JPH07109642B2 - 磁気記録再生システム - Google Patents

磁気記録再生システム

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JPH07109642B2
JPH07109642B2 JP60158066A JP15806685A JPH07109642B2 JP H07109642 B2 JPH07109642 B2 JP H07109642B2 JP 60158066 A JP60158066 A JP 60158066A JP 15806685 A JP15806685 A JP 15806685A JP H07109642 B2 JPH07109642 B2 JP H07109642B2
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    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor

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  • Paints Or Removers (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はバリウムフェライト含有の磁気記録層を有し、
残留磁束密度と抗磁力の比が特定の値を有する等の特性
を有する磁気記録媒体と特定のフェライトヘッドとを組
合わせた磁気記録再生システムに関する。
従来の技術及び発明が解決しようとする問題点 現在、磁気記録媒体は、オーディオ、ビデオ、コンピュ
ーター、磁気ディスク、8m/m等の分野で広範囲に使用さ
れるようになっており、将来ビデオフロッピー、高密度
フロッピー等の分野でも使用されることが予想され、そ
れに伴い、磁気記録媒体に記録する情報量も年々増加の
一途をたどり、そのため磁気記録媒体に対しては記録密
度の向上が益々要求されるようになってきている。
従来より、磁気テープなどの磁気記録媒体では、磁気記
録層中の針状磁性粉を長手方向に配向させる等して、磁
気特性を向上させているが、針状磁性粉を長手方向に配
向させたものは低周波帯域では高い出力が得られる反面
高密度記録には限界があるものであった。
又、このため最近では磁性粉末が平板状であり、垂直方
向に磁化容易軸を有するバリウムフェライト磁性粉末を
磁気記録層に使用した磁気記録媒体が提案されている
(特開昭57-195328号公報)。
しかし、これらのバリウムフェライト磁性粉末を使用し
たものでは、短波長記録特性は良好である。
一般にテープの抗磁力とヘッド材料の飽和磁束密度の関
係では Bs>(5〜6)Hc を満たすことが望ましいとされ、この関係をBs=5000
〔G〕のMn-Znフェライト単結晶に適用すると、抗磁力
約800〔Oe〕以上のテープには十分な記録ができないこ
とになる。そのために高抗磁力テープ用ヘッド材料とし
て、これまで主流であったMn-Znフェライト単結晶か
ら、飽和磁束密度が高い金属系材料(センダスト、アモ
ルファス)が見直されている。
しかし、今までのフェライトヘッドはこれまで使用され
て来て信頼性が高いので、センダスト、アモルファス等
の合金を使用するよりもその点で利点があり、従来の信
頼の高いフェライトヘッドとの組合せにおいて、すぐれ
たバリウムフェライト磁性粉含有磁気記録媒体が期待さ
れている。
問題点を解決するための手段 本発明者等はバリウムフェライト粒子を含有する磁気記
録層を有する磁気記録媒体について、フェライトヘッド
との組合せについて鋭意検討の結果、特定の特性を有す
るバリウムフェライト含有磁気記録媒体と特定のギャッ
プ長を有するフェライトヘッドとの組合せによりすぐれ
た磁気記録再生システムが得られることを見出し、本発
明に到達したものである。
即ち、本発明は磁性層が残留磁束密度Br及び抗磁力Hcの
垂直方向の比Br/Hcが0.7以上、Hcが1000以下であ
り、粒子径0.15μm以下のバリウムフェライト粒子を含
有し、その表面粗度がR20、0.08μm以下の磁気記録媒
体とヘッド材料がBs=5000〜6000の酸化物系のものであ
り、ヘッドギャップ長が0.4μm以下のフェライトヘッ
ドとを組合わせたことを特徴とする磁気記録再生システ
ムに関する。
本発明のフェライトヘッドは、例えばMn-Zn単結晶(Mn
O、ZnO、Fe2O3)、Ni-Zn単結晶(NiO、ZnO、Fe2O3)等
である。これらの飽和磁束密度Bsは5,000〜6,000であ
り、一般にテープの抗磁力とヘッド材料の飽和磁束密度
との関係ではBs>(5〜6)Hcを満たすことが望ましい
と考えられているから、Hcは1000〔Oe〕以下が好ましい
であろう。
バリウムフェライトの特徴は磁性合金に比べ抗磁力Hcが
低くても充分記録再生ができ、それと同等のもの或いは
それ以上の特性が得られることであり、Hcが低いもので
充分に対応ができることである。Hcが低いと磁気ヘッド
としてアモルファスとかセンダストのような合金ヘッド
を使わなくても充分たち打ちできるのであり、今まで使
用され信頼性のあるフェライトヘッドの使用ができる利
点がある。
本発明者等が確認したところ、バリウムフェライトヘッ
ドでも計算どおりHc=1000〔Oe〕以下ならば充分に記録
再生が可能であることがわかった。
Hcが1000〔Oe〕を超えると、電磁変換特性において、低
域特性が低下することがわかった。これはバリウムフェ
ライトが磁性合金のように飽和磁束密度が高くないので
低域特性がカバーできないことに起因するのである。
バリウムフェライトについて、テレビジョン学会技術報
告でTEBS100−6(59年12月13日発表)の内ではλ=0.7
5μmで、Ms140emu/ccにおいてHc6000eであれば出
力がほぼ一定であり、出力はHcの依存性がないとされて
いる(発表での使用ヘッドsendustギャップ0.25μ
m)。又、C/Nについては1985年IEEEで8m/mでの比較でH
c600以上であれば一定であるとされている(発表での
使用ヘッドFerriteギャップ0.3μm)。
そこで本発明者等はHc=1000〔Oe〕以下のものについて
フェライトヘッドのリング型ヘッドで追求したところ、
残留磁束密度Br及び抗磁力Hcの垂直方向の比に関し関連
性がありBr/Hc=0.7以上となるとき、電磁変換特性
上すぐれたものが得られることを見出したのである。Hc
だけではカバーできず、Hcが高くなるにつれてそれ
だけBrを高くして補なわないと、電磁変換特性上すぐ
れたものが得られないことがわかった。しかも前記発表
のようにバリウムフェライト媒体のMs140emu/cc以上で
あれば出力が一定のものを作成するのはバリウム自体の
σsが小のため難かしい。そこで本発明者等はHcにつ
いて電磁変換特性で他に依存するものがないか、調査し
たところBr成分がBr/Hcの間において重要なファ
クターとなるものである事を見出した。
本発明は磁性層がバリウムフェライトを含有する磁気記
録媒体であり、そのBr/Hcが0.7以上、Hcが1000以
下、表面粗度が0.08μm以下のものである必要がある。
表面粗度については、0.08μm以下では電磁変換特性の
低下が少なく、使用できるものであるが、0.08μmを超
えると前記特性の低下が激しく、使用に耐え得ないもの
となる。
又、本発明ではフェライトヘッドのギャップの大きさに
も特徴を有し、このフェライトヘッドのギャップが0.4
μm以下のものでは、高密度領域60KFRPIで例えばフロ
ッピーディスクにおいて0.0dBとすると、これが0.5μm
以上となると−8〜−10dB落ちとなり、高密度記録媒体
の特徴が出て来ないのである。
したがって、前記の磁気記録媒体と組合わせて効果のあ
るヘッドギャップは0.4μm以下が好ましい。そしてこ
のギャップが0.3μmとなると+1.0〜+3.0dBとなり好
ましいものとなるのである。さらに0.2μmとなると+
2.0〜+5.0dBとなる。そのためさらに狭いギャップ0.1
〜0.05μmのものではさらに特性が良くなる。
第1図は64KFRPIでの出力とBr/Hcの関係を示すグラ
フである。Br/Hc>0.7であれば出力−2dB以内で特
性上すぐれている。フェライトヘッドギャップ0.4μ
m、回転数900rpmのもので測定した。λ=0.8μmであ
る。上記発表Ms〜140emu/ccにおいてλ=0.75μmでHc
600以上で出力一定であった(センダストヘッド)
が、Msが140emu/ccに現状のバリウムフェライトは達し
ていない為か、それともフェライトヘッドの為か、λ=
0.75〜0.8μmのゾーンで異なる傾向にあった。そしてB
r/Hcに依存性があった。
なお、測定条件;60KFRPIは、デジタル記録で60KFRPIで
の出力を測定した。ヘッドギャップ0.4μm以下、回転
数1800rpmである。
本発明で使用するバリウムフェライト磁性粉は六方晶系
板状のものであり、化学式BaO・6Fe2O3で表わされ、こ
の外、この化学式のBa及びFeの一部がTi,Cr,Co,Zn,In,M
n,Cu,Ge,Nb,Ca,Sr,Pb,Ni等の金属で置換されたものも含
まれる。
バリウムフェライト磁性粉は直径0.2μm以下、好まし
くは0.15μm以下、更に好ましくは0.1μm以下、板状
比に制限はないが、板状比6以上、更に好ましくは8以
上が垂直配向しやすいものである。この場合、板状比の
上限値には特に制限はないが、通常30以下である。ここ
で平均粒径とは、電子顕微鏡写真〔走査型顕微鏡(SE
M)および透過型顕微鏡(TEM)〕によって、例えば六方
晶系バリウムフェライト粒子の断面50個程度を観察し、
粒径についての測定値を平均したものである。平均厚み
も電子顕微鏡写真による測定値の平均である。また板状
比とは平均粒径/平均厚の値である。あるいは平均厚は
X線回折の半値巾によって測定することも出来る。バリ
ウムフェライトは六方晶系板状であるため、針状磁性粉
と比べて表面粗度への影響が大きくなり、上記の径より
も大きくなると表面粗度の低下が激しく好ましくない。
粒径が前記のような範囲にある場合は垂直成分が充分に
利用され、かつ磁性層の表面平滑性が良好となり、ノイ
ズも充分に低く、高密度記録が達成できる。
バリウムフェライトの製法としては、セラミック法、共
沈−焼成法、水熱合成法、フラックス法、ガラス結晶化
法、アルコキシド法、プラズマジェット法等があり、い
ずれの方法も利用できることは言うまでもない。
その他Co含有酸化鉄粉、γFe2O3粉、Fe3O4粉、Coフェラ
イト粉、メタル粉末等も利用できる。
本発明の磁気記録層には通常用いられる有機バインダ
ー、無機顔料、潤滑剤、その他、分散剤、帯電防止剤等
を常法に従って用いることができる。
本発明の磁気記録層で用いる有機バインダーは、従来、
磁気記録媒体用に利用されている熱可塑性、熱硬化性又
は反応型樹脂やこれらの混合物が使用されるが、得られ
る塗膜強度等の点から硬化型、特に放射線硬化型の樹脂
が好ましい。
熱可塑性樹脂としては軟化温度が150℃以下、平均分子
量が10,000〜200,000、重合度が約200〜2,000程度のも
ので、例えば塩化ビニール−酢酸ビニール共重合体(カ
ルボン酸導入のものも含む)、塩化ビニル−酢酸ビニル
−ビニルアルコール共重合体(カルボン酸導入のものも
含む)、塩化ビニール−塩化ビニリデン共重合体、塩化
ビニール−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エス
テル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル
−塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル−スチ
レン共重合体、メタクリル酸エステル−アクリロニトリ
ル共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデン共
重合体、メタクリル酸エステル−スチレン共重合体、ウ
レタンエラストマー、ナイロン−シリコン系樹脂、ニト
ロセルロース−ポリアミド樹脂、ポリフッ化ビニル、塩
化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン
−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビ
ニールブチラール、セルロース誘導体(セルロースアセ
テート、セルロースダイアセテート、セルローストリア
セテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロー
ス等)、スチレン−ブタジエン共重合体、ポリエステル
樹脂、クロロビニルエーテル−アクリル酸エステル共重
合体、アミノ樹脂、各種の合成ゴム系の熱可塑性樹脂及
びこれらの混合物が使用される。
熱硬化性樹脂又は反応型樹脂としては、塗布液の状態で
は200,000以下の分子量であり、塗布、乾燥後に加熱す
ることにより、縮合、付加等の反応により分子量は無限
大のものとなる。又、これらの樹脂のなかで、樹脂が熱
分解するまでの間に軟化又は溶融しないものが好まし
い。具体的には例えばフェノール樹脂、エポキシ樹脂、
ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、ア
ルキッド樹脂、シリコン樹脂、アクリル系反応樹脂、エ
ポキシ−ポリアミド樹脂、ニトロセルロースメラミン樹
脂、高分子量ポリエステル樹脂とイソシアネートプレポ
リマーの混合物、メタクリル酸塩共重合体とジイソシア
ネートプレポリマーの混合物、ポリエステルポリオール
とポリイソシアネートの混合物、尿素ホルムアルデヒド
樹脂、低分子量グリコール/高分子量ジオール/トリフ
ェニルメタントリイソシアネートの混合物、ポリアミン
樹脂、及びこれらの混合物である。
バインダーは放射線硬化型化合物を硬化したものを用い
ることが好ましい。
放射線硬化性化合物の具体例としては、ラジカル重合性
を示す不飽和二重結合を有すアクリル酸、メタクリル
酸、あるいはそれらのエステル化合物のようなアクリル
系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリル系二重
結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和結合等
の、放射線照射による架橋あるいは重合乾燥する基を熱
可塑性樹脂の分子中に含有または導入した樹脂である。
その他放射線照射により架橋重合する不飽和二重結合を
有する化合物であれば用いることができる。
放射線照射による架橋あるいは重合乾燥する基を熱可塑
性樹脂の分子中に含有する樹脂としては次の様な不飽和
ポリエステル樹脂がある。
分子鎖中に放射線硬化性不飽和二重結合を含有するポリ
エステル化合物、例えば下記(2)の多塩基酸と多価ア
ルコールのエステル結合から成る飽和ポリエステル樹脂
で多塩基酸の一部をマレイン酸とした放射線硬化性不飽
和二重結合を含有する不飽和ポリエステル樹脂を挙げる
ことができる。放射線硬化性不飽和ポリエステル樹脂は
多塩基酸成分1種以上と多価アルコール成分1種以上に
マレイン酸、フマル酸等を加え常法、すなわち触媒の存
在下で、180〜200℃、窒素雰囲気下、脱水あるいは脱ア
ルコール反応の後、240〜280℃まで昇温し、0.5〜1mmHg
の減圧下、縮合反応により得ることができる。マレイン
酸やフマル酸等の含有量は、製造時の架橋、放射線硬化
性等から酸成分中1〜40モル%、好ましくは10〜30モル
%である。
放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、次のようなものを挙げる事ができる。
(1)塩化ビニール系共重合体 塩化ビニール−酢酸ビニール−ビニールアルコール共重
合体、塩化ビニール−ビニールアルコール共重合体、塩
化ビニール−ビニールアルコール−プロピオン酸ビニー
ル共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニール−マレイン酸
共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニル−ビニルアルコー
ル−マレイン酸共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニール
−末端OH側鎖アルキル基共重合体、たとえばUCC社製VRO
H、VYNC、VYBGX、VERR、VYES、VMCA、VAGH、UCARMAG 52
0、UCARMAG 528等が挙げられ、このものに後述の手法に
より、アクリル系二重結合、マレイン酸系二重結合、ア
リル系二重結合を導入して放射線感応変性を行う。
(2)飽和ポリエステル樹脂 フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、コハク酸、ア
ジピン酸、セバシン酸のような飽和多塩基酸と、エチレ
ングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン、ト
リメチロールプロパン、1,2プロピレングリコール、1,3
ブタンジオール、ジプロピレングリコール、1,4ブタン
ジオール、1,6ヘキサンジオール、ペンタエリスリッ
ト、ソルビトール、グリセリン、ネオペンチルグリコー
ル、1,4シクロヘキサンジメタノールのような多価アル
コールとのエステル結合により得られる飽和ポリエステ
ル樹脂又はこれらのポリエステル樹脂をSO3Na等で変性
した樹脂(例えばバイロン53S)が例として挙げられ、
これらも同様にして放射線感応変性を行う。
(3)ポリビニルアルコール系樹脂 ポリビニルアルコール、ブチラール樹脂、アセタール樹
脂、ホルマール樹脂及びこれらの成分の共重合体で、こ
れら樹脂中に含まれる水酸基に対し後述の手法により放
射線感応変性を行う。
(4)エポキシ系樹脂、フェノキシ系樹脂 ビスフェノールAとエピクロルヒドリン、メチルエピク
ロルヒドリンの反応によるエポキシ樹脂、例えばシェル
化学製(エピコート152、154、828、1001、1004、100
7)、ダウケミカル製(DEN431、DER732、DER511、DER33
1)、大日本インキ製(エピクロン400、800)、更に上
記エポキシの高重合度樹脂であるUCC社製フェノキシ樹
脂(PKHA、PKHC、PKHH)、臭素化ビスフェノールAとエ
ピクロルヒドリンとの共重合体、大日本インキ化学工業
製(エピクロン145、152、153、1120)等があり、又こ
れらにカルボン酸基を含有するものも含まれる。これら
樹脂中に含まれるエポキシ基を利用して放射線感応変性
を行う。
(5)繊維素誘導体 各種のものが用いられるが、特に効果的なものは硝化
綿、セルローズアセトブチレート、エチルセルローズ、
ブチルセルローズ、アセチルセルローズ等が好適であ
る、樹脂中の水酸基を活用して後述の方法により放射線
感応変性を行う。
その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂及び誘導体(PVPオレ
フィン共重合体)、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、
フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を含有
するアクリルエステル及びメタクリルエステルを重合成
分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有効であ
る。
以下にエラストマーもしくはプレポリマーの例を挙げ
る。
(1)ポリウレタンエラストマーもしくはプレポリマー ポリウレタンの使用は耐摩耗性、及び基体フィルム、例
えばPETフィルムへの接着性が良い点で特に有効であ
る。ウレタン化合物の例としては、イソシアネートとし
て、2,4−トルエンジイソシアネート、2,6−トルエンジ
イソシアネート、1,3−キシレンジイソシアネート、1,4
−キシレンジイソシアネート、1,5−ナフタレンジイソ
シアネート、m−フェニレンジイソシアネート、p−フ
ェニレンジイソシアネート、3,3′−ジメチル−4,4′−
ジフェニルメタンジイソシアネート、4,4′−ジフェニ
ルメタンジイソシアネート、3,3′−ジメチルビフェニ
レンジイソシアネート、4,4′−ビフェニレンジイソシ
アネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォ
ロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソ
シアネート、デスモジュールL、デスモジュールN等の
各種多価イソシアネートと、線状飽和ポリエステル(エ
チレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリ
ン、トリメチロールプロパン、1,4−ブタンジオール、
1,6−ヘキサンジオール、ペンタエリスリット、ソルビ
トール、ネオペンチルグリコール、1,4−シクロヘキサ
ンジメタノールの様な多価アルコールと、フタル酸、イ
ソフタル酸、テレフタル酸、コハク酸、アジピン酸、セ
バシン酸の様な飽和多塩基酸との縮重合によるもの)、
線状飽和ポリエーテル(ポリエチレングリコール、ポリ
プロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコー
ル)やカプロラクタム、ヒドロキシル含有アクリル酸エ
ステル、ヒドロキシル含有メタクリル酸エステル等の各
種ポリエステル類の縮重合物より成るポリウレタンエラ
ストマー、プレポリマーが有効である。
これらのウレタンエラストマーの末端のイソシアネート
基又は水酸基と、アクリル系二重結合又はアリル系二重
結合等を有する単量体とを反応させることにより、放射
線感応性に変性することは非常に効果的である。又、末
端に極性基としてOH、COOH等を含有するものも含む。
さらに不飽和二重結合を有する長鎖脂肪酸のモノあるい
はジグリセリド等、イソシアネート基と反応する活性水
素を持ち、かつ放射線硬化性を有する不飽和二重結合を
有する単量体も含まれる。
(2)アクリロニトリル−ブタジエン共重合エラストマ
ー シンクレアペトロケミカル社製ポリBDリタイッドレジン
として市販されている末端水酸基のあるアクリロニトリ
ルブタジエン共重合体プレポリマーあるいは日本ゼオン
社製ハイカー1432J等のエラストマーは、特にブタジエ
ン中の二重結合が放射線によりラジカルを生じ架橋及び
重合させるエラストマー成分として適する。
(3)ポリブタジエンエラストマー シンクレアペトロケミカル社製ポリBDリタイッドレジン
R-15等の低分子量末端水酸基を有するプレポリマーが特
に熱可塑性樹脂との相溶性の点で好適である。R-15プレ
ポリマーにおいては分子末端が水酸基となっている為、
分子末端にアクリル系不飽和二重結合を付加することに
より放射線感応性を高めることが可能であり、バインダ
ーとして更に有利となる。
またポリブタジエンの環化物、日本合成ゴム製CBR-M901
も熱可塑製樹脂との組合せによりすぐれた性質を有して
いる。
その他、熱可塑性エラストマー及びそのプレポリマーの
系で好適なものとしては、スチレン−ブタジエンゴム、
塩化ゴム、アクリルゴム、イソプレンゴム及びその環化
物(日本合成ゴム製CIR701)があり、エポキシ変性ゴ
ム、内部可塑化飽和線状ポリエステル(東洋紡バイロン
#300)等のエラストマーも下記に述べる放射線感応変
性処理を施こすことにより有効に利用できる。
オリゴマー、モノマーとして本発明で用いられる放射線
硬化性不飽和二重結合を有する化合物としては、スチレ
ン、エチルアクリレート、エチレングリコールジアクリ
レート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチ
レングリコールジアクリレート、ジエチレングリコール
ジメタクリレート、1,6−ヘキサングリコールジアクリ
レート、1,6−ヘキサングリコールジメタクリレート、
トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロ
ールプロパントリメタクリレート、多官能オリゴエステ
ルアクリレート(アロニックスM-7100,M-5400、5500、5
700等、東亜合成)、ウレタンエラストマー(ニッポラ
ン4040)のアクリル変性体、あるいはこれらのものにCO
OH等の官能基が導入されたもの、トリメチロールプロパ
ンジアクリレート(メタクリレート)、フェノールエチ
レンオキシド付加物のアクリレート(メタクリレー
ト)、下記一般式で示されるペンタエリスリトール縮合
環にアクリル基(メタクリル基)またはε−カプロラク
トンアクリル基のついた化合物、 式中、m=1、a=2、b=4の化合物(以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Aという)、 m=1、a=3、b=3の化合物(以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Bという)、 m=1、a=6、b=0の化合物(以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Cという)、 m=2、a=6、b=0の化合物(以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Dという)、 及び下記一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げ
られる。
(1)(CH2=CHCOOCH2)3−CCH2OH (特殊アクリレートA) (2)(CH2=CHCOOCH2)3−CCH2CH3 (特殊アクリレートB) (3)〔CH2=CHCOOC3H6)n−OCH2−CCH2CH3 (n≒3) (特殊アクリレートC) (8)CH2=CHCOO−(CH2CH2O)4−COCH=CH2 (特殊アクリレートH) 次に、放射線感応性バインダー合成例を説明する。
a)塩化ビニール酢酸ビニール共重合系樹脂のアクリル
変性体(放射線感応変性樹脂)の合成 OH基を有する一部ケン化塩ビ−酢ビ共重合体(平均重合
度n=500)750部とトルエン1250部、シクロヘキサノン
500部を51の4つ口フラスコに仕込み加熱溶解し、80℃
昇温後トリレンジイソシアネートの2−ヒドロキシエチ
ルメタクリレートアダクト※を61.4部加え、更にオクチ
ル酸スズ0.012部、ハイドロキノン0.012部を加え80℃で
N2気流中、NCO反応率が90%となるまで反応せしめる。
反応終了後冷却し、メチルエチルケトン1250部を加え希
釈する。
〔※トリレンジイソシアネート(TDI)の2−ヒドロキ
シエチルメタクリレート(2HEMA)アダクトの製法 TDI348部をN2気流中1の4つ口フラスコ内で80℃に加
熱後、2−エチレンメタクリレート260部、オクチル酸
スズ0.07部、ハイドロキノン0.05部を反応缶内の温度が
80〜85℃となるように冷却コントロールしながら滴下終
了後80℃で3時間撹拌し反応を完結させる。反応終了後
取り出して冷却後白色ペースト状のTDIの2HEMAを得
た。〕 b)ブチラール樹脂アクリル変性体の合成(放射線感応
変性樹脂) ブチラール樹脂積水化学製BM-S100部をトルエン191.2
部、シクロヘキサノン71.4部と共に5lの4つ口フラスコ
に仕込み加熱溶解し80℃昇温後TDIの2HEMAアダクト※を
7.4部加え、更にオクチル酸スズ0.015部、ハイドロキノ
ン0.015部を加え、80℃でN2気流中NCO反応率が90%以上
となるまで反応せしめる。反応終了後冷却し、メチルエ
チルケトンにて希釈する。
c)飽和ポリエステル樹脂アクリル変性体の合成(放射
線感応変性樹脂) 飽和ポリエステル樹脂(東洋紡製バイロンRV-200)、10
0部をトルエン116部、メチルエチルケトン116部に加熱
溶解し80℃昇温後TDIの2HEMAアダクト※を3.55部加え、
オクチル酸スズ0.007部、ハイドロキノン0.007部を加
え、80℃、N2気流中NCO反応率が90%以上となるまで反
応せしめる。
d)◎エポキシ樹脂アクリル変性体の合成(放射線感応
変性樹脂) エポキシ樹脂(シエル化学製エピコート1007)、400部
をトルエン50部、メチルエチルケトン50部に加熱溶解
後、N,N−ジメチルベンジルアミン0.006部、ハイドロキ
ノン0.003部を添加し80℃とし、アクリル酸69部を滴加
し80℃で酸価5以下となるまで反応せしめる。
◎フェノキシ樹脂アクリル変性体の合成(放射線感応変
性樹脂) OH基を有するフェノキシ樹脂(PKHH:UCC社製 分子量3
0,000)600部、メチルエチルケトン1800部を3lの4ツ口
フラスコに仕込み、加熱溶解し、80℃昇温後、トリレン
ジイソシアネートの2ヒドロキシエチルメタクリレート
アダクトを6.0部加え、更にオクチル酸スズ0.012部、ハ
イドロキノン0.012部を加え、80℃でN2気流中、NCO反応
率が90%となるまで反応せしめる。このフェノキシ変性
体の分子量は35,000、1分子当りの二重結合は1個であ
る。
e)ウレタンエラストマーアクリル変性体の合成(放射
線硬化性エラストマー) 末端イソシアネートのジフェニルメタンジイソシアネー
ト(MDI)系ウレタンプレポリマー(日本ポリウレタン
製ニッポラン3119)250部、2HEMA32.5部、ハイドロキノ
ン0.07部、オクチル酸スズ0.009部を反応缶に入れ、80
℃に加熱溶解後TDI43.5部を反応缶内の温度が80〜90℃
となるように冷却しながら滴下し、滴下終了後80℃で反
応率95%以上となるまで反応せしめる。
f)ポリエーテル系末端ウレタン変性エラストマーアク
リル変性体(放射線硬化性エラストマー)合成 日本ポリウレタン社製のポリエーテルPTG-500、250部、
2HEMA32.5部、ハイドロキノン0.007部、オクチル酸スズ
0.009部を反応缶に入れ、80℃に加熱溶解後TDI43.5部を
反応缶内の温度が80〜90℃となるように冷却しながら滴
下し、滴下終了後80℃で反応率95%以上となるまで反応
せしめる。
g)ポリブタジエンエラストマーアクリル変性体の合成
(放射線硬化性エラストマー) シンクレアペトロケミカル社製低分子量末端水酸基ポリ
ブタジエンポリBDリクイットレジンR-15、250部、2HEMA
32.5部、ハイドロキノン0.007部、オクチル酸スズ0.009
部を反応缶に入れ、80℃に加熱溶解後TDI43.5部を反応
缶内の温度が80〜90℃となるように冷却しながら滴下
し、滴下終了後80℃で反応率95%以上となるまで反応せ
しめる。
高分子には放射線照射により崩壊するものと分子間に架
橋を起こすものが知られている。分子間に架橋を起こす
ものとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリス
チレン、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリルアミ
ド、ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリビニルピロリ
ドンゴム、ポリビニルアルコール、ポリアクロレインが
ある。この様な架橋型ポリマーであれば上記のような変
性を特に施さなくても、架橋反応が起るので、前記変性
体の他に、これらの樹脂はそのまま放射線架橋用として
使用可能である。
更にまた、この方法によれば溶剤を使用しない無溶剤型
の樹脂であっても短時間で硬化することができるので、
この様な樹脂を用いることができる。
このような放射線硬化性樹脂を用いることによって大径
のいわゆるジャンボロールで巻きしまりがなくなり、ジ
ャンボロール内外での電磁変換特性の差がなくなり特性
が向上する。またオンラインで行えるので生産性が良く
なる。
磁性粉/バインダーは、重量比で1/1〜9/1、特に2/1〜8
/1であることが好ましい。
このような割合とするのは1/1未満では飽和磁束密度が
低くなり、9/1を超えると分散不良により表面粗度が悪
くなり、また塗膜ももろくなり好ましくなるからであ
る。
本発明では必要に応じ、非反応性溶剤が使用される。溶
剤としては特に制限はないが、バインダーの溶解性およ
び相溶性等を考慮して適宜選択される。
例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類;メタノー
ル、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコ
ール類;ギ酸エチル、酢酸メチル,酢酸エチル、酢酸ブ
チル、乳酸エチル、酢酸グリコールモノエチルエーテル
等のエステル類;イソプロピルエーテル、エチルエーテ
ル、グリコールジメチルエーテル、グリコールモノエチ
ルエーテル、ジオキサン等のエーテル類;ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素
類;テトラヒドロフラン、フルフラール等のフラン類;
メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭
素、クロロホルム、エチレンクロルヒドリン、ジクロル
ベンゼン等の塩素化炭化水素、その他ジメチルホルムア
ミド等が単一溶剤またはこれらの混合溶剤として使用さ
れる。
これらの溶剤はバインダーに対して10〜10000wt%、特
に100〜5000wt%の割合で用いる。
磁性層には無機顔料が含まれていてもよい。
無機顔料としては、1)導電性のあるカーボンブラッ
ク、グラファイト、グラファイト化カーボンブラック、
また2)無機充填剤として、SiO2、TiO2、Al2O3、Cr2OS
iC、CaO、CaCO3、酸化亜鉛、ゲーサイト、γFe2O3、タ
ルク、カオリン、CaSO4、窒化硼素、フッ化黒鉛、二硫
化モリブデン、ZnS等がある。またこの他、次のような
微粒子顔料(エアロジルタイプ、コロイダルタイプ):
SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、Cr2O3、Y2O3、CeO2、Fe
3O4、Fe2O3、ZrSiO4、Sb2O5、SnO等も用いられる。これ
ら微粒子顔料は、例えばSiO2の場合、無水硅酸の超微
粒子コロイド溶液(スノーテックス、水系、メタノール
シリカゾル等、日産化学)、精製四塩化ケイ素の燃焼
によって製造される超微粒子状無水シリカ(標準品100
Å)(アエロジル、日本アエロジル株式会社)などが挙
げられる。又、前記の超微粒子コロイド溶液及びと
同様の気相法で製造される超微粒子状の酸化アルミニウ
ム、並びに酸化チタン及び前述の微粒子顔料が使用され
得る。この様な無機顔料の使用量は1)に関しては磁性
粉100重量部に対して1〜30重量部、又2)に関しては
1〜30重量部が適当であり、これらがあまり多くなる
と、塗膜がもろくなり、かえってドロップアウトが多く
なるという欠点がある。
また、無機顔料の径については1)に関しては0.1μm
以下、さらには0.05μm以下が好ましく、2)に関して
は0.7μm以下、さらには0.5μm以下が好ましい。
磁性層には分散剤が含まれていてもよい。
分散剤としては有機チタンカップリング剤、シランカッ
プリング剤や界面活性剤が、帯電防止剤としてサポニン
などの天然界面活性剤;アルキレンオキサイド系、グリ
セリン系、グリシドール系などのノニオン界面活性剤;
高級アルキルアミン類、第4級アンモニウム塩類、ピリ
ジンその他の複素環類、ホスホニウム又はスルホニウム
類などのカチオン界面活性剤;カルボン酸、スルホン
酸、燐酸、硫酸エステル基、燐酸エステル基等の酸性基
を含むアニオン界面活性剤;アミノ酸類、アミノスルホ
ン酸類、アミノアルコールの硫酸または燐酸エステル類
等の両性活性剤などが使用される。
磁性層には潤滑剤が含まれていてもよい。
潤滑剤としては従来この種の磁気記録媒体に用いられる
潤滑剤としてシリコンオイル、弗素オイル、脂肪酸、脂
肪酸エステル、パラフィン、流動パラフィン、界面活性
剤等を用いることができるが、脂肪酸および/又は脂肪
酸エステルを用いるのが好ましい。
脂肪酸としてはカプリル酸、カプリン酸、ラウリン酸、
ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン
酸、オレイン酸、エライジン酸、リノール酸、リノレン
酸、ステアロール酸等の炭素数12以上の脂肪酸(RCOO
H、Rは炭素数11以上のアルキル基)であり、脂肪酸エ
ステルとしては、炭素数12〜16個の一塩基性脂肪酸と炭
素数3〜12個の一価のアルコールからなる脂肪酸エステ
ル類、炭素数17個以上の一塩基性脂肪酸と該脂肪酸の炭
素数と合計して炭素数が21〜23個より成る一価のアルコ
ールとから成る脂肪酸エステル等が使用され、又前記脂
肪酸のアルカリ金属又はアルカリ土類金属からなる金属
石鹸、レシチン等が使用される。
シリコーンとしては脂肪酸変性よりなるもの、一部フッ
素変性されているものが使用される。アルコールとして
は高級アルコールよりなるもの、フッ素としては電解置
換、テロメリゼーション、オリゴメリゼーション等によ
って得られるものが使用される。
潤滑剤の中では放射線硬化型のものも使用して好都合で
ある。
放射線硬化型潤滑剤としては、滑性を示す分子鎖とアク
リル系二重結合とを分子中に有する化合物、例えばアク
リル酸エステル、メタクリル酸エステル、ビニル酢酸エ
ステル、アクリル酸アミド系化合物、ビニルアルコール
エステル、メチルビニルアルコールエステル、アリルア
ルコールエステル、グリセライド等があり、これらの潤
滑剤を構造式で表すと、 CH2=CHCOOR、 CH2=CH−CH2COOR、 CH2=CHCONHCH2OCOR、 RCOOCH2−CH=CH2等で、ここでRは直鎖又は分枝状の飽
和もしくは不飽和炭化水素基で、炭素数は7以上、好ま
しくは12以上23以下であり、これらは弗素置換体とする
こともできる。弗素置換体としては CnF2n+1−、CnF2n+1(CH2)m−(但し、m=1〜5)、 CnF2n+1CH2CH2NHCH2CH2−、 等がある。
これら放射線硬化型潤滑剤の好ましい具体例としては、
ステアリン酸メタクリレート(アクリレート)、ステア
リルアルコールのメタクリレート(アクリレート)、グ
リセリンのメタクリレート(アクリレート)、グリコー
ルのメタクリレート(アクリレート)、シリコーンのメ
タクリレート(アクリレート)等が挙げられる。
潤滑剤の入っていない磁気記録層は摩擦係数が高いため
画像のゆらぎが生じ、ジッターが発生し易いと共に、特
に高温走行下で摩擦係数が高いため磁気記録層の削れが
発生し易く、巻きみだれを生じ易いものである。又、デ
ィスク媒体では耐久走行性が劣ったり、塗膜ケズレが発
生したりする。
分散剤および潤滑剤はバインダーに対して0.1〜20重量
%含ませるのがよい。
バインダー量が多すぎるとブロッキングが出、バインダ
ーが少なすぎるとカレンダー工程での付着が発生して好
ましくない。
なお本発明の磁気記録層の塗布乾燥後の厚みは0.1〜10
μmの範囲が一般的である。
磁性層の潤滑剤、有機バインダーが放射線硬化型の場
合、その架橋に使用する活性エネルギー線としては、放
射線加速器を線源とした電子線、Co60を線源としたγ−
線、Sr90を線源としたβ−線、X線発生器を線源とした
X線あるいは紫外線等が使用される。
特に照射線源としては吸収線量の制御、製造工程ライン
への導入、電離放射線の遮蔽等の見地から放射線加熱器
により放射線を使用する方法が有利である。
本発明に使用される非磁性基材としては、ポリエチレン
テレフタレート等のポリエステル類、ポリプロピレン等
のポリオレフィン類、セルローストリアセテート等のセ
ルロース誘導体、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリ
サルホン、ポリエチレンナフタレート、芳香族アラミ
ド、芳香族ポリエステル、アルミニウム等の金属板、ガ
ラス板等が使用されるが、これらに限定されるものでは
ない。これらの中では、特にポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド等を用いることが好ましい。
本発明の磁気記録媒体では支持体の両面に磁性層を設け
てもよい。特にフロッピーディスクの場合は両面に磁性
層を設けているものが好ましい。
また本発明の磁気記録媒体は必要に応じてバックコート
およびトップコートを設けてもよい。
これらのうちバックコートは、バインダー、顔料および
潤滑剤からなる組成とするのがよい。
バインダーとしては、前述の磁性層に用いた放射線硬化
性樹脂を使用することができるが、例えば(A)放射線
により硬化性をもつ不飽和二重結合を2個以上有する、
分子量5,000〜100,000のプラスチック状化合物、(B)
放射線により硬化性をもつ不飽和二重結合を1個以上有
するか、または放射線硬化性を有しない、分子量3,000
〜100,000のゴム状化合物、および(C)放射線により
硬化性をもつ不飽和二重結合を1個以上有する、分子量
200〜3,000の化合物を、(A)20〜70重量%、(B)20
〜80重量%、(C)10〜40重量%の割合で用いた組合せ
が好ましい。
また熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂も用いることがで
き、これらは平均分子量200,000以下のものが好まし
い。
特に好ましいものは、繊維素樹脂(硝化綿等)、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体、ウレタ
ンの組合せからなる熱硬化性樹脂(硬化剤使用)であ
る。
顔料としては、前述の磁性層に用いた無機顔料を使用す
ることができる。そのなかの1)に関してバインダー10
0重量部に対して20〜300重量部、2)に関しては10〜30
0重量部含ませることが好ましい。
潤滑剤としては前述の磁性層に用いたものが使用でき
る。なかでも脂肪酸および/または脂肪酸エステルを用
いるのが好ましい。
本発明の磁気記録媒体を製造するには常法に従って行え
ばよく、磁性粉をバインダー、有機溶剤等とともに混合
分散して磁性塗料を調製し、この磁性塗料をポリエステ
ルフィルムなどの基体上にグラビアコート、リバースロ
ールコート、エアーナイフコート、エアードクターコー
ト、ブレードコート、キスコート、スプレイコートなど
の手法を用いて塗布し、磁性粉の磁化容易方向が磁性層
に対して垂直方向となるように配向処理を行って乾燥
し、好ましくは常法に従い放射線硬化すればよい。そし
て必要に応じてバックコートおよびトップコーを設けれ
ばよい。
配向処理は、常法に従う。
配向方法としては永久磁石、直流磁石、交流磁場が代表
的なものとして用いられ、それらのものの各種組合せ、
例えば垂直と水平の組合せ、永久磁石または直流磁場と
交流磁場の組合せ、機械的配向や機械的配向と上記の組
合せ等、種々のものが用いられる。
そして磁場外で磁性粒子が反磁場のために配向したもの
が乱れ、配向性の低下を生じないよう磁場内で乾燥さ
せ、反磁場が働いてもそれらの影響が出ないよう、磁場
内である程度乾燥させ、磁性粉が動かないようにする必
要がある。
磁場強度としては1000〜6000Gが好ましい。この場合、
本発明では、板状比が6以上と配向しやすいため、1000
〜4000G程度でも十分目的にかなうものとなる。
本発明の記録媒体において、さらに支持体と磁性層との
間にパーマロイ等の高透磁率金属薄膜や下記に示すよう
な塗膜のアンダーコート層を設けることもできる。これ
らは併用してもよい。
塗膜のアンダーコート層には、前述したような放射線硬
化型化合物とカーボンブラックおよび/または界面活性
剤を含有させることが好ましい。
用いるカーボンブラックはファーネス、チャンネル、ア
セチレン、サーマル、ランプ等、いずれの方法で製造さ
れたものでもよいが、アセチレンブラック、ファーネス
ブラック、チャンネルブラック、ローラーおよびディス
クブラック及びドイツナフタリンブラックが好ましい。
カーボンブラックの粒子径はどのようなものでもよい
が、好ましいのは、電子顕微鏡撮影法により測定して10
〜100mμm、特に好ましくは10〜80mμmである。更に
粒子径について言えば、粒子径100mμmを超えるとアン
ダーコート層面の表面粗度が悪くなり、磁性層塗布後の
電特低下の原因となる。また10mμm未満では分散がう
まくいかず、やはりアンダーコートの表面粗度が悪くな
る。
カーボンブラックには特殊なものとしてグラファイト化
カーボンブラックがあり、本発明ではグラファイト化カ
ーボンブラックも用いることができる。
このようなアンダーコート層を設けることによって、媒
体のヘッドへのはりつき、また、塗布工程等の製造工程
中にガイドローラ、カレンダローラ等のはりつき、放電
ノイズ等の発生を防止することができる。
アンダーコート層の厚さは10Å〜3μm程度とすること
が好ましい。
実施例 実施例にて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は
これらに限定されるものでないことは言うまでもない。
特性は以下のようにして評価した。
(1)板状比 電子顕微鏡写真〔走査形顕微鏡(SEM)および透過形顕
微鏡(TEM)〕によって六方晶系のバリウムフェライト
粒子50個について断面を観察し、六角形の粒径について
の測定値を平均して求めた平均粒径と厚さについての測
定値を平均して求めた平均厚みとから平均粒径/平均厚
みを算出し、板状比とした。
あるいはX線回折による2θの半値巾によってこれらの
値を測定することも出来る。
(2)垂直配向度 磁気テープの垂直方向の角形比Br/Bmを測定し、反磁場
補正を行った。
(3)表面粗度(R20) JISB0601に規定してある10点平均粗さに求め方に準じて
行った。なおJISでは10点平均法を規定しているが、本
発明の評価方法として、さらに厳密にするため20点平均
とした。
カットオフ値は、触針スピード30μm/secで0.18〜9Hz程
度、または針圧は2mgとした。
(4)線記録密度D50(KFRPI) 回転数300r.p.m.、ヘッド;フェライトヘッド、ギャッ
プ0.3μmにて低記録密度領域での出力(E)が高記録
密度領域でE/2となる線記録密度D50(KFRPI)を測定し
た。
実施例1 厚さ75μmのポリエステル(PET)フィルムの表面と裏
面の両面上に下記に示すようなアンダーコート層を設層
した。アンダーコート層 重量部 カーボンブラック 20mμm 50 (A)アクリル変性塩ビ−酢ビ−ビニルアルコール共重
合重合体 分子量45,000 40 (B)アクリル変性ポリウレタンエラストマー 分子
量20,000 40 (C)多官能アクリレート 分子量1,000 20 ステアリン酸 2 ステアリン酸ブチル 2 混合溶剤(MIBK/トルエン=1/1) 300 上記組成物をボールミル中5時間分散させ、上記のポリ
エステル(PET)フィルム上に乾燥厚0.7μmになるよう
に塗布し、表面平滑化処理を行い、エレクトロカーテン
フイプ電子線加速装置を用いて加速電圧150KeV、電極電
流10mA、吸収線量5Mrad、N2ガス中で電子線をアンダー
コート層に照射した。
このようなアンダーコート層の両面上に、さらに下記に
示されるような磁性塗料からなる磁性層を形成し、種々
のサンプルを作製した。
すなわち、まず最初に、第1表に示すタップ密度の六方
晶系バリウムフェライトA(BaFeOのBa、Feを一部置換
したものを水熱合成法で合成)を用いて以下のようにし
て磁性塗料を作成した。磁性層1 (放射線硬化型磁性層) 重量部 バリウムフェライト 粒径可変 120 カーボンブラック 30mμ 10 α−Al2O3粉末(0.5μ粉状) 2 溶剤(MEK/トルエン 50/50) 100 上記組成物をボールミル中にて3時間混合し、六方晶系
板状バリウムフェライトを良く湿潤させる。次に 塩ビ−酢ビ−ビニルアルコール共重合体(マレイン酸含
有) 分子量40,000 6部(固型分換算) アクリル二重結合導入塩酢ビ共重合体(マレイン酸含
有) 分子量20,000 12部(固型分換算) アクリル二重結合導入ポリエーテルウレタンエラストマ
ー 分子量40,000 9部(固型分換算) ペンタエリスリトールトリアクリレート 3部 溶剤(MEK/トルエン 50/50) 200部 ステアリン酸 4部 ステアリン酸ブチル 2部 のバインダーの混合物を良く混合溶解させる。
これを先の磁性粉処理を行なったボールミル中に投入
し、再び42時間分散させる。
この様にして得られた磁性塗料を上記アンダーコート層
上に塗布し、永久磁石(3000ガウス)上で乾燥させなが
ら垂直配向させ、その後、連続して赤外線ランプまたは
熱風により溶剤を乾燥させた(これらは同時に並用して
もよい)後、表面平滑化処理後、ESI社製エレクトロカ
ーテンタイプ電子線加速装置を使用して、加速電圧150K
eV、電極電流20mA、全照射量5Mradの条件下でN2雰囲気
下にて電子線を照射し、塗膜を硬化させた。硬化後の塗
膜厚は磁性層1.5μmであった。なお、この膜厚の測定
は電子マイクロメーターで行った。これらの塗膜をフィ
ルムの両面に形成し、画面コートとした。
このようにして作成したサンプルの特性を第1表に示
す。なお第1表のものは表面粗度0.08μm以下のもので
あった。
測定 フェライトヘッド;ギャップ0.4μm 回転数1800rpm,出力60KFRPI No.12を基準0.0dBとし、他
のものはNo.12に対し出力を換算する。
第1表のとおり、Br/Hcを0.7以上とすることにより
高密度領域での記録特性が良好となる事がわかる。
また第1表No.10Hc850付近のもの、Hc800台のもの
について粒径との関係をみると、第2表に示すように粒
径0.15μm以下のものが電特上好ましい。さらに好まし
いのは0.10μm以下である。
第1表のNo.10について表面粗度を変えたものの特性を
第3表に示すが、表面粗度についても0.08μmを超える
と電特低下を生じ、実用上好ましくない。
実施例2 六方晶径バリウムフェライト(BaFe12O18のBa、Feを一
部変換したものを水熱合成法で合成) 平均粒径0.07μ
m、Hc=700 120重量部 α−Al2O3(0.5μ粉末) 2重量部 グラファイト化カーボン#4000B 20mμ 12重量部 分散剤(大豆油未精製レシチン) 3重量部 および 溶剤(MEK/シクロヘキサノン 70/30) 100重量部 を用いて実施例1と同様にして磁性粉混合物を作った。
次に、バインダーとして 塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体
(マレイン酸含有)分子量20,000 6重量部(固型分換算) アクリル変性フェノキシ樹脂分子量35,0006重量部(固
型分換算) アクリル変性ポリエーテルウレタンエラストマー分子量
20,000 18重量部(固型分換算) 溶剤(MEK/シクロヘキサノン70/30) 200重量部 高級脂肪酸変性シリコーンオイル 3重量部 および ミリスチン酸ブチル 3重量部 混合溶解させた。
その後、実施例1と同様の操作により試料Aを作成し、
特性を調べた。
ただし、配向処理は交流磁場(3000G)を用いて行っ
た。
一方、試料Aにおいて放射線硬化型のバインダーを熱硬
化型にかえて同様に処理した。
すなわち塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共
重合体(マレイン酸含有)アクリル変性フェノキシ樹
脂、アクリル変性ポリエーテルウレタンエラストマー
計30重量部を、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコ
ール共重合体(ユニオンカーバイド社製VAGH)15重量部
およびウレタン(日本ポリウレタン社ニッポラン3022)
15重量部に代える以外は、試料Aと同様に試料Bを作製
した。ただし、この場合、分散後磁性塗料中にイソシア
ネート化合物(日本ポリウレタン社製コロネートL)を
5重量部(固型分換算)加えた。また表面平滑後、80℃
で48時間熱硬化を行った。
試料AおよびBについて各種特性をみた結果を第4表に
示す。第4表からわかるように、熱硬化型の場合は外、
内側で出力の差があった。
実施例3 アナログ特定について実施例1のもののうちNo.4、7、
10、12、16を33μベースに塗布し、7MHzの出力を測定し
た。ビデオフロッピーでの測定条件は、中心周波数7MH
z、RF信号で記録、再生した場合のC-S/N比(相対値)を
示す。回転数3600rpm、相対速度0.6m/secとした。
デジタル記録と同様の事がアナログでも確認出来た。
発明の効果 Br/Hcを0.7以上とすることにより、高密度領域の記録特
性が良好となる。
バリウムフェライトはHCが低いものでも高密度領域迄記
録密度特性がすぐれているので、従来より信頼性で実績
のあるフェライトヘッドを使用出来る。フェライトヘッ
ドはBsが低いのでHcが低い記録媒体にとって有利であ
る。
フェライトヘッドと媒体のBr/Hc間との関係を一定のも
の以上にする事により、高密度領域で非常にすぐれたも
のとなる。そのためデジタル記録、アナログ記録におい
てすぐれたものとなり、高解像度のものとなる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明磁気記録媒体のBr/Hcと出力60KFRPI
との関係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−201211(JP,A) 特開 昭60−69822(JP,A) 特開 昭61−217901(JP,A) 特開 昭61−188702(JP,A)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】磁性層が残留磁束密度Br及び抗磁力Hcの垂
    直方向の比Br/Hcが0.7以上、Hcが1000以下であり、
    粒子径0.15μm以下のバリウムフェライト粒子を含有
    し、その表面粗度がR20、0.08μm以下の磁気記録媒体
    とヘッド材料がBs=5000〜6000の酸化物系のものであ
    り、ヘッドギャップ長が0.4μm以下のフェライトヘッ
    ドとを組合わせたことを特徴とする磁気記録再生システ
    ム。
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JPS6069822A (ja) * 1983-08-19 1985-04-20 Toshiba Corp 磁気記録媒体
JPS61188702A (ja) * 1985-02-18 1986-08-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気記録再生装置
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