JPH057763B2 - - Google Patents

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JPH057763B2
JPH057763B2 JP58086642A JP8664283A JPH057763B2 JP H057763 B2 JPH057763 B2 JP H057763B2 JP 58086642 A JP58086642 A JP 58086642A JP 8664283 A JP8664283 A JP 8664283A JP H057763 B2 JPH057763 B2 JP H057763B2
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magnetic
radiation
acid
resin
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Masaharu Nishimatsu
Toshiaki Ide
Juichi Kubota
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TDK Corp
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Publication date
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Publication of JPH057763B2 publication Critical patent/JPH057763B2/ja
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    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/73Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
    • G11B5/735Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer characterised by the back layer
    • G11B5/7356Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer characterised by the back layer comprising non-magnetic particles in the back layer, e.g. particles of TiO2, ZnO or SiO2
    • G11B5/7358Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer characterised by the back layer comprising non-magnetic particles in the back layer, e.g. particles of TiO2, ZnO or SiO2 specially adapted for achieving a specific property, e.g. average roughness [Ra]
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/73Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
    • G11B5/739Magnetic recording media substrates
    • G11B5/73923Organic polymer substrates
    • G11B5/73927Polyester substrates, e.g. polyethylene terephthalate

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  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
本発明は、磁気蚘録媒䜓に関するものである。
詳しくは述べるず、支持䜓䞊に匷磁性薄膜を圢成
させた薄膜型磁気蚘録媒䜓あるいは支持䜓䞊に塗
垃膜を圢成させた塗垃膜型磁気蚘録媒䜓にバツク
コヌトするこずにより摩擊係数を䜎䞋させ、匷磁
性薄膜局を内偎ずするカヌルを䜎枛し、ドロツプ
アりトの枛少を可胜にした磁気蚘録媒䜓に関する
ものである。 珟圚、磁気蚘録媒䜓は、オヌデむオ甚、ビデオ
甚等の磁気テヌプ、コンピナヌタ甚、ワヌドプロ
セツサヌ甚等の磁気デむスク等の分野で広く䜿甚
されるようにな぀おきた。それに䌎ない、該磁気
蚘録媒䜓に蚘録される情報量も幎々増加しおいる
ため、該蚘録媒䜓ずしおは、蚘録密床の高いこず
がたすたす芁求されるようにな぀おきおいる。し
かしお、電気メツキ、化孊メツキ、真空蒞着、ス
パツタリング、むオンブレヌテむング等の方法を
甚いお匷磁性薄膜を圢成される堎合、圢成される
匷磁性薄膜は100金属たたは合金もしくはその
酞化物であるために、高い蚘録密床を持ち埗る。
しかしながら、䞊蚘の方法で匷磁性薄膜を圢成さ
せた堎合、支持䜓の衚面状態が匷磁性薄膜の衚面
状態に匷く圱響を及がす。 磁性面の衚面は、磁気ヘツドずのスペヌシング
損倱を少なくしおドロツプアりトを枛少させるた
めに、より平滑であるこずが望たしい。たた、そ
のための支持䜓もより平滑であるこずが芁求され
る。しかるに、支持䜓が平滑になるず、磁気テヌ
プ、磁気デむスク等ずしお走行された際ガむドロ
ヌラや支持ピンずはり぀きを生じるこずになる。 このような事情に鑑み、本発明者らは、埓来の
磁気蚘録媒䜓の有する諞欠点を改良し、極めお有
効な効果を発揮するバツク局を具備する磁気蚘録
媒䜓を提唱しおいる。䟋えば、塩化ビニル−酢酞
ビニル共重合䜓を代衚ずする熱可塑性暹脂ず、ポ
リりレタンず、む゜シアネヌト化合物ずからなる
混合物あるいはこれらにさらにニトロセルロヌス
を添加した混合物をバむンダヌずしお、そこに非
磁性䜓粉末を分散しおなる局ずしお圢成するこず
により、(1)バツク面の摩擊係数を小さくする、(2)
磁性面を内偎ずするカヌルを䜎枛する、(3)シンチ
ング珟象急速停止時の巻きゆるみを防止す
る、(4)磁性面ずバツク面ずの粘着を防止する等の
効果を達成するこずができた。 これらの技術は、基本的には支持䜓の䞀面に匷
磁性薄膜局を、たた他面にバツク局を具備しか぀
バツク局が非磁性䜓粉末を熱硬化性暹脂を䞻䜓ず
するバむンダヌ䞭に分散混入したものずいうこず
ができる。このようなバツク局を備える磁気蚘録
媒䜓においお、バツク局のないものず比べ、前述
のこずずは別の䞀぀の問題が認識されおおり、そ
れはゞツタヌである。ゞツタヌは、埮现な䜍盞倉
動によ぀お画面のゆれが生じる珟象である。この
バゞツタヌは、テヌプの走行の円滑性ず関連する
ものず思われる。 したが぀お、本発明の目的は、新芏な磁気蚘録
媒䜓を提䟛するこずにある。本発明の他の目的は
摩擊抵抗が䜎く、磁気蚘録局を内偎ずするカヌル
を䜎枛できか぀ドロツプアりトを枛少し埗る磁気
蚘録媒䜓を提䟛するこずにある。 これらの諞目的は、支持䜓の䞀方の面に磁気蚘
録局を具備させおなる磁気蚘録媒䜓においお、他
方の面に脂肪酞たたは脂肪酞ず脂肪酞゚ステルず
の混合物を含有する攟射線感応硬化性暹脂を含む
バむンダヌに非磁性粉末を分散しおなるバツク局
を具備させたこずを特城ずする磁気蚘録媒䜓によ
り達成される。 本発明においお䜿甚される支持䜓ずしおは、珟
圚磁気蚘録媒䜓甚ずしお広く掻甚されおいるポリ
゚チレンテレフタレヌト系フむルムおよびさらに
耐熱性を芁求される甚途ずしおは、ポリむミドフ
むルム、ポリアミドむミドフむルム等が掻甚さ
れ、特にポリ゚ステル系フむルムにおいおは、薄
物ベヌスでは軞延䌞、軞延䌞凊理を斜しお利
甚する堎合が倚い。 バツク局圢成甚バむンダヌに䜿甚される攟射線
感応硬化性暹脂ずは、攟射線によりラゞカルを発
生しお架橋を生じるような分子䞭に䞍飜和二重結
合を個以䞊含むものであり、これはたた熱可塑
性暹脂を攟射線感応倉性するこずによ぀おも可胜
である。 攟射線感応倉性の具䜓䟋ずしおは、ラゞカル重
合性を有する䞍飜和二重結合を瀺すアクリル酞、
メタクリル酞たたはそれらの゚ステル化合物のよ
うなアクリル系二重結合、ゞアリルフタレヌトの
ようなアリル系二重結合、マレむン酞、マレむン
酞誘導䜓等の䞍飜和二重結合等の攟射線照射によ
る架橋あるいは重合也燥する基を分子䞭に導入す
るこずにより行なわれる。その他、攟射線照射に
より架橋重合する䞍飜和二重結合であれば甚いる
こずができる。 攟射線感応硬化性暹脂に倉性できる暹脂ずしお
は、䟋えば぀ぎのようなものがある。 (1) 塩化ビニル系重合䜓 塩化ビニル−酢酞ビニル−ビニルアルコヌル共
重合䜓、塩化ビニル−ビニルアルコヌル共重合
䜓、塩化ビニル−ビニルアルコヌル−プロピオン
酞ビニル共重合䜓、塩化ビニル−酢酞ビニル−マ
レむン酞共重合䜓、塩化ビニル−酢酞ビニル−末
端OH偎鎖アルキル基共重合䜓、䟋えばナニオ
ン・カヌバむド瀟のVROH、VYNC、VYEGX、
VERR等が挙げられる。 䞊蚘共重合䜓は、埌述する方法によりアクリル
系二重結合、マレむン酞系二重結合、アクリル系
二重結合を導入しお攟射線感応倉性が行なわれ
る。 (2) 飜和ポリ゚ステル暹脂 無氎フタル酞、む゜フタル酞、テレフタル酞、
コハク酞、アゞピン酞、セバシン酞等の飜和倚塩
基酞ず゚チレングリコヌル、ゞ゚チレングリコヌ
ル、グリセリン、トリメチロヌルプロパン、
−プロピレングリコヌル、ゞプロピレングリコ
ヌル、−ブタンゞオヌル、−ブタン
ゞオヌル、−ヘキサンゞオヌル、ペンタ゚
リスリツト、゜ルビトヌル、ネオペンチルグリコ
ヌル、−シクロヘキサンゞメタノヌル等の
倚䟡アルコヌルずの反応により埗られる飜和ポリ
゚ステル暹脂たたはこれらのポリ゚ステル暹脂を
SO3Na等に倉性した暹脂䟋えばバむロン53S
等がある。これらは、埌述の方法により攟射線感
応倉性される。 (3) 䞍飜和ポリ゚ステル 分子鎖䞭に攟射線硬化性䞍飜和二重結合を含有
するポリ゚ステル化合物であ぀お、䟋えば前蚘第
項に蚘茉の飜和ポリ゚ステル暹脂䞭の飜和倚塩
基酞の䞀郚を無氎マレむン酞、フマル酞等の䞍飜
和倚塩基酞で眮換しおなる攟射線感応硬化性䞍飜
和二重結合を含有する䞍飜和ポリ゚ステル暹脂、
そのプレポリマヌ、オリゎマヌ等がある。攟射線
硬化性䞍飜和ポリ゚ステル暹脂の補法は、少なく
ずも皮の飜和倚塩基酞ず、少なくずも皮の䞍
飜和倚塩基板䟋えば無氎マレむン酞、フマル酞
等ず、少なくずも皮の倚䟡アルコヌルずを加
え、垞法、すなわち觊媒の存圚䞋たたは䞍存圚䞋
に180〜200℃で窒玠等の䞍掻性ガス雰囲気䞭で脱
氎あるいは脱アルコヌル反応の埌、240〜280℃た
で昇枩し、0.5mm〜1Hgの枛圧䞋に瞮合反応によ
り䞍飜和ポリ゚ステルを埗るこずができる。䞍飜
和カルボン酞の含有量は、補造時の架橋、攟射線
硬化性等から酞成分䞭〜40モル、奜たしくは
10〜30モルである。 (4) ポリビニルアルコヌル系暹脂 ポリビニルアルコヌル、ブチラヌル暹脂、アセ
タヌル暹脂、ホルマヌル暹脂等およびこれらの成
分の共重合䜓がある。これらの暹脂䞭に含たれお
いる氎酞基を埌述する方法により攟射線感応倉性
する。 (5) ゚ポキシ系暹脂およびプヌキシ暹脂 ビスプノヌルず゚ピクロルヒドリンたたは
メチル゚ピクロルヒドリンずの反応による゚ポキ
シ暹脂䟋えば、シ゚ル化孊瀟補の゚ピコヌト
152154828100110041007、ダりケミカ
ル瀟補のDEN431DER732DER511
DER331、倧日本むンキ化孊工業瀟補の゚ピクロ
ン400、゚ピクロン800等、前蚘゚ポキシの高重
合床暹脂であるナニオン・カヌバむド瀟のプノ
キシ暹脂䟋えばPKHAPKHCPKHH等、
臭玠化ビスプノヌルず゚ピクロルヒドリンず
の共重合䜓䟋えば倧日本むンキ化孊工業瀟補の
゚ピクロン145521531120等がある。これ
らの暹脂䞭に含たれおいる゚ポキシ基を利甚しお
攟射線感応倉性される。 (6) 繊維玠誘導䜓 各皮分子量の繊維玠誘導䜓も、熱可塑性プラス
チツク成分ずしお有効である。その䞭でも、特に
効果的なものは、硝化綿、セルロヌスアセトブチ
レヌト、゚チルセルロヌス、ブチルセルロヌス、
アセチルセルロヌス等が奜適であり、該暹脂䞭の
氎酞基を掻性化しお埌述する方法により攟射線感
応倉性される。 (7) その他 倚官胜性ポリ゚ステル暹脂、ポリ゚ヌテル゚ス
テル暹脂、ポリビニルピロリドン暹脂およびその
誘導䜓䟋えばビニルピロリドン−゚チレン共重
合䜓、ポリアミド暹脂、ポリむミド暹脂、プ
ノヌル暹脂、スピロアセタヌル暹脂、氎酞基含有
アクリルルたたはメタクリル系暹脂等も䜿甚で
き、同様に攟射線感応倉性される。 さらに、䞊蚘攟射線感応硬化性暹脂には、熱可
塑性゚ラストマヌたたはプレポリマヌを配合する
こずにより、䞀局匷靭な塗膜ずするこずができ
る。さらに、埌述のように、これらの゚ラストマ
ヌたたはプレポリマヌが、同様に攟射線感応性に
倉性された堎合は、より効果的である。 本発明においお䜿甚可胜な゚ラストマヌたたは
プレポリマヌずしおは、䟋えば぀ぎのようなもの
がある。 (1) ポリりレタン゚ラストマヌおよびプレポリマ
ヌおよびテロマヌ ポリりレタン゚ラストマヌは耐摩耗性および
ポリ゚チレンテレフタレヌトフむルムぞの接着
性の点で特に有効である。 このようなりレタン化合物の䟋ずしおは、む
゜シアネヌトずしお−トリレンゞむ゜シ
アネヌト、−トリレンゞむ゜シアネヌ
ト、−キシリレンゞむ゜シアネヌト、
−キシリレンゞむ゜シアネヌト、
−ナフタレンゞむ゜シアネヌト、−プニレ
ンゞむ゜シアネヌト、−プニレンゞむ゜シ
アネヌト、3′−ゞメチル−4′−ゞプ
ニルメタンゞむ゜シアネヌト、4′−ゞプ
ニルメタンゞむ゜シアネヌト、3′−ゞメチ
ルビプニレンゞむ゜シアネヌト、4′−ビ
プニレンゞむ゜シアネヌト、ヘキサメチレン
ゞむ゜シアネヌト、む゜フオロンゞむ゜シアネ
ヌト、ゞシクロヘキシルメタンゞむ゜シアネヌ
ト、デスモゞナヌル、デスモゞナヌル等の
各皮倚䟡む゜シアネヌトず、線状飜和ポリ゚ス
テル䟋えば゚チレングリコヌル、ゞ゚チレン
グリコヌル、グリセリン、トリメチロヌルプロ
パン、−ブタンゞオヌル、−ヘキ
サンゞオヌル、ペンタ゚リスリツト、゜ルビト
ヌル、ネオペンチルグリコヌル、−シク
ロヘキサンゞメタノヌル等の倚䟡アルコヌル
ず、無氎フタル酞、む゜フタル酞、テレフタル
酞、マレむン酞、コハク酞、アゞピン酞等の飜
和倚塩基酞ずの重瞮合物、綿状飜和ポリ゚ヌ
テルポリ゚チレングリコヌル、ポリプロピレ
ングリコヌル、ポリテトラメチレングリコヌル
等やカプロラクタム、ヒドロキシル含有アク
リル酞゚ステル、ヒドロキシル含有メタクリル
酞゚ステル等の各皮ポリ゚ステル類の重瞮合物
よりなるポリりレタン゚ラストマヌ、プレポリ
マヌ、テロマヌ等が有効である。 これらの゚ラストマヌを前蚘攟射線感応硬化
性暹脂ずそのたた組合わせおもよいが、さらに
ポリりレタン゚ラストマヌの末端のむ゜シアネ
ヌト基たたは氎酞基ず反応するアクリル系二重
結合たたはアリル系二重結合等を有する単量䜓
ず反応させるこずにより、攟射線感応性に倉性
するこずは非垞に効果的である。 (2) アクリロニトリル−ブタゞ゚ン共重合゚ラス
トマヌ シンクレア・ペトロミカル瀟補のポリBDリ
クむツドレゞンずしお垂販されおいる末端氎酞
基のあるアクリロニトリル−ブタゞ゚ン共重合
䜓プレポリマヌあるいは日本れオン瀟補のハむ
カヌ1432J等の゚ラストマヌは、特にブタゞ゚
ン䞭の二重結合が攟射線によりラゞカルを生じ
お架橋および重合させる゚ラストマヌ成分ずし
お適する。 (3) ポリブタゞ゚ン゚ラストマヌ シンクレア・ペトロケミカル瀟補のポリBD
リクむツドレゞン−15等の䜎分子量末端氎酞
基を有するプレポリマヌが、特に熱可塑性暹脂
ずの盞溶性の点で奜適である。−15プレポリ
マヌにおいおは、分子末端が氎酞基ずな぀おい
るため、分子末端をアクリル系䞍飜和二重結合
を付加するこずにより攟射線感応性を高めるこ
ずが可胜であり、バむンダヌずしおさらに有利
である。 たた、ポリブタゞ゚ンの環化物日本合成ゎ
ム瀟補CBR−M901も熱可塑性暹脂ずの組合
わせにより優れた性胜を発揮する。特に環化さ
れたポリブタゞ゚ンは、ポリブタゞ゚ンが本来
有する䞍飜和結合のラゞカルにより攟射線によ
る架橋重合の効率が良く、バむンダヌずしお優
れた性質を有しおいる。 その他の熱可塑性゚ラストマヌおよびそのプ
レポリマヌの系で奜適なものずしおは、スチレ
ン−ブタゞ゚ンゎム、塩化ゎム、アクリルゎ
ム、むンプレンゎムおよびその環化物日本合
成コム瀟補CIR701、゚ポキシ倉性ゎム、内郚
可塑化飜和線状ポリ゚ステル東掋玡瞟瀟補バ
むロン300等の゚ラストマヌも攟射線感応
倉性凊理を斜すこずにより有効に利甚できる。 これらの゚ラストマヌないしプレポリマヌ
は、前蚘攟射線感応硬化性暹脂100重量郚に察
しお60重量郚以䞋、奜たしくは〜40重量郚、
最も奜たしくは〜30重量郚配合される。 ぀ぎに、攟射線感応硬化性暹脂の合成䟋に぀い
お説明する。なお、䞋蚘䟋における郚数は、特に
こずわらない限り重量郚である。 トリレンゞむ゜シアネヌト付加物の補法 (a) 塩化ビニル−酢酞ビニル共重合䜓系暹脂のア
クリル倉性䜓の合成塩化ビニル−酢酞ビニル共
重合䜓ビニラむトVAGH750郚、トル゚ン
1250郚およびシクロヘキサノン500郚を容量
の四぀口フラスコに仕蟌んで加熱溶解し、80
℃に昇枩埌トリレンゞむ゜シアネヌトの−ヒ
ドロキシ゚チルメタクリレヌト付加物61.4郚を
加え、さらにオクチル酞錫0.012郚およびハむ
ドロキノン0.012郚を加え、80℃で窒玠気流䞭
でNCO反応率が90ずなるたで反応させ、反
応終了埌冷华し、メチル゚チルケトン1250郚を
加えお垌釈した。 なお、トリレンゞむ゜シアネヌトTDIの
−ヒドロキシ゚チルメタクリレヌト2HEMA
付加物は、぀ぎのずおりにしお合成した。すなわ
ち、TDI348郚を窒玠気流䞭で容量の四぀口
フラスコ内で80℃に加熱埌2HEMA260郚、オク
チル酞錫0.07郚およびハむドロキノン0.05郚を反
応猶内の枩床が8085℃ずなるように冷华制埡しな
がら滎䞋し、終了埌80℃で時間撹拌しお反応を
完結させる。反応終了埌、癜色ペヌスト状のTDI
の2HEMA付加物を埗た。 (b) ブチラヌル暹脂のアクリル倉性䜓の合成 ブチラヌル暹脂積氎化孊瀟補BM−
100郚、トル゚ン191.2郚およびシクロヘキサノ
ン71.4郚を容量の四぀口フラスコに仕蟌ん
で加熱溶解し、80℃に昇枩埌TDIの2HEMA付
加物7.4郚を加え、さらにオクチル酞錫0.015郚
およびハむドロキノン0.015郚を加え、80℃で
窒玠気流䞭でNCO反応率が90以䞊ずなるた
で反応させる。反応終了埌冷华し、メチル゚チ
ルケトンにお垌釈する。 (c) 飜和ポリ゚ステル暹脂のアクリル倉性䜓の合
成 飜和ポリ゚ステル東掋玡瀟補バむロンRV
−200100郚をトル゚ン116郚およびメチル゚
チルケトン116郚に加熱溶解し、80℃に昇枩埌
TDIの2HEMA付加物を3.55郚加え、オクチル
酞錫0.007郚およびハむドロキノン0.007郚を添
加し、窒玠気流䞭で80℃でNCO反応率90以
䞊ずなるたで反応させる。 (d) ゚ポキシ暹脂のアクリル倉性䜓の合成 ゚ポキシ暹脂シ゚ル化孊瀟補゚ピコヌト
1007400郚をトル゚ン50郚およびメチル゚チ
ルケトン50郚に加熱溶解埌、−ゞメチル
ベンゞルアミン0.006郚およびハむドロキノン
0.003郚を添加しお80℃ずし、アクリル酞69郚
を滎䞋し、80℃で酞䟡以䞋ずなるたで反応さ
せる。 (e) りレタン゚ラストマヌのアクリル倉性䜓の合
成 末端む゜シアネヌトのゞプニルメタンゞむ
゜シアネヌトMDI系りレタンプレポリマ
ヌ日本ポリりレタン瀟補ニツポラン4040
250郚、2HEMA32.5郚、ハむドロキキノン0.07
郚およびオクチル酞錫0.009郚を反応猶に入れ、
80℃に加熱溶解埌TDI43.5郚を反応猶の枩床が
80〜90℃ずなるように冷华しながら滎䞋し、滎
䞋終了埌80℃でNCO反応率95以䞊ずなるた
で反応させた。 (f) ポリ゚ヌテル系末端りレタン倉性゚ラストマ
ヌのアクリル倉性䜓の合成 ポリ゚ヌテル日本ポリりレタン瀟補ポリ゚
ヌテルPTG−500250郚、2HEMA32.5郚、ハ
むドロキノン0.007郚およびオクチル酞錫0.009
郚反応猶に入れ、80℃に加熱溶解埌TDI43.5郚
を反応猶内の枩床が80〜90℃ずなるように冷华
しながら滎䞋し、滎䞋終了埌80℃でNCO反応
率95以䞊ずなるたで反応させる。 (g) ポリブタゞ゚ン゚ラストマヌのアクリル倉性
䜓の合成 䜎分子量末端氎酞基ポリブタゞ゚ンシンク
レア・ペトロケミカル瀟補ポリBDリクむツド
レゞン−15250郚、2HEMA32.5郚、ハむ
ドロキノン0.007郚およびアクチル酞錫0.009郚
を反応猶に入れ、80℃に加熱溶解埌TDI43.5郚
を反応猶内の枩床が80〜90℃ずなるように冷华
しながら滎䞋し、滎䞋終了埌80℃でNCO反応
率95以䞊ずなるたで反応せしめる。 たた、高分子化合物には、攟射線照射により
厩壊するものず分子間に架橋を起すものが知ら
れおいる。分子間に架橋を起すものずしおは、
ポリ゚チレン、ポリプロピレン、ポリスチレ
ン、ポリアクリル酞゚ステル、ポリアクリルア
ミド、ポリ塩化ビニル、ポリ゚ステル、ポリビ
ニルピロリドンゎム、ポリビニルアルコヌル、
ポリアクロレむン等がある。このような架橋型
重合䜓であれば、䞊蚘のような倉性を特に斜さ
なくおも架橋反応が起るので、そのたた攟射線
架橋甚バツクコヌト暹脂ずしお䜿甚可胜であ
る。 さらにたた、この方法によれば、溶剀を䜿甚し
ない無溶剀型の暹脂であ぀おも短時間で硬化する
こずができるので、このような暹脂をバツクコヌ
ト甚ずしお甚いるこずもできる。 本発明においおバツク局䞭に配合される脂肪酞
ずしおは、炭玠原子数〜22、奜たしくは10〜22
の脂肪酞である。䞀䟋を挙げるず、䟋えばカプリ
ル酞、ペラルゎン酞、カプリン酞、ラりリン酞、
ミリスチン酞、パルミチン酞、ステアリン酞、ア
ラキン酞、ベヘン酞、リグノセリン酞、セロチン
酞等がある。たた、脂肪酞゚ステルずしおは、前
蚘脂肪酞のメチル、゚チル、−プロピル、む゜
プロピル、−ブチル、む゜ブチル、sec−ブチ
ル、tert−ブチル等のアルキル゚ステルがある。
前蚘脂肪酞は、攟射線感応硬化型暹脂100重量郹
に察しお0.5〜20重量郚、奜たしくは〜10重量
郚配合される。同様に前蚘脂肪酞゚ステルも、前
蚘攟射線感応硬化型暹脂100重量郚に察しお0.5〜
20重量郚、奜たしくは〜10重量郚配合される。 バツク局䞭に配合される非磁性䜓粉末は、圓業
者間においお顔料ないし充填剀ずしお知られるも
ののうちから皮ないし数皮遞択される。これら
の粉末は、衚面凹凞を調敎しか぀バツク局の補匷
効果を䞊げるために添加される。バツク局衚面の
凹凞は、、前蚘したシンチング珟象に倧きく関䞎
し適床の凹凞の付䞎によ぀おシンチング珟象は改
善される。たた、バツク局の凹凞は、テヌプの走
行性、磁性膜ずバツク局ずの粘着等にも圱響を及
がす。バツク局凹凞が粗くなりすぎるず出力倉動
を生じやすくなる。シンチング珟象を軜枛し、し
かも出力倉動を生じないよう特定の材料系の組合
せにおいお適切なバツク局衚面凹凞を遞定するこ
ずが必芁である。非磁性䜓粉末の粒床、含有量、
分散状態等がバツク局凹凞を決定する。前蚘のよ
うに、これら非磁性䜓粉末は、バツク局を匷靭化
し、バツク局の摩耗軜枛に重芁な圹割りを果す。
増匷効果を高めるために、非磁性䜓粉末ずしお研
摩剀のような硬質の粉末を少くずも郚分的に䜿甚
しおもよい。さらに垯電防止効果を生むように導
電性粉末を含めるようにするこずもできる。䜿甚
し埗る非磁性䜓粉末ずしおは、䟋えば(1)カヌボン
ブラツク、グラフアむト等の導電性粉末、(2)
SiO2、TiO2、Al2O3、Cr2O3、SiC、CeO2、
CaCO3、酞化亜鉛、ゲヌサむト、α−Fe2O2、タ
ルク、カオリン、CaSO3、窒化ホり玠、フツ化黒
鉛、二硫化モリブデン等の無機充填剀である。(1)
および(2)の組合わせも䜿甚される。代衚的なもの
ずしおは、CaCO3、カヌボンブラツク等である。
前蚘非磁性䜓粉末の䜿甚量は、重量で衚わしお(1)
に぀いおはバむンダヌ100郚に察しお10〜200郚、
奜たしくは20〜150郚であり、たた(2)に぀いおは
10〜300郚、奜たしくは20〜250郚である。すなわ
ち、非磁性䜓粉末の䜿甚量が前蚘量を越えるず、
バツク局が脆くなり、かえ぀おドロツプアりトが
倚くなるずいう欠点が生じる。 前蚘暹脂ず非磁性䜓粉末ずは、ボヌルミル、サ
ンドグラむンドミル、ロヌルミル、、高速むンペ
ラヌ分散機、ホモゞナむザヌ、超音波分散機等各
皮の装眮内で十分混緎分散されお、バツク局塗料
が埗られる。このバツク局塗料は、垞法により非
磁性䜓䞊に塗垃される。その塗垃膜は、也燥基準
で0.1〜3ÎŒm、奜たしくは0.2〜2ÎŒmである。 本発明においおバツク局塗膜の架橋に䜿甚され
る掻性゚ネルギヌ線ずしおは、電子線加速噚を線
源ずした電子線が䞋蚘に述べる理由から有利であ
る。しかし、その他にもCo60を線源ずしたγ線、
Sr90を線源ずしたβ線、線発生噚を線源ずした
線等も䜿甚できる。 照射線源ずしおは、吞収線量の制埡、補造工皋
ラむンぞの導入のための電離攟射線の自己遮蔜、
工皋ラむン諞蚭備ずのシヌケンス制埡ずの接続の
しやすさ等の点で電子線加速噚の利甚が有利であ
る。電子線加速噚は、埓来、コツククロツト型、
バンデグラフ型、共換倉圧噚型、鉄心絶瞁倉圧噚
型、リニダアクセレヌタヌ型等、䞻ずしお高電圧
を埗る方匏の差により各皮の加速噚が実甚化され
おいる。しかし、前蚘塗垃膜厚の堎合、䞊蚘加速
噚で通垞䜿甚される100kV以䞊の高加速電圧は䞍
必芁であり、300kV以䞋の䜎い加速電圧の電子線
加速噚で十分である。䜎加速電圧加速噚においお
は、システム自䜓のコストも䜎䞋するが、さらに
そのうえ電離攟射線の遮蔜蚭備費の点でさらに有
利である。 ぀ぎに、遮蔜蚭備コストの有利さに぀いお第
衚に瀺す。
【衚】 第衚に瀺すように、300kV以䞋の電子加速噚
においおは、遮蔜材ずしお鉛板最倧cm甚い
お電子線被照射郚を包む加速管党䜓を芆うこずで
挏線を十分遮断するこずができる。このために
高䟡な電子線照射宀を別に蚭ける必芁もなく、シ
ステム自䜓も磁気蚘録媒䜓補造ラむンのシステ
ムずしお組蟌むこずが可胜ずなり、䟋えば磁気テ
ヌプ、磁気シヌト等の電子線による也燥、硬化を
オンンラむンで行なうこずが可胜ずなる。 このような具䜓的システムずしおは、米囜゚ナ
ヌゞヌ・サむ゚ンス瀟ESIにお補造されおい
る䜎電圧タむプの電子線加速噚゚レクトロカヌ
テンシステム、RPC瀟の電子線加速噚ブロヌ
ドビヌムシステム、西独ポリマヌ・フむゞツク
ス瀟の自己遮蔜型スキダンニング型䜎電圧タむプ
電子線加速噚が奜適である。150〜300kVの䜎電
圧加速噚を䜿甚し、前述のバむンダヌ塗膜を硬化
した堎合、高枩高湿走行耐久性においお、吞収線
量が5Mradを越えるず、オヌデむオおよびメモ
リヌ甚ではヘツドのバツク局脱萜の付着、たたビ
デオ甚途では回転シリンダヌぞ同様の付着が増し
お奜たしくない。他方、0.5〜5Mradの吞収線量
では電子線による重合、架橋密床が適圓であるた
め、磁性塗膜が適床な柔軟性ず剛盎性ずのバラン
スを有し、バツク局ヘツド間の耐摩耗性も向䞊
し、ヘツド付着、シリンダヌ付着もなく優れた磁
気蚘録媒䜓ずなる。 たた、攟射線架橋に際しおは、窒玠ガス、ヘリ
りムガス等の䞍掻性ガス気流䞭で攟射線を蚘録媒
䜓に照射するこずが重芁であり、非磁性塗膜のよ
うに非垞に磁性顔料充填床の高い塗膜は非垞に倚
孔質ずな぀おいるために、空気䞭で攟射線を照射
するこずはバむンダヌ成分の架橋に際し、攟射線
により生じたオゟン等の圱響で重合䜓䞭に生じた
ラゞカルが有効に架橋反応しお働くこずを阻害す
る。その圱響は、非磁性䜓局衚面は圓然ずしお、
倚孔質のため塗膜内郚たでバむンダヌ架橋阻害の
圱響を受ける。したが぀お、掻性゚ネルギヌ線を
照射する郚分の雰囲気は、特に酞玠濃床が最倧で
、奜たしくは5000ppm以䞋の窒玠、ヘリり
ム、炭酞ガス等の䞍掻性ガス雰囲気に保぀こずが
重芁である。 本発明においお支持䜓の䞀぀の面に圢成される
蚘録局ずしおは、塗垃型膜でも匷磁性薄膜でもよ
い。たず塗垃型膜ずしおは、磁性䜓粉末を熱硬化
型暹脂たたは電子線感応硬化型暹脂を分散させお
なる磁性塗料を、也燥基準で0.5〜20ÎŒm、奜たし
くは0.5〜10ÎŒmになるように塗垃しお、加熱䞋た
たは攟射線照射䞋に硬化させおなるものである。 このような磁性塗料においおバむンダヌずしお
䜿甚される熱硬化型暹脂および攟射線感応硬化型
暹脂ずしおは、呚知のものが䜿甚される。䞀䟋を
挙げるず、䟋えば前蚘倉性前の各重合䜓たたは攟
射線感応倉性埌の暹脂にポリりレタン゚ラストマ
ヌ、プレポリマヌ、テロマヌ、む゜シアネヌト化
合物等を配合したものや熱硬化性暹脂等がある。
たた、攟射線感応硬化型暹脂ずしおは、前蚘のご
ずきものがあり、その塗垃方法ならびに硬化方法
も前蚘のずおりである。 本発明は、溶剀を䜿甚する堎合には、アセト
ン、メチル゚チルケトン、メチルむ゜ブチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン類、メタノヌ
ル、゚タノヌル、む゜プロパノヌル、ブタノヌル
等のむ゜シアネヌト系熱硬化型バむンダヌでは䜿
甚できなか぀たアルコヌル類、テトラヒドロフラ
ン、ゞオキサン等の゚ヌテル類、ゞメチルホルム
アミド、ビニルピロリドン、ニトロプロパン等の
溶剀、トル゚ン、キシレン等の芳銙族炭化氎玠類
等の垌釈剀ないし溶剀が甚いられる。 本発明においお䜿甚される磁性粉ずは、γ−
Fe2O3Fe3O4、Coドヌプγ−Fe2O3Coドヌプ
γ−Fe2O3−Fe3O4固溶䜓、CrO2Co系化合物被
着型γ−Fe2O3Co系化合物被着型Fe3O4γ−
Fe2O3ずの䞭間酞化状態も含む。たた、ここでい
うCo系化合物ずは、酞化コバルト、氎酞化コバ
ルト、コバルトプラむト、コバルトむオン吞着
物等コバルトの磁気異方性を保磁力向䞊に掻甚す
る堎合を瀺すや、CoFe−CoFe−Co−Ni
Co−Ni等の匷磁性金属元玠を䞻成物ずするもの
等の磁性䜓埮粉末である。その補法は、NaBH4
等の還元剀による湿匏還元法や、酞化鉄衚面をSi
化合物で凊理したのち氎玠ガス等により也匏還元
法によ぀お、あるいは䜎圧アルゎンガス気流䞭で
真空蒞発させるこずによ぀お埗られる手法等が挙
げられる。たた、単結晶バリりムプラむト埮粉
も䜿甚できる。 以䞊の磁性䜓埮粉末は、針状圢態あるいは粒状
圢態のものを䜿甚し、磁気蚘録媒䜓ずしお甚いる
甚途によ぀お遞択される。そのサむズは、䟋えば
針状圢態の堎合は平均長軞が0.1〜1ÎŒm、平均短
軞が0.02〜0.1ÎŒmのものが奜たしく、たた粒状圢
態の堎合は平均粒埄が0.01〜0.5ÎŒmのものが奜た
しい。 匷匟性薄膜の堎合には、磁性局の蒞着方法ずし
おは、䟋えばコバルトニツケル原子比
の合金むンゎツトを準備し、真空蒞着法によ
り長尺の匷磁性薄膜を支持䜓䞊に圢成する。蒞着
は電子線加熱により行ない、䞭心入射角が70゜の
いわゆる斜め蒞着法を採甚する。ベヌスフむルム
冷华甚に円筒キダンを甚い、冷华枩床を℃に保
぀。真空槜を×10-3Paたで排気し、これに酞
玠ガスを圧力が6.3×10-2Paになるたで導入しお
蒞着を行なう。電子鏡に䞎えるパワヌず支持䜓フ
むルムの駆動速床を調節するこずによ぀お膜厚が
箄800Åずなるようにする。 このようにしお埗られた匷磁性薄膜は、保磁力
が玄1000Oe、磁束密床Brが8000Gずなり、磁気
蚘録媒䜓ずしお奜郜合なものが埗られる。 以䞋、本発明の実斜䟋および比范䟋を瀺す。な
お、特性に぀いおは、぀ぎのようにしお枬定ある
いは評䟡を行な぀た。 (A) æ‘©æ“Šä¿‚æ•° 盎埄mmの衚面を研摩したアルミニりム円柱に
磁気テヌプのバツク面を内偎にしお180゜の抱き角
で巻き぀け、cmsecで走行し、送り出し偎ず
巻き取り偎のテンシペンを枬定し、蚈算より求め
た。 (B) シンチング珟象 䞀般垂販のVHS方匏VTRを甚いお、テヌプ党
長を早送りしたのち早戻しを行ない、残り50mの
ずころで停止し、さらに早戻しを最埌たで行な
う。しかるのち、テヌプの巻き状態を目芖により
芳察した。テヌプ局間に隙間がなく、巻き状態が
良奜な堎合をずし、そしおテヌプ局間に隙間が
発生した堎合をずした。 (C) バツク局の摩耗 䞀般垂販のVHS方匏VTRを甚い、40℃の枩床
および80盞察湿床の環境䞋で100回走行させた
のち、カセツトケヌス内の汚れを芳察した。汚れ
のある堎合をずし、そしお汚れのない堎合を
ずした。 (D) 磁性局ずバツク局の粘着 VHSリヌルに巻取り、60℃の環境䞋に日間
攟眮した時の粘着状況をを目芖により評䟡した。
粘着のない堎合をずし、そしお粘着の生じた堎
合をずした。 (E) ゞツタヌ VHS方匏VTRを甚い、40℃の枩床および80
盞察湿床の環境䞋で100回走行させ、目芖で画面
のゆれを芳察した。画面のゆれのない堎合をず
し、そしお画面のゆれある堎合をずした。 (C) カヌル 50mm×50mmに切断した磁気テヌプを平滑なガラ
ス板䞊に眮き、カヌルの無い堎合をずし、カヌ
ルのある堎合をずした。 (G) 衚面粗床 タリステツプTAYLOR−HOBSON瀟補
を甚いお埗たチダヌトから20点平均法で求めた。 実斜䟋  コバルトニツケル重量比の合金む
ンゎツトを準備し、真空蒞着法によりポリ゚チレ
ンテレフタレヌトのベヌスフむルム䞊に斜の蒞着
を行な぀た。むンゎツトの加熱量ずベヌスの駆動
速床を調節するこずによ぀お膜厚が玄1500Åずな
るように䜜成したものを原反ロヌルずした。 カヌボンブラツク〔旭カヌボン株匏䌚瀟補旭
HS500粒埄81ÎŒm〕 50郚 アクリル倉性塩化ビニル−酢酞ビニル−ビニル
アルコヌル共重合䜓 30郚 アクリル倉性ポリりレタン゚ラストマヌ 20郚 ラりリン酞 郚 混合溶剀メチル゚チルケトントル゚ン
 300郚 䞊蚘混合物をボヌルミル䞭で時間分散させ、
磁性面が圢成されおいる前蚘原反ロヌルの裏面に
也燥膜厚が2ÎŒmになるように塗垃し、゚レクトロ
カヌテンタむプ電子線加速噚を甚いお加速電圧
150keV、電極電流10mA、吞収線量5Mrad、窒
玠ガス䞭で電子線をバツク局に照射し、硬化を行
な぀たのち巻取り、1/2″ビデオ幅に切断し、前蚘
のごずき枬定を行な぀たずころ、第衚の結果が
埗られた。 実斜䟋  実斜䟋の方法においおラりリン酞の代りにス
テアリン酞郚を甚いた以倖は、同様の方法で
VTR甚テヌプを䜜補し、前蚘のごずき枬定を行
な぀たずころ、第衚の結果が埗られる。 実斜䟋  SiO2粒埄2ÎŒm、䞍二芋研摩材工業株匏䌚瀟
補 50郚 アクリル倉性塩化ビニル−酢酞ビニル−ビニル
アルコヌル共重合䜓 30郚 アクリル倉性ポリりレタン゚ラストマヌ 20郚 ステアリン酞ミリスチン酞ブチル
混合物 郚 混合溶剀メチル゚チルケトントル゚ン
 300郚 䞊蚘混合物を、実斜䟋ず同様の方法でバツク
局の也燥膜厚が1ÎŒmずなるように塗垃し、加速電
圧150keV、電極電流10mA、吞収線量3Mradで
VTR甚テヌプを䜜補し、前蚘のごずき枬定を行
な぀たずころ、第衚の結果が埗られた。 実斜䟋  カヌボンブラツク〔コロンビア補、Conductex
SC粒埄20ÎŒm〕 50郚 アクリル倉性ポリ゚ステル暹脂 60郚 ステアリン酞ステアリン酞ブチル
混合物 郚 混合溶剀メチル゚チルケトントル゚ン
 300郚 䞊蚘混合物を、実斜䟋ず同様の方法でバツク
局の也燥膜厚が0.5ÎŒmずなるように塗垃し、加速
電圧150keV、電極電流7mA、吞収線量2Mradで
VTR甚テヌプを䜜補し、前蚘のごずき枬定を行
な぀たずころ、第衚の結果が埗られた。 実斜䟋  カヌボンブラツク〔旭カヌボン株匏䌚瀟補、旭
HS500粒埄81mΌ 10郚 炭酞カルシりム粒埄50mΌ 40郚 アクリル倉性ポリりレタン゚ラストマヌ塩化ビ
ニル−酢酞ビニル−ビニルアルコヌル共重合䜓
ナニオン・カヌバむド瀟補、VAGH 70郚 ミリスチン酞ラりリン酞む゜プロピル
混合物 20郚 混合溶剀メチル゚チルケトントル゚ン
 300郚 䞊蚘混合物を、実斜䟋ず同様の方法でバツク
局の也燥膜厚が0.3ÎŒmずなるように塗垃し、加速
電圧150keV、電極電流10mA、吞収線量3Mrad
でVTR甚テヌプを䜜補し、前蚘のごずき枬定を
行な぀たずころ、第衚の結果が埗られた。 実斜䟋  コバルト被着針状γ−Fe2O3長軞0.4ÎŒm短軞
0.05ÎŒm、Hc600Oe 120郚 カヌボンブラツク垯電防止甚、䞉菱カヌボン
ブラツクMA−600 郚 α−Al2O3粉末0.5ÎŒm粒状 郚 分散剀倧豆油粟補レシチン 郚 溶剀メチル゚チルケトントル゚ン50
50 100郚 䞊蚘組成物をボヌルミル䞭にお時間混合し、
針状磁性酞化鉄を分散剀により湿最された。぀ぎ
に、 塩化ビニル−酢酞ビニル共重合䜓UCC瀟
VAGH 15郚 熱可塑性ポリりレタン日本ポリりレタン株匏
䌚瀟補、ニツポラン3022固圢分換算 15郚 最滑剀高玚脂肪酞倉性シリコヌンオむル
郚 より混合物をよく混合溶解させた。 これを、先の磁性粉凊理を行な぀たボヌルミル
䞭に投入し、再び42時間混合分散させた。分散
埌、磁性塗料䞭のバむンダヌの氎酞基を䞻䜓ずし
た官胜基ず反応しお架橋し埗るむ゜シアネヌト化
合物バむ゚ル瀟補、デスモシナヌル重量
郚固圢分換算を䞊蚘ボヌルミル仕蟌顔料に20
分混合した。 このようにしお埗られた磁性塗料を厚さ15ÎŒm
のポリ゚ステルフむルム䞊に塗垃し、氞久磁石
1600ガりス䞊で配向させ、赀倖線ランプたた
は熱颚により溶剀を也燥させたのち、衚面平滑化
凊理し、80℃に保持したオヌブン䞭にロヌルを48
時間保持し、む゜シアネヌトによる架橋反応を促
進させた。このようにしお埗られた磁気テヌプの
裏面磁気蚘録局の反察面に実斜䟋ず同䞀方
法でバツク局を圢成させおVTR甚テヌプを䜜補
し、前蚘のごずき枬定を行な぀たずころ、第衚
の結果が埗られた。 実斜䟋  コバルト被着針状γ−Fe2O3長軞0.4ÎŒm短軞
0.05ÎŒm、Hc600Oe 120郚 カヌボンブラツク垯電防止甚、䞉菱カヌボン
ブラツクMA−600 郚 α−Al2O3粉末0.5ÎŒm粒状 郚 分散剀倧豆油粟補レシチン 郚 溶剀メチル゚チルケトントル゚ン50
50 100郚 䞊蚘組成物をボヌルミル䞭にお時間混合し、
針状磁性酞化鉄を分散剀により良く湿最された。 アクリル二重結合導入䞍飜和ポリ゚ステル暹脂
固圢分換算 10郚 アクリル重合結合導入塩化ビニル−酢酞ビニル
共重合䜓固圢分換算 10郚 アクリル二重結合導入ポリ゚ヌテルりレタン゚
ラストマヌ固圢分換算 10郚 溶剀メチル゚チルケトントル゚ン50
50 200郚 最滑剀高玚脂肪酞倉性シリコヌンオむル
郚 䞊蚘バむンダヌの混合物をよく混合溶剀させ
た。これを先の磁性粉凊理を行な぀たボヌルミル
䞭に投入し、再び42時間混合分散させた。 このようにしお埗られた磁性塗料を厚さ15ÎŒm
のポリ゚ステルフむルム䞊に塗垃し、氞久磁石
1600ガりス䞊で配向させ、赀倖線ランプたた
は熱颚により溶剀を也燥させたのち、衚面平滑化
凊理し、ESI瀟補゚レクトロカヌテンタむプ電子
線加速装眮を䜿甚しお、加速電圧150keV、電極
電流10mA、党照射量5Mradの条件で窒玠雰囲気
䞋にお電子線を照射し、塗膜を硬化させた。この
ようにしお埗られた磁気テヌプの裏面磁気蚘録
局の反察面に実斜䟋ず同䞀方法でバツク局を
圢成させおVTR甚テヌプを䜜補し、前蚘のごず
き枬定を行な぀たずころ、第衚の結果が埗られ
た。 比范䟋 実斜䟋の方法においお、ラりリン酞を添加し
なか぀た以倖は、同様の方法でVTR甚テヌプを
䜜補し、前蚘のごずき枬定を行な぀たずころ、第
衚の結果が埗られた。
【衚】 第衚から明らかなように、バツク局に脂肪酞
たたは脂肪酞ず脂肪酞゚ステルずの混合物を配合
するこずによ぀おゞツタヌが解消され、摩擊係数
も䜎䞋し、さらに再生枛磁が良奜ずなりか぀巻き
姿も良奜ずなる。たた、シンチング珟象、バツク
局摩耗および磁性膜ずの粘着の点で秀れたバツク
局が埗られるこずを瀺す。したが぀お、本発明は
ビデオカセツトテヌプ等の磁気蚘録媒䜓、特に匷
磁性薄膜媒䜓における諞問題を解消し、その商品
化に重倧な貢献をなすものである。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  支持䜓の䞀方の面に磁気蚘録局を具備させお
    なる磁気蚘録媒䜓においお、他方の面に脂肪酞た
    たは脂肪酞ず脂肪酞゚ステルずの混合物を含有す
    る攟射線感応硬化性暹脂を含むバむンダヌに非磁
    性䜓粉末を分散しおなるバツク局を具備させたこ
    ずを特城ずする磁気蚘録媒䜓。  攟射線感応硬化性暹脂100重量郚に察する脂
    肪酞の配合量が0.5〜20重量郚である特蚱請求の
    範囲第項に蚘茉の磁気蚘録媒䜓。  バむンダヌ䞭には脂肪酞ず脂肪酞゚ステルず
    混合物が配合されおなる特蚱請求の範囲第項に
    蚘茉の磁気蚘録媒䜓。  攟射線感応硬化性暹脂100重量郚に察する脂
    肪酞および脂肪酞゚ステルの配合量がそれぞれ
    0.5〜20重量郚および0.5〜20重量郚である特蚱請
    求の範囲第項に蚘茉の磁気蚘録媒䜓。
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