JPS6220101A - 磁気記録再生システム - Google Patents
磁気記録再生システムInfo
- Publication number
- JPS6220101A JPS6220101A JP60158066A JP15806685A JPS6220101A JP S6220101 A JPS6220101 A JP S6220101A JP 60158066 A JP60158066 A JP 60158066A JP 15806685 A JP15806685 A JP 15806685A JP S6220101 A JPS6220101 A JP S6220101A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- parts
- acid
- radiation
- ferrite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はバリウムフェライト含有の磁気記録層を有し、
残留磁束密度と抗磁力の比が特定の値を有する等の特性
を有する磁気記録媒体と特定のフェライトヘッドとを組
合わせた磁気記録再生システムに関する。
残留磁束密度と抗磁力の比が特定の値を有する等の特性
を有する磁気記録媒体と特定のフェライトヘッドとを組
合わせた磁気記録再生システムに関する。
現在、磁気記録媒体は、オーダ2Cオ、ビデオ、コンピ
ューター、磁気ディスク、8 m / m等の分野で広
範囲に使用されるようになっており、将来ビデオフロッ
ピー、高密度フロッピー等の分野でも使用されることが
予想され、それに伴い、磁気記録媒体に記録する情報量
も年々増加の一途をたどり、そのため磁気記録媒体に対
しては記録密度の向上が益々要求されるようになってき
ている。
ューター、磁気ディスク、8 m / m等の分野で広
範囲に使用されるようになっており、将来ビデオフロッ
ピー、高密度フロッピー等の分野でも使用されることが
予想され、それに伴い、磁気記録媒体に記録する情報量
も年々増加の一途をたどり、そのため磁気記録媒体に対
しては記録密度の向上が益々要求されるようになってき
ている。
従来より、磁気テープなどの磁気記録媒体では、磁気記
録層中の針状磁性粉を長手方向に配向させる等して、磁
気特性を向上させているが、針状磁性粉を長手方向に配
向させたものは低周波帯域では高い出力が得られる反面
高密度記録には限界があるものであった。
録層中の針状磁性粉を長手方向に配向させる等して、磁
気特性を向上させているが、針状磁性粉を長手方向に配
向させたものは低周波帯域では高い出力が得られる反面
高密度記録には限界があるものであった。
又、このため最近では磁性粉末が平板状であり。
垂直方向に磁化容易軸を有するバリウムフェライト磁性
粉末を磁気記録層に使用した磁気記録媒体が提案されて
いる(特開昭57−195328号公報)。
粉末を磁気記録層に使用した磁気記録媒体が提案されて
いる(特開昭57−195328号公報)。
しかし、これらのバリウムフェライト磁性粉末を使用し
たものでは、短波長記録特性は良好である。
たものでは、短波長記録特性は良好である。
一般にテープの抗磁力とヘッド材料の飽和磁束密度の関
係では B s> (5〜6)Hc を満たすことが望ましいとされ、この関係をBs=50
00CG)のM n −Z nフェライト単結晶に適用
すると、抗磁力約800(Oe1以上のテープには十分
な記録ができないことになる。そのために高抗磁力テー
プ用ヘッド材料として、これまで主流であったM n
−Z nフェライト単結晶から、飽和磁束密度が高い金
属系材料(センダスト、アモルファス)が見方されてい
る。
係では B s> (5〜6)Hc を満たすことが望ましいとされ、この関係をBs=50
00CG)のM n −Z nフェライト単結晶に適用
すると、抗磁力約800(Oe1以上のテープには十分
な記録ができないことになる。そのために高抗磁力テー
プ用ヘッド材料として、これまで主流であったM n
−Z nフェライト単結晶から、飽和磁束密度が高い金
属系材料(センダスト、アモルファス)が見方されてい
る。
しかし、今までのフェライトヘッドはこれまで使用され
て来て信頼性が高いので、センダスト、アモルファス等
の合金を使用するよりもその点で利点があり、従来の信
頼の高いフェライトヘッドとの組合せにおいて、すぐれ
たバリウムフェライト磁性粉含有磁気記録媒体が期待さ
れている。
て来て信頼性が高いので、センダスト、アモルファス等
の合金を使用するよりもその点で利点があり、従来の信
頼の高いフェライトヘッドとの組合せにおいて、すぐれ
たバリウムフェライト磁性粉含有磁気記録媒体が期待さ
れている。
問題点を解決するための手
本発明者等はバリウムフェライト粒子を含有する磁気記
録層を有する磁気記録媒体について、フェライトヘッド
との組合せについて鋭意検討の結果、特定の特性を有す
るバリウムフェライト含有磁気記録媒体と特定のギャッ
プ長を有するフェライトヘッドとの組合せによりすぐれ
た磁気記録再生システムが得られることを見出し、本発
明に到達したものである。
録層を有する磁気記録媒体について、フェライトヘッド
との組合せについて鋭意検討の結果、特定の特性を有す
るバリウムフェライト含有磁気記録媒体と特定のギャッ
プ長を有するフェライトヘッドとの組合せによりすぐれ
た磁気記録再生システムが得られることを見出し、本発
明に到達したものである。
即ち1本発明は磁留磁束密度Br及び抗磁力HCの垂直
方向の比BrL/Hc上が0.7以上、Hcが1000
以下、磁性層がバリウムフェライト粒子を含有し、その
表面粗度が0.08μm以下の磁気記録媒体とヘッド材
料がBs=5000〜6000の酸化物系のものであり
、ヘッドギャップ長が0.47−cm以下のフェライト
ヘッドとを組合わせたことを特徴とする磁気記録再生シ
ステムに関する。
方向の比BrL/Hc上が0.7以上、Hcが1000
以下、磁性層がバリウムフェライト粒子を含有し、その
表面粗度が0.08μm以下の磁気記録媒体とヘッド材
料がBs=5000〜6000の酸化物系のものであり
、ヘッドギャップ長が0.47−cm以下のフェライト
ヘッドとを組合わせたことを特徴とする磁気記録再生シ
ステムに関する。
本発明のフェライトヘッドは、例えばMn−Zn単結晶
(Mn○、Zn○、F e 203 ) 、 N 1−
Zn単結晶(Ni○、ZnO,Fe203)等である。
(Mn○、Zn○、F e 203 ) 、 N 1−
Zn単結晶(Ni○、ZnO,Fe203)等である。
これらの飽和磁束密度Bsはs、oo。
〜6,000であり、一般にテープの抗磁力とヘッド材
料の飽和磁束密度との関係ではBs>(5〜6)Hcを
満たすことが望ましいと考えられているから、I(cは
1.000(○e〕以下が好ましいであろう。
料の飽和磁束密度との関係ではBs>(5〜6)Hcを
満たすことが望ましいと考えられているから、I(cは
1.000(○e〕以下が好ましいであろう。
バリウムフェライトの特徴は磁性合金に比べ抗磁力Hc
が低くても充分記録再生ができ、それと同等のもの或い
はそれ以上の特性が得られることであり、Hcが低いも
ので充分に対応ができることである。Hcが低いと磁気
ヘッドとしてアモルファスとかセンダストのような合金
ヘッドを使わなくても充分たち打ちできるのであり、今
まで使用され信頼性のあるフェライトヘッドの使用がで
きる利点がある。
が低くても充分記録再生ができ、それと同等のもの或い
はそれ以上の特性が得られることであり、Hcが低いも
ので充分に対応ができることである。Hcが低いと磁気
ヘッドとしてアモルファスとかセンダストのような合金
ヘッドを使わなくても充分たち打ちできるのであり、今
まで使用され信頼性のあるフェライトヘッドの使用がで
きる利点がある。
本発明者等が確認したところ、バリウムフェライトヘッ
ドでも計算どおりHc=1000[○e〕以下ならば充
分に記録再生が可能であることがわかった。
ドでも計算どおりHc=1000[○e〕以下ならば充
分に記録再生が可能であることがわかった。
Hcが1000(Oe]を超えると、電磁変換特性にお
いて、低域特性が低下することがわかった。これはバリ
ウムフェライトが磁性合金のように飽和磁束密度が高く
ないので低域特性がカバーできないことに起因するので
ある。
いて、低域特性が低下することがわかった。これはバリ
ウムフェライトが磁性合金のように飽和磁束密度が高く
ないので低域特性がカバーできないことに起因するので
ある。
バリウムフェライトについて、テレビジョン学会技術報
告でTEBsloo−6(59年12月13日発表)の
内では入=0.75μmで、MsA/I 40 emu
/c cにおいてHC’;?−60Q Oeであれば出
力がほぼ一定であり、出力はHcの依存性がないとされ
ている(発表での使用ヘラ1ζ5endustギヤツプ
0.25Pm)、又、C/Nについては1985年IE
EEで8 m / mでの比較でHc > 600以上
であれば一定であるとされている(発表での使用ヘッド
Ferriteギャップ0.3μm)。
告でTEBsloo−6(59年12月13日発表)の
内では入=0.75μmで、MsA/I 40 emu
/c cにおいてHC’;?−60Q Oeであれば出
力がほぼ一定であり、出力はHcの依存性がないとされ
ている(発表での使用ヘラ1ζ5endustギヤツプ
0.25Pm)、又、C/Nについては1985年IE
EEで8 m / mでの比較でHc > 600以上
であれば一定であるとされている(発表での使用ヘッド
Ferriteギャップ0.3μm)。
そこで本発明者等はHc=1000 (Oe)以下のも
のについてフェライトヘッドのリング型ヘッドで追求し
たところ、残留磁束密度Br及び抗磁力Hcの垂直方向
の比に関し関連性がありBr−L/Hc”=0.7以上
となるとき、電磁変換特性上すぐれたものが得られるこ
とを見出したのである。Hc’だけではカバーできず、
Hc が高くなるにつれてそれだけBr”を高くして
補なわないと、電磁変換特性上すぐれたものが得られな
し)ことがわかった。しかも前記発表のようにバリウム
フェライト媒体のMs 140 emu/c c以上で
あれば出力が一定のものを作成するのはバリウム自体の
入Sが小のため難かしい。そこで本発明者等はHc’に
ついて電磁変換特性で他に依存するものがないか、調査
したところBr 成分がBr″/Hc”の間において
重要なファクターとなるものである事を見出した。
のについてフェライトヘッドのリング型ヘッドで追求し
たところ、残留磁束密度Br及び抗磁力Hcの垂直方向
の比に関し関連性がありBr−L/Hc”=0.7以上
となるとき、電磁変換特性上すぐれたものが得られるこ
とを見出したのである。Hc’だけではカバーできず、
Hc が高くなるにつれてそれだけBr”を高くして
補なわないと、電磁変換特性上すぐれたものが得られな
し)ことがわかった。しかも前記発表のようにバリウム
フェライト媒体のMs 140 emu/c c以上で
あれば出力が一定のものを作成するのはバリウム自体の
入Sが小のため難かしい。そこで本発明者等はHc’に
ついて電磁変換特性で他に依存するものがないか、調査
したところBr 成分がBr″/Hc”の間において
重要なファクターとなるものである事を見出した。
本発明は磁性層がバリウムフェライトを含有する磁気記
録媒体であり、そのBr”/Hc が0゜7以上、H
cが1000以下、表面粗度が0.08、−m以下のも
のである必要がある。
録媒体であり、そのBr”/Hc が0゜7以上、H
cが1000以下、表面粗度が0.08、−m以下のも
のである必要がある。
表面粗度については、0.08μm以下では電磁変換特
性の低下が少なく、使用できるものであるが、Q、08
.”mを超えると前記特性の低下が激しく、使用に耐え
得ないものとなる。
性の低下が少なく、使用できるものであるが、Q、08
.”mを超えると前記特性の低下が激しく、使用に耐え
得ないものとなる。
又、本発明ではフェライトヘッドのギャップの大きさに
も特徴を有し、このフェライトヘッドのギャップが0.
4.、m以下のものでは、高密度領域60KFRPIで
例えばフロッピーディスクにおいて0.0dBとすると
、これが0.5μm以上となると−8〜−10dB落ち
となり、高密度記録媒体の特徴が出て来ないのである。
も特徴を有し、このフェライトヘッドのギャップが0.
4.、m以下のものでは、高密度領域60KFRPIで
例えばフロッピーディスクにおいて0.0dBとすると
、これが0.5μm以上となると−8〜−10dB落ち
となり、高密度記録媒体の特徴が出て来ないのである。
したがって、前記の磁気記録媒体と組合わせて効果のあ
るヘッドギャップはQ、4Pm以下が好ましい。そして
このギャップが0.3.、−mとなると+1.0〜+3
.0dBとなり好ましいものとなるのである。さらに0
.2.、−mとなると+2゜0〜+5.0dBとなる。
るヘッドギャップはQ、4Pm以下が好ましい。そして
このギャップが0.3.、−mとなると+1.0〜+3
.0dBとなり好ましいものとなるのである。さらに0
.2.、−mとなると+2゜0〜+5.0dBとなる。
そのためさらに狭いギャップ0.1〜0.057−mの
ものではさらに特性が良くなる。
ものではさらに特性が良くなる。
第1図は64KFRPIでの出力とBr/H上
上Cの関係を示すグラフである。Br/Hc”〉
0.7であれば出力−2dB以内で特性上すぐれている
。フェライトヘッドギャップ0.4.、m、回転数90
0rpmのもので測定した。入=0゜8、− mである
。上記発表M s 〜140 e m u / cCに
おいて入=0.75..mでHc≧600以上で出カ一
定であった(センダストヘッド)が、Msが140 e
m u / c cに現状のバリウムフェライトは達
していない為か、それともフェライトヘッドの為か、入
=0.75〜0.8μmのゾーンで異なる傾向にあった
。そしてBr /Hc Lこ依存性があった。
上Cの関係を示すグラフである。Br/Hc”〉
0.7であれば出力−2dB以内で特性上すぐれている
。フェライトヘッドギャップ0.4.、m、回転数90
0rpmのもので測定した。入=0゜8、− mである
。上記発表M s 〜140 e m u / cCに
おいて入=0.75..mでHc≧600以上で出カ一
定であった(センダストヘッド)が、Msが140 e
m u / c cに現状のバリウムフェライトは達
していない為か、それともフェライトヘッドの為か、入
=0.75〜0.8μmのゾーンで異なる傾向にあった
。そしてBr /Hc Lこ依存性があった。
なお、■り定条件;60KFRPIは、デジタル記録で
60KFRPIでの出力を測定した。ヘッドギャップ0
.4μm以下、回転数1800rpmである。
60KFRPIでの出力を測定した。ヘッドギャップ0
.4μm以下、回転数1800rpmである。
本発明で使用するバリウムフェライト磁性粉は六方晶系
版状のものであり、化学式Ba0・6Fe203で表わ
され、この外、この化学式のBa及びFeの一部がTi
+ Cr、Co、Zrz Tn+Mn、Cu’、Ge
、Nb、Ca、Sr、Pb、Ni等の金属で置換された
ものも含まれる。
版状のものであり、化学式Ba0・6Fe203で表わ
され、この外、この化学式のBa及びFeの一部がTi
+ Cr、Co、Zrz Tn+Mn、Cu’、Ge
、Nb、Ca、Sr、Pb、Ni等の金属で置換された
ものも含まれる。
バリウムフェライト磁性粉は直径0.2μm以下、好ま
しくは0.15.、m以下、更に好ましくは0.1μm
以下、板状比6以上、更に好ましくは8以上である。こ
の場合、板状比の上限値には特に制限はないが、通常3
0以下である。ここで平均粒径とは、電子顕微鏡写真〔
走査型顕微鏡(SEM)および透過型顕微鏡(TEM)
Eによって、例えば六方晶系バリウムフェライト粒子の
断面50個程度を観察し、粒径についての測定値を平均
したものである。平均厚みも電子顕微鏡写真による測定
値の平均である。また板状比とは平均粒径/平均厚の値
である。あるいは平均厚はX線回折の半値巾によって測
定することも出来る。バリウムフェライトは六方晶系板
状であるため、針状磁性粉と比べて表面粗度への影響が
大きくなり、上記の径及び板状比よりも大きくなると表
面粗度の低下が激しく好ましくない。粒径が前記のよう
な範囲にある場合は垂直成分が充分に利用され、かつ磁
性層の表面平滑性が良好となり、ノイズも充分に低く、
高密度記録が達成できる。
しくは0.15.、m以下、更に好ましくは0.1μm
以下、板状比6以上、更に好ましくは8以上である。こ
の場合、板状比の上限値には特に制限はないが、通常3
0以下である。ここで平均粒径とは、電子顕微鏡写真〔
走査型顕微鏡(SEM)および透過型顕微鏡(TEM)
Eによって、例えば六方晶系バリウムフェライト粒子の
断面50個程度を観察し、粒径についての測定値を平均
したものである。平均厚みも電子顕微鏡写真による測定
値の平均である。また板状比とは平均粒径/平均厚の値
である。あるいは平均厚はX線回折の半値巾によって測
定することも出来る。バリウムフェライトは六方晶系板
状であるため、針状磁性粉と比べて表面粗度への影響が
大きくなり、上記の径及び板状比よりも大きくなると表
面粗度の低下が激しく好ましくない。粒径が前記のよう
な範囲にある場合は垂直成分が充分に利用され、かつ磁
性層の表面平滑性が良好となり、ノイズも充分に低く、
高密度記録が達成できる。
バリウムフェライトの製法としては、セラミック法、共
沈−焼成法、水熱合成法、フラックス法。
沈−焼成法、水熱合成法、フラックス法。
ガラス結晶化法、アルコキシド法、プラズマジェット法
等があり、いずれのガ法も利用できることは言うまでも
ない。
等があり、いずれのガ法も利用できることは言うまでも
ない。
その他CO含有酸化鉄粉、’2’ F e 203粉、
Fe 304粉、Coフェライト粉、メタル粉末等も利
用できる。
Fe 304粉、Coフェライト粉、メタル粉末等も利
用できる。
本発明の磁気記録層には通常用いられる有機Aインダー
、無機顔料、潤滑剤、その他1分散剤、帯電防止剤等を
常法に従って用いることができる。
、無機顔料、潤滑剤、その他1分散剤、帯電防止剤等を
常法に従って用いることができる。
本発明の磁気記録層で用いる有機バインダーは、従来、
磁気記録媒体用に利用されて%Nる熱可塑性、熱硬化性
又は反応型樹脂やこれらの混合物が使用されるが、得ら
れる塗膜強度等の点から硬化型、特に放射線硬化型の樹
脂が好ましい。
磁気記録媒体用に利用されて%Nる熱可塑性、熱硬化性
又は反応型樹脂やこれらの混合物が使用されるが、得ら
れる塗膜強度等の点から硬化型、特に放射線硬化型の樹
脂が好ましい。
熱可塑性樹脂としては軟化温度が150°C以下、平均
分子量が10,000〜200,000、重合度が約2
00〜2,000程度のもので、例えば塩化ビニール−
酢酸ビニール共重合体(カルボン酸導入のものも含む)
、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体
(カルボン酸導入のものも含む)、塩化ビニール−塩化
ビニリデン共重合体、塩化ビニール−アクリロニトリル
共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重
合体、アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、
アクリル酸エステル−スチレン共重合体、メタクリル酸
エステル−アクリロニトリル共重合体、メタクリル酸エ
ステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステ
ル−スチレン共重合体、ウレタンエラストマー、ナイロ
ン−シリコン系樹脂、ニトロセルロース−ポリアミド樹
脂、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン−アクリコニ1
〜リル共重合体、ブタジェン−アクリロニトリル共重合
体、ポリアミド樹脂、ポリビニールブチラール、セルロ
ース誘導体(セルロースアセテート、セルロースダイア
セテート、セルローストリアセテート。
分子量が10,000〜200,000、重合度が約2
00〜2,000程度のもので、例えば塩化ビニール−
酢酸ビニール共重合体(カルボン酸導入のものも含む)
、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体
(カルボン酸導入のものも含む)、塩化ビニール−塩化
ビニリデン共重合体、塩化ビニール−アクリロニトリル
共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重
合体、アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、
アクリル酸エステル−スチレン共重合体、メタクリル酸
エステル−アクリロニトリル共重合体、メタクリル酸エ
ステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステ
ル−スチレン共重合体、ウレタンエラストマー、ナイロ
ン−シリコン系樹脂、ニトロセルロース−ポリアミド樹
脂、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン−アクリコニ1
〜リル共重合体、ブタジェン−アクリロニトリル共重合
体、ポリアミド樹脂、ポリビニールブチラール、セルロ
ース誘導体(セルロースアセテート、セルロースダイア
セテート、セルローストリアセテート。
セルロースプロピオネート、ニトロセルロース等)、ス
チレン−ブタジェン共重合体、ポリエステル樹脂、グロ
ロビニルエーテルーアクリル酸エステル共重合体、アミ
ノ樹脂、各種の合成ゴム系の熱可塑性樹脂及びこれらの
混合物が使用される。
チレン−ブタジェン共重合体、ポリエステル樹脂、グロ
ロビニルエーテルーアクリル酸エステル共重合体、アミ
ノ樹脂、各種の合成ゴム系の熱可塑性樹脂及びこれらの
混合物が使用される。
熱硬化性樹脂又は反応型樹脂としては、塗布液の状態で
は200,000以下の分子量であり、塗布、乾燥後に
加熱することにより、縮合、付加等の反応により分子量
は無限大のものとなる。又、これらの樹脂のなかで、樹
脂が熱分解するまでの間に軟化又は溶融しないものが好
ましい。具体的には例えばフェノール樹脂、エポキシ樹
脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂
、アルキッド樹脂、シリコン樹脂、アクリル系反応樹脂
、エポキシ−ポリアミド樹脂、ニトロセルロースメラミ
ン樹脂、高分子量ポリエステル樹脂とイソシアネートプ
レポリマーの混合物、メタクリル酸塩共重合体とジイソ
シアネートプレポリマーの混合物、ポリエステルポリオ
ールとポリイソシアネートの混合物、尿素ホルムアルデ
ヒド樹脂、低分子量グリコール/高分子量ジオール/ト
リフェニルメタントリイソシアネートの混合物、ポリア
ミン樹脂、及びこれらの混合物である。
は200,000以下の分子量であり、塗布、乾燥後に
加熱することにより、縮合、付加等の反応により分子量
は無限大のものとなる。又、これらの樹脂のなかで、樹
脂が熱分解するまでの間に軟化又は溶融しないものが好
ましい。具体的には例えばフェノール樹脂、エポキシ樹
脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂
、アルキッド樹脂、シリコン樹脂、アクリル系反応樹脂
、エポキシ−ポリアミド樹脂、ニトロセルロースメラミ
ン樹脂、高分子量ポリエステル樹脂とイソシアネートプ
レポリマーの混合物、メタクリル酸塩共重合体とジイソ
シアネートプレポリマーの混合物、ポリエステルポリオ
ールとポリイソシアネートの混合物、尿素ホルムアルデ
ヒド樹脂、低分子量グリコール/高分子量ジオール/ト
リフェニルメタントリイソシアネートの混合物、ポリア
ミン樹脂、及びこれらの混合物である。
バインダーは放射線硬化型化合物を硬(ヒしたものを用
いることが好ましい。
いることが好ましい。
放射線硬化性化合物の具体例としては、ラジカル重合性
を示す不飽和二重結合を有すアクリル酸、メタクリル酸
、あるいはそれらのエステル化合物のようなアクリル系
二重結合、ジアリルフタレートのようなアリル系二重結
合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和結合等の
、放射線照射による架橋あるいは重合乾燥する)を熱可
塑性樹脂の分子中に含有または導入した樹脂である。そ
の池数射線照射により架橋重合する不飽和二重結合を有
する化合物であれば用いることができる。
を示す不飽和二重結合を有すアクリル酸、メタクリル酸
、あるいはそれらのエステル化合物のようなアクリル系
二重結合、ジアリルフタレートのようなアリル系二重結
合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和結合等の
、放射線照射による架橋あるいは重合乾燥する)を熱可
塑性樹脂の分子中に含有または導入した樹脂である。そ
の池数射線照射により架橋重合する不飽和二重結合を有
する化合物であれば用いることができる。
放射線照射による架橋あるいは重合乾燥する基を熱可塑
性樹脂の分子中に含有する樹脂としては次の様な不飽和
ポリエステル樹脂がある。
性樹脂の分子中に含有する樹脂としては次の様な不飽和
ポリエステル樹脂がある。
分子鎖中に放射線硬化性不飽和二重結合を含有するポリ
エステル化合物1例えば下記(2)の多塩基酸と多価ア
ルコールのエステル結合から成る飽和ポリエステル樹脂
で多塩基酸の一部をマレイン酸とした放射線硬化性不飽
和二重結合を含有する不飽和ポリエステル樹脂を挙げる
ことができる。
エステル化合物1例えば下記(2)の多塩基酸と多価ア
ルコールのエステル結合から成る飽和ポリエステル樹脂
で多塩基酸の一部をマレイン酸とした放射線硬化性不飽
和二重結合を含有する不飽和ポリエステル樹脂を挙げる
ことができる。
放射線硬化性不飽和ポリエステル樹脂は多塩井酸成分1
種以上と多価アルコール成分1種以上にマレイン酸、フ
マル酸等を加え常法、すなわち触媒の存在下で、180
〜200°C1窒素雰囲気下、脱水あるいは脱アルコー
ル反応の後、240〜280°Cまで昇温し、0.5〜
lmmHgの減圧下、縮合反応により得ることができる
。マレイン酸やフマル酸等の含有量は、製造時の架橋、
放射線硬化性等から酸成分中1〜40モル%、好ましく
は10〜30モル%である。
種以上と多価アルコール成分1種以上にマレイン酸、フ
マル酸等を加え常法、すなわち触媒の存在下で、180
〜200°C1窒素雰囲気下、脱水あるいは脱アルコー
ル反応の後、240〜280°Cまで昇温し、0.5〜
lmmHgの減圧下、縮合反応により得ることができる
。マレイン酸やフマル酸等の含有量は、製造時の架橋、
放射線硬化性等から酸成分中1〜40モル%、好ましく
は10〜30モル%である。
放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、次のようなものを挙げる事ができる。
は、次のようなものを挙げる事ができる。
(1)塩化ビニール系共重合体
塩化ビニール−酢酸ビニール−ビニールアルコール共重
合体、塩化ビニール−ビニールアルコール共重合体、塩
化ビニール−ビニールアルコール−プロピオン酸ビニー
ル共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニール−マレイン酸
共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニル−ビニルアルコー
ル−マレイン酸共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニール
−末端OH側鎖アルキル基共重合体、たとえばUCC社
製V ROHl VYNC,VYBGX、 VERR
,VYES、VMCA、V A G H等が挙げられ、
コノものに後述の手法により、アクリル系二重結合、マ
レイン酸系二重結合、アリル系二重結合を導入して放射
線感応変性を行う。
合体、塩化ビニール−ビニールアルコール共重合体、塩
化ビニール−ビニールアルコール−プロピオン酸ビニー
ル共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニール−マレイン酸
共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニル−ビニルアルコー
ル−マレイン酸共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニール
−末端OH側鎖アルキル基共重合体、たとえばUCC社
製V ROHl VYNC,VYBGX、 VERR
,VYES、VMCA、V A G H等が挙げられ、
コノものに後述の手法により、アクリル系二重結合、マ
レイン酸系二重結合、アリル系二重結合を導入して放射
線感応変性を行う。
(2)飽和ポリエステル樹脂
フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、コハク酸、ア
ジピン酸、セバシン酸のような飽和多塩基酸と、エチレ
ングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン、ト
リメチロールプロパン、1゜2プロピレングリコール、
1,3ブタンジオール、ジプロピレングリコール、1,
4ブタンジオール、■、6ヘキサンジオール、ペンタエ
リスリット。
ジピン酸、セバシン酸のような飽和多塩基酸と、エチレ
ングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン、ト
リメチロールプロパン、1゜2プロピレングリコール、
1,3ブタンジオール、ジプロピレングリコール、1,
4ブタンジオール、■、6ヘキサンジオール、ペンタエ
リスリット。
ソルビトール、グリセリン、ネオペンチルグリコール、
■、4シクロヘキサンジメタツールのような多価アルコ
ールとのエステル結合により得られる飽和ポリエステル
樹脂又はこれらのポリエステル樹脂をSO3Na等で変
性した樹脂(例えばバイロン53S)が例として挙げら
れ、これらも同様にして放射線感応変性を行う。
■、4シクロヘキサンジメタツールのような多価アルコ
ールとのエステル結合により得られる飽和ポリエステル
樹脂又はこれらのポリエステル樹脂をSO3Na等で変
性した樹脂(例えばバイロン53S)が例として挙げら
れ、これらも同様にして放射線感応変性を行う。
(3)ポリビニルアルコール系樹脂
ポリビニルアルコール、ブチラール樹脂、アセタール樹
脂、ホルマール樹脂及びこれらの成分の共重合体で、こ
れら樹脂中に含まれる水酸基に対し後述の手法により放
射線感応変性を行う。
脂、ホルマール樹脂及びこれらの成分の共重合体で、こ
れら樹脂中に含まれる水酸基に対し後述の手法により放
射線感応変性を行う。
(4)エポキシ系樹脂、フェノキシ系樹脂ビスフェノー
ルAとエピクロルヒドリン、メチルエピクロルヒドリン
の反応によるエポキシ樹脂、例2ばシェル化学製(エピ
コー1−152.154.828.1001.1004
.1007)、ダウケミカル製(D E N/131、
D E R732、D E R511、DER331)
、大日本インキ製(エピクロン400,800)、更に
上記ヱポキシの高重合度樹脂であるUCC社製フェノキ
シ樹脂(PKHA、PKHC,PKHH)、臭素化ビス
フェノールAとエピクロルヒドリンとの共重合体、大日
本インキ化学工業製(エビクロン145.152゜15
3.1120)等があり、又これらにカルボン酸基を含
有するものも含まれる。これら樹脂中に含まれるエポキ
シ基を利用して放射線感応変性を行う。
ルAとエピクロルヒドリン、メチルエピクロルヒドリン
の反応によるエポキシ樹脂、例2ばシェル化学製(エピ
コー1−152.154.828.1001.1004
.1007)、ダウケミカル製(D E N/131、
D E R732、D E R511、DER331)
、大日本インキ製(エピクロン400,800)、更に
上記ヱポキシの高重合度樹脂であるUCC社製フェノキ
シ樹脂(PKHA、PKHC,PKHH)、臭素化ビス
フェノールAとエピクロルヒドリンとの共重合体、大日
本インキ化学工業製(エビクロン145.152゜15
3.1120)等があり、又これらにカルボン酸基を含
有するものも含まれる。これら樹脂中に含まれるエポキ
シ基を利用して放射線感応変性を行う。
(5)繊維素誘導体
各種のものが用いられるが、特に効果的なものは硝化綿
、セルローズアセトブチレート、エチルセルローズ、ブ
チルセルローズ、アセチルセルローズ等が好適である。
、セルローズアセトブチレート、エチルセルローズ、ブ
チルセルローズ、アセチルセルローズ等が好適である。
樹脂中の水酸基を活用して後述の方法により放射線感応
変性を行う。
変性を行う。
その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂及び誘導体(PVPオ
レフィン共重合体)、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂
、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を含
有するアクリルエステル及びメタクリルエステルを重合
成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有効で
ある。
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂及び誘導体(PVPオ
レフィン共重合体)、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂
、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を含
有するアクリルエステル及びメタクリルエステルを重合
成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有効で
ある。
以下にエラストマーもしくはプレポリマーの例を挙げる
。
。
(1)ポリウレタンエラストマーもしくはプレポリマー
ポリウレタンの使用は耐摩耗性、及び基体フィルム、例
えばPETフィルムへの接着性が良い点で特に有効であ
る。ウレタン化合物の例としては、イソシアネートとし
て、2./l−1−ルエンジイソシアネート、2.6−
1〜ルエンジイソシアネ−1−11,3−キシレンジイ
ソシアネート、1,4−キシレンジイソシアネート、1
.5−ナフタレンジイソシアネート、m−フェニレンジ
イソシアネート、p−フェニレンジイソシアネート、3
.3′−ジメチル−4,4′−ジフェニルメタンジイソ
シアネート、4.4′−ジフェニルメタンジイソシアネ
ート、3,3″−ジメチルビフェニレンジイソシアネー
ト、4.4’−ビフェニレンジイソシアネート、ヘキサ
メチレンジイソシアネー1〜、イソフォロンジイソシア
ネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、デ
スモジュールし、デスモジュールN等の各種多価インシ
アネートと。
えばPETフィルムへの接着性が良い点で特に有効であ
る。ウレタン化合物の例としては、イソシアネートとし
て、2./l−1−ルエンジイソシアネート、2.6−
1〜ルエンジイソシアネ−1−11,3−キシレンジイ
ソシアネート、1,4−キシレンジイソシアネート、1
.5−ナフタレンジイソシアネート、m−フェニレンジ
イソシアネート、p−フェニレンジイソシアネート、3
.3′−ジメチル−4,4′−ジフェニルメタンジイソ
シアネート、4.4′−ジフェニルメタンジイソシアネ
ート、3,3″−ジメチルビフェニレンジイソシアネー
ト、4.4’−ビフェニレンジイソシアネート、ヘキサ
メチレンジイソシアネー1〜、イソフォロンジイソシア
ネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、デ
スモジュールし、デスモジュールN等の各種多価インシ
アネートと。
線状飽和ポリエステル(エチレングリコール、ジエチレ
ングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、
1,4−ブタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、
ペンタエリスリット、ソルビトール、ネオペンチルグリ
コール、1,4−シクロヘキサンジメタツールの様な多
価アルコールと、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル
酸、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸の様な飽和多塩
基酸との縮重合によるもの)、線状飽和ポリエーテル(
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、
ポリテトラメチレングリコール)やカプロラクタム、ヒ
ドロキシル含有アクリル酸エステル、ヒドロキシル含有
メタクリル酸エステル等の各種ポリエステル類の縮重合
物より成るポリウレタンエラストマー、プレポリマーが
有効である。
ングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、
1,4−ブタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、
ペンタエリスリット、ソルビトール、ネオペンチルグリ
コール、1,4−シクロヘキサンジメタツールの様な多
価アルコールと、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル
酸、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸の様な飽和多塩
基酸との縮重合によるもの)、線状飽和ポリエーテル(
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、
ポリテトラメチレングリコール)やカプロラクタム、ヒ
ドロキシル含有アクリル酸エステル、ヒドロキシル含有
メタクリル酸エステル等の各種ポリエステル類の縮重合
物より成るポリウレタンエラストマー、プレポリマーが
有効である。
これらのウレタンエラストマーの末端のイソシアネート
基又は水酸基と、アクリル系二重結合又はアリル系二重
結合等を有する単量体とを反応させることにより、放射
線感応性に変性することは非常に効果的である。又、末
端に極性基としてOH,C0OH等を含有するものも含
む。
基又は水酸基と、アクリル系二重結合又はアリル系二重
結合等を有する単量体とを反応させることにより、放射
線感応性に変性することは非常に効果的である。又、末
端に極性基としてOH,C0OH等を含有するものも含
む。
さらに不飽和二重結合を有する長鎖脂肪酸のモノあるい
はジグリセリド等、インシアネート基と反応する活性水
素を持ち、かつ放射線硬化性を有する不飽和二重結合を
有する単量体も含まれる。
はジグリセリド等、インシアネート基と反応する活性水
素を持ち、かつ放射線硬化性を有する不飽和二重結合を
有する単量体も含まれる。
(2)アクリロニトリル−ブタジェン共重合エラストマ
ー シンクレアペトロケミカル社製ポリBDリタイソドレジ
ンとして市販されている末端水酸基のあるアクリロニト
リルブタジェン共重合体プレポリマーあるいは日本ゼオ
ン社製ハイカー1.432J等のエラストマーは、特に
ブタジェン中の二重結合が放射線によりラジカルを生し
架橋及び重合させるエラストマー成分として適する。
ー シンクレアペトロケミカル社製ポリBDリタイソドレジ
ンとして市販されている末端水酸基のあるアクリロニト
リルブタジェン共重合体プレポリマーあるいは日本ゼオ
ン社製ハイカー1.432J等のエラストマーは、特に
ブタジェン中の二重結合が放射線によりラジカルを生し
架橋及び重合させるエラストマー成分として適する。
(3)ポリブタジエンエラストマー
シンクレアペトロケミカル社製ポリBDリタイノドレジ
ンR−15等の低分子量末端水酸基を有するプレポリマ
ーが特に熱可塑性樹脂との相溶性の点で好適である。R
−15プレポリマーにおいては分子末端が水酸基となっ
ている為、分子末端にアクリル系不飽和二重結合を付加
することにより放射線感応性を高めることが可能であり
、バインダーとして更に有利となる。
ンR−15等の低分子量末端水酸基を有するプレポリマ
ーが特に熱可塑性樹脂との相溶性の点で好適である。R
−15プレポリマーにおいては分子末端が水酸基となっ
ている為、分子末端にアクリル系不飽和二重結合を付加
することにより放射線感応性を高めることが可能であり
、バインダーとして更に有利となる。
またポリブタジェンの環化物、日本合成ゴム製CBR−
M901も熱可塑性樹脂との組合せによすすぐれた性質
を有している。
M901も熱可塑性樹脂との組合せによすすぐれた性質
を有している。
その他、熱可塑性エラストーマー及びそのプレポリマー
の系で好適なものとしては、スチレン−ブタジェンゴム
、塩化ゴム、アクリルゴム、イソプレンゴム及びその環
化物(日本合成ゴム製CI R701)があり、エポキ
シ変性ゴム、内部可塑化飽和線状ポリエステル(東洋紡
バイロンtt300)等のエラストマーも下記に述へる
放射線感応変性処理を施こすことにより有効に利用でき
る。
の系で好適なものとしては、スチレン−ブタジェンゴム
、塩化ゴム、アクリルゴム、イソプレンゴム及びその環
化物(日本合成ゴム製CI R701)があり、エポキ
シ変性ゴム、内部可塑化飽和線状ポリエステル(東洋紡
バイロンtt300)等のエラストマーも下記に述へる
放射線感応変性処理を施こすことにより有効に利用でき
る。
オリゴマー、モノマーとして本発明で用いられる放射線
硬化性不飽和二重結合を有する化合物としては、スチレ
ン、エチルアクリレ−1−、エチレングリコールジアク
リレート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエ
チレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコー
ルジメタクリレート、■、6−ヘキサングリコールジア
クリレート、1.6−ヘキサンゲリコールジメタクリレ
ート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリ
メチロールプロパントリメタクリレート、多官能オリゴ
エステルアクリレート(アロニツクスM−7100、M
−5400,5500,5700等、東亜合成)、ウレ
タンエラストマーにツボラン4040)のアクリル変性
体、あるいはこれらのものにCOOH等の官能基が導入
されたもの、トリメチロールプロパンジアクリレート(
メタクリレート)、フェノールエチレンオキシド付加物
のアクリレート(メタクリレート)、下記一般式で示さ
れるペンタエリスリトール縮合環にアクリル基(メタク
リル基)またはε−カプロラクトンアクリル基のついた
化合物、 式中、m=1、a=2、b=4の化合物(以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Aという)、m = 1 、
’ a = 3、b=3の化合物(以下、特殊ペンタ
エリスリトール縮合物Bという)、m=1、a=6.b
=oの化合物(以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物
Cという)、m=2、a=6、b=oの化合物(以下、
特殊ペンタエリスリトール縮合物りという)、及び下記
一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げられる。
硬化性不飽和二重結合を有する化合物としては、スチレ
ン、エチルアクリレ−1−、エチレングリコールジアク
リレート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエ
チレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコー
ルジメタクリレート、■、6−ヘキサングリコールジア
クリレート、1.6−ヘキサンゲリコールジメタクリレ
ート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリ
メチロールプロパントリメタクリレート、多官能オリゴ
エステルアクリレート(アロニツクスM−7100、M
−5400,5500,5700等、東亜合成)、ウレ
タンエラストマーにツボラン4040)のアクリル変性
体、あるいはこれらのものにCOOH等の官能基が導入
されたもの、トリメチロールプロパンジアクリレート(
メタクリレート)、フェノールエチレンオキシド付加物
のアクリレート(メタクリレート)、下記一般式で示さ
れるペンタエリスリトール縮合環にアクリル基(メタク
リル基)またはε−カプロラクトンアクリル基のついた
化合物、 式中、m=1、a=2、b=4の化合物(以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Aという)、m = 1 、
’ a = 3、b=3の化合物(以下、特殊ペンタ
エリスリトール縮合物Bという)、m=1、a=6.b
=oの化合物(以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物
Cという)、m=2、a=6、b=oの化合物(以下、
特殊ペンタエリスリトール縮合物りという)、及び下記
一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げられる。
(1) (Cll2” cllcoocn、 ) 3
CCt(20H(特殊アクリレートA) (2)(CH2=CHCOOCH2)3CCH,Cll
3(特殊アクリレートB) (3)[:C)+2=:CHCO−←QC,H6)n
−OCH,] ? −CCII、 CH3(特殊アク
リレートE) (特殊アクリレートF) (7) CH2C1)OCH=
CI!□Cll3 (Cl12)n C00CHx
CCHO1l(n出16) CI C0
0CIl=CI+2λ (特殊アクリレートG) (8>CH,=CHCOO−(CI、C)1,0)4−
coc++=cu、1(特殊アクリレ−トド■) (特殊アクリレート■) (特殊アクリレートJ) (11) A AA −(X −
Yr−nX −A Aニアクリル酸、X:多価アルコール Y:多塩基酸 (特殊アクリレートK)次に、放射線
感応性バインダー合成例を説明する。
CCt(20H(特殊アクリレートA) (2)(CH2=CHCOOCH2)3CCH,Cll
3(特殊アクリレートB) (3)[:C)+2=:CHCO−←QC,H6)n
−OCH,] ? −CCII、 CH3(特殊アク
リレートE) (特殊アクリレートF) (7) CH2C1)OCH=
CI!□Cll3 (Cl12)n C00CHx
CCHO1l(n出16) CI C0
0CIl=CI+2λ (特殊アクリレートG) (8>CH,=CHCOO−(CI、C)1,0)4−
coc++=cu、1(特殊アクリレ−トド■) (特殊アクリレート■) (特殊アクリレートJ) (11) A AA −(X −
Yr−nX −A Aニアクリル酸、X:多価アルコール Y:多塩基酸 (特殊アクリレートK)次に、放射線
感応性バインダー合成例を説明する。
a)塩化ビニール酢酸ビニール共重合系樹脂のアクリル
変性体(放射線感応変性樹脂)の合成CH基を有する一
部ケン化塩ビー酢ビ共重合体(平均重合度n=500)
750部とトルエン1250部、シクロへキサノン50
0部を51の4つロフラスコに仕込み加熱溶解し、80
°C昇温後トリレンジイソシアネートの2−ヒドロキシ
エチルメタクリレートアダクト※を61.4部加え。
変性体(放射線感応変性樹脂)の合成CH基を有する一
部ケン化塩ビー酢ビ共重合体(平均重合度n=500)
750部とトルエン1250部、シクロへキサノン50
0部を51の4つロフラスコに仕込み加熱溶解し、80
°C昇温後トリレンジイソシアネートの2−ヒドロキシ
エチルメタクリレートアダクト※を61.4部加え。
更にオクチル酸スズ0.012部、ハイドロキノン0.
012部を加え80℃でN2気流中、NGO反応率が9
0%となるまで反応せしめる。反応終了後冷却し、メチ
ルエチルケトン1250部を加え希釈する。
012部を加え80℃でN2気流中、NGO反応率が9
0%となるまで反応せしめる。反応終了後冷却し、メチ
ルエチルケトン1250部を加え希釈する。
(※トリレンジイソシアネート(TDI)の2−ヒドロ
キシエチルメタクリレート(2HEMA)アダクトの製
法 TDI348部をN2気流中11の4つロフラスコ内で
80°Cに加熱後、2−エチレンメタクリレート260
部、オクチル酸スズ0.07部、ハイドロキノン0.0
5部を反応缶内の温度が80〜85°Cとなるように冷
却コントロールしながら滴下終了後80°Cで3時間攪
拌し反応を完結させる。反応終了後取り出して冷却後白
色ペースト状のTDIの2HEMAを得た。】 b)ブチラール樹脂アクリル変性体の合成(放射線感応
変性樹脂) ブチラール樹脂積水化学製BM−3100部をトルエン
191.2部、シクロへキサノン71゜4部と共に51
の4つロフラスコに仕込み加熱溶解し80℃昇温後TD
Iの2HEMAアダクト×を7.4部加え、更にオクチ
ル酸スズ0.015部、ハイドロキノン0.015部を
加え、80°CでN2気流中NCO反応率が90%以上
となるまで反応せしめる。反応終了後冷却し、メチルエ
チルケトンにて希釈する。
キシエチルメタクリレート(2HEMA)アダクトの製
法 TDI348部をN2気流中11の4つロフラスコ内で
80°Cに加熱後、2−エチレンメタクリレート260
部、オクチル酸スズ0.07部、ハイドロキノン0.0
5部を反応缶内の温度が80〜85°Cとなるように冷
却コントロールしながら滴下終了後80°Cで3時間攪
拌し反応を完結させる。反応終了後取り出して冷却後白
色ペースト状のTDIの2HEMAを得た。】 b)ブチラール樹脂アクリル変性体の合成(放射線感応
変性樹脂) ブチラール樹脂積水化学製BM−3100部をトルエン
191.2部、シクロへキサノン71゜4部と共に51
の4つロフラスコに仕込み加熱溶解し80℃昇温後TD
Iの2HEMAアダクト×を7.4部加え、更にオクチ
ル酸スズ0.015部、ハイドロキノン0.015部を
加え、80°CでN2気流中NCO反応率が90%以上
となるまで反応せしめる。反応終了後冷却し、メチルエ
チルケトンにて希釈する。
C)飽和ポリエステル樹脂アクリル変性体の合成(放射
線感応変性樹脂) 飽和ポリエステル樹脂(東洋紡製バイロンRV−200
)、100部をトルエン116部、メチルエチルケトン
116部に加熱溶解し80°C昇温後TDIの2HEM
Aアダクト※を3.55部加え、オクチル酸スズ0.0
07部、ハイドロキノン0.007部を加え、80℃、
N2気流中NC○反応率が90%以上となるまで反応せ
しめる。
線感応変性樹脂) 飽和ポリエステル樹脂(東洋紡製バイロンRV−200
)、100部をトルエン116部、メチルエチルケトン
116部に加熱溶解し80°C昇温後TDIの2HEM
Aアダクト※を3.55部加え、オクチル酸スズ0.0
07部、ハイドロキノン0.007部を加え、80℃、
N2気流中NC○反応率が90%以上となるまで反応せ
しめる。
d)0工ポキシ樹脂アクリル変性体の合成(放射線感応
変性樹脂) エポキシ樹脂(シェル化学製エピコート1007)、4
00部をトルエン50部、メチルエチルケトン50部に
加熱溶解後、N、N−ジメチルベンジルアミン0.00
6部、ハイドロキノン0゜003部を添加し80℃とし
、アクリル酸69部を滴加し80℃で酸価5以下となる
まで反応せしめる。
変性樹脂) エポキシ樹脂(シェル化学製エピコート1007)、4
00部をトルエン50部、メチルエチルケトン50部に
加熱溶解後、N、N−ジメチルベンジルアミン0.00
6部、ハイドロキノン0゜003部を添加し80℃とし
、アクリル酸69部を滴加し80℃で酸価5以下となる
まで反応せしめる。
◎フェノキシ樹脂アクリル変性体の合成(放射線感応変
性樹脂) OH基を有するフェノキシ樹脂(PKHH: UCC社
製 分子量30,000)600部、メチルエチルケト
ン1800部を31の4ノロフラスコに仕込み、加熱溶
解し、80°C昇温後、トリレンジイソシアネートの2
ヒドロキシエチルメタクリレートアダクトを6.0部加
え、更にオクチル酸ヌズ0.012部、ハイドロキノン
0.012部を加え、80°CでN2気流中、NC0反
応率が90%となるまで反応せしめる。このフェノキシ
変性体の分子量は、1s、ooo、1分子当りの二重結
合は1個である。
性樹脂) OH基を有するフェノキシ樹脂(PKHH: UCC社
製 分子量30,000)600部、メチルエチルケト
ン1800部を31の4ノロフラスコに仕込み、加熱溶
解し、80°C昇温後、トリレンジイソシアネートの2
ヒドロキシエチルメタクリレートアダクトを6.0部加
え、更にオクチル酸ヌズ0.012部、ハイドロキノン
0.012部を加え、80°CでN2気流中、NC0反
応率が90%となるまで反応せしめる。このフェノキシ
変性体の分子量は、1s、ooo、1分子当りの二重結
合は1個である。
e)ウレタンエラストマーアクリル変性体の合成(放射
線硬化性エラストマー) 末端イソシアネートのジフェニルメタンジイソシアネー
ト(MDI)系ウレタンプレポリマー(日本ポリウレタ
ン製二ノボラン3119)250部、2HEMA32.
5部、ハイドロキノン0゜07部、オクチル酸スズ0.
009部を反応缶に入れ、80°Cに加熱溶解後TDI
43.5部を反応缶内の温度が80〜90℃となるよう
に冷却しながら滴下し、滴下終了後80°Cで反応率9
5%以上となるまで反応せしめる。
線硬化性エラストマー) 末端イソシアネートのジフェニルメタンジイソシアネー
ト(MDI)系ウレタンプレポリマー(日本ポリウレタ
ン製二ノボラン3119)250部、2HEMA32.
5部、ハイドロキノン0゜07部、オクチル酸スズ0.
009部を反応缶に入れ、80°Cに加熱溶解後TDI
43.5部を反応缶内の温度が80〜90℃となるよう
に冷却しながら滴下し、滴下終了後80°Cで反応率9
5%以上となるまで反応せしめる。
f)ポリエーテル系末端ウレタン変性エラストマーアク
リル変性体(放射線硬化性エラストマー)の合成 日本ポリウレタン社製ポリエーテルPTG−500,2
50部、2HEMA32.5部、ハイドロキノン0.0
07部、オクチル酸スズ0.009部を反応缶に入れ、
80″Cに加熱溶解後TDI43.5部を反応缶内の温
度が80〜90°Cとなるように冷却しながら滴下し、
滴下終了後80℃で反応率95%以上となるまで反応せ
しめる。
リル変性体(放射線硬化性エラストマー)の合成 日本ポリウレタン社製ポリエーテルPTG−500,2
50部、2HEMA32.5部、ハイドロキノン0.0
07部、オクチル酸スズ0.009部を反応缶に入れ、
80″Cに加熱溶解後TDI43.5部を反応缶内の温
度が80〜90°Cとなるように冷却しながら滴下し、
滴下終了後80℃で反応率95%以上となるまで反応せ
しめる。
g)ポリブタジェンエラストマーアクリル変性体の合成
(放射線硬化性エラストマー) シンクレアペトロケミカル社製低分子量末端水酸基ポリ
ブタジエンボリBDリクイットレジンR−151,25
0部、2HEMA32.5部、ハイドロキノン0.00
7部、オクチル酸スズ0.009部を反応缶に入れ、8
0°Cに加熱溶解後TDI43.5部を反応缶内の温度
が80〜90°Cとなるように冷却しながら滴下し1滴
下終了後80°Cで反応率95%以上となるまで反応せ
しめる。
(放射線硬化性エラストマー) シンクレアペトロケミカル社製低分子量末端水酸基ポリ
ブタジエンボリBDリクイットレジンR−151,25
0部、2HEMA32.5部、ハイドロキノン0.00
7部、オクチル酸スズ0.009部を反応缶に入れ、8
0°Cに加熱溶解後TDI43.5部を反応缶内の温度
が80〜90°Cとなるように冷却しながら滴下し1滴
下終了後80°Cで反応率95%以上となるまで反応せ
しめる。
高分子には放射線照射により崩壊するものと分子間に架
橋を起こすものが知られている。分子間に架橋を起こす
ものとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリス
チレン、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリルアミド
、ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリビニルピロリド
ンゴム、ポリビニルアルコール、ポリアクロレインがあ
る。この様な架橋型ポリマーであれば上記のような変性
を特に施さなくても、架橋反応が起るので、前記変性体
の他に、これらの樹脂はそのまま放射線架橋用として使
用可能である。
橋を起こすものが知られている。分子間に架橋を起こす
ものとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリス
チレン、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリルアミド
、ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリビニルピロリド
ンゴム、ポリビニルアルコール、ポリアクロレインがあ
る。この様な架橋型ポリマーであれば上記のような変性
を特に施さなくても、架橋反応が起るので、前記変性体
の他に、これらの樹脂はそのまま放射線架橋用として使
用可能である。
更にまた、この方法によれば溶剤を使用しない無溶剤型
の樹脂であっても短時間で硬化することができるので、
この様な樹脂を用いることができる。
の樹脂であっても短時間で硬化することができるので、
この様な樹脂を用いることができる。
このような放射線硬化性樹脂を用いることによって大径
のいわゆるジャンボロールで巻きしまりがなくなり、ジ
ャンボロール内外での電磁変換特性の差がなくなり特性
が向上する。またオンラインで行えるので生産性が良く
なる。
のいわゆるジャンボロールで巻きしまりがなくなり、ジ
ャンボロール内外での電磁変換特性の差がなくなり特性
が向上する。またオンラインで行えるので生産性が良く
なる。
磁性粉/バインダーは1重量比で1/1〜9/1、特に
2/1〜8/1であることが好ましい。
2/1〜8/1であることが好ましい。
このような割合とするのは171未満では飽和磁束密度
が低くなり、9/1を超えると分散不良により表面粗度
が悪くなり、また塗膜ももろくなり好ましくなくなるか
らである。
が低くなり、9/1を超えると分散不良により表面粗度
が悪くなり、また塗膜ももろくなり好ましくなくなるか
らである。
本発明では必要に応じ、非反応性溶剤が使用される。溶
剤としては特に制限はないが、バインダーの溶解性およ
び相溶性等を考慮して適宜選択される。
剤としては特に制限はないが、バインダーの溶解性およ
び相溶性等を考慮して適宜選択される。
例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類;メタノール
、エタノール、プロパツール、ブタノール等のアルコー
ル類;ギ酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、乳酸エチル、酢酸グリコールモノエチルエーテル等
のエステル類:イソプロビルエーテル、エチルエーテル
、グリコールジメチルエーテル、グリコールモノエチル
エーテル、ジオキサン等のエーテル類=ベンゼン、トル
エン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素類
;テトラヒドロフラン、フルフラール等のフラン類;メ
チレンクロライド、エチレンクロライド2四塩化炭素、
クロロホルム、エチレンクロルヒドリン、ジグロルベン
ゼン等の塩素化炭化水素、その他ジメチルホルムアミド
等が単一溶剤またはこれらの混合溶剤として使用される
。
ルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類;メタノール
、エタノール、プロパツール、ブタノール等のアルコー
ル類;ギ酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、乳酸エチル、酢酸グリコールモノエチルエーテル等
のエステル類:イソプロビルエーテル、エチルエーテル
、グリコールジメチルエーテル、グリコールモノエチル
エーテル、ジオキサン等のエーテル類=ベンゼン、トル
エン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素類
;テトラヒドロフラン、フルフラール等のフラン類;メ
チレンクロライド、エチレンクロライド2四塩化炭素、
クロロホルム、エチレンクロルヒドリン、ジグロルベン
ゼン等の塩素化炭化水素、その他ジメチルホルムアミド
等が単一溶剤またはこれらの混合溶剤として使用される
。
これらの溶剤はバインダーに対して10〜10000w
t%、特に100−5000wt%の割合で用いる。
t%、特に100−5000wt%の割合で用いる。
磁性層には無機顔料が含まれていてもよい。
無機顔料としては、l)導電性のあるカーボンブランク
、グラファイト、また2)無機充填剤として5i02−
TiO2、Al2O3、Cr 20S iC,Cab、
CaCO2、酸化亜鉛、ゲーサイト、2’ F e 2
03 、タルり、カオリン、CaSO4、窒化硼素、フ
ッ化黒鉛、二硫化モリブデン、ZnS等がある。またこ
の他、次のような微粒子顔料(エアロジルタイプ、コロ
イダルタイプ):5i02.Al2O3,TiO2、Z
rO2,Cr 、l!03 、 Y203 、 Ce
02、Fe3O4、Fe2O3、Zr5iO,、,5b
2o、、Sn○等も用いられる。これら微粒子顔料は、
例えばSiO2の場合、■無水珪酸の超微粒子コロイド
溶液(スノーテックス、水系、メタノールシリカゾル等
、日産化学)、■精衷四塩化ケイ素の燃焼によって製造
される超微粒子状無水シリカ(標準品100人) (ア
エロジル、日本アエロジル株式会社)などが挙げられる
。又、前記■の超微粒子コロイド溶液及び■と同様の気
相法で製造される超微粒子状の酸化アルミニウム、並び
に酸化チタン及び前述の微粒子顔料が使用され得る。こ
の様な無機顔料の使用量は1)に関してはバインダー1
00重量部に対して1〜30重量部、又2)に関しては
1〜30重量部が適当であり、これらがあまり多くなる
と、塗膜がもろくなり、かえってドロップアウトが多く
なるという欠点がある。
、グラファイト、また2)無機充填剤として5i02−
TiO2、Al2O3、Cr 20S iC,Cab、
CaCO2、酸化亜鉛、ゲーサイト、2’ F e 2
03 、タルり、カオリン、CaSO4、窒化硼素、フ
ッ化黒鉛、二硫化モリブデン、ZnS等がある。またこ
の他、次のような微粒子顔料(エアロジルタイプ、コロ
イダルタイプ):5i02.Al2O3,TiO2、Z
rO2,Cr 、l!03 、 Y203 、 Ce
02、Fe3O4、Fe2O3、Zr5iO,、,5b
2o、、Sn○等も用いられる。これら微粒子顔料は、
例えばSiO2の場合、■無水珪酸の超微粒子コロイド
溶液(スノーテックス、水系、メタノールシリカゾル等
、日産化学)、■精衷四塩化ケイ素の燃焼によって製造
される超微粒子状無水シリカ(標準品100人) (ア
エロジル、日本アエロジル株式会社)などが挙げられる
。又、前記■の超微粒子コロイド溶液及び■と同様の気
相法で製造される超微粒子状の酸化アルミニウム、並び
に酸化チタン及び前述の微粒子顔料が使用され得る。こ
の様な無機顔料の使用量は1)に関してはバインダー1
00重量部に対して1〜30重量部、又2)に関しては
1〜30重量部が適当であり、これらがあまり多くなる
と、塗膜がもろくなり、かえってドロップアウトが多く
なるという欠点がある。
また、無機顔料の径については1)に関しては0.1μ
m以下、さらには0.05−m以下が好ましく、2)に
関しては0.7μm以下、さらには0.05μm以下が
好ましい。
m以下、さらには0.05−m以下が好ましく、2)に
関しては0.7μm以下、さらには0.05μm以下が
好ましい。
磁性層には分散剤が含まれていてもよい。
分散剤としては有機チタンカップリング剤、シランカッ
プリング剤や界面活性剤が、帯電防止剤としてサポニン
などの天然界面活性剤;アルキレンオキサイド系、グリ
セリン系、グリシドール系などのノニオン界面活性剤;
高級アルキルアミン類、第4Rアンモニウム塩類、ピリ
ジンその他の複素環類、ホスホニウム又はスルホニウム
類などのカチオン界面活性剤;カルボン酸、スルホン酸
、燐酸、硫酸エステル基、燐酸エステル基等の酸性基を
含むアニオン界面活性剤;アミノ酸類、アミノスルホン
酸類、アミノアルコールの硫酸または燐酸エステル類等
の両性活性剤などが使用される。
プリング剤や界面活性剤が、帯電防止剤としてサポニン
などの天然界面活性剤;アルキレンオキサイド系、グリ
セリン系、グリシドール系などのノニオン界面活性剤;
高級アルキルアミン類、第4Rアンモニウム塩類、ピリ
ジンその他の複素環類、ホスホニウム又はスルホニウム
類などのカチオン界面活性剤;カルボン酸、スルホン酸
、燐酸、硫酸エステル基、燐酸エステル基等の酸性基を
含むアニオン界面活性剤;アミノ酸類、アミノスルホン
酸類、アミノアルコールの硫酸または燐酸エステル類等
の両性活性剤などが使用される。
磁性層には潤滑剤が含まれていてもよい。
潤滑剤としては従来この種の磁気記録媒体に用いられる
潤滑剤としてシリコンオイル、弗素オイル、脂肪酸、脂
肪酸エステル、パラフィン、流動パラフィン、界面活性
剤等を用いることができるが、脂肪酸および/又は脂肪
酸エステルを用いるのが好ましい。
潤滑剤としてシリコンオイル、弗素オイル、脂肪酸、脂
肪酸エステル、パラフィン、流動パラフィン、界面活性
剤等を用いることができるが、脂肪酸および/又は脂肪
酸エステルを用いるのが好ましい。
脂肪酸としてはカプリル酸、カプリン酸、ラウリン酸、
ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸
、オレイン酸、エライジン酸、リノール酸、リルン酸、
ステアロール酸等の炭素数12以上の脂肪酸(RC○○
H,Rは炭素数11以上のアルキル基)であり、脂肪酸
エステルとしては、炭素数12〜16個の一塩基性脂肪
酸と炭素数3〜12個の一価のアルコールからなる脂肪
酸エステル類、炭素数17個以上の一塩基性脂肪酸と該
脂肪酸の炭素数と合計して炭素数が21〜23個より成
る一価のアルコールとから成る脂肪酸エステル等が使用
され、又前記脂肪酸のアルカリ金属又はアルカリ土類金
属からなる金属石鹸、レシチン等が使用される。
ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸
、オレイン酸、エライジン酸、リノール酸、リルン酸、
ステアロール酸等の炭素数12以上の脂肪酸(RC○○
H,Rは炭素数11以上のアルキル基)であり、脂肪酸
エステルとしては、炭素数12〜16個の一塩基性脂肪
酸と炭素数3〜12個の一価のアルコールからなる脂肪
酸エステル類、炭素数17個以上の一塩基性脂肪酸と該
脂肪酸の炭素数と合計して炭素数が21〜23個より成
る一価のアルコールとから成る脂肪酸エステル等が使用
され、又前記脂肪酸のアルカリ金属又はアルカリ土類金
属からなる金属石鹸、レシチン等が使用される。
シリコーンとしては脂肪酸変性よりなるもの、一部フッ
素変性されているものが使用される。アルコールとして
は高級アルコールよりなるもの。
素変性されているものが使用される。アルコールとして
は高級アルコールよりなるもの。
フッ素としては電解置換、テロメリゼーション。
オリゴメリゼーション等によって得られるものが使用さ
れる。
れる。
潤滑剤の中では放射線硬化型のものも使用して好都合で
ある。
ある。
放射線硬化型潤滑剤としては、滑性を示す分子鎖とアク
リル系二重結合とを分子中に有する化合物1例えばアク
リル酸エステル、メタクリル酸エステル、ビニル酢酸エ
ステル、アクリル酸アミド系化合物、ビニルアルコール
エステル、メチルビニルアルコールエステル、アリルア
ルコールエステル、グリセライド等があり、これらの潤
滑剤を構造式で表すと、 CI(3 CH2=CHC0OR,’CH2=C−C00R1CH
2=CH−CH2’C○○R1 CH2=CHC0NHCH20COR1CH20COC
H=CH2RCOOCH=CH2、RCOOCH2−C
H=CH2等で、ここでRは直鎖又は分枝状の飽和もし
くは不飽和炭化水素基で、炭素数は7以上、好ましくは
12以上23以下であり、これらは弗素置換体とするこ
ともできる。弗素置換体としては CnF2n+l−1Cn F 2n++ (CH2)m
−(但し、m=1〜5)、 R Cn F2n+l S○2NCH2CH2−1これら放
射線硬化型潤滑剤の好ましい具体例としては、ステアリ
ン酸メタクリレート(アクリレート)、ステアリルアル
コールのメタクリレート(アクリレート)、グリセリン
のメタクリレート(アクリレート)、グリコールのメタ
クリレート(アクリレート)、シリコーンのメタクリレ
ート(アクリレ−1−)等が挙げられる。
リル系二重結合とを分子中に有する化合物1例えばアク
リル酸エステル、メタクリル酸エステル、ビニル酢酸エ
ステル、アクリル酸アミド系化合物、ビニルアルコール
エステル、メチルビニルアルコールエステル、アリルア
ルコールエステル、グリセライド等があり、これらの潤
滑剤を構造式で表すと、 CI(3 CH2=CHC0OR,’CH2=C−C00R1CH
2=CH−CH2’C○○R1 CH2=CHC0NHCH20COR1CH20COC
H=CH2RCOOCH=CH2、RCOOCH2−C
H=CH2等で、ここでRは直鎖又は分枝状の飽和もし
くは不飽和炭化水素基で、炭素数は7以上、好ましくは
12以上23以下であり、これらは弗素置換体とするこ
ともできる。弗素置換体としては CnF2n+l−1Cn F 2n++ (CH2)m
−(但し、m=1〜5)、 R Cn F2n+l S○2NCH2CH2−1これら放
射線硬化型潤滑剤の好ましい具体例としては、ステアリ
ン酸メタクリレート(アクリレート)、ステアリルアル
コールのメタクリレート(アクリレート)、グリセリン
のメタクリレート(アクリレート)、グリコールのメタ
クリレート(アクリレート)、シリコーンのメタクリレ
ート(アクリレ−1−)等が挙げられる。
潤滑剤の入っていない磁気記録層は摩擦係数が高いため
画像のゆらぎが生じ、ジッターが発生し易いと共に、特
に高温走行下で摩擦係数が高いため磁気記録層の削れが
発生し易く、巻きみだれを生じ易いものである。又、デ
ィスク媒体では耐久走行性が劣ったり、塗膜ケズレが発
生したりする。
画像のゆらぎが生じ、ジッターが発生し易いと共に、特
に高温走行下で摩擦係数が高いため磁気記録層の削れが
発生し易く、巻きみだれを生じ易いものである。又、デ
ィスク媒体では耐久走行性が劣ったり、塗膜ケズレが発
生したりする。
分散剤および潤滑剤はバインダーに対して0゜1〜20
重量%含ませるのがよい。
重量%含ませるのがよい。
バインダー量が多すぎるとブロッキングが出、バインダ
ーが少なすぎるとカレンダ一工程での付着が発生して好
ましくない。
ーが少なすぎるとカレンダ一工程での付着が発生して好
ましくない。
なお本発明の磁気記録層の塗布乾燥後の厚みは0.1〜
10μmの範囲が一般的である。
10μmの範囲が一般的である。
磁性層の潤滑剤、有機バインダーが放射線硬化型の場合
、その架橋に使用する活性エネルギー線としては、放射
線加速器を線源とした電子線、Co60を線源としたり
一線、5r90を線源としたβ−線、X線発生器を線源
としたX線あるいは紫外線等が使用される。
、その架橋に使用する活性エネルギー線としては、放射
線加速器を線源とした電子線、Co60を線源としたり
一線、5r90を線源としたβ−線、X線発生器を線源
としたX線あるいは紫外線等が使用される。
特に照射線源としては吸収線量の制御、製造工程ライン
への導入、電離放射線の遮蔽等の見地から放射線加熱器
により放射線を使用する方法が有利である。
への導入、電離放射線の遮蔽等の見地から放射線加熱器
により放射線を使用する方法が有利である。
本発明に使用される非磁性基材としては、ポリエチレン
テレフタレート等のポリニスチル類、ポリプロピレン等
のポリオレフィン類、セルローストリアセテート等のセ
ルロース誘導体、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリ
サルホン、ポリエチレンナフタレート、芳香族アラミド
、芳香族ポリエステル、アルミニウム等の金属板、ガラ
ス板等が使用されるが、これらに限定されるものではな
い。これらの中では、特にポリエステル、ポリアミド、
ポリイミド等を用いることが好ましい。
テレフタレート等のポリニスチル類、ポリプロピレン等
のポリオレフィン類、セルローストリアセテート等のセ
ルロース誘導体、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリ
サルホン、ポリエチレンナフタレート、芳香族アラミド
、芳香族ポリエステル、アルミニウム等の金属板、ガラ
ス板等が使用されるが、これらに限定されるものではな
い。これらの中では、特にポリエステル、ポリアミド、
ポリイミド等を用いることが好ましい。
本発明の磁気記録媒体では支持体の両面に磁性層を設け
てもよい。特にフロッピーディスクの場合は両面に磁性
層を設けているものが好ましい。
てもよい。特にフロッピーディスクの場合は両面に磁性
層を設けているものが好ましい。
また本発明の磁気記録媒体は必要に応じてバラフコ−1
〜およびトップコートを設けてもよい。
〜およびトップコートを設けてもよい。
これらのうちバックコートは、バインダー、顔料および
潤滑剤からなる組成とするのがよい。
潤滑剤からなる組成とするのがよい。
バインダーとしては、前述の磁性層に用いた放射線硬化
性樹脂を使用することができるが、例えば(A)放射線
により硬化性をもつ不飽和二重結合を2個以上有する、
分子量5,000〜100゜000のプラスチック状化
合物、(B)放射線により硬化性をもつ不飽和二重結合
を1個以上有するか、または放射線硬化性を有しない、
分子量3゜000〜100,000のゴム状化合物、お
よび(C)放射線により硬化性をもつ不飽和二重結合を
1個以上有する、分子量200〜3,000の化合物を
、(A)20−70重景%、(B)20〜80重量%、
(C)10〜40重景%の割合で用いた組合せが好まし
い。
性樹脂を使用することができるが、例えば(A)放射線
により硬化性をもつ不飽和二重結合を2個以上有する、
分子量5,000〜100゜000のプラスチック状化
合物、(B)放射線により硬化性をもつ不飽和二重結合
を1個以上有するか、または放射線硬化性を有しない、
分子量3゜000〜100,000のゴム状化合物、お
よび(C)放射線により硬化性をもつ不飽和二重結合を
1個以上有する、分子量200〜3,000の化合物を
、(A)20−70重景%、(B)20〜80重量%、
(C)10〜40重景%の割合で用いた組合せが好まし
い。
また熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂も用いることがで
き、これらは平均分子量200,000以下のものが好
ましい。
き、これらは平均分子量200,000以下のものが好
ましい。
特に好ましいものは、繊維素樹脂(硝化綿等)、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体、ウレタ
ンの組合せからなる熱硬fヒ性樹脂(硬化剤使用)であ
る。
ニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体、ウレタ
ンの組合せからなる熱硬fヒ性樹脂(硬化剤使用)であ
る。
顔料としては、前述の磁性層に用いた無機顔料を使用す
ることができる。そのなかの1)に関してバインダー1
00重量部に対して20〜300重量部、2)に関して
は10〜300重量部含ませることが好ましい。
ることができる。そのなかの1)に関してバインダー1
00重量部に対して20〜300重量部、2)に関して
は10〜300重量部含ませることが好ましい。
潤滑剤としては前述の磁性層に用いたものが使用できる
。なかでも脂肪酸および/または脂肪酸エステルを用い
るのが好ましい。
。なかでも脂肪酸および/または脂肪酸エステルを用い
るのが好ましい。
本発明の磁気記録媒体を製造するには常法に従って行え
ばよく、磁性粉をバインダー、有機溶剤等とともに混合
分散して磁性塗料を調製し、この磁性塗料をポリエステ
ルフィルムなどの基体上にグラビアコート、リバースロ
ールコート、エアーナイフコート、エアードクターコー
ト、ブレードコート、キスコート、スプレィコートなど
の手法を用いて塗布し、磁性粉の磁化容易方向が磁性層
に対して垂直方向となるように配向処理を行って乾燥し
、好ましくは常法に従い放射線硬化すればよい。
ばよく、磁性粉をバインダー、有機溶剤等とともに混合
分散して磁性塗料を調製し、この磁性塗料をポリエステ
ルフィルムなどの基体上にグラビアコート、リバースロ
ールコート、エアーナイフコート、エアードクターコー
ト、ブレードコート、キスコート、スプレィコートなど
の手法を用いて塗布し、磁性粉の磁化容易方向が磁性層
に対して垂直方向となるように配向処理を行って乾燥し
、好ましくは常法に従い放射線硬化すればよい。
そして必要に応じてバックコートおよびトップコーを設
ければよい。
ければよい。
配向処理は、常法に従う。
配向方法としては永久磁石、直流磁石、交流磁場が代表
的なものとして用いられ、それらのものの各種組合せ、
例えば垂直と水平の組合せ、永久磁石または直流磁場と
交流磁場の組合せ、機械的配向や機械的配向と上記の組
合せ等1種々のものが用いられる。
的なものとして用いられ、それらのものの各種組合せ、
例えば垂直と水平の組合せ、永久磁石または直流磁場と
交流磁場の組合せ、機械的配向や機械的配向と上記の組
合せ等1種々のものが用いられる。
そして磁場外で磁性粒子が反磁場のために配向したもの
が乱れ、配向性の低下を生じないよう磁場内で乾燥させ
、反磁場が働いてもそれらの影響が出ないよう、磁場内
である程度乾燥させ、磁性粉が動かないようにする必要
がある。
が乱れ、配向性の低下を生じないよう磁場内で乾燥させ
、反磁場が働いてもそれらの影響が出ないよう、磁場内
である程度乾燥させ、磁性粉が動かないようにする必要
がある。
磁場強度としては1000〜6000Gが好ましい。こ
の場合、本発明では、板状比が6以上と配向しやすいた
め、1000〜4000G程度でも十分目的にかなうも
のとなる。
の場合、本発明では、板状比が6以上と配向しやすいた
め、1000〜4000G程度でも十分目的にかなうも
のとなる。
本発明の記録媒体において、さらに支持体と磁性層との
間にパーマロイ等の高透磁率金属薄膜や下記に示すよう
な塗膜のアンダーコート層を設けることもできる。これ
らは併用してもよい。
間にパーマロイ等の高透磁率金属薄膜や下記に示すよう
な塗膜のアンダーコート層を設けることもできる。これ
らは併用してもよい。
塗膜のアンダーコート層には、前述したような放射線硬
化型化合物とカーボンブラックおよび/または界面活性
剤を含有させることが好ましい。
化型化合物とカーボンブラックおよび/または界面活性
剤を含有させることが好ましい。
用いるカーボンブラックはファーネス、チャンネル、ア
セチレン、サーマル、ランプ等、いずれの方法で製造さ
れたものでもよいが、アセチレンブラック、ファーネス
ブラック、チャンネルブラック、ローラーおよびディス
クブラック及びドイツナフタリンブラックが好ましい。
セチレン、サーマル、ランプ等、いずれの方法で製造さ
れたものでもよいが、アセチレンブラック、ファーネス
ブラック、チャンネルブラック、ローラーおよびディス
クブラック及びドイツナフタリンブラックが好ましい。
カーボンブラックの粒子径はどのようなものでもよいが
、好ましいのは、電子顕微鏡撮影法により測定して10
〜100 m pm、特に好ましくは10〜80m、m
mである。更に粒子径について言えば、粒子径Loom
、−mを超えるとアンダーコート層面の表面粗度が悪く
なり、磁性層塗布後の電特低下の原因となる。また10
m、−m未満では分散がうまくいかず、やはりアンダー
コートの表面粗度が悪くなる。
、好ましいのは、電子顕微鏡撮影法により測定して10
〜100 m pm、特に好ましくは10〜80m、m
mである。更に粒子径について言えば、粒子径Loom
、−mを超えるとアンダーコート層面の表面粗度が悪く
なり、磁性層塗布後の電特低下の原因となる。また10
m、−m未満では分散がうまくいかず、やはりアンダー
コートの表面粗度が悪くなる。
カーボンブラックには特殊なものとしてグラファイト化
カーボンブランクがあり、本発明ではグラファイト化カ
ーボンブラックも用いることができる。
カーボンブランクがあり、本発明ではグラファイト化カ
ーボンブラックも用いることができる。
このようなアンダーコート層を設けることによって、媒
体のヘッドへのはりつき、また、塗布工程等の製造工程
中にガイドローラ、カレンダローラ等のはりつき、放電
ノイズ等の発生を防止することができる。
体のヘッドへのはりつき、また、塗布工程等の製造工程
中にガイドローラ、カレンダローラ等のはりつき、放電
ノイズ等の発生を防止することができる。
アンダーコート層の厚さは1〇八〜2、− m程度とす
ることが好ましい。
ることが好ましい。
失凰且
実施例にて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は
これらに限定されるものでないことは言うまでもない。
これらに限定されるものでないことは言うまでもない。
特性は以下のようにして評価した。
(1)板状比
電子顕微鏡写真〔走査形顕微鏡(SEM)および透過形
顕微鏡(TEM))によって六方晶系のバリウムフェラ
イト粒子50個について断面を観察し、六角形の粒径に
ついての測定値を平均して求めた平均粒径と厚さについ
ての測定値を平均して求めた平均厚みとから平均粒径/
平均厚みを算出し、板状比とした。
顕微鏡(TEM))によって六方晶系のバリウムフェラ
イト粒子50個について断面を観察し、六角形の粒径に
ついての測定値を平均して求めた平均粒径と厚さについ
ての測定値を平均して求めた平均厚みとから平均粒径/
平均厚みを算出し、板状比とした。
あるいはX線回折による2θの半値巾によってこれらの
値を測定することも出来る。
値を測定することも出来る。
(2)垂直配向度
磁気テープの垂直方向の角形比B r / B mを測
定し、反磁場補正を行った。
定し、反磁場補正を行った。
(3)表面粗度
、、1ISBO601に規定しである10点平均粗さに
求め方に準じて行った。なおJISでは10点平均法を
規定しているが、本発明の評価方法として、さらに厳密
にするため20点平均とした。
求め方に準じて行った。なおJISでは10点平均法を
規定しているが、本発明の評価方法として、さらに厳密
にするため20点平均とした。
カットオフ値は、触針スピード30μm/seCで0.
18〜9Hz程度、または針圧はμmgとした。
18〜9Hz程度、または針圧はμmgとした。
(4)線記録密度り、o(KFRPI)回転数30Or
、p、yH,、ヘッド;フェライトヘッド、ギャップ0
.3μmにて低記録密度領域での出力(E)が高記録密
度領域でE/2となる線記録密度Djo(KFRPI)
を測定した。
、p、yH,、ヘッド;フェライトヘッド、ギャップ0
.3μmにて低記録密度領域での出力(E)が高記録密
度領域でE/2となる線記録密度Djo(KFRPI)
を測定した。
実施例1
厚さ75μmのポリエステル(PET)フィルムの表面
と裏面の両面上に下記に示すようなアンダーコート層を
設層した。
と裏面の両面上に下記に示すようなアンダーコート層を
設層した。
Z」ヶグユ、ユユユヒ層−重量部
カーボンブラック 20 m Pm 50(
A)アクリル変性塩ビー酢ビービニルアルコール共重合
体 分子量45.000 40(B)アクリル
変性ポリウレタンエラストマー分子量20.000
40(C)多官能アクリレート 分子量
1.000ステアリン酸
2ステアリン酸ブチル 2混合
溶剤(MIBK/トルエン= 1/1) 300上記
組成物をボールミル中5時間分散させ、上記のポリエス
テル(PET)フィルム上に乾燥厚0.7部mになるよ
うに塗布し、表面平滑化処理を行い、エレクトロカーテ
ンフイプ電子線加速装置を用いて加速電圧150 K
e V、電極電流10mA、吸収線、!i5Mrad、
N2ガス中で電子線をアンダーコート層に照射した。
A)アクリル変性塩ビー酢ビービニルアルコール共重合
体 分子量45.000 40(B)アクリル
変性ポリウレタンエラストマー分子量20.000
40(C)多官能アクリレート 分子量
1.000ステアリン酸
2ステアリン酸ブチル 2混合
溶剤(MIBK/トルエン= 1/1) 300上記
組成物をボールミル中5時間分散させ、上記のポリエス
テル(PET)フィルム上に乾燥厚0.7部mになるよ
うに塗布し、表面平滑化処理を行い、エレクトロカーテ
ンフイプ電子線加速装置を用いて加速電圧150 K
e V、電極電流10mA、吸収線、!i5Mrad、
N2ガス中で電子線をアンダーコート層に照射した。
このようなアンダーコート層の両面上に、さらに下記に
示されるような磁性塗料からなる磁性層を形成し、種々
のサンプルを作製した。
示されるような磁性塗料からなる磁性層を形成し、種々
のサンプルを作製した。
すなわち、まず最初に、第1表に示すタップ密度の六方
晶系バリウムフェライトA(BaFeOのBa、Feを
一部置換したものを水熱合成法で合成)を用いて以下の
ようにして磁性塗料を作成した。
晶系バリウムフェライトA(BaFeOのBa、Feを
一部置換したものを水熱合成法で合成)を用いて以下の
ようにして磁性塗料を作成した。
磁性層l (放射線硬化型磁性層) 重量部バリ
ウムフェライト 粒径可変 120カーボンブラ
ツク 30mP IQメーA1.03粉末(
0,5,−粉状) 2溶剤(MEK/トルエン5
0150) 100上記組成物をボールミル中
にて3時間混合し。
ウムフェライト 粒径可変 120カーボンブラ
ツク 30mP IQメーA1.03粉末(
0,5,−粉状) 2溶剤(MEK/トルエン5
0150) 100上記組成物をボールミル中
にて3時間混合し。
六方晶系板状バリウムフェライトを良く湿潤させる。次
に 塩ビー酢ビービニルアルコール共重合体(マレイン酸含
有)分子量7IO,0006部(固型分換算)アクリル
二重結合導入塩酢ビ共重合体(マレイン酸含有)分子量
20.000 12部(固型分換算)アクリル二重結
合導入ポリニー会ルウレタンエラストマー 分子量40
.000 9部(固型分換算)ペンタエリスリトールト
リアクリレート 3部溶剤(MEK/トルエン 501
50) 200部ステアリン酸
4部ステアリン酸ブチル
2部のバインダーの混合物を良く混合溶解させる。
に 塩ビー酢ビービニルアルコール共重合体(マレイン酸含
有)分子量7IO,0006部(固型分換算)アクリル
二重結合導入塩酢ビ共重合体(マレイン酸含有)分子量
20.000 12部(固型分換算)アクリル二重結
合導入ポリニー会ルウレタンエラストマー 分子量40
.000 9部(固型分換算)ペンタエリスリトールト
リアクリレート 3部溶剤(MEK/トルエン 501
50) 200部ステアリン酸
4部ステアリン酸ブチル
2部のバインダーの混合物を良く混合溶解させる。
これを先の磁性粉処理を行なったボールミル中に投入し
、再び42時間分散させる。
、再び42時間分散させる。
この様にして得られた磁性塗料を上記アンダーコート層
上に塗布し、永久磁石(3000ガウス)上で乾燥させ
ながら垂直配向させ、その後、連続して赤外線ランプま
たは熱風により溶剤を乾燥させた(これらは同時に並用
してもよい)後、表面平滑化処理後、ESI社製エレク
1−ロカーテンタイプ電子線加速装置を使用して、加速
電圧150Kev、′2I!極電流20mA、全照射量
5Mradの条件下でN2雰囲気下にて電子線を照射し
、塗膜を硬化させた。硬化後の塗膜厚は磁性層1.5、
−mであった。なお、この膜厚の測定は電子マイクロメ
ーターで行った。こ九らの塗膜をフィルムの両面に形成
し、両面コートとした。
上に塗布し、永久磁石(3000ガウス)上で乾燥させ
ながら垂直配向させ、その後、連続して赤外線ランプま
たは熱風により溶剤を乾燥させた(これらは同時に並用
してもよい)後、表面平滑化処理後、ESI社製エレク
1−ロカーテンタイプ電子線加速装置を使用して、加速
電圧150Kev、′2I!極電流20mA、全照射量
5Mradの条件下でN2雰囲気下にて電子線を照射し
、塗膜を硬化させた。硬化後の塗膜厚は磁性層1.5、
−mであった。なお、この膜厚の測定は電子マイクロメ
ーターで行った。こ九らの塗膜をフィルムの両面に形成
し、両面コートとした。
このようにして作成したサンプルの特性を第1表に示す
。なお第1表のものは表面粗度0.08、−m以下のも
のであった。
。なお第1表のものは表面粗度0.08、−m以下のも
のであった。
第1表
測定 フェライトヘッド;ギャッt o 、 4.=、
m回転数1800rpm、出力60KFRPINo、1
2を基準0’、0d13とし、池のものはNo、12に
対し出力を換算する。
m回転数1800rpm、出力60KFRPINo、1
2を基準0’、0d13とし、池のものはNo、12に
対し出力を換算する。
第1表のとおり、B・”/H・」 を0.7以上とする
ことにより高密度領域での記録特性が良好となる事がわ
かる。
ことにより高密度領域での記録特性が良好となる事がわ
かる。
また第1表No、、10Hc 850付近のもの、H
cl 800台のものについて粒径との関係をみると、
第2表に示すように粒径0.15.、−m以下のものが
型持上野ましい。さらに好ましいのは0゜10Pm以下
である。
cl 800台のものについて粒径との関係をみると、
第2表に示すように粒径0.15.、−m以下のものが
型持上野ましい。さらに好ましいのは0゜10Pm以下
である。
第2表
第1表のNo、10について表面粗度を変えたものの特
性を第3表に示すが、表面粗度についても0.08μm
を超えると型持低下を生じ、実用上好ましくない。
性を第3表に示すが、表面粗度についても0.08μm
を超えると型持低下を生じ、実用上好ましくない。
第 3 表
実施例2
六方晶系バリウムフェライト(B a F eel o
l&のBa、Feを一部変換したものを水熱合成法で合
成) 平均粒径0.07μm、Hc=700120重量
部 メーA1203(0,5=粉末) 2重量部グラファ
イト化カーボン#400OB 20m、−12重駄部 分散剤(大豆油未精製レシチン) 3重量部および 溶剤(MEK/シクロへキサノン 70/30)100
重量部 を用いて実施例1と同様にして磁性粉混合物を作った。
l&のBa、Feを一部変換したものを水熱合成法で合
成) 平均粒径0.07μm、Hc=700120重量
部 メーA1203(0,5=粉末) 2重量部グラファ
イト化カーボン#400OB 20m、−12重駄部 分散剤(大豆油未精製レシチン) 3重量部および 溶剤(MEK/シクロへキサノン 70/30)100
重量部 を用いて実施例1と同様にして磁性粉混合物を作った。
次に、バインダーとして
塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体(
マレイン酸含有)分子量20.0006重量部(固型分
換算) アクリル変性フェノキシ樹脂分子ff135.000
6重量部(固型分換算)アクリル変
性ポリエーテルウレタンエラストマー分子1t20.0
00 18重量部(固型分換算)溶剤(MEK/シク
ロへキサノン70/30)200重量部 高級脂肪酸変性シリコーンオイル 3重量部および ミリスチン酸ブチル 3重量部混合溶解
させた。
マレイン酸含有)分子量20.0006重量部(固型分
換算) アクリル変性フェノキシ樹脂分子ff135.000
6重量部(固型分換算)アクリル変
性ポリエーテルウレタンエラストマー分子1t20.0
00 18重量部(固型分換算)溶剤(MEK/シク
ロへキサノン70/30)200重量部 高級脂肪酸変性シリコーンオイル 3重量部および ミリスチン酸ブチル 3重量部混合溶解
させた。
その後、実施例1と同様の操作により試料Aを作成し、
特性を調べた。
特性を調べた。
ただし、配向処理は交流磁場(3000G)を用いて行
った。
った。
一方、試料Aにおいて放射線硬化型のバインダーを熱硬
化型にかえて同様に処理した。
化型にかえて同様に処理した。
すなわち塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共
重合体(マレイン酸含有)アクリル変性フェノキシ樹脂
、アクリル変性ポリエーテルウレタンエラストマー 計
30重量部を、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコ
ール共重合体(ユニオンカーバイド社製VAGH)15
重量部およびウレタン(日本ポリウレタン社ニッポラン
302)15重量部に代える以外は、試料Aと同様に試
料Bを作製した。ただし、この場合、分散後磁性塗料中
にイソシアネート化合物(日本ポリウレタン社製コロネ
ートし)を5重量部(固型分換算)加えた。また表面平
滑後、80℃で48時間熱硬化を行った。
重合体(マレイン酸含有)アクリル変性フェノキシ樹脂
、アクリル変性ポリエーテルウレタンエラストマー 計
30重量部を、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコ
ール共重合体(ユニオンカーバイド社製VAGH)15
重量部およびウレタン(日本ポリウレタン社ニッポラン
302)15重量部に代える以外は、試料Aと同様に試
料Bを作製した。ただし、この場合、分散後磁性塗料中
にイソシアネート化合物(日本ポリウレタン社製コロネ
ートし)を5重量部(固型分換算)加えた。また表面平
滑後、80℃で48時間熱硬化を行った。
試料AおよびBについて各種特性をみた結果を第4表に
示す。第4表かられかるように、熱硬化型の場合は外、
内側で出力の差があった。
示す。第4表かられかるように、熱硬化型の場合は外、
内側で出力の差があった。
第4表
実施例3
アナログ特性について実施例1のもののうちN054.
7.10.12.16を33.μベースに塗布し、7
M Hzの出力を測定した。ビデオフロッピーでの測定
条件は、中心周波数7MHz、RF信号で記録、再生し
た場合のC−3/N比(相対値)を示す。回転数360
Orpm、相対速度0゜6rn/secとした。
7.10.12.16を33.μベースに塗布し、7
M Hzの出力を測定した。ビデオフロッピーでの測定
条件は、中心周波数7MHz、RF信号で記録、再生し
た場合のC−3/N比(相対値)を示す。回転数360
Orpm、相対速度0゜6rn/secとした。
第 5 表
デジタル記録と同様の事がアナログでも確認出来た。
見匪立羞来
B r / Hc、を0.7以上とすることにより、高
密度領域の記録特性が良好となる。
密度領域の記録特性が良好となる。
バリウムフェライトはHcが低いものでも高密度領域迄
記録密度特性がすぐれているので、従来より信頼性で実
績のあるフェライトヘッドを使用出来る。フェライトヘ
ッドはBsが低いのでHcが低い記録媒体にとって有利
である。
記録密度特性がすぐれているので、従来より信頼性で実
績のあるフェライトヘッドを使用出来る。フェライトヘ
ッドはBsが低いのでHcが低い記録媒体にとって有利
である。
フェライトヘッドと媒体のB r / Hc間との関係
を一定のもの以上にする事により、高密度領域で非常に
すぐれたものとなる。そのためデジタル記録、アナログ
記録においてすぐれたものとなり、高解像度のものとな
る。
を一定のもの以上にする事により、高密度領域で非常に
すぐれたものとなる。そのためデジタル記録、アナログ
記録においてすぐれたものとなり、高解像度のものとな
る。
第1図は本発明磁気記録媒体のBr /Hc1と出力
60KFRPIとの関係を示すグラフである。
60KFRPIとの関係を示すグラフである。
Claims (1)
- (1)磁留磁束密度Br及び抗磁力Hcの垂直方向の比
Br^■/Hc^■が0.7以上、Hcが1000以下
、磁性層がバリウムフェライト粒子を含有し、その表面
粗度が0.08μm以下の磁気記録媒体とヘッド材料が
Bs=5000〜6000の酸化物系のものであり、ヘ
ッドギャップ長が0.4μm以下のフェライトヘッドと
を組合わせたことを特徴とする磁気記録再生システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60158066A JPH07109642B2 (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 磁気記録再生システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60158066A JPH07109642B2 (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 磁気記録再生システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6220101A true JPS6220101A (ja) | 1987-01-28 |
JPH07109642B2 JPH07109642B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=15663551
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60158066A Expired - Lifetime JPH07109642B2 (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 磁気記録再生システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07109642B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59201211A (ja) * | 1983-08-12 | 1984-11-14 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | 磁気ヘツド |
JPS6069822A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-04-20 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
JPS61188702A (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録再生装置 |
JPS61217901A (ja) * | 1985-03-23 | 1986-09-27 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録再生装置 |
-
1985
- 1985-07-19 JP JP60158066A patent/JPH07109642B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59201211A (ja) * | 1983-08-12 | 1984-11-14 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | 磁気ヘツド |
JPS6069822A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-04-20 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
JPS61188702A (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録再生装置 |
JPS61217901A (ja) * | 1985-03-23 | 1986-09-27 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録再生装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07109642B2 (ja) | 1995-11-22 |
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