JPS62141538A - 光記録読取り方法 - Google Patents
光記録読取り方法Info
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- JPS62141538A JPS62141538A JP60282216A JP28221685A JPS62141538A JP S62141538 A JPS62141538 A JP S62141538A JP 60282216 A JP60282216 A JP 60282216A JP 28221685 A JP28221685 A JP 28221685A JP S62141538 A JPS62141538 A JP S62141538A
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- JP
- Japan
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- compound
- optical recording
- recording
- wavelength
- recording layer
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00455—Recording involving reflectivity, absorption or colour changes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/025—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon triple bonds, e.g. acetylenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/245—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ポリジアセチレン誘導体化合物を含有する光
記録媒体の光記録読み取り方法に関し、特に光書き込み
手段として８００〜８５０ｎｍの赤外線をレーザーを、
光記録読み取り手段として５００〜７５０ｎｍの可視光
を用いた光記録読み取り方法に関する。
記録媒体の光記録読み取り方法に関し、特に光書き込み
手段として８００〜８５０ｎｍの赤外線をレーザーを、
光記録読み取り手段として５００〜７５０ｎｍの可視光
を用いた光記録読み取り方法に関する。
最近、オフィスオートメ］ジョンの中心的な存在として
光ディスクが注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大量の文書１文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文書等の整理、管理が効率よ〈実施で
きる。この光デイスク用の記録媒体メしては、各種のも
のが検討されているが１価格、製造の容易さから４１機
材料を用いたものが注目されている。
光ディスクが注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大量の文書１文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文書等の整理、管理が効率よ〈実施で
きる。この光デイスク用の記録媒体メしては、各種のも
のが検討されているが１価格、製造の容易さから４１機
材料を用いたものが注目されている。
このような記録媒体用の有機材料として、ジアセチレン
話導体化合物が知られており、該化Ａ蜘め執壺イ／１件
に美目１４．レーザー記［６蓼休として用いる記録技術
が特開昭５６−１４７８０７号に開示されている。しか
し、この明細書中には、どのようなレーザーを用いたか
、あるいは用いるべきかの記載がなく、’ｌｉにレーザ
ーを用いて記録を実施したとの記載に留まっている。
話導体化合物が知られており、該化Ａ蜘め執壺イ／１件
に美目１４．レーザー記［６蓼休として用いる記録技術
が特開昭５６−１４７８０７号に開示されている。しか
し、この明細書中には、どのようなレーザーを用いたか
、あるいは用いるべきかの記載がなく、’ｌｉにレーザ
ーを用いて記録を実施したとの記載に留まっている。
本発明者らは１種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レー。
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レー。
ザー（波長８００〜８５０ｎｍ）を使用した場合にはレ
ーザー記録が実施できないことを確認しまた。しかし、
光ディスク等の実用的な記録媒体としては、小型で低出
力の半導体レーザーにより光書き込みが可能でかつ読み
取りについても発光ダイオードや小型レーザーで実施可
能なことが要請される。
ーザー記録が実施できないことを確認しまた。しかし、
光ディスク等の実用的な記録媒体としては、小型で低出
力の半導体レーザーにより光書き込みが可能でかつ読み
取りについても発光ダイオードや小型レーザーで実施可
能なことが要請される。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり１本発明の目的は小型軽量な半導体レー
ザーにより光書き込みが可能で、かつ小型軽ゆな可視光
発光体の光照射により読み取りが可能な光記録読み取り
方法を提供することにある。
れたものであり１本発明の目的は小型軽量な半導体レー
ザーにより光書き込みが可能で、かつ小型軽ゆな可視光
発光体の光照射により読み取りが可能な光記録読み取り
方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、高密度、高感度で高速記録が可能
で、かつ高速、高精度な読み取りが可能な光記録読み取
り方法を提供することにある。
で、かつ高速、高精度な読み取りが可能な光記録読み取
り方法を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録画像を得ることのできる光記録読み取り方法を提供す
ることにある。
録画像を得ることのできる光記録読み取り方法を提供す
ることにある。
すなわち１本発明の光記録読み取り方法は。
ポリジアセチレン誘導体化合物と、下記一般式ＣＩ）で
表わされる骨格を有する７ズレニウム塩化合物を含有す
る記ＱｌＢを有して成る光記録媒体に、８００〜８５０
ｎｍの赤外線を記録情報に応じて照射し、記録層の被照
射部を変色せしめる工程と、該記録層に５００〜７５０
ｎｍの可視光を照射して、記録情報を読取る工程を含む
ことを特徴とする。
表わされる骨格を有する７ズレニウム塩化合物を含有す
る記ＱｌＢを有して成る光記録媒体に、８００〜８５０
ｎｍの赤外線を記録情報に応じて照射し、記録層の被照
射部を変色せしめる工程と、該記録層に５００〜７５０
ｎｍの可視光を照射して、記録情報を読取る工程を含む
ことを特徴とする。
冨
（式中、Ｒ１−Ｒ７は、水素原子、ハ、ロゲン原子又は
１価の有機残基を表わす、） 〔作用〕 本発明の方法に用いる光記録媒体に含有されるポリジア
セチレン誘導体化合物とは、下記一般式で表わされるジ
アセチレン誘導体化合物（以下、ＤＡ化合物と略称する
） Ｒ−Ｃミｃ−ｃ＝ｃ−＊ （式中、ＲおよびＫとしては、例えばアルキルノ＾、ビ
ニル、ビニリデン、エチニル等のオレフィン系炭化水素
基、フェニル、ナフチル、アントラニル椰の縮Ａ冬信フ
ェニルノｔ−ビフェニルターフェニル等の鎖状多環フェ
ニル基、その他の非極性ス（、カルボキシル基及びその
金属塩もしくはアミン塩、スルホンｓｇ及びその金属塩
もしくはアミン塩、スルホアミド基、アミド基、アミノ
基、イミノ基、ヒドロキシ基、４級アミノ基、オキシア
ミノ基、ジアゾニウム基。
１価の有機残基を表わす、） 〔作用〕 本発明の方法に用いる光記録媒体に含有されるポリジア
セチレン誘導体化合物とは、下記一般式で表わされるジ
アセチレン誘導体化合物（以下、ＤＡ化合物と略称する
） Ｒ−Ｃミｃ−ｃ＝ｃ−＊ （式中、ＲおよびＫとしては、例えばアルキルノ＾、ビ
ニル、ビニリデン、エチニル等のオレフィン系炭化水素
基、フェニル、ナフチル、アントラニル椰の縮Ａ冬信フ
ェニルノｔ−ビフェニルターフェニル等の鎖状多環フェ
ニル基、その他の非極性ス（、カルボキシル基及びその
金属塩もしくはアミン塩、スルホンｓｇ及びその金属塩
もしくはアミン塩、スルホアミド基、アミド基、アミノ
基、イミノ基、ヒドロキシ基、４級アミノ基、オキシア
ミノ基、ジアゾニウム基。
グア・ニシン基、ヒドラジン基、リン酸基、ケイＷ＃基
、アルミン酸基、ニトリル基、チオアルコール基、その
他の極性基等が挙げられる）を重合させて得られるもの
であり１通常、光記録媒体の製造時には、ＤＡ化合物の
形で光記録媒体中に含有され、記録の実施に先立ち、紫
外線を照射することにより重合させ、記録に供される。
、アルミン酸基、ニトリル基、チオアルコール基、その
他の極性基等が挙げられる）を重合させて得られるもの
であり１通常、光記録媒体の製造時には、ＤＡ化合物の
形で光記録媒体中に含有され、記録の実施に先立ち、紫
外線を照射することにより重合させ、記録に供される。
−・方１本発明で用いる前記一般式（Ｉ）で表わされる
骨格を有するアズレニウム塩化合物（以下、ＡＺ化合物
と略称する）は７５０ｎｍ以上の波長域に吸収ピークを
有し、この波長の赤外光により発勢する化合物である。
骨格を有するアズレニウム塩化合物（以下、ＡＺ化合物
と略称する）は７５０ｎｍ以上の波長域に吸収ピークを
有し、この波長の赤外光により発勢する化合物である。
前記一般式（１）を含むＡＺ化合物は次の３つに分類で
きる。
きる。
（ＩＩ ）
（ｍ）
（ＩＶ）
（！ｌ）〜（ＩＴ）に示す化合物に於いて、Ｒ１−Ｒ７
は水素原子、ハロゲン原子又は１個の有機残基を表わす
。
は水素原子、ハロゲン原子又は１個の有機残基を表わす
。
１価の有機残基としては、アルキル基、アルコキシＪ、
ｔｉ、￥１換もしくは未置換アリール基、アシルＡｌｉ
２２換もしくは未置換アミ７基、ニトロ基、ヒドロキ
シ基、カルボキシル基、シアノ基又は置換もしくは未置
換アリールアゾ基を挙げることができる。
ｔｉ、￥１換もしくは未置換アリール基、アシルＡｌｉ
２２換もしくは未置換アミ７基、ニトロ基、ヒドロキ
シ基、カルボキシル基、シアノ基又は置換もしくは未置
換アリールアゾ基を挙げることができる。
Ａは２型詰合によって結合した２価の有機残基を表し、
以下の具体例で示す。
以下の具体例で示す。
Ｚｅはバークロレート、フルオロボレート。
Ｐ−トルエンスルフォネート、パーアイオダイド。クロ
ライド、ブロマイド又はアイオダイドなどの７ニオン残
基を表わす。
ライド、ブロマイド又はアイオダイドなどの７ニオン残
基を表わす。
本発明に用いるＡＺ化合物の具体例を以下に示す。
％；ｔｔ３
ＣＨ３／ ・
本発明に用いる光記録媒体は前記ポリジアセチレン誘導
体化合物と前記ＡＺ化合物塩とを含有してなるが、該光
記録媒体の具体的な構成としては、以下に示すような態
様がある。但し。
体化合物と前記ＡＺ化合物塩とを含有してなるが、該光
記録媒体の具体的な構成としては、以下に示すような態
様がある。但し。
ポリジアセチレン誘導体化合物については、ここでは重
合前のＤＡ化合物の形で表記する。
合前のＤＡ化合物の形で表記する。
（１）光記録媒体奪構成する記録層が、ＤＡ化合物とＡ
Ｚ化合物塩とを混合して含有してなるもの（一層混合系
）。
Ｚ化合物塩とを混合して含有してなるもの（一層混合系
）。
（２）光記録媒体を構成する記録層が、ＤＡ化合物を含
有する層と、ＡＺ化合物１ｎを含有する輻射線吸収層と
の二層からなるもの（二層分離系）。
有する層と、ＡＺ化合物１ｎを含有する輻射線吸収層と
の二層からなるもの（二層分離系）。
（３）光記録媒体を構成する記録層が、ＤＡ化合物を含
有する居と、ＡＺ化合物塩を含有する輻射線吸収層との
交互多重積層構造からなるもの（多重積層系）。
有する居と、ＡＺ化合物塩を含有する輻射線吸収層との
交互多重積層構造からなるもの（多重積層系）。
なお、二層分離系および多重積層系においては、ＤＡ化
合物を含有する居と、ＡＺ化合物塩を含有する輻射線吸
収層の積層順序はいずれが記録層の表面側に位置しても
よいが、好ましくはＤＡ化合物層が表面側にくるように
する。また、必要に応じてこのように構成される記録層
の上に各種の保護層を設けてもよい。
合物を含有する居と、ＡＺ化合物塩を含有する輻射線吸
収層の積層順序はいずれが記録層の表面側に位置しても
よいが、好ましくはＤＡ化合物層が表面側にくるように
する。また、必要に応じてこのように構成される記録層
の上に各種の保護層を設けてもよい。
本発明に用いる光記録媒体の基板としては。
ガラス、アクリル樹脂等のプラスチック板、ポリエステ
ル等のプラスチックフィルム、紙、金属等の各種の支持
材料が使用できるが、基板側から輻射線を照射して記録
を実施する場合には、特定波長の記録用輻射線を透過す
るものを用いる。
ル等のプラスチックフィルム、紙、金属等の各種の支持
材料が使用できるが、基板側から輻射線を照射して記録
を実施する場合には、特定波長の記録用輻射線を透過す
るものを用いる。
基板上に記録層を形成するには、代表的にはＤＡ化合物
の微粉末および／または＾Ｚ化合物塩を適ａな揮発性溶
媒に分散もしくは溶解して塗布液を作成し、この′ＯＬ
血液あるいはこれら塗布液を基板上に塗布する方法が採
用できる。塗布液には、′Ｊ＆板との間あるいは各ｅｒ
ｔｎの密着性を向上させるために、適宜天然若しくは合
成高分子からなる各種のバインダーを添加してもよい、
また、記録層の安定性１品質向上を計るために各種の添
加剤を加えてもよい。
の微粉末および／または＾Ｚ化合物塩を適ａな揮発性溶
媒に分散もしくは溶解して塗布液を作成し、この′ＯＬ
血液あるいはこれら塗布液を基板上に塗布する方法が採
用できる。塗布液には、′Ｊ＆板との間あるいは各ｅｒ
ｔｎの密着性を向上させるために、適宜天然若しくは合
成高分子からなる各種のバインダーを添加してもよい、
また、記録層の安定性１品質向上を計るために各種の添
加剤を加えてもよい。
塗’４ｉのために用いる溶媒は、使用するバインダーの
種類や、ＤＡ化合物およびＡＺ化合物塩をバインダー中
に含有させるに際して分散状態とするかあるいは非晶質
状態とするかによって適宜選択されるが、ＤＡ化合物の
好適な分散媒としては、メタノール、エタノール、イソ
プロパツール等のアルコール類；アセトン、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；シクロヘキ
サノン、ｎ−へキサン等の飽和炭化水素類；クロロホル
ム、′塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、
トリクロルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類；
ベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼン、
ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素類等が挙ケられ、
クロロホルム、ベンゼン、トルエンが特に好適である。
種類や、ＤＡ化合物およびＡＺ化合物塩をバインダー中
に含有させるに際して分散状態とするかあるいは非晶質
状態とするかによって適宜選択されるが、ＤＡ化合物の
好適な分散媒としては、メタノール、エタノール、イソ
プロパツール等のアルコール類；アセトン、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；シクロヘキ
サノン、ｎ−へキサン等の飽和炭化水素類；クロロホル
ム、′塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、
トリクロルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類；
ベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼン、
ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素類等が挙ケられ、
クロロホルム、ベンゼン、トルエンが特に好適である。
また、ジエン化□合物塩の好適な溶媒としてはメダノー
ル、エタノール、インプロパツール等のアルコール類；
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等の
ケトン類；アセトニトリル等、の脂肪族ニトリル類；ク
ロロホルム。
ル、エタノール、インプロパツール等のアルコール類；
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等の
ケトン類；アセトニトリル等、の脂肪族ニトリル類；ク
ロロホルム。
塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリク
ロルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類；等が挙
げられ、塩化メチレン、アセトニトリルが特に好適であ
る。
ロルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類；等が挙
げられ、塩化メチレン、アセトニトリルが特に好適であ
る。
このような塗布液の基板べの塗工は、スピナー回転塗布
法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、ビ
ードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、ブ
レードコーティング法、ローラーコーティング法、カー
テンコーティング法等の手法が用いられる。
法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、ビ
ードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、ブ
レードコーティング法、ローラーコーティング法、カー
テンコーティング法等の手法が用いられる。
記録層が一層混合系の場合は、その膜厚としては、５０
０人〜２＃Ｌｍ程度が適しており、特に１０００〜５０
００人の範囲が好ましい、記録層内のＤＡ化合物とＡＺ
化合物塩との配合割合は、１７１５〜１５／１程度が好
ましく、ｉ適には１７５〜ｔｏ／ｌである。
０人〜２＃Ｌｍ程度が適しており、特に１０００〜５０
００人の範囲が好ましい、記録層内のＤＡ化合物とＡＺ
化合物塩との配合割合は、１７１５〜１５／１程度が好
ましく、ｉ適には１７５〜ｔｏ／ｌである。
また、二層分離系の場合は、各層の膜厚としては、各々
ｌＯＯλ〜ＩＪＬｍ程度が適しており、特に２００〜５
０００人の範囲が好ましい。
ｌＯＯλ〜ＩＪＬｍ程度が適しており、特に２００〜５
０００人の範囲が好ましい。
多重積層系の場合は、各ＤＡ化合物層の膜厚の総和およ
び各ＡＺ化合物塩層の膜厚の総和が、各々１００人〜１
μｍが適しており、特に２００〜５０００人の範囲が好
ましい。
び各ＡＺ化合物塩層の膜厚の総和が、各々１００人〜１
μｍが適しており、特に２００〜５０００人の範囲が好
ましい。
本発明の光記録読取り方法においては、記録、再生に供
されるＬ記のように構成された記録媒体は、記録の実施
に先立ち、記録層中のＤＡ化合物を重合させる。すなわ
ち、ＤＡ化合物は、初期にはほぼ無色透明であるが、記
録層全体に紫外線を照射すると重合し、ポリジアセチレ
ン誘導体化合物へと変化する。この重合は紫外線の照射
によってのみ起り、熱等の他の物理的エネルギーの印加
によっては生じない、この重合の結果、記録層は６２０
〜６６０ｎｍに最大吸収波長を右するようになり、青色
乃至暗色へと変化する。この重合に基づく色相の変化は
不可逆変化であり、一度青色乃至暗色へ変化した記録層
は無色透明膜へとは戻らない、このようにして、記録層
中のＤＡ化合物が重合しポリジアセチレン：ＪＪ導体化
合物へと変化し、青色乃至暗色化した記録層を有する記
録媒体が１本発明の方法に使用される。
されるＬ記のように構成された記録媒体は、記録の実施
に先立ち、記録層中のＤＡ化合物を重合させる。すなわ
ち、ＤＡ化合物は、初期にはほぼ無色透明であるが、記
録層全体に紫外線を照射すると重合し、ポリジアセチレ
ン誘導体化合物へと変化する。この重合は紫外線の照射
によってのみ起り、熱等の他の物理的エネルギーの印加
によっては生じない、この重合の結果、記録層は６２０
〜６６０ｎｍに最大吸収波長を右するようになり、青色
乃至暗色へと変化する。この重合に基づく色相の変化は
不可逆変化であり、一度青色乃至暗色へ変化した記録層
は無色透明膜へとは戻らない、このようにして、記録層
中のＤＡ化合物が重合しポリジアセチレン：ＪＪ導体化
合物へと変化し、青色乃至暗色化した記録層を有する記
録媒体が１本発明の方法に使用される。
この青色乃至暗色へ変化したポリジアセチレン誘導体化
合物は、約５０℃以とに加熱すると今度は約ｓａｏｎｍ
に最大吸収波長を有するようになり、赤色へと変化する
。この変化も不可逆変化である０本発明の光記録方法は
、このようなポリジアセチレン誘導体化合物の変色特性
を利用して光書込み及び光記録読取りを実施するもので
あり、以下この本発明の光記録読取り方法につき詳述す
る。
合物は、約５０℃以とに加熱すると今度は約ｓａｏｎｍ
に最大吸収波長を有するようになり、赤色へと変化する
。この変化も不可逆変化である０本発明の光記録方法は
、このようなポリジアセチレン誘導体化合物の変色特性
を利用して光書込み及び光記録読取りを実施するもので
あり、以下この本発明の光記録読取り方法につき詳述す
る。
第１図は１本発明の光記録読み取り方法を実施するのに
用いる光を録再主装置の一例を示す模式図である。この
光記録再生装置は、光記録媒体１を所定位置にセットす
るための不図示の光記録媒体Ｖ＆置置設段、光記録媒体
へ情報を書き込むための情報書き込み手段と、光記録媒
体に書き込まれた記録情報を読み取るための情報読み取
り手段から構成されている。情報書き込み手段は、８０
０〜８５０ｎｍの範囲内の波長の赤外線を放射する半導
体レーザー２．入力情報に応じて半導体レーザー２の発
振を制御する制御回路３および光学系（コリメートレン
ズ４、グイクロイックミラー５１反射板６．波長板７お
よび対物レンズ８）から構成されている。半導体レーザ
ー２としては、具体的には。
用いる光を録再主装置の一例を示す模式図である。この
光記録再生装置は、光記録媒体１を所定位置にセットす
るための不図示の光記録媒体Ｖ＆置置設段、光記録媒体
へ情報を書き込むための情報書き込み手段と、光記録媒
体に書き込まれた記録情報を読み取るための情報読み取
り手段から構成されている。情報書き込み手段は、８０
０〜８５０ｎｍの範囲内の波長の赤外線を放射する半導
体レーザー２．入力情報に応じて半導体レーザー２の発
振を制御する制御回路３および光学系（コリメートレン
ズ４、グイクロイックミラー５１反射板６．波長板７お
よび対物レンズ８）から構成されている。半導体レーザ
ー２としては、具体的には。
出力波長８２０〜８４０ ｎ ｍのＧａＡｓ接合レーザ
ーな使用するのが特に好適である。
ーな使用するのが特に好適である。
−・方、情報読み取り手段は、駆動回路９により制御さ
れ、５５０〜７５０ｎｍの範囲の波長の可視光を放射す
る半導体レーザーまたは発光ダイオード１０．出力回路
ｔｉに接続するフォトディ“チクター１２および光ピツ
クアップ光学系（光学系の大部分は、情報書き込み手段
用の光学系と共用しているが、独自のものとしてコリメ
ータレンズ！３．偏光ビームプリッタ１４を有している
）から構成されている。
れ、５５０〜７５０ｎｍの範囲の波長の可視光を放射す
る半導体レーザーまたは発光ダイオード１０．出力回路
ｔｉに接続するフォトディ“チクター１２および光ピツ
クアップ光学系（光学系の大部分は、情報書き込み手段
用の光学系と共用しているが、独自のものとしてコリメ
ータレンズ！３．偏光ビームプリッタ１４を有している
）から構成されている。
半導体レーザーｌＯとしては６５０〜７５０ｎｍ；ａ囲
の波長の可視光を放射するもの１例えばＧａＡ文Ａｓの
ＰＮ接合レーザーを使用するもが好適であり５発光ダイ
オード１０としては、５５０〜７５０ｎｍ範囲の波長の
可視光を放射するもの、例え、ばＧａＡｓＰ、ＧａＰ。
の波長の可視光を放射するもの１例えばＧａＡ文Ａｓの
ＰＮ接合レーザーを使用するもが好適であり５発光ダイ
オード１０としては、５５０〜７５０ｎｍ範囲の波長の
可視光を放射するもの、例え、ばＧａＡｓＰ、ＧａＰ。
ＧａＡ１Ａ３等の接合ダイオードを使用するのが好適で
ある。
ある。
入力情報は、制御回路３を経て半導体レーザー２により
光信号に変換される。この光信号は光学系を経て、光記
録媒体裁置手段上に＠置され、同期回転している青色乃
至暗色の記録層を有する光記録媒体の所定の位置に結像
される。結像位置は光記録媒体の一層混合系の場合は記
録層であり、二層分離系の場合はＡＺ化合物を含有する
輻射線吸収層である。°結像点（部位）に存在するポリ
ジアセチレン誘導体化合物はこの波長のレーザービーム
を吸収しないが。
光信号に変換される。この光信号は光学系を経て、光記
録媒体裁置手段上に＠置され、同期回転している青色乃
至暗色の記録層を有する光記録媒体の所定の位置に結像
される。結像位置は光記録媒体の一層混合系の場合は記
録層であり、二層分離系の場合はＡＺ化合物を含有する
輻射線吸収層である。°結像点（部位）に存在するポリ
ジアセチレン誘導体化合物はこの波長のレーザービーム
を吸収しないが。
ＡＺ化合物塩はこのレーザービームを吸収し余熱する。
このＡＺ化合物の発熱が隣接するポリジアセチレン話！
２仕イヒ春物に伝ｈ ４１ ポリジアセチレン誘導体
化合物が赤色へと変色する。かくして入力情報に応じて
記Ｑ層上の記録部位の色変化により光書き込みが実施さ
れる。
２仕イヒ春物に伝ｈ ４１ ポリジアセチレン誘導体
化合物が赤色へと変色する。かくして入力情報に応じて
記Ｑ層上の記録部位の色変化により光書き込みが実施さ
れる。
一方、光記録読み取りは、５５０〜７５０ｎｍの範囲の
波長の可視光を放射する半導体レーザーまたは発光ダイ
オードｌＯから放射される低出力の！１ｍ発振光を使用
して実施する。この読み取り光は低出力である上、波長
が赤外域から外れているので、ＡＺ化合物塩を発熱させ
ない、したが□って、この読み取り光によって読み取り
中に記録が実施されることはない、読み取り光は、光記
録媒体１の記録層表面に結像し６反射されるが、この読
み取り光の反射率は、記録部位（変色部位）とそうでな
い箇所とでは異なるので、この反射光を光ピツクアップ
光学系を通してフォトディテクター１２の受光面にあて
ることにより、電％信号に変換し、出力回路１１を介し
て記録の再生読み取りが行われる。
波長の可視光を放射する半導体レーザーまたは発光ダイ
オードｌＯから放射される低出力の！１ｍ発振光を使用
して実施する。この読み取り光は低出力である上、波長
が赤外域から外れているので、ＡＺ化合物塩を発熱させ
ない、したが□って、この読み取り光によって読み取り
中に記録が実施されることはない、読み取り光は、光記
録媒体１の記録層表面に結像し６反射されるが、この読
み取り光の反射率は、記録部位（変色部位）とそうでな
い箇所とでは異なるので、この反射光を光ピツクアップ
光学系を通してフォトディテクター１２の受光面にあて
ることにより、電％信号に変換し、出力回路１１を介し
て記録の再生読み取りが行われる。
光記録媒体としては、上述の例では円盤状のディスク（
光ディスク）が用いられたが、ポリジアセチレン誘導体
化合物およびジエン化合物塩を含有する記録層を支持す
る基板の種類により、光テープ、光カード等も使用でき
る。
光ディスク）が用いられたが、ポリジアセチレン誘導体
化合物およびジエン化合物塩を含有する記録層を支持す
る基板の種類により、光テープ、光カード等も使用でき
る。
以下１本発明を実施例に基づき、より詳細に説明する。
実施例１
一般式ＣＩＪＨ２５−ＣｍＣ−Ｃｉ！ＥＣ−Ｃ９Ｈ１５
−ＣＯＯＨで表わされるジアセチレン誘導体化合物の結
晶微粉末１重量部と前記の化合物Ｎｏ、ｌで表わされる
ＡＺ化合物塩ｆｉｌ量部とを塩化メチレン４ｉ量部中に
添加し、十分攪拌したものを塗布液として準備した。
−ＣＯＯＨで表わされるジアセチレン誘導体化合物の結
晶微粉末１重量部と前記の化合物Ｎｏ、ｌで表わされる
ＡＺ化合物塩ｆｉｌ量部とを塩化メチレン４ｉ量部中に
添加し、十分攪拌したものを塗布液として準備した。
次にガラス製のディスク基板（厚さ１．５ｍｍ。
直径２０ｍｍ）をスピナー塗布機に装着し。
前記塗布液をディスク基板の中央部に少量滴下した後、
所定の回転数で所定の時間スピナーを回転させ塗布し、
常温で乾燥し、基板上の乾燥後の！［の厚みが５００人
、１０００人および２０００人である光記録媒体をそれ
ぞれ作成し。
所定の回転数で所定の時間スピナーを回転させ塗布し、
常温で乾燥し、基板上の乾燥後の！［の厚みが５００人
、１０００人および２０００人である光記録媒体をそれ
ぞれ作成し。
た。
これら光記録媒体に２５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分
に照射し、記録層中のＤＡ化合物を歌合させ、記録層を
青色膜にした。
に照射し、記録層中のＤＡ化合物を歌合させ、記録層を
青色膜にした。
これら光記録媒体を第１図に示した記録装置を用い、入
力情報にしたがい以下の記録条件により記録書き込みを
実施した。
力情報にしたがい以下の記録条件により記録書き込みを
実施した。
半導体レーザー”波長＝８３、Ｏｎｍ ・レーザー
ビーム径： ｌ屏ｍ レーザー出カニ ３ｍＷ １ビツトあたりのレーザービームの照射時間 ： ２
００ｎｓｉｆ色の光記録媒体表面にレーザ、−ビームを
照射すると照射部は赤色に変色し、記録書゛き・込みが
行われた６記録の読み取りには、波長６８０ｎｍ、′出
力１ｍｗの半導体レーザーを読み取り光源として使用し
、その反射光をフォトディテクター（ＰＮ接合フォトダ
イ、オード）で受光した。
ビーム径： ｌ屏ｍ レーザー出カニ ３ｍＷ １ビツトあたりのレーザービームの照射時間 ： ２
００ｎｓｉｆ色の光記録媒体表面にレーザ、−ビームを
照射すると照射部は赤色に変色し、記録書゛き・込みが
行われた６記録の読み取りには、波長６８０ｎｍ、′出
力１ｍｗの半導体レーザーを読み取り光源として使用し
、その反射光をフォトディテクター（ＰＮ接合フォトダ
イ、オード）で受光した。
記録書き込みの評価は次のようにして実施した。記録濃
度は、記録（赤色）部のオプティカルデンシティ−を４
１１定した。解像度および感度は、記録画像とレーザー
ビーム径の対応を顕微鏡により観察して判定し、非常に
良好なものを■、良好なものを０．記録ができないある
いは対怜劣悪なもやを×とした。また、記録読み取りは
、搬送波雑音比（Ｃ／Ｎ比）を測定して評４“−一″１
°“゛“”“′、“°゛。
度は、記録（赤色）部のオプティカルデンシティ−を４
１１定した。解像度および感度は、記録画像とレーザー
ビーム径の対応を顕微鏡により観察して判定し、非常に
良好なものを■、良好なものを０．記録ができないある
いは対怜劣悪なもやを×とした。また、記録読み取りは
、搬送波雑音比（Ｃ／Ｎ比）を測定して評４“−一″１
°“゛“”“′、“°゛。
実轡例１で作成した三種の記録媒体に２５４ｎｍの紫外
線を均一かつ十分に照射して記録層を青色膜にした後、
入力情報にしたがい、下記の記録書き込みを実施した。
線を均一かつ十分に照射して記録層を青色膜にした後、
入力情報にしたがい、下記の記録書き込みを実施した。
レーザー波長： ８７０ｎｍ
レーザービーム径：ｌＩＬｍ
レーザー出力、： ３ｍＷ
１ビツトあたりのレーザービームの照射時間 ： ２
００ｎｓ記録読み取りおよび評価は、実施例１と同様に
して実施し、その評価結果を第１表に示した。
００ｎｓ記録読み取りおよび評価は、実施例１と同様に
して実施し、その評価結果を第１表に示した。
比較例２
実施例１で作成した三種の光記録媒体に２５４ｎｍの紫
外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色膜にした後
、入力情報にしたがい、下記の記録条件により記録書き
込みを実施した。
外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色膜にした後
、入力情報にしたがい、下記の記録条件により記録書き
込みを実施した。
レーザー波長： ７９０ｎｍ
レーザービーム径： ＩＩＬｍ
レーザー出カニ ３ｍＷ
１ビツトあたりのレーザービームの照射時間 ： ２
００ｎｓ記録読み取りおよび評価は、実施例１と同様に
して実施し、その評価結果を第１表に示した。
００ｎｓ記録読み取りおよび評価は、実施例１と同様に
して実施し、その評価結果を第１表に示した。
実施例２
実施例１で使用したと同じガラス製のディスク基板トに
、先ず化合物Ｎｏ、ｌで表わされるＡＺ化合物塩１！Ｉ
Ｉ量部を塩化メチレン２重量部中に溶解して′得た塗布
液を用いて実施例１と同様にして、乾燥後の厚みが１０
００人の塗膜を形成した０次いで実施例１で使用したジ
アセチレン誘導体化合物の結晶微粉末１重量部およびバ
インダーとしてのニトロセルロース１重量部を塩化メチ
レフ４重量部中に分散、溶解させて得た塗布液を、ＡＺ
化合物塩の塗膜上に先と同様にして乾燥後の厚みが１０
００人の塗膜を形成した。この光記録媒体の記録層を青
・色膜にした後、実施例１と同様な記録条件で記録の書
き込みおよび読み取りを実施した。記録の評価は、実施
例１と同様にして実施し。
、先ず化合物Ｎｏ、ｌで表わされるＡＺ化合物塩１！Ｉ
Ｉ量部を塩化メチレン２重量部中に溶解して′得た塗布
液を用いて実施例１と同様にして、乾燥後の厚みが１０
００人の塗膜を形成した０次いで実施例１で使用したジ
アセチレン誘導体化合物の結晶微粉末１重量部およびバ
インダーとしてのニトロセルロース１重量部を塩化メチ
レフ４重量部中に分散、溶解させて得た塗布液を、ＡＺ
化合物塩の塗膜上に先と同様にして乾燥後の厚みが１０
００人の塗膜を形成した。この光記録媒体の記録層を青
・色膜にした後、実施例１と同様な記録条件で記録の書
き込みおよび読み取りを実施した。記録の評価は、実施
例１と同様にして実施し。
その評価結果を第１表に示した。
比較例３
ＡＺ化合物塩を使用せずに、ジアセチレン誘導体化合物
１重量部およびニトロセルロース１重量部を塩化メチレ
ン２重量部に溶解した溶液を塗布液とし使用し、実施例
１と同様の方法により記録媒体を作成した。この記録媒
体に対して、実施例１、比較例１および比較例２で用い
た三種の記録条件により記録の書き込みおよび読み取り
を実施した。その評価結果を第１表：ｊＳ１表 実施例３ Ｃ１２１（：２５− ＣミＣ−ＣミＣ−Ｃ９Ｈ１５−Ｃ
ｏｏ）ｉで表わされるジアセチレン誘導体化合物に代え
。
１重量部およびニトロセルロース１重量部を塩化メチレ
ン２重量部に溶解した溶液を塗布液とし使用し、実施例
１と同様の方法により記録媒体を作成した。この記録媒
体に対して、実施例１、比較例１および比較例２で用い
た三種の記録条件により記録の書き込みおよび読み取り
を実施した。その評価結果を第１表：ｊＳ１表 実施例３ Ｃ１２１（：２５− ＣミＣ−ＣミＣ−Ｃ９Ｈ１５−Ｃ
ｏｏ）ｉで表わされるジアセチレン誘導体化合物に代え
。
ｃ８Ｈ１７−ｃミＣ−ＣミＣ−Ｃ２Ｈａ−Ｃｏｏｌで表
わされるジアセチレン誘導体化合物を用いたことを除い
ては、実施例１と同様の方法により光記録媒体を作成し
た。この光記録媒体に対して実施例１と同じ記録条件に
より記録、再生を実施した。
わされるジアセチレン誘導体化合物を用いたことを除い
ては、実施例１と同様の方法により光記録媒体を作成し
た。この光記録媒体に対して実施例１と同じ記録条件に
より記録、再生を実施した。
その評価結果を第２表に示した。
実施□例４〜７
化合物Ｎｏ、ｌで表わされるＡＺ化合物塩に代え、化合
物Ｎｏ、３．８，１２．１５で表わされるＡＺ化合物塩
をそれぞれ用いたことを除いては、実施例１と同様の方
法により光記録媒体を作成した。これらの記録媒体の各
々に対して実施例１と同じ記録条件により記録を実施し
た。
物Ｎｏ、３．８，１２．１５で表わされるＡＺ化合物塩
をそれぞれ用いたことを除いては、実施例１と同様の方
法により光記録媒体を作成した。これらの記録媒体の各
々に対して実施例１と同じ記録条件により記録を実施し
た。
その評価結果を第２表に示した。
第２表
〔効果〕
本発明の光記録読取り方法の効果を以下に列挙する。
（１）記録層が８００〜８５０ｎｍの範囲内の波長の赤
外線を吸収するＡＺ化合物塩を含有しているので、８０
０〜８５０ｎｍの赤外線を放射する小型軽量の半導体レ
ーザーを用いて光記録が実施でき、また５５０〜７５０
ｎｍの範囲の波長の可視光を放射する小型軽量の半導
体レーザーや発光ダイオードにより読み取りが可能であ
る。
外線を吸収するＡＺ化合物塩を含有しているので、８０
０〜８５０ｎｍの赤外線を放射する小型軽量の半導体レ
ーザーを用いて光記録が実施でき、また５５０〜７５０
ｎｍの範囲の波長の可視光を放射する小型軽量の半導
体レーザーや発光ダイオードにより読み取りが可能であ
る。
（２）光照射による記録層の色相の変化を利用した記録
、再生方法なので、高速、高密度、高一度な光書き込み
が実施でき、また高速、高精度な光読取りが実施できる
。
、再生方法なので、高速、高密度、高一度な光書き込み
が実施でき、また高速、高精度な光読取りが実施できる
。
第１図は、本発明の光記録読み取り方法に用いる記録装
置の一例を示す模式図である。 ｌ：光記録媒体 ２二半導体レーザー ３ ： 制御回路 ４ ：コリメートレンズ５ ：
ダイクロイックミラー ６ ：反射板 ７ ：波長板 ８：対物レンズ ９：、駆動回路 ｌＯ： 半導体レーザーまたは発光ダイオード。 ｌｌ： 出力回路 １２： フォトディテク
ター１３： コリメートレンズ １４′： 偏光ビームスプリッター 手続ネ南正書（自発） 昭和６１年１１月１０日 特許庁長官 黒 １）明 雄 殿 ２、発明の名称 光記録−再生装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都大田区下丸子３−３０−２キャノン株式会
社内（電話７ｓａ−ｚｏｌ）５、補正の対象 明細書 、！′ ６、補正内容 １、発明の名称を「光記録−再生装置」に補正する。 ２、特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 ２、特許請求の範囲 、二月ＪＪ虹糺。 Ｓ Ｕ記 、線が、外秀である時８請求の範囲葱」シ。
置の一例を示す模式図である。 ｌ：光記録媒体 ２二半導体レーザー ３ ： 制御回路 ４ ：コリメートレンズ５ ：
ダイクロイックミラー ６ ：反射板 ７ ：波長板 ８：対物レンズ ９：、駆動回路 ｌＯ： 半導体レーザーまたは発光ダイオード。 ｌｌ： 出力回路 １２： フォトディテク
ター１３： コリメートレンズ １４′： 偏光ビームスプリッター 手続ネ南正書（自発） 昭和６１年１１月１０日 特許庁長官 黒 １）明 雄 殿 ２、発明の名称 光記録−再生装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都大田区下丸子３−３０−２キャノン株式会
社内（電話７ｓａ−ｚｏｌ）５、補正の対象 明細書 、！′ ６、補正内容 １、発明の名称を「光記録−再生装置」に補正する。 ２、特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 ２、特許請求の範囲 、二月ＪＪ虹糺。 Ｓ Ｕ記 、線が、外秀である時８請求の範囲葱」シ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ポリジアセチレン誘導体化合物と下記一般式（ I ）
で表わされる骨格を有するアズレニウム化合物を含有す
る記録層を有して成る光記録媒体に、８００〜８５０ｎ
ｍの赤外線を記録情報に応じて照射し、記録層の被照射
部を変色せしめる工程と、該記録層に５００〜７５０ｎ
ｍの可視光を照射して記録情報を読取る工程とを含むこ
とを特徴とする光記録読取り方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１〜Ｒ＿７は、水素原子、ハロゲン原子又
は１価の有機残基を表わす。）
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60282216A JPS62141538A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 光記録読取り方法 |
| US07/370,113 US4910107A (en) | 1985-12-16 | 1989-06-23 | Optical recording-reproducing method and device by using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60282216A JPS62141538A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 光記録読取り方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62141538A true JPS62141538A (ja) | 1987-06-25 |
Family
ID=17649568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60282216A Pending JPS62141538A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 光記録読取り方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62141538A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012502404A (ja) * | 2008-09-10 | 2012-01-26 | データレース リミテッド | データ保存媒体 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59129954A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-26 | Canon Inc | 光学記録媒体 |
| JPS6085448A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-14 | Canon Inc | 光記録媒体 |
| JPS60222847A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-07 | Canon Inc | 像形成方法 |
-
1985
- 1985-12-16 JP JP60282216A patent/JPS62141538A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59129954A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-26 | Canon Inc | 光学記録媒体 |
| JPS6085448A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-14 | Canon Inc | 光記録媒体 |
| JPS60222847A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-07 | Canon Inc | 像形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012502404A (ja) * | 2008-09-10 | 2012-01-26 | データレース リミテッド | データ保存媒体 |
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