JPS62160445A - 光記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ジアセチレン誘導体化合物を含有する光記録
媒体への光記録方法に関し、特に光書き込み手段として
８００〜９００ｎｍの赤外線レーザーを用いた光記録方
法に関する。

（従来の技術） 最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスクが注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大量の文書、文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文書等の整理、管理が効率よ〈実施で
きる。この光デイスク用の記録媒体としては、各種のも
のが検討されているが、価格、製造の容易さから有機材
料を用いたものが注目されている。

このような記録媒体用の有機材料として、ジアセチレン
誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録媒体として用いる記録技術が特開昭
５６−１４７８０７号に開示されている。しかし、この
明細書中には、どのようなレーザーを用いたか、あるい
は用いるべきかの記載がなく、単にレーザーを用いて記
録を実施したとの記載に留まっている。

本発明者らは、種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録にうき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー（波長８００〜９００ｒｖ）を使用した場
合にはレーザー記録が実施できないことを確認した。し
かし、光ディスク等の実用的な記録媒体としては、小型
で低出力の半導体レーザーにより光書き込みが可能なこ
とが要請される。

一方、特開昭５９−８４２４８号および同８４２４９号
には、熱安定性のよい特定構造のジエン化合物の塩を含
有する有機被膜が開示され、これらの有機被膜が半導体
レーザーの輻射波長領域の輻射線を吸収し発熱するので
、レーザーエネルギーによりピットを形成するいわゆる
ヒートモード記録が実施できることを開示している。し
かし、記録媒体の表面に物理的なビットを形成して記録
を実施する場合には、初期の記録媒体表面が十分に平滑
であると同時に記録後においても記録媒体の表面に傷を
付けないよう十分な注意が必要となるとともに、高密度
、高感度で高速の記録を実施することは比較的困難であ
る。

（発明が解決しようとする問題点） 本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は小型軽量な半導体レー
ザーにより光書き込みが可能な光記録方法を提供するこ
とにある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度で高速記録の可能
な光記録方法を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録画像を得ることのできる光記録方法を提供することに
ある。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち、本発明の光記録方法は、ポリジアセチレン誘
導体化合物と、下記一般式（１）または（２）で表わさ
れる化合物の一種以上とを含有してなる記録層を有する
光記録媒体に、８００〜９００ｎｍの赤外線を記録情報
に応じて照射し、記録層の照射部を変色させるする工程
を有することを特徴とする。

一般式（１） 一般式（２） （式中、Ｒ１はアルキル基、置換基を有してもよいフェ
ニル基またはスチリル基を表わし、Ｒ２およびＲ６は、
隣接した二つの−Ｃ１ｌ＝（：＋１−基と兵役二重結合
系を形成する置換基を有してもよいアリーレン基を表わ
し、Ｒ３およびＲ７は、置換基を有してもよいフェニル
基またはナフチル基を表わし、Ｒ４はアルコキシ基を表
わし、Ｒ５はアルキル基を表わし、Ａはアニオン残基を
表わす、） 本発明の方法に用いる光記録媒体に含有されるポリジア
セチレン誘導体化合物とは、下記−ｑｔ式で表わされる
ジアセチレン誘導体化合物（以下、ＯＡ化合物と略称す
る） Ｒ’−ＣｉＣ−Ｃ：ミＣ−Ｒ９ （式中、Ｒ８およびＲ９は、極性基；極性基で置換され
てもよい、アルキル基、シクロヘキシル基のような飽和
脂肪族化水素基；極性基で置換されてもよい、ビニル基
、プロペニル基のようなオレフィン系炭化水素基；また
は極性基で置換されてもよい、フェニル基、ナフチル基
、アルキルフェニル基のような芳香族炭化水素基であり
、ここでいう極性基としては、例えばカルボキシル基ま
たはその金属若しくはアミン塩、スルホン酸基またはそ
の金属若しくはアミン塩、スルホアミド基、アミド基、
アミノ基、イミノ基、ヒドロキシ基、オキシアミノ基、
ジアゾニウム基、グアニジン基、ヒドラジン基、リン酸
基、ケイ酸基、アルミン酸基、ニトリル基、チオアルコ
ール基、ニトロ基およびハロゲン原子が挙げられる。） を重合させて得られるものであり、通常、光記録媒体の
製造時には、Ｄへ化合物の形で光記録媒体中に含有され
、記録の実施に先立ち、紫外線を照射することにより重
合させ、記録に供される。

一方、本発明で用いる前記一般式（１）　または（２）
で表わされる化合物（以下、ジエン化合物塩と略称する
）は、　７５０ｎａ＋以上の波長域に吸収ピークを有し
、この波長の赤外光により発熱する化合物である。

このジエン化合物塩につきより具体的に説明すると、一
般式（１）および（２）中、Ｒ１はメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、ヘキシル等のアルキル
基、置換基を有してもよいフェニル基またはスチリル基
を表わす。ここで置換基としてはメトキシ、エトキシ、
ブトキシ等のアルコキシ基、塩素、臭素、ヨウ素等のハ
ロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル
等のアルキル基、ニトロ基があげられる。Ｒ２およびＲ
６は、ｐ−フェニレン、１．４−ナフチレン等の隣接し
た二つの−ＣＨ＝Ｃ１１−基と共役二重結合系を形成す
る置換基を有してもよいアリーレン基を表わす。ここで
置換基としては塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、
メチル、エチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ等
のアルコキシ基があげられる。

Ｒ３およびＲ７は置換基を有してもよいフェニル基また
はナフチル基を表わす。置換基としてはジメチルアミノ
、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ
、ジフェニルアミノ、フェニルアミノ、フェニルベンジ
ルアミノ、フェニルエチルアミノ等の置換アミノ基、モ
ルホリノ、ピペリジニル、ピロリジノ等の環状アミノ基
、メトキシ、エトキシ、ブトキシ等のアルコキシ基があ
げられる。Ｒ４はメトキシ、エトキシ、ブトキシ等のア
ルコキシ基を表わす。Ｒ５はメチル、エチル、プロピル
、イソプロピル、ブチル、ヘキシル等のアルキル基を表
わす。瓢はアニオン残基で、例えば８、？、ｃｔｇ、ｃ
Ｆ３ｃｌＡ、ＰＦ？、　ＩＱ、Ｐｌ、Ｐ、　ｃｔｓｏｐ
、Ｃ１１３Ｓ桧、Ｃ２Ｈ，５ＯｐＣ３Ｈ，５ＯｐＣ４Ｈ
ｅＳｏ２Ｃ５Ｈｔｉ　ｓｏ鱈Ｃ６Ｈ，３ｓｏ３　、０Ｈ
３ＣＩＩＣＩＳＯ３、（：１ＣＨ２ＣＨ，ＳＯ２、ｅ０
３ＳＣＨ７ＳＯ′？、　ｅＯ３ＳＣ８２ＣＩｌ、Ｓ灘ｅ
Ｏ３ＳＣＨ２ＣＨ−Ｃ１１２艷、　ｅＯ３ＳＣ）１２Ｃ
）１２ＣＨ２Ｓｏ？。

ＣＨ３ ｅ０３ＳＣＨ２（：Ｈ３ＣＨ２Ｃ）Ｉ２Ｃ’Ｈ２ｅｌｌ
、Ｓ己　　、”０３５ＣＨ，ＣＩ＋、−０−ＣＨ２Ｃ）
Ｉ２Ｓｏ３、このジエン化合物の具体例を以下に例示す
る。

＝ ＝　　　　　　　　　　　　　　　　　　　＝本発明に
用いる光記録媒体は前記ポリジアセチレン誘導体化合物
と前記ジエン化合物塩とを含有してなるが、該光記録媒
体の具体的な構成としては、以下に示すような態様があ
る。但し、ポリジアセチレン誘導体化合物については、
ここでは重合前のＤへ化合物の形で表記する。

（１）光記録媒体を構成する記録層が、ＤＡ化合物とジ
エン化合物塩とを混合して含有してなるもの（一層混合
系）。

（２）光記録媒体を構成する記録層が、ＤＡ化合物を含
有する層と、ジエン化合物塩を含有する輻射線吸収層と
の二層からなるもの（二層分離系）。

（３）光記録媒体を構成する記録層が、Ｄへ化合物を含
有する層と、ジエン化合物塩を含有する輻射線吸収層と
の交互多重積層構造からなるもの（多重積層系）。

なお、二層分離系およびＳ重積層系においては、Ｄへ化
合物を含有する層と、ジエン化合物塩を含有する輻射線
吸収層の積層順序はいずれが記録層の表面側に位置して
もよく、また、必要に応じてこのように構成される記録
層の上に各種の保護層を設けてもよい。

本発明に用いる光記録媒体の基板としては、ガラス、ア
クリル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプラ
スチックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料が使用
できるが、基板側から輻射線を照射して記録を実施する
場合には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを用
いる。

基板上に記録層を形成す把には、代表的にはＤＡ化合物
の微粉末および／またはジエン化合物塩を適当な揮発性
溶媒に分散もしくは溶解して塗布液を作成し、この塗布
液あるいはこれら塗布液を基板上に塗布する方法が採用
できる。塗布液には、基板との間あるいは各層間の密着
性を向上させるために、適宜天然若しくは合成高分子か
らなる各種のバインダーを添加してもよい。また、記録
層の安定性、品質向上を計るために各種の添加剤を加え
てもよい。

好適なバインターとしては、広範な樹脂から選択するこ
とができる。具体的には、ニトロセルロース、リン酸セ
ルロース、硫酸セルロース、酢酸セルロース、プロピオ
ン酸セルロース、酪酸セルロース、ミリスチン酸セルロ
ース、バルミチン酸セルロース、酢酸プロピオン酸セル
ロース、酢酸酪酸セルロースなどのセルロースエステル
類；メチルセルロース、エチルセルロース、プロピルセ
ルロース、ブチルセルロースなどのセルロースエーテル
′類；ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル
、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリ
ビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどのビニル
樹脂類：スチレン−ブタジェンコポリマー、スチレン−
アクリロニトリルコポリマー、スチレン−ブタジェン−
アクリロニトリルコポリマー、塩化ビニル−酢酸ビニル
コポリマーなどの共重合樹脂類；ポリメチルメタクリレ
ート、ポリメチルアクリレート、ポリアクリル酸、ポリ
メタクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニト
リルなどのアクリル樹脂類；ポリエチレンテレフタレー
トなどのポリエステル類；ポリ（４，４’−イソブロピ
リデンジフエニレンーコー１．４−シクロヘキシレンジ
メチレンカーボネート）、ポリ（エチレンジオキシ−３
，３′−フェニレンチオカーボネート）、ポリ（４，４
’−イソブロピリデンジフェニレンカーボネートーコー
テレフタレート）、ポリ（４，４’−イソプロピリデン
ジフェニレンカーボネート）、ポリ（４，４’−５ｅｃ
　−ブチリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４
，４′−イソプロピリデンジフェニレンカーボネート−
ブロック−オキシエチレン）などのボリアリレート樹脂
類；ポリアミド類；ポリイミド類：エボキシ樹脂類；フ
ェノール樹脂類；およびポリエチレン、ポリプロピレン
、塩素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類などを用
いることができる。

塗布のために用いる溶媒は、使用するバインダーの種類
や、ＯＡ化合物およびジエン化合物塩をバインダー中に
含有させるに際して分散状態とするかあるいは非晶質状
態とするかによって適宜選択されるが、ジエン化合物塩
の好適な溶媒としてはメタノール、エタノール、イソプ
ロパツール等のアルコール類；アセトン、メチルエチル
ケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；アセトニトリ
ル等の脂肪族ニトリル類；クロロホルム、塩化メチレン
、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレン
等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類；等が挙げられ、塩化
メチレン、アセトニトリルが特に好適である。

Ｄへ化合物の好適な分散媒としては、長鎖のノルマル炭
化水素、四塩化炭素等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類が
挙げられる。

しかし、ＯＡ化合物は、結晶性が強い化合物なので、一
旦溶媒に溶解し、この溶液を基板上に塗布しても乾燥過
程で再結晶化が進行し、ダレインが得られる。したがっ
て、分散液だけでなく、ＤＡ化合物の溶液を使用しても
よい。この場合の溶媒としては、ジエン化合物塩の溶媒
として挙げたものと同様なものが使用できる。

このような塗布液の基板への塗工は、スピナー回転塗布
法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、ビ
ードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、ブ
レードコーティング法、ローラーコーティング法、カー
テンコーティング法等の手法が用いられる。

記録層が一層混合系の場合は、その膜厚としては、　５
００人〜２μ程度が適しており、特に１０００〜５００
０人の範囲が好ましい。記録層内のＤＡ化合物とジエン
化合物塩との配合割合は、　ｌ／１５〜１５／ｌ程度が
好ましく、最適には１１５〜１０／１である。

また、二層分離系の場合は、各層の膜厚としては、各々
　１００人〜１μ船程度が適しており、特に２００〜５
０００人の範囲が好ましい。

多重積層系の場合は、各ＤＡ化合物層の膜厚の総和およ
び各ジエン化合物塩層の膜厚の総和が、各々　１００八
〜Ｉμｍ程度が適しており、特に２００〜５０００人の
範囲が好ましい。

本発明の記録方法においては、記録に供される上記のよ
うに構成された記録媒体は、記録の実施に先立ち、記録
層中のＯＡ化合物を重合させる。すなわち、鮎化合物は
、初期にはほぼ無色透明であるが、記録層全体に紫外線
を照射すると重合し、ポリジアセチレン誘導体化合物へ
と変化する。この重合は紫外線の照射によってのみ起り
、熱等の他の物理的エネルギーの印加によっては生じな
い。この重合の結果、記録層は６２０〜６６０ｎｍに最
大吸収波長を有するようになり、青色乃至暗色へと変化
する。この重合に基づく色相の変化は不可逆変化であり
、一度青色乃至暗色へ変化した記録層は無色透明膜へと
は戻らない。このようにして、記録層中のＯＡ化合物が
重合しポリジアセチレン誘導体化合物へと変化し、青色
乃至暗色化した記録層を有する記録媒体が、本発明の方
法に使用される。

この青色乃至暗色へ変化したポリジアセチレン誘導体化
合物は、約５０℃以上に加熱すると今度は約５４０ｎｍ
に最大吸収波長を存するようになり、赤色へと変化する
。この変化も不可逆変化である。

本発明の光記録方法は、このようなポリジアセチレン誘
導体化合物の変色特性を利用して記録を実施するもので
あり、以下この本発明の記録方法につき詳述する。

第１図は、本発明の光記録方法を実施するのに用いる光
記録装置の一例を示す模式図である。この光記録装置は
、光記録媒体１を所定位置にセットするための不図示の
光記録媒体載置手段と光記録媒体へ情報を書込むための
情報書込み手段とから構成されている。情報書込み手段
は、８００〜９００ｎｍの範囲内の波長の紫外線を放射
する半導体レーザー２、入力情報に応じて半導体レーザ
ー２の発振を制御する制御回路３および光学系（コリメ
ートレンズ４、反射板５、波長板６および対物レンズ７
）から構成されている。半導体レーザー２としては、出
力波長８２０〜８４０ｎｍのＧａ八への接合レーザー、
例えばＩＩＬＰ−１５００（商品名、日立製作所製出力
波長８３０ｔ＋ｍ、最大出力１０ｍＷ）を使用するのが
好適である。

入力情報は、制御回路を経て半導体レーザーにより光信
号に変換される。この光信号は光学系を経て、光記録媒
体載置手段上に載置され、同期回転している青色乃至暗
色の記録層を有する光記録媒体の所定の位置に結像され
る。結像位置は光記録媒体が一層混合系の場合は記録層
であり、二層分離系の場合はジエン化合物塩を含有する
輻射線吸収層である。結像点（部位）に存在するポリア
セチレン誘導体化合物はこの波長のレーザービームを吸
収しないが、ジエン化合物塩はこのレーザービームを吸
収し発熱する。このジエン化合物塩の発熱が隣接するポ
リアセチレン誘導体化合物に伝わり、ポリジアセチレン
誘導体化合物が赤色へと変色する。かくして入力情報に
応じて記録層上の記録部位の色変化による光記録が実施
される。

光記録媒体としては、上述の例では円盤状のディスク（
光ディスク）が用いられたが、ポリジアセチレン誘導体
化合物およびジエン化合物塩を含有する記録層を支持す
る基板の種類により、光テープ、光カード等も使用でき
る。

（発明の効果） 本発明の光記録方法の効果を以下に列挙する。

（１）記録層が８００〜９００ｎｍの範囲内の波長の赤
外線を吸収するジエン化合物塩を含有しているので、８
００〜９００ｎｍの紫外線を放射する小型軽量の半導体
レーザーを用いて光記録が実施できる。

（２）光照射による記録層の色相の変化を利用した記録
が可能なので、高速、高密度、高感度な光記録が実施で
きる。

（実施例） 以下、本発明を実施例に基づきより詳細に説明する。

実施例１ 一般式ＣＩ２　Ｈ２Ｓ−ｃ＝ｃ−ｃミＣ−ＣＢ）１．６
−ＣＯＯ１１で表わされるジアセチレン誘導体化合物の
結晶微粉末１ｆｆｌ量部と前記の化合物ＡＩＩＬＩで表
わされるジエン化合物塩１重量部とを塩化メチレン４重
量部中に添加し、十分撹拌したものを塗布液として準備
した。

次にガラス製のディスク基板（厚さ１．５ｍｍ、直径２
００ｍｍ）をスピナー塗布機に装着し、前記塗布液をデ
ィスク基板の中央部に少量滴下した後、所定の回転数で
所定の時間スピナーを回転させ塗布し、常温で乾燥し、
基板上の乾燥後の塗膜の厚みが５００人、１０００人お
よび２０００人である光記録媒体をそれぞれ作成した。

これら光記録媒体に２５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分
に照射し、記録層中のＯＡ化合物を重合させ、記録層を
青色膜にした後、入力情報にしたがい、以下の記録条件
により記録を実施した。

半導体レーザー（ＨＬＰ−１５００、日立製作所製）レ
ーザー波長＝８３θｎｍ レーザービーム径＝ｌｕ＋ レーザー出カニ　　３ｍＷ、 １ビツトあたりのレーザービームの照射時間：００ｎｓ 青色の光記録媒体表面にレーザービームを照射すると照
射部は赤色に変色し、記録が実施された。この記録の評
価を次のようにして実施した。

記録濃度は、記録（赤色）部のオプティカルデンシティ
−を測定した。解像度および感度は、記録画像とレーザ
ービーム径の対応を顕微鏡により観察して判定し、非常
に良好なものを◎、良好なものを０、記録ができないあ
るいは対応の劣悪なものを×とした。この記録結果の評
価を第１表に示した。

実施例２ 実施例１で作成した三種の光記録媒体に２５４ｎｍの紫
外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色膜にした後
、入力情報にしたがい、記録に用いるレーザーを変更し
、下記の記録条件により記録を実施した。

半導体レーザー（ＩＩＬＰ−７８０２、日立製作所製）
レーザー波長：　　８００ｎｍ レーザービーム径：　ｌμ劇 レーザー出カニ　　３ｍＷ、 １ピツトあたりのレーザービームの照射時間：００ｎｓ 記録の評価は、実施例１と同様な基準により実施し、そ
の評価結果を第１表に示した。

実施例３、比較例１．２ 記録に用いるレーザーをそれぞれ下記のものに変更した
ことを除いては実施例１と同様な条件で記録を実施し、
その評価結果を第１表に示した。

実施例３；半導体レーザー（Ｇａ−Ａｓレーザー（Ｗ−
へテロ構造）、試作品）レーザー波長：　８９０ｎｍ 比較例１：半導体レーザー（Ｇａ　−Ａｓレーザー（Ｗ
−へテロ構造）、試作品）レーザー波長：　９５０ｎｍ 比較例２：キセノンガスレーザー、レーザー波長：　７
５２ｎｍ 実施例４ 実施例１で使用したと同じガラス製のディスク基板上に
、先ず化合物Ａ５で表わされるジエン化合物塩１重量部
を塩化メチレン２重量部中に溶解して得た塗布液を用い
て実施例１と同様にして、乾燥後の厚みが１０００人の
塗膜を形成した。次いで実施例１で使用したジアセチレ
ン誘導体化合物の結晶微粉末１重量部およびバインダー
としてのニトロセルロース１重量部を塩化メチレン４重
量部出１−Ｐへ量諸をンシ偽り・シＮ；・、為、暮、イ
づ目ナー玲ノ鍔ガせ九ぐ５〒〜ノイ喜・・イト物塩の塗
膜上に先と同様にして乾燥後の厚みが１０００人の塗膜
を形成し、二層分離構造の記録層を有する光記録媒体を
作成した。この光記録媒体の記録層を青色膜にした後、
実施例１と同様な記録条件で記録を実施した。記録の評
価は、実施例１と同様な基準により行い、その結果を第
１表に示した。

比較例３ ジエン化合物塩を使用せずに、ジアセチレン誘導体化合
物ｌｆｆ１ｆｆｉ部およびニトロセルロース１重量部を
塩化メチレン１ｆｆｌｆｆｉ部に溶解した溶液を塗布液
とし使用し、実施例１と同様の方法により光記録媒体を
作成した。この光記録媒体に対して、実施例１および比
較例１．２の記録条件によりそれぞれ記録を実施した。

その評価結果を第１表に示した。

比較例４ ジアセチレン誘導体化合物を使用せずに、ジエン化合物
塩１１ｉｆｆｉ部とニトロセルロース１重量部とを塩化
メチレン４重量部に溶解した溶液を塗布液とし使用し、
実施例１と同様の方法により記録層の厚みが１０００人
の光記録媒体を作成した。

この光記録媒体に対して、紫外線照射を実施せずに直接
半導体レーザービームを入力情報にしたがい、実施例１
と同じ出力で光記録媒体表面の所定位置にレーザービー
ムの波長と照射時間を種々変更して記録層表面上に照射
（照射時間５００ｎｓ〜５μＳ／ビツト）し、ビットを
形成することによる記録を実施した。その結果、この光
記録媒体については、顕微鏡で観察した結果、一つのピ
ットを明瞭に形成するには４μｓ以上の照射時間を要す
ることが判明した。

実施例５ 一般式Ｃ１２Ｈ２ｓ−ＣＥＣ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ，Ｈ，６−Ｃ
Ｏ叶で表わされるジアセチレン誘導体化合物に代え、一
般式Ｃ３Ｈ１７−ＣＥＣ−ＣＥＣ−Ｃ２Ｈ４−ＣＯＯＩ
＋で表わされるジアセチレン誘導体化合物を用いたこと
を除いては、実施例１と同様の方法により光記録媒体を
作成した。

この光記録媒体に対して実施例１と同じ記録条件により
記録を実施した。その評価結果を第２表に示した。

実施例６〜１０ 化合物Ａｌで表わされるジエン化合物塩に代え、化合物
Ａ／Ｌ３、８．１２．１５および２０で表わされるジエ
ン化合物塩をそれぞれ用いたことを除いては、実施例１
と同様の方法により光記録媒体を作成した。これらの記
録媒体の各々に対して実施例１と同じ記録条件により記
録を実施した。その評価結果を第２表に示した。

第２表

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光記録方法に用いる記録装置の一例
を示す模式図である。 １：光記録媒体　　　２；半導体レーザー３：制御回路
　　　　４：コリメートレンズ５：反射板　　　　　６
：波長板 ７：対物レンズ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）ポリジアセチレン誘導体化合物と、下記一般式（１
   ）または（２）で表わされる化合物の一種以上とを含有
   してなる記録層を有する光記録媒体に、８００〜９００
   ｎｍの赤外線を記録情報に応じて照射し、記録層の照射
   部を変色させるする工程を有することを特徴とする光記
   録方法。 一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１） 一般式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （式中、Ｒ＾１はアルキル基、置換基を有してもよいフ
   ェニル基またはスチリル基を表わし、Ｒ＾２およびＲ＾
   ６は、隣接した二つの−ＣＨ＝ＣＨ−基と共役二重結合
   系を形成する置換基を有してもよいアリーレン基を表わ
   し、Ｒ＾３およびＲ＾７は、置換基を有してもよいフェ
   ニル基またはナフチル基を表わし、Ｒ＾４はアルコキシ
   基を表わし、Ｒ＾５はアルキル基を表わし、Ａはアニオ
   ン残基を表わす。）