JPS61239988A - 記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ジアセチレン誘導体化合物の単分子膜又は単
分子累積膜の化学変化若しくは物理変化を利用して記録
を行ない、且つ記録保存性に優れた記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

従来、有機化合物を記録層とする記録媒体として種々の
ものが知られている。

例えば、有機化合物を薄膜にして記録層として用いる光
記録媒体については、特開昭５６−１６９４８号公報、
特開昭５８−１２５２４６号公報に開示されている。い
ずれも有機色素を記録層とし、レーザービームにより記
録再生を行なうレーザー記録媒体に関するものである。

特に特開昭５８−１２５２４６号公報に開示された媒体
は、一般式、 で表わされるシアニン系色素の薄膜を記録層とするもの
である。（１）式で表わされるシアニン系色素溶液を回
転塗布機などを用いて、例えば１０００〜ｚｏｏｏＡの
厚さにプラスチック基板上に塗布し薄膜を形成する。膜
内の分子分布配向がランダムであると、光照射に伴って
膜内での光散乱が生じ、且つ分子の反応部位間の距離が
一様でない為に、微視的に見た場合、各光照射毎に生ず
る化学反応の度合が異なってくる。その為に、一定の入
力信号に対し、忠実に応答する確実な記録が得られず、
高密度記録の障害となっていた。

更に記録後、外光と反応するため、記録保存性が悪く、
取扱いが難しいという欠点があった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

そこで本発明け、従来技術の斯かる欠点を解決しようと
するものである。

すなわち本発明の目的は、高感度、高密度記録の可能な
記録媒体を提供することにある。

更に本発明の目的は、記録安定性忙優れ、記録後の取扱
いが容易な記録媒体を提供することにある。

〔問題点を解決するだめの手段〕

上記の目的は、以下の本発明によって達成される。

すなわち本発明は、分子内に親水性部位及び疎水性部位
を有するジアセチレン誘導体化合物；　　　の単分子膜
又は単分子累積膜からなる記録層及び紫外線吸収層とを
有することを特徴とする記録媒体である。

〔作　用〕

本発明の記録層を構成する物質は分子内に親水性部位、
疎水性部位、及びジアセチレン部位をそれぞれ少なくと
も一箇所有する分子（以下ジアセチレン誘導体化合物と
いう）から成る。

一般式　　ａｌ−ｃ＝ｃ−ｃミーＲ２−ＸＸ　　　　　
　；親水性部位 亀・Ｒ２；疎水性部位 一〇−ＣミＣ；ジアセチレン部位 で表わされ、親水性部位としては例えば、水酸基、カル
ボキシル基、アミノ基、ニトリル基。

チオアルコール基、イミノ基、スルホン基、スルフィニ
ル基等の極性基あるいけそれらの塩である。疎水性部位
としては、”１とＲ２の炭素原子数の和が１０〜３０の
長鎖アルキル基が好ましい。

このようなジアセチレン誘導体化合物の単分子膜又は単
分子累積膜を作成する方法としては、例えば１．　Ｌａ
ｎｇｍｕｉｒらの開発したラングミュア・プロジェット
法（以下ＬＢ法）を用いる。ＬＢ法は、例えば分子内に
親水性部位と疎水性部位を有する構造の分子において、
両者のバランス（両親媒性のバランス）が適度に保たれ
ている時、分子は水面上で親水基を下に向けて単分子の
層になることを利用して単分子膜または単分子層の累積
膜を作成する方法である。水面上の単分子層は二次元系
の特徴をもつ。分子がまばらに散開しているときは、一
分子当９面積Ａと表面圧πとの間に二次元理想気体の式
、πＡ＝ｋＴ が成ゆ立ち、１気体膜”となる。ここに、ｋはボルツマ
ン定数、′ｒは絶対温度である。Ａを充分小さくすれば
分子間相互作用が強まり、二次元固体の゛凝縮膜（まだ
は固体１１り’になる。

ン疑縮膜はガラス基板などの秘々の材質や形状を有する
担体の表面へ一層ずつ移すことができる。

この方法を用いて、本発明のジアセチレン誘導体化合物
の単分子膜、もしくは単分子層の累積膜の具体的な製法
としては、例えば以下に示す方法を挙げることができ、
る。

目的とするジアセチレン誘導体化合物をクロロホルム等
の溶剤に溶解させる。次に、第２図（ａ）　（ｂ）に示
す装置を用いて、ジアセチレン誘導体化合物の溶液を水
相上１０に展開させてジアセチレン誘導体化合物を膜状
に形成させる。

次にこの展開層が水相上を自由に拡散して広がりすぎな
いように仕切板（ｔたは浮子）３を設けて展開面積を制
限して膜物質の集合状態を制御し、その集合状態に比例
した表面圧πを得る。

この仕切板３を動かし展開面積を縮小して膜物質の集合
状態を制御し、表面圧を徐々に上昇させ、累積膜の製造
に適する表面圧πを設定することが出来る。この表面圧
を維持しながら静かに清浄な担体１１を垂直に上下させ
ることによりジアセチレン誘導体化合物の単分子膜（以
下ジアセチレン単分子膜）が担体１１上に移しとられる
。

この担体は、ガラス基板、マイラ板等の表面が清浄であ
れば何でも良いが、紫外光を吸収する材料が好ましく、
より好ましくは、紫外線のみを吸収し１、他の光を透過
するものである。

ジアセチレン単分子膜は以上のようにし、て製造される
が、前記の操作を繰返すことにより所望の累積数のジア
セチレン単分子累積膜が形成される。

ジアセチレン単分子膜を担体上に移すには、壇 上述した垂直浸旙法の他、水平付着法、回転円筒法など
の方法による。水平付着法は担体を水面に水平に接触さ
せて移しとる方法で、回転円法では、表面が親水性であ
る担体を水面を横切る方向に水中から引き上げるとジア
セチレン誘導体化合物の親水基が担体側に向いたジアセ
チレン単分子膜が担体上に形成される。前述のように担
体を上下させると、各行程ごとに一枚ずｆ　　　　つジ
アセチレン単分子膜が積み重なっていく。

墳 製膜分子の向きが引上行穆と理科行程で逆になるので、
この方法によると各層間はジアセチレン誘導体化合物の
親水基と疎水基が向かいあうＹ型膜が形成される。

それに対し、水平付着法は、ジアセチレン誘導体化合物
の疎水基が担体側に向いたジアセチレン単分子膜が担体
上に形成される。この方法では、累積しても、製膜分子
の向きの交代はなく全ての層において、疎水基が担体側
に向いたＸ型膜が形成される。反対に全ての層において
親水基が担体側に向いた累積膜はＺ型膜と呼ばれる０ 単分子層を担体上に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面積担体を用いる時には、担体ロールか
ら水相中に担体を押し出していく方法などもとり得る。

また、前述した親水基、疎水基の担体への向きは原則で
あり、担体の表面処理等によって変えることもできる。

このようにして形成されたジアセチレン単分子膜及び単
分子累積膜上に、更に紫外線吸収層を形成することによ
シ、本発明の記録媒体構成される（第１図）。ここで言
う紫外線吸収層とは、少なくとも室内光に含まれる程度
の弱い紫外光を吸収するものである。従って、斯かる紫
外線吸収層を形成する材料としては、各樗のポリマー類
を考えることができるが、紫外光吸収の強さという観点
からいえば、分子内に芳香環を含むポリマー、例えば、
ポリスチレン、フェノール樹脂、キシレン樹脂、エポキ
シ樹脂（ビスフェノール、ジフェノール酸、ノボラック
樹脂、カミュ−７ェノール、テトラオキシテトラフェニ
ルエタンなどを生体とするもの）、ポリカーボネート類
、熱可塑性ポリエステル等が好ましい。熱可塑性ポリエ
ステルのうち、ポリエチレンテレフタレート（マイラー
）け、波長３１５　ｎｍ以下の光線を完全に遮断するた
め、特に好ましい。

これらのポリマーは、回転塗布法、ローラー法等によっ
てジアセチレン単分子膜あるいは単分子累積膜上に塗布
される。

以上の方法によって、担体上に形成されたジアセチレン
単分子膜及び単分子累積膜は高密度でしかも高秩序性を
有し、ており、これらの膜で記録層を構成することによ
ってジアセチレン誘導体化合物の機能に応じて光記録、
熱的記録等の可能な高密度で高解像度の記録機能を鳴す
るコ 記録媒体を得ることができる。。

前述の如くして形成した記録媒体は、光や熱により吸収
波長が変化して、見かけの色が変化する。

（４５０〜７５０ｎｍ） 始めは無色透明な膜にγ線、紫外線又は４５０−７５０
ｎｍのレーザ光を照射すると青色に変化し、最大吸収波
長は６２０−６６０ｎｍとなる。この反応は不可逆変化
であシ、一度青色となった膜は、無色透明膜には戻らな
い。

γ線、紫外線を透明なジアセチレン化合物に照射すると
重合反応が起こり青変することは従来から知られていた
。また波長４５０−７５０ｎｍの光照射によっては重合
反応は起こらず青変しないと考えられていた（文献；　
Ｇ、Ｗｅｇｎｅｒ″Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　　＆　　Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ　　ｏｆ　　Ｏｎｅ−Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａ
１Ｍｅｔａｌｓ’　Ｐｌｃｎｕｍ（１９７７）、　Ｐ　
２９７　）ｏところが、レーザ光のような光強度の高い
特殊なビーム下では、波長４５０−７５０ｎｍの光照射
を行なうと重合反応が起こって青色化することを本発明
者等は見出し、その結果、本発明を想到したものである
。これけジアセチレン単分子累積膜によって第２高調波
が発生し、この発生した光を該累積膜が吸収したものと
考えられる。

本発明にあたっては、レーザ光の下でのみ反応するメカ
ニズムを利用するものである。

次に、この青色膜にレーザ光を照射するか、若しくは約
６０℃に加熱することにより青色膜が赤色膜に変化し、
最大吸収波長けおよそ５４０ｎｍに変化する。この変化
も不可逆である。

１　　　　更にこの赤色膜にレーザー光を照射すると、
黄色膜に変化し、このときの最大吸収波長けおよそ４５
０　ｎｍである。

以下、本発明の記録媒体を実施例に基づき更に詳細に説
明する。

実施例１ かした後、ｐｉ（６，９で塩化カドミウム濃度がＩＸ　
１０　　ｍｏｌ　／／の水相１０（図２　（ｂ）　）上
に展開した。溶媒のクロロホルムを蒸発除去後、表面圧
を２０　ｄｙｎｅｌαまで高めた。表面圧を一定忙保ち
ながら、表面が十分に清浄で親水性となっているマイラ
ー板を担体とし、水面を横切る方向忙上下速度１．０　
ｃｍ　／　ｍｉｎで静かに上下させ、ジアセチレン単分
子膜を担体１１（図２　（ａ）　）上に移し取シ、ジア
セチレン単分子膜及び６゜２０．４０．６０層に累積し
たジアセチレン単分子累積１ｉ１４（第１図（ａ））を
形成した。

Ｃ１□Ｈ２，Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ−（ＣＨ２）８−ＣＯＯＨ
（２）式次に、この記録層上にポリエチレンテレフタレ
ートを１０００人の厚さで塗布し、紫外線吸収層１５（
第１図（ａ））を形成し、記録媒体を製造した。

記録再生実験１ 実施例１の記録媒体（第１図（ａ））に室内光下（暗所
下でも良い）であるパターンに従って、出力８ｍＷ、波
長４４２ｎｍのＨｅ−Ｃｄｖ−ｆ光１６を照射し、背変
させて情報を記録した（第１図（ｂ））。この時、レー
ザー光のスポット径ハ０．５μｍであり、照射時間は１
〜２ｍ　ｓｅｃであった。

再生は、出力１ｍＷ、波長６３３　ｎｍのＨｅ−Ｎｅレ
ーザ光１９を記録媒体上にスキャンしく第１図（Ｃ））
、その透過光２０を受光素子（不図示）で検知すること
によって行った。

レーザー光未露光部１８は透明なので６３３ｎｍの光は
ほとんど吸収されずに透過し、透過土は７０％以上であ
った。

一方、露光部１７は、６３３　ｎｍの光を吸収し、単分
子膜の累積層数が多いほどよく吸収した。

未露光部と露光部におけるコントラストが高いので、高
８／Ｎ比の再生信号が得られた。尚、繰返し読出しを行
なった結果、十分な再現性が認められた。

又、この記録媒体を明所にて１力月以上放置したが、何
ら変化は認められず、更に斯かる媒体に対してレーザー
光による情報の記録／再生が可能であった。

実施例２ ジアセチレン誘導体化合物として（３）式％式％（３） に示すものを用いたことを除いて実施例１と同様にして
記録媒体を製造した。

記録再生実験２ 記録媒体として、実施例２の記録媒体を用いたことを除
いて記録再生実験１と同様にして記録／再生を行なった
。その結果記録再生実験１とほぼ同様の効果が得られた
。

実施例３ ジアセチレン化合物として（４）式に示すものをＣｌＢ
Ｈ３７Ｃ：＝ＣＣ＝Ｃ−（ＣＨ２）ｓｃＯＯＨ（４）用
いたことを除いて実施例１と同様に記録媒体を製造した
。

記録再生実験３ 実施例３の記録媒体を用いたことを除いて、記録再生実
験１と同様に実験を行なった。その結果、同様の効果が
得られた。

〔効　果〕

本発明の効果を以下に列挙する。

（１）記録層が高密度・高秩序性を有するため、高密度
記録が可能である。

（２）分光透過率の差が大きいので、Ｓ／Ｎ比が向上し
た。

（３）大面積の担体でも均質な記録層を得ることができ
る′。

（４）紫外線吸収層を設けたことにより、室内光下で媒
体は光に対して極めて安定であり、機械的強度も強いた
め取扱いが容易である。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）　、　（ｂ）　、　（Ｃ）　Ｆｉ本発明の
記録媒体と、それを用いた記録及び再生の一例を示す概
略図、第２図（ａ）　、　（ｂ）はＬＢ法による記録媒
体製造装置の一例を示す概略図である。 １・・・水槽、２・・・枠、３・・・浮子、４・・・重
り、５・・・滑車、６・・・磁石、７・・・対磁石、８
・・・吸引パイプ、９・・・吸引ノズル、１０・・・液
面、１１・・・担体、１２・・・担体上下腕、１３・・
・基板、１４・・・記録層、１５・・・紫外線吸収層、
１６・・・レーザ光（４５０−７５０ｎｍ）、１７　・
Ｉ／−ザ光露光部、１８・・・レーザ光未露光部、１９
・・・Ｈｅ−Ｎｅレーザ光（６３３ｎｍ　）、２０・・
・透過光。 躬１図（久） ↓ｌ　１１　　　ＩＩＩ　ｌ”６ 第１ｆＺＪ（ｂ＞ 男１図（Ｃ） 止＼−勿 第２図（し）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　分子内に親水性部位及び疎水性部位を有するジアセチ
   レン誘導体化合物の単分子膜又は単分子累積膜からなる
   記録層及び紫外線吸収層とを有することを特徴とする記
   録媒体。