JPS62161586A - 光記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ジアセチレン誘導体化合物を含有する光記録
媒体への光記録方法に関し、特に光書き込み手段として
８００〜９００ｎｍの赤外線レーザーを用いた光記録方
法に関する。

〔従来の技術〕

最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスクが注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大量の文書、文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文書等の整理、管理が効率よ〈実施で
きる。この光デイスク用の記録素子としては、各種のも
のが検討されているが、価格、製造の容易さから有機材
料を用いたものが注目されてし）る。

このような記録素子用の有機材料として、ジアセチレン
誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録素子として用いる記録技術が特開昭
５６−１４７８０７号に開示されている。しかし、この
明細書中には、どのようなレーザーを用いたか、あるい
は用いるべきかの記載がなく、単にレーザーを用いて記
録を実施したとの記載に留まっている。

本発明者らは、種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー（波長８００〜９００ｎｍ）を使用した場
合にはレーザー記録が実施できないことを確認した。し
かし、光ディスク等の実用的な記録媒体としては、小型
で低出力の半導体レーザーにより光書き込みが可能なこ
とが要請される。

一方、特開昭５９−８４２４８号および同８４２４９号
には、熱安定性のよい特定構造のジエン化合物の塩を含
有する有機被膜が開示され、これらの有機被膜が半導体
レーザーの輻射波長領域の輻射線を吸収し発熱するので
、レーザーエネルギーによりビットを形成するいわゆる
ヒートモード記録が実施できることを開示している。し
かし、記録媒体の表面に物理的なピットを形成して記録
を実施する場合には、初期の記録層の表面が十分に平滑
であると同時に記録後においても記録媒体の表面に傷を
付けないよう十分な注意が必要となるとともに、高密度
で高速記録を実施することは比較的困難である。

また、これらの記録媒体の記録層は、ジアセチレン誘導
体化合物の微結晶あるいは前記ジエン化金物の塩がバイ
ンダー中に分散してなるものであり、記録層内における
これら化合物の配向はランダムであり、そのため場所に
よって光の吸収率や反射率が異ったり、化学反応の程度
が相違したりする現象が生じ、高密度の記録には必ずし
も適しているとはいえなかった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は小型軽量な半導体レー
ザーにより光書き込みが可能な光記録方法を提供するこ
とにある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度で高速記録の可能
な光記録方法を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録方法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち、本発明の光記録方法は、少なくとも親水性部
位および疎水性部位を併有するジアセチレン誘導体化合
物と、下記一般式（１）または（２）で表わされる化合
物の一種以上とを含有し、かつ該ジアセチレン誘導体化
合物が単独でまたは一般式（１）または（２）で表わさ
れる化合物との混合状態で単分子膜またはその累積膜を
形成している記録層、を有する光記録媒体に、紫外線を
照射しジアセチレン誘導体化合物を重合させ、次いで８
００〜９００ｎｍの赤外線を記録情報に応じて照射し、
記録層の照射部を変色させる工程を有することを特徴と
する。

一般式（１） 一般式（２） （式中、Ｒ１はアルキル基、置換基を有してもよいフェ
ニル基またはスチリル基を表わし、Ｒ２およびＲ６は、
隣接した二つの−（：Ｈ＝Ｃ１１−基と兵役二重結台系
を形成する置換基を有してもよいアリーレン基を表わし
、Ｒ３およびＲ７は、置換基を有してもよいフェニル基
またはナフチル基を表わし、Ｒ４はアルコキシ基を表わ
し、Ｒ５はアルキル基を表わす。） 本発明の方法に用いる光記録媒体に含有される親水性部
位および疎水性部位を併有するジアセチレン誘導体化合
物（以下、ＯＡ化合物と略称する）とは、隣接する分子
中のｃ＝ｃ−ｃ＝ｃ官能基間において１．４−付加重合
反応が可能な化合物であり、代表的には下記一般式 ％式％） （式中、×は、親水性部位を形成する親水性基であり、
ｍ、ｎは整数を表わす。） で表わされる化合物が挙げられる。

上記１）Ａ化合物における親水性基×としては、例えば
カルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシ基、ニトリル基
、チオアルコール基、イミノ基、スルホン酸基、スルフ
ィニル基またはその金属若しくはアミン塩が挙げられる
。疎水性部位を形成する）＋（（：Ｒ２）Ｉｍ−表わさ
れるアルキル基としては炭素原子数が１〜３０の長鎖ア
ルキル基が好ましい。また、ｎ＋ｍとしては３０以下の
整数が好ましい。

一方、本発明の方法に用いる光記録媒体に含有される航
記一般式（１）　または（２）で表わされる化合物（以
下、ジエン化合物塩と略称する）は、７５０ｎｍ以上の
波長域に吸収ピークを有し、この波長の赤外光により発
熱する化合物である。

このジエン化合物塩につきより具体的に説明すると、一
般式（１）および（２）中、８厘はメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、ヘキシル等のアルキル
基、置換基を有してもよいフェニル基またはスチリル基
を表わす。ここで置換基としてはメトキシ、エトキシ、
ブトキシ等のアルコキシ基、塩素、臭素、ヨウ素等のハ
ロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル
等のアルキル基、ニトロ基があげられる。Ｒ２およびＲ
６は、ｐ−フェニレン、１．４−ナフチレン等の隣接し
た二つの−（：Ｈ＝ＣＨ−基と共役二重結合系を形成す
る置換基を有してもよいアリーレン基を表わす。ここで
置換基としては塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、
メチル、エチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ等
のアルコキシ基があげられる。

Ｒ３およびＲ７は置換基を有してもよいフェニル基また
はナフチル基を表わす。置換基としてはジメチルアミノ
、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ
、ジフェニルアミノ、フェニルアミノ、フェニルベンジ
ルアミノ、フェニルエチルアミノ等の置換アミノ基、モ
ルホリノ、ピペリジニル、ピロリジノ等の環状アミノ基
、メトキシ、エトキシ、ブトキシ等のアルコキシ基があ
げられる。Ｒ４はメトキシ、エトキシ、ブトキシ等のア
ルコキシ基を表わす。Ｒ５はメチル、エチル、プロピル
、イソプロピル、ブチル、ヘキシル等のアルキル基を表
わす。亀はアニオン残基で、例えばＢＦ？、Ｃ戒、ＣＦ
３Ｃ：島、ＰＦ？、８、Ｆａ、　’？、　ｃｔｓｏｐ、
ｅｌ１３Ｓ灘Ｃ，Ｒ５Ｓ　０９　ｃ３Ｈ７ｓ　ｏ　９　
ｃ４Ｈ９ｓ　ｏ　９　ｃ５Ｈ、、Ｓ　０９θ　　　　　
　　　　ｅ　　　　　　　　　ｅＣ６ＨＩ３Ｓ０３　、
　　Ｃ：Ｒ３（：ＩＣｌＳＯ３、ＣＩ（：Ｉｔ２Ｃ：Ｈ
２ＳＯ３、（）　　分・　　０ にｌ　　　　ＣＲ２艷、　　　Ｈ２ＣＨ２Ｓｏ３、θ０
３ＳにＨ，ｓｏｐ、”　０３ＳＣＨ２ＣＨ２鍬、ｅＯ３
ＳＣＨ２ｃｔｔ、ｃＨ２Ｃ１２Ｃ）ｌ、ＣＨ，ＳＱ　　
、θｏ３ｓｃＨ２ｃｏ２−ｏ−ｃｏ２ＣＨ２ｓｏ３、こ
のジエン化合物の具体例を以下に例示する。

本発明の方法に用いる光記録媒体は、航記ＤＡ化合物と
前記ジエン化合物塩とを含有し、かつ該ＤＡ化合物が単
独でまたはジエン化合物塩との混合状態で単分子膜また
はその累積膜を形成している記録層を有してなるもので
あるが、該光記録媒体の具体的な構成としては、以下に
示すような態様がある。

（１）Ｄ＾化合物９と、ジエン化合物塩１０との混合単
分子膜またはその累積膜からなる記録層を有するもの（
第２図に模式的断面図を示す）。

（２）　ＤＡ化合物９の単分子膜またはその累積膜から
なる層と、ジエン化合物塩１０を含有する層との二層か
らなる記録層を有するもの（二層分離系、第３図に模式
断面図を示す）。

（３）　ＤＡ化合物９の単分子膜またはその累積膜から
なるＡ層の一層以上と、ジエン化合物塩を含有する単分
子膜またはその累積膜からなるＢ層との一層以上とが積
層されてなる記録層を有するもの（ペテロ累積膜系、第
４図に模式断面図を示す）。

なお、二層分離系およびペテロ累積膜系においては、Ｏ
Ａ化合物の単分子膜またはその累積膜からなる層と、ジ
エン化合物塩を含有する輻射線吸収層もしくはＢ層との
積層順序はいずれが記録層の表面側に位置してもよく、
また、必要に応じてこのように構成される記録層の上に
各種の保護層を設けてもよい。

本発明に用いる光記録媒体の基板８としては、ガラス、
アクリル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプ
ラスチックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料が使
用できるが、基板側から輻射線を照射して記録を実施す
る場合には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを
用いる。

基板上あるいはジエン化合物塩を含有する層上にＯＡ化
合物の単分子膜または単分子累積膜を形成するには、例
えば１．Ｌａｎｇｍｕｔｒらの開発したラングミュア・
プロジェット法（以下、ＬＢ法と略）が用いられる。Ｌ
Ｂ法は、分子内に親水基と疎水基を有する構造の分子に
おいて、両者のバランス（両親媒性のバランス）が適度
に保たれているとき、この分子は水面上で親木基を下に
向けた単分子の層になることを利用して単分子膜または
単分子層の累積した膜を作成する方法である。水面上の
単分子層は二次元系の特徴をもつ。分子がまばらに散開
しているときは、一分子当り面積Ａと表面圧■との間に
二次元理想気体の式、ｎＡ＝ｋＴ が成り立ち、“気体膜”となる。ここに、ｋはボルツマ
ン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれば分
子間相互作用が強まり二次元固体の゛°凝縮膜（または
固体膜）”になる。凝縮膜はガラスなどの基板の表面へ
一層ずつ移すことができる。

この方法を用いて、ＤＡ化合物の単分子膜または単分子
累積膜は、例えば次のようにして製造される。まずＤＡ
化合物を、クロロホルム等の溶剤に溶解し、これを水相
上に展開し、これら化合物を膜状に展開させた展開層を
形成する。次にこの展開層が水相上を自由に拡散して拡
がりすぎないように仕切板（または浮子）を設けて展開
層の面積を制限してこれら化合物の集合状態を制御し、
その集合状態に比例した表面圧ｎを得る。この仕切板を
動かし、展開面積を縮少して膜物質の集合状態を制御し
、表面圧を徐々に上昇させ、累積膜の製造に適する表面
圧■を設定することができる。この表面圧を維持しなが
ら静かに清浄な基板を垂直に上下させることにより、Ｄ
Ａ化合物の単分子膜が基板上あるいは表面にジエン化合
物塩を含有する層上に移しとられる。単分子膜はこのよ
うにして製造されるが、単分子層累積膜は、前記の操作
を繰り返すことにより所望の累積度の単分子層累積膜が
形成される。

単分子膜を基板上に移すには、上述した垂直浸漬法の他
、水平付着法、回転円筒法などの方法が採用できる。水
平付着法は基板を水面に水平に接触させて移しとる方法
で、回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて
単分子層を基体表面に移しとる方法である。前述した垂
直浸漬法では、水面を横切る方向に表面が親水性である
基板を水中から引き上げると、一層目はＤＡ化合物の親
水基が基板側に向いた単分子層が基板上に形成される。

基板を上下させると、各行程ごとに一層ずつ混合単分子
膜が積層されていく。成膜分子の向きが引上げ行程と浸
漬行程で逆になるので、この方法によると、各層間は親
木基と親木基、疎水基と疎水基が向かい合うＹ型膜が形
成される。

これに対し、水平付着法は、基板を水面に水平に接触さ
せて移しとる方法で、ＯＡ化合物の疎水基が基板側に向
いた単分子層が基板上に形成される。この方法では、累
積しても、ＤＡ化合物の分子の向きの交代はなく全ての
層において、疎水基が基板側に向いたＸ型膜が形成され
る。反対に全ての層において親木基が基板側に向いた累
積膜はＺ型膜と呼ばれる。

回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である。

単分子層を基板上に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面積基板を用いる時には、基板ロールか
ら水相中に基板を押し出していく方法などもとり得る。

また、前述した親木基、疎水基の基板への向きは原則で
あり、基板の表面処理等によって変えることもできる。

これらの単分子膜の移し取り操作の詳細については既に
公知であり、例えば「新実験化学講座１８界面とコロイ
ド」４９８〜５０７頁、丸善刊、に記載されている。

また、二以上の化合物からなるいわゆる混合単分子膜ま
たは混合単分子累積膜も上述と同様の方法により得られ
る。このとき、混合単分子膜または混合単分子累積膜を
構成する二以上の化合物のうち少なくともその一つが親
水性部位と疎水性部位とを併有するものであればよく、
必ずしも全ての化合物に親水性部位と疎水性部疎水基と
の併有が要求されるものではない。すなわち、少なくと
も一つの化合物において両親媒性のバランスが保たれて
いれば、水面上に単分子層が形成され、他の化合物は両
親媒性の化合物に挟持され、結局全体として分子秩序性
のある昨分子層が形成される。

したがって、ＤＡ化合物とジエン化合物塩との混合単分
子膜または混合単分子累積膜からなる記録層は、ＤＡ化
合物とジエン化合物塩とをクロロホルム等の溶剤に溶解
し、これを水相上に展開し、これら化合物を膜状に展開
させた展開層を形成して先と同様にしてＬＢ法により形
成することができる。

一方、ジエン化合物塩を含有する層を形成するには、代
表的にはジエン化合物塩を適当な揮発性溶媒に溶解して
塗布液を作成し、これを塗布する方法が採用できる。塗
布液には、基板やＤ＾化合物の単分子膜またはその累積
膜からなる層との密着性を向上させるために、適宜天然
若しくは合成高分子からなる各種バインダーを添加して
もよい。

また、この層の安定性、品質向上を計るために各種の添
加剤を加えてもよい。

好適なバインターとしては、広範な樹脂から選択するこ
とができる。具体的には、ニトロセルロース、リン酸セ
ルロース、硫酸セルロース、酢酸セルロース、プロピオ
ン酸セルロース、酪酸セルロース、ミリスチン酸セルロ
ース、パルミチン酸セルロース、酢酸プロピオン酸セル
ロース、酢酸酪酸セルロースなどのセルロースエステル
類；メチルセルロース、エチルセルロース、プロピルセ
ルロース、ブチルセルロースなどのセルロースエーテル
類；ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、
ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリビ
ニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどのビニル樹
脂類；スチレン−ブタジェンコポリマー、スチレン−ア
クリロニトリルコポリマー、スチレン−ブタジェン−ア
クリロニトリルコポリマー、塩化ビニル−酢酸ビニルコ
ポリマーなどの共重合樹脂類；ポリメチルメタクリレー
ト、ポリメチルアクリレート、ポリアクリル酸、ポリメ
タクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニトリ
ルなどのアクリル樹脂類：ポリエチレンテレフタレート
などのポリエステル類；ポリ（４，４’−イソブロビリ
デンジフェニレンーコー１．４−シクロヘキシレンジメ
チレンカーボネート）、ポリ（エチレンジオキシ−３，
３′−フェニレンチオカーボネート）、ポリ（４，４’
−イソブロピリデンジフエニレンカーボネートーコーテ
レフタレート）、ポリ（４，４’−イソプロピリデンジ
フェニレンカーボネート）、ポリ（４，４’−５ｅｃ　
−ブチリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４，
４′−イソプロピリデンジフェニレンカーボネート−ブ
ロック−オキシエチレン）などのボリアリレート樹脂類
；ポリアミド類；ポリイミド類；エポキシ樹脂類；フェ
ノール樹脂類；勿よびポリエチレン、ポリプロピレン、
塩素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類などを用い
ることができる。

ジエン化合物塩の好適な溶媒としては、メタノール、エ
タノール、インプロパツール等のアルコール類：アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン
類；アセトニトリル等の脂肪族ニトリル類：クロロホル
ム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、ト
リクロルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類；等
が挙げられ、塩化メチレン、アセトニトリルが特に好適
である。

このようにして得た塗布液の塗工は、スピナー回転塗布
法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、ピ
ードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、ブ
レードコーティング法、ローラーコーティング法、カー
テンコーティング法等の手法が用いられる。

また、ジエン化合物塩を含有する層は、ＤＡ化合物の単
分子膜またはその累積膜からなる層と同様に単分子膜ま
たはその累積膜であってもよい。しかし、ジエン化合物
塩は両親媒性物質ではないので、単独ではＬＢ法によっ
ては単分子膜を形成することはできない。ところが１例
えばステアリン酸、アラギジン酸などの高級脂肪酸のよ
うな両親媒性のバランスの適度に保たれた有機高分子を
担体分子として任意の比率で混合使用してＬＢ法を適用
すれば、ジエン化合物塩を含有する混合単分子膜または
混合単分子累積膜が形成できる。

記録層がＤ晶化合物とジエン化合物塩との混合単分子膜
またはその累８？膜からなるものである場合には、その
膜厚としては、累積度が４ｅｃ程度までのものが実用上
好ましい。

また、二層分離系の場合は、ＤＡ化合物の単分子膜また
はその累ＨＩ膜の膜厚としては、累積度が４ｅｃ程度ま
でのものが好ましく、ジエン化合物塩含有層の膜厚とし
ては、単分子膜またはその累積膜として形成されている
場合には、累積度が４ｅｃ程度までのものが、非単分子
膜として形成されている場合には、　ｌＯＯ人〜ｌ−程
度、特に２００〜５０００人の範囲が好ましい。

ペテロ累積膜系の場合は、Ａ層とＢ層との接合面が二以
上存在し、Ａ層とＢ層とを併せた単分子膜の累積度が２
００程度までのものが実用上好ましい。

このようにして、基板上に形成される単分子膜およびそ
の累積膜は、高密度で高度な秩序性を有しているので、
場所による光吸収のバラツキは極めて小さい。したがっ
て、このような膜によって記録層を構成することにより
、ＯＡ化合物とジエン化合物塩との機能に応じて、光記
録、熱的記録の可能な高密度、高解像度の記録機能を有
する本発明に用いる記録媒体が得られる。

本発明の記録方法においては、記録に供される上記のよ
うに構成された記録媒体は、まず記録層中のＤＡ化合物
を重合させる。すなわち、ＤＡ化合物は、初期にはほぼ
無色透明であるが、記録層全体に紫外線を照射すると重
合し、ポリジアセチレン誘導体化合物へと変化する。こ
の重合は紫外線の照射等によって起り、単に熱エネルギ
ーを加えても生じない。この重合の結果、記録層は６２
０〜６６０ｎｍに最大吸収波長を有するようになり、青
色乃至暗色へと変化する。この重合に基づく色相の変化
は不可逆変化であり、一度青色乃至暗色へ変化した記録
層は無色透明膜へとは戻らない。このようにして、記録
層中のＤＡ化合物が重合しポリジアセチレン誘導体化合
物へと変化し、青色乃至暗色化した記録層を有する記録
媒体が、本発明の方法に使用される。

この青色乃至暗色へ変化したポリジアセチレン誘導体化
合物は、約５０℃以上に加熱すると今度は約５４０ｎｍ
に最大吸収波長を有するようになり、赤色へと変化する
。この変化も不可逆変化である。

本発明の光記録方法は、このようなポリジアセチレン誘
導体化合物の変色特性を利用して記録を実施するもので
あり、以下この本発明の記録方法につき詳述する。

第１図は、本発明の光記録方法を実施するのに用いる光
記録装置の一例を示す模式図である。この光記録装置は
、光記録媒体１を所定位置にセットするための不図示の
光記録媒体載置手段と光記録媒体へ情報を書込むための
情報書込み手段とから構成されている。情報書込み手段
は、８００〜９００ｎｍの範囲内の波長の紫外線を放射
する半導体レーザー２、入力情報に応じて半導体レーザ
ー２の発掘を制御する制御回路３および光学系（コリメ
ートレンズ４、反射板５、波長板６および対物レンズ７
）から構成されている。半導体レーザー２としては、出
力波長８２０〜８４０ｎｍのＧａＡｓの接合レーザー、
例えばＨＬＰ−１５００（商品名、日立製作所製出力波
長８３０ｎｍ、最大出力１０ｍＷ）を使用するのが好適
である。

入力情報は、制御回路を経て半導体レーザーにより光信
号に変換される。この光信号は光学系を経て、光記録媒
体載置手段上に載置され、同期回転している青色の記録
層を有する光記録媒体の所定の位置に結像される。結像
点（部位）に存在するポリジアセチレン誘導体化合物は
この波長のレーザービームを吸収しないが、ジエン化合
物塩はこのレーザービームを吸収し発熱する。このジエ
ン化合物塩の発熱が隣接するポリジアセチレン誘導体化
合物に伝わり、ポリジアセチレン誘導体化合物が赤色へ
と変色する。かくして入力情報に応じて記録層上の記録
部位の色変化による光記録が実施される。

光記録媒体としては、上述の例では円盤状のディスク（
光ディスク）が用いられたが、ポリジアセチレン誘導体
化合物およびジエン化合物塩を含有する記録層を支持す
る基板の種類により、光テープ、光カード等も使用でき
る。

〔発明の効果〕

本発明の光記録方法の効果を以下に列挙する。

（１）記録層がＤＡ化合物の、混合または単独の単分子
膜またはその累積膜で形成されているので高密度で高度
な秩序性を有しておりピンホール等が少なく、したがっ
て信号／雑音比が高く、高密度で均質な信頼性の高い記
録が可能である。

（２）記録層が波長８００〜９００ｎｍの波長域の赤外
線を吸収して発熱するジエン化合物塩を含有しているの
で、この波長域の赤外線を放射する小型軽量の半導体レ
ーザーを用いて光記録が実施できる。

（３）光照射による記録層の色相の変化を利用した記録
が可能なので、高速、高感度、高密度な光記録が実施で
きる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例に基づきより詳細に説明する。

実施例１ 一般式Ｃ，２Ｈ２５−ｃ＝ｃ−ｃ＝ｃ−ｃ８Ｈ，６−ｃ
ｏ叶で表わされるジアセチレン誘導体化合物１重量部と
前記の化合物遂１で表わされるジエン化合物塩１重量部
とをクロロホルムに１ｘｌＯ−３モル／ｌの濃度で溶解
した溶液を、ｐＨが６．５で塩化カドミニウム濃度が１
×１０″′３モル／！の水相上に展開した。溶媒のクロ
ロホルムを蒸発除去した後、表面圧を２０ｄｙｎｅ／ｃ
ｍまで高め、一定に保ちながら、十分に洗浄し、表面が
十分に清浄で親水性となっているガラス基板を、水面を
横切る方向に上下速度１．Ｏｃ＋ｎ／分で静かに上下さ
せ、ＯＡ化合物とジエン化合物塩との混合単分子膜を基
板上に移しとり、混合単分子膜ならびに２１層、４１層
および８１層に累積した混合単分子累積膜を基板上に形
成した光記録媒体を作成した。

これら光記録媒体に２５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分
に照射し、記録層中のＤへ化合物を重合させ、記録層を
青色膜にした後、入力情報にしたがい、以下の記録条件
により記録を実施した。

半導体レーザー：　（ＨＬＰ−１５００、日立製作所製
）レーザービーム径：　ｌμ レーザー出カニ　　３ｍＷ、 １ビツトあたりのレーザービームの照射時間：００ｎｓ 青色の光記録媒体表面にレーザービームを照射すると照
射部は赤色に変色し、記録が実施された。この記録の評
価を次のようにして実施した。

記録濃度は、記録（赤色）部のオプティカルデンシティ
−を測定した。解像度および感度は、記録画像とレーザ
ービーム径の対応を顕微鏡により観察して判定し、非常
に良好なものを◎、良好なものをＯ１記録ができないあ
るいは対応の劣悪なものを×とした。この記録結果の評
価を第１表に示した。

実施例２ 実施例１で作成した四種の光記録媒体に２５４ｎｍの紫
外線を均一かつ七分に照射し、記録層を青色膜にした後
、入力情報にしたがい、以下の記録条件により記録を実
施した。

半導体レーザー：　（）ＩＬＰ−７８０２、日立製作所
製）レーザービーム径：　ｌμ レーザー出カニ　　３ｍＷ。

１ビツトあたりのレーザービームの照射時間：００ｎｓ 記録の評価は、実施例１と同様な基準により実施し、そ
の評価結果を第１表に示した。

実施例３、比較例１．２ 記録に用いるレーザーをそわぞれ下記のものに変更した
ことを除いては実施例１と同様な条件で記録の書き込み
および読み取りを実施した。記録の評価は、実施例１と
同様な基準により実施し、その評価結果を第１表に示し
た。

実施例３：半導体レーザー（Ｇａ−Ａｓレーザー（Ｗ−
へテロ構造）、試作品）レーザー波長：　８９０ｎｍ 比較例１：半導体レーザー（Ｇａ　−Ａｓレーザー（Ｗ
−へテロ構造）、試作品）レーザー波長：　９５０ｎｍ 比較例２：キセノンガスレーザー、レーザー波長：　７
５２ｎｍ 比較例３ ジエン化合物塩を使用しない以外は、実施例１と同様の
方法により光記録媒体を作成した。この光記録媒体に対
して、実施例１の記録条件により記録を実施した。その
評価結果を第１表に示した。

実施例４ 一般式Ｃｌ２Ｈ２Ｓ−ＣミＣ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ３Ｈ，６−Ｃ
０ＯＨで表わされるジアセチレン誘導体化合物に代え、
一般式〇８Ｈ，，−ＣミＣ−ＣＦ　Ｃ−Ｃ２Ｈ４−（：
ＯＯＨで表わされるジアセチレン誘導体化合物を用いた
ことを除いては、実施例１と同様の方法により累積数２
１の光記録媒体を作成した。この光記録媒体に対して実
施例１と同じ記録条件により記録を実施した。その評価
結果を第２表に示した。

実ｈ’ｈ例５〜９ 化合物誠ｌで表わされるジエン化合物塩に代え、化合物
／Ｌ３、８．１２．１５および２０で表わされるジエン
化合物塩をそわぞれ用いたことを除いては実施例４と同
様にして光記録媒体を作成した。

これらの光記録媒体に対して実施例１と同じ記録条件に
よりそれぞれ記録を実施した。その評価結果を第２表に
示した。

第２表 実施例ＩＯ 前記の化合物遂１で表わされるジエン化合物塩１０重量
部を塩化メチレン２０重量部中に溶解して得た塗布液を
、スピナー塗布機に装着したガラス製のディスク基板（
厚さ１．５ｍｍ、直径２００ｍｍ）の中央部に少量滴下
した後、所定の回転数で所定の時間スピナーを回転させ
塗布し、常温で乾燥し、基板上の乾燥後の塗膜の厚みが
２００人および３０００人のものをそれぞれ多数準備し
た。

次に、一般式ｃ、２Ｈ２５−ｃ＝ｃ−ｃ＝ｃ−ｃ８Ｈ，
６−ｃｏｏ■で表わされるＤへ化合物をクロロホルムに
３ＸｌＯ−３モル／ｌの濃度で溶解した溶液を、ｐＨが
６．５で塩化カドミニウム濃度がｔｘｔｏ−３モル／ｌ
の水相上に展開した。溶媒のクロロホルムを蒸発除去し
た後、表面圧を２０ｄｙｎｅ／ｃｍまで高め一定に保ち
ながら、先にジエン化合物塩層を表面に形成したガラス
基板を、水面を横切る方向に上下速度１．０ｃｍ／分で
静かに上下させ、ＯＡ化合物の単分子膜をジエン化合物
塩層上に移しとり、単分子膜ならびに５層、２１層およ
び４１層に累積した単分子累積膜を基板上に形成した光
記録媒体を作成した。

これら光記録媒体に２５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分
に照射し、記録層中のＤＡ化合物を重合させ、記録層を
青色膜にした後、実施例１と同様の記録条件により記録
を実施した。記録の評価は実施例１と同様の方法で行い
、その結果の評価を第３表に示した。

第　　　３　　　表 実施例１１ 一般式Ｃｌ２Ｈ２５−ＣミＣ−ＣミＣ−Ｃ：８Ｈ１６−
ＣＯＯＨで表わされるＤＡ化合物をクロロホルムにｌＸ
ｌ０−３モル／１の濃度で溶解した溶液を、ｐＨが６．
５で塩化カドミニウム濃度がｌＸｌ０−３モル／１の水
相上に展開した。溶媒のクロロホルムを除去した後、表
面圧を２０ｄｙｎｅ／ｃｍまで高め、一定に保ちながら
、十分に清浄し、表面が親水性となっているガラス基板
（既にジエン化合物塩類を含有する単分子膜から構成さ
れる累積膜等が形成されている場合を含む）を、水面を
横切る方向に上下速度１．０ｃｍ／分で静かに所定の回
数上下させ（途中、乾燥工程を実施する）、ＯＡ化合物
の単分子膜を基板上に移しとり、単分子膜または単分子
累積膜を形成した。

前記の化合物ＡＩＩＬＩ表わされるジエン化合物塩１重
量部とアラキシン酸２重量部をクロロホルムに＋ｘｉｏ
−３モル／ｌの濃度で溶解した溶液を、ｐ）ｌが６．５
で塩化カドミニウム濃度がｌＸ１０−３モル／ｌの水相
上に展開した。溶媒のクロロホルムを除去した後、表面
圧を２０ｄｙｎｅ／ｃｍまで高め一定に保ちながら、上
分に清浄し、表面が親水性となっているガラス基板（既
にＤＡ化合物の単分子膜から構成される累積膜等が形成
されている場合を含む）を、水面を横切る方向に上下速
度１．０ｃｍ／分で静かに所定の回数上下させ（途中、
乾燥工程を実施する）、ジエン化合物塩を含有する単分
子膜を基板上に移しとり、単分子膜または単分子累積膜
を形成した。

上記した、ＤＡ化合物単分子膜および幾本ジエン化合物
塩を含有する単分子膜の作製プロセスを基本として、こ
れらの操作を適宜組合せて実施することにより　８種の
へテロ累積膜をガラス基板上に作製した。このようにし
て作製したベテロ累積膜（光記録媒体）を第４表に示し
た。なお、光記録媒体の構成を示す記号、番号の意味を
下記に例示する。

■Ｇ　／２０ＤＥ／６０ＤＡ／２０ＤＥガラス基板（Ｇ
）上に、累積度２０のジエン化合物塩を含有する単分子
累積膜→累積度６０のＯＡ化合物の単分子累積膜→累積
度２０のジエン化合物塩を含有する単分子累積膜、の順
で積層して構成された光記録媒体。

■Ｇ／１０ｘ　（２ＤＥ／　６ＤＡ） ガラス基板（Ｇ）上に、累積度２のジエン化合物塩を含
有する単分子累積膜と累積度６のＤＡ化合物の単分子累
積膜との積層の組合せが、１０回繰り返され積層して構
成された光記録媒体。

これら光記録媒体に２５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分
に照射し、記録層中のＤＡ化合物を重合させ、記録層を
青色膜にした後、入力情報にしたがい、実施例１と同様
の記録条件により記録を実施した。記録の評価は実施例
１と同様にして行い、その結果を第４表に示した。

第　　４　　表

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法用いる情報記録装置の一例を示す
ブロック図であり、第２図、第３図および第４図は、本
発明に使用する光記録媒体の典型的態様例の模式的断面
図である。 １：光ディスク　　　２：半導体レーザ３：制御回路　
　　　４：コリメートレンズ５：反射鏡　　　　　６　
：　１／４波長板７：対物レンズ　　　８：基板 ９ニジアセチレン誘導体化合物 １０ニジエン化合物塩 １１ニジ工ン化合物塩含有層 １２：Ａ層　　　　　１３：Ｂ層 １４：打機担体分子

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）少なくとも親水性部位および疎水性部位を併有する
   ジアセチレン誘導体化合物と、下記一般式（１）または
   （２）で表わされる化合物の一種以上とを含有し、かつ
   該ジアセチレン誘導体化合物が単独でまたは一般式（１
   ）または（２）で表わされる化合物との混合状態で単分
   子膜またはその累積膜を形成している記録層、を有する
   光記録媒体に、紫外線を照射しジアセチレン誘導体化合
   物を重合させ、次いで８００〜９００ｎｍの赤外線を記
   録情報に応じて照射し、記録層の照射部を変色させる工
   程を有することを特徴とする光記録方法。 一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１） 一般式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （式中、Ｒ＾１はアルキル基、置換基を有してもよいフ
   ェニル基またはスチリル基を表わし、Ｒ＾２およびＲ＾
   ６は、隣接した二つの−ＣＨ＝ＣＨ−基と共役二重結合
   系を形成する置換基を有してもよいアリーレン基を表わ
   し、Ｒ＾３およびＲ＾７は、置換基を有してもよいフェ
   ニル基またはナフチル基を表わし、Ｒ＾４はアルコキシ
   基を表わし、Ｒ＾５はアルキル基を表わす。）