JPS62140890A - 光記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ジアセチレン誘導体化合物を含有する光記録
媒体への光記録方法に関し、特に光書き込み手段として
８００〜８５０ｎｍの°赤外線レーザーを用いた光記録
方法に関する。

［従来の技術］ 最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスクが注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大量の文書、文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文書等の整理、Ｖ埋が効率よ〈実施で
きる。この光デイスク用の記録媒体としては、各種のも
のが検２・１されているが１価格、製造の容易さから有
機材料を用いたものが注目されている。

このような記録媒体用の有機材料として、ジアセチレン
誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録媒体として用いる記録技術が＃開閉
５６−１４７８０７号公報に開示されたいる。しかし、
この明細歯巾には、どのようなレーザーを用いたか、あ
るいは用いるべきかの記載がなく、単にレーザーを用い
て記録を実施したとの記載に留まっている。

本発明者らは１種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー（波長８００〜８５０　ｎｍ）を使用した
場合にはレーザー記録が実施できないことを確認した。

しかし、光ディスク等の実用的な記録媒体としては、小
型で低出力の半導体レーザーにより光書き込みが可能な
ことが要請される。

［発明が解決しようとする問題点］ 本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり１本発明の目的は小型軽量な半導体レー
ザーにより光書き込みが可能な光記録方法を提供するこ
とにある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度で高速記録のｒｊ
ｆ能な光記録方法を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録画像を得ることのできる光記録方法を提供することに
ある。

［問題点を解決するための手段］ すなわち１本発明の光記録方法は、ポリジアセチレン誘
導体化合物と、下記一般式（Ｉ）で表わされる骨格を有
するアズレニウム塩化合物を含有する記録層を有してな
る光記録媒体に、８００〜８５０ｎｍの赤外線を記録情
報に応じて照射し、記録層の被照射部を変色せしめる工
程を含むことを特徴とする。

（式中、Ｒ１−Ｒ７は水素原子、ハロゲン原子、又は１
価の有機残基を表わす、） ［作用］ 本発明の方法に用いる光記録媒体に含有されるポリジア
セチレン誘導体化合物とは、下記一般式で表わされるジ
アセチレン誘導体化合物（以下、ＤＡ化合物と略称する
） Ｒ−ＣミＣ−ＣミＣ−Ｒ’ （式中、Ｒおよびπとしては、例えば７′ルキル基、ビ
ニル、ビニリデン、エチニル等のオレフィン系炭化水素
基、フェニル、ナフチル、アントラニル等の縮合多環フ
ェニル基、ビフェニル、ターフェニル等の鎖状多環フェ
ニル基、その他の非極性基、カルボキシル基及びその金
属塩もしくはアミン塩、スルホン＃１基及びその金属塩
もしくはアミン塩、スルホアミド基、アミド基１　アミ
７基、イミノ基、ヒドロキシ基、４級アミン基、オキシ
アミノ基、ジアゾニウム基、グアニジン基、ヒドラジン
基、リン酸基。

ケイ酸基、アルミン酸基、ニトリル基、千オアルコール
基、その他の極性基等が挙げられる）を重合させて得ら
れるものであり、通常、光記録媒体の製造時には、ＤＡ
化合物の形で光記録媒体中に含有され、記録の実施に先
立ち、紫外線を照射することにより重合させ、記録に供
される。

一方１本発明で用いる前記一般式（Ｉ）で表わされる骨
格を有するアズレニウム塩化合物（以下、ＡＺ化合物と
略称する）は７５０以上の波長域に吸収ピークを有し、
この波長の赤外光により発熱する化合物である。

前記一般式（Ｉ）を含むＡＺ化合物は、次の３つに分類
できる。

（ＩＩ　） （ＩＩＩ　） （ｒｖ） （ＩＩ　）〜（ＴＶ）に示す化合物に於て、Ｒ１−Ｒ７
は水素原子、ノ＼ロゲン原子又は１個の有機残基を表わ
す。

１価の有機残基としては、アルキル基、アルコキシ基、
置換もしくは未置換アリール基、アシル基、置換もしく
は未置換アミン基、ニトロ基、ヒドロキシ基、カルボキ
シル基、シアノ基又は置換もしくは未置換アリールアゾ
基を挙げることができる。

Ａは２型詰合によって結合した２価の有機残基を表し、
以下の具体例で示す。

ｚｅｔ士パー、ヨウート、７・２．オ。ポい一ト、Ｐ−
）ルエンスルフオネート、パーフイオダイド、クロライ
ド゛、ブロマイド又はアイオダイドなどのアニオン残基
を表わす。

本発明に用いるＡＺ化合物の具体例を以下にＣＨ３／ 本発明に用いる光記録媒体は前記ポリジアセチレン誘導
体化合物と前記ＡＺ化合物塩とを含有してなるが、該光
記録媒体の具体的な構成としては、以下に示すような態
様がある。但し、ポリジアセチレン誘導体化合物につい
ては、ここでは重合前のＤＡ化合物の形で表記する。

（１）光記録媒体を構成する記録層が、ＤＡ化合物とＡ
Ｚ化合物塩とを混合して含有してなるもの（一層混合系
）。

（２）光記録媒体を構成する記録層が、ＤＡ化合物を含
有する層と、ＡＺ化合物塩を含有する輻射線吸収層との
二層からなるもの（二層分１箪系）。

（３）光記録媒体を構成する記録層が、ＤＡ化合物を含
有する層と、ＡＺ化合物塩を含有する輻射線吸収層との
交互多重積層構造からなるもの（多重積層系）。

なお、二層分離系および多重積層系においては、ＤＡ化
合物を含有する層と、ＡＺ化合物塩を含有する輻射線吸
収層の積層順序はいずれが記録層の表面側に位置してい
てもよいが、好ましくはＤＡ化合物層が表面側にくるよ
うにする。また、必要に応じてこのように構成される記
録層の丑に各種の保護層を設けてもよい。

本発明に用いる光記録媒体の基板としては、ガラス、ア
クリル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプラ
スチックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料が使用
できるが、基板側から輻射線を照射して記録を実施する
場合には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを用
いる。

基板上に記録層を形成するには、代表的にはＤＡ化合物
の微粉末および／またはＡＺ化合物用を適当な揮発性溶
媒に分散もしくは溶解して塗布液を作成し、この塗布液
あるいはこれら塗布液を基板上に塗布する方法が採用で
きる。塗布液には、基板との間あるいは各層間の密着性
を向上させるために、適宜天然若しくは合成高分子から
なる各種のバインダーを添加してもよい。また、記録層
の安定性、品質向上を計るために各種の添加剤を加えて
もよい。

塗布のために用いる溶媒は、使用するバインダーの種Ｅ
や、ＤＡ化合物およびＡＺ化合物塩をバインダー中に含
有させるに際して分散状態とするかあるいは非晶質状態
とするかによって適宜選択されるが、ＤＡ化合物の好適
な分散媒としては、メタ／−ル、エタノール、インプロ
パツール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケ
トン、シクロヘキサノン等のケトン類ニジクロヘキサン
、ｎ−ヘキサン等の飽和炭化水素類；クロロホルム、塩
化メチレン、ジクロルエチレン、四ｍ　化炭素、　　）
ジクロルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類；ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼン、ジ
クロルベンゼン等の芳香族炭化水素類等が挙げられ、ク
ロロホルム、ベンゼン、トルエンが特に好適である。

また、ジエン化合物塩の好適な溶媒としてはメタノール
、エタノール、イソプロパツール等のアルコール類；ア
セトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケ
トン類；アセトニトリル等の脂肪族ニトリル類；クロロ
ホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素
、トリクロルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類
−等が挙げられ、塩化メチレン、アセトニトリルが特に
好適である。

このような塗布液の基板への塗工は、スピナー回転塗布
法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、ビ
ードコーティング法。

’７　イ＋　−／（ニーコーティング法、ブレードコー
ティング法、ローラーコーティング法、カーテンコーテ
ィング法等の手法が用いられる。

記録層が一層混合系の場合は、その膜厚としては、５０
０人〜２ｇｍ程度が適しており、特に１０００〜５００
０人の範囲が好ましい、記録層内のＤＡ化合物とＡＺ化
合物塩との配合割合は、ｌ／１５〜１５／１程度が好ま
しく、最適には１１５〜ｌＯ／１である。

また、二層分離系の場合は、各層の膜厚としては、各々
１００人〜Ｉｇｍ程度が適しており、特に２００〜５０
００人の範囲が好ましい。

多重積層系の場合は、各ＤＡ化合物層の膜厚の総和およ
び各ＡＺ化合物塩層の膜厚の総和が、各々１００人〜Ｉ
ｇｍ程度が適しており。

特に２００〜５０００人の範囲が好ましい。

本発明の記録方法においては、記録に供される上記のよ
うに構成された記録媒体は、記録の実施に先立ち、記録
層中のＤＡ化合物を重合させる。すなわち、ＤＡ化合物
は、初期にはほぼ無色透明であるが、記録層全体に紫外
線を照射すると重合し、ポリジアセチレン誘導体化合物
へと変化する。この重合は紫外線の照射によってのみ起
り、熱等の他の物理的エネルギーの印加によっては生じ
ない、この重合の結果、記録層は６２０〜６６０ｎｍに
最大吸収波長を有するようになり、青色乃至暗色へと変
化する。この重合に基づく色相の変化は不可逆変化であ
り、−・度青色乃至暗色へ変化した記録層は無色透明膜
へとはαらない、このようにして、記録層中のＤＡ化合
物が重合しポリジアセチレン誘導体化合物へと変化し、
青色乃至暗色化した記録層を有する記録媒体が、本発明
の方法に使用される。

この青色乃至暗色へ変化したポリジアセチレン誘導体化
合物は、約５０″Ｃ以上に加熱すると今度は約５４０ｎ
ｍに最大吸収波長を有するようになり、赤色へと変化す
る。この変化も不可逆変化である８本発明の光記録方法
は、このようなポリジアセチレン誘導体化合物の変色特
性を利用して記録を実施するものであり、以下この本発
明の記録方法につき詳述する。

第１図は１本発明の光記録方法を実施するのに用いる光
記録装置の一例を示す模式図である。この光記”録装置
は、光記録媒体ｌを所定位置にセットするための不図示
の光記録媒体載置手段と光記録媒体へ情報を書込むため
の情報書込み手段とから構成されている。情報書込み手
段は、８００〜８５０ｎｍ範囲内の波長の赤外線を放射
する半導体レーザー２、入力情報に応じて寥導体レーザ
ー２の発振を制御する制御回路３および光学系（コリメ
ートレンズ４１反射板５、波長板６および対物レンズ７
）から構成されている。半導体レーザー２としては、具
体的には、波長８２０〜８４０ｎｍのＧａＡｓ接合レー
ザーを使用するのが特に好適である。

人力情報は、制御回路を経て半導体レーザーにより光信
号に変換される。この光信号は光学系を経て、光記録媒
体載置手段上に載置され。

同期回転している青色乃至暗色の記録層を有する光記録
媒体が所定の位置に結像される。結像位置は光記録媒体
の一層混合系の場合は記録層であり、二層分離系の場合
はＡＺ化合物塩を含有する輻射線吸収層である。結像点
（−８Ｂ位）に存在するポリジアセチレン誘導体化合物
はこの波長のレーザービームを吸収しないが、ＡＺ化合
物塩はこのレーザービームを吸収し発熱する。このＡＺ
化合物塩の発熱が隣接するポリジアセチレン誘導体化合
物に伝わり、ポリジアセチレン誘導体化合物が赤色へと
変色する。かくして入力情報に応じて記録Ｗｊとの記録
部位の色変化による光記録が実施される。

光記録媒体としては、上述の例では円盤状のディスク（
光ディスク）が用いられたが、ポリジアセチレン誘導体
化合物およびジエン化合物塩を含有する記録層を支持す
る基板の種類により、光テープ、光カード等も使用でき
る。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例に基づき、より詳細に説明する。

実施例１ 一般式ＣＬ２Ｈ２５−Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ−ＣｓＨｌｓ−Ｃ
ＯＯＨテ表わされるジアセチレン誘導体化合物の結晶微
粉末１重量部と前記の化合物Ｎｏ、１で表わされるＡＺ
化合物塩１重量部とを塩化メチレン４重量部中に添加し
、十分攪拌したものを塗布液として準備した。

次にガラス製のディスク基板（厚さ１．５ｍｍ、直径２
０ｍｍ）をスピナー塗布機に装着し、前記塗布液をディ
スク基板の中央部に少量滴下した後、所定の回転数で所
定の時間スピナーを回転させ塗布し、常温で乾煙し、基
板上の乾燥後の塗膜の厚みが５００人、ｔｏｏｏ人およ
び２０００人である光記録媒１体をそれぞれ作成した。

これら光記録媒体に２５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分
に照射し、記録層中のＤＡ化合物を重合させ、記録層を
青色膜にした後、入力情報にしたがい、以下の記録条件
により記録を実施した。

半導体レーザー波長：　　８３０ｎｍ レーザービーム径：　ｌルｍ レーザｍｍカニ　３ｍＷ １ビツトあたりのレーザービームの照射時間　：　　２
００ｎｓ青色の光記録媒体表面にレーザービームを照射
すると照射部は赤色に変色し、記録が実施された。この
記録の評価を次のようにして実施した。記録濃度は、記
録（赤色）部のオプティカルデンシティ−を測定した。

解像度および感度は、記録画像とレーザービーム径の対
応を顕微鏡により観察して判定し、非常に良好なものを
■、良好なものをＯ１記録ができないあるいは対応劣悪
なものをＸとした。この記録結果の評価を第１表に示し
た・ 比較例１ 実施例１で作成した三種の記録媒体に２５４ｎｍの紫外
線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色膜にした後５
人力情報にしたがい、以下の記録条件により記録を実施
した。

レーザー波長：　８７０ｎｍ レーザービーム径：　１ルｍ レーザｍｍカニ　３ｍＷ 記録の評価は、実施例１と同様な基準により実施し、そ
の評価結果を第１表に示した。

比較例２ 実施例１で作成した三種の光記録媒体に２５４ｎｍの紫
外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色膜にした後
、入力情報にしたがい、以下の記録条件により記録を実
施した。

レーザー波長：　７９０ｎｍ レーザービーム径　・　１μｍ レーザｍｍカニ　３ｍＷ 記録の評価は、実施例１と同様な基準により実施し、そ
の評価結果を第１表に示した。

実施例２ 実施例１で使用したと同じガラス製のディスク基板上に
、先ず化合物Ｎｏ、５で表わされるＡＺ化合物塩１重量
部を塩化メチレン２重量部中に溶解して得た塗布液を用
いて実施例１、と同様にして、乾燥後の厚みが１０００
人の塗膜を形成した０次いで実施例１で使用したジアセ
チレン誘導体化合物の結晶微粉末１重量部およびバイン
ダーとしてのニトロセルロース１重量部を塩化メチレン
４重量部中に分散、溶解させて得た塗布液を、ジエン化
合物塩の塗膜上に先と同様にして乾燥後の厚みがｔｏｏ
ｏ人の塗膜を形成し、二層分離構造の記録層を有する光
記録媒体を作成した。この光記録媒体の記録層を青色膜
にした後、実施例１と同様な記録条件で記録を実施した
。記録の評価は、実施例１と同様な基僧により行い、そ
の結果を第１表に示した。

比較例３ ＡＺ化合物塩を使用せずに、ジアセチレン誘導体化合物
１重量部およびニトロセルロース１屯量部を塩化メチレ
ン２重量部に溶解した溶液を塗布液とし使用し、実施例
１と同様の方法にｔ、−Ｉ＋８」６１＾廿ルナ、１ｋ＝
ｅｋｌＪ−Ｗ／Ｆ％〜４＋コに１ム廿ｌ↓げ６４して、
実施例１、比較例１および比較例２で用いた三種の記録
条件により記録を実施した。その評価を第１表に示した
。

実施例３ 一般式Ｃｌ２Ｈ２５−Ｃミｃ−ｃ＝ｃ−Ｃ８Ｈ１６−Ｃ
ＯＯＨで表わされるジアセチレン誘導体化合物に代え、
一般式０式％ ジアセチレン誘導体化合物を用いたことを除いては、実
施例１と同様の方法により光記録媒体を作成した。この
光記録媒体に対して実施例１と同じ記録条件により記録
を実施した。その評価結果を第２表に示した。

実施例４〜８ 化合物Ｎｉ＋、１で表わされるジエン化合物ｍに代え、
化合物Ｎｏ、３．８，１２．１５および１７で表わされ
るＡＺ化合物塩をそれぞれ用いたことを除いては、実施
例１と同様の方法により光記録媒体を作成した。これら
の記録媒体の各々に対して実施例１と同じ記録条件によ
り記録を実施した。その評価結果を第２表に示した。

第　　１　　表 第２表 〔発明の効果〕 本発明の光記録方法の効果を以下に列挙する。

（１）記録層が８００〜８５０ｎｍの範囲内の波長の赤
外線を吸収するＡＺ化合物塩を含有しているので、８０
０〜８５０ｎｍの赤外線を放射する小型軽量の半導体レ
ーザーを用いて光記録が実施できる。

（２）光照射による記録層の色相の変化を利用した記録
が可能なので、高速、高密度、高感度な光記録が実施で
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光記録方法に用いる記録装置の一例
を示す模式図である。 ｌ　：光記録媒体　２：半導体レーザー３　：　制御回
路　　　４　：　コリメートレンズ５　：　反射板　　
　　　６　：波長板７：対物レンズ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　ポリジアセチレン誘導体化合物と、下記一般式（ I
   ）で表わされる骨格を有するアズレニウム塩化合物を含
   有する記録層を有して成る光記録媒体に、８００〜８５
   ０ｎｍの赤外線を記録情報に応じて照射し、記録層の被
   照射部を変色せしめる工程を含むことを特徴とする光記
   録方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１〜Ｒ＿７は水素原子、ハロゲン原子又は
   １価の有機残基を表わす。）