JPS62173291A - 光記録方法 - Google Patents
光記録方法Info
- Publication number
- JPS62173291A JPS62173291A JP61014710A JP1471086A JPS62173291A JP S62173291 A JPS62173291 A JP S62173291A JP 61014710 A JP61014710 A JP 61014710A JP 1471086 A JP1471086 A JP 1471086A JP S62173291 A JPS62173291 A JP S62173291A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical recording
- recording layer
- recording
- dye
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 143
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 63
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical compound C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229920000015 polydiacetylene Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 48
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 14
- OKYDCMQQLGECPI-UHFFFAOYSA-N thiopyrylium Chemical compound C1=CC=[S+]C=C1 OKYDCMQQLGECPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 14
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 111
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 91
- 239000010408 film Substances 0.000 description 52
- -1 diacetylene derivative compound Chemical class 0.000 description 39
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 33
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 18
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 14
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 12
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 7
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 4
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical group [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diyne Chemical group C#CC#C LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L cadmium dichloride Chemical compound Cl[Cd]Cl YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 125000000068 chlorophenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- HRKQOINLCJTGBK-UHFFFAOYSA-N dihydroxidosulfur Chemical group OSO HRKQOINLCJTGBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 2
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 2
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical group ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical group C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002941 2-furyl group Chemical group O1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000004105 2-pyridyl group Chemical group N1=C([*])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000003349 3-pyridyl group Chemical group N1=C([H])C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical group [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241000270272 Coluber Species 0.000 description 1
- KIWBPDUYBMNFTB-UHFFFAOYSA-N Ethyl hydrogen sulfate Chemical compound CCOS(O)(=O)=O KIWBPDUYBMNFTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940006460 bromide ion Drugs 0.000 description 1
- AJCOLXQDDOGPOR-UHFFFAOYSA-N butyl acetate;chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl.CCCCOC(C)=O AJCOLXQDDOGPOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229940126540 compound 41 Drugs 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O diazynium Chemical group [NH+]#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 235000011389 fruit/vegetable juice Nutrition 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N guanidine group Chemical group NC(=N)N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N hydrazine group Chemical group NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 1
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical compound O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M iodide Chemical compound [I-] XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940006461 iodide ion Drugs 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- RENRQMCACQEWFC-UGKGYDQZSA-N lnp023 Chemical compound C1([C@H]2N(CC=3C=4C=CNC=4C(C)=CC=3OC)CC[C@@H](C2)OCC)=CC=C(C(O)=O)C=C1 RENRQMCACQEWFC-UGKGYDQZSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- JZMJDSHXVKJFKW-UHFFFAOYSA-M methyl sulfate(1-) Chemical compound COS([O-])(=O)=O JZMJDSHXVKJFKW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920005615 natural polymer Polymers 0.000 description 1
- 210000003739 neck Anatomy 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- TYRGSDXYMNTMML-UHFFFAOYSA-N propyl hydrogen sulfate Chemical compound CCCOS(O)(=O)=O TYRGSDXYMNTMML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000001454 recorded image Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 125000005624 silicic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- NVBFHJWHLNUMCV-UHFFFAOYSA-N sulfamide Chemical compound NS(N)(=O)=O NVBFHJWHLNUMCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000475 sulfinyl group Chemical group [*:2]S([*:1])=O 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001059 synthetic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、光記録媒体を用いた光記録方法に関し、特に
低出力の′I′−導体レーザーを用いた場合でも、高;
モ度、高感度な高速ビット記録が可能であり、省エネル
ギーの面で有利な光記録方法に関する。
低出力の′I′−導体レーザーを用いた場合でも、高;
モ度、高感度な高速ビット記録が可能であり、省エネル
ギーの面で有利な光記録方法に関する。
最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスク、光テープ、光カード(以下光ディスクと総
称する)等の光記録媒体が注目を集めている。例えば光
ディスクは、一枚のディスク中に大量の文書、文献等を
記録保存できるため、オフィスにおける文δ等の整理、
管理が効率よ〈実施できるという利点を存している。
光ディスク、光テープ、光カード(以下光ディスクと総
称する)等の光記録媒体が注目を集めている。例えば光
ディスクは、一枚のディスク中に大量の文書、文献等を
記録保存できるため、オフィスにおける文δ等の整理、
管理が効率よ〈実施できるという利点を存している。
このような光デイスク技術で用いる記録層は、光学的に
検出可能な小さな(例えば1−程度)ドツトをらせん状
または円形のトラック形態にして、高密度情報を記+Q
することができる。
検出可能な小さな(例えば1−程度)ドツトをらせん状
または円形のトラック形態にして、高密度情報を記+Q
することができる。
この光デイスク技術に用いるディスクとしては、例えば
レーサーに対して感応する材料からなる記録層を基板上
に設けた構成のものが代表的である。このディスクに情
報を1!Fき込むには、レーサー感応層(記録層)に集
束したレーザーを走査し、このレーザー光線か照射され
た表面のみにドツトを形成させ、記録情報に応じてこの
ドツトをらせん状または円形トラックの形態で形成する
。すなわちレーザー感応層は、レーサー・エネルギーを
吸収して光学的に検出可能なドツトを形成できる。例え
ばヒートモード記録方式では、レーザー感応層は熱エネ
ルギーを吸収し、その個所に蒸発または融解による小さ
な凹部(ビ・ント)からなるドツトを形成できる。また
、別のヒートモード記録方式では、照射されたレーザー
・エネルギーの吸収により、その個所に光学的に検出可
能な変色部からなるドツトを形成できる。
レーサーに対して感応する材料からなる記録層を基板上
に設けた構成のものが代表的である。このディスクに情
報を1!Fき込むには、レーサー感応層(記録層)に集
束したレーザーを走査し、このレーザー光線か照射され
た表面のみにドツトを形成させ、記録情報に応じてこの
ドツトをらせん状または円形トラックの形態で形成する
。すなわちレーザー感応層は、レーサー・エネルギーを
吸収して光学的に検出可能なドツトを形成できる。例え
ばヒートモード記録方式では、レーザー感応層は熱エネ
ルギーを吸収し、その個所に蒸発または融解による小さ
な凹部(ビ・ント)からなるドツトを形成できる。また
、別のヒートモード記録方式では、照射されたレーザー
・エネルギーの吸収により、その個所に光学的に検出可
能な変色部からなるドツトを形成できる。
この光ディスクに記録された情報は、レーザーをトラッ
クに沿って走査し、ドツトが形成された部分とドツトが
形成されていない部分の光学的変化を読み取ることによ
って検出される。例えば5基板の反射面上に記録層を設
けた構成のディスクを用いた場合には、レーザーがトラ
ックに沿って走査され、ディスクによって反射されたエ
ネルギーがフォトディテクターによってモニターされる
。その際、ビット記録の場合には、ピットか形成されて
いないところでは、フォトディテクターの出力は低下し
、一方ピットが形成されているところでは、レーザー光
線は下層の反射面によって1−分に反射されフォトティ
チクターの出力は太きくなる。
クに沿って走査し、ドツトが形成された部分とドツトが
形成されていない部分の光学的変化を読み取ることによ
って検出される。例えば5基板の反射面上に記録層を設
けた構成のディスクを用いた場合には、レーザーがトラ
ックに沿って走査され、ディスクによって反射されたエ
ネルギーがフォトディテクターによってモニターされる
。その際、ビット記録の場合には、ピットか形成されて
いないところでは、フォトディテクターの出力は低下し
、一方ピットが形成されているところでは、レーザー光
線は下層の反射面によって1−分に反射されフォトティ
チクターの出力は太きくなる。
このような光ディスクの記録層としては、従来よりアル
ミニウムJΔ!1膜などの金属薄膜、ビスマスh9膜、
酸化テルル薄膜やカルコゲナイド系非晶質ガラス膜など
の無機物質を主に川゛いたものなど各種のものか検工・
jされてきたが、価格、製造の容易さから有機材料を用
いたものが注目されている。
ミニウムJΔ!1膜などの金属薄膜、ビスマスh9膜、
酸化テルル薄膜やカルコゲナイド系非晶質ガラス膜など
の無機物質を主に川゛いたものなど各種のものか検工・
jされてきたが、価格、製造の容易さから有機材料を用
いたものが注目されている。
光記録媒体に用いる有機材料としては、特開昭59−4
L16:1号および特開昭59−146061号に、各
種のピリリウム染料、チオピリリウム染料およびセレナ
ピリリウム染料が開示されており、これら染料を含有1
゛する有機被膜か半導体レーザーの輻射波長領域の輻射
線を吸収し発熱するので、レーザーエネルギーによりビ
ットを形成するいわゆるヒートモード記録が実施できる
ことが知られている。
L16:1号および特開昭59−146061号に、各
種のピリリウム染料、チオピリリウム染料およびセレナ
ピリリウム染料が開示されており、これら染料を含有1
゛する有機被膜か半導体レーザーの輻射波長領域の輻射
線を吸収し発熱するので、レーザーエネルギーによりビ
ットを形成するいわゆるヒートモード記録が実施できる
ことが知られている。
(発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、従来のピット記録方式においては、記録
が鮮明である、すなわちコントラストか良いという利点
はあるものの、変色によりドツトを形成1−る記録方式
に比べて、記録に際してより大きなエネルギーを要する
上に、記録速度が遅いという欠点かあった。更に、記録
媒体の表面に物理的なピットを形成するので、初期の記
録媒体表面が十分に平滑であると同時に記録後において
も記録媒体の表面に傷を付けないよう十分な注意が必要
となるとともに、高密度、高感度での記録を実施するこ
とは困難であった。
が鮮明である、すなわちコントラストか良いという利点
はあるものの、変色によりドツトを形成1−る記録方式
に比べて、記録に際してより大きなエネルギーを要する
上に、記録速度が遅いという欠点かあった。更に、記録
媒体の表面に物理的なピットを形成するので、初期の記
録媒体表面が十分に平滑であると同時に記録後において
も記録媒体の表面に傷を付けないよう十分な注意が必要
となるとともに、高密度、高感度での記録を実施するこ
とは困難であった。
例えば、L記のビリリウム系染料から光記録媒体の記録
層を形成した場合、ビリリウム系染料は゛ト導体レーザ
ービーム(赤外線)を吸収して発熱し、その発熱の結果
自己溶融するので、この特性を利用して光記録媒体にピ
ットを形成することができる。しかしなから、ビットを
形成するために多大のエネルギーを愛し、感度が低く、
−走風Fの比較的長い露光(光照射)時間が必要である
。
層を形成した場合、ビリリウム系染料は゛ト導体レーザ
ービーム(赤外線)を吸収して発熱し、その発熱の結果
自己溶融するので、この特性を利用して光記録媒体にピ
ットを形成することができる。しかしなから、ビットを
形成するために多大のエネルギーを愛し、感度が低く、
−走風Fの比較的長い露光(光照射)時間が必要である
。
そのため露光時間を短縮できず、より高速での記録かで
きなかった。
きなかった。
本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものてあり、本発明者らは、ビリリウム系染料とジ
アセチレン誘導体化合物とを組合せて光記録媒体の記録
層を形成することによって、低出力の享導体レーザーを
用いた場合でも光照射下でのピット形成速度か著しく促
進されることをみいだし本発明を完成した。
れたものてあり、本発明者らは、ビリリウム系染料とジ
アセチレン誘導体化合物とを組合せて光記録媒体の記録
層を形成することによって、低出力の享導体レーザーを
用いた場合でも光照射下でのピット形成速度か著しく促
進されることをみいだし本発明を完成した。
本発明の目的は小型軽量で低出力の半導体レーザーによ
り光書き込みが可能であり、かつ高速記録が可能な光記
録方法を提供することにある。
り光書き込みが可能であり、かつ高速記録が可能な光記
録方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、高密度、高感度での記録が可能な
光記録方法を提供することにある。
光記録方法を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録画像を得ることのできる光記録方法を提供することに
ある。
録画像を得ることのできる光記録方法を提供することに
ある。
すなわち、本発明の光記録方法は、ポリジアセチレン誘
導体化合物と、ピリリウム染料、チオピリリウム染料お
よびセレナピリリウム染料からなる群より選ばれた一種
以上とを含有してなる記録層をイrする光記録媒体に、
記録情報に応じて光を照射して面部記録層に四部からな
るビットを形成する工程をイrすることを特徴とする。
導体化合物と、ピリリウム染料、チオピリリウム染料お
よびセレナピリリウム染料からなる群より選ばれた一種
以上とを含有してなる記録層をイrする光記録媒体に、
記録情報に応じて光を照射して面部記録層に四部からな
るビットを形成する工程をイrすることを特徴とする。
本発明の方法に用いる光記録媒体に含有されるジアセチ
レン誘導体化合物(以下、DA化合物と略称する)とは
、下記一般式 %式% (式中、[(およびR′は、極性基:極性基で置換され
てもよい、アルキル基、シクロヘキシル基のような飽和
脂肪族化水素基、極性基で置換されてもよい、ビニル基
、プロペニル基のようなオレフィン系炭化水素基:また
は極性基で置換されてもよい、フェニル基、ナフチル基
、アルキルフェニルJ、!:のような芳香族炭化水素基
であり、ここでいう極性基としては、例えばカルボキシ
ル基またはその金属若しくはアミン塩、スルホン酸基ま
たはその金属若しくはアミン塩、スルホアミドJ、I、
、アミド基、アミノ基、イミノ基、ヒドロキシ基、オキ
シアミノ基、ジアゾニウム基、グアニジン基、ヒドラジ
ン基、リン酸基、ケイ酸基、アルミン酸〕1(、ニトリ
ル基、チオアルコール基、ニトロ基およびハロゲン原子
が挙げられる。) で表わされる化合物及びこれらの重合体である。
レン誘導体化合物(以下、DA化合物と略称する)とは
、下記一般式 %式% (式中、[(およびR′は、極性基:極性基で置換され
てもよい、アルキル基、シクロヘキシル基のような飽和
脂肪族化水素基、極性基で置換されてもよい、ビニル基
、プロペニル基のようなオレフィン系炭化水素基:また
は極性基で置換されてもよい、フェニル基、ナフチル基
、アルキルフェニルJ、!:のような芳香族炭化水素基
であり、ここでいう極性基としては、例えばカルボキシ
ル基またはその金属若しくはアミン塩、スルホン酸基ま
たはその金属若しくはアミン塩、スルホアミドJ、I、
、アミド基、アミノ基、イミノ基、ヒドロキシ基、オキ
シアミノ基、ジアゾニウム基、グアニジン基、ヒドラジ
ン基、リン酸基、ケイ酸基、アルミン酸〕1(、ニトリ
ル基、チオアルコール基、ニトロ基およびハロゲン原子
が挙げられる。) で表わされる化合物及びこれらの重合体である。
更に、後述するように記録層を!P分子++yまたは甲
分子累積1漠から形成1″る場合のD式化合物には、隣
接する分子中のCTC−CTC−(:官能基間において
1゜4−付加重合反応が可能な化合物、代表的には十−
記一般式 %式%) (式中、Xは、親水性部位を形成する親水性基であり、
m、nは整数を表わす。) で表わされる化合物が含まわる。
分子累積1漠から形成1″る場合のD式化合物には、隣
接する分子中のCTC−CTC−(:官能基間において
1゜4−付加重合反応が可能な化合物、代表的には十−
記一般式 %式%) (式中、Xは、親水性部位を形成する親水性基であり、
m、nは整数を表わす。) で表わされる化合物が含まわる。
この場合における親水性基Xとしては、例えばカルボキ
シル基、アミノ」^、ヒドロキシ基、ニトリル」、c、
チオアルコール」^、イミノ基、スルホン酸ノ、(、ス
ルフィニル基またはその金属若しくはアミン塩が挙げら
れる。疎水性部位を形成するIf (C1h )n−で
表わされるアルキル基としては炭素原子数が1〜30の
長鎖アルキル基が好ましい。また、n+mとしては 1
〜30の整数が好ましい。
シル基、アミノ」^、ヒドロキシ基、ニトリル」、c、
チオアルコール」^、イミノ基、スルホン酸ノ、(、ス
ルフィニル基またはその金属若しくはアミン塩が挙げら
れる。疎水性部位を形成するIf (C1h )n−で
表わされるアルキル基としては炭素原子数が1〜30の
長鎖アルキル基が好ましい。また、n+mとしては 1
〜30の整数が好ましい。
一方、本発明の方法に用いる光記録媒体に含有されるピ
リリウム染料、チオピリリウム染料およびセレナピリリ
ウム染料(以下、ピリリウム染料類と略称する)とは、
下記の基本構造 (式中、×は酸素原子、イオウ原子またはセレン原子を
表わし、R1、R2およびRAは各種の有機残基を表わ
し、八は1陰イオンを表わす。)をイTする化合物であ
って、 780〜900nmに吸収ピークを有し、この
波長の赤外光により発熱する化合物である。このピリリ
ウム染料類としては、代表的には下記一般式())〜(
3)で示される染料か例示される。
リリウム染料、チオピリリウム染料およびセレナピリリ
ウム染料(以下、ピリリウム染料類と略称する)とは、
下記の基本構造 (式中、×は酸素原子、イオウ原子またはセレン原子を
表わし、R1、R2およびRAは各種の有機残基を表わ
し、八は1陰イオンを表わす。)をイTする化合物であ
って、 780〜900nmに吸収ピークを有し、この
波長の赤外光により発熱する化合物である。このピリリ
ウム染料類としては、代表的には下記一般式())〜(
3)で示される染料か例示される。
一般式(1)
%式%
一般式(2)
C6H1
4θ
一般式(3)
(式中、R’、R’、RもおよびR7は、フェニル、ト
リル、キシリル、クロロフェニル、メトキシフェニルな
どの置換若しくは未置換のアリールJ、【または2−ピ
リジル、3−ピリジル、2−フリル、2−チェニル、2
−チアゾリル、3−カルバゾリル、2−キノリル、3−
キノリル、2−イミタゾリル、2−レビジル、3−メト
キシ−2−ピリジル、6−メチル−2−ピリジル、4.
5−ジメチル−2−チアゾリル、4,5−ジフェニル−
2−チアゾリル、4−フェニル−2−チアゾリル、9−
エチル−3−カルバゾリルなどの置換若しくは未置換の
複素環基を表わし、R4、HS、R6およびR7のうち
の少なくとも一つは置換若しくは未置換の複素環基を表
わす。Roは水素原f、メチル、エチル、プロピル、ブ
チルなどのアルキル基またはフェニル、トリル、キシリ
ル、クロロフェニル、メトキシフェニルなどの置換若し
くは未置換のアリール基を表わす。R9はメチルまたは
エチル基を表わす。xlおよびx2は酸素環f、イオウ
原子またはセレン原子を表わす。八は塩化物イオン、臭
化物イオン、ヨウ化物イオン、過塩素酸塩イオン、ヘン
ゼンスルホン酸塩イオン、p−トルエンスルホン酸塩イ
オン、メチル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロ
ピル硫酸塩イオンなどの陰イオンを表わす。) これらピリリウム染料類の代表的なJ−t一体側を以下
に例示する。但し、陰イオンについては、便宜り全で過
塩素酸イオンで代表させた。
リル、キシリル、クロロフェニル、メトキシフェニルな
どの置換若しくは未置換のアリールJ、【または2−ピ
リジル、3−ピリジル、2−フリル、2−チェニル、2
−チアゾリル、3−カルバゾリル、2−キノリル、3−
キノリル、2−イミタゾリル、2−レビジル、3−メト
キシ−2−ピリジル、6−メチル−2−ピリジル、4.
5−ジメチル−2−チアゾリル、4,5−ジフェニル−
2−チアゾリル、4−フェニル−2−チアゾリル、9−
エチル−3−カルバゾリルなどの置換若しくは未置換の
複素環基を表わし、R4、HS、R6およびR7のうち
の少なくとも一つは置換若しくは未置換の複素環基を表
わす。Roは水素原f、メチル、エチル、プロピル、ブ
チルなどのアルキル基またはフェニル、トリル、キシリ
ル、クロロフェニル、メトキシフェニルなどの置換若し
くは未置換のアリール基を表わす。R9はメチルまたは
エチル基を表わす。xlおよびx2は酸素環f、イオウ
原子またはセレン原子を表わす。八は塩化物イオン、臭
化物イオン、ヨウ化物イオン、過塩素酸塩イオン、ヘン
ゼンスルホン酸塩イオン、p−トルエンスルホン酸塩イ
オン、メチル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロ
ピル硫酸塩イオンなどの陰イオンを表わす。) これらピリリウム染料類の代表的なJ−t一体側を以下
に例示する。但し、陰イオンについては、便宜り全で過
塩素酸イオンで代表させた。
C6H3cjo9
本発明に用いる先部3J媒体の代表的な構成を第1図に
示す。この例では、」、(板1にに+if記OA化合物
とビリリウム染料類とを含有する記録層2か設けられて
いる。
示す。この例では、」、(板1にに+if記OA化合物
とビリリウム染料類とを含有する記録層2か設けられて
いる。
本発明に用いる光記録媒体の[する記録層2は面部DA
化合物と面部ピリリウム染料類とを含fr してな95
代表的には、DA化合物の結晶微粉末およびビリリウム
染料類を適当な揮発性溶媒に混合して塗41j液を作成
し、この塗布液を基板トに塗25する、あるいは、基板
上にD^化合物とビリリウム染料類との混合東分子膜、
または混合単分子累積膜を形成するなどの方法によ)て
得ることかできる。
化合物と面部ピリリウム染料類とを含fr してな95
代表的には、DA化合物の結晶微粉末およびビリリウム
染料類を適当な揮発性溶媒に混合して塗41j液を作成
し、この塗布液を基板トに塗25する、あるいは、基板
上にD^化合物とビリリウム染料類との混合東分子膜、
または混合単分子累積膜を形成するなどの方法によ)て
得ることかできる。
本発明に用いる光記録媒体の基板1としては、ガラス、
アクリル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプ
ラスチックフィルム、紙、金属等の各札の支持材料が使
用できるが、基板側から輻射線を照射して記録を実施す
る場合には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを
用いる。
アクリル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプ
ラスチックフィルム、紙、金属等の各札の支持材料が使
用できるが、基板側から輻射線を照射して記録を実施す
る場合には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを
用いる。
基板1上に、DA化合物およびビリリウム染料類を適当
な揮発性溶媒に混合して調製した塗布液を塗!iiする
方法により記録層2を形成する場合には、塗布液には、
基板1との間の密着性を向上させるために、適宜天然若
しくは合成高分子からなるバインダーを添加してもよい
。また、記録層2の安定性、品質向上を計るために各種
の添加剤を加えてもよい。
な揮発性溶媒に混合して調製した塗布液を塗!iiする
方法により記録層2を形成する場合には、塗布液には、
基板1との間の密着性を向上させるために、適宜天然若
しくは合成高分子からなるバインダーを添加してもよい
。また、記録層2の安定性、品質向上を計るために各種
の添加剤を加えてもよい。
塗布のために用いる溶媒は、使用するバインダーの種類
や、OA化合物およびビリリウム染料類の種類によって
適宜選択されるが、一般に、メタノール、エタノール、
イソプロパツール等のアルコール類;アセトン、メチル
エチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、N、N
−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミ
ド等のケトン類ニジメチルスルホキシド等のスルホキシ
ド類:テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリ
コールモノメチルエーテル等のエーテル頚;酢酸メチル
、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類;クロロホル
ム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、ト
リクロルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類:ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼン、ジ
クロルエンゼン等の万古族炭化水素類等か挙げられる。
や、OA化合物およびビリリウム染料類の種類によって
適宜選択されるが、一般に、メタノール、エタノール、
イソプロパツール等のアルコール類;アセトン、メチル
エチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、N、N
−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミ
ド等のケトン類ニジメチルスルホキシド等のスルホキシ
ド類:テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリ
コールモノメチルエーテル等のエーテル頚;酢酸メチル
、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類;クロロホル
ム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、ト
リクロルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類:ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼン、ジ
クロルエンゼン等の万古族炭化水素類等か挙げられる。
この上、うな塗布ン夜の基板1への塗工は、スピンナー
回転塗布法、浸漬コーティング法、スプレーコーティン
グ法、ビートコーティング法、ワイヤーバーコーティン
グ法、プレートコーティング法、ローラーコーディング
法、カーテンコーティング法等の手法が用いられる。
回転塗布法、浸漬コーティング法、スプレーコーティン
グ法、ビートコーティング法、ワイヤーバーコーティン
グ法、プレートコーティング法、ローラーコーディング
法、カーテンコーティング法等の手法が用いられる。
この場合の記録層2の膜j’、1としては、 500人
〜2μm程度が適しており、特に1000〜5000人
の範囲が好ましい。記録層2内のDへ化合物とビリリウ
ム染料類との配合割合は、l/15〜1071程度か好
ましく、最適には1710〜5/1である。
〜2μm程度が適しており、特に1000〜5000人
の範囲が好ましい。記録層2内のDへ化合物とビリリウ
ム染料類との配合割合は、l/15〜1071程度か好
ましく、最適には1710〜5/1である。
−JT、rp−分子11Qまたは中分子累積1(qから
記2清層2を形成した場合の本発明の方法に用いる光記
録媒体の代表的な構成を第4図および第5図に例示する
。第4図の例はJ、ζ板1−L:に面部圓化合物7と1
11記ビリリウム染料類6との混合単分子11!;!か
うなる記録層2を形成したもので、第5図はこれらの7
19合中−分子累積膜を設けたものである。
記2清層2を形成した場合の本発明の方法に用いる光記
録媒体の代表的な構成を第4図および第5図に例示する
。第4図の例はJ、ζ板1−L:に面部圓化合物7と1
11記ビリリウム染料類6との混合単分子11!;!か
うなる記録層2を形成したもので、第5図はこれらの7
19合中−分子累積膜を設けたものである。
基板1上にこのような中分子j漠または単分子累積膜か
らなる記録層2を形成するには、例えば、1.1.an
gmuirらの開発したラングミュア・プロジェット法
(以下、LB法と略)が用いられる。
らなる記録層2を形成するには、例えば、1.1.an
gmuirらの開発したラングミュア・プロジェット法
(以下、LB法と略)が用いられる。
L B法は、分子内に親水基と疎水基を有する構造の分
tにおいて、両者のバランス(両親媒性のバランス)が
適度に保だ打ているとき、この分子は水面−にで親木基
を下に向けた四分その層になることを利用して四分?
Iliまたは!…分子層の累積した膜を作成する方法で
ある。水面上の単分子層は二次元系の特徴をもつ。分子
がまばらに散開しているときは、一分子当り面4’tA
と表面圧■との間に二次元理想気体の式、 nA=kT が成り立ち、“気体膜′°となる。ここに、kはボルツ
マン定数、Tは絶対温度である。Aを十分小さくすれば
分子間相互作用が強まり二次元固体の°゛凝縮膜(また
は固体11Q)”になる。凝縮膜はガラスなどの基板の
表面へ一層ずつ移すことができる。
tにおいて、両者のバランス(両親媒性のバランス)が
適度に保だ打ているとき、この分子は水面−にで親木基
を下に向けた四分その層になることを利用して四分?
Iliまたは!…分子層の累積した膜を作成する方法で
ある。水面上の単分子層は二次元系の特徴をもつ。分子
がまばらに散開しているときは、一分子当り面4’tA
と表面圧■との間に二次元理想気体の式、 nA=kT が成り立ち、“気体膜′°となる。ここに、kはボルツ
マン定数、Tは絶対温度である。Aを十分小さくすれば
分子間相互作用が強まり二次元固体の°゛凝縮膜(また
は固体11Q)”になる。凝縮膜はガラスなどの基板の
表面へ一層ずつ移すことができる。
また、二以上の化合物からなるいわゆる混合申分−1′
膜または混合Qj分子累積膜も上述と同様の方法により
得られる。このとき、混合r戸−分7−J]!2または
混合単分子層11″111党を構成する二以上の化合物
のうち少なくともその一つが親水性部位と疎水性部位と
を併任するものであればよく、必ずしも全ての化合物に
親水性部位と疎水性部疎水基との併有が要求されるもの
ではない。すなわち、少なくとも一つの化合物において
両親媒性のバランスが保たれていれば、水面上に単分子
層が形成され、他の化合物は両親媒性の化合物に挟持さ
れ、結局全体として分子秩序性のある単分子層が形成さ
れる。
膜または混合Qj分子累積膜も上述と同様の方法により
得られる。このとき、混合r戸−分7−J]!2または
混合単分子層11″111党を構成する二以上の化合物
のうち少なくともその一つが親水性部位と疎水性部位と
を併任するものであればよく、必ずしも全ての化合物に
親水性部位と疎水性部疎水基との併有が要求されるもの
ではない。すなわち、少なくとも一つの化合物において
両親媒性のバランスが保たれていれば、水面上に単分子
層が形成され、他の化合物は両親媒性の化合物に挟持さ
れ、結局全体として分子秩序性のある単分子層が形成さ
れる。
この方法を用いて、本発明の記録層を構成するDA化合
物とビリリウム染料類との混合単分子膜または混合単分
子累積膜は、例えば次のようにして製造される。まずD
へ化合物とビリリウム染料類とをクロロホルム等の溶剤
に溶解し、これを水相トに展開し、これら化合物を膜状
に展開させた展開層を形成する。次にこの展開層が水相
」二を自由に拡散して拡がりすぎないように仕切板(ま
たは浮子)を設けて展開層の面積を制限してこれら化合
物の集合状態を制御し、その集合状態に比例した表面圧
■を得る。この仕切板を動かし、展開面積を縮少して膜
物質の集合状態をFl;制御し、表面圧を徐々に一ト昇
させ、累[!の製造に適する表面圧■を設定することが
できる。この表面圧を維持しなから静かに清浄な基板を
垂直にト下させることにより、OA化合物とビリリウム
染料類との混合単分子膜が基板Fに移しとられる。混合
!11分子膜はこのようにして製造されるが、混合単分
子層累積膜は、補記の操作を繰り返すことにより所望の
累積度の混合中一分子層累積膜が形成される。
物とビリリウム染料類との混合単分子膜または混合単分
子累積膜は、例えば次のようにして製造される。まずD
へ化合物とビリリウム染料類とをクロロホルム等の溶剤
に溶解し、これを水相トに展開し、これら化合物を膜状
に展開させた展開層を形成する。次にこの展開層が水相
」二を自由に拡散して拡がりすぎないように仕切板(ま
たは浮子)を設けて展開層の面積を制限してこれら化合
物の集合状態を制御し、その集合状態に比例した表面圧
■を得る。この仕切板を動かし、展開面積を縮少して膜
物質の集合状態をFl;制御し、表面圧を徐々に一ト昇
させ、累[!の製造に適する表面圧■を設定することが
できる。この表面圧を維持しなから静かに清浄な基板を
垂直にト下させることにより、OA化合物とビリリウム
染料類との混合単分子膜が基板Fに移しとられる。混合
!11分子膜はこのようにして製造されるが、混合単分
子層累積膜は、補記の操作を繰り返すことにより所望の
累積度の混合中一分子層累積膜が形成される。
111分子−1反を基板上に移すには、上述した垂直浸
漬法の他、水モ付着法、回転円筒法などの方法が採用で
きる。水平付着法は基板を水面に水平に接触させて移し
とる方法で、回転円筒法は、円筒型のJ、L体を水面−
1二を回転させて中1分子層を基体表面に移しとる方法
である。前述した垂直浸漬法では、水面を横切る方向に
表面が親水性である基板を水中から引き一層げると、一
層目は晶化合物の親木基が基板側に向いた単分子層が基
板上に形成される。基板を上下させると、各行程ごとに
一層ずつ混合中0分子1反が積層されていく。成1摸分
子の向きが引上げ行程と浸漬行程で逆になるので、この
方法によると、各層間は親木基と親木基、疎水基と疎水
基が向かい合うY型j漠か形成される。
漬法の他、水モ付着法、回転円筒法などの方法が採用で
きる。水平付着法は基板を水面に水平に接触させて移し
とる方法で、回転円筒法は、円筒型のJ、L体を水面−
1二を回転させて中1分子層を基体表面に移しとる方法
である。前述した垂直浸漬法では、水面を横切る方向に
表面が親水性である基板を水中から引き一層げると、一
層目は晶化合物の親木基が基板側に向いた単分子層が基
板上に形成される。基板を上下させると、各行程ごとに
一層ずつ混合中0分子1反が積層されていく。成1摸分
子の向きが引上げ行程と浸漬行程で逆になるので、この
方法によると、各層間は親木基と親木基、疎水基と疎水
基が向かい合うY型j漠か形成される。
これに対し、水平付着法は、基板を水面に水平に接触さ
せて移しとる方法で、DA化合物の疎水基が基板側に向
いた中分子層が基板上に形成される。この方法では、累
積しても、Dへ化合物の分子の向きの交代はなく全ての
層において、疎水」工がJ、c板側に向いたXへ1月摸
が形成される。反対に全ての層において親木基が基板側
に向いた累4+1膜はZ型膜と呼ばわる。
せて移しとる方法で、DA化合物の疎水基が基板側に向
いた中分子層が基板上に形成される。この方法では、累
積しても、Dへ化合物の分子の向きの交代はなく全ての
層において、疎水」工がJ、c板側に向いたXへ1月摸
が形成される。反対に全ての層において親木基が基板側
に向いた累4+1膜はZ型膜と呼ばわる。
回転円筒法は、円筒型の」、(体を水面上を回転させて
il’一分子層をジ、ξ体表面に移しとる方法である。
il’一分子層をジ、ξ体表面に移しとる方法である。
単分子層をジ、c板上に移す方法は、これらに限定され
るわけではなく、火面植」1(板を用いる時には、J、
(板ロールから水相中に基板を押し出していく方法など
もとり得る。また、面述した親水」^、疎水基の基板へ
の向きは原則であり、基板の表面処理等によって変える
こともできる。
るわけではなく、火面植」1(板を用いる時には、J、
(板ロールから水相中に基板を押し出していく方法など
もとり得る。また、面述した親水」^、疎水基の基板へ
の向きは原則であり、基板の表面処理等によって変える
こともできる。
これらの単分子1摸の移し取り操作の詳細については既
に公知であり、例えば「新実験化学講座18界面とコロ
イド」498〜507頁、丸善刊、に記載されている。
に公知であり、例えば「新実験化学講座18界面とコロ
イド」498〜507頁、丸善刊、に記載されている。
このようにして、基板上に形成される混合単分子膜およ
びその累MI膜は、高密度で高度な秩序性を有している
ので、場所による光吸収のバラツキは極めて小さい。し
たがって、このような膜によって記録層を構成すること
により、OA化合物とピリリウム染料類との機能に応じ
て、光記録、熱的記録の可能な高密度、高解像度の記録
機能を有する記録媒体が得られる。
びその累MI膜は、高密度で高度な秩序性を有している
ので、場所による光吸収のバラツキは極めて小さい。し
たがって、このような膜によって記録層を構成すること
により、OA化合物とピリリウム染料類との機能に応じ
て、光記録、熱的記録の可能な高密度、高解像度の記録
機能を有する記録媒体が得られる。
この場合の記録層の膜Jグは、 200人〜2uが適し
ており、特に400〜5000人の範囲が好ましい。
ており、特に400〜5000人の範囲が好ましい。
記録層内のOA化合物とビリリウム染料類との配合割合
は、先に述べた塗布法による場合と同様である。
は、先に述べた塗布法による場合と同様である。
なお、必盟に応してこのように構成される記録層の上に
各種の保護層を設けてもよい。
各種の保護層を設けてもよい。
このようにして構成される光記録媒体を用いて本発明の
光記録方法を実施することができる。
光記録方法を実施することができる。
この光記録媒体においては、D^化合物(重合体を除く
)に光を加えることにより、記録層の吸収波長が変化し
て見掛けの色か変化1−る。すなわち、OA(ヒ合物(
重合体を除く)は、籾量にはほぼ無色透明であるが、紫
外線を照射すると重合し、ポリジアセチレン誘導体化合
物へと変化する。このI■合は紫外線の照射によフての
み起り、熱等の他の物理的エネルギーの印加によっては
生じない。この重合の結果、 620〜660nmに最
大吸収波長を打するようになり、青色ないしnf1色へ
と変化する。この重合に基づく色相の変化は不可逆変化
であり、一度青色ないし暗色へ変化した記録層は無色透
明膜へとは戻らない。
)に光を加えることにより、記録層の吸収波長が変化し
て見掛けの色か変化1−る。すなわち、OA(ヒ合物(
重合体を除く)は、籾量にはほぼ無色透明であるが、紫
外線を照射すると重合し、ポリジアセチレン誘導体化合
物へと変化する。このI■合は紫外線の照射によフての
み起り、熱等の他の物理的エネルギーの印加によっては
生じない。この重合の結果、 620〜660nmに最
大吸収波長を打するようになり、青色ないしnf1色へ
と変化する。この重合に基づく色相の変化は不可逆変化
であり、一度青色ないし暗色へ変化した記録層は無色透
明膜へとは戻らない。
更に、この青色ないし暗色へ変化したポリジアセチレン
誘導体化合物とピリリウム染料類とを含41″した記録
層に半導体レーザーを照射すると、ビリリウム染料類が
光を吸収して発熱し、その熱によって記録層の光照射部
位が溶融する。このときの溶融に要するエネルギーは、
ビリリウム染料類争独で記録層を形成した場合よりも著
しく小さい。
誘導体化合物とピリリウム染料類とを含41″した記録
層に半導体レーザーを照射すると、ビリリウム染料類が
光を吸収して発熱し、その熱によって記録層の光照射部
位が溶融する。このときの溶融に要するエネルギーは、
ビリリウム染料類争独で記録層を形成した場合よりも著
しく小さい。
本発明の光記録方法は、このようなりへ化合物とピリリ
ウム染料類との組合せによって得られる特性を利用して
記録を実施するものである。以下この記録方法につき詳
述する。
ウム染料類との組合せによって得られる特性を利用して
記録を実施するものである。以下この記録方法につき詳
述する。
本発明の方法に用いる半導体レーザーとしては、出力波
長800〜850 nmのGaAs接合レーザーを使用
するのか特に好適である。
長800〜850 nmのGaAs接合レーザーを使用
するのか特に好適である。
本発明の光記録方法を実施するに際して、光記録媒体と
してDA化合物(重合体を除く)とビリリウム染料類と
を含有させて構成した光記録層をイアするものを用いる
場合には、先ず、記録層全体に紫外線を照射する。この
紫外線の照射により、i*r述したように記録層中の晶
化合物(jQ重合体除く)か屯合し、ポリジアセチレン
誘導体化合物へ変化し、記録層は111色ないし暗色の
膜へと変色する。(もちろん、D式化合物として直接ポ
リジアセチレン誘導体化合物を用いた記録層を存するも
のについては、この操作は必要とされない、)一方、記
録情報は、jLi 011回路を経て半導体レーザーに
より光信号に変換される。この先13号は光学系を経て
、例えば光記録媒体載置手段上に載置され、同期回転し
ている円盤状の光記録媒体の所定の位置に第2図に示す
ように結像される。結像位置は光記録媒体の記録層2で
ある。
してDA化合物(重合体を除く)とビリリウム染料類と
を含有させて構成した光記録層をイアするものを用いる
場合には、先ず、記録層全体に紫外線を照射する。この
紫外線の照射により、i*r述したように記録層中の晶
化合物(jQ重合体除く)か屯合し、ポリジアセチレン
誘導体化合物へ変化し、記録層は111色ないし暗色の
膜へと変色する。(もちろん、D式化合物として直接ポ
リジアセチレン誘導体化合物を用いた記録層を存するも
のについては、この操作は必要とされない、)一方、記
録情報は、jLi 011回路を経て半導体レーザーに
より光信号に変換される。この先13号は光学系を経て
、例えば光記録媒体載置手段上に載置され、同期回転し
ている円盤状の光記録媒体の所定の位置に第2図に示す
ように結像される。結像位置は光記録媒体の記録層2で
ある。
結像点(部位)3に存在するビリリウム染料類はこのレ
ーザービーム4を吸収し発熱する。このピリリウム染料
類の発熱により、結像点3の記録層2が溶融し、第3図
に示すように四部5からなるビットか形成される。その
際、本発明に用いる記録媒体の記録層2は、時運のよう
にピリリウム染料類にポリジアセチレン1誘導体化合物
が組合わされて構成されているので、すなわちポリジア
セチレン誘導体化合物が存在することによりビリリウム
染料類による上述のビット形成が大幅に促進される。す
なわち、ビリリウム染料類単独で構成された記録層にお
けるビット形成と比較して、半導体レーザーに対して高
感度であり、同一の出力の半導体レーザーを用いた場合
には、レーザービームによる露光時間が少なくてすむ。
ーザービーム4を吸収し発熱する。このピリリウム染料
類の発熱により、結像点3の記録層2が溶融し、第3図
に示すように四部5からなるビットか形成される。その
際、本発明に用いる記録媒体の記録層2は、時運のよう
にピリリウム染料類にポリジアセチレン1誘導体化合物
が組合わされて構成されているので、すなわちポリジア
セチレン誘導体化合物が存在することによりビリリウム
染料類による上述のビット形成が大幅に促進される。す
なわち、ビリリウム染料類単独で構成された記録層にお
けるビット形成と比較して、半導体レーザーに対して高
感度であり、同一の出力の半導体レーザーを用いた場合
には、レーザービームによる露光時間が少なくてすむ。
このようにして入力情報に応じて記録層にピットの形成
による光記録が実施される。
による光記録が実施される。
光記録媒体としては、上述の例では円盤状のディスク(
光ディスク)が用いられたが、もちろノいDA化合物お
よびビリリウム染料類を含有する記録層を支持する基板
の種類により、光テープ、光カード等も使用できる。
光ディスク)が用いられたが、もちろノいDA化合物お
よびビリリウム染料類を含有する記録層を支持する基板
の種類により、光テープ、光カード等も使用できる。
本発明の光記録方法の効果を以下に列挙する。
(1)記録層にビリリウム染料類とポリジアセチレン誘
導体化合物とが組合わされて含有されているので、小型
軽量の半導体レーザーを用いても高感度、高速記録を実
施できる。
導体化合物とが組合わされて含有されているので、小型
軽量の半導体レーザーを用いても高感度、高速記録を実
施できる。
(2)記録層が均質かつ表面性良く形成されているので
、安定性に優れ高品質な光記録が実施でる。史に、記録
層かD式化合物とビリリウム染料類との混合中−分子膜
またはその累積1漠で形成されている場合には、記録層
がより高密度で高度な秩序性を有しており、したかって
より高密度て均質な記録が可能である。
、安定性に優れ高品質な光記録が実施でる。史に、記録
層かD式化合物とビリリウム染料類との混合中−分子膜
またはその累積1漠で形成されている場合には、記録層
がより高密度で高度な秩序性を有しており、したかって
より高密度て均質な記録が可能である。
(3)高度に均質な大面積の記録層を有する安価な記録
媒体を用いた光記録が可能となる。
媒体を用いた光記録が可能となる。
〔実施例)
以下、本発明を実施例に基づきより詳細に説明する。
実h6例1
一般式CI2 H2S−C=C−C=C−C8)1.、
− C00I+で表わされるジアセチレン誘導体化合物
結晶微粉末1重量部とn「記の染料遂5で表わされるビ
リリウム染料15重量部とを塩化メチレン20重量部中
に添加し、1分撹拌したものを塗布液として準備した。
− C00I+で表わされるジアセチレン誘導体化合物
結晶微粉末1重量部とn「記の染料遂5で表わされるビ
リリウム染料15重量部とを塩化メチレン20重量部中
に添加し、1分撹拌したものを塗布液として準備した。
次にガラス製のディスク基板(厚さ 1.5mm、直径
200mm)をスピナー塗布機に装着し、前記塗布液を
ディスク基板の中央部に少量滴下した後、所定の回転数
で所定の時間スピナーを回転させ塗tjTし、常温で乾
燥し、基板上の乾燥後の塗膜の厚みが500人、100
0人および2000人である光記録媒体をそれぞれ作成
した。
200mm)をスピナー塗布機に装着し、前記塗布液を
ディスク基板の中央部に少量滴下した後、所定の回転数
で所定の時間スピナーを回転させ塗tjTし、常温で乾
燥し、基板上の乾燥後の塗膜の厚みが500人、100
0人および2000人である光記録媒体をそれぞれ作成
した。
このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず25
4nmの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層をU仏
説にした。
4nmの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層をU仏
説にした。
次に、この青色膜化された記録層を有する各光記録媒体
に、1ビツトあたりのレーザービーム照射時間を500
ns〜5μsの間で種々変更する以外は、以下の記録条
件により光記録を実施した。
に、1ビツトあたりのレーザービーム照射時間を500
ns〜5μsの間で種々変更する以外は、以下の記録条
件により光記録を実施した。
’t′14体レーザー波長: B30nm30部−ビ
ーム径: 1鱗 レーザmmカニ 3mW 以上の条件での記録を終了した後、外光記録媒体におけ
る記録結果を顕微説を用いて観察し、レーザービーム照
射部における明瞭な四部からなるピットの形成に必要な
レーザービーム照射時間を検討した。その結果を第1表
に示す。
ーム径: 1鱗 レーザmmカニ 3mW 以上の条件での記録を終了した後、外光記録媒体におけ
る記録結果を顕微説を用いて観察し、レーザービーム照
射部における明瞭な四部からなるピットの形成に必要な
レーザービーム照射時間を検討した。その結果を第1表
に示す。
次に、 900ns/ 1ビツトの1it射時間で記録
した光記録媒体について、解像度及びビット部と非ビッ
ト部のコントラスト比について総合的に評価し、特に良
好なものを◎、良好なものを○、記録かできないまたは
不良なものを×とした。その結果を第1表に示す。
した光記録媒体について、解像度及びビット部と非ビッ
ト部のコントラスト比について総合的に評価し、特に良
好なものを◎、良好なものを○、記録かできないまたは
不良なものを×とした。その結果を第1表に示す。
実施例2
ジアセチレン誘導体化合物の量を1重量部、ビリリウム
染料の量を10重量部、塩化メチレンの量を12重31
部とした混合溶液を塗布液として使用し、実施例1と同
様の方法により光記録媒体を作成した。
染料の量を10重量部、塩化メチレンの量を12重31
部とした混合溶液を塗布液として使用し、実施例1と同
様の方法により光記録媒体を作成した。
このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず25
4nmの紫外線を均一かつ1分に照射し、記録層を青色
膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実施し、こ
れを評価した。その記録結果の5重価を、第1表に示す
。
4nmの紫外線を均一かつ1分に照射し、記録層を青色
膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実施し、こ
れを評価した。その記録結果の5重価を、第1表に示す
。
実施例3
ジアセチレン誘導体化合物の4itを1重;11部、ビ
リリウム染料の量を5重量部、塩化メチレンの晴を12
屯量部とした混合溶液を塗布液として使用し、実施例1
と同様の方法により光記録媒体を作成した。
リリウム染料の量を5重量部、塩化メチレンの晴を12
屯量部とした混合溶液を塗布液として使用し、実施例1
と同様の方法により光記録媒体を作成した。
このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず25
4nmの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実施し、こ
れを評価した。その記録結果のシ゛V価を、第1表に示
す。
4nmの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実施し、こ
れを評価した。その記録結果のシ゛V価を、第1表に示
す。
実施例4
ジアセチレン誘導体化合物の星を1重量部、ビリリウム
染料の址を1重量部、塩化メチレンの!■を4重量部と
した混合溶液を塗布液として使用し、実施例1と同様の
方法により光記録媒体を作成した。
染料の址を1重量部、塩化メチレンの!■を4重量部と
した混合溶液を塗布液として使用し、実施例1と同様の
方法により光記録媒体を作成した。
このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず25
4nmの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実施し、こ
れを評価した。その記録結果の評価を、第1表に示す。
4nmの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実施し、こ
れを評価した。その記録結果の評価を、第1表に示す。
実施例5
ジアセチレン誘導体化合物の量を5!TI−Q1部、ビ
リリウム染料の量を1重量部、塩化メチレンの量をl
2 +l j、j部とした混合溶液をip布液として使
用し、実施例1と同様の方法により光記録媒体を作成し
た。
リリウム染料の量を1重量部、塩化メチレンの量をl
2 +l j、j部とした混合溶液をip布液として使
用し、実施例1と同様の方法により光記録媒体を作成し
た。
このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず25
4r+mの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を1
11色膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実施
し、これを評価した。その記録結果の評価を、第1表に
示す。
4r+mの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を1
11色膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実施
し、これを評価した。その記録結果の評価を、第1表に
示す。
実施例6
ジアセチレン誘導体化合物の量を10重量部、ビリリウ
ム染料の量を1重量部、塩化メチレンのF辻を20爪星
部とした混合溶液を塗布液として使用し、実施例1と同
様の方法により光記録媒体を作成した。
ム染料の量を1重量部、塩化メチレンのF辻を20爪星
部とした混合溶液を塗布液として使用し、実施例1と同
様の方法により光記録媒体を作成した。
このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず25
4nmの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実施し、こ
れを評価した。その記録結果の評価を、第1表に示す。
4nmの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実施し、こ
れを評価した。その記録結果の評価を、第1表に示す。
実施例7
ジアセチレン誘導体化合物の量を15重量部、ビリリウ
ム染料の量を1ffl量部、塩化メチレンの量を30重
量部とした混合溶液を塗イ1i液として使用し、実施例
1と同様の方法により光記録媒体を作成した。
ム染料の量を1ffl量部、塩化メチレンの量を30重
量部とした混合溶液を塗イ1i液として使用し、実施例
1と同様の方法により光記録媒体を作成した。
このようにして得た光記録媒体のそれぞれ・に、まず2
54nmの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青
色膜にした後、実施例1と同様にして先部tムを実施し
、これを評価した。その記録結果の評価を、第1表に示
す。
54nmの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青
色膜にした後、実施例1と同様にして先部tムを実施し
、これを評価した。その記録結果の評価を、第1表に示
す。
比較例1
ビリリウム染料を使用せずに、ジアセチレン誘導体化合
物1屯量部を塩化メチレン2重量部に添加した溶液を塗
布液として使用し、実施例1と同様の方法により光記録
媒体を作成した。
物1屯量部を塩化メチレン2重量部に添加した溶液を塗
布液として使用し、実施例1と同様の方法により光記録
媒体を作成した。
このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず25
4nmの紫外線を均一かつト分に照射し、記24層を1
11゛色膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実
施し、こわを評価した。その記録結果の評価を、第1表
に示す。
4nmの紫外線を均一かつト分に照射し、記24層を1
11゛色膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実
施し、こわを評価した。その記録結果の評価を、第1表
に示す。
比較例2
ジアセチレン誘導体化合物を使用せずに、ビリリウム染
料IIr+′置部を塩化メチジ22重IIt部に溶解し
た溶液を塗布液として使用し、実施例1と同様の方法に
より光記録媒体を作成した。
料IIr+′置部を塩化メチジ22重IIt部に溶解し
た溶液を塗布液として使用し、実施例1と同様の方法に
より光記録媒体を作成した。
このようにして得た光記録媒体のそれぞわに、紫外線照
射を実施せずに直接半導体レーザービームを人力情報に
したかい実施例1と同じ条件で照射し、記録を実施した
。この記2j結果の評価を、第1表に示す。
射を実施せずに直接半導体レーザービームを人力情報に
したかい実施例1と同じ条件で照射し、記録を実施した
。この記2j結果の評価を、第1表に示す。
第 1 裏
実施例8
ジアセチレン誘導体化合物の41をl il 1I11
部、ピリリウム染料の11−をしn11[部、塩化メチ
レンの遣を411は部とし、更にニトロセルロース21
扛j部をバインダーとして添加した混合溶液を塗1+1
液として使用し、実jJh例1と同様の方法により記録
層の厚みが4000人の光記録媒体を作成した。
部、ピリリウム染料の11−をしn11[部、塩化メチ
レンの遣を411は部とし、更にニトロセルロース21
扛j部をバインダーとして添加した混合溶液を塗1+1
液として使用し、実jJh例1と同様の方法により記録
層の厚みが4000人の光記録媒体を作成した。
この光記録媒体に254nmの紫外線を均一かつ1分に
照射し、記録層を青色膜にしたのち、入力情+aにした
がい以下の記録条件による記録を実施した。なお、 1
ピツトあたりのレーザービーム照射時間は500ns〜
5μSの間で種々変更した。
照射し、記録層を青色膜にしたのち、入力情+aにした
がい以下の記録条件による記録を実施した。なお、 1
ピツトあたりのレーザービーム照射時間は500ns〜
5μSの間で種々変更した。
半導体レーザー波長+ 840nm
レーザービーム径: 1間
レーザー出カニ3mW
比較例3
ジアセチレン誘導体化合物を使用せずに、ビリリウム染
料2重量部とニトロセルロース2重量部とを塩化メチレ
ン4重量部に溶解した溶液を塗布液として使用し、実施
例1と同様の方法により記録層の厚みか4000人の光
記録媒体を作成した。
料2重量部とニトロセルロース2重量部とを塩化メチレ
ン4重量部に溶解した溶液を塗布液として使用し、実施
例1と同様の方法により記録層の厚みか4000人の光
記録媒体を作成した。
この光記録媒体に対して、紫外線照射を実施せずに直接
罫導体レーザービームを入力+11i報にしたかい実施
例8と同し条件で照射し、記録を実施した。
罫導体レーザービームを入力+11i報にしたかい実施
例8と同し条件で照射し、記録を実施した。
以」二の実施例8の光記録媒体については、顕微鏡での
観察の結果、照射時間か1000ns/ lピット以F
の場合に良好な記録が実施できたが、比較例3の光記録
媒体については、1つのビットを明瞭に形成するには2
000ns/ 1ビツト以七の照射時間か必費であった
。
観察の結果、照射時間か1000ns/ lピット以F
の場合に良好な記録が実施できたが、比較例3の光記録
媒体については、1つのビットを明瞭に形成するには2
000ns/ 1ビツト以七の照射時間か必費であった
。
実施例9
一般式CI:! H7=、−C三C−CEC−C81(
、、−[:0叶て表わされるジアセチレン誘導体化合物
に代え、一般式〇IJH,,−C:C−(jC−C,H
4−(:0011で示される化合物を用いたことを除い
ては実/lh例3と同様の方法により光記録媒体を作成
した。
、、−[:0叶て表わされるジアセチレン誘導体化合物
に代え、一般式〇IJH,,−C:C−(jC−C,H
4−(:0011で示される化合物を用いたことを除い
ては実/lh例3と同様の方法により光記録媒体を作成
した。
このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず25
4nmの紫外線を均一かつ十分に!(く1射し、記録層
を11i色膜にした後、実施例1と同様の記録条件によ
り記録を実施し、明瞭なビットの形成に必要な光1)(
)射時聞及び解像度及びビット部と非ビット部のコント
ラスト比について評価した。その結果を第2表に示す。
4nmの紫外線を均一かつ十分に!(く1射し、記録層
を11i色膜にした後、実施例1と同様の記録条件によ
り記録を実施し、明瞭なビットの形成に必要な光1)(
)射時聞及び解像度及びビット部と非ビット部のコント
ラスト比について評価した。その結果を第2表に示す。
実施例10
染料遂5で表わされるピリリウム染料に代え、染料/a
6で表わされるセレナピリリウム染料を用いたことを除
いては実施例9と同様の方法により光記録媒体を作成し
た。この光記録媒体のそれぞれに対して、まず254n
mの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を1!ト色
膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実hペシ、
こわを1汁価した。その記録結果のル・ト価を、第2表
に示す。
6で表わされるセレナピリリウム染料を用いたことを除
いては実施例9と同様の方法により光記録媒体を作成し
た。この光記録媒体のそれぞれに対して、まず254n
mの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を1!ト色
膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実hペシ、
こわを1汁価した。その記録結果のル・ト価を、第2表
に示す。
実施例II
染料A5で表わされるピリリウム染料に代え、染料A7
て表わされるチオピリリウム染料を用いたことを除いて
は実施例9と同様の方法により光記録媒体を作成した。
て表わされるチオピリリウム染料を用いたことを除いて
は実施例9と同様の方法により光記録媒体を作成した。
この光記録媒体のそれぞれに対して、まず254nmの
紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色膜にした
後、実施例1と同様にして光記録を実施し、これを評価
した。その記録結果の評価を、第2表に示す。
紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色膜にした
後、実施例1と同様にして光記録を実施し、これを評価
した。その記録結果の評価を、第2表に示す。
実tJh例12
染料誠5で表ねされるビリリウム染料に代え、染料誠1
4で表わされるビリリウム染料を用いたことを除いては
実施例9と同様の方法により光記録媒体を作成した。こ
の光記録媒体のそれぞれに対してまず254r+mの紫
外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色膜にした後
、実施例1と同様にして光記録を実施し、これを評価し
た。その記録結果の評価を、第2表に示す。
4で表わされるビリリウム染料を用いたことを除いては
実施例9と同様の方法により光記録媒体を作成した。こ
の光記録媒体のそれぞれに対してまず254r+mの紫
外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色膜にした後
、実施例1と同様にして光記録を実施し、これを評価し
た。その記録結果の評価を、第2表に示す。
実hb例13
染料A1115で表わされるビリリウム染料に代え、染
料JJFLI 6で表わされるチオピリリウム染料を用
いたことを除いては実施例9と同様の方法により光記録
媒体を作成した。この光記録媒体のそれぞれに対して、
まず254部mの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録
層を青色膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実
施し、これを評価した。その記録結果の評価を、第2表
に示す。
料JJFLI 6で表わされるチオピリリウム染料を用
いたことを除いては実施例9と同様の方法により光記録
媒体を作成した。この光記録媒体のそれぞれに対して、
まず254部mの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録
層を青色膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実
施し、これを評価した。その記録結果の評価を、第2表
に示す。
第 2 表
実施例14
一般式Cl2H!S−CミC−CFC−CoH,6−(
:0011で表わされるジアセチレン誘導体化合物1重
量部と1前記の染料誠5で表わされるビリリウム染料1
重量部とをクロロホルムに3XIO−Aモル/!の濃度
で溶解した溶液を、pl+か6.5で塩化カドミニウム
濃度がlXl0−モル/!の水相上に展開した。溶媒の
クロロホルムを除去した後、表面圧を一定に保ちながら
、その表面をト分に洗浄しておいたガラス基板を、水面
を横切る方向に上下速度1.0cm/分で静かに上下さ
せ、Dへ化合物とビリリウム染料との混合t11−分子
膜をJ、Ii根板上移しとり、?Q合単分子膜ならびに
5層、21層または41層に累積した混合単分子累h″
1膜を基板−トに形成した光記録媒体を作成した。
:0011で表わされるジアセチレン誘導体化合物1重
量部と1前記の染料誠5で表わされるビリリウム染料1
重量部とをクロロホルムに3XIO−Aモル/!の濃度
で溶解した溶液を、pl+か6.5で塩化カドミニウム
濃度がlXl0−モル/!の水相上に展開した。溶媒の
クロロホルムを除去した後、表面圧を一定に保ちながら
、その表面をト分に洗浄しておいたガラス基板を、水面
を横切る方向に上下速度1.0cm/分で静かに上下さ
せ、Dへ化合物とビリリウム染料との混合t11−分子
膜をJ、Ii根板上移しとり、?Q合単分子膜ならびに
5層、21層または41層に累積した混合単分子累h″
1膜を基板−トに形成した光記録媒体を作成した。
このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず25
4部mの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実h’6シ
、これを評価した。その記録結果の評価を、第3表に示
す。
4部mの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実h’6シ
、これを評価した。その記録結果の評価を、第3表に示
す。
実施例15
ビリリウム染料1重量部に対しジアセチレン誘導体化合
物を2 、H1’j 711部としたことを除き、実施
例I4と同様の方法により光記録媒体を作成した。
物を2 、H1’j 711部としたことを除き、実施
例I4と同様の方法により光記録媒体を作成した。
このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず25
4部mの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実施し、こ
れを評価した。その記録結果の評価を、第3表に示す。
4部mの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実施し、こ
れを評価した。その記録結果の評価を、第3表に示す。
実h8例16
ビリリウム染料l ffl iii部に対しジアセチレ
ン誘導体化合物を10重61部としたことを除き、実施
個目と同様の方法により光記録媒体を作成した。
ン誘導体化合物を10重61部としたことを除き、実施
個目と同様の方法により光記録媒体を作成した。
このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず25
4部mの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
1漠にした後、実施例1と同様にして光記録を実施し、
こわを5平価した。その記録結果のみf価を、第3表に
示す。
4部mの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
1漠にした後、実施例1と同様にして光記録を実施し、
こわを5平価した。その記録結果のみf価を、第3表に
示す。
実施例17
ビリリウム染料1 fR、!、’+一部に対しジアセチ
レン誘導体化合物をl ’、+ 、@ jq)(部とし
たことを除き、実施個目と同様の方法により光記録媒体
を作成した。
レン誘導体化合物をl ’、+ 、@ jq)(部とし
たことを除き、実施個目と同様の方法により光記録媒体
を作成した。
このようにして得た光記録媒体のそゎぞれに、まず25
4nmの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を17
色膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実ff=
シ、これを評価した。その記録結果のジr価を、第3表
に示す。
4nmの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を17
色膜にした後、実施例1と同様にして光記録を実ff=
シ、これを評価した。その記録結果のジr価を、第3表
に示す。
比較例4
ビリリウム染料を使用せずに、ジアセチレン誘導体化合
物のみを用いたことを除き、実施例14と同様の方法に
より光記録媒体を作成した。
物のみを用いたことを除き、実施例14と同様の方法に
より光記録媒体を作成した。
このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず25
4nmの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした後、実m例1と同様にして光記録を実施し、こ
れを評価した。その記録結果の評価を、第3表に示す。
4nmの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色
膜にした後、実m例1と同様にして光記録を実施し、こ
れを評価した。その記録結果の評価を、第3表に示す。
第3表
実施例18
一般式C12’2 S−Cミl’ニー(jC−CHH+
+、−GOOHで表わされるジアセチレン誘導体化合物
に代え、一般式〇〇)1.、−Cミc−c= c−c2
Ha−(:00Hで示される化合物を用いたことを除い
ては実施例14と同様の方法により光記録媒体を作成し
た。
+、−GOOHで表わされるジアセチレン誘導体化合物
に代え、一般式〇〇)1.、−Cミc−c= c−c2
Ha−(:00Hで示される化合物を用いたことを除い
ては実施例14と同様の方法により光記録媒体を作成し
た。
このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、まず25
4nmの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を重仏
説にした後、実施例1と同様にして光記録を実施し、こ
れを評価した。その記録結果の、け価を、第4表に示す
。
4nmの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を重仏
説にした後、実施例1と同様にして光記録を実施し、こ
れを評価した。その記録結果の、け価を、第4表に示す
。
実施例19
染料A5で表わされるビリリウム染料に代え、染料逝6
で表わされるセレナピリリウム染料を用いたことを除い
ては実施例18と同様の方法により光記録媒体を作成し
た。この光記録媒体のそれぞれに、まず254nmの紫
外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色膜にした後
、実/lh例1と同様にして光記録を実h’esシ、こ
れを評価した。その記録結果のIif価を、第4表に示
す。
で表わされるセレナピリリウム染料を用いたことを除い
ては実施例18と同様の方法により光記録媒体を作成し
た。この光記録媒体のそれぞれに、まず254nmの紫
外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色膜にした後
、実/lh例1と同様にして光記録を実h’esシ、こ
れを評価した。その記録結果のIif価を、第4表に示
す。
実施例20
染料A5で表わされるビリリウム染料に代え、染料Al
l17で表わされるチオピリリウム染料を用いたことを
除いては実施例18と同様の方法により光記録媒体を作
成した。この光記録媒体のそれぞれに、まず254nm
の紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色膜にし
た後、実施例1と同様にして光記録を実施し、これを5
f価した。その記録結果の評価を、第4表に示す。
l17で表わされるチオピリリウム染料を用いたことを
除いては実施例18と同様の方法により光記録媒体を作
成した。この光記録媒体のそれぞれに、まず254nm
の紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色膜にし
た後、実施例1と同様にして光記録を実施し、これを5
f価した。その記録結果の評価を、第4表に示す。
実施例21
染料A5で表わされるビリリウム染料に代え、染料/L
14で表わされるビリリウム染料を用いたことを除いて
は実施例18と同様の方法により光記録媒体を作成した
。この光記録媒体のそれぞれに、まず254nmの紫外
線を均一かっ1−分に照射し、記録層を111色膜にし
た後、実施例1と同様にして光記録を実施し、これを評
価した。その記録結果の21′価を、第4表に示す。
14で表わされるビリリウム染料を用いたことを除いて
は実施例18と同様の方法により光記録媒体を作成した
。この光記録媒体のそれぞれに、まず254nmの紫外
線を均一かっ1−分に照射し、記録層を111色膜にし
た後、実施例1と同様にして光記録を実施し、これを評
価した。その記録結果の21′価を、第4表に示す。
実施例22
染料誠5て表わされるビリリウム染料に代え、染料AI
6で表わされるチオピリリウム染料を用いたことを除い
ては実り?s例I8と同様の方法により光記録媒体を作
成した。この光記録媒体のそれぞれに、まず254nm
の紫外線を均一−かつ十分に!!(I射し、記録層を青
色膜にした後、実h6例1と同様にして光記録を実施し
、これを評価した。その記録結果の評価を、第4表に示
す。
6で表わされるチオピリリウム染料を用いたことを除い
ては実り?s例I8と同様の方法により光記録媒体を作
成した。この光記録媒体のそれぞれに、まず254nm
の紫外線を均一−かつ十分に!!(I射し、記録層を青
色膜にした後、実h6例1と同様にして光記録を実施し
、これを評価した。その記録結果の評価を、第4表に示
す。
第 4 表
第1図は本発明の方法に用いる光記録媒体の構成の一態
様を例示する模式断面図、第2図および第3図は本発明
の光記録の過程を示す光記録媒体の模式断面図、第4図
は記録層が単分子膜で形成された本発明の方法に用いる
光記録媒体の構成の一態様を例示する模式断面図、第5
図は、単分子膜累積膜で記録層か形成された光記録媒体
の構成の一態様を例示する模式断面図である。 に基板 2:記録層 3:光照射(記録)部位 4:レーザービーム 5:ビット 6:ビリリウム染料類 7:ジアセチレン話導体化合物
様を例示する模式断面図、第2図および第3図は本発明
の光記録の過程を示す光記録媒体の模式断面図、第4図
は記録層が単分子膜で形成された本発明の方法に用いる
光記録媒体の構成の一態様を例示する模式断面図、第5
図は、単分子膜累積膜で記録層か形成された光記録媒体
の構成の一態様を例示する模式断面図である。 に基板 2:記録層 3:光照射(記録)部位 4:レーザービーム 5:ビット 6:ビリリウム染料類 7:ジアセチレン話導体化合物
Claims (1)
- 1)ポリジアセチレン誘導体化合物と、ピリリウム染料
、チオピリリウム染料およびセレナピリリウム染料から
なる群より選ばれた一種以上とを含有してなる記録層を
有する光記録媒体に、記録情報に応じて光を照射して前
記記録層に凹部からなるピットを形成する工程を有する
ことを特徴とする光記録方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61014710A JPS62173291A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 光記録方法 |
US06/941,366 US4863832A (en) | 1985-12-16 | 1986-12-15 | Optical recording employing diacetylene compound and dye to change color and form pits |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61014710A JPS62173291A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 光記録方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62173291A true JPS62173291A (ja) | 1987-07-30 |
Family
ID=11868713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61014710A Pending JPS62173291A (ja) | 1985-12-16 | 1986-01-28 | 光記録方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62173291A (ja) |
-
1986
- 1986-01-28 JP JP61014710A patent/JPS62173291A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS58112793A (ja) | 光情報記録部材 | |
JPS62173291A (ja) | 光記録方法 | |
JPS62176888A (ja) | 光記録方法 | |
JPS62176885A (ja) | 光記録方法 | |
JPS62176890A (ja) | 光記録方法 | |
JPS62140886A (ja) | 光記録媒体 | |
JPS62173289A (ja) | 光記録方法 | |
JPS62130886A (ja) | 光記録媒体 | |
JPS62173290A (ja) | 光記録方法 | |
JPS62130883A (ja) | 光記録媒体 | |
JPS62163050A (ja) | 光記録方法 | |
JPS62176887A (ja) | 光記録方法 | |
JPS62141539A (ja) | 光記録方法 | |
JPS62130889A (ja) | 光記録媒体 | |
JPS62161586A (ja) | 光記録方法 | |
JPS62174193A (ja) | 光記録方法 | |
JPH0475836B2 (ja) | ||
JPS62173462A (ja) | 光記録方法 | |
JPS62175737A (ja) | 光記録方法 | |
JPS62177544A (ja) | 光記録方法 | |
JPS62159358A (ja) | 光記録読み取り方法 | |
JPS62130885A (ja) | 光記録媒体 | |
JPS62151385A (ja) | 光記録媒体 | |
JPS62151388A (ja) | 光記録媒体 | |
JPS62142688A (ja) | 光記録方法 |