JPS62151385A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光記録媒体に関し、特に赤外線レーザーによ
る光書き込みに適した光記録媒体に間する。

〔従来の技術〕

最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスクか注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大量の文書、文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文Ｎ等の整理、管理か効率よ〈実施で
きる。この光デイスク用の記録素子としでは、各種のも
のか検討されでいるか、価格、製造の容易さから有機材
料を用いたものか注目されでいる。

このような記録素子用の有機材料として、ジアセチレン
誘導体化合物が知られでおり、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録素子として用いる記録技術か特開昭
５６−、１４７８０７号に開示されでいる。しかし、こ
の明細書中には、どのようなレーザーを用いたか、ある
いは用いるべきかの記載かなく、単にレーザーを用いて
記録を実施したとの記載に留まっている。

本発明者らは、種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー（波長８００〜８５０ｎｍ）を使用した場
合にはレーザー記録か実施できないことを確認した。し
かし、光ディスク等の実用的な記録媒体としては、小型
で低出力の半導体レーザーにより光書き込みか可能なこ
とか要請される。

一方、特開昭５９−　４０６４８号、同４０６４９号お
よび同４０６５０号には、熱安定性のよい特定構造のポ
リメチレン化合物を含有する有機被膜が開示され、これ
らの有機被膜が半導体レーザー輻射波長領域の輻射線を
吸収し発熱するので、レーザーエネルキーによりビット
を形成するいわゆるヒートモード記録が実施できること
を開示している。しかし、記録媒体の表面に物理的なビ
ットを形成して記録を実施する場合には、初期の記録層
の表面が十分に平滑であると同時に記録後においでも記
録媒体の表面に傷を付けないよう十分な注意が必要とな
るとともに、高密度で高速記録を実施することは比較的
困難である。

また、これらの記録媒体の記録層は、ジアセチレン誘導
体化合物の微結晶あるいは前記ポリメチレン化合物がバ
インダー中に分散してなるものであり、記録層内におけ
るこれら化合物の配向はランダムであり、そのため場所
によって光の吸収率ヤ反射率が異ったり、化学反応の程
度が相違したりする現象が生じ、高密度の記録には必ず
しも適しでいるとはいえなかった。

〔発明か解決しようとする問題点〕

本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は小型軽量の半導体レー
ザーで光書き込みが可能な光記録媒体を提供することに
ある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度で高速記録の可能
な光記録媒体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録媒体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち、本発明の光記録媒体は、少なくとも親水性部
位および疎水性部位を併有するジアセチレン誘導体化合
物の単分子膜またはその累積膜からなるＡ層の一層以上
と、下記一般式（１）または（２）で表わされる化合物
の一種以上を含有してなる単分子膜またはその累積膜か
らなるＢ層の一層以上とか積層されてなり、かつＡ層と
Ｂ層との接合面を二以上有してなる記録層を有すること
を特徴とする。

一般式（１） 一般式（２） 穐 （式中、Ｒ１，Ｒ？、Ｒ３は、それぞれ独立して置換基
を有してもよいアリール基を表わし、Ｒ４およびＲ５は
、隣接した二つの−ＣＨ＝ＣＨ−基と兵役二重結合系を
形成する言換基を有しでもよいアリ−レジ基を表わし、
Ｒ６は、水素または言換基を有しでもよいアリール基を
表わし、Ａはアニオン残基を表わす。） 本発明に用いる親水性部位および疎水性部位を併有する
ジアセチレン誘導体化合物（以下、ＯＡ化合物と略称す
る）とは、隣接する分子中のＣＥ　Ｃ−ＣＥ　Ｃ官能基
間においで１．４−付加重合反応か可能な化合物であり
、代表的には下記一般式８式％） （式中、Ｘは、親水性部位を形成する親水性基であり、
ｍ、ｎは整数を表わす。） て表わされる化合物が挙げられる。

上記ＤＡ化合物における親木性基Ｘとしては、例えばカ
ルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシ基、ニトリル基、
千オアルコール蟇、イミノ基、スルホン酸基、スルフィ
ニル基またはその金属若しくはアミン塩が挙げられる。

疎水性部位を形成するＨ（Ｃ１ｈ）１１−表わされるア
ルキル基としでは炭素原子数が１〜３０の長鎖アルキル
基が好ましい。また、ｎ＋ｍとしては１〜３０の整数が
好ましい。

一方、本発明で用いる前記一般式（１）または（２）で
表わされる化合物（以下、ポリメチレン化合物と略称す
る）は、７５０ｎｍ以上の波長域に吸収ピークを有し、
この波長の赤外光により発熱する化合物である。

このポリメチレン化合物塩につきより具体的に説明する
と、一般式（１）および（２）中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ
３はそれぞれ独立しで置換基を有してもよいフェニル基
、ナフチル基等のアリール基を表わす。

ここで置換基としではジメチルアミノ、ジエチルアミン
、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジフェニルアミ
ノ、フェニルヘンシルアミン、フェニルエチルアミノ等
の置換アミノ基、モルホリノ、ピペリジニル、どロリジ
ノ等の環状アミノ基、メトキシ、エトキシ、ブトキシ等
のアルコキシ基かあげられる。Ｒ４およびＲ５はｐ−フ
ェニレン、１．４−ナフチレン等のｉｌａ接した二つの
−ＣＨ＝Ｃ）ｌ−基と共役二重結合系を形成する置換基
を有してもよいアリーレン基を表わす。ここで置換基と
しては塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、メチル、
エチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ等のアルコ
キシ基があげられる。Ｒ６は水素または置換基を有して
もよいフェニル基、ナフチル基等のアリール基を表わす
。置換基としではＲ１ないしＲ３で例示したものと同様
なものが挙げられる。穐はアニオン残基で、例えば旺？
、ｃｘ２、ＣＦ３ＣＯ０！　ＲＦＰ、Ｃ１實Ｂｒ！　Ｉ
！等のハロゲン原子、Ｒｓｏ３、島３Ｓ０３、ｅｅｅ　
　　　　　　ｅ　　　　　　　ｅＣ２Ｈ８ＳＯ３、Ｃ３
Ｈ７ＳＯ３、Ｃ４Ｈｇ　ＳＯ３、ＣｓＨ＋＋　ＳＯ３、
Ｃ６Ｈ１３ＳＯ３、ＩＣＨ２Ｓ０３などのアルキルスル
ホン酸化合物、ルホン酸化合物、法５Ｃ）ｌ・ｓｏ？、
　ぬＳＣＨ・ＣＨ・Ｓ己、誘（ＯＨ・）・Ｓ罎　己５Ｃ
）（・ＣＨ２０（ｆｂｃＨ２ｓｏ色などのアルキルジス
ルホン酸化合物、 このポリメチレン化合物の具体例を以下に例示する。

寸　　　　　　　　　　　　　　　わ　　　　　　　　
　　　　　　　　Ｃさ　　　　　　　　　１）　　　　
　　　　　３工　工 で−ご　　　　　　　　　　　　　　　　−Ｃｖ　　　
　　　　　　　　　　四 ５　　　　　　　　　　ご　　　　　　　　　　　　シ
？　　　　　　　　　　　ち　　　　　　　　　　　　
−５己　　　　　　　　　　　　　でミ　　　　　　　
　　　　　　ご　　　　　　　　　　　　エル−一　　
　　　　　　　　　　　く−　　　　　　　　　　　　
　　こｊ　　　　　　　　　　　　　　７５］　　　　
　　　　　　　　　　　　　だう　　　　　　　　　　
　　　　　　　　一本発明の光記録媒体の代表的な構成
を第１図および第２図に例示する。第１図の例では、基
板１上に前記ポリメチレン化合物５を含有する単分子膜
である８層４が形成され、その上に前記Ｄ＾化合物の累
積度２の単分子累積膜からなるＡ層３か積層され、ざら
にその上にポリメチレン化合物５を含有する単分子膜の
８層４か形成され、これら三層により記録層２が構成さ
れている。すなわち、この光記録媒体は、Ａ層とＢ層と
の接合面を二つ有しでいる。図においで、６は有機担体
分子を示し、この有機担体分子およびＯＡ化合物中の矩
形部分は疎水性部分、先部分は親水性部分を表わしてい
る。第２図の例は、基板］上に、Ａ層３と８層４との組
み合せが五目繰り返しで積層されて記録層２か構成され
、したかっで、記録層２はＡ層とＢ層との接合面を九つ
有しでいる。Ａ層３と８層４との積層順序はこれらの図
に示される態様に限定されず、基板１との接合面あるい
は記録層２の表面に存在する層は、Ａ層、Ｂ層のいづれ
てあっでモ・よい。また、必要に応じで、例えば記録層
２上に透明な保護層等の他の層を設けることもてきる。

記録層２の膜厚は、特に限定されないか、Ａ層３および
８層４を併せた単分子層の累積度か４層０程度までのも
のか実用上好ましい。

本発明の光記録媒体の基板１としでは、ガラス、アクリ
ル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプラスチ
ックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料が使用でき
るか、基板側から輻射線を照射して記録を実施する場合
には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを用いる
。

基板］上に、ＯＡ化合物の単分子膜または単分子累積膜
からなるＡ層３を形成するには、例えばＴ。

Ｌａ口ｇｍｕｉｒらの開発したラングミュア・プロジェ
ット法（以下、しＢ法と略）が用いられる。ＬＢ法は、
分子内に親木基と疎水基を有する構造の分子にあいで、
両者のバランス（両親媒性のバランス）が適度に保たれ
ているとき、この分子は水面上で親水基を下に向けた単
分子の層になることを利用して単分子膜または単分子層
の累積した膜を系の特徴をもつ。分子かまばらに散開し
ているときは、一分子当つ面積へと表面圧口との間に二
次元理想気体の式、 ｎＡ＝に丁 か成り立ち、”気体膜パとなる。ここに、ｋはポルツマ
ン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれば分
子間相互作用か強まり二次元固体の“凝縮膜（または固
体膜）“になる。凝縮膜はガラスなどの基板の表面へ一
層ずつ移すことかできる。

この方法を用いて、ＤＡ化合物の単分子膜または単分子
累積膜は、例えば次のようにして製造される。まずＤＡ
化合物をウロロホルム等の溶剤に溶解し、これを水相上
に展開し、これら化合物を膜状に展開させた展開層を形
成する。次にこの展開層が水相上を自由に拡散しで拡が
りすぎないように仕切板（または浮子）を設けて展開層
の面積を制限してＯＡ化合物の集合状態を制御し、その
集合状態に比例した表面圧口を得る。この仕切板を動か
し、展開面積を縮少して膜物質の集合状態を制御し、表
面圧を徐々に上昇させ、累積膜の製造に適する表面圧口
を設定することができる。この表面圧を維持しながら静
かに清浄な基板あるいは表面にＢ層が形成された基板を
垂直に上下させることにより、ＯＡ化合物の単分子膜か
基板上あるいは８層上に移しとられる。単分子膜はこの
ようにして製造されるか、単分子層累積膜は、前記の模
作を繰り返すことにより所望の累積度の単分子層累積膜
が形成される。

単分子膜を基板上に移すには、上述した垂直浸漬法の他
、水平付着法、回転円筒法などの方法が採用できる。水
平付着法は基板を水面に水平に接触させて移しとる方法
で、回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて
単分子層を基体表面に移しとる方法である。前述した垂
直浸漬法では、水面を横切る方向に表面が親水性である
基板を水中から引き上げると、一層目はＯＡ化合物の親
木基か基板側に向いた単分子層が基板上に形成される。

基板を上下させると　各行胛こ゛とｃ７−眉ずつ単分子
膜が積層されていく。成膜分子の向きか引上げ行程と浸
漬行程で逆になるので、この方法によると、各層間は親
木基と親水基、疎水基と疎水基か向かい合うＹ型膜が形
成される。

これに対し、水平付着法は、基板を水面に水平に接触さ
せで移しとる方法で、ＯＡ化合物の疎水基か基板側に向
いた単分子層が基板上に形成される。この方法では、累
積しでも、ＯＡ化合物の分子の向きの交代はなく全ての
層において、疎水基か基板側に向いたＸ型膜か形成され
る。反対に全ての層において親木基か基板側に向いた累
積膜はＹ型膜と呼ばれる。

回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である。

単分子層を基板上に移す方法は、これらに限定されるわ
けてはなく、大面積基板を用いる時には、基板ロールか
ら水相中に基板を押し出していく方法などもとつ得る。

また、前述した親木基、疎水基の基板への向きは原則で
あり、基板の表面処理等によって変えることもてきる。

これらの単分子膜の移し取り操作の詳細については既に
公知であり、例えば「新実験化学講座１８界面とコロイ
ド」４９８〜５０７頁、丸善刊、に記載されている。

なお、ＯＡ化合物の単分子膜または単分子累積膜からな
るＡ層３は、ＯＡ化合物単独よりなる膜であることか好
ましいか、少量の添加剤化合物を含Ｃ膜であってもよい
。

一方、ポリメチレン化合物５は両親媒性物質ではないの
で、単独ではＬＢ法によっては単分子膜を形成すること
はできない。しかし、例えばステアリン酸、アラキシン
酸などの高級脂肪酸のような両親媒性のバランスの適度
に保たれた有機高分子を担体分子として任意の比率で混
合使用することによりしＢ法を適用するここができる。

すなわち、少なくとも一つの化合物において両親媒性の
バランスか保たれでいれば、水面上に単分子層が形成さ
れ、他の化合物は両親媒性の化合物に挟持され、結局全
体として分子秩序性のある単分子層か形成されるからで
ある。

平膜またはその累積膜を形成することは困難であるか、
ポリメチレン化合物５を含有する単分子膜またはその累
積膜である８層４は、両親媒性物質を併用することによ
ＱＬＢ法で容易に形成することかできる。

この手法を採用することにより、Ａ層３と８層４が交互
に累積積層された膜はＬＢ法により容易に形成すること
ができ、このような累積膜は異種の分子の累積積層が含
まれるので、以下、ヘテロ累積膜と称する。

このようなへテロ累積膜は、先に第１図および第２図に
も例示したが、例えば以下のような態様で形成すること
ができる。

■奇数番目の層がＯＡ化合物の単分子膜で、偶数番目の
層がポリメチレン化合物を含有する単分子膜であるヘテ
ロ累積膜、 ■累積度２のＯＡ化合物の単分子累積膜と累積度６のポ
リメチレン化合物を含有する単分子累積膜との積層が交
互に何回か繰り返されたヘテロ累積膜、 ■ＯＡ化合物の単分子膜またはその累積膜とポリメチレ
ン化合物を含有する単分子膜またはその累積膜とか任意
な非周期的な順序で積層されたヘテロ累積膜、 このようにしで、基板上に形成されるヘテロ累積膜は、
高示度で高度な秩序性を有しでいるので、場所による光
吸収のバラツキは極めて小さい。したかって、このよう
な膜によって記録層を構成することにより、ＯＡ化合物
とポリメチレン化合物との機能に応した光記録、熱的記
録の可能な高密度、高解像度の記録機能を有する記録媒
体か得られる。

なお、上述したようにしで形成されたＯＡ化合物の単分
子膜またはその累積膜からなるＡ層３は、紫外線を照射
すること（こより、単分子膜またはその累積膜としで形
成されたＯＡ化合物か重合したものであってもよい。

本発明の光記録媒体は、各種の方式の光記録を実施する
ことか可能であるか　以下に弄や熱を加えることによつ
、記録層の吸収波長か変化して見掛けの色が変化するこ
とを利用する半導体レーザーによる記録の機構につき簡
略に説明する。

ＯＡ化合物は、初期（こはほぼ無色透明であるか、記録
層に紫外線を照射すると重合し、ポリアセチレン誘導体
化合物へと変化する。この重合は紫外線の照射によって
のみ起り、熱等の他の物理的エネルギーの印加によって
は生しない。こめ重合の結果、記録層は６２０〜５６Ｇ
ｎｍに最大吸収波長を有するようになり、青色乃至暗色
へと変化する。この重合に基づく色相の変化は不可逆変
化であり、一度青色至暗色へ変化した記録層は無色透明
膜へとは戻らない。また、この青色至暗色へ変化したポ
リアセチレン誘導体化合物を約５０℃以上に加熱すると
今度は約５４０ｎｍに最大吸収波長を有するようになり
、赤色膜へと変化する。この変化も不可逆変化である。

したかっで、本発明の光記録媒体を用いた光記録は次の
ような機構によつ実施される。

失τｒ太イ２日日ｎ）呈、Ｉ♀乱ΔＷ　ｔｌｉＴｒ　云
フ９ユ蔭２Δト←Ｉ−止しｈｌ　６０−照射すると記録
層中のＯＡ化合物が重合しポリアセチレン誘導体化合物
へ変化することにより、記録層２は青色至暗色の膜へと
変化する。次いで、この記録媒体の所定の位百に情報信
号に応して点滅する波長８００〜８５０ｎｍの半導体レ
ーザービーム７を照射すると、ポリアセチレン誘導体化
合物はこのレーザーと−ム７を吸収しないが、第３ａ図
に示されるように、８層４中のポリメチレン化合物５は
このレーザービーム７を吸収し発熱する（発熱部位を８
で示した。）このポリメチレン化合物４の発熱が各層の
接合面を介してＡ層３のポリアセチレン誘導体化合物に
伝わり、赤色へと変化する。かくして、第３ｂ図に示さ
れるように、入力情報に応して記録層上の記録部位９の
色変化による光記録が実施される。

（発明の効果） 本発明の光記録媒体の効果を以下に列挙する。

（１）記録層中のＯＡ化合物およびポリメチレン化合物
がそれぞれ（混合）単分子膜またはその累積膜で形成さ
れているので記録層は高密度で高度質な記録か可能であ
る。

（２）記録層が輻射線吸収層と感熱変色層との接合面を
二以上有するペテロ膜として形成されているので、伝熱
効率が高く極めて高感度である。

（３）大面積の支持体に対しでも高度に均質な記録層を
安価に製造することが可能である。

（４）記録層が８００〜８５０ｎｍの赤外線を吸収し発
熱するポリメチレン化合物を含有しているので、８００
〜８５０ｎｍの赤外線を放射する小型軽量の半導体レー
ザーを用いた記録が可能である。

（５）光照射による記録層の色相の変化を利用した記録
が可能なので、高速、高感度、高密度な光記録が実施で
きる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例に基づきより詳細に説明する。

実施例１ （ＤＡ化合物単分子膜の作製〕 一般式Ｃｌ２Ｈ２Ｓ　ｃ＝ｃ−ｃ三Ｃ−ＣＢ）１１６−
Ｇｏ叶で表わされるジアセチレン誘導体化合物をクロロ
ホルムにｌＸｌ０−３モル／ｌの濃度で溶解した溶液を
、ｐＨが６．５で塩化カドミニウム濃度がｌＸｌ０−３
モル／ｌの水相上に展開した。溶媒のクロロホルムを除
去した後、表面圧を一定に保ちながら、十分に清浄し、
表面が親水性となっているガラス基板（既にポリメチレ
ン化合物を含有する単分子膜から構成される累積膜等が
形成されでいる場合を含む）を、水面を横切る方向に上
下速度１　、０ｃｍ／分で静かに所定の回数上下させ（
途中、乾燥工程を実施する）　、ＯＡ化合物の単分子膜
を基板上に移しとり、単分子膜または単分子累積膜を形
成した。

〔ポリメチレン化合物を含有する 単分子膜の作製〕

前記の化合物遂１４で表わされるポリメチレン化合物１
重量部とアラキシン酸２重量部をクロロホルムにｌＸｌ
０−’モル／ｌの濃度で溶解した溶液を、ｐＨか６．５
で塩化カドミニウム濃度がｌＸｌ０−’モル／ｌの水相
上に展開した。溶媒のクロロホルムを除去した後、表面
圧を一定に保ちなから、十分に清浄し、表面が親水性と
なっているガラス基板（既にＯＡ化合物の単分子膜から
構成される累積膜等が形成されでいる場合を含む）を、
水面を横切る方向に上下速度１．０ｃｍ／分で静かに所
定の回数上下させ（途中、乾燥工程を実施する）、ポリ
メチレン化合物を含有する単分子膜を基板上に移しとり
、単分子膜または単分子累積膜を形成した。

〔ペテロ累積膜の作製〕

上記した、ＯＡ化合物単分子膜およびポリメチレン化合
物を含有する単分子膜の作製プロセスを基本としで、こ
れらの操作を適宜組合せて実施することにより８種のへ
テロ累積膜をガラス基板上に作製した。このようにしで
作製したベテロ累積膜（光記録媒体）を第１表に示した
。なあ、光記録媒体の構成を示す記号、番号の意味を下
記に例示する。

■Ｇ　／　２０ＰＭ／　６０ＤＡ／　２０ＰＭガラス基
板（Ｇ）上に、累積度２０のポリメチレン化合物を含有
する単分子累積膜→累積度６０のＤＡ化合物の単分子累
積膜→累積度２０のポリメチレン化合物を含有する単分
子累積膜、の順で積層しで構成された記録媒体。

■Ｇ　／　ＩＯｘ　（２ＰＭ／　６０Ａ）ガラス基板（
Ｇ）上に、累積度２のポリメチレン化合物を含有する単
分子累積膜と累積度６のＯＡ化合物の単分子累積膜との
積層の組合せが、１０回繰り返され積層して構成された
記録媒体。

比較例１ ガラス基板上にＤＡ化合物の４１層の単分子累積膜のみ
を形成した光記録媒体を作製した。

比較例２ ガラス基板上にスパッタリング法により、膜厚１５００
人のＧｃｌ　Ｔｂ−Ｆｅによる輻射線吸収層を設けた。

この基板の輻射線吸収層上に、４１層の単分子累積膜を
形成した光記録媒体を作製した。

記録試験１ 実施例］および比較例１．２で作成した光記録媒体に２
５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青
色膜にした。次に出力２ｍＷ、波長８３０ｎｍ、ビーム
径１μｍの半導体レーザービームを入力情報にしたかい
、各光記録媒体表面の所定位置に照射（照射時間２００
　ｎ　ｓ　／　ｌビット）し、青色の記録層上に赤色の
記録画像を形成した。

この記録結果の評価を第１表に示した。評価は画像解像
度および画像濃度の良否により判定し、特に良好なもの
を◎、良好なものを○、記録ができないあるいは不良な
ものを×とした。また、記録感度は、同じ出力でレーザ
ービームの照射時間を変更したときに、判読可能な変色
記録を実施するのに必要な最小照射時間で評価した。

第１表 比較例３ 前記の化合物這４で表わされるチオポリメチレン化合物
３重量部とニトロセルロース１重量部とを塩化メチレン
２０重量部に溶解した溶液を塗布液とし調整した。この
塗布液をスピナー塗布機に装着したガラス製のディスク
基板（厚ざ１．５ｍｍ、直径２００ｍｍ）の中央部（こ
少量滴下した後、所定の回転数で所定の時間スピナーを
回転させ塗布し、常温で乾燥し、基板上の乾燥後の塗膜
の厚みが１０００人の光記録媒体を作成した。

記録試験２ 比較例３の光記録媒体について、紫外線照射を実施せず
（こ直接半導体レーザービームを入力情報にしたがい、
記録試験１と同し出力で光記録媒体表面の所定位置に照
射時間を種々変更して記録層表面上に照射（照射時間５
００ｎｓ／ビツト〜５μＳ／ヒツト）し、ビットを形成
することによる記録を実施した。顕微鏡で観察した結果
、この記録媒体においでは、一つのビットを明瞭に形成
するには実施例２ 一般式ＣＩ！　Ｈ２Ｓ−（ｊＣ−Ｃ：Ｃ−ＣｎＨ＋ｂ−
ＣｏｏＨて表わされるジアセチレン誘導体化合物に代え
、一般式Ｃ１１Ｈ１７ＣＥＣ−ＣＥＣ４：２Ｈａ４００
Ｈを用いたことを除いては実施例１と同様の方法により
光記録媒体を作成した。

実施例３〜６ 化合物誠１４て表わされるポリメチレン化合物に代え、
化合物遂１．５．１８および２６て表わされるポリメチ
レン化合物をそれぞれ用いたことを陰り八では実施例２
と同様の方法により光記録媒体を作成した。

記録試験３ 実施例２〜６で作成した光記録媒体を用いで、記録試験
１と同様にしてそれぞれ記録試験を実施した。この記録
結果の評価を第２表に示した。

第２表

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、本発明の光記録媒体の構成を例
示する模式断面図である。第３ａ図および第３ｂ図は、
本発明の光記録媒体の記録の態様を示す模式断面図であ
る。 １：基板　　　　　　２：記録層 ３：Ａ層（ジアセチレン誘導体化合物含有層）４．８層
　　　　　　５：ポリメチレン化合物６：有機担体分子
　　７：レーザービーム８・発熱部位 ９：赤色変色部位（記録部位）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）少なくとも親水性部位および疎水性部位を併有する
   ジアセチレン誘導体化合物の単分子膜またはその累積膜
   からなるＡ層と、下記一般式（１）または（２）で表わ
   される化合物の一種以上を含有してなる単分子膜または
   その累積膜からなるＢ層とが積層されてなり、かつＡ層
   とＢ層との接合面を二以上有してなる記録層を有するこ
   とを特徴とする光記録媒体。 一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１） 一般式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３は、それぞれ独立して
   置換基を有してもよいアリール基を表わし、Ｒ＾４およ
   びＲ＾５は、隣接した二つの−ＣＨ＝ＣＨ−基と共役二
   重結合系を形成する置換基を有してもよいアリーレン基
   を表わし、Ｒ＾６は、水素または置換基を有してもよい
   アリール基を表わし、Ａはアニオン残基を表わす。） ２）記録層が、Ａ層とＢ層とが周期的に積層されて構成
   されたものである特許請求の範囲第１項記載の光記録媒
   体。