JPS62121902A - 磁気記録再生システム - Google Patents

磁気記録再生システム

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JPS62121902A
JPS62121902A JP26136385A JP26136385A JPS62121902A JP S62121902 A JPS62121902 A JP S62121902A JP 26136385 A JP26136385 A JP 26136385A JP 26136385 A JP26136385 A JP 26136385A JP S62121902 A JPS62121902 A JP S62121902A
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radiation
resin
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Keitaro Sakai
堺 啓太郎
Toru Shimozawa
下沢 徹
Masaharu Nishimatsu
西松 正治
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    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor

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  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 上の 本発明は特定の特性を有するバリウムフェライト磁性粉
含有の磁気記録層を有する磁気記録媒体と特定のヘッド
ギャップを有するフェライトヘッドとを組合わせた磁気
記録再生システムに関する。
・来の ・ び発註が tしようとする1 声現在、磁
気記録媒体は、オーディオ、ビデオ。
コンピューター、磁気ディスク、8m/m等の分野で広
範囲に使用されるようになっており、将来ビデオフロッ
ピー、高密度フロッピー等の分野でも使用されることが
予想され、それに伴い、磁気記録媒体に記録する情報量
も年々増加の一途をたどり、そのため磁気記録媒体に対
しては記録密度の向上が益々要求されるようになってき
ている。
従来より、磁気テープなどの磁気記録媒体では、磁気記
録層中の針状磁性粉を長手方向に配向させる等して、磁
気特性を向上させているが、針状磁性粉を長手方向に配
向させたものは低周波帯域では高い出力が得られる反面
高密度記録には限界があるものであった。
又、このため最近では磁性粉末が平板状であり、垂直方
向に磁化容易軸を有するバリウムフェライト磁性粉末を
磁気記録層に使用した磁気記録媒体が提案されている(
特開昭57−195328号公報)。
しかし、これらのバリウムフェライト磁性粉末を使用し
たものでは、短波長記録特性は良好な反面、消去特性が
劣るという欠点があり、特にフロッピーディスクに使用
した場合、オーバーライト(消去率)特性が悪いので使
用上問題がある。
又、一般にテープの抗磁力とヘッド材料の飽和磁束密度
の関係では Bs> (5〜6)Hc を満たすことが望ましいとされ、この関係をBs=50
00(G)のMn−Znフェライト単結晶に適用すると
、抗磁力約800(Oe)以上のテープには十分な記録
ができないことになる。そのために高抗磁力テープ用ヘ
ッド材料として、これまで主流であったMn−Znフェ
ライト単結晶から。
飽和磁束密度が高い金属系材料(センダスト、アモルフ
ァス)が見直されている。
しかし、今までのフェライトヘッドはこれまで使用され
て来て信頼性が高いので、センダスト。
アモルファス等の合金を使用するよりもその点で利点が
あり、従来の信頼の高いフェライトヘッドとの組合せに
おいて、すぐれたバリウムフェライト磁性粉含有磁気記
録媒体が期待されている。
。 、を  するための 本発明者等は先に磁気記録媒体のオーバーライド特性は
その磁性粉末自体の磁性に本質的に起因するものである
ものと予測し、粉末状態での測定値からそれが予知でき
ることに着目し、オーバーライド特性におけるバリウム
フェライト磁性粉末についてその関連性を追求し、特定
の消去値以下のバリウムフェライト磁性粉末を用いたオ
ーバーライド特性の良好な磁気記録媒体を提案したが(
特願昭60−185676号)、更に前記の問題点を解
決すべく鋭意検討の結果、特定の抗磁力(Hc)と粉体
消去値とを有するバリウムフェライト磁性粉を用いた磁
気記録媒体と特定のヘッドギャップを有するフェライト
ヘッドとの組合わせにより、すぐれた磁気記録再生シス
テムが得られることを見出し1本発明に到達したもので
ある。
即ち1本発明は抗磁力(Hc)750以下、交流粉末消
去法による測定で消去値−45dB以下のバリウムフェ
ライト磁性粉を用いた磁性層を有する磁気記録媒体とヘ
ッドギャップ0.4〜0.55/−mのフェライトヘッ
ドとを組合わせたことを特徴とする磁気記録再生システ
ムに関する。
本発明で使用される交流粉末消去法による測定は先に提
案された特願昭60−185675号及び特願昭60−
185676号に記載された方法で測定されるものであ
り、規定の容器に充填した粉末試料を本測定の交流磁界
印加式消磁装置にかけ、残留磁化を測定する。
この交流磁界印加式消磁装置は第1図に示されているよ
うに、保持棒3の一方の先端に磁性粉末試料容器が取り
付けられており、該保持棒の他端は回転用モーター5の
回転軸に固定されている。
保持棒3の先端にある磁性粉末容器は電磁石電流調整器
6によって電流印加されるところの2つの交流電磁石4
.4′の中央に位置するように設定されたものからなる
ものである。そして、この交流磁界印加式消磁装r11
1で消磁した試料は次に高感度の磁化測定器7でその残
留磁化を測定し、以下に詳述する一般式(1)により磁
性粉末の消去値を得ることができる。磁化測定器はいず
れの測定器でもよく、市販のものが使用される。
ヘッドにより消去されるメカニズムは次のように考察さ
れる。
第2図に示すように信号記録状態では残留磁化の値がM
rの点にある。消去ヘッドは常に振幅一定の交流磁界を
発生しているので、テープ上の任意の微小部分(エレメ
ント)に注目したとき、そのエレメントが消去ヘッドの
中心を通過する間に、第3図に示すように磁界方向が数
回反転し、振幅が徐々に減衰する磁界を受ける。
この結果、エレメントの磁化は第2図に示したようにM
r→a→b−+c→d→e→fの経路をへてMaに収れ
んする。Meの大きさは最大印加磁界Hmに依存する。
Meの磁化を有するエレメントが次に再生ヘッドを通過
すると、消去信号電圧が検出される。
テープ消去値ERはMrに対応する原信号電圧をEr、
規定のHm(実測出来ないのでヘッド電流Imで代替す
る)での消去信号電圧をEeとすると。
ER=20  l og  (Ee/Er)  ・ ・
 (l)である。式中。
ER:磁気記録媒体の消去値 Ee;規定の印加磁界Hm(ヘッド電流Imで代替)で
の消去信号電圧 Er:信号記録状態の残留磁化Mrに対する原信号電圧 本発明に使用される粉末消去測定法の原理は。
上述のテープ消去と同じ原理を応用したものであり、こ
れを用いる事によりオーバーライド特性との関連性を見
出した。
すなわち、粉末試料が受ける磁界の時間変化パターンを
テープエレメントのそれと近似させるため、電磁石電流
の制御方式を第3図と同様にし。
かつテープの走行に対応するものとして試料を磁界方向
面内で定速回転させるものである。
以下に第1図を参照しながら、磁性粉末の消去値の測定
法の測定手順を説明する。
(1)保持棒3の先端部の容器2に磁性粉末を充填する
(2)試料に直流磁界10KOeを印加し、高感度測定
器7にて残留磁化Mrを測定する。
(3)保持棒3の試料部を本測定の交流消去装置1の交
流電磁石4.4′の中心に、他端部を回転用モーター5
の回転軸に結合する。
(4)電磁石電流調整器6により電流を印加する。
印加電流を零から11  まで増加され、再び零まで減
少するようにする。また電流印加と同時に回転モーター
も始動し、電流が零となる迄の間、定速回転する。
(5)保持棒3を取り外し、磁化測定器7にて残留磁化
M、を測定する。
(6)再び試料に直流磁界10KOeを印加し、(2)
〜(5)の状態をn回くり返す。
(7)n回における消去電流Inは ln=11  +nX0.1mA、 m≧1(8)残留
磁化をMnとするn回の消去値ERn=20Xlog(
Mn/Mr)” ’(2)で計算する。
ERn :磁性粉末の消去値 Mn:1nに対する残留磁化の測定値 Mr  :10KOe印加後の残留磁化(9)第4図に
示すとおり、横軸にIn、縦軸にERnをとり、Mrと
Inに対応するMnの各測定値から上式(2)によりE
Rnを求め、これをプロットし、In、ERnの関係を
最小2乗法直線回帰式で引き、IaAにおける消去値E
Rを求める。
このようにして得られたバリウムフェライト磁性粉末の
消去値と磁気記録媒体のオーバーライド特性が関連のあ
ることは第4図に示すとおりである。
第5図はフロッピーディスクのオーバーライド特性とバ
リウムフェライト磁性粉末の消去値との関係を示すグラ
フである。消去値については消去電流2.9Aの時のそ
れぞれの磁性粉末の消去値である。オーバーライド特性
については、それぞれの磁性粉についてテープ化し、媒
体での測定値である。オーバーライド特性については媒
体上、10KFRPIの短形波を書き込み2その上に2
0 K F RP 、Iを重ね書きし、出力差を測定す
る。
出力差入の方がオーバーライド特性が良い。この時用い
たのは、フェライトヘッド、ギャップ0゜4 )−m、
回転数30Orpmである。
図より消去値が−45(dB)以下となるとオーバーラ
イド特性26dBとなり、好ましくは−50(dB)以
下となると30dBとなり、磁気記録媒体のオーバーラ
イド特性が良くなり、実用上問題のないものとなること
がわかる。反対に−45(dB)より上となると記録し
たものが消えず、エラーとして現われるので好ましくな
い。
バリウムフェライト磁性粉末は粒度分布及び抗磁力(H
c)分布が悪いため、フロッピーディスクに使用した場
合にオーバーライド特性が悪くなると考えられるが、前
記の−45(dB)以下のものではフロッピーディスク
に使用できるものとなるのである。
このようにバリウムフェライトのオーバーライド特性の
悪さは、磁性粉の消去値の悪さに起因している事がわか
った。そこで磁性粉の粒度分布、He分布等をそろえる
事により磁性粉の消去値の悪さを解決出来るであろう。
そこで、磁性粉の消去値をある一定の値−45dB以下
に抑える事により、オーバーライド特性の改善が出来た
本発明で使用するバリウムフェライト磁性粉は又、抗磁
力Hcが7500e以下のものである。
工 また媒体としたときHe  が7500e以下のもので
はオーバーライド特性がよくなる。Heが80000を
超えるとオーバーライド特性が改善されないことがわか
った。
バリウムフェライト磁性粉がHcが7500a以下で前
記交流粉末消去法による測定で消去値−45dB以下の
範囲外のものでは後述するヘッドギャップ0.4〜0.
55pmとしてもオーバーライド特性は改善されない。
本発明で使用するバリウムフェライト磁性粉は六方晶系
板状のものであり、化学式Ba0・6Fe203で表わ
され、この外、この化学式のBa及びFeの一部がTi
、Cr、Co、Zn、In。
Mn、Cu、Ge、Nb、Ca、Sr、Pb、Ni、S
n等の金属で置換されたものも含まれる。
バリウムフェライト磁性粉は直径0.2pm以下、好ま
しくは0.15μm以下、更に好ましくは0.1μm以
下、板状比に制限はないが、板状比6以上、更に好まし
くは8以上が垂直配向しやすいものである。この場合、
板状比の上限値には特に制限はないが、40迄が製造可
能である。ここで平均粒径とは、電子顕微鏡写真〔走査
型顕微fi(SEM)および透過型顕微鏡(TEM))
によって1例えば六方晶系バリウムフェライト粒子の断
面50個程度をill察し1粒径についての測定値を平
均したものである。平均厚みも電子顕微鏡写真による測
定値の平均である。また板状比とは平均粒径/平均厚の
値である。あるいは平均厚はX線回折の半値巾によって
測定することも出来る。
バリウムフェライトは六方晶系板状であるため、針状磁
性粉と比べて表面粗度への影響が大きくなり、上記の径
よりも大きくなると表面粗度の低下が激しく好ましくな
い。粒径が前記のような範囲にある場合は垂直成分が充
分に利用され、かつ磁性層の表面平滑性が良好となり、
ノイズも充分に低く、高密度記録が達成できる。
バリウムフェライトの製法としては、セラミック法、共
沈−焼成法、水熱合成法、ブラックス法、ガラス結晶化
法、アルコキシド法、プラズマジェット法等があり、い
ずれの方法も利用できることは言うまでもない。
本発明のフェライトヘッドは、例えばMn−Zn#結晶
(MnO,ZnO,Fe2O3) 、 N 1−Zn単
結晶(Ni○+ Z n Or F e 203)等で
ある。
又、本発明ではフェライトヘッドのギャップの大きさに
も特徴を有し、このフェライトヘッドのギャップが0.
4〜0.557−mのものを使用する。
前記抗磁力Heが750以下、交流粉末消去法による測
定で粉体消去値−45dB以下のバリウムフェライト磁
性粉を用いた磁性層を有する磁気記録媒体と前記ヘッド
ギャップを有するフェライトヘッドとを組合わせること
により、オーバーライド特性を著しく改善し得るのであ
る。
オーバーライド特性は一26dB以下のものが好ましい
。ヘッドギャップが前記0.4.、−m未満例えば0.
3μm等ではオーバーライド特性が一20dB程度まで
は可能であるが、−26dB以下とすることは困難であ
る。又、ベッドギャップが0.55μmを超えるとオー
バーライド特性は充分であるが、記録密度特性の点で充
分なものが得られなくなるので好ましくない。
本発明の磁気記録層には通常用いられる有機バインダー
、無機顔料、潤滑剤、その他1分散剤、帯電防止剤等を
常法に従って用いることができる。
本発明の磁気記録層で用いる有機バインダーは。
従来、磁気記録媒体用に利用されている熱可塑性、熱硬
化性又は反応型樹脂やこれらの混合物が使用されるが、
得られる塗膜強度等の点から硬化型、特に放射線硬化型
の樹脂が好ましい。
熱可塑性樹脂としては軟化温度が150℃以下、平均分
子量がto、ooo〜200,000、重合度が約20
0〜2,000程度のもので1例えば塩化ビニール−酢
酸ビニール共重合体(カルボン酸導入のものも含む)、
塩化ビニル−酢酸ビ二ルービニルアルコール共重合体(
カルボン酸導入のものも含む)、塩化ビニール−塩化ビ
ニリデン共重合体、塩化ビニール−アクリロニトリル共
重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合
体、アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、ア
クリル酸エステル−スチレン共重合体、メタクリル酸エ
ステル−アクリロニトリル共重合体、メタクリル酸エス
テル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル
−スチレン共重合体、ウレタンエラストマー、ナイロン
−シリコン系樹脂、ニトロセルロース−ポリアミド樹脂
、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリ
ル共重合体、ブタジェン−アクリロニトリル共重合体、
ポリアミド樹脂、ポリビニールブチラール、セルロース
誘導体(セルロースアセテート、セルロースダイアセテ
ート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオ
ネート、ニトロセルロース等)スチレン−ブタジェン共
重合体、ポリエステル樹脂、クロロビニルエーテル−ア
クリル酸エステル共重合体、アミノ樹脂、各種の合成ゴ
ム系の熱可塑性樹脂及びこれらの混合物が使用される。
熱硬化性樹脂又は反応型樹脂としては、塗布液の状態で
は200,000以下の分子量であり、塗布、乾燥後に
加熱することにより、縮合、付加等の反応により分子量
は無限大のものとなる。又。
これらの樹脂のなかで、樹脂が熱分解するまでの間に軟
化又は溶融しないものが好ましい。具体的には例えばフ
ェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂
、尿素樹脂、ブチラール樹脂。
ホルマール樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリ
コン樹脂、アクリル系反応樹脂、ポリアミド樹脂、エポ
キシ−ポリアミド樹脂、ニトロセルロースメラミン樹脂
、飽和ポリエステル樹脂、高分子量ポリエステル樹脂と
イソシアネートプレポリマーの混合物、メタクリル酸塩
共重合体とジイソシアネートプレポリマーの混合物、ポ
リエステルポリオールとポリイソシアネートの混合物、
尿素ホルムアルデヒド樹脂、低分子量グリコール/高分
子量ジオール/トリフェニルメタントリイソシアネート
の混合物、ポリアミン樹脂、及びこれらの混合物である
そして特にエポキシ樹脂とブチラール樹脂とフェノール
樹脂との混合物、米国特許第3,058゜844号に記
載のエポキシ樹脂とポリビニルメチルエーテルとメチロ
ールフェノールエーテルとの混合物、また特開昭49−
131101号公報に記載のビスフェノールA型エポキ
シ樹脂とアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステ
ル重合体との混合物が好ましい。このような熱硬化性樹
脂を硬化するには一般に加熱オーブン中で50〜80℃
にて6〜100時間加熱すればよい。
バインダーは放射線硬化型化合物を硬化したものを用い
ることが好ましい。
放射線硬化性化合物の具体例としては、ラジカル重合性
を示す不飽和二重結合を有すアクリル酸、メタクリル酸
、あるいはそれらのエステル化合物のようなアクリル系
二重結合、ジアリルフタレートのようなアリル系二重結
合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和結合等の
、放射線照射による架橋あるいは重合乾燥する基を熱可
塑性樹脂の分子中に含有または導入した樹脂である。そ
の他放射線照射により架橋重合する不飽和二重結合を有
する化合物であれば用いることができる。
放射線照射による架橋あるいは重合乾燥する基を熱可塑
性樹脂の分子中に含有する樹脂としては次の様な不飽和
ポリエステル樹脂がある。
分子鎖中に放射線硬化性不飽和二重結合を含有するポリ
エステル化合物、例えば下記(2)の多塩基酸と多価ア
ルコールのエステル結合から成る飽和ポリエステル樹脂
で多塩基酸の一部をマレイン酸とした放射線硬化性不飽
和二重結合を含有する不飽和ポリエステル樹脂を挙げる
ことができる。
放射線硬化性不飽和ポリエステル樹脂は多塩基酸成分1
種以上と多価アルコール成分1種以上にマレイン酸、フ
マル酸等を加え常法、すなわち触媒の存在下で、180
〜200℃、窒素雰囲気下、脱水あるいは脱アルコール
反応の後、240〜280℃まで昇温し、0.5〜lm
mHgの減圧下。
縮合反応により得ることができる。マレイン酸やフマル
酸等の含有量は、製造時の架橋、放射線硬化性等から酸
成分中1〜40モル%、好ましくは10〜30モル%で
ある。
放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は1次のようなものを挙げることができる。
(1)塩化ビニール系共重合体 塩化ビニール−酢酸ビニール−ビニールアルコール共重
合体、塩化ビニール−ビニールアルコール共重合体、塩
化ビニール−ビニールアルコール−プロピオン酸ビニー
ル共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニール−マレイン酸
共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニル−ビニルアルコー
ル−マレイン酸共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニール
−末端OH側鎖アルキル基共重合体、たとえばUCC社
製VROH,VYNC,VYBGX、VERR,VYE
S、VMCA、VAGH,VCARMAG520、VC
ARMAG528等が挙げられ、このものに後述の手法
により、アクリル系二重結合。
マレイン酸系二重結合、アリル系二重結合を導入して放
射線感応変性を行う。
(2)飽和ポリエステル樹脂 フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、コハク酸、ア
ジピン酸、セバシン酸のような飽和多塩基酸と、エチレ
ングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン、ト
リメチロールプロパン、1゜2プロピレングリコール、
1,3ブタンジオール、ジプロピレングリコール、1,
4ブタンジオール、1.6ヘキサンジオール、ペンタエ
リスリット、ソルビトール、グリセリン、ネオペンチル
グリコール、1,4シクロヘキサンジメタツールのよう
な多価アルコールとのエステル結合により得られる飽和
ポリエステル樹脂又はこれらのポリエステル樹脂をSO
3Na等で変性した樹脂(例えばバイロン53S)が例
として挙げられ、これらも同様にして放射線感応変性を
行う。
(3)ポリビニルアルコール系樹脂 ポリビニルアルコール、ブチラール樹脂、アセタール樹
脂、ホルマール樹脂及びこれらの成分の共重合体で、こ
れら樹脂中に含まれる水酸基に対し後述の手法により放
射線感応変性を行う。
(4)エポキシ系樹脂、フェノキシ系樹脂ビスフェノー
ルAとエピクロルヒドリン、メチルエピクロルヒドリン
の反応によるエポキシ樹脂、例えばシェル化学製(エピ
コート152,154.828.1001.1004.
1007) 、ダウケミカル!II(DEN431、D
 E R732、DE艮511、DER331)、大日
本インキ製(エピクロン400.800)、更に上記エ
ポキシの高重合度樹脂であるUCC社製フェノキシ樹脂
(PKHA、PKHC,PKHH)、臭素化ビスフェノ
ールAとエピクロルヒドリンとの共重合体、大日本イン
キ化学工業製(エピクロン145,152.153.1
120)等があり、又これらにカルボン酸基を含有する
ものも含まれる。これら樹脂中に含まれるエポキシ基を
利用して放射線感応変性を行う。
(5)[Oi素誘導体 各種のものが用いられるが、特に効果的なものは硝化綿
、セルローズアセトブチレート、エチルセルローズ、ブ
チルセルローズ、アセチルセルローズ等が好適である、
樹脂中の水酸基を活用して後述の方法により放射線感応
変性を行う。
その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂及び誘導体(pvpオ
レフィン共重合体)、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂
、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を含
有するアクリルエステル及びメタクリルエステルを重合
成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有効で
ある。
以下にエラストマーもしくはプレポリマーの例を挙げる
(1)ポリウレタンエラストマーもしくはプレポリマー ポリウレタンの使用は耐摩耗性、及び基体フィルム、例
えばPETフィルムへの接着性が良い点で特に有効であ
る。ウレタン化合物の例としては。
イソシアネートとして、2.4−トルエンジイソシアネ
ート、2,6−トルエンジイソシアネート、1.3−キ
シレンジイソシアネート、1,4−キシレンジイソシア
ネート、1,5−ナフタレンジイソシアネート、m−フ
ェニレンジイソシアネート、P−フェニレンジイソシア
ネート、3,3′−ジメチル−4,4′−ジフェニルメ
タンジイソシアネート、4,4′−ジフェニルメタンジ
イソシアネート、3,3″−ジメチルビフェニレンジイ
ソシアネート、4,4′−ビフェニレンジイソシアネー
ト、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジ
イソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネ
ート、デスモジュールL、デスモジュールN等の各種多
価イソシアネートと。
線状飽和ポリエステル(エチレングリコール、ジエチレ
ングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、
1,4−ブタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、
ペンタエリスリット、ソルビトール、ネオペンチルグリ
コール、1,4−シクロヘキサンジメタツールの様な多
価アルコールと、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル
酸、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸の様な飽和多塩
基酸との縮重合によるもの)、線状飽和ポリエーテル(
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、
ポリテトラメチレングリコール)やカプロラクタム、ヒ
ドロキシル含有アクリル酸エステル、ヒドロキシル含有
メタクリル酸エステル等の各種ポリエステル類の縮重合
物より成るポリウレタンエラストマー、プレポリマーが
有効である。
これらのウレタンエラストマーの末端のイソシアネート
基又は水酸基と、アクリル系二重結合又はアリル系二重
結合等を有する単量体とを反応させることにより、放射
線感応性に変性することは非常に効果的である。又、末
端に極性基としてOH,C0OH等を含有するものも含
む。
さらに不飽和二重結合を有する長鎖脂肪酸のモノあるい
はジグリセリド等、イソシアネート基と反応する活性水
素を持ち、かつ放射線硬化性を有する不飽和二重結合を
有する単量体も含まれる。
(2)アクリロニトリル−ブタジェン共重合エラストマ
ー シンクレアペトロケミカル社製ポリBDリタイツドレジ
ンとして市販されている末端水酸基のあるアクリロニト
リルブタジェン共重合体プレポリマーあるいは日本ゼオ
ン社製ハイカー1432 J等のエラストマーは、特に
ブタジェン中の二重結合が放射線によりラジカルを生じ
架橋及び重合させるエラストマー成分として適する。
(3)ポリブタジエンエラストマー シンクレアペトロケミカル社製ポリBDリタイツドレジ
ンR−15等の低分子量末端水酸基を有するプレポリマ
ーが特に熱可塑性樹脂との相溶性の点で好適である。R
−15プレポリマーにおいては分子末端が水酸基となっ
ている為1分子末端にアクリル系不飽和二重結合を付加
することにより放射線感応性を高めることが可能であり
、バインダーとして更に有利となる。
またポリブタジェンの環化物1日本合成ゴム製CBR−
M901も熱可塑性樹脂との組合せによりすぐれた性質
を有している。
その他、熱可塑性エラストマー及びそのプレポリマーの
系で好適なものとしては、スチレン−ブタジェンゴム、
塩化ゴム、アクリルゴム、インプレンゴム及びその環化
物(日本合成ゴム1ljc I R701)があり、エ
ポキシ変性ゴム、内部可塑化飽和線状ポリエステル(東
洋紡バイロン#300)等のエラストマーも下記に述べ
る放射線感応変性処理を施こすことにより有効に利用で
きる。
オリゴマー、モノマーとして本発明で用いられる放射線
硬化性不飽和二重結合を有する化合物としては、スチレ
ン、エチルアクリレート、エチレングリコールジアクリ
レート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチ
レングリコールジアクリレート、ジエチレングリコール
ジメタクリレート、■、6−ヘキサングリコールジアク
リレート、1.6−ヘキサンゲリコールジメタクリレー
ト、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメ
チロールプロパントリメタクリレート、多官能オリゴエ
ステルアクリレート(アロニックスM−7100、M−
5400,5500,5700等、東亜合成)、ウレタ
ンエラストマーにツボラン4040)のアクリル変性体
、あるいはこれらのものにC○OH等の官能基が導入さ
れたもの、トリメチロールプロパンジアクリレート(メ
タクリレート)、フェノールエチレンオキシド付加物の
アクリレート(メタクリレート)、下記一般式で示され
るペンタエリスリトール縮合環にアクリル基(メタクリ
ル基)またはε−カプロラクトンアクリル基のついた化
合物、 式中lm=1、a=2、b=4の化合物(以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Aという)、m=1.a=3
、b=3の化合物(以下、特殊ペンタエリスリトール縮
合物Bという)。
m=1、a=6.b=oの化合物(以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Cという)、m = 2、a=6.
b=oの化合物(以下、特殊ペンタエリスリトール縮合
物りという)、及び下記一般式で示される特殊アクリレ
ート類等が挙げられる。
(1) (CH2=CII C00C112) 3  
CCI+2011(特殊アクリレートA) (2) (CH,= ClIC0OCH,) 3− C
C)l、CH3(特殊アクリレートB) (3) [CHj=C)ICO−+QC3% )n  
0CH2) 3  CCH2CH3(特殊アクリレート
D) (特殊アクリレートE) CH,CIよC00CH=CH2゜ (特殊アクリレートF) (7)             CH,C00C)!
 = CHよ(特殊アクリレートG) (8)C1l□=CHC0O−(CH2C1らO) 4
−COCII =CH2(特殊アクリレートH) CH□CI1.C00CH= CH2 (特殊アクリレートI) (特殊アクリレートJ) Aニアクリル酸、X:多価アルコール Y:多塩基酸  (特殊アクリレートK)次に、放射線
感応性バインダー合成例を説明する。
a)塩化ビニール酢酸ビニール共重合系樹脂のアクリル
変性体(放射線感応変性樹脂)の合成OH基を有する一
部ケン化塩ビー酢ビ共重合体(平均重合度n=500)
750部とトルエン1250部、シクロへキサノン50
0部を51の4つ目フラスコに仕込み加熱溶解し、80
°C昇温後トリレンジイソシアネートの2−ヒドロキシ
エチルメタクリレートアダクト※を61.4部加え、更
にオクチル酸スズ0.012部、ハイドロキノン0.0
12部を加え80°CでN2気流中、NGO反応率が9
0%となるまで反応せしめる。反応終了後冷却し、メチ
ルエチルケトン1250部を加え希釈する。
【×トリレンジイソシアネート(TDI)の2−ヒドロ
キシエチルメタクリレート(2HEMA)アダクトの製
法 TDI348部をN2気流中11の4つロフラスコ内で
80℃に加熱後、2−エチレンメタクリレート260部
、オクチル酸スズ0607部、ハイドロキノン0.05
部を反応缶内の温度が80〜85℃となるように冷却コ
ントロールしながら滴下終了後80℃で3時間攪拌し反
応を完結させる。反応終了後取り出して冷却後白色ペー
スト状のTDIの2HEMAを得た。1 b)ブチラール樹脂アクリル変性体の合成(放射線感応
変性樹脂) ブチラール樹脂積水化学製BM−8100部をトルエン
191.2部、シクロへキサノン71゜4部と共に51
の4つロフラスコに仕込み加熱溶解し80°C昇温後T
DIの2HEMAアダクト×を7.4部加え、更にオク
チル酸スズ0.015部、ハイドロキノン0.015部
を加え、80℃でN2気流中NGO反応率が90%以上
となるまで反応せしめる。反応終了後冷却し、メチルエ
チルケトンにて希釈する。
C)飽和ポリエステル樹脂アクリル変性体の合成(放射
線感応変性樹脂) 飽和ポリエステル樹脂(東洋紡製バイロンRV−200
)、100部をトルエン116部、メチルエチルケトン
116部に加熱溶解し80℃昇温後TDIの2 HE 
M Aアダクト※を3.55部加え、オクチル酸スズ0
.007部、ハイドロキノン0.007部を加え、80
℃、N2気流中NCO反応率が90%以上となるまで反
応せしめる。
d)Oエポキシ樹脂アクリル変性体の合成(放射線感応
変性樹脂) エポキシ樹脂(シェル化学製エピコート1007)、4
00部をトルエン50部、メチルエチルケトン50部に
加熱溶解後、N、N−ジメチルベンジルアミン0.00
6部、ハイドロキノン0゜003部を添加し80℃とし
、アクリル酸69部を滴加し80℃で酸価5以下となる
まで反応せしめる。
Oフェノキシ樹脂アクリル変性体の合成(放射線感応変
性樹脂) OH基を有するフェノキシ樹脂(PKHH:UCC社製
 分子量30,000)600部、メチルエチルケトン
1800部を31の4ツロフラスコに仕込み、加熱溶解
し、80℃昇温後、トリレンジイソシアネートの2ヒド
ロキシエチルメタクリレートアダクトを6.0部加え、
更にオクチル酸スズ0.012部、ハイドロキノン0.
012部を加え、80℃でN2気流中、NC0反応率が
90%となるまで反応せしめる。このフェノキシ変性体
の分子量は35,000.1分子当りの二重結合は1個
である。
e)ウレタンエラストマーアクリル変性体の合成(放射
線硬化性エラストマー) 末端イソシアネートのジフェニルメタンジイソシアネー
ト(MDI)系ウレタンプレポリマー(日本ポリウレタ
ン製ニッポラン3119)250部、2HEMA32.
5部、ハイドロキノン0゜07部、オクチル酸スズ0.
009部を反応缶に入れ、80°Cに加熱溶解後TDI
43.5部を反応缶内の温度が80〜90℃となるよう
に冷却しながら滴下し、滴下終了後80℃で反応率95
%以上となるまで反応せしめる。
f)ポリエーテル系末端ウレタン変性エラストマーアク
リル変性体(放射線硬化性エラストマー)の合成 日本ポリウレタン社製ポリエーテルPTG−500,2
50部、2HEMA32.5部、ハイドロキノン0.0
07部、オクチル酸スズ0.009部を反応缶に入れ、
80℃に加熱溶解後TDI43.5部を反応缶内の温度
が80〜90℃となるように冷却しながら滴下し、滴下
終了後80℃で反応率95%以上となるまで反応せしめ
る。
g)ポリブタジェンエラストマーアクリル変性体の合成
(放射線硬化性エラストマー) シンクレアペトロケミカル社製低分子量末端水酸基ポリ
ブタジェンポリBDリクイットレジンR−15,250
部、2HEMA32.5部、ハイドロキノン0.007
部、オクチル酸スズ0.009部を反応缶に入れ、80
℃に加熱溶解後TDI43.5部番反応缶内の温度が8
0〜90℃となるように冷却しながら滴下し、滴下終了
後80℃で反応率95%以上となるまで反応せしめる。
高分子には放射線照射により崩壊するものと分子間に架
橋を起こすものが知られている。分子間に架橋を起こす
ものとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリス
チレン、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリルアミド
、ポリ塩化ビニル。
ポリエステル、ポリビニルピロリドンゴム、ポリビニル
アルコール、ポリアクロレインがある。この様な架橋型
ポリマーであれば上記のような変性を特に施さなくても
、架橋反応が起るので、前記変性体の他に、これらの樹
脂はそのまま放射線架橋用として使用可能である。
更にまた。この方法によれば溶剤を使用しない無溶剤型
の樹脂であっても短時間で硬化することができるので、
この様な樹脂を用いることができる。
このような放射線硬化性樹脂を用いることによって大径
のいわゆるジャンボロールで巻きしまりがなくなり、ジ
ャンボロール内外での電磁変換特性の差がなくなり特性
が向上する。またオンラインで行えるので生産性が良く
なる。
磁性粉/バインダーは、重量比で171〜9/1、特に
2/1〜8/1であることが好ましい。
このような割合とするのは1/1未満では飽和磁束密度
が低くなり、9/1を超えると分散不良により表面粗度
が悪くなり、また塗膜ももろくなり好ましくなくなるか
らである。
本発明では必要に応じ、非反応性溶剤が使用される。溶
剤としては特に制限はないが、バインダーの溶解性およ
び相溶性等を考慮して適宜選択される。
例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類;メタノール
、エタノール、プロパツール、ブタノール等のアルコー
ル類;ギ酸二チル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、乳酸エチル、酢酸グリコールモノエチルエーテル等
のエステル類;イソプロピルエーテル、エチルエーテル
、グリコールジメチルエーテル、グリコールモノエチル
エーテル、ジオキサン等のエーテル類;ベンゼン、トル
エン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素類
;テトラヒドロフラン、フルフラール等のフラン類;メ
チレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、
クロロホルム、エチレンクロルヒドリン、ジクロルベン
ゼン等の塩素化炭化水素、その他ジメチルホルムアミド
等が単一溶剤またはこれらの混合溶剤として使用される
これらの溶剤はバインダーに対して10〜10000w
t%、特に100〜5000wt%の割合で用いる。
磁性層には無機顔料が含まれていてもよい。
無機顔料としては、1)導電性のあるカーボンブラック
、グラファイト、グラファイト化カーボンブラック、ま
た2)無機充填剤として5i02、TiO2、A 12
03 、Cr2 OS IC,Cab。
Ca CO3、酸化亜鉛、ゲーサイト、’FFe203
、タルク、カオリン、Ca S O4,窒化硼素、フッ
化黒鉛、二硫化モリブデン、ZnS等がある。
またこの他、次のような微粒子顔料(エアロジルタイプ
、コロイダルタイプ):SiO2,Al2O3、T i
 O2、Z r○2 、 Cr203.Y203、C,
e○2、F e30a 、 F e2 o3、ZrSi
 04 、 S b 204r、 S n○等も用いら
れる。これら微粒子顔料は5例えば5i02の場合、■
無水硅酸の超微粒子コロイド溶液(スノーテックス、水
系、メタノールシリカゾル等、日産化学)、■精製四塩
化ケイ素の燃焼によって製造される超微粒子状態ホシリ
カ(標準品10〇八)(アエロジル、日本アエロジル株
式会社)などが挙げられる。
又、前記■の超微粒子コロイド溶液及び■と同様の気相
法で製造される超微粒子状の酸化アルミニウム、並びに
酸化チタン及び前述の微粒子顔料が使用され得る。この
様な無機顔料の使用量は1)に関しては磁性粉100重
量部に対して1〜30重量部、又2)に関しては1〜3
0重景部が適当であり、これらがあまり多くなると、塗
膜がもろくなり、かえってドロップアウトが多くなると
いう欠点がある。
また、無機顔料の径については1)に関しては0.17
−m以下、さらには0.05μm以下が好ましく、2)
に関しては0.7μm以下、さらには0.5.−、m以
下が好ましい。
磁性層には分散剤が含まれていてもよい。
分散剤としては有機チタンカップリング剤、シランカッ
プリング剤や界面活性剤が、帯電防止剤としてサポニン
などの天然界面活性剤;アルキレンオキサイド系、グリ
セリン系、グリシドール系などのノニオン界面活性剤1
高級アルキルアミン類、第4級アンモニウム塩類、ピリ
ジンその他の複素環類、ホスホニウム又はスルホニウム
類などのカチオン界面活性剤;カルボン酸、スルホン酸
、燐酸、硫酸エステル基、燐酸エステル基等の酸性基を
含むアニオン界面活性剤;アミノ酸類、アミノスルホン
酸類、アミノアルコールの硫酸または燐酸エステル類等
の両性活性剤などが使用される。
磁性層には潤滑剤が含まれていてもよい。
潤滑剤としては従来この種の磁気記録媒体に用いられる
潤滑剤としてシリコンオイル、弗素オイル、脂肪酸、脂
肪酸エステル、パラフィン、流動パラフィン、界面活性
剤等を用いることができるが、脂肪酸および/又は脂肪
酸二、ステルを用いるのが好ましい。
脂肪酸としてはカプリル酸、カプリン酸、ラウリン酸、
ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸
、オレイン酸、エライジン酸、リノール酸、リルン酸、
ステアロール酸等の炭素数12以上の脂肪酸(RCOO
H,Rは炭素数11以上のアルキル基)であり、脂肪酸
エステルとしては、炭素数12〜16個の一塩基性脂肪
酸と炭素数3〜12個の一価のアルコールからなる脂肪
酸エステル類、炭素数17個以上の一塩基性脂肪酸と該
脂肪酸の炭素数と合計して炭素数が21〜23個より成
る一価のアルコールとから成る脂肪酸エステル等が使用
され、又前記脂肪酸のアルカリ金属又はアルカリ土類金
属からなる金属石鹸、レシチン等が使用される。
シリコーンとしては脂肪酸変性よりなるもの、一部フッ
素変性されているものが使用される。アルコールとして
は高級アルコールよりなるもの、フッ素としては電解置
換、テロメリゼーション、オリゴメリゼーション等によ
って得られるものが使用される。
潤滑剤の中では放射線硬化型のものも使用して好都合で
ある。
放射線硬化型潤滑剤としては、滑性を示す分子鎖とアク
リル系二重結合とを分子中に有する化合物、例えばアク
リル酸エステル、メタクリル酸エステル、ビニル酢酸エ
ステル、アクリル酸アミド系化合物、ビニルアルコール
エステル、メチルビニルアルコールエステル、アリルア
ルコールエステル、グリセライド等があり、これらの潤
滑剤を構造式で表すと。
H3 CH2= CF■ COo R、CH2= C−COo
 RlCI(2=CH−CH2C○OR。
CH2=CHC0NHCH20COR1RC○○CH2
−CH=CH2等で、ここでRは直鎖又は分枝状の飽和
もしくは不飽和炭化水素基で、炭素数は7以上、好まし
くは12以上23以下であり、これらは弗素置換体とす
ることもできる。弗素置換体としては Cn Fzrm−、Cn F 2n+1 (CH2)m
−(イ旦し、 m=1〜5)、   R CnF2n1S○2 NCH2CH2−1等がある。
これら放射線硬化型潤滑剤の好ましい具体例としては、
ステアリン酸メタクリレート(アクリレート)、ステア
リルアルコールのメタクリレート(アクリレート)、グ
リセリンのメタクリレート(アクリレート)、グリコー
ルのメタクリレート(アクリレート)、シリコーンのメ
タクリレート(アクリレート)等が挙げられる。
潤滑剤の入っていない磁気記録層は摩擦係数が高いため
画像のゆらぎが生じ、ジッターが発生し易いと共に、特
に高温走行下で摩擦係数が高いため磁気記録層の削れが
発生し易く9巻きみだれを生じ易いものである。又、デ
ィスク媒体では耐久走行性が劣ったり、塗膜ケズレが発
生したりする6分散剤および潤滑剤はバインダーに対し
て0゜1〜20重量%含ませるのがよい。
バインダー量が多すぎるとブロッキングが出、バインダ
ーが少なすぎるとカレンダ一工程での付着が発生して好
ましくない。
なお本発明の磁気記録層の塗布乾燥後の厚みは0.1〜
l O,−mの範囲が一般的である。
磁性層の潤滑剤、有機バインダーが放射線硬化型の場合
、その架橋に使用する活性エネルギー線としては、放射
線加速器を線源とした電子線、0060を線源としたで
一線、5r90を線源としたβ−線、X線発生器を線源
としたX線あるいは紫外線等が使用される。
特に照射線源としては吸収線量の制御、製造工程ライン
への導入、電離放射線の遮蔽等の見地から放射線加熱器
により放射線を使用する方法が有利である。
本発明に使用される非磁性基材としては、ポリエチレン
テレフタレート等のポリエステル類、ポリプロピレン等
のポリオレフィン類、セルローストリアセテート等のセ
ルロース誘導体、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリ
サルホン、ポリエチレンナフタレート、芳香族アラミド
、芳香族ポリエステル、アルミニウム等の金属板、ガラ
ス板等が使用されるが、これらに限定されるものではな
い。これらの中では、特にポリエステル、ポリアミド、
ポリイミド等を用いることが好ましい。
本発明の磁気記録媒体では支持体の両面に磁性層を設け
てもよい。特にフロッピーディスクの場合は両面に磁性
層を設けているものが好ましい。
また本発明の磁気記録媒体は必要に応じてバックコート
およびトップコートを設けてもよい。
これらのうちバックコートは、バインダー、顔料および
潤滑剤からなる組成とするのがよい。
バインダーとしては、前述の磁性層に用いた放射線硬化
性樹脂を使用することができるが、例えば(A)放射線
により硬化性をもつ不飽和二重結合を2個以上有する1
分子ff15,000〜100゜000のプラスチック
状化合物、(B)放射線により硬化性をもつ不飽和二重
結合を1個以上有するか、または放射線硬化性を有しな
い、分子量3゜000〜100,000のゴム状化合物
、および(C)放射線により硬化性をもつ不飽和二重結
合を1個以上有する、分子量200〜3,000の化合
物を、(A)20〜70重量%、(B)20〜80重量
%、(C)10〜40重量%の割合で用いた組合せが好
ましい。
また熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂も用いることがで
き、これらは平均分子量200.000以下のものが好
ましい。
特に好ましいものは、繊維素樹脂(硝化綿等)、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体、ウレタ
ンの組合せからなる熱硬化性樹脂(硬化剤使用)である
顔料としては、前述の磁性層に用いた無機顔料を使用す
ることができる。そのなかの1)に関してバインダー1
00重量部に対して20〜300重量部、2)に関して
は10〜300重量部含ませることが好ましい。
潤滑剤としては前述の磁性層に用いたものが使用できる
。なかでも脂肪酸および/または脂肪酸エステルを用い
るのが好ましい。
本発明の磁気記録媒体を製造するには常法に従って行え
ばよく、磁性粉をバインダー、有機溶剤等とともに混合
分散して磁性塗料を調製し、この磁性塗料をポリエステ
ルフィルムなどの基体上にグラビアコート、リバースロ
ールコ−1〜、エアーナイフコート、エアードクターコ
ート、ブレードコート、キスコート、スプレィコートな
どの手法を用いて塗布し、磁性粉の磁化容易方向が磁性
層に対して垂直方向となるように配向処理を行って乾燥
し、好ましくは常法に従い放射線硬化すればよい。
そして必要に応じてバックコートおよびトップコートを
設ければよい。
配向処理は、常法に従う。
配向方法としては永久磁石、直流磁石、交流磁場が代表
的なものとして用いられ、それらのものの各種組合せ、
例えば垂直と水平の組合せ、永久磁石または直流磁場と
交流磁場の組合せ1機械的配向や機械的配向と上記の組
合せ等、種々のものが用いられる。
そして磁場外で磁性粒子が反磁場のために配向したもの
が乱れ、配向性の低下を生じないよう磁場内で乾燥させ
1反磁場が働いてもそれらの影響が出ないよう、磁場内
である程度乾燥させ、磁性粉が動かないようにする必要
がある。
磁場強度としては1000〜6000Gが好ましい。こ
の場合、本発明では、板状比が6以上と配向しやすいた
め、1000〜4000G程度でも十分目的にかなうも
のとなる。
本発明の記録媒体において、さらに支持体と磁性層との
間にパーマロイ等の高透磁率金属薄膜や下記に示すよう
な塗膜のアンダーコート層を設けることもできる。これ
らは併用してもよい。
塗膜のアンダーコート層には、前述したような放射線硬
化型化合物とカーボンブラックおよび/または界面活性
剤を含有させることが好ましい。
用いるカーボンブラックはファーネス、チャンネル、ア
セチレン、サーマル、ランプ等、いずれの方法で製造さ
れたものでもよいが、アセチレンブラック、ファーネス
ブラック、チャンネルブラック、ローラーおよびディス
クブラック及びドイツナフタリンブラックが好ましい。
カーボンブラックの粒子径はどのようなものでもよいが
、好ましいのは、電子顕微鏡撮影法により測定して10
〜100m、mm、特に好ましくは10〜80mpmで
ある。更に粒子径について言エバ、粒子径100m、−
mを超えるとアンダーコート層面の表面粗度が悪くなり
、磁性層塗布後の型持低下の原因となる。また10m、
+−m未満では分散がうまくいかず、やはりアンダーコ
ートの表面粗度が悪くなる。
カーボンブラックには特殊なものとしてグラファイト化
カーボンブラックがあり、本発明ではグラファイト化カ
ーボンブラックも用いることができる。
このようなアンダーコート層を設けることによって、媒
体のヘッドへのはりつき、また、塗布工程等の製造工程
中にガイドローラ、カレンダローラ等のはりつき、放電
ノイズ等の発生を防止することができる。
アンダーコート層の厚さはIOA〜3μm程度とするこ
とが好ましい。
尖1災 実施例にて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は
これらに限定されるものでないことは言うまでもない。
特性は以下のようにして評価した。
(1)線記録密度り、o(KFRPI)回転数300r
、p、m、、ヘッド;フェライトヘッド、ギャップO,
0,4〜0.55.+−mにて低記録密度領域での出力
(E)が高記録密度領域でE/2となる線記録密度Dバ
(KFRPI)を測定した。
(2)オーバーライド特性 上記ヘッドギャップで媒体上に10KFRP Iの矩形
波を書き込み、その上に20KFRPIを重ね書きし、
出力差を測定する。出力差入の方がオーバーライド特性
が良い。
(3)消去値 消去電流2,9Aの時の磁性粉末の消去値をみる。
(4)板状比 電子顕微鏡写真〔走査型顕微鏡(SEM)および透過型
顕微@ (TEM))によって六方晶系のバリウムフェ
ライト粒子50個について断面を観察し、六角形の粒径
についての測定値を平均して求めた平均粒径と、厚さに
ついての測定値を平均して求めた平均厚みとから平均粒
径/平均厚みを算出し、板状比とした。
あるいはX線回折による2I9の半値巾によってこれら
の値を測定することも出来る。
(5)垂直配向度 磁気テープの垂直方向の角形比B r / B mを測
定し、反磁場補正を行った。
実施例1 厚さ75μmのポリエステル(PET)フィルムの表面
と裏面の両面上に下記に示すようなアンダーコート層を
設層した。
アンダーコート層           重量部カーボ
ンブラック 20m、−m50 (A)アクリル変性塩ビー酢ビービニルアルコール共重
合体 分子量45.000     40CB)アクリ
ル変性ポリウレタンエラストマー分子量20.000 
        40(C)多官能アクリレート 分子
量1.000ステアリン酸             
  2ステアリン酸ブチル           2混
合溶剤(MよりK/トルエン= 1/1)  300上
記組成物をポールミ995時間分散させ、上記のポリニ
スチル(PET)フィルム上に乾燥厚0.7.mmにな
るように塗布し、表面平滑化処理を行い、エレクトロカ
ーテンフイプ電子線加速装置を用いて加速電圧150K
eV、電極電流10m A 、吸収線量5Mr a d
、N2ガス中で電子線をアンダーコート層に照射した。
このようなアンダーコート層の両面上に、さらに下記に
示されるような磁性塗料からなる磁性層を形成し、種々
のサンプルを作製した。
すなわち、まず最初に、第1表に示す六方晶系バリウム
フェライトA (B a F e、、○、?のBa、F
eを一部置換したものを水熱合成法で合成)を用いて以
下のようにして磁性塗料を作成した。
1部1層」工(放射線硬化型磁性層)    重量部バ
リウムフェライト 粒径可変    120カーボンブ
ラツク 30m、−10 訊−A1203粉末(0,5,−粉状)   2溶剤(
MEK/トルエン50150)     100上記組
成物をボールミル中にて3時間混合し。
六方晶系板状バリウムフェライトを良く湿潤させる。次
に 塩ビー酢ビービニルアルコール共重合体(マレイン酸含
有)分子量40.000  6部(固型分換算)アクリ
ル二重結合導入塩酢ビ共重合体(マレイン酸含有)分子
量20.000 12部(固型分換算)アクリル二重結
合導入ポリエーテルウレタンエラストマー 分子量40
.000 9部(固型分換算)ペンタエリスリトールト
リアクリレート 3部溶剤(MEK/トルエン 501
50)   200部ステアリン酸         
    4部ステアリン酸ブチル          
2部のバインダーの混合物を良く混合溶解させる。
これを先の磁性粉処理を行なったボールミル中に投入し
、再び42時間分散させる。
この様にして得られた磁性塗料を上記アンダーコート層
上に塗布し、永久磁石(3000ガウス)上で乾燥させ
ながら垂直配向させ、その後、連続して赤外線ランプま
たは熱風により溶剤を乾燥させた(これらは同時に並用
してもよい)後1表面平滑化処理後、ESI社製エレク
トロカーテンタイプ電子線加速装置を使用して、加速電
圧150KeV、電極電流20mA、全照射量5Mra
dの条件下でN2雰囲気下にて電子線を゛照射し、塗膜
を硬化させた。硬化後の塗膜厚は磁性層2.0、−mで
あった。なお、この膜厚の測定は電子マイクロメーター
で行った。これらの塗膜をフィルムの両面に形成し、両
面コートとした。
このようにして作成したサンプルの特性を第1表に示す
第1表(ヘッドギャップ0.4.−のもの)消去値は消
去電流2.9Aでの値である。
ヘッドギャップを0.3.、−〜0.55.−に変えて
オーバーライド特性を見た結果を第2表に示す。
第  2  表 第1表、第2表に記載のとおり、ヘッドギャップ0.4
〜0.55μmのものは0.3.mmのものに比してオ
ーバーライド特性がすぐれている。
このようにギャップ0.3Pでのオーバーライド−20
dBのものでも、ギャップ0.4.以上にする事により
、一方消去値−45dB以下のものの磁性粉を使用する
事により、オーバーライドが26dB以上となる事がわ
かった。
また磁性粉のHeについてもサンプルm : Hc75
0のものはオーバーライド良好であり、He750以下
の磁性粉を使用する事が好ましい。
第1表のものをプロットし、第5図に示す。
先にオーバーライド20dBのもの迄、実用上使用に耐
えられるという判断に立ったが、現行のフロッピーのオ
ーバーライド特性の規格が26dBであるので、この規
格を満たす領域に対応する消去値として第5図より−4
5dB以下のものが好ましい。さらに好ましいものとし
てオーバーライド値28dBをクリヤーするものとして
消去値−50dB以下である。
このように磁性粉の消去値により、オーバーライド特性
の対応が出来る事がわかる。
ギャップ長は以下0.45)、mで測定した。
実施例2 六方晶系バリウムフェライト(B a F e tz 
o、8のBa、Feを一部変換したものを水熱合成法で
合成) 平均粒径0.08μm、 He =72012
0重量部 払−Al1 o3 (o、5.”粉末)   2重量部
グラファイト化カーボン$4000B 20mP       12重量部 分散剤(大豆油未精製レシチン)   3重量部および 溶剤(MEK/シクロヘキサノン 70/30)100
重量部 を用い実施例1と同様にし磁性粉混合物を作った。
次に、バインダーとして s化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体(
マレイン酸含有)分子量20.0006重量部(固型分
換算) アクリル変性フェノキシ樹脂分子量35.000   
       6重量部(固型分換算)アクリル変性ポ
リエーテルウレタンエラストマー分子量20.000 
 18重量部(固型分換算)溶剤(MEK/シクロへキ
サノン70/30)200重量部 高級脂肪酸変性シリコーンオイル  3重量部および ミリスチン酸ブチル        3重量部を混合溶
解させた。
その後、実施例1と同様の操作により試料Aを・作成し
、特性を調べた。ただし、配向処理は交流磁場(300
0G)を用いて行った。
試料Aにおいて放射線硬化型のバインダーを熱硬化型に
かえて同様に処理した。
すなわち塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共
重合体(マレイン酸含有)アクリル変性フェノキシ樹脂
、アクリル変性ポリエーテルウレタンエラストマー計3
0重量部を、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコー
ル共重合体(ユニオンカーバイ下社11VAGH)15
重量部およびウレタン(日本ポリウレタン社ニッポラン
3022)15重量部に代える以外は、試料Aと同様に
試料Bを作製した。ただし、この場合、分散後磁性塗料
中にイソシアネート化合物(日本ポリウレタン社製コロ
ネートし)を5重量部(゛固型分換算)加えた。
また表面平滑後、80℃で48時間熱硬化を行った。
試料AおよびBについて8インチ径の巻きとりロールに
5000m巻きとったときのジャンボロールの外側と内
側でのカールを比較した。カール測定は、5インチに打
ち抜いたフロッピーディスクをプレート板上に乗せ、カ
ールした高さhemを測定する。
この結果を第3表に示す。
第  3  表 であり、熱硬化型の場合、ジャンボロールの内側では巻
きしまりによりカールがあった。放射線硬化型の場合、
カールがなく好ましい。
また第4表に示すように、実施例1の組成でオーバーラ
イド特性がとれているものについて、第4表のようなも
ので、比較例として現行の高密度フロッピーと比較する
と1粒径0.15Pm以下のものが線記録密度上好まし
い。
第  4  表 比:Co7Fe203、Hc650 ヘッドギャップ:0.5,4111 第4表はヘッドギャップ0.5μmでのデータである。
粒径0.15Pm以下のものはD50が40KFRPI
以上であり良好である。第4表についてヘッドギャップ
をCF35.”、0.6.−にすると表中■のサンプル
が40,38KFRPIとなる。そのためギャップ0.
55.−以内のものが良い。
表面粗度についても0.08μmを超えると型持低下を
生じ、実用上好ましくない。
m旧弧果 バリウムフェライトのオーバーライド特性の悪さが何に
起因しているのか調査している段階で、磁性粉について
追求してみた。オーバーライド特性の悪さが磁性粉の粉
体での消去値が悪い事及びHc75Qを超える事が問題
である事がわかった。
磁性粉末の粉体消去値をある一定レベルにする事及びH
eを一定レベル以下とする事により、媒体でのオーバー
ライド特性が良好となる事がわかった。そのため実用特
性として問題ないものとなり、使用に耐えるものとなっ
た。バリウムフェライト自体の特性の悪さが解決出来た
【図面の簡単な説明】
第1図は磁性粉末消磁装置及び残留磁化測定装置の構成
図、第2図及び第3図は磁性粉末消去測定法の原理説明
図、第4図は磁性粉末の消去電流Inに対する消去値E
 Rnを示す消磁グラフ、第5図はフロッピーディスク
のオーバーライド特性とバリウムフェライト磁性粉末の
消去値との関係を示すグラフである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)抗磁力(Hc)750以下、交流粉末消去法によ
    る測定で消去値−45dB以下のバリウムフェライト磁
    性粉を用いた磁性層を有する磁気記録媒体とヘッドギャ
    ップ0.4〜0.55μmのフェライトヘッドとを組合
    わせたことを特徴とする磁気記録再生システム。
JP60261363A 1985-11-22 1985-11-22 磁気記録再生システム Expired - Lifetime JPH0762881B2 (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6069822A (ja) * 1983-08-19 1985-04-20 Toshiba Corp 磁気記録媒体

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6069822A (ja) * 1983-08-19 1985-04-20 Toshiba Corp 磁気記録媒体

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