JPS62130883A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPS62130883A JPS62130883A JP60270786A JP27078685A JPS62130883A JP S62130883 A JPS62130883 A JP S62130883A JP 60270786 A JP60270786 A JP 60270786A JP 27078685 A JP27078685 A JP 27078685A JP S62130883 A JPS62130883 A JP S62130883A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- compound
- film
- dye
- recording medium
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/245—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Heat Sensitive Colour Forming Recording (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光記録媒体に関し、特に赤外線レーザーによ
る光書き込みに適した光記録媒体に関する。
る光書き込みに適した光記録媒体に関する。
最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスクが注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大量の文書、文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文書等の整理、管理が効率よ〈実施で
きる。この光デイスク用の記録素子としては、各種のも
のが検討されているが、価格、製造の容易さから有機材
料を用いたものが注目されている。
光ディスクが注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大量の文書、文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文書等の整理、管理が効率よ〈実施で
きる。この光デイスク用の記録素子としては、各種のも
のが検討されているが、価格、製造の容易さから有機材
料を用いたものが注目されている。
このような記録素子用の有機材料として、ジアセチレン
誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録素子として用いる記録技術が特開昭
58−14780?号に開示されている。しかし、この
明細書中には、どのようなレーザーを用いたか、あるい
は用いるべきかの記載がなく、単にレーザーを用いて記
録を実施したとの記載に留まっている。
誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録素子として用いる記録技術が特開昭
58−14780?号に開示されている。しかし、この
明細書中には、どのようなレーザーを用いたか、あるい
は用いるべきかの記載がなく、単にレーザーを用いて記
録を実施したとの記載に留まっている。
本発明者らは、種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー(波長800〜850n履)を使用した場
合にはレーザー記録が実施できないことを確認した。し
かし、光ディスフ等の実用的な記録媒体としては、小型
で低山カッ半導体レーザーにより光書き込みが可能なこ
とが要請される。
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー(波長800〜850n履)を使用した場
合にはレーザー記録が実施できないことを確認した。し
かし、光ディスフ等の実用的な記録媒体としては、小型
で低山カッ半導体レーザーにより光書き込みが可能なこ
とが要請される。
一方、特開昭59− 41383号および特開昭58−
taeoet号には、各種のピリリウム染料、チオピリ
リウム染料およびセレナピリリウム染料が開示され、こ
れら染料を含有する有機被膜が半導体レーザー輻射波長
領域の輻射線を吸収し発熱するので、レーザーエネルギ
ーによりビットを形成するいわゆるヒートモード記録が
実施できることを開示している。しかし、記録媒体の表
面に物理的なビットを形成して記録を実施する場合には
、初期の記録層の表面が十分に平滑であると同時に記録
後においても記録媒体の表面に傷を付けないよう十分な
注意が必要となるとともに、高密度で高速記録を実施す
ることは比較的困難である。
taeoet号には、各種のピリリウム染料、チオピリ
リウム染料およびセレナピリリウム染料が開示され、こ
れら染料を含有する有機被膜が半導体レーザー輻射波長
領域の輻射線を吸収し発熱するので、レーザーエネルギ
ーによりビットを形成するいわゆるヒートモード記録が
実施できることを開示している。しかし、記録媒体の表
面に物理的なビットを形成して記録を実施する場合には
、初期の記録層の表面が十分に平滑であると同時に記録
後においても記録媒体の表面に傷を付けないよう十分な
注意が必要となるとともに、高密度で高速記録を実施す
ることは比較的困難である。
また、これらの記録媒体の記録層は、ジアセチレン誘導
体化合物の微結晶あるいはピリリウム染料等がバインダ
ー中に分散してなるものであり、記録層内におけるこれ
ら化合物の配向はランダムであり、そのため場所によっ
て光の吸収率や反射率が異ったり、化学反応の程度が相
違したりする現象が生じ、高密度の記録には必ずしも適
しているとはいえなかった。
体化合物の微結晶あるいはピリリウム染料等がバインダ
ー中に分散してなるものであり、記録層内におけるこれ
ら化合物の配向はランダムであり、そのため場所によっ
て光の吸収率や反射率が異ったり、化学反応の程度が相
違したりする現象が生じ、高密度の記録には必ずしも適
しているとはいえなかった。
本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり1本発明の目的は小型軽量の半導体レー
ザーで光書き込みが可能な光記録媒体を提供することに
ある。
れたものであり1本発明の目的は小型軽量の半導体レー
ザーで光書き込みが可能な光記録媒体を提供することに
ある。
本発明の他の目的は、高密度、高感度で高速記録の可能
な光記録媒体を提供することにある。
な光記録媒体を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録媒体を提供することにある。
録媒体を提供することにある。
すなわち、本発明の光記録媒体は、少なくとも親水性部
位および疎水性部位を併有するジアセチレン誘導体化合
物の単分子膜またはその累積膜からなるA層と、ピリリ
ウム染料、チオピリリウム染料およびセレナピリリウム
染料からなる群より選ばれた一種以上を含有してなる3
層とが21層されてなる記録層を有することを特徴とす
る。
位および疎水性部位を併有するジアセチレン誘導体化合
物の単分子膜またはその累積膜からなるA層と、ピリリ
ウム染料、チオピリリウム染料およびセレナピリリウム
染料からなる群より選ばれた一種以上を含有してなる3
層とが21層されてなる記録層を有することを特徴とす
る。
本発明に用いる親水性部位および疎水性部位を併有する
ジアセチレン誘導体化合物(以下。
ジアセチレン誘導体化合物(以下。
DA化合物と略称す゛る)とは、隣接する分子中のc=
c−c=c官能基間において1.4−付加重合反応が可
能な化合物であり、代表的には下記一般式%式%) (式中、Xは、親水性部位を形成する親水性基であり、
m、nは整数を表わす、) で表わされる化合物が挙げられる。
c−c=c官能基間において1.4−付加重合反応が可
能な化合物であり、代表的には下記一般式%式%) (式中、Xは、親水性部位を形成する親水性基であり、
m、nは整数を表わす、) で表わされる化合物が挙げられる。
上記OA化合物における親水性基Xとしては、例えばカ
ルボキシル基、アミ7基、ヒドロキシ基、こトリル基、
チオアルコール基、イミノ基、スルホン酸基、スルフィ
ニル基またはその金属若しくはアミン塩が挙げられる。
ルボキシル基、アミ7基、ヒドロキシ基、こトリル基、
チオアルコール基、イミノ基、スルホン酸基、スルフィ
ニル基またはその金属若しくはアミン塩が挙げられる。
疎水性部位を形成するH(CH2)r−表わされるアル
キル基としては炭素原子数が1〜30の長鎖アルキル基
が好ましい。また。
キル基としては炭素原子数が1〜30の長鎖アルキル基
が好ましい。また。
n+mとしては1〜30の整数が好ましい。
一方1本発明で用いるピリリウム染料、チオピリリウム
染料およびセレナピリリウム染料(以下、ピリリウム染
料類と略称する)とは、下記の基本構造 (式中、Xは酸素原子、イオウ原子またはセレン原子を
表わし、R1,R2、およびR3は各種の有機残基を表
わし、Aは陰イオンを表わす、)を有する化合物であっ
て、780〜900nrnに吸収ピークを有し、この波
長の赤外光により発熱する化合物である。このビリリウ
ム染料類としては、代表的には下記一般式(1)〜(3
)で示される染料が例示される。
染料およびセレナピリリウム染料(以下、ピリリウム染
料類と略称する)とは、下記の基本構造 (式中、Xは酸素原子、イオウ原子またはセレン原子を
表わし、R1,R2、およびR3は各種の有機残基を表
わし、Aは陰イオンを表わす、)を有する化合物であっ
て、780〜900nrnに吸収ピークを有し、この波
長の赤外光により発熱する化合物である。このビリリウ
ム染料類としては、代表的には下記一般式(1)〜(3
)で示される染料が例示される。
一般式(1)
一般式(2)
06H5
一般式(3)
(式中、R4、R5、R6、およびR7フェニル、トリ
ル、キシリル、クロロフェニル、メトキシフニルなどの
置換若しくは未置換のアリール基または2−ピリジル、
3−ピリジル、2−フリル、2−チェニル、2−チアゾ
リル、3−カルバゾリル、2−キノリル、3−キノリル
、2−イミダゾリル、2−レピジル、3−メトキシ−2
−ピリジル、6−メチル−2−ピリジル、4.5−ジメ
チル−2−チアゾリル、4.5−ジフェニル−2−チア
ゾリル、4−フェニル−2−チアゾリル、9−エチル−
3−カルバゾリルなどの置換若しくは未置換の複素環基
を表わし、R4、R5,H6、およびR7のうちの少な
くとも一つは置換若しくは未置換の複素環基を表わす。
ル、キシリル、クロロフェニル、メトキシフニルなどの
置換若しくは未置換のアリール基または2−ピリジル、
3−ピリジル、2−フリル、2−チェニル、2−チアゾ
リル、3−カルバゾリル、2−キノリル、3−キノリル
、2−イミダゾリル、2−レピジル、3−メトキシ−2
−ピリジル、6−メチル−2−ピリジル、4.5−ジメ
チル−2−チアゾリル、4.5−ジフェニル−2−チア
ゾリル、4−フェニル−2−チアゾリル、9−エチル−
3−カルバゾリルなどの置換若しくは未置換の複素環基
を表わし、R4、R5,H6、およびR7のうちの少な
くとも一つは置換若しくは未置換の複素環基を表わす。
R8は水素原子、メチル、エチル、プロピル、ブチルな
どのアルキル基またはフェニル、トリル、キシリル、ク
ロロフェニル、メトキシフニルなどの置換若しくは未置
換の7リール基を表わす、R9はメチルまたはエチル基
を表わす。
どのアルキル基またはフェニル、トリル、キシリル、ク
ロロフェニル、メトキシフニルなどの置換若しくは未置
換の7リール基を表わす、R9はメチルまたはエチル基
を表わす。
xlおよびxlは酸素原子、イオウ原子またはセレン原
子を表わす、Aは塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化
物イオン、過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩イ
オン、p−トルエンスルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩
イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イオンな
どの陰イオンを表わす、) これらピリリウム染料類の代表的な具体例を以下に例示
する。但し、陰イオンについては、便宜1全て過塩素酸
イオンで代表させた。
子を表わす、Aは塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化
物イオン、過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩イ
オン、p−トルエンスルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩
イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イオンな
どの陰イオンを表わす、) これらピリリウム染料類の代表的な具体例を以下に例示
する。但し、陰イオンについては、便宜1全て過塩素酸
イオンで代表させた。
本発明の光記録媒体の代表的な構成を第1a図および第
1b図に例示する。この例では基板1上に前記ビリリウ
ム染料類を含有する8層4が形成され、その上に前記D
A化合物の単分子膜またはその累積膜からなるA層3が
積層され、これら二層により記録層2が構成されている
。A層3と8層4との積層順序は、これらの図に示され
る態様に限定されず、逆の順序で積層してもよいが、D
A化合物の単分子膜またはその累積膜からなるA層3が
記録層2の表面側に現われるよう積層する方が好ましい
。また、必要に応じて、例えば記録層2上に透明な保護
層等の他の層を設けることもできる。
1b図に例示する。この例では基板1上に前記ビリリウ
ム染料類を含有する8層4が形成され、その上に前記D
A化合物の単分子膜またはその累積膜からなるA層3が
積層され、これら二層により記録層2が構成されている
。A層3と8層4との積層順序は、これらの図に示され
る態様に限定されず、逆の順序で積層してもよいが、D
A化合物の単分子膜またはその累積膜からなるA層3が
記録層2の表面側に現われるよう積層する方が好ましい
。また、必要に応じて、例えば記録層2上に透明な保護
層等の他の層を設けることもできる。
A層3の膜厚としては、単分子層の累積度が400程度
までのものが実用上好ましく、一方、8層4の膜厚とし
ては、300八〜1騨程度が適しており、特に500〜
5000Aの範囲が好ましい。
までのものが実用上好ましく、一方、8層4の膜厚とし
ては、300八〜1騨程度が適しており、特に500〜
5000Aの範囲が好ましい。
本発明の光記録媒体の基板lとしては、ガラス、アクリ
ル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプラスチ
ックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料が使用でき
るが、基板側から輻射線を照射して記録を実施する場合
には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを用いる
。
ル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプラスチ
ックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料が使用でき
るが、基板側から輻射線を照射して記録を実施する場合
には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを用いる
。
基板l上あるいはピリリウム染料類を含有するB層上に
OA化合物の単分子膜または単分子累積膜を形成するに
は、例えば1.Langmuirらの開発したラングミ
ュアΦブロジェット法(以下、LB法と略)が用いられ
る。LB法は、分子内に親木基と疎水基を有する構造の
分子において、両者のバランス(両親媒性のバランス)
が適度に保たれているとき、この分子は水面上で親木基
を下に向けた単分子の層になることを利用して単分子膜
または単分子層の累積した膜を作成する方法である。水
面上の単分子層は二次元系の特徴をもつ0分子がまばら
に散開しているときは、一分子当り面積Aと表面圧■と
の間に二次元理想気体の式、11A=kT が成り立ち、“気体膜″となる。ここに、にはポルツマ
ン定数、Tは絶対温度である。Aを十分小さくすれば分
子間相互作用が強まり二次元固体の“°凝縮膜(または
固体膜)”になる、凝縮膜はガラスなどの基板の表面へ
一層ずつ移すことができる。
OA化合物の単分子膜または単分子累積膜を形成するに
は、例えば1.Langmuirらの開発したラングミ
ュアΦブロジェット法(以下、LB法と略)が用いられ
る。LB法は、分子内に親木基と疎水基を有する構造の
分子において、両者のバランス(両親媒性のバランス)
が適度に保たれているとき、この分子は水面上で親木基
を下に向けた単分子の層になることを利用して単分子膜
または単分子層の累積した膜を作成する方法である。水
面上の単分子層は二次元系の特徴をもつ0分子がまばら
に散開しているときは、一分子当り面積Aと表面圧■と
の間に二次元理想気体の式、11A=kT が成り立ち、“気体膜″となる。ここに、にはポルツマ
ン定数、Tは絶対温度である。Aを十分小さくすれば分
子間相互作用が強まり二次元固体の“°凝縮膜(または
固体膜)”になる、凝縮膜はガラスなどの基板の表面へ
一層ずつ移すことができる。
この方法を用いて、DA化合物の単分子膜または単分子
累積膜は、例えば次のようにして製造される。まずOA
化合物をクロロホルム等の溶剤に溶解し、これを水相上
に展開し、これら化合物を膜状に展開させた展開層を形
成する0次にこの展開層が水相上を自由に拡散して拡が
りすぎないように仕切板(または浮子)を設けて展開層
の面積を制限してIIA化合物の集合状態を制御し、そ
の集合状態に比例した表面圧■を得る。この仕切板を動
かし、展開面積を縮少して膜物質の集合状態を制御し1
表面圧を徐々に上昇させ、累積膜の製造に適する表面圧
■を設定することができる。この表面圧を維持しながら
静かに清浄な基板あるいは表面にB層が形成された基板
を垂直に上下させることにより、OA化合物の単分子膜
が基板上あるいはB層上に移しとられる。単分子膜はこ
のようにして製造されるが、単分子層累積膜は、前記の
操作を繰り返すことにより所望の累積度の単分子層累積
膜が形成される。
累積膜は、例えば次のようにして製造される。まずOA
化合物をクロロホルム等の溶剤に溶解し、これを水相上
に展開し、これら化合物を膜状に展開させた展開層を形
成する0次にこの展開層が水相上を自由に拡散して拡が
りすぎないように仕切板(または浮子)を設けて展開層
の面積を制限してIIA化合物の集合状態を制御し、そ
の集合状態に比例した表面圧■を得る。この仕切板を動
かし、展開面積を縮少して膜物質の集合状態を制御し1
表面圧を徐々に上昇させ、累積膜の製造に適する表面圧
■を設定することができる。この表面圧を維持しながら
静かに清浄な基板あるいは表面にB層が形成された基板
を垂直に上下させることにより、OA化合物の単分子膜
が基板上あるいはB層上に移しとられる。単分子膜はこ
のようにして製造されるが、単分子層累積膜は、前記の
操作を繰り返すことにより所望の累積度の単分子層累積
膜が形成される。
単分子膜を基板上に移すには、上述した垂直浸漬法の他
、水平付着法、回転円筒法などの方法が採用できる。水
平付着法は基板を水面に水平に接触させて移しとる方法
で、回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて
単分子層を基体表面に移しとる方法である。前述した垂
直浸漬法では、水面を横切る方向に表面が親水性である
基板を水中から引き上げると、一層目はOA化合物の親
木基が基板側に向いた単分子層が基板上に形成される。
、水平付着法、回転円筒法などの方法が採用できる。水
平付着法は基板を水面に水平に接触させて移しとる方法
で、回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて
単分子層を基体表面に移しとる方法である。前述した垂
直浸漬法では、水面を横切る方向に表面が親水性である
基板を水中から引き上げると、一層目はOA化合物の親
木基が基板側に向いた単分子層が基板上に形成される。
基板を上下させると、各行程ごとに一層ずつ単分子膜が
積層されていく、成膜分子の向きが引上げ行程と浸漬行
程で逆になるので、この方法によると、各層間は親水基
と親木基、疎水基と疎水基が向かい合うY型膜が形成さ
れる。
積層されていく、成膜分子の向きが引上げ行程と浸漬行
程で逆になるので、この方法によると、各層間は親水基
と親木基、疎水基と疎水基が向かい合うY型膜が形成さ
れる。
これに対し、水平付着法は、基板を水面に水平に接触さ
せて移しとる方法で、 OA化合物の疎水基が基板側に
向いた単分子層が基板上に形成される。この方法では、
累積しても、OA化合物の分子の向きの交代はなく全て
の層において、疎水基が基板側に向いたX型膜が形成さ
れる0反対に全ての層において親木基が基板側に向いた
累積膜はX型膜と呼ばれる。
せて移しとる方法で、 OA化合物の疎水基が基板側に
向いた単分子層が基板上に形成される。この方法では、
累積しても、OA化合物の分子の向きの交代はなく全て
の層において、疎水基が基板側に向いたX型膜が形成さ
れる0反対に全ての層において親木基が基板側に向いた
累積膜はX型膜と呼ばれる。
回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である。
子層を基体表面に移しとる方法である。
単分子層を基板上に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面積基板を用いる時には、基板ロールか
ら水相中に基板を押し出していく方法などもとり得る。
けではなく、大面積基板を用いる時には、基板ロールか
ら水相中に基板を押し出していく方法などもとり得る。
また、前述した親木基、疎水基の基板への向きは原則で
あり、基板の表面処理等によって変えることもできる。
あり、基板の表面処理等によって変えることもできる。
これらの単分子膜の移し取り操作の詳細については既に
公知であり、例えば「新実験化学講座18界面とコロイ
ド」438〜507頁、丸善刊、に記載されている。
公知であり、例えば「新実験化学講座18界面とコロイ
ド」438〜507頁、丸善刊、に記載されている。
一方、ビリリウム染料類を含有するB層を形成するには
1代表的にはビリリウム染料類を適当な揮発性溶媒に溶
解して塗布液を作成し、これを塗布する方法が採用でき
る。塗布液には、基板lやOA化合物3の単分子膜また
はその累積膜からなるA層との密着性を向上させるため
に、適宜天然若しくは合成高分子からなるバインダーを
添加してもよい。また、BRの安定性、品質向上を計る
ために各種の添加剤を加えてもよい。
1代表的にはビリリウム染料類を適当な揮発性溶媒に溶
解して塗布液を作成し、これを塗布する方法が採用でき
る。塗布液には、基板lやOA化合物3の単分子膜また
はその累積膜からなるA層との密着性を向上させるため
に、適宜天然若しくは合成高分子からなるバインダーを
添加してもよい。また、BRの安定性、品質向上を計る
ために各種の添加剤を加えてもよい。
ビリリウム染料類の好適な溶媒としては、メタノール、
エタノール、インプロパツール等のアルコール類;アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケト
ン類;アセトニトリル等の脂肪族ニトリル類;クロロホ
ルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、
トリクロルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類:
等が挙げられ、塩化メチレン、アセトニトリルが特に好
適である。
エタノール、インプロパツール等のアルコール類;アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケト
ン類;アセトニトリル等の脂肪族ニトリル類;クロロホ
ルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、
トリクロルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類:
等が挙げられ、塩化メチレン、アセトニトリルが特に好
適である。
このようにして得た塗布液の塗工は、スピナー回転塗布
法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、ピ
ードコーティング法、ワイヤーバーコーチインク法、フ
レードコーチインク法、ローラーコーティング法、カー
テンコーティング法等の手法が用いられる。
法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、ピ
ードコーティング法、ワイヤーバーコーチインク法、フ
レードコーチインク法、ローラーコーティング法、カー
テンコーティング法等の手法が用いられる。
また、ビリリウム染料類を含有するB層は、DA化合物
の単分子膜またはその累積膜からなるA層と同様に単分
子膜またはその累積膜であってもよい。しかし、ビリリ
ウム染料類5は両親媒性物質ではないので、単独ではL
B法によっては単分子膜を形成することはできない、と
ころが、例えばステアリン酸、アラギジン酸などの高級
脂肪酸のような両親媒性のバランスの適度に保たれた有
機高分子を担体分子として任意の比率で混合使用するこ
とによりLB法を適用することができる。すなわち、少
なくとも一つの化合物において両親媒性のバランスが保
たれていれば、水面上に単分子層が形成され、他の化合
物は両親媒性の化合物に挟持され、結局全体として分子
秩序性のある単分子層が形成されるからである。
の単分子膜またはその累積膜からなるA層と同様に単分
子膜またはその累積膜であってもよい。しかし、ビリリ
ウム染料類5は両親媒性物質ではないので、単独ではL
B法によっては単分子膜を形成することはできない、と
ころが、例えばステアリン酸、アラギジン酸などの高級
脂肪酸のような両親媒性のバランスの適度に保たれた有
機高分子を担体分子として任意の比率で混合使用するこ
とによりLB法を適用することができる。すなわち、少
なくとも一つの化合物において両親媒性のバランスが保
たれていれば、水面上に単分子層が形成され、他の化合
物は両親媒性の化合物に挟持され、結局全体として分子
秩序性のある単分子層が形成されるからである。
したがって、ビリリウム染料類5単独の単分子膜または
その累積膜を形成することは困難であるが、ビリリウム
染料類5を含有する単分子膜またはその累積膜である8
層4は1両親媒性物質を併用することによりLB法で容
易に形成することができる。
その累積膜を形成することは困難であるが、ビリリウム
染料類5を含有する単分子膜またはその累積膜である8
層4は1両親媒性物質を併用することによりLB法で容
易に形成することができる。
このようにして、基板上あるいはビリリウム染料類を含
有するB層上に形成されるOA化合物の単分子膜および
その累積膜は、高密度で高度な秩序性を有しているので
、場所による光吸収のバラツキは極めて小さい。したが
って、このような膜によって記録層を構成することによ
り、 OA化合物とビリリウム染料類との機能に応じて
、光記録、熱的記録の可能な高密度、高解像度の記録機
能を有する記録媒体が得られる。
有するB層上に形成されるOA化合物の単分子膜および
その累積膜は、高密度で高度な秩序性を有しているので
、場所による光吸収のバラツキは極めて小さい。したが
って、このような膜によって記録層を構成することによ
り、 OA化合物とビリリウム染料類との機能に応じて
、光記録、熱的記録の可能な高密度、高解像度の記録機
能を有する記録媒体が得られる。
なお、上述したようにして形成された単分子膜またはそ
の累a膜からなるA層は、紫外線を照射することにより
、単分子膜またはその累積膜として形成されたOA化合
物が重合したものであってもよい。
の累a膜からなるA層は、紫外線を照射することにより
、単分子膜またはその累積膜として形成されたOA化合
物が重合したものであってもよい。
本発明の光記録媒体は、各種の方式の光記録を実施する
ことが可能であるが、以下に光や熱を加えることにより
、記録層の吸収波長が変化して見掛けの色が変化するこ
とを利用する半導体レーザーによる記録の機構につき簡
略に説明する。
ことが可能であるが、以下に光や熱を加えることにより
、記録層の吸収波長が変化して見掛けの色が変化するこ
とを利用する半導体レーザーによる記録の機構につき簡
略に説明する。
OA化合物は、初期にはほぼ無色透明であるが、記録層
に紫外線を照射すると重合し、ポリアセチレン誘導体化
合物へと変化する。この重合は紫外線の照射等によって
起り、単に熱エネルギーを加えることによっては生じな
い、この重合の結果、記録層は620〜880nmに最
大吸収波長を有するようになり、青色乃至暗色へと変化
する。この重合に基づく色相の変化は不可逆変化であり
、一度青色乃至暗色へ変化した記録層は無色透明膜へと
は戻らない、また、この青色乃至暗色へ変化したポリア
セチレン誘導体化合物を約50℃以上に加熱すると今度
は約540nmに最大吸収波長を有するようになり、赤
色膜へと変化する。この変化も不可逆変化である。
に紫外線を照射すると重合し、ポリアセチレン誘導体化
合物へと変化する。この重合は紫外線の照射等によって
起り、単に熱エネルギーを加えることによっては生じな
い、この重合の結果、記録層は620〜880nmに最
大吸収波長を有するようになり、青色乃至暗色へと変化
する。この重合に基づく色相の変化は不可逆変化であり
、一度青色乃至暗色へ変化した記録層は無色透明膜へと
は戻らない、また、この青色乃至暗色へ変化したポリア
セチレン誘導体化合物を約50℃以上に加熱すると今度
は約540nmに最大吸収波長を有するようになり、赤
色膜へと変化する。この変化も不可逆変化である。
したがって、本発明の記録媒体を用いた光記録は次のよ
うな機構により実施される。
うな機構により実施される。
先ず本発明の記録媒体の記録層2全体に紫外線を照射す
ると記録層2中のDA化合物が重合しポリアセチレン誘
導体化合物へ変化することにより。
ると記録層2中のDA化合物が重合しポリアセチレン誘
導体化合物へ変化することにより。
記録層2は青色乃至暗色の膜へと変化する0次いで、こ
の記録媒体の所定の位置に情報信号に応じて点滅する波
長800〜850nmの半導体レーザービーム5を照射
すると、ポリアセチレン誘導体化合物はこのレーザービ
ーム5を吸収しないが、第2a図に示されるように、8
層4中のビリリウム染料類はこのレーザービーム5を吸
収し発熱する(発熱部位を6で示した。)このビリリウ
ム染料類の発熱が隣接するA層3のポリアセチレン誘導
体化合物に伝わり、赤色へと変化する。かくして、第2
b図に示されるように、入力情報に応じて記録層上の記
録部位7の色変化による光記録が実施される。
の記録媒体の所定の位置に情報信号に応じて点滅する波
長800〜850nmの半導体レーザービーム5を照射
すると、ポリアセチレン誘導体化合物はこのレーザービ
ーム5を吸収しないが、第2a図に示されるように、8
層4中のビリリウム染料類はこのレーザービーム5を吸
収し発熱する(発熱部位を6で示した。)このビリリウ
ム染料類の発熱が隣接するA層3のポリアセチレン誘導
体化合物に伝わり、赤色へと変化する。かくして、第2
b図に示されるように、入力情報に応じて記録層上の記
録部位7の色変化による光記録が実施される。
本発明の記録媒体の効果を以下に列挙する。
’(1)記録層中のOA化合物が単分子膜またはその累
積膜で形成されているので高密度で高度な秩序性を有し
ており、したがって高密度で均質な記″ ハlll能で
ある。
積膜で形成されているので高密度で高度な秩序性を有し
ており、したがって高密度で均質な記″ ハlll能で
ある。
(2)大面積の支持体に対しても高度に均質な記録層を
安価に製造することが可能である。
安価に製造することが可能である。
(3)記録層が800〜850nmの赤外線を吸収し発
熱するビリリウム染料類を含有しているので。
熱するビリリウム染料類を含有しているので。
800〜850nmの赤外線を放射する小型軽量の半導
体レーザーを用いた記録が可能である。
体レーザーを用いた記録が可能である。
(4)光照射による記録層の色相の変化を利用した記録
が可能なので、高速、高感度、高密度な光記録が実施で
きる。
が可能なので、高速、高感度、高密度な光記録が実施で
きる。
以下、本発明を実施例に基づきより詳細に説明する。
実施例1
前記の染料M65で表わされるビリリウム染料 1重量
部を塩化メチレン4重量部中に溶解して得た塗布液を、
スピナー塗布機に装着したガラス製のディスク基板(厚
さ1.5腸鳳、直径200mm)の中央部に少量滴下し
た後、所定の回転数で所定の時間スピナーを回転させ塗
布し、常温で乾燥し、基板上の乾燥後の塗膜の厚みが3
00A、500人、1000人3000人および500
0Aのものをそれぞれ多数準備した。
部を塩化メチレン4重量部中に溶解して得た塗布液を、
スピナー塗布機に装着したガラス製のディスク基板(厚
さ1.5腸鳳、直径200mm)の中央部に少量滴下し
た後、所定の回転数で所定の時間スピナーを回転させ塗
布し、常温で乾燥し、基板上の乾燥後の塗膜の厚みが3
00A、500人、1000人3000人および500
0Aのものをそれぞれ多数準備した。
次に、一般式C1□H2s−C=G−CミC−C8Hl
b−GOONで表わされるDA化合物をクロロホルム
に3X10−3モル/lの濃度で溶解した溶液を、PH
が6.5で塩化カドミニウム濃度がlXl0−3モル/
lの水相上に展開した。溶媒のクロロホルムを除去した
後、表面圧を一定に保ちながら、先にピリリウム染料層
を表面に形成したガラス基板を、水面を横切る方向に上
下速度1.Oc+w/分で静かに上下させ、OA化合物
の単分子膜をピリリウム染料層上に移しとり、単分子膜
ならびに7層、41層、および101層に累積した単分
子累積膜を基板上に形成した光記録媒体を作成した。
b−GOONで表わされるDA化合物をクロロホルム
に3X10−3モル/lの濃度で溶解した溶液を、PH
が6.5で塩化カドミニウム濃度がlXl0−3モル/
lの水相上に展開した。溶媒のクロロホルムを除去した
後、表面圧を一定に保ちながら、先にピリリウム染料層
を表面に形成したガラス基板を、水面を横切る方向に上
下速度1.Oc+w/分で静かに上下させ、OA化合物
の単分子膜をピリリウム染料層上に移しとり、単分子膜
ならびに7層、41層、および101層に累積した単分
子累積膜を基板上に形成した光記録媒体を作成した。
比較例1
ピリリウム染料の塗膜(B層)を形成せずに、直接基板
上に実施例1と同様にしてOA化合物の単分子収積膜ま
たは単分子累積膜を形成した光記録媒体を作製した。
上に実施例1と同様にしてOA化合物の単分子収積膜ま
たは単分子累積膜を形成した光記録媒体を作製した。
比較例2
ガラス基板上にスパッタリング法により、膜厚150〇
へのGdeTb拳Feによる輻射線吸収層を設けた。こ
の基板の輻射線吸収層上に実施例1と同様にしてOA化
合物の単分子膜または単分子累積膜を基板上に形成した
光記録媒体を作成した。
へのGdeTb拳Feによる輻射線吸収層を設けた。こ
の基板の輻射線吸収層上に実施例1と同様にしてOA化
合物の単分子膜または単分子累積膜を基板上に形成した
光記録媒体を作成した。
記録試験1
実施例1および比較例1、?で作成した光記録媒体に2
54層mの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青
色膜にした0次に出力3mW、波長830nm、ビーム
径1μsの半導体レーザービームを入力情報にしたがい
、各光記録媒体表面の所定位置に照射(照射時間200
ns/ビツト)シ、青色の記録層上に赤色の記録画像を
形成した。
54層mの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青
色膜にした0次に出力3mW、波長830nm、ビーム
径1μsの半導体レーザービームを入力情報にしたがい
、各光記録媒体表面の所定位置に照射(照射時間200
ns/ビツト)シ、青色の記録層上に赤色の記録画像を
形成した。
この記録結果の評価を第1表に示した。評価は記録の感
度、画像解像度および画像濃度の良否の総合評価により
判定し、特に良好なものをO1良好なものをO1記録が
できないあるいは不良なものを×とした。
度、画像解像度および画像濃度の良否の総合評価により
判定し、特に良好なものをO1良好なものをO1記録が
できないあるいは不良なものを×とした。
第 1 表
比較例3
ピリリウム染料3重量部とニトロセルロース 1重量部
とを塩化メチレン20重量部に溶解した溶液を塗布液と
し使用し、実施例1と同様の方法により厚みが100O
AのB層を形成し、これをそのまま光記録媒体とした。
とを塩化メチレン20重量部に溶解した溶液を塗布液と
し使用し、実施例1と同様の方法により厚みが100O
AのB層を形成し、これをそのまま光記録媒体とした。
実施例2
比較例3で形成した光記録媒体のB層上に、実施例1と
同様にして21層のOA化合物の単分子累積膜を形成し
た光記録媒体を作成した。
同様にして21層のOA化合物の単分子累積膜を形成し
た光記録媒体を作成した。
記録試験2
実施例2で作成した光記録媒体に対し、半導体レーザー
ビームの照射時間を種々変更(照射時間100〜800
ns/ビツト)シた以外は記録試験1と同様な操作で記
録を実施した。また、比較例3の光記録媒体については
、紫外線照射を実施せずに直接半導体レーザービームを
入力情報にしたがい、同じ出力で光記録媒体表面の所定
位置に照射時間を種々変更して記録層表面上に照射(照
射時間 500ns/ビツト〜2μS/ビツト)し、ピ
ットを形成することによる記録を実施した。
ビームの照射時間を種々変更(照射時間100〜800
ns/ビツト)シた以外は記録試験1と同様な操作で記
録を実施した。また、比較例3の光記録媒体については
、紫外線照射を実施せずに直接半導体レーザービームを
入力情報にしたがい、同じ出力で光記録媒体表面の所定
位置に照射時間を種々変更して記録層表面上に照射(照
射時間 500ns/ビツト〜2μS/ビツト)し、ピ
ットを形成することによる記録を実施した。
実施例2の光記録媒体については、照射時間が200n
g以上の場合に良好な記録が実施できたが、比較例3で
作成した光記録媒体については、顕微鏡で8察した結果
、一つのビットを明瞭に形成するには2μs以上の照射
時間を要することが判明した。
g以上の場合に良好な記録が実施できたが、比較例3で
作成した光記録媒体については、顕微鏡で8察した結果
、一つのビットを明瞭に形成するには2μs以上の照射
時間を要することが判明した。
実施例3
一般式C12H2S−CミC−CE C−Co H+
6− C0OHで表わされるOA化合物に代え、Cs
H+ 7− CミC−CE C−C2H4−C:ClO
Hの一般式で表わされるOA化合物を用いたことを除い
ては実施例1と同様の方法により、8層の厚みが100
OAで、DA化合物の単分子層の累積度が21の光記録
媒体を作製した。
6− C0OHで表わされるOA化合物に代え、Cs
H+ 7− CミC−CE C−C2H4−C:ClO
Hの一般式で表わされるOA化合物を用いたことを除い
ては実施例1と同様の方法により、8層の厚みが100
OAで、DA化合物の単分子層の累積度が21の光記録
媒体を作製した。
実施例4
染料酸5で表わされるピリリウム染料に代え、染料酸1
で表わされるチオピリリウム染料を用いたことを除いて
は実施例3と同様の方法により光記録媒体を作成した。
で表わされるチオピリリウム染料を用いたことを除いて
は実施例3と同様の方法により光記録媒体を作成した。
実施例5
染料酸5で表わされるピリリウム染料に代え。
染i;l逅7で表わされるセレナピリリウム染料を用い
たことを除いては実施例3と同様の方法により光記録媒
体を作成した。
たことを除いては実施例3と同様の方法により光記録媒
体を作成した。
実施例6
染料酸5で表わされるピリリウム染料に代え。
染料酸14で表わされるピリリウム染料を用いたことを
除いては実施例3と同様の方法により光記録媒体を作成
した。
除いては実施例3と同様の方法により光記録媒体を作成
した。
実施例7
染料酸5で表わされるピリリウム染料に代え、染料N6
16で表わされるチオピリリウム染料を用いたことを除
いては実施例3と同様の方法により光記録媒体を作成し
た。
16で表わされるチオピリリウム染料を用いたことを除
いては実施例3と同様の方法により光記録媒体を作成し
た。
実施例8
前記の染料酸4で表わされるチオピリリウム染料 1重
量部とアラキシン酸2重量部をクロロホルムに lXl
0−3モル/!の濃度で溶解した溶液を、PHが8.5
で塩化カドミニウム濃度がlXl0−3モル/lの水相
上に展開した。溶媒のクロロホルムを除去した後、表面
圧を一定に保ちながら、十分に清浄し、表面が親水性と
なっているガラス基板(既にI)A化合物の単分子膜か
ら構成される累積膜等が形成されている場合を含む)を
、水面を横切る方向に上下速度1.oc+s/分で静か
に21回上下させ(途中、乾燥工程を実施する)、ピリ
リウム染料類を含有する単分子累積膜を基板上に移しと
った。
量部とアラキシン酸2重量部をクロロホルムに lXl
0−3モル/!の濃度で溶解した溶液を、PHが8.5
で塩化カドミニウム濃度がlXl0−3モル/lの水相
上に展開した。溶媒のクロロホルムを除去した後、表面
圧を一定に保ちながら、十分に清浄し、表面が親水性と
なっているガラス基板(既にI)A化合物の単分子膜か
ら構成される累積膜等が形成されている場合を含む)を
、水面を横切る方向に上下速度1.oc+s/分で静か
に21回上下させ(途中、乾燥工程を実施する)、ピリ
リウム染料類を含有する単分子累積膜を基板上に移しと
った。
次いで、この基板を用い、実施例1と同様な操作により
OA化合物の21層の単分子累積膜をビリリウム染料類
を含有する単分子累積膜層上に移しとり、光記録媒体を
作成した。
OA化合物の21層の単分子累積膜をビリリウム染料類
を含有する単分子累積膜層上に移しとり、光記録媒体を
作成した。
記録試験3
実施例3〜8で作成した光記録媒体を用いて、記録試験
1と同様にしてそれぞれ記録試験を実施した。この記録
結果の評価を第2表に示した。
1と同様にしてそれぞれ記録試験を実施した。この記録
結果の評価を第2表に示した。
第 2 表
第1a図および第1b図は、本発明の光記録媒体の構成
の一態様を示す模式断面図であり、第2a図および第2
b図は、本発明の光記録媒体の光記録の一態様を示す模
式断面図である。 l二基板 2:記録層 3ニジアセチレン誘導体化合物含有層 4:ビリリウム染料鎖含有層 5:レーザービーム 6:発熱部位 7:赤色変色部位(記録部位) 第1o図 第1b図 第2b区
の一態様を示す模式断面図であり、第2a図および第2
b図は、本発明の光記録媒体の光記録の一態様を示す模
式断面図である。 l二基板 2:記録層 3ニジアセチレン誘導体化合物含有層 4:ビリリウム染料鎖含有層 5:レーザービーム 6:発熱部位 7:赤色変色部位(記録部位) 第1o図 第1b図 第2b区
Claims (1)
- 1)少なくとも親水性部位および疎水性部位を併有する
ジアセチレン誘導体化合物の単分子膜またはその累積膜
からなるA層と、ピリリウム染料、チオピリリウム染料
およびセレナピリリウム染料からなる群より選ばれた一
種以上を含有してなるB層とが積層されてなる記録層を
有することを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60270786A JPS62130883A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 光記録媒体 |
US07/287,551 US5004671A (en) | 1985-08-27 | 1988-12-20 | Optical recording medium and optical recording method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60270786A JPS62130883A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 光記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62130883A true JPS62130883A (ja) | 1987-06-13 |
Family
ID=17490976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60270786A Pending JPS62130883A (ja) | 1985-08-27 | 1985-12-03 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62130883A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007253242A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Toda Constr Co Ltd | 配管継手部材に対する差込長さのマーキング装置 |
-
1985
- 1985-12-03 JP JP60270786A patent/JPS62130883A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007253242A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Toda Constr Co Ltd | 配管継手部材に対する差込長さのマーキング装置 |
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