JPS62176886A - 光記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光記録媒体を用いた光記録方法に関し、特に
１枚の光ディスクで変色記録とビット記録との併用、す
なわち３値記録を可能とし、かつ低出力の半導体レーザ
ーを用いた場合でも、高密度、高感度な光記録が可能で
あり、省エネルギーの面で有利な光記録方法に関する。

〔従来の技術〕

最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスク、光テープ、光カード（以下光ディスクと総
称する）等の光記録媒体が注目を集めている０例えば光
ディスクは、一枚のディスク中に大量の文書、文献等を
記録保存できるため、オフィスにおける文書等の整理、
管理が効率よ〈実施できるという利点を有している。

このような光デイスク技術で用いる記録層は。

光学的に検出可能な小さな（例えばｌμｓ）ドツトをら
せん状または円形のトラック形態にして、高密度情報を
記憶することができる。

□　この光デイスク技術に用いるディスクとしては、例
えばレーザーに対して感応する材料からなる記録層を基
板上に設けた構成のものが代表的である。このディスク
に情報を書き込むには、レーザー感応層（記録層）に集
束したレーザーを走査し、このレーザー光線が照射され
た表面のみにドツトを形成させ、記録情報に応じてこの
ドツトをらせん状または円形トラックの形態で形成する
。すなわちレーザー感応層は、レーザー・エネルギーを
吸収して光学的に検出可能なドツトを形成できる０例え
ばヒートモード記録方式では、レーザー感応層は熱エネ
ルギーを吸収し、その個所に蒸発または融解により小さ
な凹部（ピット）からなるドツトを形成できる。また、
別のヒートモード記録方式では、照射されたレーザー・
エネルギーの吸収により、その個所に光学的に検出可能
な変色部からなるドツトを形成できる。

この光ディスクに記録された情報は、レーザーをトラッ
クに沿って走査し、ドツトが形成された部分とドツトが
形成されていない部分の光学的変化を読み取ることによ
って検出される０例えば、基板の反射面上に記録層を設
けた構成のディスクを用いた場合には、レーザーがトラ
ックに沿って走査され、ディスクによって反射されたエ
ネルギーがフォトディテクターによってモニターされる
。その際、ピット記録の場合には、ピットが形成されて
いないところでは、フォトディテクターの出力は低下し
、一方ビットが形成されているところでは、レーザー光
線は下層の反射面によって十分に反射されフォトディテ
クターの出力は大きくなる。

このような光ディスクの記Ｑ層としては、従来よりアル
ミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマス薄膜、酸化テ
ルル薄膜やカルコゲナイド系非晶質ガラス膜などの無機
物質を主に用いたものなど各種のものが検討されてきた
が１価格、製造の容易さから最近になって有機材料を用
いたものが注目されている。

一方、従来のヒートモード方式は、ドツトを形成するか
しないかの２値記録であるため、より高密度な記録を実
施する上で限界があった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、特開昭５９−１３４２４８号および同
８４２４９号に開示された熱安定性のよい特定構造のジ
エン化合物とジアセチレン誘導体化合物とを組合せて光
記録媒体の記録層を構成することによって、１枚の光デ
ィスクで変色記録とピット記録とが可能であり、すなわ
ち２種のドツトによる３イ１記録が可能であり、しかも
低出力の半導体レーザーを用いた場合でも変色記録とピ
ット記録とを同程度の高速で行なうことができることを
みいだし完成されたものである。

本発明の目的は、１枚のディスクでの２種のドツトによ
る３値記録を可能とする光記録方法を提供することにあ
る。

本発明の他の目的は小型軽量で低出力の半導体レーザー
により光書き込みが可能であり、かつ高速記録が可能な
光記録方法を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、より高密度、高感度での記録
が可能な光記録方法を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録画像を得ることのできる光記録方法を提供することに
ある。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち、本発明の光記録方法は、ポリジアセチレン誘
導体化合物と、下記一般式（１）または（２）で表わさ
れる化合物の一種以上とを含有してなる記録層を有する
光記録媒体に、記録情報に応じて露光量を制御した光を
照射し、露光＋％Ｑ＋の露光部を変色させ、′ＡＡｌ１
ｈの露光部には凹部からなるビットを形成する工程（た
だし、　Ｑｌ＜０２）を有することを特徴とする。

一般式（１） 一般式（２） （式中、Ｒ１はアルキル基、置換基を有してもよいフェ
ニル基またはスチリル基を表わし、Ｒ２およびＲ６は、
隣接した二つの一〇〇＝ＣＨ−基と共役二重結合系を形
成する置換基を有してもよいアリーレン基を表わし　Ｒ
３およびＲ７は、置換基を有してもよいフェニル基また
はナフチル基を表わし、Ｒ″はアルコキシ基を表わし、
Ｒ５はアルキル基を表わし、Ａはアニオン残基を表わす
、）本発明の方法に用いる光記録媒体に含有されるジア
セチレン誘導体化合物（以下、ＯＡ化合物と略称する）
とは、下記一般式 ％式％ （式中、Ｒおよびａｑは、極性基；極性基で置換されて
もよい、アルキル基、シクロヘキシル基のような飽和脂
肪族化水素基；極性基で置換されてもよい、ビニル基、
プロペニル基のようなオレフィン系炭化水素基；または
極性基で置換されてもよい、フェニル基、ナフチル基、
アルキルフェニル基のような芳香族炭化水素基であり、
ここでいう極性基としては、例えばカルボキシル基また
はその金属若しくはアミン塩、スルホン酸基またはその
金属若しくはアミン塩、スルホアミド基、アミド基、ア
ミノ基、イミノ基、ヒドロキシ基、オキシアミノ基、ジ
アゾニウム基、グアニジン基、ヒドラジン基、リン酸基
、ケイＭ基、アルミン酸基、ニトリル基、チオアルコー
ル基、ニトロ基およびハロゲン原子が挙げられる。） で表わされる化合物及びこれらの重合体である。

一方１本発明で用いる前記一般式（１）または（２）で
表わされる化合物（以下、ジエン化合物塩と略称する）
は、７５０ｎｍ以上の波長域に吸収ピークを有し、この
波長の赤外光により発熱する化合物である。

このジエン化合物塩につきより具体的に説明すると、一
般式（１）および（２）中、Ｒ１はメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、ヘキシル等のアルキル
基、２１換基を有してもよいフェニル基またはスチリル
基を表わす、ここで置換基としてはメトキシ、ニドキシ
、ブトキシ等のアルコキシ基、塩素、臭素、ヨウ素等の
ハロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル等のアルキル基、ニトロ基があげられる　Ｒ２および
Ｒ６は。

ｐ−フェニレン、１．４−ナフチレン等のｌｌｉ　１１
　Ｌ　タ二つの−ＣＨ＝ＣＨ−基と共役二重結合系を形
成する置換基を有してもよいアリーレン基を表わす、こ
こで置換基としては用よ、Ｗ組ヨウ＊等のハロゲン原子
、メチル、エチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ
等のアルコキシ基があげられる。

Ｒ３およびＲ７は置換基を有してもよいフェニル基また
はナフチル基を表わす、２１を換基としてはジメチルア
ミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ。

ジブチルアミノ、ジフェニルアミノ、フェニルアミノ、
フェニルベンジルアミノ、フェニルエチルアミノ等の置
換アミ７基１モルホリノ、ピペリジニル、ピロリジノ等
の環状アミ７基、メトキシ。

エトキシ、ブトキシ等のアルコキシ基があげられる。Ｒ
４はメトキシ、エトキシ、ブトキシ等のアルコキシ基を
表わす　Ｒ５はメチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、ヘキシル等のアル。■を表わす、費はアニ
オン残基７１例えばＢＦ？　、　Ｃ１ｏｎｅ　ｃＦ３ｃ
ａｂ、　ＰＦ９、Ｃ’ＲＢ’Ｒ色Ｃｌ５Ｏｐ、θ　　　
　　ｅ　　　　θ　　　　θ　　　　　　θＣＨ：ｌ５
ｏ３．　　Ｃ２Ｈ５５０３，Ｃ，Ｈ，ＳＯ３，Ｃ４Ｈ９
５ｏ３、Ｃ５Ｈ、□Ｓ０３、θ　　　　　　　　　（′
３　　　　　　　　　ｅＣ６Ｈ１３ＳＯ３、ＣＭ３ＣＨ
ＣｌＳＯ３、ＣＩＣＨ，（）１２ＳＯ３。

られる。

このジエン化合物の具体例を以下に例示する。

本発明に用いる光記録媒体は前記ＯＡ化合物と前記ジエ
ン化合物塩とを含有してなり、一層混合系、二層分離系
または多層積層系のいずれの構成でも良い。

ここで、一層混合系とは、ＯＡ化合物とジエン化合物塩
との混合層からなるものを、二層分離系とは、ＤＡ化合
物を含む層とジエン化合物塩を含む層とが分層積層され
ているものを、更に多層積層系とは、例えばＤＡ化合物
を含む層の１以上と、ジエン化合物塩を含む層の１以上
が所定の層数及び順序で積層された上記の二層分離系を
含まない構成のものをそれぞれいう。

本発明に用いる光記録媒体の代表的な構成を第１図（Ａ
）及び第１図（Ｂ）に示す。第１図（Ａ）は、一層混合
系の記録層２が基板！上に設けられているものであり、
第１図（［１）は、二層分離系の、すなわちＤＡ化合物
を含む第１の層２ａとジエン化合物塩を含む層２ｂとか
らなる記録層２が基板１上に設けられているものである
。

記録層２を形成するには、代表的には、一層混合系の場
合には、ＯＡ化合物の結晶微粉末およびジエン化合物塩
を適当な揮発性溶媒に混合して、塗布液を作成し、この
塗布液を基板１上に塗布して、また二層分離系若しくは
多層積層系の場合には、ＯＡ化合物の結晶微粉末を含む
塗布液と、ジエン化合物塩を含む塗布液とを別々に調製
し、これらを基板１に所定の順序で塗布すれば良い。

本発明に用いる光記録媒体の基板１としては、ガラス、
アクリル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプ
ラスチックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料が使
用できるが、基板側から輻射線を照射して記録を実施す
る場合には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを
用いる。

一層混合系の記録層の形成に用いる塗布液の溶媒は、使
用するバインダーの種類や、ＤＡ化合物およびジエン化
合物塩の種類によって適宜選択されるが、一般に、メタ
ノール、エタノール、イソプロパツール等のアルコール
類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類；に、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ
−ジメチルアセトアミド等のケトン類ニジメチルスルホ
キシド等のスルホキシド類；テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、エチレングリコールモノメチルエーテル等のエ
ーテル類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエ
ステル類；クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチ
レン、四塩化炭素、トリクロルエチレン等の脂肪族ハロ
ゲン化炭化水素類：ベンゼン、トルエン、キシレン、モ
ノクロルベンゼン、ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水
素類等が挙げられる。

また、二層分ｌＩｌ系若しくは多層積層系の形成に用い
る塗布溶液の溶媒として、ジエン化合物塩の好適な溶媒
としては、メタノール、エタノール、イソプロパツール
等のアルコール類：アセトン、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノン等のケトン類、　Ｎ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド
類；ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類；テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノ
メチルエーテルなどのエーテル類；酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸ブチルなどのエステル類：クロロホルム、塩
化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロ
ルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類；あるいは
ベンゼン、トルエン、キシレン、リグロイン、モノクロ
ルベンゼンなどの芳香族類等が挙げられる。

また０＾化合物の好適な分散媒としては１．ｎ−ヘキサ
ン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、シクロヘキサン等の
脂肪族炭化水素類等が挙げられる。しかし、ＯＡ化合物
は、結晶性が強い化合物なので、一旦溶媒に溶解し、こ
の溶液を基板上に塗布しても乾燥過程で再結晶化が進行
し。ダレインが得られる。したがって、分散液だけでな
く、ＤＡ化合物の溶液を使用しても良い。この場合の溶
媒としては、ジエン化合物塩の溶媒として先に挙げたも
のと同様なものが使用できる。

なお、各塗布液には、基板１との、あるいは他の層との
密着性を向上させるために、適宜天然若しくは合成高分
子からなるバインダーを添加してもよい。また、記録層
２の安定性、品質向上を計るだめに各種の添加剤を加え
てもよい。

このような塗布液の基板１への塗工は、スピナー回転塗
布法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、
ピードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、
ブレードコーティング法、ローラーコーティング法、カ
ーテンコーティング法等の手法が用いられる。

記録層２が一層混合系の場合は、その膜厚は、４００人
〜２−程度が通しており、特にｔｏｏｏ〜５０００人の
範囲が好ましい。また二層分離系の場合の各層の膜厚は
、　２００人〜１鱗程度が通しており、特に２００〜５
０００人の範囲が好ましい。更に、多層積層系の場合に
は、個々のＯＡ化合物を含む層の膜厚の総和及び個々の
ジエン化合物塩を含む層の膜厚の総和がともに、　１０
０人〜Ｉｇｍ程度が適しており、特に２００〜５０００
Ａの範囲が好ましい。

記録層２内でのＯＡ化合物とジエン化合物塩との配合割
合は、ｌ／１５〜１５７１程度が好ましく、最適には１
７１０〜ｔｏ／ｌである。

なお、必要に応じてこのように構成される記録層２の上
に各種の保護層を設けてもよい。また、二層分離系や多
層積層系の場合の各層の積層順序には関係なく本発明は
実施可能である。

このようにして構成される光記録媒体を用いて本発明の
光記録方法を実施することができる。

この光記録媒体においては、Ｄ＾化合物（重合体を除く
）に光を加えることにより、記録層の吸収波長が変化し
て見掛けの色が変化する。すなわち、Ｄ＾化合物（重合
体を除く）は、初期にはほぼ無色透明であるが、紫外線
を照射すると重合し、ポリジアセチレン誘導体化合物へ
と変化する。この重合は紫外線の照射によってのみ起り
、熱等の他の物理的エネルギーの印加によっては生じな
い。この重合の結果、６２０〜６６０ｎｍに最大吸収波
長を有するようになり、青色ないし暗色へと変化する。

この重合に基づく色相の変化は不可逆変化であり、一度
青色ないし暗色へ変化した記録層は無色透明膜へとは戻
らない。

更に、この青色ないし暗色ないし暗色へ変化したポリジ
アセチレン誘導体化合物とジエン化合物塩とを含有した
記録層は、照射された光の露光量に応じた温度で発熱す
る。その際、記録層２が溶融せずに、かつポリジアセチ
レン誘導体化合物が約５０℃以上に加熱された場合には
、記録層の露光部は約５４０ｎｍに最大吸収波長を有す
るようになり、赤色膜へと変化する。なお、この赤色膜
への変化も不可逆変化である。

更に、露光量を上昇させ、露光量がある限度を越えると
記録層の露光部は溶融する。

本発明の光記録方法は、このようなり＾化合物とジエン
化合物塩との組合せによって得られる特性を利用して記
録を実施するものである。以下この記録方法につき詳述
する。

本発明の方法に用いる半導体レーザーとしては、出力波
長８００〜８５０止のＧａＡｓ接合レーザーを使用する
のが特に好適である。

本発明の光記録方法を実施するに際して、光記録媒体と
してＤＡ化合物（重合体を除く）とジエン化合物塩とを
用いて構成した光記録層を有するものを用いる場合には
、先ず、記録層全体に紫外線を照射する。この紫外線の
照射により、記録層中のＯＡ化合物（重合体を除く）が
重合し、ポリジアセチレン誘導体化合物へ変化し、記録
層は青色ないし暗色のＩＩＱへと変色する。（もちろん
、Ｉ）Ａ化合物としてポリジアセチレン誘導体化合物を
用いた記録層を有するものについては、この操作は必要
とされない。） 一方、記録情報は、制御回路を経て半導体レーザーによ
り光信号に変換される。この光信号は光学系を経て、例
えば光記録媒体載置手段上に載置され、同期回転してい
る一層混合系の記録層を有する円盤状の光記録媒体の所
定の位置に第２図（Ａ）に示すように結像される。結像
位置は光記録媒体の記録層２である。

結像点（部位）　３ａ、３ｂにおける露光量は、変色記
録のための、ポリジアセチレン誘導体化合物が約５０℃
以上に加熱され、しかも記録層２を溶融しない温度とす
るのに十分な量（ｑｔ　）と、ビット記録のための記録
層２を溶融するのに十分な量（ｑ２）とに制御される（
ただし、ＱＩ　＜　Ｑ２）。

このように結像点の露光量を変化させるには、半導体レ
ーザーの強度を変化させる、またはレーザーの照射時間
を変化させる、あるいはこれらを併用するなどの方法を
用いればよい。なお、２種の露光量の照射を実施するに
際しては、１台の半導体レーザーを用いて上記のような
制御を行なりても良いし、異なる露光量の得られる複数
の半導体レーザーを用いても良い。

結像点（部位）　３ａ、３ｂに存在するジエン化合物塩
はこのレーザービーム４を吸収し発熱する。

ここで、前述したＱＩの露光量を受けた結像点３ａは、
ジエン化合物塩の発熱によりポリジアセチレン誘導体化
合物が加熱されるので赤色に変化して、第２図ＣＢ）に
示すような未露光部の青色ないし暗色と識別可能な変色
部からなるドツト５ａとなる。なお、Ｄ晶化合物のみか
らなる記録層を有する光記録媒体では、ポリジアセチレ
ン誘導体化合物がこの８００〜８５０ｎｍの波長のレー
ザーに対する感応性を有していないので、この波長の半
導体レーザーを用いた場合には、変色による光記録は不
可能であった。

一方、前述したＱ２の露光量を受けた結像点３ｂは、ジ
エン化合物塩の発熱によりその部分が溶融し、第２図（
Ｂ）に示すように凹部５ｂからなるビットが形成される
。

その際、本発明に用いる記録媒体の記録層２は、前述の
ようにジエン化合物塩にポリジアセチレン誘導体化合物
が組合わされて構成されているので、すなわちポリジア
セチレン誘導体化合物が存在することにより、記録層の
溶融に要するエネルギーを著しく減少させることができ
、ジエン化合物塩によるビット形成が大幅に促進される
。

このようにして入力情報に応じて記録層２に変色部５ａ
とビット５ｂの２種の形態の異なるドツトによる光記録
、すなわち３値記録が実施される。しかも、本発明に用
いる光記録媒体は、変色記録及びビット記録双方に対し
、高感度を有しているので、このような３値記録を高速
で行なうことができる。

以上一層混合系の記録層を有する光記録媒体を用いた場
合について説明したが、第１図（Ｂ）に示したような二
層分離系を用いた場合には、結像点３ａ、３ｂは、第３
図（Ａ）に示すようにジエン化合物塩を含む層２ｂとさ
れる。このようにレーザー４が照射されると、記録情報
に応じた結像点３ａ、３ｂの露光量Ｑ１．Ｑ２に応じて
ジエン化合物塩が発熱し、第３図（Ｂ）に示すように変
色部からなるドツト５ａまたは凹部からなるピット５ｂ
が形成される。

以上のようにして記録された２種のドツトは、所望に応
じて、両者を一度に、あるいは一方のみを読み取ること
ができる。

なお、光記録媒体としては、上述の例では円盤状のディ
スク（光ディスク）が用いられたが、もちろん、ＤＡ化
合物およびジエン化合物塩を含有する記録層を支持する
基板の種類により、光テープ、光カード等も使用できる
。

〔発明の効果〕

本発明の光記録方法の効果を以下に列挙する。

（１）記録層にジエン化合物塩とポリジアセチレン誘導
体化合物とが組合わされて用いられているので、小型軽
量の半導体レーザーを用いて１枚の記録媒体で変色記録
と、ピット記録とを所望に応じて行なうことができる。

すなわち、１枚の記録媒体で３値記録による高密度記録
が可能である。しかも、記録層は、変色記録とピット記
録のどちらにおいても高感度であり、高速記録が可能で
ある。

（２）記録層が均質かつ表面性良く形成されているので
、安定性に優れ高品質な光記録が実施できる。

（３）高度に均質な大面積の記録層を有する安価な記録
媒体を用いた光記録が可能となる。

（実施例〕 以下、本発明を実施例に基づきより詳細に説明する。

実施例１ 一般式Ｃｘ２Ｈｚｓ−ｃ＝ｃ−ｃ＝ｃ−（４）１．６−
ｃｏｏｎテ表ワサレるジアセチレン誘導体化合物結晶微
粉末１重量部と前記の化合物Ａｉｍで表わされるジエン
化合物塩１５重量部とを塩化メチレン３０重量部中に添
加し、十分撹拌したものを塗布液として準備した。

次にガラス製のディスク基板（厚さ１．５ｍｓ＋、直径
２００ｍｍ）をスピナー塗布機に装着し、前記塗布液を
ディスク基板の中央部に少量滴下した後、所定の回転数
で所定の時間スピナーを回転させ塗布し、常温で乾燥し
て、基板上の乾燥後の塗膜の厚みが５００人、１０００
人および２０００人である光記録媒体をそれぞれ作成し
た。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず２５
４ｎｌｌｌの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を
青色膜にした。

次に、この青色膜化された記録層を有する各光記録媒体
に、そのレーザー出力を変化できる８３０ｎｍの波長の
半導体レーザー（最大出力；　ＩＯｍＷ、レーザービー
ム径：ｌ鱗、照射時間；　２００　ｎｓ／　１ドツト）
を人力情報にしたがい照射し、本発明の光記録を実施し
た。なお、ピット記録指令の時は、レーザー出力を８ｍ
Ｗとし、また変色記録指令の時は、レーザー出力を４ｍ
Ｗとした。

この記録結果の評価を、第１表に示した。評価は１、ピ
ット及び変色の両方の記録における感度、解像力及び記
録部と非記録部とのコントラスト比の良否の総合評価に
より判定し、特に良好なものを◎、良好なものをＯ１記
録ができないまたは不良なものを×とした。

実施例２ ジアセチレン誘導体化合物の量を１重量部、ジエン化合
物塩の量を１０重量部、塩化メチレンの量を２０重量部
とした混合溶液を塗布液として使用し、実施例１と同様
の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず２５
４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした後、実施例１と同様にして光記録を実施し、こ
れを評価した。その記録結果の評価を第１表に示す。

実施例３ ジアセチレン誘導体化合物の量を１重量部、ジエン化合
物塩の量を５重量部、塩化メチレンの量を１２重量部と
した混合溶液を塗布液として使用し、実施例１と同様の
方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず２５
４止の紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色膜
にした後、実施例１と同様にして光記録を実施し、これ
を評価した。その記録結果の評価を第１表に示す。

実施例４ ジアセチレン誘導体化合物の量を１重量部、ジエン化合
物塩の量を１重量部、塩化メチレンの量を４重量部とし
た混合溶液を塗布液として使用し、実施例１と同様の方
法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず２５
４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした後、実施例１と同様にして光記録を実施し、こ
れを評価した。その記録結果の評価を第１表に示す。

実施例５ ジアセチレン誘導体化合物の量を５重量部、ジエン化合
物塩の量を１重量部、塩化メチレンの量を１２重量部と
した混合溶液を塗布液として使用し、実施例１と同様の
方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず２５
４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした後、実施例１と同様にして光記録を実施し、こ
れを評価した。その記録結果の評価を第１表に示す。

実施例６ ジアセチレン誘導体化合物の量を１０重量部、ジエン化
合物塩の量を１重量部、塩化メチレンの量を２０重量部
とした混合溶液を塗布液として使用し、実施例１と同様
の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず２５
４ｎｎの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした後、実施例１と同様にして光記録を実施し、こ
れを評価した。その記録結果の評価を第１表に示す。

実施例７ ジアセチレン誘導体化合物の量を１５重量部、ジエン化
合物塩の量を１重量部、塩化メチレンの量を３０重量部
とした混合溶液を塗布液として使用し、実施例１と同様
の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず２５
４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした後、実施例１と同様にして光記録を実施し、こ
れを評価した。その記録結果の評価を第１表に示す。

実施例８ 一般式Ｃ１□）１２５−ＧＥ（ニーＣ＝Ｃ−ＣＢＨｌｂ
−（：ＯＯＨで表わされるジアセチレン誘導体化合物に
代え、一般式〇〇）１．７−ＣＥＣ−ＣＥＣ−Ｃ，Ｈ，
−（：００＋１で表わされた化合物を用いたことを除い
ては実施例４と同様の方法により光記録媒体を作成した
。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず２５
４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした後、実施例１と同様にして光記録を実施し、こ
れを評価した。その記録結果の評価を第２表に示す。

実施例９〜１３ 化合物／Ｌｌで表わされるジエン化合物塩に代え、化合
物誠３、８．１２．１５及び２０で表わされるジエン化
合物塩をそれぞれ用いたことを除いては実施例８と同様
の方法により光記録媒体を作成した。この光記録媒体の
それぞれに、まず２５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に
照射し、記録層を青色膜にした後、実施例１と同様にし
て光記録を実施し、これを評価した。その記録結果の評
価を第２表に示す。

実施例１４ 化合物Ａｌで表わされるジエン化合物塩１重量部をジク
ロルエチレンｌＯ重量部に溶解し、塗布液Ａとした。

これとは別にＣ，２Ｈ２５−ＣｉＣ−ＣｉＣ−Ｃ８Ｈ１
６−１１：００）１で表わされるジアセチレン誘導体化
合物結晶微粉末１重量部をベンゼン１０Ｉｉ量部に添加
し十分攪拌して塗布液Ｂとした。

次にガラス製のディスク基板（厚さ１．５ｍｍ、直径２
００ｍｍ）をスピナー塗布機に装着し、最初に前記塗布
液Ａをディスク基板の中央部に少量滴下した後、所定の
回転数で所定の時間スピナーを回転させて塗布し、常温
で乾燥し、基板上にジエン化合物塩を含む層を形成した
。次に、ジエン化合物塩を含む層を形成した基板を再び
スピナー塗布機に装着し、先に形成したディスク基板上
のジエン化合物塩を含む層の表面の中央部に前記塗布液
Ｂを少量滴下した後、所定の回転数で所定の時間スピナ
ーを回転させて塗布し、常温で乾燥し、ジエン化合物塩
を含む層上にＤ＾化合物を含む層を積層し記録層とした
。

なお、ジエン化合物塩を含む層と、ＯＡ化合物を含む層
との膜厚を、第３表に示すように種々変化させ、試料遂
１４−１〜１４−２５の２５種の光記録媒体を得た。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず２５
４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした。

次に、この青色膜化された記録層を有する各光記録媒体
に、実施例１と同様にして光記録を実施し、これを評価
した。その記録結果の評価を、第４表に示す。

第　　４　　表 実施例１５ 塗布液Ｂに一般式Ｃ（２Ｈ２Ｓ−ＣミＣ−ＣミＣ−Ｃ３
Ｈ１６−（：００８で表わされるジアセチレン誘導体化
合物に代えて、一般式Ｃ３ＨｌフーＣ＝Ｃ−ＣミＣ−（
４Ｈ，−ＣＯＯＨで表されるジアセチレン誘導体化合物
を用いたことを除いては実施例１４と同様の方法により
第５表に示すような試料ＡＩＩＬ　１５−１−１５−２
５の２５種の光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず２５
４ｎａ＋の紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青
色膜にした。

次に、この青色膜化された記録層を有する各光記録媒体
に、実施例１と同様にして光記録を実施し、これを評価
した。その記録結果の評価を、第６表に示す。

第　　　６　　　表 実施例１６ 塗布液Ａに化合物正１で表わされるジエン化合物塩に代
え、化合物Ｊ／Ｌ５で表わされるジエン化合物塩を用い
たことを除いては実施例１５と同様の方法により第７表
に示すような試料ＭＬ１６−１−１［１−２５の２５種
の光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず２５
４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした。

次に、この青色膜化された記録層を有する各光記録媒体
に、実施例１と同様にして光記録を実施し、これを評価
した。その記録結果の評価を、第８表に示す。

第　　８　　表 実施例１７ 塗布液Ａに化合物、／Ｌ！で表わされるジエン化合物塩
に代え、化合物ＡＩＩＬＩＯで表わされるを用いたこと
を除いては実施例１５と同様の方法により第９表に示す
ような試料Ａ１１Ｌ１７−ＩＮ１７−２５の２５種の光
記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず２５
４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした。

次に、この青色膜化された記録層を有する各光記録媒体
に、実施例１と同様にして光記録を実施し、これを評価
した。その記録結果の評価を第１θ表に示す。

第　　ｌＯ表

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）　Ｒび第１図（Ｂ）は本発明の方法に用い
る光記録媒体の構成の一態様を７例示する模式断面図、
第２図（Ａ）及び第２図（Ｂ）並びに第３図（Ａ）及び
第３図（Ｂ）はそれぞれ本発明の光記録の過程゛を示す
光記録媒体の模式断面図である。 に基板 ２：記録層 ２ａ：ＤＡ化合物を含む層 ２ｂニジエン化合物塩を含む層 ３ａ、３ｂ：露光部 ４：レーザービーム ５ａ：変色部 ５ｂ二ピツト

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）ポリジアセチレン誘導体化合物と、下記一般式（１
   ）または（２）で表わされる化合物の一種以上とを含有
   してなる記録層を有する光記録媒体に、記録情報に応じ
   て露光量を制御した光を照射し、露光量Ｑ＿１の露光部
   を変色させ、露光量Ｑ＿２の露光部には凹部からなるピ
   ットを形成する工程（ただし、Ｑ＿１＜Ｑ＿２）を有す
   ることを特徴とする光記録方法。 一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１） 一般式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （式中、Ｒ＾１はアルキル基、置換基を有してもよいフ
   ェニル基またはスチリル基を表わし、Ｒ＾２およびＲ＾
   ６は、隣接した二つの−ＣＨ＝ＣＨ−基と共役二重結合
   系を形成する置換基を有してもよいアリーレン基を表わ
   し、Ｒ＾３およびＲ＾７は、置換基を有してもよいフェ
   ニル基またはナフチル基を表わし、Ｒ＾４はアルコキシ
   基を表わし、Ｒ＾５はアルキル基を表わし、Ａはアニオ
   ン残基を表わす。）