JPS62174751A - 光記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ジアセチレン誘導体化合物を含有する光記録
媒体への光記録方法に関し、特に光書き込み手段として
８００〜ｂ 用いた光記録方法に関する。

〔従来の技術〕

最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスクが注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大量の文書、文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文書等の整理、管理が効率よ〈実施で
きる。この光デイスク用の記録媒体としては、各種のも
のが検討されているが、価格、製造の容易さから有機材
料を用いたものが注目されている。

このような記録媒体用の有機材料として、ジアセチレン
誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録媒体として用いる記録技術が特開昭
５６−１４７８０７号に開示されている。しかし、この
明細書中には、どのようなレーザーを用いたか、あるい
は用いるべきかの記載がなく、巾にレーザーを用いて記
録を実施したとの記載に留まっている。

本発明者らは、種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー（波長８００〜９００ｎ■）を使用した場
合にはレーザー記録が実施できないことを確認した。し
かし、光ディスク等の実用的な記録媒体としては、小型
で低出力の半導体レーザーにより光書き込みが可能なこ
とが要請される。

一方、特開昭５９−４０８４８号、同４０８４９号およ
び同４０８５０号には、熱安定性のよい特定構造のポリ
メチレン化合物を含有する有機被膜が開示され、これら
の有機被膜が半導体レーザーの輻射波長領域の輻射線を
吸収し発熱するので、レーザーエネルギーによりピット
を形成するいわゆるヒートモード記録が実施できること
を開示している。しかし、記録媒体の表面に物理的なピ
ットを形成して記録を実施する場合には、初期の記録媒
体表面が七分に平滑であると同時に記録後においても記
録媒体の表面に傷を付けないよう十分な注意が必要とな
るとともに、高密度、高感度で高速の記録を実施するこ
とは比較的困難である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は小型軽量な半導体レー
ザーにより光書き込みが可能な光記録方法を提供するこ
とにある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度で高速記録の可能
な光記録方法を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録画像を得ることのできる光記録方法を提供することに
ある。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち、本発明の光記録方法は、ポリジアセチレン誘
導体化合物と、下記一般式（１）または（２）で表わさ
れる化合物の一種以上とを含有してなる記録層を有する
光記録媒体に、８００〜９００ｎｍの赤外線を記録情報
に応じて照射し、記録層の照射体を変色させるする工程
を有することを特徴とする。

一般式（１） 一般式（２） 八− （（ト） Ｒ１−Ｃ’−ＣＨ＝ＣＨ−Ｒ４−ＣＨ＝Ｃ：Ｈ−Ｒ３（
２）ぽ （式中、Ｈｌ、Ｒ２、Ｒ３は、それぞれ独立して置換）
、しを有してもよいアリール基を表わし、Ｒ４およびＲ
５は、隣接した二つの一〇Ｈ＝ＣＨ−基と共役二重結合
を表わし、Ｒ＆は、水素または置換基を有してもよいア
リール基を表わし、　Ａはアニオン残基を表わす。） 本発明の方法に用いる光記録媒体に含有されるポリジア
セチレン誘導体化合物とは、下記一般式で表わされるジ
アセチレン誘導体化合物（以下、ＯＡ化合物と略称する
） Ｒ？　　−Ｃ：　Ｃ−ＣミＣ−Ｒ８ （式中、Ｒ７およびＲ８は、極性基；極性基で置換され
てもよい、アルキル基、シクロヘキシル基のような飽和
脂肪族化水素基；極性基で置換されてもよい、ビニル基
、プロペニルノ人のようなオレフィン系炭化水素基：ま
たは極性基で置換されてもよい、フェニル基、ナフチル
基、アルキルフェニル基のような芳香族炭化水素基であ
り、ここていう極性基としては、例えばカルボキシル基
またはその金属若しくはアミン塩、スルホン酸基または
その金属若しくはアミン塩、スルホアミド基、アミトノ
、しアミン基、イミノ基、ヒドロキシ基、オキシアミ７
基、ジアゾニウム基、グアニジン基、ヒドラジン基、リ
ン酸基、ケイ酸基、アルミン酸基、ニトリル基、千オア
ルコール基、ニトロ）１　オよびハロゲン原子が挙げら
れる。） を重合させて得られるものであり、通常１．光記録媒体
の製造時には、ＯＡ化合物の形で光記録媒体中に含有さ
れ、記録の実施に先立ち、紫外線を照射することにより
重合させ、記録に供される。

一方、本発明で用いる前記一般式（１）または（２）で
表わされる化合物（以下、ポリメチレン化合物と略称す
る）は、７５０ｎｍ以上の波長域に吸収ピークを有し、
この波長の赤外光により発熱する化合物である。

このポリメチレン化合物塩につきより具体的に説明する
と、一般式（１）および（２）中　１１１１．Ｒ２およ
びＲ３はそれぞれ独立して置換基を有してもよいフェニ
ル基、ナフチル基等のアリール基を表わす。

ここで置換基としてはジメチルアミノ、ジエチルアミノ
、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジフェニルアミ
ノ、フェニルベンジルアミノ、フェニルエチルアミノ等
の置換アミノ基、モルホリノ。

ピペリジニル、ピロリシフ等の環状アミン基、　メトキ
シ、エトキシ、ブトキシ等のアルコキシ基があげられる
。Ｒ４およびＲ５はｐ−フェニレン、１．４−ナフチレ
ン等の隣接した二つの一〇〇＝Ｃｌ−基と共役二重結合
系を形成する置換基を有してもよいアリーレン基を表わ
す。ここで置換基としては塩素、臭素、ヨウ素等のハロ
ゲン原子、メチル、エチル等のアルキル基、メトキシ、
エトキシ等のアルコキシ基があげられる。Ｒ６は水素ま
たは置換基を有してもよいフェニル基、ナフチル基等の
７リール基を表わす、置換基としてはＲ１ないしＲ３で
例示したものと同様なものが挙げられる。Ａ′はアニオ
ン残基で、例えばＢＦ？、ＣＩＯ，？　ｃＦ３ｃｏ♂Ｐ
Ｆ？。

ＣＰＢ層Ｐ、等のハロゲン原子、昌Ｓ０３、晶３Ｓ０３
、ｈｅθ＋９ Ｃ２Ｈ５ｓｏｂ−、Ｃ３Ｈ，５Ｏ３−１Ｃ，Ｈ９ＳＯ３
、Ｃ３）１　　、、ＳＯ３、Ｃ６Ｈ，３ＳＯ３、くう ＩＣＨ２Ｓ０３などのフルキルスルホン酸化合物。

り巳トｃＨ２ｓ　２　、　　Ｃ１０ＣＨ２Ｓ　０３など
のベンゼンスｈ　　　　　　ｅ　　ρ　　　　　　　ρ
ルホン酸化合物、−０３ＳＣＨ２ＳＯ３、−０３５ＣＨ
２ＣＨ２Ｓ　０３　。

よ５（ＣＨ２）６鍬、”’０３ＳＣＨ２ＣＨ２−０−Ｃ
Ｈ２ＣＨ２ＳＯｐ、などのフルキルジスルホン酸化合物
、 ゼンジスルホン酸化合物挙げられる。

このポリメチレン化合物の具体例を以下に例示する。

−へ　　　　　　　　　　　　の マ　　　　　　　　　　　　　＋ｒ）　　　　　　　　
　　　　　　　（０驚ロ　　雫） 　　Ｑ −ｚ　　　　　　　　　３ ト　　　　　　　　　　− 工　工 　　Ｑ ３　　　　　　　　　　　　９　　　　　　　　　　　
　　　邑づ　　　　　　　　　　づ　　　　　　　　　
　　　づＱｓ　　　　　　　　　　　Ｆ”″　　　　　
　　　　　　　　ゐζプ　　　　　　　　　　　　；プ
　　　　　　　　　　　　　　　　ζコｄ　　　　　　
　　　　　ろ　　　　　　　　　　　　　　ｑｄ　　　
　　　　　　　　Ｏろ ０　　　　　　　　　　　　　’ＺＪ　　　　　　　　
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Ｉｊｌ　　　　　　　　　　　　　ｋら　　　　　　　
　　　ら　　　　　　　　　　　タ２　　　　　　　　
串　　　　　　　　　６　　　　　　　−一　　　　　
　　　〕　　　　　　　　　■　　　　　　　　つ−）
　　　　　　　　　　　　　　　　ドラ　　　　　　　
　　　　　　　　　　−〇　　　　　　　　　　　　　
〇　　　　　　　　　　　　　　四本発明に用いる光記
録媒体は前記ポリジアセチレン誘導体化合物と前記ポリ
メチレン化合物とを含有してなるが、該光記録媒体の具
体的な構成としては、以下に示すような態様がある。但
し、ポリジアセチレン誘導体化合物については、ここで
は重合前のＯＡ化合物の形で表記する。

（１）光記録媒体を構成する記録層が、ＯＡ化合物とポ
リメチレン化合物とを混合して含有してなるもの（一層
混合系）。

（２）光記録媒体を構成する記録層が、ＯＡ化合物を含
有する層と、ポリメチレン化合物を含有する輻射線吸収
層との二層からなるもの（二層分離系）。

（３）光記録媒体を構成する記録層が、ＯＡ化合物を含
有する層と、ポリメチレン化合物を含有する輻射線吸収
層との交〃多東積層構造からなるもの（多重積層系）。

なお、二層分離系および多重積層系においては、ＤＡ化
合物を含有する層と、ポリメチレン化合ｌｌ−４／トｌ
ｉ１トＸ−ｊＵＮｔｏＯＩＩＸ＋ロノー＊ｅｒｒｌｌｔ
μ４Ｉ昭ＥＩ→トし）１ヒ＋’ｌ−ｆ＜記録層の表面側
に位置してもよく、また、必要に応じてこのように構成
される記録層のＥに各種の保護層を設けてもよい。

本発明に用いる光記録媒体の基板としては、ガラス、ア
クリル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプラ
スチックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料が使用
できるが、基板側から輻射線を照射して記録を実施する
場合には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを用
いる。

基板トに記録層を形成するには、代表的にはＯＡ化合物
の微粉末および／またはポリメチレン化合物を適当な揮
発性溶媒に分散もしくは溶解して塗布液を作成し、この
塗布液あるいはこれら塗布液を基板Ｅに塗布する方法が
採用できる。塗布液には、基板との間あるいは各層間の
密着性を向上させるために、適宜天然若しくは合成高分
子からなる各種のバインダーを添加してもよい、また、
記録層の安定性、品質向上を計るために各種の添加剤を
加えてもよい。

好適なへインターとしては、広範な樹脂から選択するこ
とができる＠具体的には、ニトロセルロース、リン酸セ
ルロース、硫酸セルロース、酢酸セルロース、プロピオ
ン酸セルロース、醋酸セルロース、ミリスチン酸セルロ
ース、パルミチン酸セルロース、酢酸プロピオン酸セル
ロース、酢酸醋酸セルロースなどのセルロースエステル
類；メチルセルロース、エチルセルロース、プロピルセ
ルロース、ブチルセルロースなどのセルロースエーテル
類；ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、
ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどのビニル樹
脂類；スチレン−ブタジェンコポリマー、スチレン−ア
クリロニトリルコポリマー、スチレン−ブタジェン−ア
クリロニトリルコポリマー、塩化ビニル−酢酸ビニルコ
ポリマーなどの共重合樹脂類：ポリメチルメタクリレー
ト、ポリメチルアクリレート、ポリアクリル酸、ポリメ
タクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニトリ
ルなどのアクリル樹脂類；ポリエチレンテレフタレート
などのポリエステル類；ポリ（４，４′−イソプロピリ
デンジフェニレンーコ−１，４−シクロヘキシレンジメ
チレンカーボネート）、ポリ（エチレンジオキシ−３，
３′−フェニレンチオカーボネート）、ポリ（４，４’
−イソプロピリデンジフェニレンカーポネートーコーテ
レフタレート）、ポリ（４，４’−イソプロピリデンジ
フェニレンカーポネート）、ポリ（４，４’−５ｅｃ　
−ブチリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４，
４′−イソブロビリデンジフェニレンカーポネートーブ
ロックーオキシエチレン）などのボリアリレート樹脂類
；ポリアミド類；ポリイミド類；エポキシ樹脂類；フェ
ノール樹脂類：およびポリエチレン、ポリプロピレン、
塩素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類などを用い
ることができる。

塗布のために用いる溶媒は、使用するバインダーの種類
や、ＯＡ化合物およびポリメチレン化合物をバインダー
中に含有させるに際して分散状態とするかあるいは非晶
質状態とするかによって適宜通釈されるが、ポリメチレ
ン化合物の好適な溶媒としてはメタノール、エタノール
、インプロパツール等のアルコール類；アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；アセ
トニトリル等の脂肪族ニトリル類；クロロホルム、塩化
メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロル
エチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類；等が挙げら
れ、塩化メチレン、アセトニトリルが特に好適である。

ＯＡ化合物の好適な分散媒としては、長鎖のノルマル炭
化水素、四塩化炭素等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類が
挙げられる。

しかし、ＯＡ化合物は、結晶性が強い化合物なので、−
ｅ溶媒に溶解し、この溶液を基板［−に塗１＋ｉしても
乾燥過程で再結晶化が進行し、グレインが得られる。し
たがって１分散液だけでなく、ＯＡ化合物の溶液を使用
してもよい。この場合の溶媒としては、ポリメチレン化
合物の溶媒として挙げたものと同様なものが使用できる
。

このような塗布液の基板への塗■は、スピナー回転塗布
法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、ビ
ードコーティング法、ワイヤーパーコーティング法、ブ
レードコーティング法。

ローラーコーティング法、カーテンコーティング法等の
Ｌ法が用いられる。

記録層が一層混合系の場合は、その膜厚としては、　５
００八〜２騨程度が適しており、特に１０００〜５００
０への範囲が好ましい。記録層内のＯＡ化合物とポリメ
チレン化合物との配合割合は、　１／１５〜１５／１程
度が好ましく、最適には１１５〜ｌＯ／１である。

また、二層分離系の場合は、各層の膜厚としては、各々
　１００Ａ〜　１μｓ程度が適しており、特に２００〜
５０００Ａの範囲が好ましい。

多重積層系の場合は、各ＤＡ化合物層の膜厚の総和およ
び各ポリメチレン化合物層の膜厚の総和が、各々　１０
０八〜　ｌμｓ程度が適しており、特に２００〜５００
０Ａの範囲が好ましい。

本発明の記録方法においては、記録に供されるＥ記のよ
うに構成された記録媒体は、記録の実施に先立ち、記録
層中のＯＡ化合物を重合させる。すなわち、［ｌＡ化合
物は、初期にはほぼ無色透明であるが、記録層全体に紫
外線を照射すると東合し、ポリジアセチレン誘導体化合
物へと変化する。この重合は紫外線の照射によってのみ
起り、熱等の他の物理的エネルギーの印加によっては生
じない。この重合、の結果、記録層は６２０〜６８０ｎ
ｍに最大吸収波長を有するようになり、青色乃至暗色へ
と変化する。この重合に基づく色相の変化は不可逆変化
であり、一度青色乃至暗色へ変化した記録層は無色透明
膜へとは戻らない、このようにして、記録層中のＯＡ化
合物が重合しポリジアセチレン誘導体化合物へと変化し
、青色乃至暗色化した記録層を有する記録媒体が、本発
明の方法に使用される。

この青色乃至暗色へ変化したポリジアセチレン誘導体化
合物は、約５０℃以上に加熱すると今度は約５４Ｏｒ＋
ｓ＋に最大吸収波長を有するようになり、赤色−と変化
する。この変化も不可逆変化である。

本発明の光記録方法は、このようなポリジアセチレン誘
導体化合物の変色特性を利用して記録を実施するもので
あり、以下この本発明の記録方法につき詳述する。

第１図は、本発明の光記録方法を実施するのに用いる光
記録装置の一例を示す模式図である。この光記録装置は
、光記録媒体１を所定位置にセットするための不図示の
光記録媒体裁置手段と充足Ｑ媒体へ情報を書込むための
情報書込み手段とから構成されている。情報書込み手段
は、８００〜９００ｎｍの範囲内の波長の紫外線を放射
する半導体レーザー２、入力情報に応じて半導体レーザ
ー２の発振を制御する制御回路３および光学系（コリメ
ートレンズ４、反射板５、波長板６および対物レンズ７
）から構成されている。半導体レーザー２としては、出
力波長８２０〜８４０ｎｍのＧａＡｓの接合レーザー、
例えばＨＬＰ−１５００（商品名１日立製作所製出力波
１８３０ｎｍ、最大出力１０ｍＷ）を使用するのが好適
である。

入力情報は、制御回路を経て半導体レーザーにより光信
号に変換される。この光信号は光学系を経て、光記録媒
体載置手段上に載置され、同期回転している青色乃至暗
色の記録層を有する光記録媒体の所定の位置に結像され
る。結像位置は光記録媒体が一層混合系の場合は記録層
であり、二層分離系の場合はポリメチレン化合物を含有
する輻射線吸収層である。結像点（部位）に存在するポ
リアセチレン、誘導体化合物はこの波長のレーザービー
ムを吸収しないが、ポリメチレン化合物はこのレーザー
ビームを吸収し発熱する。このポリメチレン化合物の発
熱が隣接するポリアセチレン誘導体化合物に伝わり、ポ
リジアセチレン誘導体化合物が赤色へと変色する。かく
して入力情報に応じて記録層Ｅの記録部位の色変化によ
る光記録が実施される。

充足Ｑ媒体としては、上述の例では円盤状のディスク（
光ディスク）が用いられたが、ポリジアセチレン誘導体
化合物およびポリアチレン化合物を含有する記録層を支
持する基板の種類により、光テープ、光カード等も使用
できる。

〔発明の効果〕

本発明の光記録方法の効果を以下に列挙する。

（１）記録層が８００〜９００ｎｍの範囲内の波長の赤
外線を吸収するポリメチレン化合物を含有しているので
、′８００〜９０Ｑｎｓの紫外線を放射する小型軽量の
半導体レーザーを用いて光記録が実施できる。

（２）光照射による記録層の色相の変化を利用した記録
が可能なので、高速、高密度、高感度な光記録が実施で
きる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例に基づきより詳細に説明する。

実施例１ 一般式Ｃｌ２Ｈ２Ｓ−Ｃミｃ−ｃ＝　Ｃ−ＣｆＩＨ，６
−Ｃ００）Ｉで表わされるジアセチレン誘導体化合物の
結、ｔ″、微粉末１重量部と前記の化合物遂１４で表わ
されるポリメチレン化合物１重量部とを塩化メチレン４
重量部中に添加し、十分撹拌したものを塗布液として準
備した。

次にガラス製のディスク基板（厚さ　１．５ｍｍ、直径
２００■■）をスピナー塗布機に装着し、前記塗布液を
ディスク基板の中央部に少量滴下した後、所定の回転数
で所定の時間スピナーを回転させ塗布し、常温で乾燥し
、基板上の乾燥後の塗膜の厚みが５００八、ｌ０００人
および２０００八である光記録媒体をそれぞれ作成した
。

これら光記録媒体に２５４ｎｍの紫外線を均一かつ上方
に照射し、記録層中のＯＡ化合物を重合させ、記録層を
青色膜にした後、入力情報にしたがい、以下の記録条件
により記録を実施した。

半導体レーザー（ＨＬＰ−１５００、日立製作剛製）レ
ーザー波長：　　８３０ｒｖ レーザービーム径＝　１鱗 レーザｍｍカニ　　３ｍＷ、 １ビツトあたりのレーザービームの照射時間：００ｎｓ 青色の光記録媒体表面にレーザービームを照射すると照
射部は赤色に変色し、記録が実施された。この記録の評
価を次のようにして実施した。

記録濃度は、記録（赤色）部のオプティカルデンシティ
−を測定した。解像度および感度は、記録画像とレーザ
ービーム径の対応を顕微鏡により観察して判定し、非常
に良好なものをＯ１良好なものをＯ１記録ができないあ
るいは対応の劣悪なものをＸとした７この記録結果の評
価を第１表に示した。

実施例２ 実施例１で作成した三種の光記録媒体に２５４ｎｍの紫
外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色膜にした後
、入力情報にしたがい、記録に用いるレーザーを変更し
、ド記の記録条件により記録を実施した。

半導体レーザー（ＨＬＰ−７８０２，日立製作剛製）レ
ーザー波長：　　８００ｎ１１ レーザービーム径：　ｌ騨 レーザｍｍカニ　　３ｍＷ、 １ビツトあたりのレーザービームの照射時間：００ｎｓ 記録の評価は、実施例１と同様な基準により実施し、そ
の評価結果を第１表に示した。

１！　協Ｑ−１１÷自６碗　１　　９ 記録に用いるレーザーをそれぞれ下記のものに変更した
ことを除いては実施例１と同様な条件で記録を実施し、
その評価結果を第１表に示した。

実施例３：半導体レーザー（Ｇａ−Ａｓレーザー（Ｗ−
へテロ構造）、試作品）レーザー波長：　　８９０ｎ■ 比較例１：半導体レーザー（Ｇａ−Ａｓレーザー（Ｗ−
へテロ構造）、試作品）レーザー波長：　　９５０ｎｍ 比較例２：キセノンガスレーザー、レーザー波長：　　
７５２ｎｍ 実施例４ 実施例１で使用したと同じガラス製のディスクツル板−
ヒに、先ず化合物Ｎ６１４で表わされるポリメチレン化
合物１東量部を塩化メチレン２重壜部中に溶解して得た
塗布液を用いて実施例１と同様にして、乾燥後の厚みが
１０００への塗膜を形成した。次いで実施例１で使用し
たジアセチレン誘導体化合物の結晶微粉末１％量部およ
びバインターとしてのニトロセルロース１屯量部を塩化
メチレン４ｉＴ（、′政部中に分散、溶解させて得た塗
布液を、ポリメチレン化合物の塗膜にに先と同様にして
乾燥後の厚みが１０００への塗膜を形成し、二層分離構
造の記録層を有する光記録媒体を作成した。この光記録
媒体の記録層を青色膜にした後、実施例１と同様な記録
条件で記録を実施した。記録の評価は、実施例１と同様
な基準により行い、その結果を第１表に示した。

比較例３ ポリメチレ〉・化合物を使用せずに、ジアセチレン誘導
体化合物１重量部およびニトロセルロース１屯量部をｍ
化メチレン１重量部に溶解した溶液を塗布液とし使用し
、実施例１と同様の方法により光記録媒体を作成した。

この光記録媒体に対して、実施例１および比較例１．２
の記録条件によりそれぞれ記録を実施した。その評価結
果を第１表に示した。

第１表 比較例４ ジアセチレン誘導体化合物を使用せずに、ポリメチレン
化合物１重量部とニトロセルロース　１重湯部とを塩化
メチレン４重量部に溶解した溶液を塗布液とし使用し、
実施例１と同様の方法により記録層の厚みが１００ＯＡ
の光記録媒体を作成した。

この光記録媒体に対して、紫外線照射を実施せずに直接
半導体レーザービームを入力情報にしたがい、実施例１
と同じ出力で光記録媒体表面の所定位置にレーザービー
トの波長と照射時間を種々変更して記録層表面ヒに照射
（照射時間５００ｎｓ〜５μＳ／ビツト）シ、ピントを
形成することによる記録を実施した。その結果、この光
記録媒体については、顕微鏡でａ察した結果、一つのピ
ットを明瞭に形成するには４μｓ以上の照射時間を要す
ることが判明した。

実施例５ 一般式Ｃ＋２Ｈ２５−Ｃ＝Ｃ−ンＣ−Ｃｅ　Ｈ＋　６　
ＧＯＯＨで表わされるジアセチレン誘導体化合物に代え
、一般式％式％ レン誘導体化合物を用いたことを除いては、実施例１と
同様の方法により光記録媒体を作成した。

この光記録媒体に対して実施例１と同じ記録条件により
記録を実施した。その評価結果を第２表に示した。

実施例６〜ｌＯ 化合物遂１４で表わされるポリメチレン化合物に代え、
化合物遂１．５．１８および２６で表わされるポリメチ
レン化合物をそれぞれ用いたことを除いては、実施例１
と同様の方法により光記録媒体を作成した。これらの記
録媒体の各々に対して実施例１と同じ記録条件により記
録を実施した。その評価結果を第２表に示した。

第　　　　２　　　　表　　　　　　　　　　　　　　
４

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光記録方法に用いる記録装置の一例
を示す模式図である。 ■＝光記録媒体　　　２：半導体レーザー３：制御回路
　　　　４：コリメートレンズ５：反射板　　　　　６
：波長板 ７：対物レンズ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）ポリジアセチレン誘導体化合物と、下記一般式（１
   ）または（２）で表わされる化合物の一種以上とを含有
   してなる記録層を有する光記録媒体に、８００〜９００
   ｎｍの赤外線を記録情報に応じて照射し、記録層の照射
   部を変色させるする工程を有することを特徴とする光記
   録方法。 一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１） 一般式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３は、それぞれ独立して
   置換基を有してもよいアリール基を表わし、Ｒ＾４およ
   びＲ＾５は、隣接した二つの−ＣＨ＝ＣＨ−基と共役二
   重結合系を形成する置換基を有してもよいアリーレン基
   を表わし、Ｒ＾６は、水素または置換基を有してもよい
   アリール基を表わし、Ａはアニオン残基を表わす。）