JPH047018B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は、ジアセチレン誘導体化合物の単分子
膜又はその累積膜を含有する光記録媒体の光記録
読取り方法に関し、特に光書き込み手段として
800〜850nｍの赤外線レーザーを、光記録読み取
り手段として500〜750nｍの可視光を用いた光記
録読み取り方法に関する。 〔従来の技術〕 最近、オフイスオートメーシヨンの中心的な存
在として光デイスクが注目を集めている。光デイ
スクは一枚のデイスク中に大量の文書、文献等を
記録保存できるため、オフイスにおける文書等の
整理、管理が効率よく実施できる。この光デイス
ク用の記録媒体としては、各種のものが検討され
ているが、価格、製造の容易さから有機材料を用
いたものが注目されている。 このような記録媒体用の有機材料として、ジア
セチレン誘導体化合物が知られており、該化合物
の熱変色性に着目し、レーザー記録媒体として用
いる記録技術が特開昭56−147807号に開示されて
いる。しかし、この明細書中には、どのようなレ
ーザーを用いたか、あるいは用いるべきかの記載
がなく、単にレーザーを用いて記録を実施したと
の記載に留まつている。 本発明者らは、種々のレーザーを用いてこのジ
アセチレン誘導体化合物のレーザー記録につき検
討した結果、アルゴンレーザー等の大型かつ高出
力のレーザーを用いれば熱変色記録が可能なもの
の、小型で比較的低出力の半導体レーザー（波長
800〜850nｍ）を使用した場合にはレーザー記録
が実施できないことを確認した。しかし、光デイ
スク等の実用的な記録媒体としては、小型で低出
力の半導体レーザーにより光書き込みが可能でか
つ読み取りについても発光ダイオードや小型レー
ザーで実施可能なことが要請される。 又、この記録媒体の記録層は、ジアセチレン誘
導体化合物の微結晶がバインダー中に分散してな
るものであり、記録層内におけるこれらの化合物
の配向はランダムであり、その為場所によつて光
の吸収率や反射率が異なつたり、化学反応の程度
が相違したりする現象が生じ、高密度の記録には
必ずしも適しているとはいえなかつた。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明はかかる従来技術の問題点を解決するた
めになされたものであり、本発明の目的は小型軽
量な半導体レーザーにより光書き込みが可能でか
つ小型軽量な可視光発光体の光照射により読み取
りが可能な光記録読み取り方法を提供することに
ある。 本発明の他の目的は、高密度、高感度、高解像
度で高速記録が可能で、かつ高速、高精度な読み
取りが可能な光記録読み取り方法を提供すること
にある。 本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品
質な光記録画像を得ることのできる光記録読み取
り方法を提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 すなわち、本発明の光記録読み取り方法は、少
なくとも親水性部位および疎水性部位を併有する
ジアセチレン誘導体化合物の単分子膜又はその累
積膜と、下記一般式（）で表わされる骨格を有
するアズレニウム塩化合物を含有する記録層を有
してなる光記録媒体に、紫外線を照射し、次いで
800〜850nｍの赤外線を記録情報に応じて照射し
て記録層の被照射部を変色せしめる工程と、該記
録層に500〜750nｍの可視光を照射して記録情報
を読み取る工程とを含むことを特徴とする。 （式中、R₁〜R₇は、水素原子、ハロゲン原子又
は１価の有機残基を表わす。） 〔作用〕 本発明の方法に用いる光記録媒体に含有される
親水性部位および疎水性部位を併有するジアセチ
レン誘導体化合物（以下、DA化合物と略称す
る）とは、隣接する分子中のＣ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ官能
基間において１，４−付加重合反応が可能な化合
物であり、代表的には下記一般式 Ｈ（CH₂）m^-C≡Ｃ −Ｃ≡Ｃ−（CH₂）ｎ−Ｘ （式中、Ｘは、親水性部位を形成する親水性基で
あり、ｍ，ｎは整数を表わす。） で表わされる化合物が挙げられる。 上記DA化合物における親水性基Ｘとしては、
例えばカルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシ
基、ニトリル基、チオアルコール基、イミノ基、
スルホン酸基、スルフイニル基またはその金属若
しくはアミン塩が挙げられる。疎水性部位を形成
するＨ（CH₂）m^-表わされるアルキル基としては
炭素原子数が10〜30の長鎖アルキル基が好まし
い。また、ｎとしては８以下の整数が好ましい。 一方、本発明で用いる前記一般式（）で表わ
される骨格を有するアズレニウム塩化合物（以
下、AZ化合物と略称する）は、750nｍ以上の波
長域に吸収ピークを有し、この波長の赤外光によ
り発熱する化合物である。 前記一般式（）を含むAZ化合物は、次の３
つに分類できる。 （）〜（）に示す化合物に於て、R₁〜R₇
は水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機残基を
表わす。 １価の有機残基としては、アルキル基、アルコ
キシ基、置換もしくは未置換アリール基、アシル
基置換もしくは未置換アミノ基、ニトロ基、ヒド
ロキシ基、カルボキシル基、シアノ基又は置換も
しくは未置換アリールアゾ基を挙げることができ
る。 Ａは２重結合によつて結合した２価の有機残基
を表し、以下の具体例で示す。 Ｚ はパークロレート、フルオロボレート、Ｐ
−トルエンスルフオネート、パーアイオダイド、
クロライド、ブロマイド又はアイオダイドなどの
アニオン残基を表わす。 本発明に用いるAZ化合物の具体例を以下に示
す。 本発明に用いる光記録媒体は前記DA化合物と
前記AZ化合物とを含有し、かつ該DA化合物が
単独でまたはAZ化合物塩との混合状態で単分子
膜またはその累積膜を形成している記録層を有し
てなるものであるが、該光記録媒体の具体的な構
成としては、以下に示すような態様がある。 (1) DA化合物１６とAZ化合物１７との混合単
分子膜またはその累積膜からなる記録層を有す
るもの（第２図に模式的断面図を示す）。 (2) DA化合物１６の単分子膜またはその累積膜
からなる層と、AZ化合物１７を含有する輻射
線吸収層１８との二層からなる記録層を有する
もの（二層分離系、第３図に模式断面図を示
す）。 (3) DA化合物１６の単分子膜またはその累積膜
からなるＡ層１９の一層以上と、AZ化合物１
７を含有する単分子膜またはその累積膜からな
るＢ層２０との一層以上とが積層されてなる記
録層を有するもの（ヘテロ累積膜系、第４図に
模式断面図を示す）。 なお、二層分離系およびヘテロ累積膜系におい
ては、DA化合物の単分子膜またはその累積膜か
らなる層と、AZ化合物を含有する輻射線吸収層
１８もしくはＢ層２０との積層順位はいずれが記
録層の表面側に位置してもよく、また、必要に応
じてこのように構成される記録層の上に各種の保
護層を設けてもよい。 本発明に用いる光記録媒体の基板１５として
は、ガラス、アクリル樹脂等のプラスチツク板、
ポリエステル等のプラスチツクフイルム、紙、金
属等の各種の支持材料が使用できるが、基板側か
ら輻射線を照射して記録を実施する場合には、特
定波長の記録用輻射線を透過するものを用いる。 基板上あるいはAZ化合物を含有する層上に
DA化合物の単分子膜または単分子累積膜を形成
するには、例えばI.Langmuirらの開発したラン
グミユア・ブロジエツト法（以下、LB法と略）
が用いられる。LB法は、分子内に親水基と疎水
基を有する構造の分子において、両者のバランス
（両親媒性のバランス）が適度に保たれていると
き、この分子は水面上で親水基を下に向けた単分
子の層になることを利用して単分子膜または単分
子層の累積した膜を作成する方法である。水面上
の単分子層は二次元系の特徴をもつ。分子がまば
らに散開しているときは、一分子当り面積Ａと表
面圧Пとの間に二次元理想気体の式、 ПＡ＝kT が成り立ち、“気体膜”となる。ここに、ｋはボ
ルツマン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小
さくすれば分子間相互作用が強まり二次元固体の
“凝縮膜（または固体膜）”になる。凝縮膜はガラ
スなどの基板の表面へ一層ずつ移すことができ
る。 この方法を用いて、DA化合物の単分子膜また
は単分子累積膜は、例えば次のようにして製造さ
れる。まずDA化合物をクロロホルム等の溶剤に
溶解し、これを水相上に展開し、これら化合物を
膜状に展開させた展開層を形成する。次にこの展
開層が水相上を自由に拡散して拡がりすぎないよ
うに仕切板（または浮子）を設けて展開層の面積
を制限してDA化合物の集合状態を制御し、その
集合状態に比例した表面圧Пを得る。この仕切板
を動かし、展開面積を縮小して膜物質を集合状態
を制御し、表面圧を徐々に上昇させ、累積膜の製
造に適する表面圧Пを設定することができる。こ
の表面圧を維持しないから静かに清掃な基板ある
いは表面にAZ化合物を含有する層が形成された
基板を垂直に上下させることにより、DA化合物
の単分子膜が基板上あるいはAZ化合物を含有す
る層上に移しとられる。単分子膜はこのようにし
て製造されるが、単分子層累積膜は、前記の操作
を繰り返すことにより所望の累積度の単分子層累
積膜が形成される。 単分子膜を基板上に移すには、上述した垂直浸
漬法の他、水平付着法、回転円筒法などの方法が
採用できる。水平付着法は基板を水面に水平に接
触させて移しとる方法で、回転円筒法は、円筒型
の基体を水面上を回転させて単分子層を基板表面
に移しとる方法である。前述した垂直浸漬法で
は、水面を横切る方向に表面が親水性である基板
を水中から引き上げると、一層目はDA化合物の
親水基が基板側に向いた単分子層が基板上に形成
される。基板を上下させると、各行程ごとに一層
ずつ単分子膜が積層されていく。成膜分子の向き
が引上げ行程と浸漬行程で逆になるので、この方
法によると、各層間は親水基と親水基、疎水基と
疎水基が向かい合うＹ型膜が形成される。 これに対し、水平付着法は、基板を水面に水平
に接触させて移しとる方法で、DA化合物の疎水
基が基板側に向いた単分子層が基板上に形成され
る。この方法では、累積しても、DA化合物の分
子の向きの交代はなく全ての層において、疎水基
が基板側に向いたＸ型膜が形成される。反対に全
ての層において親水基が基板側に向いた累積膜は
Ｚ型膜と呼ばれる。 回転円筒法は、円筒型の基体を水面上に回転さ
せて単分子層を基体表面に移しとる方法である。
単分子層を基板上に移す方法は、これらに限定さ
れるわけではなく、大面積基板を用いる時には、
基板ロールから水相中に基板を押し出していく方
法なども採り得る。また、前述した親水基、疎水
基の基板への向きは原則であり、基板の表面処理
等によつて変えることもできる。 これらの単分子膜の移し取り操作の詳細につい
ては既に公知であり、例えば「新実験化学講座18
界面とコロイド」498〜507頁、丸善刊、に記載さ
れている。 また、二以上の化合物からなるいわゆる混合単
分子膜または混合単分子累積膜も上述と同様の方
法により得られる。このとき、混合単分子膜また
は混合単分子累積膜を構成する二以上の化合物の
うち少なくともその一つが新水性部位と疎水性部
位とを併有するものであればよく、必ずしも全て
の化合物に新水性部位と疎水性部疎水基との併有
が要求されるものではない。すなわち、少なくと
も一つの化合物において両親媒性のバランスが保
たれていれば、水面上に単分子層が形成され、他
の化合物は両親媒性の化合物に挾持され、結局全
体として分子秩序性のある単分子層が形成され
る。 したがつて、DA化合物とAZ化合物との混合
単分子膜または混合単分子累積膜からなる記録層
は、DA化合物とAZ化合物とをクロロホルム等
の溶剤に溶解し、これを水相上に展開し、これら
化合物を膜状に展開させた展開層を形成して先と
同様にしてLB法により形成することができる。 しかし、成膜性を飛躍的に向上させるために
は、AZ化合物を両親媒性にする必要がある。 一方、AZ化合物を含有する層を形成するには、
代表的にはAZ化合物を適当な揮発性溶媒に溶解
して塗布液を作成し、これを塗布する方法が採用
できる。塗布液には、基板やDA化合物の単分子
膜またはその累積膜からなる層との密着性を向上
させるために、適宜天然若しくは合成高分子から
なる各種バインダーを添加してもよい。また、こ
の層の安定性、品質向上を計るために各種の添加
剤を加えてもよい。 AZ化合物の好適な溶媒としては、メタノール、
エタノール、イソプロパノール等のアルコール
類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン等のケトン類；アセトニトリル等の脂肪族
ニトリル類；クロロホルム、塩化メチレン、ジク
ロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレン
等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類；等が挙げら
れ、塩化メチレン、アセトニトリルが特に好適で
ある。 このようにして得た塗布液の塗工は、スピナー
回転塗布法、浸漬コーテイング法、スプレーコー
テイング法、ビードコーテイング法、ワイヤーバ
ーコーテイング法、ブレードコーテイング法、ロ
ーラーコーテイング法、カーテンコーテイング法
等の手法が用いられる。 また、AZ化合物を含有する層は、DA化合物
の単分子膜またはその累積膜からなる層と同様に
単分子膜またはその累積膜であつてもよい。しか
し、AZ化合物は両親媒性物質ではないので、単
独ではLB法によつては単分子膜を形成すること
はできない。ところが、例えばステアリン酸、ア
ラギジン酸などの高級脂肪酸のような両親媒性の
バランスの適度に保たれた有機高分子を担体分子
として任意の比率で混合使用してLB法を適用す
れば、AZ化合物を含有する混合単分子膜または
混合単分子累積膜が形成できる。 記録層がDA化合物とAZ化合物との混合単分
子膜またはその累積膜からなるものである場合に
は、その膜厚としては、累積膜が400程度までの
ものが実用上好ましい。 また、二層分離系の場合は、DA化合物の単分
子膜またはその累積膜の膜厚としては、累積度が
400程度までのものが好ましく、AZ化合物含有層
の膜厚としては、単分子膜またはその累積膜とし
て形成されている場合には、累積度が200程度ま
でのものが、非単分子膜として形成されている場
合には、100Å〜1μｍ程度、特に200〜5000Åの
範囲が好ましい。 ヘテロ累積膜系の場合は、Ａ層１９とＢ層２０
との接合面が二以上存在し、Ａ層１９とＢ層２０
とを併せた単分子膜の累積度が200程度までのも
のが実用上好ましい。 本発明の光記録読み取り方法においては、記
録、再生に供される上記のように構成された記録
媒体は、先ず記録層中のDA化合物を重合させ
る。すなわち、DA化合物は、初期にはほぼ無色
透明であるが、記録層全体に紫外線を照射すると
重合し、ポリジアセチレン誘導体化合物へと変化
する。この重合は紫外線の照射によつてのみ起
り、熱等の他の物理的エネルギーの印加によつて
は生じない。この重合の結果、記録層は620〜
660nｍに最大吸収波長を有するようになり、青
色乃至暗色へと変化する。この重合に基づく色相
の変化は不可逆変化であり、一度青色乃至暗色へ
変化した記録層は無色透明膜へとは戻らない。こ
のようにして、先ず、記録層中のDA化合物を重
合させ、ポリジアセチレン誘導体化合物へと変化
させ、記録層全体を青乃至暗色化させる。 この青色乃至暗色へ変化したポリジアセチレン
誘導体化合物は、約50℃以上に加熱すると今度は
約540nｍに最大吸収波長を有するようになり、
赤色へと変化する。この変化も不可逆変化であ
る。本発明の光記録読取り方法は、このようなポ
リジアセチレン誘導体化合物の変色特性を利用し
て光書き込みおよび光記録読み取りを実施するも
のであり、以下、この本発明の光記録読み取り方
法につき詳述する。 第１図は、本発明の光記録読み取り方法を実施
するのに用いる光記録再生装置の一例を示す模式
図である。この光記録再生装置は、光記録媒体１
を所定位置にセツトするための不図示の光記録媒
体載置手段と、光記録媒体へ情報を書込むための
情報書き込み手段と、光記録媒体に書き込まれた
記録情報を読み取るための情報読み取り手段から
構成されている。情報書き込み手段は、800〜
850nｍの範囲内の波長の赤外線を放射する半導
体レーザー２、入力情報に応じて半導体レーザー
２の発振を制御する制御回路３および光学系（コ
リメートレンズ４、ダイクロイツクミラー５、反
射板６、波長板７および対物レンズ８）から構成
されている。半導体レーザー２としては、具体的
には、出力波長800〜850nｍのGaAs接合レーザ
ーを使用するのが特に好適である。 一方、情報読み取り手段は、駆動回路９により
制御され、550〜750nｍの範囲の波長の可視光を
放射する半導体レーザーまたは発光ダイオード１
０、出力回路１１に接続するフオトデイテクター
１２および光ピツクアツプ光学系（光学系の大部
分は、情報書き込み手段用の光学系と共用してい
るが、独自のものとしてコリメートレンズ１３、
偏光ビームスプリツタ１４を有している）から構
成されている。 半導体レーザー１０としては、650〜750nｍ範
囲の波長の可視光を放射するもの、例えば
GaAlAsのPN接合レーザーを使用するのが好適
であり、発光ダイオード１０としては、550〜
750nｍ範囲の波長の可視光を放射するもの、例
えばGaAsP，GaP，GaAlAs等の接合ダイオード
を使用するのが好適である。 入力情報、制御回路３を経て半導体レーザー２
により光信号に変換される。この光信号は光学系
を経て、光記録媒体載置手段上に載置され、同期
回転している青色乃至暗色の記録層を有する光記
録媒体の所定の位置に結像される。結像位置は光
記録媒体が一層混合系の場合は記録層であり、二
層分離系の場合はAZ化合物を含有する輻射線吸
収層である。結像点（部位）に存在するポリアセ
チレン誘導体化合物はこの波長のレーザービーム
を吸収しないが、AZ化合物はこのレーザービー
ムを吸収し発熱する。このAZ化合物の発熱が隣
接するポリジアセチレン誘導体化合物に伝わり、
ポリジアセチレン誘導体化合物が赤色へと変色す
る。かくして入力情報に応じて記録層上の記録部
位の色変化による光書き込みが実施される。 一方、光記録読み取りは、550〜750nｍの範囲
の波長の可視光を放射する半導体レーザーまたは
発行ダイオード１０から放射される低出力の連続
発振光を使用して実施する。この読み取り光は低
出力である上、波長が赤外域から外れているの
で、AZ化合物を発熱させない。したがつて、こ
の読み取り光によつて読み取り中に記録が実施さ
れることはない。読み取り光は、光記録媒体１の
記録層表面に結像し、反射されるが、この読み取
り光の反射率は、記録部位（変色部位）とそうで
ない箇所とでは異なるので、この反射光を光ピツ
クアツプ光学系を通してフオトデイテクター１２
の受光面にあてることにより、電気信号に変換
し、出力回路１１を介して記録の再生読み取りが
行われる。 光記録媒体としては、上述の例では円盤状のデ
イスク（光デイスク）が用いられたが、ポリジア
セチレン誘導体化合物およびジエン化合物塩を含
有する記録層を支持する基板の種類により、光テ
ープ、光カード等も使用できる。 〔発明の効果〕 本発明の光記録読み取り方法の効果を以下に列
挙する。 (1) 記録層が800〜850nｍの範囲内の波長の赤外
線を吸収するAZ化合物を含有しているので、
800〜850nｍの赤外線を放射する小型軽量の半
導体レーザーを用いて光書き込みが実施でき、
また550〜750nｍの範囲の波長の可視光を放射
する小型軽量の半導体レーザーや発光ダイオー
ドにより読み取りが可能である。 (2) 記録媒体として、少なくとも記録層中のDA
化合物が、（混合）単分子膜またはその累積膜
として形成された高密度で高度な秩序性を有し
たものを用いるので、高密度で均質な光書き込
みおよび光読み取りが実施できる。 (3) 光照射による記録層の色相の変化を利用した
記録、再生方法なので、高速、高密度、高感度
な光書き込みが実施でき、また、高速、高精度
な光読み取りが実施できる。 (4) 特に、それぞれ単分子膜またはその累積膜と
して形成されたDA化合物からなる感熱変色層
とAZ化合物を有してなる輻射線吸収層との接
合面を二以上有するヘテロ膜として形成された
記録媒体を用いた場合には、記録媒体内での伝
熱効率が極めて高いので、高感度な光書き込み
が実施できる。 〔実施例〕 以下、本発明を実施例に基づきより詳細に説明
する。 実施例 １ C₁₂H₂₅−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−C₈H₁₆−COOHで表
わされるジアセチレン誘導体化合物１重量部と前
記の化合物No.１で表わされるAZ化合物１重量部
とをクロロホルムに１×10^-3モル／の濃度で溶
解した溶液を、PHが6.5で塩化カドニウム濃度が
１×10^-3モル／の水相上に展開した。溶媒のク
ロロホルムを蒸発除去した後、表面圧を
20dyne／cmまで高め、一定に保ちながら、十分
に洗浄し清浄で表面が親水性となつているガラス
基板を、水面を横切る方向に上下速度1.0cm／分
で静かに上下させ、DA化合物とAZ化合物との
混合単分子膜を基板上に移しとり、混合単分子膜
ならびに21層、41層および81層に累積した混合単
分子累積膜を基板上に形成した光記録媒体を作成
した。 これら光記録媒体に254nｍの紫外線を均一か
つ十分に照射し、記録層中のDA化合物を重合さ
せ、記録層を青色膜にした後、第１図に示した記
録装置を用い、入力情報にしたがい以下の記録条
件により記録書き込みを実施した。 半導体レーザー波長 ：830nｍ レーザービーム径 ：1μｍ レーザー出力 ：３ｍＷ １ビツトあたりのレーザービームの照射時間
：200ns 青色の光記録媒体表面にレーザービームを照射
すると照射部は赤色に変色し、記録書き込みが行
われた。記録の読み取りには、波長680nｍ、出
力１ｍｗの半導体レーザーを読み取り光源として
使用し、その反射光をフオートデイテクター
（PN接合フオートダイオード）で受光した。 記録書き込みの評価は次のようにして実施し
た。記録濃度は、記録（赤色）部のオプテイカル
デンシテイーを測定した。解像度および感度は、
記録画像とレーザービーム径の対応を顕微鏡によ
り観察して判定し、非常に良好のものを◎、良好
なものを○、記録ができないあるいは対応の劣悪
なものを×とした。また、記録読み取りは、搬送
波雑音比（Ｃ／Ｎ比）を測定して評価した。評価
結果を第１表に示した。 比較例 １ AZ化合物を使用しない以外は、実施例１と同
様の方法により光記録媒体を作成した。この光記
録媒体の記録層を青色膜にした後、実施例１と同
様な条件で記録の書き込みおよび読み取りを実施
した。記録の評価は、実施例１と同様にして行
い、その結果を第１表に示した。

【表】

【表】 実施例 ２ 一般式C₁₂H₂₅−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−C₈H₁₆−
COOHで表わされるDA化合物化合物に代え、一
般式C₈H₁₇−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−C₂H₄−COOHで
表わされるDA化合物を用いたことを除いては実
施例１と同様の方法により単分子膜の累積度41の
記録媒体を作成した。この記録媒体に対して実施
例１と同様な条件で記録の書き込みおよび読み取
りを実施した。その評価結果を第２表に示した。 実施例 ３〜６ 化合物No.１で表わされるAZ化合物塩に代え、
化合物No.３、８、12、15で表わされるAZ化合物
をそれぞれ用いたことを除いては実施例２と同様
にして光記録媒体を作成した。これらの光記録媒
体に対して実施例１と同様な条件でそれぞれ記録
の書き込みおよび読み取りを実施した。その評価
結果を第２表に示した。

【表】 実施例 ７ 化合物No.１で表わされるAZ化合物塩１重量部
を塩化メチレン４重量部中に溶解して得た塗布液
を、スピナー塗布機に装着したガラス製のデイス
ク基板（厚さ1.5mm、直径200mm）の中央部に少量
滴下した後、所定の回転数で所定の時間スピナー
を回転させ塗布し、常温で乾燥し、基板上の乾燥
後の塗膜の厚みが200Å及び3000Åのものを夫々
多数準備した。 次に一般式C₁₂H₂₅−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−C₈H₁₆−
COOHで表わされるDA化合物の単分子累積膜を
実施例１と同様な方法により、基板上のAZ化合
物層上に移しとり、７層ならびに41層、101層、
及び201層に累積した単分子累積膜を形成した記
録媒体を夫々作成した。これらの光記録媒体の記
録層を青色膜にした後、実施例１と同様な条件で
記録の書き込み及び読み取りを実施した。記録の
評価は、実施例１と同様にして行い、その結果を
第３表に示した。

【表】 実施例 ８ 一般式C₁₂H₂₅−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−C₈H₁₆−
COOHで表わされるDA化合物をクロロホルムに
１×10^-3のモル／の濃度で溶解した溶液を、PH
が6.5で塩化カドミニウム濃度が１×10^-3モル／
の水相上に展開した。溶媒のクロロホルムを除
去した後、表面圧を20dyne／cmまで高め、一定
に保ちながら、十分に清浄し、表面が親水性とな
つているガラス基板（既にAZ化合物類を含有す
る単分子膜から構成される累積膜等が形成されて
いる場合を含む）を、水面に横切る方向に上下速
度1.0cm／分で静かに所定の回数上下させ（途中、
乾燥工程を実施する）、DA化合物の単分子膜を
基板上に移しとり、単分子膜または単分子累積膜
を形成した。 化合物No.１で表わされるAZ化合物塩１重量部
とアラキジン酸２重量部をクロロホルムに１×
10^-3モル／の濃度で溶解した溶液を、PHが6.5
で塩化カドミニウム濃度が１×10^-3モル／の水
相上に展開した。溶媒のクロロホルムを除去した
後、表面圧を20dyne／cmまで高め一定に保ちな
がら、十分に清浄し、表面が親水性となつている
ガラス基板（既にDA化合物の単分子膜から構成
される累積膜等が形成されている場合を含む）
を、水面を横切る方向に上下速度1.0cm／分で静
かに所定の回数上下させ（途中、乾燥工程を実施
する）、AZ化合物を含有する単分子膜を基板上に
移しとり、単分子膜または単分子累積膜を形成し
た。 上記したDA化合物単分子膜およびAZ化合物
類を含有する単分子膜の作製プロセスを基本とし
て、これらの操作を適宜組合せて実施することに
より８種のヘテロ累積膜をガラス基板上に作製し
た。このようにして作製したヘテロ累積膜（光記
録媒体）を第４表に示した。なお、光記録媒体の
記録層の構成を示す記号、番号の意味を下記に例
示する。 Ｇ／20AZ／60DA／20AZ ガラス基板（Ｇ）上に、累積度20のAZ化合
物を含有する単分子累積膜→累積度60のDA化
合物の単分子累積膜→累積度20のAZ化合物塩
を含有する単分子累積膜、の順で積層して構成
された光記録媒体。 Ｇ／10×（2AZ／6DA） ガラス基板（Ｇ）上に、累積度２のAZ化合
物を含有する単分子累積膜と累積度６のDA化
合物の単分子累積膜との積層の組合せが、10回
繰り返され積層して構成された光記録媒体。 これら光記録媒体に254nｍの紫外線を均一か
つ十分に照射し、記録層中のDA化合物を重合さ
せ、記録層を青色膜にした後、入力情報にしたが
い、実施例１と同様に記録条件により記録を実施
した。記録の評価は実施例１と同様にして行い、
その結果を第４表に示した。

【表】 【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光記録読み取り方法に用い
る記録装置の一例を示す模式図である。第２図な
いし第４図は、本発明の方法に用いる光記録媒体
の構成を例示する模式断面図である。 １：光記録媒体、２：半導体レーザー、３：制
御回路、４：コリメートレンズ、５：ダイクロイ
ツクミラー、６：反射板、７：波長板、８：対物
レンズ、９：駆動回路、１０：半導体レーザーま
たは発光ダイオード、１１：出力回路、１２：フ
オトデイテクター、１３：コリメートレンズ、１
４：偏光ビームスプリツター、１５：基板、１
６：ジアセチレン誘導体化合物、１７：アズレニ
ウム塩化合物、１８：アズレニウム塩化合物含有
層、１９：Ａ層、２０：Ｂ層、２１：有機担体分
子。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ポリジアセチレンと下記一般式（）で表わ
   される骨格を有するアズレニウム塩化合物とを有
   する記録媒体を用意する工程、該記録媒体に赤外
   線を照射し、該被照射部のポリジアセチレンを変
   色せしめ情報を書き込む記録工程とを有すること
   を特徴とする記録方法。 （式中、R₁〜R₇は、水素原子、ハロゲン原子又
   は１価の有機残基を表わす。） ２ 前記赤外線の照射が半導体レーザーによる特
   許請求の範囲第１項記載の記録方法。 ３ 前記半導体レーザーがGaAs接合レーザーで
   ある特許請求の範囲第２項記載の記録方法。 ４ 前記赤外線800nｍ〜850nｍの範囲である特
   許請求の範囲第１項記載の記録方法。 ５ 該記録方法により情報が書き込まれた記録媒
   体に可視光を照射し情報を読み取る工程をさらに
   有する特許請求の範囲第１項記載の記録方法。 ６ 前記可視光が500nｍ〜750nｍの範囲である
   特許請求の範囲第５項記載の記録方法。