JPS62141654A - 記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ジアセチレン誘導体化合物のＣ２Ｓ分子膜又
はその累積膜を含有する光記録媒体の光記録読取り方法
に関し、特に光古き込み手段として８００〜８５０　ｎ
ｍの赤外線レーザーを。

光記録読み取りｆ一段として５００〜７５０ｎｍの可視
光を用いた光記録読み取り方法に関する。

〔従来の技術〕

最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスクが注目を集めている。光ディスクは−・枚の
ディスク中に大針の文ｉｊＦ、文献等を記録保存できる
ため、オフィスにおける文月等の整理、管理が効率よ〈
実施できる。この光デイスク用の記録媒体としては、各
種のものが検討されているが１価格、製造の容易さから
有機材木４を用いたものが注目されている。

このような記録媒体用の有機材木ｌとして、ジアセチレ
ン誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に
着「１し、レーザー記録媒体として用いる記録技術が特
開昭５６−１４７８０７号に開示されている。しかし、
この明細書中には、どのようなレーザーを用いたか、あ
るいは用いるべきかの記載がなく、巾にレーザーを用い
て記録を実施したとの記載に留まっている。

本発明者らは１種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー（波長８００〜８５０ｎｍ）を使用した場
合にはレーザー記録が実施できないことを確認した。し
かし、光ディスク等の実用的な記録媒体としては、小型
で低出力の半導体レーザーにより光書き込みが可能でか
つ読み取りについても発光ダイオードや小型レーザーで
実施可能なことが要請される。

又、この記録媒体の記録層は、ジアセチレン誘導体化合
物の微結晶がバインダー中に分散してなるものであり、
記録層内におけるこれらの化合物の配向はランタムであ
り１その為場所によって光の吸収率や反射率が異なった
り、化学反応の程度が相違したりする現象が生じ、高密
度の記録には必ずしも適しているとはいえなかった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は小型軽量な半導体レー
ザーにより光書き込みが可能でかつ小型軽量な可視光発
光体の光照射により読み取りが可能な光記録読み取り方
法を提供することにある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度、高解像度で高速
記録が可能で、かつ高速、高精度な読み取りが可能な光
記録読み取り方法を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録画像を得ることのできる光記録読み取り方法を提供す
ることにある。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち１本発明の光記録読み取り方法は、少なくとも
親木性部位および疎水性部位を併有するジアセチレン誘
導体化合物の単分子膜又はその累積膜と、下記一般式（
Ｉ）で表わされる骨格を有するアズレニウム塩化合物を
含有する記録層を有してなる光記録媒体に、紫外線を照
射し、次いで８００〜８５０ｎｍの赤外線を記録情報に
応して！１ｑ射して記録層の被照射部を変色せしめる１
程と、該記録層に５００〜７５０ｎｍの１可視光を照射
して記録情報を読み取る１程とを含むことを特徴とする
。

（式中、Ｒ１−Ｒ７は、水素原子、ハロゲン原子又は１
イ曲の４１機残基を表わす、）〔作用〕 本発明の方法に用いる光記録媒体に含有される親水性部
位および疎水性部位を（Ｉｔ有するジアセチレン誘導体
化合物（以下、ＤＡ化合物と略称する）とは、隣接する
分子中のＣミＣ−Ｃ：Ｃ官能ノ１（間において１．４−
付加組合反応が可能な化合物であり１代表的には下記〜
・般式％式％ （式中、Ｘは、親木性部位を形成する親木性基であり、
ｍ、ｎは整数を表わす、） で表わされる化合物が挙げられる。

上記ＤＡ化合物における親水性基Ｘとしては、例えばカ
ルボキシル基、アミン入（、ヒドロキシ基　ニトリル基
、千オアルコール基、イミノノ、（、スルホン酸基、ス
ルフィニル基またはその金屈若しくはアミン塩が挙げら
れる。疎水性部位を形成するＨ　（ＣＨ２）ｍ−表わさ
れるアルキル 長鎖アルキル基が好ましい。また、ｎとしては以ドの％
ｈが好ましい。

方，本発明で用いる前記一般式（Ｉ）で表わされる骨格
を右′するアズレニウｔ，　１４２化合物（以ド．ＡＺ
化合物と略称する）は、７５０ｎｍ以ヒの波長域に吸収
ピークを有し、この波長の赤外光により発熱する化合物
である。

前記一般式（Ｉ）を含むＡＺ化合物は１次の３つに分類
できる。

（ＩＩ　）〜（ＩＶ　）に示す化合物に於いて、Ｒ１−
Ｒ７は水素原ｒ、ハロゲン原子又は１価の右機残ノ１（
を表わす。

１価の有機残基としては、アルキル基、アルコキシＪｋ
、Ｉｉ換もしくは未置換アリール基、アシル基置換もし
くは未首換アミノ基、ニトロＪ、（、とドロキシノ、（
、カルボキシル又は置換もしくは未置換アリールアゾ基
を挙げることができる。

Ａは２を結合によって結合した２価の有機残基を表し、
以Ｆの具体例で示す。

Ｚｅはバークロレート、フルオロポレート。

Ｐ−トルエンスルフォネート、パーフイオグイト、クロ
ライド、ブロマイド又はアイオダイドなどのアニオン残
基を表わす。

未発明に用いるＡＺ化合物の具体例を以ドに示す。

ＣＨ３／ 本発明に用いる光記録媒体は前記ＤＡ化合物と前記ＡＺ
化合物とを含有し、かつ該ＤＡ化合物が単独でまたはＡ
Ｚ化合物塩との混合状態で中分子１１！２またはその＋
Ｊｌｖｉ膜を形成している記録層を有してなるものであ
るが、該光記録媒体の具体的な構成としては、以下に示
すような態様がある。

（１）ＤＡ化合物１６とＡＺ化合物１７との混合中分子
膜またはその累積膜からなる記録層を有するもの（第２
図に模式的断面図を示す）。

（２）ＤＡ化合物１６の単分子Ｎまたはその累積１１り
からなる層と、ＡＺ化合物１７を含有する輻射線吸収層
１８との二層からなる記録層を有するもの（二層分離系
、第３図に模式断面図を示す）。

（３）ＤＡ化合物１６０単分子＋＋ｔｉまたはその累積
１１りからなるＡｅ１９の一層以ヒと、ＡＺ化合物１７
を含有する中分子１１りまたはその累積ｊ１りからなる
８層２０との−・層以にとが積層されてなる１記録層を
有するもの（ペテロ累積膜系、第４図に模式断面図を示
す）。

なお、二層分離系およびペテロ累積膜系においては、Ｄ
Ａ化合物の単分子１１りまたはその累積膜からなる層と
、ＡＺ化合物を含有する輻射線吸収層１８もしくは８層
２０とのｖ１層順序はいずれが記録層の表面側に位置し
てもよく、また、必要に応じてこのように構成される記
録層のＬに各種の保護層を設けてもよい。

本発明に用いる光記録媒体の基板１５としては、ガラス
、アクリル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等の
プラスチックフィルム。

紙、金属等の各種の支持材料が使用できるが。

ノ、（板側から輻射線を照射して記録を実施する場合に
は、特定波長の記録用輻射線を透過するものを用いる。

基板りあるいはＡＺ化合物を含有する層りにＤＡ化合物
の単分子膜または単分子累積１１りを形成するには１例
えばＩ　、Ｌａｎｇｍｕ　ｉ　ｒらの開発したラングミ
ュア・プロジェット法（以下、ＬＢ法と略）が用いられ
る。ＬＢ法は、分子内に親水ノ、（と疎水基を右する構
造の分子において１両者のバランス（両親媒性のバラン
ス）が適度に保たれているとき、この分子は水面上で親
木基を下に向けた単分子の層になることを利用して単分
子膜または単分子層の累積した膜を作成する方法である
。水面りの単分子層は二次元系の特徴をもつ０分子がま
ばらに散開しているときは、一分子当り面積Ａと表面圧
■との間に一次元理想気体の式、 ｎＡ＝ｋＴ が改り立ち、°゛気体１１．Ｊ　ＩＩとなる。ここに、
ｋはポルツマン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小
さくすれば分子間相互作用が強まり二次元固体の“°凝
縮膜（または固体＋１！２）”になる。凝縮膜はガラス
などの基板の表面へ一層ずつ移すことができる。

この方法を用いて、ＤＡ化合物の単分子ｌシまたは単分
子累積膜は、例えば次のようにして製造される。まずＤ
Ａ化合物をクロロホル１、等の溶剤に溶解し、これを水
相ヒに展開し、これら化合物を膜状に展開させた展開層
を形成する。

次にこの展開層が水相とを自由に拡散して拡がりすぎな
いように仕切板（または浮子）を設けて展開層の面積を
制限してＤＡ化合物の集合状態を制御し、その集合状態
に比例した表面圧口を得る。この仕切板を動かし、展開
面積を縮小して１１り物質の集合状態を制御し、表面圧
を徐々にヒ昇させ、累積膜の製造に適する表面圧ｎを設
定することができる。この表面圧を維持しながら静かに
清浄な基板あるいは表面にＡＺ化合物を含有する層が形
成されたノＮ板を垂直に上下させることにより、ＤＡ化
合物の単分子ＩＩりが基板にあるいはＡＺ化合物を含有
する層上に移しとられる。単分子膜はこのようにして製
造されるが、単分子層累積膜は、Ｆｉ？７記の操作を繰
り返すことにより所９ノの累積度の単分子層累積■りが
形成される。

小分子１１２を基板上に移すには、Ｆ述した垂１α浸漬
法の他、水モ付着法、回転円筒法などの方法か採用でき
る。水平４４着法は基板を水面に水平に接触させて移し
とる方法で、回転円筒法は２円筒型の基体を水面りを回
転させて単分子層を基板表面に移しとる方法である。前
述したル直浸漬法では、水面を横切る方向に表面が親水
性である基板を水中から引き上げると、−・層１］はＤ
Ａ化合物の親木基が基板側に向いた単分子層が基板上に
形成される。基板を上下させると、各行程ごとに一層ず
つ単分子膜が積層されていく、成膜分子の向きが引Ｅげ
行程と浸漬行程で逆になるので、この方法によると、各
層間は親水ノ、（と親水基、疎水基と疎水基が向かい合
うＹ型膜が形成される。

これに対し、水モ付着法は、基板を水面に水平に接触さ
せて移しとる方法で、ＤＡ化合物の疎水）、（が基板側
に向いた単分子層が基板−Ｈに形成される。この方法で
は、累積しても、ＤＡ化合物の分子の向きの交代はなく
全ての層において　独水ツ（がＪ、％板側に向いたＸ型
ｊ漠が形成される。反対に全ての層において親水基が基
板側に向いた累積１１９はＺ型膜と呼ばれる。

回転円筒法は１円筒型の基体を水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である。単分子層を基板
上に移す方法は、これらに限定されるわけではなく、大
面積基板を用いる時には、ノＳ板ロールから水相中に基
板を押し出していく方法なども採り得る。また、前述し
た蜆水火、疎水基の基板への向きは原則であり、ノＳ板
の表面処理等によって変えることもできる。

これらの単分子膜の移し取り操作の詳細については跣に
公知であり１例えば「新実験化学講座１８界面とコロイ
ド」４９８〜５０７頁、丸善刊、に記載されている。

また、二、以ヒの化合物からなるいわゆる混合単分子膜
または混合単分子累積膜もＬ述と同様の方法により得ら
れる。このとき、混合単分子ｌりまたは混合単分子累積
膜を構成する二重りの化合物のうち少なくともその一つ
が親木性部位と疎水性部位とを併有するものであればよ
く。

必ずしも全ての化合物に親水性部位と疎水性部疎水基と
の併有が要求されるものではない。すなわち、少なくと
も一つの化合物において両親媒性のバランスが保たれて
いれば、水面上に単分子層が形成され、他の化合物は両
親媒性の化合物に挾持され、結局全体として分子秩序性
のある単分子層が形成される。

したがって、ＤＡ化合物とＡＺ化合物との混合単分子膜
または混合単分子累積膜からなる記録層は、ＤＡ化合物
とＡＺ化合物とをクロロホルム等の溶剤に溶解し、これ
を水相りに展開し、これら化合物を１１り状に展開させ
た展開層を形成して先と同様にしてＬＢ法により形成す
ることができる。

しかし、成膜性を飛躍的に向とさせるためには、ＡＺ化
合物を両親媒性にする必要がある。

、・方、ＡＺ化合物を含有する層を形成するには、代表
的にはＡＺ化合物を適当な揮発性溶媒に溶解して塗布液
を作成し、これを塗布する方法が採用できる。塗布液に
は、基板やＤＡ化合物の単分子膜またはその累積膜から
なる層との密着性を向丘させるために、適宜天然若しく
は合成高分子からなる各種バインダーを添加してもよい
。また、この層の安定性、品質向丘を計るために各種の
添加剤を加えてもよい。

ＡＺ化合物の好適な溶媒としては、メタノール　エタノ
ール、イソ゛プロパツール等のアルコール類；アセトン
、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ７等のケトン類
ニアセトニトリル等の脂肪族ニトリル類：クロロホルム
１ｍ化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリ
クロルエチレン笠の脂肪族ハロゲン化炭化水素類：等か
挙げられ、塩化メチレン、アセトニトリルが特に好適で
ある。

このようにして得た塗！ａ液のｔｐｌは、スピナー回転
塗！Ｉ法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング
法、ビードコーティング法。

ワイヤーパーコーティング法　ブレードコーティングＩ
去、ローラーコーティング法　カーテンコーテイ〉・グ
法７の手法が用いられる。

また　ＡＺ化合物を含有する層は、ＤＡ化合物の単分子
ＩＱまたはその累積１１りからなる層と同様に単分子膜
またはその累積膜であってもよい。しかし、ＡＺ化合物
は両親媒性物質ではないので、単独ではＬＢ法によって
は単分子＋１９を形唆することはできない。ところが１
例えばステアリン酸、アラギジン酸などの高級脂肪酸の
ような両親媒性のバランスの適度に保たれた有機高分子
を担体分子として任意の比率で混合使用してＬＢ法を適
用すれば、ＡＺ化合物を含有する混合単分子＋１１１ｔ
または混合単分子累積膜が形成できる。

記録層がＤＡ化合物とＡＺ化合物とのｉｔ合合方分子膜
たはその累積膜からなるものである場合には、その膜厚
としては、累積膜が４００程度までのものが実用り好ま
しい。

また、二層分Ｍ系の場合は、ＤＡ化合物の単分子膜また
はその累積１１りの１１り厚としては、累積度が４００
程度までのものが好ましく、ＡＺ化合物含イ！層の膜厚
としては、単分子膜またはその累積膜として形成されて
いる場合には、累積度が２００程度までのものが、非単
分子膜として形成されている場合には、ｌＯＯ入〜１７
１ｍ程度、特に２００〜５０００人の範囲が好ましい。

ペテロ累積膜系の場合は、Ａ層１９と８層２０との接合
面が二重り存在し、Ａ層１９と８層２０とを併せた単分
子■りの累積度が２００程度までのものが実用と好まし
い。

本発明の光記録読み取り方法においては、記録、再生に
供されるＥ記のように構成された記録媒体は、先ず記録
層中のＤＡ化合物を重合させる。すなわち、ＤＡ化合物
は、初期にはほぼ無色透明であるが、記録層全体に紫外
線を照射すると重合し、ポリジアセチレン誘導体化合物
へと変化する。この重合は紫外線の照射によってのみ起
り、熱等の他の物理的エネルギーの印加によっては生じ
ない、この重合の結果、記録層は６２０〜６６０ｎｍに
最大吸収波長を有するようになり、青色乃至暗色へと変
化する。

この重合に基づく色相の変化は不可逆変化であり、一度
青色乃至１１７５色へ変化した記録層は無色透明膜へと
は戻らない。このようにして、先ず、記録層中のＤＡ化
合物を重合させ、ポリジアセチレン誘導体化合物へと変
化させ、記録層全体を青乃至暗色化させる。

この青色乃至暗色へ変化したポリジアセチレン誘導体化
合物は、約５０℃以北に加熱すると今度は約５４０ｎｍ
に最大吸収波長を有するようになり、赤色へと変化する
。この変化も不可逆変化である０本発明の光記録読み取
り方法は、このようなポリジアセチレン誘導体化合物の
変色特性を利用して光書き込みおよび光記録読み取りを
実施するものであり、以下、この本発明の光記録読み取
り方法につき詳述する。

第１図は１本発明の光２録読み取り方法を実施するのに
用いる光記録再生装置の一例を示す模式図である。この
光記録再生装置ｔ！ｔは、光記録媒体ｌを所定位置にセ
ットするための不図示の光記録媒体載置手段と、光記録
媒体へ情報を３込むための情報書き込み手段と、光記録
媒体に書き込まれた記録情報を読み取るための情報読み
取り手段から構成されている。情報書き込み手段は、ａ
ＯＯ〜８５０ｎｍの範囲内の波長の赤外線を放射する半
導体レーザー２、入力情報に応じて主導体レーザー２の
発振を制御する制御回路３および光学系（コリメートレ
ンズ４゜グイクロイックミラー５、反射板６．波長板７
および対物レンズ８）から構成されている。半導体レー
ザー２としては、旦体的には、出力波長８００〜８５０
ｎｍのＧａＡｓ接合レーザーを使用するのが特に好適で
ある。

一方、情報読み取り手段は、駆動回路９により制御され
、５５０〜７５０ｎｍの範囲の波長の可視光を放射する
半導体レーザーまたは発光ダイオードｌＯ１出力回路１
１に接続するフォトディテクター１２および光ピツクア
ップ光学系（光学系の大部分は、情報書き込み手段用の
光学系と共用しているが、独自のものとしてコリメート
レンズ１３、偏光ビームスプリッタ１４を有している）
から構成されている。

半導体レーザー１０としては、６５０〜７５０ｎｍＱ囲
の波長の可視光を放射するもの１例えばＧａＡｕＡｓの
ＰＮ接合レーザーを使用するのが好適であり１発光ダイ
オード１０としては、５５０〜７５０ｎｍ＠囲の波長の
可視光を放射するもの１例えばＧａＡｓＰ　、ＧａＰ　
。

ＧａＡ１Ａｓ等の接合ダイオードを使用するのが好適で
ある。

入力情報、制御回路３を経て半導体レーザー２により光
信号に変換される。この光信号は光学系を経て、光記録
媒体載置手段１−に載置され、同期回転している青色乃
至１１ｔ５色の記録層を有する光記録媒体の所定の位置
に結像される。

結像位置は光記録媒体が一層混合系の場合は記録層であ
り、二層分離系の場合はＡＺ化合物を含有する輻射線吸
収層である。（４Ｎｉ像点（部位）に存在するポリアセ
チレン１透導体化合物はこの波長のレーザービームを吸
収しないが、ＡＺ化合物はこのレーザービームを吸収し
発熱する。

このＡＺ化合物の発熱が隣接するポリシアセチレン誘導
体化合物に伝わり、ポリジアセチレン誘導体化合物が赤
色へと変色する。かくして入力情報に応じて記録層辷の
記録部位の色変化による光書き込みが実施される。

−・方、光記録読み取りは、５５０〜７５０ｎｍの範囲
の波長の可視光を放射する半導体レーザーまたは発光ダ
イオード１０から放射される低出力の連続発振光を使用
して実施する。

この読み取り光は低出力であるＬ、波長が赤外域から外
れているので、ＡＺ化合物を発熱させない。したがって
、この読み取り光によって読み取り中に記録が実施され
ることはない、読み取り光は、光記録媒体１の記録層表
面に結像し、反射されるが、この読み取り光の反射率は
、記録部位（変色部位）とそうでない箇所とでは異なる
ので、この反射光を光ピツクアップ光学系を通してフォ
トディテクター１２の受光面にあてることにより、電気
信号に変換し、出力回路１１を介して記録の再生読み取
りが行われる。

光記録媒体としては、上述の例では円盤状のディスク（
光ディスク）が用いられたが、ポリジアセチレン誘導体
化合物およびジエン化合物塩を含有する記録層を支持す
る基板の種類により、光テープ、光カード等も使用でき
る。

〔発明の効果〕

本発明の光記録読み取り方法の効果を以下に列挙する。

（１）記録層が８００〜８５０ｎｍの範囲内の波長の赤
外線を吸収するＡＺ化合物を含有しているので、８００
〜８５０ｎｍの赤外線を放射する小型軽量の半導体レー
ザーを用いて光書き込みが実施でき、また５５０〜７５
０　ｎｍの範囲の波長の可視光を放射する小型軽量の半
導体レーザーや発光ダイオードにより読み取りが可能で
ある。

（２）記録媒体として、少なくとも記録層中のＤＡ化合
物が、（混合）単分子膜またはその累積膜として形成さ
れた高密度で高度な秩序性を有したものを用いるので、
高密度で均質な光書き込みおよび光読み取りが実施でき
る。

（３）光照射による記録層の色相の変化を利用した記録
、再生方法なので、高速、高密度、高感度な光書き込み
が実施でき、また、高速。

高精度な光読み取りが実施できる。

（４）特に、それぞれ単分子膜またはその累積膜として
形成されたＤＡ化合物からなる感熱変色層とＡＺ化合物
を有してなる輻射線吸収層との接合面を二重Ｅ有するヘ
テロ■りとして形成された記録媒体を用いた場合には、
記録媒体内での伝熱効率が極めて高いので、高感度な光
書き込みが実施できる。

〔実施例〕

以下１本発明を実施例に基づきより詳細に説り（する。

実施例１ ＣＬ２Ｈ２５−ＣミＣ−Ｃ−：Ｃ−Ｃ３Ｈ１６−Ｃ０Ｏ
Ｈで表わされるジアセチレ゛ン誘導体化合物１実屋部と
前記の化合物Ｎｏ、１で表ゎさｈ６ＡＺ化合物１重量部
とをクロロホルムにｌＸｌ０−３モル／交の濃度で溶解
した溶液を、ｐＨがｅ、　５−ｃ　ｆａ化カドニウム濃
度がＬｘｌＯ−３モル／文の水相−ヒに展開した。溶成
のクロロホルＬ、を／Ｍ発除去した後、表面圧を２０ｄ
ｙｎｅ／’　Ｃｍまで高め、一定に保ちながら、１分に
洗浄し清ｎ１で表面が親水性となっているガラスノ、（
板を、水面を横切る方向にに下速度１．０ｃｍ／分で静
かにに下させ、ＤＡ化合物とＡＺ化合物とのＩＩｔ合単
分子１１りを〕λ板１−に移しとり、混合小分（・膜な
らひに２１層、４１層および８１層に累積した況合屯分
子−累積膜を基板りに形成した光記録媒体を作成した。

これら光記録媒体に２５４ｎｍの紫外線を均一・かつ十
分に照射し、記録層中のＤＡ化合物を重合させ、記録層
を青色膜にした後、第１図に示した記録装置を用い、入
力情報にしたがい以下の記録条件により記録書き込みを
実施した。

半導体レーザー波長　　　　：　　８３０ｎｍレーザー
ビーム径　　　　　＝　１延ｍレーザー出力　　　　　
　　：　　３ｍＷ１ビットあたりのレーザービームのｉ
籾沖寺間：　　　　？　０９ｎＳ青色の光記録媒体表面
にレーザービームを照射すると照射部は赤色に変色し、
記録書き込みが行われた。記録の読み取りには、波長６
８、Ｏｎｍ、出力１ｍｗの半導体レーザーを読み取り光
源として使用し、その反射光をフォートディテクター（
ＰＮ接合フォトダイオード）で受光した。

記録書き込みの評価は次のようにして実施した。記１録
濃度は、記録（赤色）部のオプティカルデンシティ−を
測定した。解像度および感度は、記録画像とレーザービ
ーム径の対応を顕微鏡により観察して判定し、非常に良
好なものをＯ１良好なものを０、記録ができないあるい
は対応の劣悪なものを×とした。また、記録読み取りは
、搬送波雑音比（Ｃ／Ｎ比）を測定して評価した。評価
結果を第１表に示した。

比較例１ 実施例１で作成した三種の光記録媒体に２５４ｎｍの紫
外線を均一かつ十分に照射して記録層を青色膜にした後
、入力情報にしたがい。

下記の条件により記録書き込みを実施した。

レーザー波長　　　　　　　：　　８７０ｎｍレーザー
ビーム径　　　　　：　　Ｉ＃Ｌｍレーザー出力　　　
　　　　：　　３ｍｗ１ビツトあたりのレーザービーム
の照射時間：　　　２００ｎｓ記録読み取りおよび評価
は、実施例１にして実施し、その評価結果を第１表に示
した。

比較例２ 実施例１で作成した三種の光記録媒体に２５４ｎｍの紫
外線を均一・かつ十分に照射して記録層を青色膜にした
後、入力情報にしたがい、下記の条件により記録書き込
みを実施した。

実施例１で作成した四種の光記録媒体に２５４ｎｍの紫
外線を均一かつ十分に照射し。

記録層を青色膜にした後、入力情報にしたがい、以下の
記録条件により記録を実施した。

レーザー波長　　　　　　　：　　７９０ｎｍレーザー
ビーム径　　　　　：　ｌ牌ｍレーザー出力　　　　　
　　：　　３ｍｗ１ビツトあたりのレーザービームの照
射時間：　　　２００ｎｓ記録読み取りおよび評価は、
実施例１にして実施し、その評価結果を第１表に示した
。

比較例３ ＡＺ化合物を使用しない以外は、実施例１と同様の方法
により光記録媒体を作成した。この光記録りｖ体の記録
層を青色膜にした後、実施例１と同様な条件で記録の書
き込みおよび読み取りを実施した。記録の評価は、実施
例１と同様にして行い、その結果を第１表に示した。

第１表 実施例２ −・般式Ｃｌ２Ｈ２５−ＣミＣ−Ｃミｃ−ｃ　ＢＨ１６
−ＣＯＯＨで表わされるＤＡ化合物化合物に代え、一般
式Ｃ９Ｈ１７−ＣミＣ−ＣミＣ−Ｃ２Ｈ４−Ｃ００Ｈ−
ｃ’表わされるＤＡ化合物を用いたことを除いては実施
例１と同様の方法により単分子膜の累積度４１の記録媒
体を作成した。この記録媒体に対して実施例１と同様な
条件で記録の書き込みおよび読み取りを実施した。その
評価結果を第２表に示した。

実施例３〜６ 化合物ＮＯ，１で表わされるジエン化合物塩に代え、化
合物Ｎｏ、３．８．１２．ｔｓで表わされるＡＺ化合物
をそれぞれ用いたことを除いては実施例２と同様にして
光記録媒体を作成した。これらの光記録媒体に対して実
施例１と同様な条件でそれぞれ記録の書き込みおよび読
みヤリを実施した。その評価結果を第２表に示した。

第　　２　　表 実施例７ 化合物ＮＮｏ１で表わされるジエン化合物塩１重量部を
境化メチレン４重量部中に溶解して得た塗布液を、スピ
ナー塗布機に装着したガラス製のディスク基板（厚さ１
．５　ｍ＋ｗ、直径２００　ｍｍ）の中央部に少量滴下
した後、所定の回転数で所定の時間スピーチを回転させ
塗布し、常温で乾燥し、基板上の乾燥後の塗膜の厚みが
２００人及び３０００人のものを夫々多数準備した。

次に、一般式Ｃｌ　２Ｈ２５−Ｃ；Ｃ−ＣミＣ−Ｃ９Ｈ
１６−Ｃ０ＯＨで表わされるＤＡ化合物の単分子累積膜
を実施例１と同様な方法により、基板りのＡＺ化合物層
上に移しとり、７層ならびに４１層、１０１層、及び２
０１層に累積した単分子累積１１９を形成した記録媒体
を夫々作成した。これらの光記録媒体の記録層を青色膜
にした後、実施例１と同様な条件で記録の書き込み及び
読み取りを実施した。記録の評価は、実施例１と同様に
して行い、その結果を第３表に示した。

第３表 実施例８ 一般式ＣＩ　２Ｈ２５−Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ８Ｈｌ　（
３−ＣＯＯＨで表わされるＤＡ化合物をクロロホルムに
１ｘｌＯ−３モル／文の濃度で溶解した溶液を、ｐＨが
６．５で塩化カドミニウム濃度が１ｘｌｏ−３モル／立
の水相上に展開した。

溶媒のクロロホルムを除去した後、表面圧を２０ｄｙｎ
ｅ／ｃｍまで高め、一定に保ちながら、十分に清浄し、
表面が親水性となっているガラス基板（既にＡＺ化合物
類を含有する単分子膜から構成される累積膜等が形成さ
れている場合を含む）を、水面を横切る方向に上下速度
１．０ｃｍ／分で静かに所定の回数上下させ（途中、乾
燥工程を実施する）、ＤＡ化合物の単分子膜を基板上に
移しとり、単分子膜または単分子累積膜を形成した。

化合物Ｎｏ、ｌで表わされるＡＺ化合物塩１重量部とア
ラキシン酸２重量部をクロロホルムに１ｘｌＯ−３モル
／ｌの濃度で溶解した溶液をｐＨが６．５で塩化カドニ
ウム濃度がｌ　Ｘ　ｌ　Ｏ−３モル／文の水相ｌ−に展
開した。溶媒のクロロホルムを除去した後１表面圧を２
０ｄｙｎｅ／ｃｍまで高め一定に保ちながら、十分に清
浄し１表面が親木性となっているガラス基板（既にＤＡ
化合物の単分子膜から構成される累積膜等が形成されて
いる場合を含む）を、水面を横切る方向に上下速度１．
０ｃｍ／分で静かに所定の回数上下させ（途中、乾燥工
程を実施する）ＡＺ化合物を含有する単分子膜を基板上
に移しとり、単分子膜または単分子累積１漠を形成した
。

上記したＤＡ化合物単分子膜およびＡＺ化合物類を含有
する単分子膜の作製プロセスを基本として、これらの操
作を適宜組合せて実施することにより８種のへテロ累積
膜をガラス基板−ヒに作製した。このようにして作製し
たベテロ累積膜（光記録媒体）を第４表に示した。なお
。

光記録媒体の記録層の構成を示す記号、番号の意味を下
記に例示する。

ｔｉ・Ｇ／２０ＡＺ／６０ＤＡ／２０ＡＺガラス基板（
Ｇ）ｋに、累積度２０のＡＺ化合物を含有する単分子累
積膜→累積度６０のＤＡ化合物の単分子累積膜→累積度
２０のＡＺ化物塩を含有する単分子累積膜、の順で積層
して構成された光記録媒体。

壱Ｇ／ｌＯｘ　（２ＡＺ／６ＤＡ） ガラス基板（Ｇ）ｈに、累積度２のＡＺ化合物を含有す
る単分子累積膜と累積度６のＤＡ化合物の単分子累積１
１りとの積層の組合せが、１０回繰り返され積層して構
成された光記録媒体。

これら光記録媒体に２５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分
に照射し、記録層中のＤＡ化合物を正合させ、記録層を
青色膜にした後、入力情報にしたがい、実施例１と同様
の記録条件により記録を実施した。記録の評価は実施例
１と同様にして行い、その結果を第４表に示した。

第４表

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光記録読み取り方法に用いる記録装
置の一例を示す模式図である。 第２図ないし第４図は１本発明の方法に用いる光記録媒
体の構成を例示する模式断面図である。 ｌ二光記録媒体 ２二半導体レーザー ３：制御回路 ４：コリメートレンズ ５：ダイクロイックミラー ６：反射板 ７：波長板 ８：対物レンズ ９：駆動回路 ｌＯ：半導体レーザーまたは発光ダイオード１１：出力
回路 １２：フォトディテクター １３：コリメートレンズ １４：偏光ビームスプリッタ− １５：　　、ｌ、Ｑ仮 １６：ジアセチレン誘導体化合物 １７：アズレニウム塩化合物 １８ニアズレニウム川化合物含有層 １９：Ａ層 ２０：Ｂ層 ２１：有機担体分子 特許出願人　　キャノン株式会社 「−一一一二 代　　理　　人　　　　丸　　　島　　　儀　　　−“
　　　　；Ｌ−一」 手糸売ネ由正書（自発）　　　　　　　　　５・昭和６
１年１１月１０日 才、旨′ｌ庁長官　黒　１）明　雄　殿　　　　　　　
　　　　　　６゜昭和６０年特８′［願第２８２２１２
号２、発明の名称 光記録−再生装置 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 住所　東京都大Ｅ口区下丸子３−３０−２　　　　　．
４補正の対象 明細書 ＠ 補正内容 ）発明の名称を「光記録−再生装置ｊに補正する。 ）特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 ）明細書第６両第１６行目から第１７行目までの「また
、ｎとしては〜以下の整数が好ましい。」を「また、ｎ
としては８以下の整数が好ましい。」に訂正する。 ）明細書第３２頁第７行目の［実施例１で作成した三種
の」を「実施例１で作成した四種の」に訂正する。 ）明細書第３２頁下から３行目の「実施例１で作成した
三種の」を「実施例１で作成した四種の」に訂正する。 ）明細書第３８貝第３表のアズレニウム塩化合物含有層
の厚みの欄のｒｌ　０００人」をｒ３０００人」に訂正
する。 ２、特許請求の範囲 応じて照射して記録層の被照射部を　色せしめる±ｘ　
）　＠　Ｍｅ＝　７１Ｌ　＠　Ｗ’ｒ　１！皇豊ｈ＜　
’！、　９１−　！９　？　ｈ　；Ｅｒ　！ｔｅ　；Ｊ
　’Ａｎ　”Ｊ装置。 １゜

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 少なくとも親水性部位及び疎水性部位を併有するジアセ
   チレン誘導体化合物の単分子膜又はその累積膜と、下記
   一般式（ I ）で表わされる骨格を有するアズレニウム
   塩化合物を含有する記録層を有してなる光記録媒体に、
   紫外線を照射し、次いで８００〜８５０ｎｍの赤外線を
   記録情報に応じて照射して記録層の被照射部を変色せし
   める工程と、該記録層に５００〜７５０ｎｍの可視光を
   照射して記録情報を読取る工程とを含むことを特徴とす
   る光記録読取り方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１〜Ｒ＿７は、水素原子、ハロゲン原子又
   は１価の有機残基を表わす。）