JPS62163050A - 光記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ジアセチレン誘導体化合物を含有する光記録
媒体への光記録方法に関し、特に光書き込み手段として
８００〜９００ｎｌＴｌの赤外線レーザーを用いた光記
録方法に関する。

（従来の技術） 最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスクが注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大量の文書、文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文書等の整理、管理が効率よく実７ｉ
＆できる。この光デイスク用の記録層ｆとしては、各種
のものが検討されているが、価格、製造の容易さから有
機材料を用いたものがン主目されている。

このような記録素子用の有機材料として、ジアセチレン
誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録層そとして用いる記録技術が特開昭
５６−１４７８０７号に開示されている。しかし、この
明細占中には、どのようなレーザーを用いたか、あるい
は用いるべきかの記・敗がなく、ｉｌｉにレーザーを用
いて記録を実施したとの記載に留まっている。

本発明者らは、種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー（波長８００〜’ｌＯ［１ｎｍ）を使用し
た場合にはレーザー記録が実施できないことを確認した
。しかし、光ディスク等の実用的な記録媒体としては、
小型で低出力の半導体レーザーにより光書き込みが可能
なことが要請される。

−方、特開昭５９−４１３６３号および特開昭５９−１
４６０６１号には、各種のビリリウム染料、チオピリリ
ウム染料およびセレナピリリウム染料が開示さね、これ
ら染料を含有する有機被膜か半導体レーザー輻射波長領
域の輻射線を吸収し発熱するので、レーザーエネルギー
によりビットを形成するいわゆるヒートモード記録が実
施できることを開示している。しかし、記録媒体の表面
に物理的なピットを形成して記録を実施する場合には、
初期の記録層の表面が十分に平滑であると同時に記録後
においても記録媒体の表面に傷を付けないよう一ト分な
注意が必要となるとともに、高密度で高速記録を実施す
ることは比較的困難である。

また、これらの記録媒体の記録層は、ジアセチレン話４
体化合物の微キー、晶あるいはビリリウム染料、チオピ
リリウム染料およびセレナピリリウム染料からなる群よ
り選ばれた一種以トがバインダー中に分散してなるもの
であり、記ｔ１層内におけるこれら化合物の配向はラン
ダムであり、そのため場所によって光の吸収率や反射率
が異ったり、化学反応の程度が相違したりする現象か生
じ、高密度の記録には必ずしも適しているとはいえなか
った。

（発明が解決しようとする問題点〕 本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は小型軽徂の半導体レー
ザーで光書き込みが可能な光記録方法を提供することに
ある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度で高速シ【Δ録の
’ｉ’ｒ丁能な光記録方法を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録方法を提供することにある。

〔問題点を解決するための毛段〕

すなわち、本発明の光記録方法は、少なくとも親水性部
位および疎水性部位を併有するジアセチレン誘導体化合
物の単分子ｌｌ５１！又はその累積膜とビリリウム染料
、チオピリリウム染料およびセレナピリリウム染料から
なる群より選ばゎた一種以上とを打してなる記録層を有
する光記録媒体に、紫外線を照射し、次いで８００〜’
１１００ｎの赤外線を記録情報に応じて照射して、記録
層の照射部を変色させる工程を有することを特徴とする
。

本発明に用いる親水性部位および疎水性部位を併有する
ジアセチレン誘導体化合物（以ド、ＤＡ化合物と略称す
る）とは、隣接する分子中のｃ＝ｃ−ｃ＝ｃ−ｃ官能基
間において１．４−付加重合反応が可能な化合物であり
、代表的にはド記一般式％式％ （式中、Ｘは、親水性部位を形成する親水性基であり、
ｍ、ｎは整数を表わす。） て表わされる化合物が挙げられる。

Ｌ記ＤＡ化合物における親水性基×としては、例えばカ
ルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシ基、ニトリル上し
、千オアルコールＪ、ｔ−イ３　／　１ｔ、　　７１１
／ホン酸基、スルフィニル基またはその金属若しくはア
ミン塩が挙げられる。疎水性部位を形成するＩｔ（Ｃ１
ｈ）ｉ−表わされるアルキル基どしては炭素原子数か１
〜３０の長鎖アルキル基が好ましい。また、ｍ＋ｎとし
ては　１〜３０の整数が好ましい。

一方、本発明の方法に用いる光記録媒体に含有されるビ
リリウム染料、チオピリリウム染料およびセレナピリリ
ウム染料（以下ビリリウム染料類と略称する）とは、下
記の基本構造 （式中、×は酸素原子、イオウ原子またはセレン原子を
表わし、Ｒ１，Ｒ２、およびＲ３は各種の有機残基を表
わし、Ａは陰イオンを表わす。）を有する化合物であっ
て、　７８０〜９００ｎｍに吸収ピークを有し、この波
長の赤外光により発熱する化合物である。このピリリウ
ム染料類としては、代表的には下記一般式（１）〜（３
）で示される染料が例示される。

一般式（１） 一般式（２） ｅ （式中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、およびＲ７フェニル、トリ
ル、キシリル、クロロフェニル、メトキシフニルなどの
置換若しくは未置換のアリール基または２−ピリシル、
３−ピリジル、２−フリル、２−チェニル、２−チアゾ
リル、３−カルバゾリル、２−キノリル、３−キノリル
、２−イミダゾリル、２−レピジル、３−メトキシ−２
−ピリジル、６−メチル−２−ピリジル、４．５−ジメ
チル−２−チアゾリル、４，５−ジフェニル−２−チア
ゾリル、４−フェニル−２−チアゾリル、９−エチル−
３−カルバゾリルなどの置換若しくは未置換の複素環基
を表わし、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、およびＲ７のうちの少な
くとも一つは置換若しくは未置換の複素環基を表わす。

ＲＯは水素原子、メチル、エチル、プロピル、ブチルな
どのアルキル基またはフェニル、トリル、キシリル、ク
ロロフェニル、メトキシフニルなどの置換若しくは未置
換のアリール基を表わす。Ｒ９はメチルまたはエチル基
を表わす。

ｘｌおよびｘ２は酸素原子、イオウ原子またはセレン原
子を表わす。八は塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化
物イオン、過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩イ
オン、ｐ−トルエンスルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩
イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イオンな
どの陰イオンを表わす。） これらピリリウム染料類の代表的な具体例を以下に例示
する。但し、陰イオンについては、便宜北全て過塩素酸
イオンで代表させた。

ＣａＨ５ＣＺＯ４゜ 本発明に用いる光記録媒体は、前記りへ化合物と舶記ビ
リリウム染料類とを含有し、かつ該ＤＡ化合物か単独で
またはピリリウム染料類との混合状態で単分子膜または
その累積膜を形成している記録層を有してなるものであ
るが、該光記録媒体の具体的な構成としては、以）−に
示すような態様がある。

（１）Ｄ式化合物９と、ピリリウム染料類１０との混合
単分子膜又はその累積ＩＩＱからなる記録層を有するも
の。（混合系、第２図に模式的断面図を示す。） （２）ＤＡ化合物９のＱｉ分子−膜またはその累積膜か
らなる層と、ピリリウム染料類１０を含有する層との二
層からなる記録層を有するもの。

（二層分離系、第３図に模式断面図を示１−）（３）Ｄ
式化合物９の１ｐ分子膜またはその累積ＩＩ！２からな
るＡ層の一層以十と、ピリリウム染料類を含有する【１
１−分子−膜またはその累積ＩＩＩλからなるＢ層との
一層以りとか積層されてなる記録層を（＋−１−るもの
く・＼テロー（目−°ｉ膜系、第４図に模式断面図を示
す）、。

なお、二層分用系およびペテロ累積膜系においては、Ｄ
Δ化合物の単分子−膜またはその累積膜からなる層と、
ピリリウム染料類を含有する輻射線吸収層もしくはＢ層
との積層順序はいずわが記録層の表面側に位置してもよ
く、また、必要に応してこのように構成される記録層の
上に各種の保護層を設けてもよい。

本発明の光記録媒体のＪ、ζ板８としては、ガラス、ア
クリル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプラ
スデックフィルム、紙、金属等の芒種の支持材料か使用
てきるか、基板側から輻射線を照射して記録を実施する
場合には、特定波長の記録用輻射線を透過１−るものを
用いる。

−）、Ｉ、板モにこのような中外−；−＋漠または哨分
子累禎）１１２からなる記録層を形成コ）−るには、例
えば１．Ｌａｎｇｍ旧「らの開発したランクミ；ノア・
ブロシェ・ソト７誌（以ド、Ｌ　Ｂ法と略）か用いられ
る。ＬＢ法は、分子−内に親水ノ、（と疎水４．Ｌをイ
１−する構造の分子において、両者のバランス（両親媒
性のバランス）か適度に保たれているとき、この分子は
水面上て親水基を下に向けた屯分子の層になることを利
用して単分子膜または東分子層の累積した膜を作成する
方法である。水面上の単分子層は二次元系の特徴をもつ
。分子がまばらに散開しているときは、一分子当り面積
Ａと表面圧■との間に二次元理想気体の式、 ｎＡ＝ｋＴ が成り立ち、゛気体膜′°となる。ここに、ｋはポルツ
マン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれば
分子間相互作用が強まり二次元固体の“凝縮膜（または
固体膜）“になる。凝縮膜はガラスなどの基板の表面へ
一層ずつ移すことができる。

また、二以上の化合物からなるいわゆる混合単分子膜ま
たは混合単分子累積膜も上述と同様の方法により得られ
る。このとき、混合単分子膜または混合単分子累積膜を
構成する二以上の化合物のうち少なくともその一つが親
水性部位と疎水性部位とを併有するものであればよく、
必ずしも全ての化合物に親水性部位と疎水性部疎水基と
の併有か要求されるものではない。１−なわら、少なく
とも一層つの化合物において両親媒性のバランスが保た
れていれば、水面［にＩｌｉ分子層か形成され、他の化
合物は両親媒性の化合物に挟持され、結局全体として分
子秩序性のある単分子層か形成される。

本発明に用いられる記録媒体の記録層が例えばＤ八（ジ
アセチレン誘導体）化合物とピリリウム染料類より選ば
れた一種以Ｆとの混合単分子ｊ摸もしくは混合単分子累
積膜からなるときは、それらの膜は、例えば次のように
して製造される。まずＤΔ化合物とピリリウム染料類と
を、クロロホルム等の溶剤に溶解し、これを水相上に展
開し、これら化合物を膜状に展開させた展開層を形成す
る。次にこの展開層か水相上を自由に拡散して拡がりす
きないように仕切板（または浮ｆ）を設けて展開層の面
積を制限してこれら化合物の集合状態を制御し、その集
合状態に比例した表面圧ｎを得る。

この仕切板を動かし、展開面積を縮少して膜物質の集合
状態を制御し、表面圧を徐々に上昇させ、累積膜の製造
に適する表面圧ｎを設定することがてきる。この表面圧
を維持しながら静かに清浄な基板を重直に一ト下させる
ことにより、ＤＡ化合物とピリリウム染料類との混合単
分子膜が基板ヒに移しとられる。単分子膜はこのように
して製造されるが、ｍ分子一層累積膜は、面記の操作を
縁り返すことにより所望の累積度の単分子層′Ｊ？、積
ＩＩ！２が形成される。

！１１分子膜を基板上に移すには、上述した垂直浸漬法
の他、水）イζｊ７１法、回転円筒法なとの方法が採用
できる。水平付着法は基板を水面に水平に接触させて移
しとる方法で、回転円筒法は、円筒型の基体を水面トな
回転させて単分子層を基体表面に移しとる方法である。

１甫述した垂直浸漬法では、水面を横切る方向に表面が
親水性である基板を水中から引き上げると、一層目はＤ
Ａ化合物の親水基か基板側に向いた四分子層かノ、！、
板−４二に形成される。ノ、（板を上下させると、各行
程ごとに一層ずつ混合ｉｎ−分Ｙ−膜が積層されていく
。成膜分子の向きか引上げ行程と浸漬行程で逆になるの
で、この方法によると、各層間は親木基と親木基、疎水
基と疎水基が向かい合うＹ型膜が形成される。

これに対し、水手付着法は、基板を水面に水平に接触さ
せて移しとる方法で、Ｄ式化合物の疎水基が基板側に向
いた単分子層が基板上に形成される。この方法では、累
積しても、Ｄ式化合物の分子の向きの交代はなく全ての
層において、疎水基が基板側に向いたＸ型膜が形成され
る。反対に全ての層において親木基かコ１ζ板側に向い
た累積膜はＺ型膜と呼ばれる。

回転円筒法は、円筒型の基体を水面−ヒを回転させて！
１１分子層を）、（体表面に移しとる方法である。

四分子層を基板上に移す方法は、こわらに限定されるわ
けではなく、大面積基板を用いる時には、基板ロールか
ら水相中に基板を押し出していく方法なともとり得る。

また、面述した親水基、疎水２、この基板への向きは原
則であり、基板の表面処理等によって変えることもでき
る。

また記録層にＤΔ化合物の中分子−１漠又はｉｌ’−分
子一累積膜を作成する場合も１νｆ記と同様のＬＢ法か
適用できる。

さらにピリリウム染料類の単分子膜又は単分子膜）１°
１膜を作成する場合には、ピリリウム染料類に、ステア
リン酸アラルギン酸などの高分子脂肪酸のような両親媒
性のバランスの適度に保たれた有機高分子を担体分子と
して任意の比率で混合使用することにより、直配と同様
の方法（ＬＢ法）が適用できる。

これらの単分子ｌｌＩ２の移し取り操作の詳細について
は既に公知であり、例えば「新実験化学講座１８界面と
コロイド」４９８〜５０７頁、丸善刊、に記載されてい
る。

このようにして、基板上に形成される単分子膜およびそ
の累積膜は、高密度で高度な秩序性を有しているので、
場所による光吸収のバラツキは極めて小さい。したがっ
て、このような膜によって記録層を構成することにより
、Ｄ式化合物とピリリウム染料類との機能に応して、光
記録、熱的記録の可能な高密度、高解像度の記録機能を
有する本発明に用いる記録媒体か得られる。

本発明の記録方法においては、記録に供される上記のよ
うに構成された記録媒体は、まず記録層中のＤ式化合物
を重合させる。すなわち、ＤΔ化合物は、初期にはほぼ
無色透明であるが、記録層全体に紫外線を照射すると石
合し、ポリジアセチレン誘導体化合物へと変化する。こ
の重合は紫外線の照射等によって起り、単に熱エネルギ
ーの印加のみによっては生じない。この重合の結果、記
録層は６２０〜６６０ｒ＋ｍに最大吸収波長を有するよ
うになり、青色乃至暗色へと変化する。この重合に基づ
く色相の変化は不可逆変化であり、一度青色乃至暗色へ
変化した記録層は無色透明膜へとは戻らない。このよう
にして、記録層中のＤ式化合物か重合しポリジアセチレ
ン誘導体化合物へと変化し、青色乃至暗色化した記録層
を有する記録媒体が、本発明の方法に使用される。

この青色乃至暗色へ変化したポリジアセチレン誘導体化
合物は、約５０℃以上に加熱すると今度は約５４０ｎｍ
に最大吸収波長を有するようになり、赤色へと変化する
。この変化も不可逆変化である。

本発明の光記録方法は、このようなポリジアセチレン誘
導体化合物の変色特性を利用して記録を実施するもので
あり、以下この本発明の記録方法につき詳述する。

第１図は、本発明の光記録方法を実施するのに用いる光
記録装置の一例を示す模式図である。この光記録装置は
、光記録媒体１を所定位置にセットするための不図示の
光記録媒体載置手段と光記録媒体へ情報を書込むための
情報書込み手段とがら構成されている。情報８込み手段
は、８００〜ｑσＯｎｍの範囲内の波長の紫外線を放射
する半導体レーザー２、人力情報に応じて゛Ｉ！：導体
レーザー２の発振を制御する；ｔす列回路３および光学
系（コリメートレンズ４、反射板５、波長板６および対
物レンズ７）から構成されている。半導体レーザー２と
しては、出力波長８２０〜８４０ｎｍのＧａＡｓの接合
レーザー、例えばＩＩＬＰ−１５００（商品名、日立製
作所製出力波長（ＬｌＯｎｍ、最大出方ｌ　ＯｍＷ　）
を使用するのか好適である。

人力情報は、制御回路を経て゛ト導体レーザーにより光
信号に変換される。この光信号は光学系を経て、光記録
媒体載置手段上に載置され、同期回転している青色乃至
暗色の記録層を有する光記録媒体の所定の位置に結像さ
れる。結像点（部位）に存在するポリジアセチレン誘導
体化合物はこの波長のレーザービームを吸収しないが、
ピリリウム染料類はこのレーザービームを吸収し発熱す
る。このピリリウム染料類の発熱が隣接するポリジアセ
チレン誘導体化合物に伝わり、ポリジアセチレン誘導体
化合物が赤色へと変色する。がくして人力情報に応じて
記録層トの記録部位の色変化による光記録が実施される
。

光記録媒体としては、■述の例ては円盤状のディスク（
光ディスク）が用いられたが、ポリジアセチレン誘導体
化合物およびピリリウム染料類を合作する記録層を支持
する基板の種類により、光デーゾ、光カード等も使用で
きる。

〔発明の効果〕

本発明の光記録方法の効果を以下に列挙する。

（１）記録層がＤ式化合物の、混合またはｔ…独の単分
子膜またはその累積膜で形成されているので高密度で高
度な秩序性を有しておりピンホール等が少なく、したが
って搬送板雑音比が高く、高密度で均質な信頼性の高い
記録が可能である。

（２）記録層が波長８００〜ｑＱＯｎｍの赤外光を吸収
して発熱するピリリウム染料類を含有しているので小型
軽量の半導体レーザーを用いて光記録が実施できる。

（３）光照射による記録層の色相の変化を利用した記録
が可能なので、高速、高感度、高密度な光記録が実施で
きる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例に基づきより詳細に説明する。

実施例１ 一般式ｃ、２Ｈ２，−ｃ＝ｃ−ｃ＝ｃ−ｃ８Ｈ，６−ｃ
ｏ叶で表わされるジアセチレン誘導体化合物１重１部と
前記の染料Ａ７で表わされるチオピリリウム染料１重量
部とをクロロホルムに１×１０−３モル／１の濃度で溶
解した溶液を、ｐＨが６．５で塩化カドミニウム濃度が
ｌＸｌ０−：１モル／ｌの水相トに展開した。溶媒のク
ロロホルムを蒸発除去した後、表面圧を２０ｄｙｎｅ／
ｃｍまで高め、一定に保ちながら、１−分に洗浄し、表
面がト分に請浄て親水性となっているガラス基板を、水
面を横切る方向に上下速度１．０ｃｍ／分で静かにトド
させ、Ｄ式化合物とチオピリリウム染料との混合単分子
膜を基板りに移しとり、混合ｍ分子膜ならびに２１層、
４１層、および８１層に累積し、た混合ジアセチレン屯
分子累積膜を基板Ｅに形成した光記録媒体を作成した。

これら光記録媒体に２５４ｎｍの紫外線を均一がっ十分
に照射し、記録層中のＯＡ化合物を重合させ、記録層を
青色膜にした後、人力情報にしたがい、以下の記録条件
により記録を実施した。

半導体レーザー（ＮＬＰ−１５００、日立製作新製）レ
ーザー波長：　　８３０ｎｍ レーザービーム径＝　ｌ− レーザー出力・　３ｍＷ、 １ビツトあたりのレーザービームの照射時間：００ｎｓ 青色の光記録媒体表面にレーザービームを照射すると照
射部は赤色に変色し、記録が実施された。この記録の評
価を次のようにして実施した。

記！　１１５度は、記録（赤色）部のオプティカルデン
シティ−を測定した。解像度および感度は、記録画像と
レーザービーム径の対応を顕微鏡により観察して判定し
、非常に良好なものを◎、良好なものをＯ１記録ができ
ないあるいは対応の劣悪なものを×とした。この記録結
果の評価を第１表に示した。

実施例２ 実Ｍｉ例１で作成した四種の光記録媒体に２５４ｒ＋＋
＋＋の紫外線を均一かつ４−分に照射し、記録層を青色
膜にした後、入力情報にしたがい、記録に用いるレーザ
ーを変更し、下記の記録条件により記録を実力＆した。

半導体レーザー（ＩＩＬＰ−７８０２、日ｑ製作所製）
レーザー波長：　　８００ｎｍ レーザービーム径：　１μｍ レーザー出カニ　　３ｍＷ、 １ビツトあたりのレーザービームの照射時間：００ｎｓ 記録の評価は、実施例１と同様な基準により実施し、そ
の評価結果を第１表に示した。

実施例３、比較例１．２ 記録に用いるレーザーをそれぞれ下記のものに変更した
ことを除いては実施例１と同様な条件で記録を実施し、
その評価結果を第１表に示した。

実施例３：半導体レーザー（Ｇａ　　Ａｓレーザー（Ｗ
−へテロ構造）、試作品的）レーザー波長：　８９ｎｓ
ｍ 比較例１：半導体レーザー（Ｇａ−Ａｓレーザー（Ｗ−
へテロ構造）、試作品的）レーザー波長：　９６０ｎｍ 比較例２：キセノンガスレーザー、レーザー波長：　７
５２ｎｍ 比較例３ ピリリウム染料を使用しない以外は、実施例１と同様の
方法により光記録媒体を作成した。この光記録媒体に対
して、実施例１の記録条件により記録を実施した。その
評価結果を第１表に示した。

第１表 実施例４ 一般式ＣＭ２Ｈ７Ｓ−Ｃ三Ｃ−Ｃ三Ｇ−Ｃ８）（１６−
Ｇｏ叶で表わされるジアセヂレン誘導体化合物に代え、
一般式ＣＢＨ１７ＣＥＣ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ７Ｈ４−Ｃ０ＯＨ
を用いたことを除いては実施例１と同様の方法により累
積数４１の光記録媒体を作成した。この光記録媒体に対
して実施例１と同し記録条件により記録を実施した。そ
の評価結果を第２表に示した。

実施例５〜８ 染料述７て表わされるチオピリリウム染料に代え、染料
ＡＩＦ、、５　、　Ｍａ６　、扁、＋４及び扁１６で表
わされるピリリウム染料類をそ、ｈぞ４用いたことを除
いては実施例１と同様の方法により累４１’ｉ　９４１
の光記録媒体を作成した。この光記録媒体に対して実施
例１と同じ記録条件により記録を実施した。その評価結
果を第２表に示した。

第２表 実施例９ 前記の染料層７で表わされるチオピリリウム染料１０重
量部を塩化メチレン２０重量部中に溶解して得た塗布液
を、スピナー受布機に装着したガラス製のディスク基板
（厚さ　１．５ｍｍ、直径２００ｍｍ）の中央部に少量
滴下した後、所定の回転数で所定の時゛間スピナーを回
転させ塗布し、常温で乾燥し、基板上の乾燥後の塗膜の
厚みが２００人および３０００人のものをそれぞれ多数
準備した。

次に、一般式（：、２！（２５−Ｃ：（ニーＣＥ（ニー
Ｃ３Ｈ１６−（：００１で表わされるＤＡ化合物をクロ
ロホルムに３ＸｌＯ−３モル／！の濃度で溶解した溶液
を、ｐＨが６．５で塩化カドミニウム濃度が１ＸＩＯ−
３モル／ｌの水相上に展開した。溶媒のクロロホルムを
蒸発除去した後、表面圧を２０ｄｙｎｅ／ｃｍまで高め
一定に保ちながら、先にチオピリリウム染料層を表面に
形成したガラス基板を、水面を横切る方向に上下速度１
．０ｃｍ／分で静かに上下させ、ＤＡ化合物の単分子膜
をチオピリリウム染料層上に移しとり、単分子膜ならび
に７層、４１層、１０１層および２月層に累積したｌｉ
ｉ分子累積膜を基板トに形成した光記録媒体を作成した
。

これら光記録媒体に２５４層ｍの紫外線を均一かつト分
に照射し、記録層中のＤへ化合物を爪台させ、記録層を
青色膜にした後、入力情報にしたがい、実施例１と同様
の記録条件により記録を実施した。

青色の光記録媒体表面にレーザービームを照射すると照
射部は赤色に変色し、記録が実施された。この記録の評
価を実／ｉれ例Ｉと同様の方法で行った。この記録結果
の評価を第３表に示した。

第３表 実施例１〇 一般式ｃ、２Ｈ２５−ｃ＝ｃ−ｃ＝ｃ−ｃ８Ｈ，６−ｃ
ｏ叶で表わされるジアセヂレン誘導体化合物をクロロホ
ルムに１ＸＩｏ−３モル／ｌの濃度で溶解した溶液を、
ｐＨが６．５で塩化カドミニウム濃度がｔｘｔｏツモル
／ｌの水相上に展開した。溶媒のクロロホルムを除去し
た後１表面圧を２０ｄｙｎｅ／ｃｍまで高め、一定に保
ちながら、−１分に清浄し、表面が親水性となっている
ガラス基板（既にピリリウム染料類を含打する単分子膜
から構成される累積膜等が形成されている場合を含む）
を、水面を横切る方向に上下速度１．０ｃｍ／分で静か
に所定の回数Ｆ下させ（途中、乾燥工程を実施する）、
Ｄへ化合物の単分子膜を基板上に移しとり、単分子膜ま
たは単分子累積膜を形成した。

前記の染料／Ｌ７表わされるチオピリリウム染料１重量
部とアラキシン酸２重量部をクロロホルムにｌＸｌ０−
３モル／ｌの濃度で溶解した溶液を、ｐｌ＋が６．５で
塩化カドミニウム濃度が１Ｘｌｏ−３モル／１の水相）
−に展開１７た。、溶専のクロロホルムを詮去した後、
表面圧を２０ｄｙｎｅ／ａｍまで高め一定に保ちなから
、十分に請浄し、表面が親水性となっているガラス基板
（既にＤＡ化合物の単分子膜がら構成される累積膜等が
形成されている場合を含む）を、水面を横切る方向に一
ヒＦ速度１．ＯｃｍＺ分で静かに所定の回数Ｆ下させ（
途中、乾燥工程を実施する）、チオピリリウム染料を含
有する単分子膜を基板トに移しとり、単分子膜または単
分子累積膜を形成した。

Ｆ記した、［ｌＡ化合物単分子膜およびチオピリリウム
染料を含有する東分子膜の作製プロセスを基本として、
これらの操作を適宜組合せて実施することにより　８種
のへテロ累積１漠をガラス基板上に作製した。このよう
にして作製したベテロ累積膜（光記録媒体）を第４表に
示した。なお、光記録媒体の構成を示す記号、番号の意
味を下記に例示する。

■Ｇ　／　２０ＰＬ／　６０ＤＡ／　２０ＰＬガラス基
板（Ｇ）上に、累積度２ｏのチオピリリウム染料を含有
する東分子累積膜→累積度６゜のＤΔ化合物の屯分ト累
梢膜→累＋ｉ’ｉ度２０のチオピリリウム染料を含有す
るｌ朴分子累積膜、の順で積層して構成された光記録媒
体。

■Ｇ／ＩＯｘ　（２ＰＬ／　６ＤＡ） ガラス基板（Ｇ）上に、累積度２のチオピリリウム染料
を含有する単分子累積膜と累積度６のＤへ化合物の単分
子累積膜との積層の組合せが、１０回繰り返さね積層し
て構成された光記録媒体。

こわら光記録媒体に２５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分
に照射し、記録層中のＤＡ化合物を重合させ、記録層を
青色膜にした後、入力情報にしたがい、実施例１と同様
の記録条件により記録を実施した。

青色の光記録媒体表面にレーザービームを照射すると照
射部は赤色に変色し、記録が実施された。この記録の評
価を実施例１と同様の方法で行った。この記録結果の評
価を第４表に示した。

第　　４　　表 ＤＡ：ジアセチレ嘩導体化合物

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に用いる情報記録装置の１例を示すブロ
ック図であり 第２図、第３図、第４図は本発明に使用する光記録媒体
の典型的態様例の模式的断面図である。 １：光ディスク　　２：半導体レーザ（８３０ｎｍ）３
：制御回路　　　４：コリメートレンズ５：反射鏡　　
　　６　：　１７４波長板７：対物レンズ　　８：基板 ９ニジアセチレン誘導体化合物 １０：ピリリウム染料類 １１：ピリリウム染料ＩＣ１含有層 １２：Ａ層　　　　１３：Ｂ層 １４：有機担体分子−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）少なくとも親水性部位および疎水性部位を併有する
   ジアセチレン誘導体化合物の単分子膜又はその累積膜と
   、ピリリウム染料、チオピリリウム染料およびセレナピ
   リリウム染料からなる群より選ばれた一種以上とを有し
   てなる記録層を有する光記録媒体に、紫外線を照射し、
   次いで８００〜９００ｎｍの赤外線を記録情報に応じて
   照射して、記録層の照射部を変色させる工程を有するこ
   とを特徴とする光記録方法。