JPS62142688A - 光記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光記録媒体を用いた光記録方法に関し、特に
１枚の光ディスクで変色記録とビット記録との併用、す
なわち３値記録を可能とし、且つ低出力の半導体レーザ
ーを用いた場合でも、高密度、光記録が可能であり、省
エネルギーの面で有利な光記録方法に関する。

［従来の技術］ 最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスク、光カード、光テープ（以下、光ディスクと
総称する）等の光記録媒体が注目されている。

例えば、光ディスクは、１枚のディスク中に大量の文書
１文献等の整理、管理が効率良〈実施できるという利点
を有している。

このような、光デイスク技術で用いる記録層は、光学的
に検出可能な小さなドツト（例えばＩｇｍ程度）をらせ
ん状又は円形トラック形態にして、高密度情報を記憶す
ることができる。

この光デイスク技術に用いるディスクとしては１例えば
レーザーに対して感応する材料からなる記録層を基板上
に設けた構成のものが代表的である。　この光ディスク
に情報を書き込むには、レーザー感応層（記録層に集束
したレーザーを走査し、このレーザー光線が照射された
表面のみにドツトを形成させ、記録情報に応じてこのド
ツトをらせん状又は円形トラックの形態で形成する。

すなわちレーザー感応層は、レーザーエネルギーを吸収
して光学的に検出可能なドツトを形成できる。例えば、
ヒートモード記録方式では、レーザー感応層は熱エネル
ギーを吸収し、その箇所に蒸発又は融解による小さな凹
部（ピット）からなるドツトを形成できる。

また、別のヒートモード記録方式では、照射されたレー
ザーエネルギーの吸−収により、その箇所に光学的に検
出可能な変色部からなるドツトを形成できる。

この光ディスクに記録された情報は、レーザーをトラッ
クに沿って走査し、ドツトが形成された部分と形成され
なかった部分の光学的変化を読み取ることによって検出
される。例えば、基板の反射面上に記録層を設けた構成
のディスクを用いた場合には、レーザーがトラックに沿
って走査され、ディスクによって反射されたエネルギー
がフォトディテクターによってモニターされる。その際
、ピット記録の場合には、ピットが形成されていないと
ころでは、フォトディテクターの出力は低下し、一方ビ
ットが形成されているところでは、レーザー光線は下層
の反射面によって充分に反射されフォトディテクターの
出力は大きくなる。

このような光ディスクの記録層としては、従来からアル
ミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマス薄膜、酸化テ
ルル薄膜やカルコゲナイド系非晶質ガラス膜などの無機
物質を主に用いたものなど各種のものが検討されてきた
が、価格、製造の容易さから有機材料を用いたものが注
目されている。

一方、従来のヒートモード方式は、ドツトを形成するか
しないかの２値記録であるため、より高密度な記録を実
施する上で限界があった。

［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は、かかる従来の問題点を解決するためになされ
たものであり、本発明者らはアズレニウム塩化合物とジ
アセチレン誘導体化合物とを組合せて光記録媒体に記録
層を形成することによって、１枚の光ディスクで変色記
録とビット記録とが可能であり、しかも低出力の半導体
レーザーを用いた場合でも変色記録とビット記録とを同
程度の速さで行うことを見出し本発明を完成した。

本発明の目的は、１枚の光ディスクで２種のドツトによ
る３値記録を可能とする光記録方法を提供することにあ
る。

本発明の他の目的は、小型軽量で低出力の半導体レーザ
ーにより光書込みが可能であり、且つ高速記録が可能な
光記録方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度、高解像度での記
録が可能な光記録方法を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な記録
画像を得ることのできる光記録方法を提供することにあ
る。

［問題点を解決するための手段］ 上記の目的は、以下の本発明によって達成される。

すなわち本発明は、少なくとも親水性部位と疎水性部位
を併有するジアセチレン誘導体化合物の単分子膜又はそ
の累積膜と、下記一般式（Ｉ）で表わされる骨格を有す
るアズレニウム塩化合物を含む記録層を有して成る光記
録媒体に、紫外線を照射し、次いで記録情報に応じて露
光量を制御した光を照射し、露光ＩＱＩの光で変色を起
こし、露光量Ｑｚの光で凹部かもなるピットを形成する
工程（ただし、Ｑｌ＜　ＱＺ）を含むことを特徴とする
光記録方法である。

［作用］ 本発明の方法に用いる光記録媒体に含有される親水性部
位及び疎水性部位を併有するジアセチレン誘導体化合物
（以下、ＯＡ化合物と略称する）とは、隣接する分子中
のＣミＣ−Ｃ＝Ｃ官能基間において１．４−付加重合反
応が可能な化合物、代表的には下記一般式 ％式％） （式中、Ｘは、親水性部位を形成する親木性基であり、
ｍ、ｎは整数を表わす）で表わされる化合物が含まれる
。

この場合における親水性基Ｘとしては、例えばカルボキ
シル基、アミノ基、ヒドロキシ基、ニトリル基、チオア
ルコール基、イミノ基、スルホン酸基、スルフィニル基
又はその金属もしくはアミン塩が挙げられる。疎水性部
位を形成するＨ　（ＯＨλ）、ｖｉで表わされるアルキ
ル基としては、炭素原子数が１０〜３０の長鎖アルキル
基が好ましい。またｍａｎは１０〜３０の整数が適当で
ある。

一方、本発明で用いる前記一般式（Ｉ）で表わされる骨
格を有するアズレニウム塩化合物（以下、ＡＺ化合物と
略称する）は、７５０ｎｍ以上の波長域に吸収ピークを
有し、この波長の赤外線により発熱する化合物である。

前記一般式（Ｉ）を含むＡＺ化合物は、次の３種に分類
できる。

（ＩＩ）　〜（ＩＶ）に示す化合物において、Ｒ１〜Ｒ
ｑは、水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機残基を表
わす。

１価の有機残基としては、アルキル基、アルコキシ基、
置換もしくは未置換アリール基、アシル基、置換もしく
は未置換アミノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、カルボキ
シル基、シアノ基又は置換もしくは未置換アリールアゾ
基を挙げることができる。

Ａは２重結合によって結合した２価の有機残基を表わし
、以下に具体例を示す。

○　　。

Ｚは、バークロレート、フルオロポレート、ｐ−トルエ
ンスルホネート、パーアイオダイド、クロライド、ブロ
マイド又はアイオダイドなどの７ニオン残基を表わす。

本発明に用いるＡＺ化合物の具体例を以下に示す。

本発明に用いる光記録媒体は、前記［ＩＡ化合物の単分
子膜又は単分子累積膜とＡＺ化合物とを含有してなり、
１層温合系、２層分離系又は多層積層系のいずれの構成
でも良い。

ここで１層温合系とは、［］Ａ化合物とＡＺ化合物との
混合層からなるものを、２層分離系とは、ＯＡ化合物を
含む層とＡＺ化合物を含む層とが分ｇＩａ層されている
ものを、多層積層系とは、　ＯＡ化合物を含む層の１以
上と、ＡＺ化合物を含む層の１以上とが、所定の暦数積
層された、上記２層分離系を含まない構成のものをそれ
ぞれいう。

本発明に用いる光記録媒体の代表的な構成を第１図（ａ
）　（ｂ）、第２図（ａ）（ｂ）に示す。

第１図（ａ）　（ｂ）は、１層温合系の記録層１５が基
板ＩＩ上に設けられているものであり、ｌ実施態様とし
ては第４図（ａ）　（ｂ）に示すように、ＯＡ化合物１
Ｂ−１とＡＺ化合物１６−２との混合単分子膜が形成さ
れたもの、又はＤＡ化合物１６−１とＡＺ化合物１Ｂ−
２との混合単分子累積膜からまるものである。

一方、第２図（ａ）（ｂ）は、２層分離系、すなわちＤ
Ａ化合物を含む層１５−１とＡＺ化合物を含む層１５−
２とからなる記録層１５が基板１１上に設けられている
ものであり、１実施態様としては第３図（ａ）（ｂ）に
示すように、基板上にＡＺ化合物を含む層２１を設け、
さらにその上にＯＡ化合物の単分子膜が積層されたもの
、あるいはＡＺ化合物を含む層２１上にＯＡ化合物の単
分子累積膜が積層されたものである。

尚、ＡＺ化合物を含む層２１は後述するように、単分子
膜又は単分子累積膜として形成しても良い。

本発明に用いる光記録媒体の基板１１としては、ガラス
、アクリル樹脂のプラスチック板、ポリエステル等のプ
ラスチックフィルム、紙、金属等の各種の材料が使用で
きるが、基板側から輻射線を照射して記録を実施する場
合には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを用い
る。

基板１１上にＯＡ化合物とＡＺ化合物との混合単分子膜
又は混合単分子累積膜を形成する等の方法によって得る
ことができる。

基板１上にこのような単分子膜又は単分子累積膜からな
る記録層２を形成するには、例えば、■、ラングミュア
らの開発したラングミュア番プロジェット法（単分子累
積膜形成法、以下ＬＢ法という）が用いられる。

ＬＢ法は、分子内に親木基と疎水基を有する構造の分子
において、両者のバランス（両親媒性のバランス）が適
度に保たれているとき、分子は水面上で親木基を下に向
けて単分子膜または単分子層の累積膜を作成する方法で
ある。水面上の単分子層は二次元系の特徴をもつ０分子
がまばらに散開しているときは、一分子当りの面接Ａと
表面積■との間に二次元理想気体の式、 ｒＩＡ＝ｋＴ が成り立ち、“気体膜パとなる。ここに、にはポルツマ
ン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを充分小さくすれば分
子間相互作用が強まり二次元固体の“凝縮膜（または固
体膜）”になる、凝縮膜はガラスなどの基板の表面へ一
層ずつ移すことができる。

また、２以上の化合物からなる、いわゆる混合単分子膜
または混合単分子累積膜も上述と同様の方法により得ら
れる。このとき、混合単分子膜または混合単分子累積膜
を構成する２以上の化合物のうち少なくともその１つが
親水性部位と疎水性部位とを併有するものであれば良く
、必ずしもすべての化合物に親水性部位と疎水性部位と
の併有が要求されるものではない、すなわち、少なくと
も１つの化合物において両親媒性のバランスが保たれて
いれば、水面上に単分子膜が形成され、他の化合物は両
親媒性の化合物に挟持され、結局全体として分子秩序性
のある単分子層が形成される。

この方法を用いて、本発明の記録層を構成するＤＡ化合
物とＡＺ化合物との混合単分子膜または混合単分子累積
膜は例えば次のようにして製造される。

まず、ＯＡ化合物とＡＺ化合物とをクロロホルム等の溶
剤に溶解し、これらの化合物を膜状に展開させた展開層
を水面上に形成する。次にこの展開層が水面上を自由に
拡散して拡がりすぎないように仕切板（または浮子）を
設けて展開面積を制限して膜物質の集合状態を制御し、
その集合状態に比例した表面圧ｎを得る。この仕切板を
動かし、展開面積を縮小して膜物質の集合状態を制御し
、表面圧を徐々に上昇させ、累積膜の製造に適する表面
圧ｎを設定することができる。この表面圧を維持しなが
ら静かに清浄な基板を垂直に上下させることにより、　
ＤＡ化合物とＡＺ化合物の混合単分子膜が基板上に移し
とられる。混合単分子膜はこのようにして製造されるが
、混合単分子累積膜は、前記の操作を繰り返すことによ
り所望の累積度の混合単分子累積膜が形成される。

単分子膜を基板上に移すには、上述した垂直浸漬法の他
、水平付着法、回転円筒法などの方法による。水平付着
法は基板を水平に接触させて移しとる方法で、回転円筒
法は、円筒型の基体を水面上に回転させて単分子層を基
体表面に移しとる方法である。前述した垂直浸漬法では
、水面を横切る方向に基板を上げると一層めは親木基が
基板側に向いた単分子層が基板上に形成される。前述の
ように基板を上下させると、各工程ごとの１枚ずつ単分
子層が重なっていく、成膜分子の向きが引上げ工程と浸
漬工程で逆になるので、この方法によると、各層間は親
木基と親木基、疎水基と疎水基が向かい合うＹ型膜が形
成される。

それに対し、水平付着法は、基板を水面に水平に接触さ
せて移しとる方法で、疎水基が基板側に向いた単分子膜
が基板上に形成される。この方法では、累積しても、成
膜分子の向きの交代はなく全ての層において、疎水基が
基板側に向いたＸ型膜が形成される０反対に全ての層に
おいて親木基が基板側に向いた累積膜はＺ型膜と呼ばれ
る。

回転円筒法は、円筒型の基体を水面上に回転させて単分
子膜を基体表面に移しとる方法である。

単分子膜を基板上に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面積基板を用いる時には、基板ロールか
ら水槽中に基板を押し出していく方法などもとり得る。

また、前述した親水基、疎水基の基板への向きは原則で
あり、基板の表面処理等によって変えることのできる。

これらの単分子膜の移し取り操作の詳細については既に
公知であり、例えば「新実験科学講座１８界面とコロイ
ドＪ　　（４９８〜５０７頁、丸善刊）に記載されてい
る。

このようにして、基板上に形成される混合単分子膜又は
混合単分子累積膜は、高密度で高度の秩序性を有してい
るので、場所による光吸収のバラツキは極て小さい、従
って、このような膜によって記録層を構成することによ
り、ＯＡ化合物とＡＺ化合物との機能に応じて、光記録
、熱的記録が可能な高密度、高解像度の記録機能を有す
る記録媒体が得られる。

また、２層分離系もしくは多層積層系の記録層１５を形
成する場合には、ＯＡ化合物の単分子膜又は単分子累積
膜からなる層１３．１４の１以上とＡＺ化合物を含む層
２１の１以上とを基板上に所定の層数及び順序で積層す
れば良い。

この場合におけるＤＡ化合物の単分子膜又は単分子累積
膜からなる層１３．１４は、ＯＡ化合物を含む展開用の
溶液を調製して、上記ＬＢ法により、基板ｌｌ上もしく
は他の層上に形成できる。

ＡＺ化合物を含む層２１は、ＡＺ化合物を適当な揮発性
溶液に溶解して調製した塗布液を基板ｌｌ上もしくは他
の層上にしゅていに膜厚が得られるように塗布した後、
これを乾燥させて形成できる。

あるいはＡＺ化合物に、ステアリン酸、アラキシン酸な
どの高分子脂肪酸のような両親媒性のバランスに優れた
有機高分子を担体分子として、任意の比率で使用して、
上記のＬＢ法により単分子膜又は単分子累積膜として形
成することもできる。

ＡＺ化合物を含む層を塗布法で形成する場合の塗布溶液
形成用に溶媒は、メタノール、エタノール、インプロパ
ツール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン類、アセトニトリル等
の脂肪族ニトリル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジ
クロロエチレン、四塩化炭素、トリクロロエチレン等の
脂肪族ハロゲン化炭化水素類等が挙げられ、塩化メチレ
ン、アセトニトリルが特に好適である。

尚、上記塗布液には、基板１１あるいは他の層との密着
性を向上させるために、適時天然もしくは合成高分子か
らなるバインダを添加しても良い。

また、記録層１５の安定性、品質向上を計るために各種
の添加剤を加えても良い。

このような塗布液の基板１１上への塗工は、スピンナー
回転塗布法、浸漬コーティング法、スプレーコーティン
グ法、ビードコーティング法、ワイヤーバーコーティン
グ法、ブレードコーチインク法、ローラーコーチインク
法、カーテンコーティング法等の手法が用いられる。

記録層１５が１層温合系の場合は、その膜厚は、２００
Ａ〜２μ程度が適しており、特に４００〜５０００Ａの
範囲が好ましい、また２層分離系の場合の各層の膜厚は
、１００Ａ〜ＩＪＬ程度が適しており、特に２００〜５
０００Ａの範囲が好ましい、更に、多層積層系の場合に
は１個々のＩＩＡ化合物を含む層の膜厚の総和及び個々
のＡＺ化合物を含む層の膜厚の総和がともに、ｌｏｏａ
−１ｇ程度が適しており、特に２００〜５０００Ａの範
囲が好ましい。

記録層１１内でのＤＡ化合物とＡＺ化合物との混合比は
　１／１５〜１５１１程度が好ましく、最適には１／ｌ
Ｏ〜１０／ｌである。

尚、必要に応じてこのように構成される記録層の上に各
種の保護層を設けても良い。

また、２層分離系や多層積層系の場合の各層の積層順序
に関係なく、本発明は成立するものである。

尚、必要に応じてこのように構成される記録層の上に各
種の保護層を設けても良い。

このようにして構成される記録媒体を用いて本発明の光
記録方法を実施することができる。

この記録媒体においては、ＯＡ化合物に光を加えること
により、記録層の吸収波長が変化して見掛けの色が変化
する。すなわち、ＩＩＡ化合物は、初期にはほぼ無色透
明であるが、紫外線を照射すると重合し、ポリジアセチ
レン誘導体化合物へと変化する。この重合は紫外線照射
によってのみ起こり、熱等の他の物理的エネルギーの印
加によっては生じない。この重合の結果、６２０〜８Ｅ
ｌＯｎｍに最大吸収波長を有するようになり、青色ない
し暗色へと変化する。この重合に基づく色相の変化は不
可逆変化であり、一度青色へ変化した記録層は無色透明
膜へとは戻らない。

更に、この青色へと変化したポリジアセチレン誘導体化
合物とＡＺ化合物とを含有した記録層は。

照射された光の露光量に応じた温度で発熱する。

その際、記録層１５が溶融せず、且っポリジアセチレン
誘導体化合物が約５０℃以上に加熱された場合には、記
録層の露光部は約５４０ｎｍに最大吸収波長を有するこ
とになり、赤色膜へと変化する。尚、この赤色膜への変
化も不可逆変化である。

更に、露光量を上昇させ、露光量がある限度を越えると
記録層の露光部は溶融する。

本発明の記録方法は、このようなＯＡ化合物とＡＺ化合
物との組合せによって得られる特性を利用して記録を実
施するものである。

本発明の方法に用いる半導体レーザーとしては、出力波
長８２０〜８４０　ｎｔａのＧａ＃Ａｓ接合レーザーを
使用するのが特に好適である。

本発明の方法を実施するに際して、光記録媒体としてＤ
Ａ化合物とＡＺ化合物とを含有させて構成した記録層を
有するものを用いる場合には、先ず。

記録層全体に紫外線を照射する。この紫外線の照射によ
って、前述したように記録層中ＯＡ化合物が重合し、ポ
リジアセチレン誘導体化合物へ変化し、記録層は青色の
膜へと変色する。

一方、入力情報は、制御回路を経て半導体レーザーによ
り光信号に変換される。この光信号は光学系を経て１例
えば光記録媒体載置手段上に載置され、同期回転してい
る記録媒体の所定の位置に第１図（ａ）に示すように結
像される。結像位置は記録媒体の記録層１５である。

結像点（部位）　１８−１，１８−２における露光量は
、変色記録のための、ポリジアセチレン誘導体化合物が
約５０℃以上に加熱されるが、記録層１５を溶融しない
程度の温度にするのに充分な量（Ｑｌ）と、ピット記録
のための記録層１５を溶融するのに充分な量（Ｑｌ）と
に制御される（但し、Ｑ、＜Ｑ２）。

このように結像点の露光量を変化させるには、半導体レ
ーザーの強度を変化させるか、レーザーの照射時間を変
化させる。もしくはこれらを併用するなどの方法を用い
ればよい６尚、２種の露光量の照射を実施するに際して
は、１台の半導体レーザーを用いて上記のような制御を
行っても良いし、異なる露光量の得られる複数の半導体
レーザーを用いても良い。

結像点（部位）　１Ｂ−１，１Ｂ−２に存在するＡＺ化
合物は、このレーザービーム１７−１，１７−２を吸収
し発熱する。

ここで、前述したＱｌの露光量を受けた結像点１Ｂ−１
は、ＡＺ化合物の発熱にょリポリジアセチレン誘導体化
合物が加熱されるので赤色に変化して、未露光部の青色
と識別可能な変色部からなるドツト１９となる。尚、Ｏ
Ａ化合物のみからなる記録層を有する光記録媒体では、
ポリジアセチレン誘導体化合物がこの８００〜８５０ｎ
ｍの波長のレーザーに対する感応性を有していないので
、この波長の半導体レーザーを用いた場合には、変色に
よる光記録は不可能である。

一方、前述したＱ２．の霧光量を受けた結像点１８−２
は、　ＡＺ化合物の発熱によりその部分が溶融し、第１
図（ｂ）に示すように凹部からなるピットが形成される
。

その際、本発明に用いる記録媒体の記録層１５は、前述
のようにＡＺ化合物にポリジアセチレン誘導体化合物が
組合わされて構成されているので、すなわちポリジアセ
チレン誘導体化合物が存在することにより、記録層の溶
融に要するエネルギーを著しく減少させることができ、
ＡＺ化合物による上述のピット形成が大幅に促進される
。

このようにして入力情報に応じて記録層１５に変色部１
８とピット２０の２種の形態の異なるドツトによる光記
録、すなわち３値記録が実施される。しかも、本発明に
用いる光記録媒体は、変色記録及びピット記録双方に対
し、高感度を有しているので、このような３値記録を高
速で行うことができる。

以上、１層温合系の記録層を有する光記録媒体を用いた
場合について説明したが、第２図（ａ）　（ｂ）に示し
たような２層分離系を用いた場合には、結像点１８−１
．１８−２は、第２図（ａ）に示すようにＡＺ化合物を
含む層１５−２とされる。このようにレーザー１７−１
，１７−２が照射されると、記録情報に応じた結像点１
８−１，１８−２の露光量Ｑ１、Ｑ２に応じてＡＺ化合
物が発熱し、第２図（ｂ）に示すように変色部からなる
ドツト１３又は凹部からなるピット２０が形成される。

以上のようにして記録された２種のドツトは、所望によ
り、両者を一度にあるいは一方のみを読取ることができ
る。

尚、光記録媒体としては、上述の例では円盤上のディス
ク（光ディスク）が用いられたが、もちろん、　ＯＡ化
合物とＡＺ化合物を含有する記録層を支持する基板の種
類により、光テープ、光カード等としても使用できる。

［実施例］ 本発明を更に具体的に説明するために、以下に実施例を
挙げる。尚、単分子膜作成において第５図に示す装置を
用いた。

実施例Ｉ ＣＩ２Ｈｆ、−Ｃ”Ｃ−Ｃ”Ｇ−Ｃｇ　［１６−Ｃ０Ｏ
Ｈで表わされるジアセチレン誘導体化合物１重量部と前
記の染料陽、１で表わされるアズレニウム塩化合物１重
量部とをり０ロホルムに３ｘｆＯモル／１の濃度で溶解
した溶液を、　ｐＨが８．５で塩化カドミウム濃度が１
Ｉｉ０モル／ｌの水槽上に展開した。溶媒のクロロホル
ムを除去した後、表面圧を一定に保ちながら、充分に洗
浄し１表面が親水性となっているガラス基板を、水面を
横切る方向に上下速度１．０ｃｍ／分で静かに上下させ
、ＤＡ化合物とＡＺ化合物との混合単分子膜を基板上に
移し取り、混合単分子膜ならびに２１層４１層及び８１
層に累積した混合単分子累積膜を基板上に形成した記録
媒体を作成した。

このようにして得た記録媒体のそれぞれに、まず２５４
ｎｍ波長の紫外線を均一かつ充分に照射し、記録層を青
色膜にした。

次に、この青色膜化された記録層を有する記録媒体に、
そのレーザー出力を変化できる８３０ｎｍの波長の半導
体レーザー（最大比カニ　１０＋ｓＷ、レーザーヒーム
径：ｌｌＬａ＋、照射時間：　２００ｍｇ／　１ビツト
）を入力情報に従い照射し、本発明の光記録を実施した
。尚、ピット記録指令の時は、レーザー出力を８ｍＷと
し、変色記録指令の時は、レーザー出力を４覆Ｗとした
。

この記録結果の評価を第１表に示す。

評価はビット及び変色の両方の記録における感度、解像
度、記録部と未記録部とのコントラスト比（鮮明性）に
ついて総合的に評価し、特に良好なものを０、良好なも
のを０．記録ができないか又は不良なものを×とした。

実施例２ ジアセチレン誘導体化合物の量を５重量部、アズレニウ
ム塩化合物の量を１重量部として使用したことを除き、
実施例１と同様の方法により記録媒体を得、これに記録
を行い、評価した。その記録結果を第１表に示す。

実施例３ Ｃ＋２１（２Ｉｉ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ−ＣＢ　ＨＩ６−Ｃ
ＯＯＨで表わされるジアセチレン誘導体化合物に代え、
ＣｔＨ，ｑ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ，ＨチーＣ００Ｈで示
される化合物を用いたことを除いては実施例１と同様の
方法により記録媒体を得、これに光記録を行い、その記
録結果を評価した。この結果を第１表に示す。

実施例４ 染料Ｎｏ、　　１で表わされるアズレニウム塩化合物に
代え、染料Ｎｏ、　６で表わされるアズレニウム塩化合
物を用いたことを除いて実施例１と同様の方法により記
録媒体を得、これに光記録を行い、その記録結果を評価
した。この結果を第１表に示す。

実施例５ 染料Ｎｏ、　　１で表わされるアズレニウム塩化合物を
ジクロロエチレン１０重量部に溶解し、塗布液を調製し
た。

次に、ガラス製のディスク基板（厚さ　１．５ｍｍ。

直径２００ｍｍ）をスピナー塗布機に装着し、前記塗布
液をディスク基板の中央部に少量滴下した後、所定の回
転数で所定の時間スピナーを回転させて塗布し、常温で
乾燥し、基板上に塗布液を塗布して、膜厚が２０ＯＡの
７ズレニウム塩化合物を含む層を形成した。

このようにしてアズレニウム塩化合物を含む層を形成し
た後、　Ｃ，２）１美−いＣ−Ｃ”　Ｃ−Ｃ９Ｈ，ら−
ＧＯＯＨで表わされるジアセチレン誘導体化合物をクロ
ロホルムに３メｌＯモル／１の濃度で溶解した溶液を、
ｐＨが６．５で塩化カドミウム濃度がｌＸｌ０　　モル
／ｌの水槽上に展開した。溶媒のクロロホルムを除去し
た後、表面圧を一定に保ちながら、アズレニウム塩化合
物を含む層を有するガラス基板を、水面を横切る方向に
上下速度１．０ｃｍ／分で静かに上下させ、アズレニウ
ム塩化合物を含む暦の表面にＩ）Ａ化合物の単分子膜を
移し取り、４１層及び８１層に累積した単分子累積膜を
含む記録媒体を作成した。

このようにして得た記録媒体に、まず２５４ｎｍの紫外
線を均一かつ充分に照射し、記録層を青色膜にした１次
に、この青色膜化された記録層を有すす。

実施例６ Ｃ，コＨ２５−Ｃ％Ｃ−ＣＭＣ−０１１Ｈ，＆−〇〇〇
Ｈで表わされるジアセチレン誘導体化合物に代え、Ｃ１
Ｈ＋’ｌ−ＧミＣ−ＣミＣ−Ｃ２Ｈ，−ＣＯＯＨで示さ
れる化合物を用いたことを除いては実施例５と同様の方
法により記録媒体を得、これに光記録を行い、その記録
結果を評価した。この結果を第１表に示す。

実施例７ 染料Ｎｏ、　　１で表わされるアズレニウム塩化合物に
代え、染料Ｎｏ、１３で表わされるアズレニウム塩化合
物を用いたことを除いて実施例５と同様の方法により記
録媒体を得、これに光記録を行い、その記録結果を評価
した。この結果を第１表に示す。

第　　１　　表 第　１　表（続き） 木１　：変色記録　＊２　：ピット記録［発明の効果］ 本発明の光記録方法の効果を以下に列挙する。

（Ｉ）記録層に７ズレニウム塩化合物とポリジアセチレ
ン誘導体化合物とが組合わされて含有されいるので、小
型軽量の半導体レーザーを用いて１枚の記録媒体で変色
記録とピット記録とを所望により行うことができる。す
なわち、１枚の記録媒体で３値記録による高密度記録が
可能である。しかも、記録層は、変色記録とピット記録
のどちらにおいても高感度であり、高速記録が可能であ
る。

〔２）少なくともジアセチレン誘導体化合物が単分子膜
又はその累蹟膜となって記録層を構成しているために、
記録層の構成成分は高密度で高度な秩序性を有し、記録
層が均質かつ表面性良く　　　　　′形成されているの
で、安定性に優れ高品質の光記録が実施できる。

（３）高度に均質な大面積の記録層を有する安価な記録
媒体を用いた光記録が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）及び第２図（ａ）（ｂ）は、本発
明の光記録プロセスを例示する模式断面図、第３図（ａ
）　（ｂ）は、本発明の方法に用いる光記録媒体の構成
（２層分離系）の一実施態様を表わす概略図、第４図（
ａ）　（ｂ）は、本発明の方法に用いる光記録媒体の構
成（Ｉ層温合系）の一実施態様を表わす概略図、第５図
（ａ）　（ｂ）は、単分子膜又はその累積膜を作成する
ための装置の概略図である。 １１：基板　　１５：記録層 １５−１　：　ＤＡ化合物を含む層 １５−２２１　　：　ＡＺ化合物を含む層１Ｂ−１：　
ＤＡ化合物 １Ｂ−２：　ＡＺ化合物 １７−１　：露光量Ｑのレーザービーム１７−２　：露
光量Ｑのレーザービーム１８−１，２　：露光部（結像
部） １８：変色部 ２０：ピット ｚｏ　　　　　　ｒｑ 高５図（Ｑ） Ｚ 名ｑ　［］　（ｔ＞）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 少なくとも親水性部位と疎水性部位を併有するジアセチ
   レン誘導体化合物の単分子膜又はその累積膜と、下記一
   般式（ I ）で表わされる骨格を有するアズレニウム塩
   化合物を含む記録層を有して成る光記録媒体に、紫外線
   を照射し、次いで記録情報に応じて露光量を制御した光
   を照射し、露光量Ｑ＿１の光で変色を起こし、露光量Ｑ
   ＿２の光で凹部からなるピットを形成する工程（ただし
   、Ｑ＿１＜Ｑ＿２）を含むことを特徴とする光記録方法
   。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１〜Ｒ＿７は、水素原子、ハロゲン原子又
   は１価の有機残基を表わす。）