、ダイマー酸のグリシジルエス
テル、３官能型（又は４官能型）のグリシジルアミン、
ナフタレン樹脂のグリシジルアミン等が挙げられ、これ
らは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用すること
ができる。
【００３０】好ましい熱硬化性樹脂の一つである上記シ
アネート樹脂としては、例えば、２，２′−ビス（４−
シアネートフェニル）イソプロピリデン、１，１′−ビ
ス（４−シアネートフェニル）エタン、ビス（４−シア
ネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−
ビス〔４−シアネートフェニル−１−（１−メチルエチ
リデン）〕ベンゼン、シアネーテッドフェノール−ジシ
クロペンタンジエンアダクト、シアネーテッドノボラッ
ク、ビス（４−シアナートフェニル）チオエーテル、ビ
ス（４−シアナートフェニル）エーテル、レゾルシノー
ルジシアネート、１，１，１−トリス（４−シアネート
フェニル）エタン、２−フェニル−２−（４−シアネー
トフェニル）イソプロピリデン等が挙げられ、これらは
単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することがで
きる。
アネート樹脂としては、例えば、２，２′−ビス（４−
シアネートフェニル）イソプロピリデン、１，１′−ビ
ス（４−シアネートフェニル）エタン、ビス（４−シア
ネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−
ビス〔４−シアネートフェニル−１−（１−メチルエチ
リデン）〕ベンゼン、シアネーテッドフェノール−ジシ
クロペンタンジエンアダクト、シアネーテッドノボラッ
ク、ビス（４−シアナートフェニル）チオエーテル、ビ
ス（４−シアナートフェニル）エーテル、レゾルシノー
ルジシアネート、１，１，１−トリス（４−シアネート
フェニル）エタン、２−フェニル−２−（４−シアネー
トフェニル）イソプロピリデン等が挙げられ、これらは
単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することがで
きる。
【００３１】好ましい熱硬化性樹脂の一つである、上記
ビスマレイミド樹脂としては、例えば、ｏ−（又はｍ
−、ｐ−）ビスマレイミドベンゼン、４−ビス（ｐ−マ
レイミドクミル）ベンゼン、１，４−ビス（ｍ−マレイ
ミドクミル）ベンゼン及び下記一般式（２）〜（５）で
表されるマレイミド化合物等が挙げられ、これらは単独
で又は二種類以上を組み合わせて使用することができ
る。
ビスマレイミド樹脂としては、例えば、ｏ−（又はｍ
−、ｐ−）ビスマレイミドベンゼン、４−ビス（ｐ−マ
レイミドクミル）ベンゼン、１，４−ビス（ｍ−マレイ
ミドクミル）ベンゼン及び下記一般式（２）〜（５）で
表されるマレイミド化合物等が挙げられ、これらは単独
で又は二種類以上を組み合わせて使用することができ
る。
【００３２】
【化４】 （式中、ＸはＯ、ＣＨ2、ＣＦ2、ＳＯ2、Ｓ、ＣＯ、Ｃ
(ＣＨ3)2又はＣ(ＣＦ3)2を示し、四つのＲ2は各々独立
に、水素、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フッ
素、塩素又は臭素を示し、二つのＤは各々独立にエチレ
ン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示す）
(ＣＨ3)2又はＣ(ＣＦ3)2を示し、四つのＲ2は各々独立
に、水素、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フッ
素、塩素又は臭素を示し、二つのＤは各々独立にエチレ
ン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示す）
【００３３】
【化５】 （式中、ＹはＯ、ＣＨ2、ＣＦ2、ＳＯ2、Ｓ、ＣＯ、Ｃ
(ＣＨ3)2又はＣ(ＣＦ3)2を示し、四つのＲ3は各々独立
に水素、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フッ素、
塩素又は臭素を示し、二つのＤは各々独立にエチレン性
不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示す）
(ＣＨ3)2又はＣ(ＣＦ3)2を示し、四つのＲ3は各々独立
に水素、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フッ素、
塩素又は臭素を示し、二つのＤは各々独立にエチレン性
不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示す）
【００３４】
【化６】 （式中、ｑは０〜４の整数を示し、複数のＤは各々独立
にエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基
を示す）
にエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基
を示す）
【００３５】
【化７】 （式中、二つのＲ4は各々独立に二価の炭化水素基、四
つのＲ5は各々独立に一価の炭化水素基を示し、二つの
Ｄは各々独立にエチレン性不飽和二重結合を有するジカ
ルボン酸残基を示し、ｒは１以上の整数を表す）
つのＲ5は各々独立に一価の炭化水素基を示し、二つの
Ｄは各々独立にエチレン性不飽和二重結合を有するジカ
ルボン酸残基を示し、ｒは１以上の整数を表す）
【００３６】なお、上記各構造式において、Ｄで示され
るエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基
としては、マレイン酸残基、シトラコン酸残基等が挙げ
られる。
るエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基
としては、マレイン酸残基、シトラコン酸残基等が挙げ
られる。
【００３７】上記一般式（２）で表されるビスマレイミ
ド樹脂としては、例えば、４，４−ビスマレイミドジフ
ェニルエーテル、４，４−ビスマレイミドジフェニルメ
タン、４，４−ビスマレイミド−３，３′−ジメチル−
ジフェニルメタン、４，４−ビスマレイミドジフェニル
スルホン、４，４−ビスマレイミドジフェニルスルフィ
ド、４，４−ビスマレイミドジフェニルケトン、２′−
ビス（４−マレイミドフェニル）プロパン、４−ビスマ
レイミドジフェニルフルオロメタン、１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（４−マレイミ
ドフェニル）プロパン等が挙げられる。
ド樹脂としては、例えば、４，４−ビスマレイミドジフ
ェニルエーテル、４，４−ビスマレイミドジフェニルメ
タン、４，４−ビスマレイミド−３，３′−ジメチル−
ジフェニルメタン、４，４−ビスマレイミドジフェニル
スルホン、４，４−ビスマレイミドジフェニルスルフィ
ド、４，４−ビスマレイミドジフェニルケトン、２′−
ビス（４−マレイミドフェニル）プロパン、４−ビスマ
レイミドジフェニルフルオロメタン、１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（４−マレイミ
ドフェニル）プロパン等が挙げられる。
【００３８】上記一般式（３）で表されるビスマレイミ
ド樹脂としては、例えば、ビス〔４−（４−マレイミド
フェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−マ
レイミドフェノキシ）フェニル〕メタン、ビス〔４−
（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕フルオロメタ
ン、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニ
ル〕スルホン、ビス〔４−（３−マレイミドフェノキ
シ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−マレイミド
フェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス〔４−（４−
マレイミドフェノキシ）フェニル〕ケトン、２−ビス
〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパ
ン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２
−ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕
プロパン等が挙げられる。
ド樹脂としては、例えば、ビス〔４−（４−マレイミド
フェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−マ
レイミドフェノキシ）フェニル〕メタン、ビス〔４−
（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕フルオロメタ
ン、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニ
ル〕スルホン、ビス〔４−（３−マレイミドフェノキ
シ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−マレイミド
フェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス〔４−（４−
マレイミドフェノキシ）フェニル〕ケトン、２−ビス
〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパ
ン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２
−ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕
プロパン等が挙げられる。
【００３９】上記熱硬化性樹脂を硬化させるために、適
宜添加剤を加えることができる。このような添加剤とし
ては、例えば、硬化剤、硬化促進剤、触媒等が挙げら
れ、触媒を添加する場合は助触媒を必要に応じて使用す
ることができる。
宜添加剤を加えることができる。このような添加剤とし
ては、例えば、硬化剤、硬化促進剤、触媒等が挙げら
れ、触媒を添加する場合は助触媒を必要に応じて使用す
ることができる。
【００４０】上記熱硬化性樹脂にエポキシ樹脂を使用す
る場合、エポキシ樹脂硬化剤又は硬化促進剤を使用する
ことが好ましく、これらを併用することがより好まし
い。硬化剤としては、例えば、フェノール系化合物、脂
肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミン、ポリア
ミド、脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳香族酸無水
物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、三フッ化
ホウ素アミン錯体、イミダゾール類、第３級アミン、分
子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有するフ
ェノール系化合物等が挙げられ、中でも分子中に少なく
とも２個のフェノール性水酸基を有するフェノール系化
合物が好ましい。
る場合、エポキシ樹脂硬化剤又は硬化促進剤を使用する
ことが好ましく、これらを併用することがより好まし
い。硬化剤としては、例えば、フェノール系化合物、脂
肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミン、ポリア
ミド、脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳香族酸無水
物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、三フッ化
ホウ素アミン錯体、イミダゾール類、第３級アミン、分
子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有するフ
ェノール系化合物等が挙げられ、中でも分子中に少なく
とも２個のフェノール性水酸基を有するフェノール系化
合物が好ましい。
【００４１】上記分子中に少なくとも２個のフェノール
性水酸基を有するフェノール系化合物としては、例え
ば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック
樹脂、ｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロ
ペンタジェンクレゾールノボラック樹脂、ジシクロペン
タジェンフェノールノボラック樹脂、キシリレン変性フ
ェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、
トリスフェノールノボラック樹脂、テトラキスフェノー
ルノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、
ポリ−ｐ−ビニルフェノール樹脂、フェノールアラルキ
ル樹脂等が挙げられる。
性水酸基を有するフェノール系化合物としては、例え
ば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック
樹脂、ｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロ
ペンタジェンクレゾールノボラック樹脂、ジシクロペン
タジェンフェノールノボラック樹脂、キシリレン変性フ
ェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、
トリスフェノールノボラック樹脂、テトラキスフェノー
ルノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、
ポリ−ｐ−ビニルフェノール樹脂、フェノールアラルキ
ル樹脂等が挙げられる。
【００４２】上記硬化促進剤としては、熱硬化性樹脂を
硬化させるものであれば特に制限はなく、例えば、イミ
ダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジ
ヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニル
ホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４
−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、１，
８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７−テ
トラフェニルボレート等が挙げられる。
硬化させるものであれば特に制限はなく、例えば、イミ
ダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジ
ヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニル
ホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４
−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、１，
８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７−テ
トラフェニルボレート等が挙げられる。
【００４３】上記エポキシ樹脂硬化剤の使用量は、エポ
キシ樹脂１００重量部に対して０〜２００重量部が好ま
しく、上記硬化促進剤の使用量は、エポキシ樹脂１００
重量部に対して０〜５０重量部が好ましい。
キシ樹脂１００重量部に対して０〜２００重量部が好ま
しく、上記硬化促進剤の使用量は、エポキシ樹脂１００
重量部に対して０〜５０重量部が好ましい。
【００４４】上記熱硬化性樹脂にシアネート樹脂を使用
する場合、触媒及び必要に応じて助触媒を使用すること
が好ましい。触媒としては、例えば、コバルト、亜鉛、
銅等の金属塩や金属錯体などが挙げられ、助触媒として
はアルキルフェノール、ビスフェノール化合物、フェノ
ールノボラック等のフェノール系化合物などを助触媒と
することが好ましい。
する場合、触媒及び必要に応じて助触媒を使用すること
が好ましい。触媒としては、例えば、コバルト、亜鉛、
銅等の金属塩や金属錯体などが挙げられ、助触媒として
はアルキルフェノール、ビスフェノール化合物、フェノ
ールノボラック等のフェノール系化合物などを助触媒と
することが好ましい。
【００４５】上記熱硬化性樹脂に上記マレイミド化合物
を使用する場合、ラジカル重合剤を使用することが好ま
しい。ラジカル重合剤としては、例えば、アセチルシク
ロヘキシルスルホニルパーオキサイド、イソブチリルパ
ーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、オクタノイ
ルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、ジクミル
パーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、アゾ
ビスイソブチロニトリル等が挙げられる。このとき、ラ
ジカル重合剤の使用量は、ビスマレイミド樹脂１００重
量部に対して０．０１〜１．０重量部が好ましい。
を使用する場合、ラジカル重合剤を使用することが好ま
しい。ラジカル重合剤としては、例えば、アセチルシク
ロヘキシルスルホニルパーオキサイド、イソブチリルパ
ーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、オクタノイ
ルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、ジクミル
パーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、アゾ
ビスイソブチロニトリル等が挙げられる。このとき、ラ
ジカル重合剤の使用量は、ビスマレイミド樹脂１００重
量部に対して０．０１〜１．０重量部が好ましい。
【００４６】本発明の接着フィルムは、接着強度を上げ
る等の目的で、適宜カップリング剤を含有させてもよ
い。カップリング剤としては、例えば、シランカップリ
ング剤、チタン系カップリング剤等が挙げられるが、中
でもシランカップリング剤が接着フィルムに高い接着力
を付与できる点で好ましい。
る等の目的で、適宜カップリング剤を含有させてもよ
い。カップリング剤としては、例えば、シランカップリ
ング剤、チタン系カップリング剤等が挙げられるが、中
でもシランカップリング剤が接着フィルムに高い接着力
を付与できる点で好ましい。
【００４７】カップリング剤を含有させる場合、その使
用量は、フェノキシ樹脂１００重量部に対して、０〜５
０重量部が好ましく、０〜２０重量部がより好ましい。
５０重量部を超えるとフィルムの保存安定性が悪くなる
傾向がある。
用量は、フェノキシ樹脂１００重量部に対して、０〜５
０重量部が好ましく、０〜２０重量部がより好ましい。
５０重量部を超えるとフィルムの保存安定性が悪くなる
傾向がある。
【００４８】上記シランカップリング剤としては、例え
ば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、
Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジ
メトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリ
エトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３
−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−
（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキ
シシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシ
ラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラ
ン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−
ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（１，３―
ジメチルブチリデン）−３−（トリエトキシシリル）−
１−プロパンアミン、Ｎ，Ｎ′―ビス〔３−（トリメト
キシシリル）プロピル〕エチレンジアミン、ポリオキシ
エチレンプロピルトリアルコキシシラン、ポリエトキシ
ジメチルシロキサン等が挙げられ、これらは単独で又は
二種類以上を組み合わせて使用することができる。
ば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、
Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジ
メトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリ
エトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３
−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−
（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキ
シシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシ
ラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラ
ン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−
ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（１，３―
ジメチルブチリデン）−３−（トリエトキシシリル）−
１−プロパンアミン、Ｎ，Ｎ′―ビス〔３−（トリメト
キシシリル）プロピル〕エチレンジアミン、ポリオキシ
エチレンプロピルトリアルコキシシラン、ポリエトキシ
ジメチルシロキサン等が挙げられ、これらは単独で又は
二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００４９】本発明の接着フィルムは、適宜フィラーを
含有してもよい。フィラーとしては、例えば、銀粉、金
粉、銅粉等の金属フィラー、シリカ、アルミナ、窒化ホ
ウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の非金
属無機フィラー、カーボン、ゴム系フィラー等の有機フ
ィラーなどが挙げられる。
含有してもよい。フィラーとしては、例えば、銀粉、金
粉、銅粉等の金属フィラー、シリカ、アルミナ、窒化ホ
ウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の非金
属無機フィラー、カーボン、ゴム系フィラー等の有機フ
ィラーなどが挙げられる。
【００５０】上記フィラーは所望する機能に応じて使い
分けることができる。例えば、金属フィラーは、接着フ
ィルムに導電性又はチキソ性を付与する目的で添加さ
れ、非金属無機フィラーは、接着フィルムに低熱膨張
性、低吸湿性を付与する目的で添加され、有機フィラー
は接着フィルムに靭性を付与する目的で添加される。こ
れら金属フィラー、非金属無機フィラー又は有機フィラ
ーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用すること
ができる。フィラーを用いた場合の混合、混練は、通常
の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分
散機を適宜、組み合わせて行うことができる。
分けることができる。例えば、金属フィラーは、接着フ
ィルムに導電性又はチキソ性を付与する目的で添加さ
れ、非金属無機フィラーは、接着フィルムに低熱膨張
性、低吸湿性を付与する目的で添加され、有機フィラー
は接着フィルムに靭性を付与する目的で添加される。こ
れら金属フィラー、非金属無機フィラー又は有機フィラ
ーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用すること
ができる。フィラーを用いた場合の混合、混練は、通常
の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分
散機を適宜、組み合わせて行うことができる。
【００５１】フィラーを含有させる場合、その使用量
は、フェノキシ樹脂１００重量部に対し、８０００重量
部以下が好ましく、４０００重量部以下がより好まし
い。下限は特に制限はないが、一般に５重量部である。
８０００重量部を超えると接着性が低下する傾向があ
る。
は、フェノキシ樹脂１００重量部に対し、８０００重量
部以下が好ましく、４０００重量部以下がより好まし
い。下限は特に制限はないが、一般に５重量部である。
８０００重量部を超えると接着性が低下する傾向があ
る。
【００５２】次に本発明の接着フィルムの製造法につい
て説明する。本発明の接着フィルムは、フィルム単独で
又は基材の片面若しくは両面に、直接若しくは他の層を
介して上記接着フィルムが積層されてなる基材付き接着
フィルムとして使用することができる。
て説明する。本発明の接着フィルムは、フィルム単独で
又は基材の片面若しくは両面に、直接若しくは他の層を
介して上記接着フィルムが積層されてなる基材付き接着
フィルムとして使用することができる。
【００５３】接着フィルムの製造時に使用する基材は、
接着フィルム製造時の加熱、乾燥条件に耐えるものであ
れば特に限定するものではない。例えば、ポリエステル
フィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレ
フタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテ
ルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィル
ム、メチルペンテンフィルム等がある。これらのフィル
ムは２種以上組み合わせて多層フィルムとしてもよい。
また、これらのフィルムは、シリコーン系やシリカ系の
離型剤で処理されたものであってもよい。
接着フィルム製造時の加熱、乾燥条件に耐えるものであ
れば特に限定するものではない。例えば、ポリエステル
フィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレ
フタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテ
ルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィル
ム、メチルペンテンフィルム等がある。これらのフィル
ムは２種以上組み合わせて多層フィルムとしてもよい。
また、これらのフィルムは、シリコーン系やシリカ系の
離型剤で処理されたものであってもよい。
【００５４】基材付き接着フィルムをそのまま半導体装
置の接着剤として用いる場合、上記基材は耐熱性のフィ
ルムであることが好ましい。上記耐熱性のフィルムとし
ては、例えば、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミ
ドフィルム、メチルペンテンフィルム及びポリエーテル
ナフタレートフィルム等が挙げられる。
置の接着剤として用いる場合、上記基材は耐熱性のフィ
ルムであることが好ましい。上記耐熱性のフィルムとし
ては、例えば、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミ
ドフィルム、メチルペンテンフィルム及びポリエーテル
ナフタレートフィルム等が挙げられる。
【００５５】また本発明の接着フィルムは、あらかじめ
接着フィルムをダイシングテープの粘着面にラミネート
するなどして、接着フィルムがダイシングフィルム上に
積層された構造をとる半導体用の接着フィルムとするこ
ともできる。この半導体用接着フィルムは、例えば、ウ
エハ裏面にラミネートし、ウエハ及び接着フィルムをダ
イシングした後に、接着フィルム付き半導体素子として
ピックアップすることにより半導体装置の製造に利用す
ることができる。
接着フィルムをダイシングテープの粘着面にラミネート
するなどして、接着フィルムがダイシングフィルム上に
積層された構造をとる半導体用の接着フィルムとするこ
ともできる。この半導体用接着フィルムは、例えば、ウ
エハ裏面にラミネートし、ウエハ及び接着フィルムをダ
イシングした後に、接着フィルム付き半導体素子として
ピックアップすることにより半導体装置の製造に利用す
ることができる。
【００５６】本発明の接着フィルムは、（Ｉ）フェノキ
シ樹脂、並びに必要に応じて熱硬化性樹脂、カップリン
グ剤、フィラー及びその他の添加剤を有機溶媒中で混合
して混合物を得、（II）基材上に前記混合物の層を形成
させ、（III）加熱、乾燥し、（IV）基材を除去するこ
とにより製造することができる。
シ樹脂、並びに必要に応じて熱硬化性樹脂、カップリン
グ剤、フィラー及びその他の添加剤を有機溶媒中で混合
して混合物を得、（II）基材上に前記混合物の層を形成
させ、（III）加熱、乾燥し、（IV）基材を除去するこ
とにより製造することができる。
【００５７】また、本発明の、片面に接着フィルムが積
層されてなる基材付き接着フィルムの製造は、上記（I
V）の工程を行うことなく、上記（Ｉ）〜（III）の工程
を行うことにより得ることができる。両面に接着フィル
ム層が積層されてなる基材付き接着フィルムの製造は、
上記（Ｉ）〜（III）の工程を行った後、（IV′）基材
の接着フィルムが積層されていない面上に前記混合物の
層を形成させ、（Ｖ）加熱、乾燥して行うことができ
る。
層されてなる基材付き接着フィルムの製造は、上記（I
V）の工程を行うことなく、上記（Ｉ）〜（III）の工程
を行うことにより得ることができる。両面に接着フィル
ム層が積層されてなる基材付き接着フィルムの製造は、
上記（Ｉ）〜（III）の工程を行った後、（IV′）基材
の接着フィルムが積層されていない面上に前記混合物の
層を形成させ、（Ｖ）加熱、乾燥して行うことができ
る。
【００５８】上記基材付き接着フィルムは、作業性を上
げる等の目的で、基材と接着フィルムの間に他の層を挟
んでいてもよい。このような層としては、例えば、基材
と接着フィルムの剥離性を上げるための剥離層及び基材
と接着フィルムの付着強度を上げるための接着層等が挙
げられる。
げる等の目的で、基材と接着フィルムの間に他の層を挟
んでいてもよい。このような層としては、例えば、基材
と接着フィルムの剥離性を上げるための剥離層及び基材
と接着フィルムの付着強度を上げるための接着層等が挙
げられる。
【００５９】上記接着フィルムの製造の際に用いる有機
溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるもので
あれば制限はなく、例えば、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチル
スルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、シクロヘキサノン、トルエン、ベンゼン、キシレ
ン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチル
セロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロ
ソルブ、ジオキサン、酢酸エチル等が挙げられる。
溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるもので
あれば制限はなく、例えば、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチル
スルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、シクロヘキサノン、トルエン、ベンゼン、キシレ
ン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチル
セロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロ
ソルブ、ジオキサン、酢酸エチル等が挙げられる。
【００６０】上記接着フィルムの製造の際における加
熱、乾燥条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件で
あればよく、乾燥温度は６０℃〜２００℃が、乾燥時間
は０．１〜９０分間が好ましい。
熱、乾燥条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件で
あればよく、乾燥温度は６０℃〜２００℃が、乾燥時間
は０．１〜９０分間が好ましい。
【００６１】得られた接着フィルムは、ＩＣ、ＬＳＩ等
の半導体素子と、４２アロイリードフレーム、銅リード
フレーム等のリードフレーム、ポリイミド樹脂、エポキ
シ樹脂等のプラスチックフィルム、ガラス不織布等基材
にポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックを含
浸、硬化させたもの、アルミナ等のセラミックス等の支
持部材との接合に用いることができる。すなわち、上記
したような半導体素子と支持部材との間に本発明の接着
フィルムを挾み、加熱圧着して、両者を接着させる。加
熱温度は、通常、８０〜３００℃、０．０１〜３００秒
間である。その後、ワイヤボンディング工程、封止材に
よる封止工程等を必要により行って、半導体装置（半導
体パッケージ）とされる。
の半導体素子と、４２アロイリードフレーム、銅リード
フレーム等のリードフレーム、ポリイミド樹脂、エポキ
シ樹脂等のプラスチックフィルム、ガラス不織布等基材
にポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックを含
浸、硬化させたもの、アルミナ等のセラミックス等の支
持部材との接合に用いることができる。すなわち、上記
したような半導体素子と支持部材との間に本発明の接着
フィルムを挾み、加熱圧着して、両者を接着させる。加
熱温度は、通常、８０〜３００℃、０．０１〜３００秒
間である。その後、ワイヤボンディング工程、封止材に
よる封止工程等を必要により行って、半導体装置（半導
体パッケージ）とされる。
【００６２】本発明の接着フィルムは、従来の接着フィ
ルムに用いている樹脂よりも安価な樹脂を組み合わせる
ことにより、熱硬化、熱可塑性樹脂のそれぞれの長所を
利用して、半導体素子等の電子部品とリードフレームや
絶縁性支持基板等の支持部材の接着材料として、低コス
トで信頼性の高いフィルムを提供することができる。
ルムに用いている樹脂よりも安価な樹脂を組み合わせる
ことにより、熱硬化、熱可塑性樹脂のそれぞれの長所を
利用して、半導体素子等の電子部品とリードフレームや
絶縁性支持基板等の支持部材の接着材料として、低コス
トで信頼性の高いフィルムを提供することができる。
【００６３】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。
【００６４】実施例１〜４及び比較例１〜３ 《ワニスの調合》表１及び表２の配合表に示す通り、実
施例１〜４及び比較例１〜２のワニスを調合した。ま
た、比較例３は銀ペースト（日立化成工業(株)製、商品
名エピナール）である。なお、表１及び表２において、
種々の記号は下記の意味である。
施例１〜４及び比較例１〜２のワニスを調合した。ま
た、比較例３は銀ペースト（日立化成工業(株)製、商品
名エピナール）である。なお、表１及び表２において、
種々の記号は下記の意味である。
【００６５】ＰＫＨＨ：巴工業(株)製、ビスフェノール
Ａ型フェノキシ樹脂（Ｍｗ：４７０００） ＰＫＨＣ：ユニオンカーバイド(株)製、ビスフェノール
Ａ型フェノキシ樹脂（Ｍｗ：４５０００） ＺＸ１３５６−２：ユニオンカーバイド(株)製、ビスフ
ェノールＡＦ共重合型フェノキシ樹脂（Ｍｗ：６２００
０） ＹＰＳ−００７：東都化成(株)製、ビスフェノールＡＳ
共重合型フェノキシ樹脂（Ｍｗ：３５０００）
Ａ型フェノキシ樹脂（Ｍｗ：４７０００） ＰＫＨＣ：ユニオンカーバイド(株)製、ビスフェノール
Ａ型フェノキシ樹脂（Ｍｗ：４５０００） ＺＸ１３５６−２：ユニオンカーバイド(株)製、ビスフ
ェノールＡＦ共重合型フェノキシ樹脂（Ｍｗ：６２００
０） ＹＰＳ−００７：東都化成(株)製、ビスフェノールＡＳ
共重合型フェノキシ樹脂（Ｍｗ：３５０００）
【００６６】ＥＳＣＮ１９５：住友化学(株)製、クレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２００） ＹＤ−８１２５：東都化成(株)製、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂（エポキシ当量１７５） Ｈ−１：明和化成(株)製、フェノールノボラック（ＯＨ
当量１０６） ＮＨ−７０００：日本化薬(株)製、ナフトールノボラッ
ク（ＯＨ当量１４０） ＶＨ−４１７０：大日本インキ(株)製、ビスフェノール
Ａ型ノボラック（ＯＨ当量１１８）
ールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２００） ＹＤ−８１２５：東都化成(株)製、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂（エポキシ当量１７５） Ｈ−１：明和化成(株)製、フェノールノボラック（ＯＨ
当量１０６） ＮＨ−７０００：日本化薬(株)製、ナフトールノボラッ
ク（ＯＨ当量１４０） ＶＨ−４１７０：大日本インキ(株)製、ビスフェノール
Ａ型ノボラック（ＯＨ当量１１８）
【００６７】ＢＭＩ−Ｍ：三井東圧化学(株)製、ノボラ
ック型ビスマレイミド樹脂 Ｌ−１０：旭チバ(株)製、ビスフェノールＦ型シアネー
ト樹脂 Ｓ５１０：チッソ(株)製、３−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン Ｓ５２０：チッソ(株)製、３−グリシドキシプロピルメ
チルジメトキシシラン Ａ−１８９：日本ユニカー(株)製、３−メルカプトプロ
ピルトリメトキシシラン
ック型ビスマレイミド樹脂 Ｌ−１０：旭チバ(株)製、ビスフェノールＦ型シアネー
ト樹脂 Ｓ５１０：チッソ(株)製、３−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン Ｓ５２０：チッソ(株)製、３−グリシドキシプロピルメ
チルジメトキシシラン Ａ−１８９：日本ユニカー(株)製、３−メルカプトプロ
ピルトリメトキシシラン
【００６８】２ＭＡ−ＯＫ：四国化成工業(株)製、下記
式（６）で表されるイミダゾール化合物
式（６）で表されるイミダゾール化合物
【化８】
【００６９】２Ｐ４ＭＨＺ：四国化成工業(株)製、下記
式（７）で表されるイミダゾール化合物
式（７）で表されるイミダゾール化合物
【化９】
【００７０】ＴＣＧ−１：徳力化学(株)製、銀粉 ＭＥＫ：メチルエチルケトン ＮＭＰ：Ｎ−メチルピロリドン ＤＭＡｃ：ジメチルアセトアミド
【００７１】ポリイミドＡ：攪拌装置、窒素導入管、乾
燥管を備えた１リットルの四つ口のフラスコに、２，２
−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロ
パン４１．０ｇ（０．１０モル）を入れ、窒素気流下、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）２５０ｇを加え
て溶液とした。フラスコを水浴上に移し、激しく攪拌し
ながら１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート二無
水物）４１．０ｇ（０．１０モル）を少量ずつ加えた。
酸二無水物がほぼ溶解したら、ゆっくりと攪拌しながら
６時間反応させ、ポリアミド酸溶液を得た。次に、前記
のポリアミド酸溶液が入った四つ口フラスコに蒸留装置
を装着し、キシレン２２０ｇを加えた。窒素気流下、１
８０℃の油浴上で、激しく攪拌しながら、イミド化によ
り生成する縮合水をキシレンと共に共沸留去した。その
反応液を水中に注ぎ、沈殿したポリマーを濾別、乾燥し
てポリイミドＡを得た。
燥管を備えた１リットルの四つ口のフラスコに、２，２
−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロ
パン４１．０ｇ（０．１０モル）を入れ、窒素気流下、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）２５０ｇを加え
て溶液とした。フラスコを水浴上に移し、激しく攪拌し
ながら１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート二無
水物）４１．０ｇ（０．１０モル）を少量ずつ加えた。
酸二無水物がほぼ溶解したら、ゆっくりと攪拌しながら
６時間反応させ、ポリアミド酸溶液を得た。次に、前記
のポリアミド酸溶液が入った四つ口フラスコに蒸留装置
を装着し、キシレン２２０ｇを加えた。窒素気流下、１
８０℃の油浴上で、激しく攪拌しながら、イミド化によ
り生成する縮合水をキシレンと共に共沸留去した。その
反応液を水中に注ぎ、沈殿したポリマーを濾別、乾燥し
てポリイミドＡを得た。
【００７２】ポリイミドＢ：攪拌装置、窒素導入管、乾
燥管を備えた１リットルの四つ口のフラスコに、２，２
−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロ
パン４１．０ｇ（０．１０モル）を入れ、窒素気流下、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）３８０ｇを加え
て溶液とした。フラスコを水浴上に移し、激しく攪拌し
ながら１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテー
ト二無水物）５２．２ｇ（０．１０モル）を少量ずつ加
えた。酸二無水物がほぼ溶解したら、ゆっくりと攪拌し
ながら６時間反応させ、ポリアミド酸溶液を得た。次
に、前記のポリアミド酸溶液が入った四つ口フラスコに
蒸留装置を装着し、キシレン２５０ｇを加えた。窒素気
流下、１７５℃の油浴上で、激しく攪拌しながら、イミ
ド化により生成する縮合水をキシレンと共に共沸留去し
た。その反応液を水中に注ぎ、沈殿したポリマーを濾
別、乾燥してポリイミドＢを得た。
燥管を備えた１リットルの四つ口のフラスコに、２，２
−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロ
パン４１．０ｇ（０．１０モル）を入れ、窒素気流下、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）３８０ｇを加え
て溶液とした。フラスコを水浴上に移し、激しく攪拌し
ながら１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテー
ト二無水物）５２．２ｇ（０．１０モル）を少量ずつ加
えた。酸二無水物がほぼ溶解したら、ゆっくりと攪拌し
ながら６時間反応させ、ポリアミド酸溶液を得た。次
に、前記のポリアミド酸溶液が入った四つ口フラスコに
蒸留装置を装着し、キシレン２５０ｇを加えた。窒素気
流下、１７５℃の油浴上で、激しく攪拌しながら、イミ
ド化により生成する縮合水をキシレンと共に共沸留去し
た。その反応液を水中に注ぎ、沈殿したポリマーを濾
別、乾燥してポリイミドＢを得た。
【００７３】
【表１】
【００７４】
【表２】
【００７５】《フィルムの作成》これらのワニスを２０
〜４０μｍの厚さに基材（ポリプロピレンフィルム）上
に塗布し、８０℃で１０分、続いて１５０℃で３０分加
熱し、その後、室温で基材から剥がして、接着フィルム
を得た。得られた接着フィルム（実施例１〜４並びに比
較例１及び２）はいずれも室温でベタツキはなく、自己
支持性を持つフィルムであった。
〜４０μｍの厚さに基材（ポリプロピレンフィルム）上
に塗布し、８０℃で１０分、続いて１５０℃で３０分加
熱し、その後、室温で基材から剥がして、接着フィルム
を得た。得られた接着フィルム（実施例１〜４並びに比
較例１及び２）はいずれも室温でベタツキはなく、自己
支持性を持つフィルムであった。
【００７６】《接着特性の評価》実施例１〜４並びに比
較例１及び２の接着フィルム、並びに比較例３の銀ペー
ストの接着特性（せん断接着力及びピール強度）につい
ての評価試験結果を表３、４に示す。
較例１及び２の接着フィルム、並びに比較例３の銀ペー
ストの接着特性（せん断接着力及びピール強度）につい
ての評価試験結果を表３、４に示す。
【００７７】
【表３】
【００７８】
【表４】
【００７９】なお、せん断接着力及びピール強度の測定
法は以下の通りである。 〔評価サンプルの作成〕接着フィルムを４×４mmの大き
さに切断し、これを４×４mmの大きさのシリコンチップ
と銅リードフレームの間に挟み、５００ｇの荷重をかけ
て、２００℃で３秒間圧着させたのち、１８０℃で１時
間熱硬化し、せん断接着力測定用サンプルを作成した。
接着フィルムを８×８mmの大きさに切断し、これを８×
８mmの大きさのシリコンチップと銅リードフレームの間
に挟み、５００ｇの荷重をかけて、２００℃で３秒間圧
着させたのち、１８０℃で１時間熱硬化し、ピール強度
測定用サンプルを作成した。
法は以下の通りである。 〔評価サンプルの作成〕接着フィルムを４×４mmの大き
さに切断し、これを４×４mmの大きさのシリコンチップ
と銅リードフレームの間に挟み、５００ｇの荷重をかけ
て、２００℃で３秒間圧着させたのち、１８０℃で１時
間熱硬化し、せん断接着力測定用サンプルを作成した。
接着フィルムを８×８mmの大きさに切断し、これを８×
８mmの大きさのシリコンチップと銅リードフレームの間
に挟み、５００ｇの荷重をかけて、２００℃で３秒間圧
着させたのち、１８０℃で１時間熱硬化し、ピール強度
測定用サンプルを作成した。
【００８０】〔せん断接着力〕４×４mmのシリコンチッ
プを４×４mmの接着フィルムで銅リードフレームに接着
したサンプルを用いて、室温及び３５０℃、２０秒加熱
時のせん断接着力をプッシュプルゲージにより測定し
た。 〔ピール強度〕８×８mmのシリコンチップを８×８mmの
接着フィルムで銅リードフレームに接着したサンプルを
用いて、２５０℃、２０秒加熱時のピール強度（シリコ
ンチップ引き剥がし強度）をプッシュプルゲージにより
測定した。
プを４×４mmの接着フィルムで銅リードフレームに接着
したサンプルを用いて、室温及び３５０℃、２０秒加熱
時のせん断接着力をプッシュプルゲージにより測定し
た。 〔ピール強度〕８×８mmのシリコンチップを８×８mmの
接着フィルムで銅リードフレームに接着したサンプルを
用いて、２５０℃、２０秒加熱時のピール強度（シリコ
ンチップ引き剥がし強度）をプッシュプルゲージにより
測定した。
【００８１】表３、４の結果から、フェノキシ樹脂をベ
ースに、熱硬化性樹脂及び／又はシランカップリング剤
及び／又はフィラーを組み合わせた接着フィルム（実施
例１〜４）は、ポリイミド樹脂ベースフィルム及び銀ペ
ースト（比較例１〜３）よりも優れた接着特性を有する
ことが分かる。
ースに、熱硬化性樹脂及び／又はシランカップリング剤
及び／又はフィラーを組み合わせた接着フィルム（実施
例１〜４）は、ポリイミド樹脂ベースフィルム及び銀ペ
ースト（比較例１〜３）よりも優れた接着特性を有する
ことが分かる。
【００８２】
【発明の効果】請求項１〜８記載の接着フィルムは、低
温接着性及び熱時接着力に優れ、このものを用いた半導
体装置に高い信頼性を付与し、さらに製造コストの低減
にも有効であるものである。請求項９及び１０記載の基
材付き接着フィルムは、低温接着性及び熱時接着力に優
れ、このものを用いた半導体装置に高い信頼性を付与
し、製造コストの低減にも有効であり、さらに厚膜のフ
ィルムでありＴＡＢ用及びＬＯＣ用としても好適なもの
である。
温接着性及び熱時接着力に優れ、このものを用いた半導
体装置に高い信頼性を付与し、さらに製造コストの低減
にも有効であるものである。請求項９及び１０記載の基
材付き接着フィルムは、低温接着性及び熱時接着力に優
れ、このものを用いた半導体装置に高い信頼性を付与
し、製造コストの低減にも有効であり、さらに厚膜のフ
ィルムでありＴＡＢ用及びＬＯＣ用としても好適なもの
である。
【００８３】請求項１１記載の半導体用接着フィルム
は、フィルムの仮張りの工程及びその際に使用する機器
を必要としないものである。請求項１２記載の接着フィ
ルムの製造法は、膜厚及び特性のばらつきを極めて少な
く製造し、さらに生産性よく製造できるものである。請
求項１３記載の基材付き接着フィルムの製造法は、膜厚
及び特性のばらつきを極めて少なく製造し、さらに生産
性よく製造できるものである。
は、フィルムの仮張りの工程及びその際に使用する機器
を必要としないものである。請求項１２記載の接着フィ
ルムの製造法は、膜厚及び特性のばらつきを極めて少な
く製造し、さらに生産性よく製造できるものである。請
求項１３記載の基材付き接着フィルムの製造法は、膜厚
及び特性のばらつきを極めて少なく製造し、さらに生産
性よく製造できるものである。
【００８４】請求項１４記載の半導体素子と支持部材の
接着法は、上記接着フィルム又は上記基材付き接着フィ
ルムを、その特性を損なうことなく使用できるものであ
る。請求項１５記載の接着フィルム付き支持部材は、こ
のものを用いた半導体装置に、耐久性及び耐熱性を付与
するものである。請求項１６記載の接着フィルム付き半
導体素子は、このものを用いた半導体装置に、耐久性及
び耐熱性を付与するものである。請求項１７記載の半導
体装置は、耐久性及び耐熱性に優れたものである。
接着法は、上記接着フィルム又は上記基材付き接着フィ
ルムを、その特性を損なうことなく使用できるものであ
る。請求項１５記載の接着フィルム付き支持部材は、こ
のものを用いた半導体装置に、耐久性及び耐熱性を付与
するものである。請求項１６記載の接着フィルム付き半
導体素子は、このものを用いた半導体装置に、耐久性及
び耐熱性を付与するものである。請求項１７記載の半導
体装置は、耐久性及び耐熱性に優れたものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｈ０１Ｌ 21/60 ３１１ Ｈ０１Ｌ 21/60 ３１１Ｗ Ｆターム(参考） 4J004 AA11 AB05 BA02 CA04 CA06 CC02 FA05 FA08 4J040 DF001 DF002 EB041 EB042 EB051 EB052 EB091 EB092 EB111 EB112 EB131 EB132 EC001 EC002 EC061 ED111 ED112 EE061 EE062 EF021 EF022 EF281 EF282 EH031 EH032 EK031 EK032 GA01 GA05 GA12 HB22 HB36 HC03 HC08 HC12 HC15 HC22 HD30 HD39 JA09 JB02 KA16 LA06 LA08 MA02 MA10 MB05 NA20 PA30 5F044 MM11 5F047 AA11 BA33 BA37
Claims (17)
- 【請求項１】 重量平均分子量が５０００〜１５０００
０であるフェノキシ樹脂を含有してなる接着フィルム。 - 【請求項２】 上記フェノキシ樹脂が、Ｔｇが２００℃
以下である請求項１記載の接着フィルム。 - 【請求項３】 上記フェノキシ樹脂が、下記一般式
（１） 【化１】 （式中、Ｒ1は二価の有機基を示し、複数個のＲ1は繰り
返し単位ごとに各々異なっていてもよい）で表される繰
り返し単位を有するものである請求項１又は２記載の接
着フィルム。 - 【請求項４】 さらに熱硬化性樹脂を含有してなる請求
項１、２又は３記載の接着フィルム。 - 【請求項５】 さらにカップリング剤を含有してなる請
求項１〜４のいずれかに記載の接着フィルム。 - 【請求項６】 上記カップリング剤がシラン系カップリ
ング剤である請求項５記載の接着フィルム。 - 【請求項７】 さらにフィラーを含有してなる請求項１
〜６のいずれかに記載の接着フィルム。 - 【請求項８】 フェノキシ樹脂１００重量部に対して、
熱硬化性樹脂０〜２００重量部、カップリング剤０〜５
０重量部及びフィラー０〜８０００重量部を含有してな
る請求項１、２又は３記載の接着フィルム。 - 【請求項９】 基材の片面又は両面に、直接又は他の層
を介して請求項１〜８のいずれかに記載の接着フィルム
が積層されてなる基材付き接着フィルム。 - 【請求項１０】 上記基材が耐熱性のフィルムである請
求項９記載の基材付き接着フィルム。 - 【請求項１１】 請求項１〜８のいずれかに記載の接着
フィルム又は請求項９若しくは１０記載の基材付き接着
フィルムがダイシングテープ上に積層されてなる半導体
用接着フィルム。 - 【請求項１２】 （１）請求項１、２又は３記載のフェ
ノキシ樹脂１００重量部、熱硬化性樹脂０〜２００重量
部、カップリング剤０〜５０重量部及びフィラー０〜８
０００重量部を有機溶媒中で混合する工程、（２）基材
上に上記混合液の層を形成させる工程、（３）加熱、乾
燥する工程、（４）基材を除去する工程、を含むことを
特徴とする接着フィルムの製造方法。 - 【請求項１３】（１）請求項１、２又は３記載のフェノ
キシ樹脂１００重量部、熱硬化性樹脂０〜２００重量
部、カップリング剤０〜５０重量部及びフィラー０〜８
０００重量部を有機溶媒中で混合する工程、（２）基材
上に上記混合液の層を形成させる工程、（３）加熱、乾
燥する工程、を含むことを特徴とする基材付き接着フィ
ルムの製造方法。 - 【請求項１４】 請求項１〜８のいずれかに記載の接着
フィルム又は請求項９若しくは１０記載の基材付き接着
フィルムを用いて、半導体素子と支持部材とを加熱圧着
することを特徴とする半導体素子と支持部材の接着法。 - 【請求項１５】 支持部材上に請求項１〜８のいずれか
に記載の接着フィルム又は請求項９若しくは１０記載の
基材付き接着フィルムを接着させてなる支持部材。 - 【請求項１６】 半導体素子の裏面に請求項１〜８のい
ずれかに記載の接着フィルム又は請求項９若しくは１０
記載の基材付き接着フィルムを接着させてなる半導体素
子。 - 【請求項１７】 請求項１〜８のいずれかに記載の接着
フィルム又は請求項９若しくは１０記載の基材付き接着
フィルムを用いて、支持部材に半導体素子を接着した構
造を有してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000333425A JP2002138270A (ja) | 2000-10-31 | 2000-10-31 | 接着フィルム、基材付き接着フィルム及びそれらの製造法、半導体用接着フィルム、半導体素子、支持部材、半導体素子と支持部材の接着法並びに半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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