JPS62151388A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光記録媒体に関し、特に赤外線レーザーによ
る光書き込みに適した光記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスクか注目を集めでいる。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大量の文書、文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文書等の整理、管理か効率よく実施て
きる。この光デイスク用の記録素子としでは、各種のも
のか検討されでいるか、価格、製造の容易さから有機材
料を用いたものか注目されでいる。

このような記録素子用の有機材料としで、ジアセチレン
誘導体化合物か知られでおり、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録素子としで用いる記録技術か特開昭
５６−１４７８０７号に開示されている。しかし、この
明細書中には、どのようなレーザーを用いたか、あるい
は用いるべきかの記載かなく、単にレーザーを用いて記
録を実施したとの記載に留まっている。

本発明者らは、種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録か可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー（波長８００〜８５０ｎｍ）を使用した場
合にはレーザー記録か実施できないことを確認した。し
かし、光ディスク等の実用的な記録媒体としては、小型
で低出力の半導体レーザーにより光書き込みが可能なこ
とか要請される。

一方、特開昭５９−４０６４８号、同４０６４９号およ
び同４０６５０号には、熱安定性のよい特定構造のポリ
メチレン化合物を含有する有機被膜か開示され、これら
の有機被膜か半導体レーザー輻射波長領域の輻射線を吸
収し発熱するので、レーザーエネルギーによつビ・ント
を形成するいわゆるヒートモート記録か実施できること
を開示しでいる。しかし、記録媒体の表面に物理的なビ
ットを形成して記録を実施する場合には、初期の記録層
の表面か十分に平滑であると同時に記録後においでも記
録媒体の表面に傷を付けないよう十分な注意か必要とな
るとともに、高密度で高速記録を実施することは比較的
困難である。

また、これらの記録媒体の記録層は、ジアセチレン誘導
体化合物の微結晶あるいは前記ポリメチレン化合物がバ
インダー中に分散してなるものであり、記録層内におけ
るこれら化合物の配向はランダムであつ、そのため場所
によって光の吸収率や反射率が異ったり、化学反応の程
度が相違したりする現象が生じ、高密度の記録には必す
しも適しでいるとはいえなかった。

（発明が解決しようとする問題点） 本発明はかがる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は小型軽量の半導体レー
ザーで光書き込みか可能な光記録媒体を提供することに
ある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度で高速記録の可能
な光記録媒体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録媒体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち、本発明の光記録媒体は、少なくとも親水性部
位および疎水性部位を併有するジアセチレン誘導体化合
物の単分子膜またはその累積膜がうなるＡ層と、下記一
般式（１）または（２）で表わされる化合物の一種以上
を含有しでなるＢ層とが積層されてなる記録層を有する
ことを特徴とする。

一般式（１） ％式％（） 一般式（２） 穐 ｂ （式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、それぞれ独立して置換基
を有してもよいアリール基を表わし、Ｒ４およびＲ５は
、隣接した二つの−ＣＨ＝ＣＨ−基と共役二重結合系を
形成する１換基を有しでもよいアリーレン基を表わし、
Ｒ６は、水素または置換基を有しでもよいアリール基を
表わし、Ａはアニオン残基を表わす。） 本発明に用いる親木性部位および疎水性部位を併有する
ジアセチレン誘導体化合物（以下、ＤＡ化合物と略称す
る）とは、隣接する分子中のｃ＝　ｃ　−ｃ＝　ｃ官能
基間においで１．４−付加重合反応か可能な化合物であ
り、代表的には下記一般式８式％） （式中、Ｘは、親木゛上部位を形成する親水性基であり
、ｍ、ｎは整数を表わす。） で表わされる化合物か挙げられる。

上記ＯＡ化合物における親水性基Ｘとしでは、例えばカ
ルボキシル基、アミン基、ヒドロキシ基、ニトリル基、
チオアルコール基、イミノ基、スルホン酸基、スルノィ
ニル基またはその金属若しくはアミン塩か挙げられる。

疎水性部位を形成するＨ（ＣＨ２）Ｉｎ表わされるアル
キル基としでは炭素原子数か１〜３０の長鎖アルキル基
が好ましい。また、ｎ＋ｍとしでは１〜３０の整数が好
ましい。

一方、本発明で用いる前記一般式（１）または（２）で
表わされる化合物（以下、ポリメチレン化合物と略称す
る）は、７５０ｎｍ以上の波長域に吸収ピークを有し、
この波長の赤外光により発熱する化合物である。

このポリメチレン化合物塩につきより具体的に説明する
と、一般式（１）および（２）中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ
３はそれぞれ独立しで置換基を有しでもよいフェニル基
、ナフチル基等のアリール基を表わす。

ここで置換基としではジメチルアミノ、ジエチルアミノ
、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジフェニルアミ
ノ、フェニルベンジルアミノ、フェニルエチルアミノ等
の買換アミノ基、モルホ１ツノ、ピペリジニル、ピロリ
ジノ等の環状アミノ基、メトキシ、エトキシ、ブトキシ
等のアルコキシ基かあげられる。Ｒ″およびＲ５はｐ−
フェニレン、１，４−ナフチレン等の隣接した二つの一
叶＝ＣＨ−基と共役二重結合系を形成する置換基を有し
てもよいアリーレン基を表わす。ここで置換基としでは
塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、メチル、エチル
等のアルキル基、メトキシ、エトキシ等のアルコキシ基
かあげられる。Ｒｉ−は水素または置換基を有しでもよ
いフェニル基、ナフチル基等のアリール基を表わす。置
換基としではＲ１ないしＲ″でＧ） 例示したものと同様なものか李げられる。−Ａはアニオ
ン残基で、例えば旺實、Ｃ１ぬ、ＣＦａＣＯＯ７’ＰＦ
？、ｃｔ！　ａｒ！　Ｉ冒等のハロゲン原子、昌Ｓ０３
、晶４ＳＯ５２、ｅｅｅ　　　　　　　ｅ　　　　　　
　ｅＣ２ＨｓＳ０３．Ｃ３Ｈ７ＳＯ３，Ｃ，５ＨｑｓＯ
３，Ｃ３ＨＩＩＳＯ３、Ｃ６Ｈ１３ＳＯ３、ｅ　　　。

ＩＣＨ２ＳＯ３ｆ＝ｊとのアルキルスルホン酸化合物、
Ｌ　＊　：／　１１　化合物、ＩｇＳＣＨ２ＳＯ？、　
ｇｓｃＨｚｃＨ２ｓｌ！ＩＲ１ｇｓ（ＣＨ２）６ｓｌＲ
，拭５ｃＨ２ｃＩｈ　　ＯＣ３ＨＩＩＳＯ３。

などのアルキルジスルホン酸化合物、 このポリメチレン化合物の具体例を以下に例示する。

○　　Ｑ ０：　　丑 ＩＪ ：ｌ：　　工 ｔＪ（Ｊ ８５　　　　　　　　　　　　　ｅ−−一　　　　　　
　　　　　　口　　　　　　　　　　　　　　　乙ぐ　
　　　　　　　　　　　　　　　（ミ　　　　　　　　
　　　　　　　　　　−わ　　　　　　　　　　　　　
　。　　　　　　　　　　　　　　　こ１？ｊ′ ５己　　　　　　　　　　　　　ａ　　　　　　　　　
　　　　ξジ　　　　　　　　　　　　。

し　　　　　　　　　　　　　−２ゴ　　　　　　　　
　　　　−ワク　　　　　　　　　；　　　　　　　　
　一本発明の光記録媒体の代表的な構成％　菓ｌ　ａ図
および第１ｂ図に例示する。この例では基板１上に前記
ポリメチレン化合物を含有する８層４が形成され、その
上に前記ＯＡ化合物の単分子膜またはその累積膜からな
るへ層３が積層され、これら二層により記録層２が構成
されでいる。Ａ層３と８層４との積層順序は、これらの
図に示される態様に限定されず、逆の順序で積層しでも
よいか、ＯＡ化合物の単分子膜またはその累積膜からな
るＡ層３か記録層２の表面側に現われるよう積層する方
か好ましい。また、必要に応して、例えば記録層２上に
透明な保護層等の他の層を設けることもできる。

Ａ層３の膜厚としでは、単分子層の累積度か４層０程度
までのものか実用上好ましく、一方、８層４の膜厚とし
では、３００人〜１−程度か適しでおり、特に５００〜
５０００人の範囲が好ましい。

本発明の光記録媒体の基板］としては、ガラス、アクリ
ル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプラスチ
ックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料か使用でき
るか、基板側から輻射線を照射して記録を実施する場合
には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを用いる
。

基板１上あるいはポリメチレン化合物を含有する８層上
にＤＡ化合物の単分子膜または単分子累積膜を形成する
には、例えばラングミュアの開発したラングミュア・プ
ロジェット法（以下、ＬＢ法と略）が用いられる。ＬＢ
法は、分子内に親木基と疎水基を有する構造の分子にお
いて、両者のバランス（両親媒性のバランス）か適度に
保たれているとき、この分子は水面上で親水基を下に向
けた単分子の層になることを利用して単分子膜または単
分子層の累積した膜を作成する方法である。

水面上の単分子層は二次元系の特徴をもつ。分子かまば
らに散開しでいるときは、一分子当り面積へと表面圧口
との間に二次元理想気体の式、ｎＡ＝ｋＴ が成り立ち、°゛気体膜”となる。ここに、ｋはボルツ
マン定数、■は絶対温度である。Ａｔ十分小ざくすれば
分子間相互作用が強まり二次元固体のラスなどの基板の
表面へ一層ずつ移すことかできる。

この方法を用いで、ＤＡ化合物の単分子膜または単分子
累積膜は、例えば次のようにして製造される。まずＯＡ
化合物をクロロホルム等の溶剤に溶解し、これを水相上
に展開し、これら化合物を膜状に展開させた展開層を形
成する。次にこの展開層が水相上を自由に拡散しで拡が
りすぎないように仕切板（または浮子）を設けて展開層
の面積を制限してＤＡ化合物の集合状態を制御し、その
集合状態に比例した表面圧口を得る。この仕切板を動か
し、展開面積を縮少して膜物質の集合状態を制御し、表
面圧を徐々に上昇させ、累積膜の製造に適する表面圧ｎ
を設定することができる。この表面圧を維持しながら静
かに清浄な基板あるいは表面にＢ層が形成された基板を
垂直に上下させることにより、ＯＡ化合物の単分子膜か
基板上あるいは８層上に移しとられる。単分子膜はこの
ようにして製造されるが、単分子層累積膜は、前記の操
作を繰り返すことにより所望の累積度の単分子層累積膜
が形成される。

単分子膜を基板上に移すには、上述した垂直浸漬法の他
、水平付着法、回転円筒法などの方法が採用できる。水
平付着法は基板を水面に水平に接触させて移しとる方法
で、回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて
単分子層を基体表面に移しとる方法である。前述した垂
直浸漬法では、水面を横切る方向に表面が親水性である
基板を水中から引き上げると、一層目はＯＡ化合物の親
木基か基板側に向いた単分子層が基板上に形成される。

基板を上下させると、各行程ことに一層ずつ単分子膜が
積層されでいく。成膜分子の向きが引上げ行程と浸漬行
程で逆になるので、この方法によると、各層間は親木基
と親木基、疎水基と疎水基か向かい合うＹ型膜か形成さ
れる。

これに対し、水平付着法は、基板を水面に水平に接触さ
せて移しとる方法で、ＤＡ化合物の疎水基か基板側に向
いた単分子層か基板上に形成される。この方法では、累
積しでも、ＯＡ化合物の分子の向きの交代はなく全ての
層においで、疎水基が基板側に向いたＸ型膜か形成され
る。反対に全ての層において親木基が基板側に向いた累
積膜はＸ型膜と呼ばれる。

回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である。

単分子層を基板上（こ移す方法は、これらに限定される
わけてはなく、大面積基板を用いる時には、基板ロール
から水相中（こ基板を押し出しでいく方法などもとり得
る。また、前述した親木基、疎水基の基板への向きは原
則であり、基板の表面処理等によって変えることもてき
る。

これらの単分子膜の移し取り操作の詳細についでは既に
公知であり、例えば「新実験化学講座１８界面とコロイ
ド」４９８〜５０７頁、丸善刊、に記載されでいる。

一方、ポリメチレン化合物を含有するＢ層を形成するに
は、代表的にはポリメチレン化合物を適当な揮発性溶媒
に溶解して塗布液を作成し、これを塗布する方法か採用
できる。塗布液には、基板］やＯＡ化合物３の単分子膜
またはその累積膜からなるＡ層との密着性を向上させる
ために、適宜天然若しくは合成高分子からなるバインダ
ーを添加しでもよい。また、Ｂ層の安定性、品質向上を
計るために各種の添加剤を加えでもよい。

ポリメチレン化合物の好適な溶媒としては、メタノール
、エタノール、インプロパツール等のアルコール類：ア
セトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケ
トン頚ニアセトニトリル等の脂肪族ニトリル類、クロロ
ホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素
、トリクロルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類
：Ｖが挙げられ、塩化メチレン、アセトニトリルが特に
好適である。

このようにしで得た塗布液の塗工は、スピナー回転塗布
法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、ビ
ートコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、プ
レートコーティング法、ローラーコーティング法、カー
テンコーティング法等の手法か用いられる。

ＯＡ化合物の単分子膜またはその累積膜からなるＡ層と
同様に単分子膜またはその累積膜であってもよい。しか
し、ポリメチレン化合物５は両親媒′ｉ物質ではないの
で、単独ではＬＢ法によっては単分子膜を形成すること
はできない。ところか、例えばステアリン酸、アラキシ
ン酸などの高級脂肪酸のような両親媒′１のバランスの
適度に保たれた有機高分子を担体分子として任意の比率
で混合使用することによりＬＢ法を適用することができ
る。すなわち、少なくとも一つの化合物（こおいて両親
媒性のバランスが保たれでいれば、水面上に単分子層が
形成され、他の化合物は両親媒性の化合物に挟持され、
結局全体として分子秩序性のある単分子層が形成される
からである。

したがって、ポリメチレン化合物５単独の単分子膜また
はその累積膜を形成することは困難であるが、ポリメチ
レン化合物５を含有する単分子膜またはその累積膜であ
る８層４は、両親媒牲物賃を併用することによりＬＢ法
で容易に形成することかできる。

このようにしで、基板上あるいはポリメチレン化合物を
含有するＢ層上（こ形成されるＯＡ化合物の単分子膜お
よびその累積膜は、高密度で高度な秩序性を有しでいる
ので、場所による光吸収の〕＼ラツキは極めで小さい。

したかつで、このような膜によって記録層を構成するこ
とにより、ＤＡ化合物とポリメチレン化合物との機能に
応して、光記録、熱的記録の可能な高配層、高解像度の
記録機能を有する記録媒体か得られる。

なお、上述したようにして形成された単分子膜またはそ
の累積膜からなるＡ層は、紫外線を照射することにより
、単分子膜またはその累積膜としで形成されたＤＡ化合
物か重合したものであってもよい。

本発明の光記録媒体は、各種の方式の光記録を実施する
ことか可能であるか、以下に光や熱を加えることにより
、記録層の吸収波長か変化しで見掛けの色か変化するこ
とを利用する半導体レー工ｎ　　　　Ｉ＋　　１−　　
’７　　モコ恒ハ）柄鉤慎１−一）ぷ５１「交１７カロ
日オスＯＡ化合物は、初期にはほぼ無色透明であるか、
記録層に紫外線を照射すると重合し、ポリアセチレン誘
導体化合物へと変化する。この重合は紫外線の照射等に
よって起り、単に熱エネルギーを加えることによっては
生しない。この重合の結果、記録層は６２０〜６６０ｎ
ｍに最大吸収波長を有するようになり、青色乃至暗色へ
と変化する。この重合に基づく色相の変化は不可逆変化
であり、一度青色乃至暗色へ変化した記録層は無色透明
膜へとは戻らない。また、この青色乃至暗色へ変化した
ポリアセチレン誘導体化合物を約５０℃以上に加熱する
と今度は約５４０ｎｍ（こ最大吸収波長を有するように
なり、赤色膜へと変化する。この変化も不可逆変化であ
る。

したかつで、本発明の記録媒体を用いた光記録は次のよ
うな機構によつ実施される。

先ず本発明の記録媒体の記録層２全体に紫外線を照射す
ると記録層２中のＯＡ化合物か重合しポリアセチレン誘
導体化合物へ変化することにより、記録層２は青色乃至
明色の膜へと変化する。次いて、この記録媒体の所定の
位置に情報信号に応じで点滅する波長８００〜８５０ｎ
ｍの半導体レーザーと−ム５を照射すると、ポリアセチ
レン誘導体化合物はこのレーザービーム５を吸収しない
が、第２ａ図に示されるように、８層４中のポリメチレ
ン化合物はこのレーザービーム５を吸収し発熱する（発
熱部位を６で示した。）このポリメチレン化合物の発熱
が隣接するＡ層３のポリアセチレン誘導体化合物に伝わ
り、赤色へと変化する。かくしで、第２ｂ図に示される
ように、入力情報に応じて記録層上の記録部位７の色変
化による光記録か実施される。

〔発明の効果〕

本発明の記録媒体の効果を以下に列挙する。

（１）記録層中のＯＡ化合物が単分子膜またはその累積
膜で形成されているので高密度で高度な秩序性を有しで
おり、したかって高密度で均質な記録が可能である。

（２）大面積の支持体に対しでも高度に均質な記録層を
安価に製造することが可能である。

するポリメチレン化合物を含有しでいるので、８００〜
８５０ｎｍの赤外線を放射する小型軽量の半導体レーザ
ーを用いた記録か可能である。

（４）光照射による記録層の色相の変化を利用した記録
か可能なので、高速、高感度、高密度な光記録が実施で
きる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１こ基づきより詳細に説明する。

実施例］ 前記の化合物層１４で表わされるポリメチレン化合物１
重量部を塩化メチレン４重量部中に溶解して得た塗布液
を、スピナー塗布機に装着したガラス製のディスク基板
（厚ざ１．５ｍｍ、直径２００ｍｍ）の中央部に少量滴
下した後、所定の回転数で所定の時間スピナーを回転さ
せ塗布し、常温で乾燥し、基板上の乾燥後の塗膜の厚み
が３０層人、５００人、１０００人、３０００人および
５０００人のものをそれぞれ多数準備した。

次に、一般式ＣＩ２　ｆｈ５−Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ８Ｈ
＋６−ＣＱＯＨＣＨわされるＤＡ化合物をクロロホルム
に３ｘｌＯ−３モル／ｌの濃度で溶解した溶液を、ｐＨ
が６．５で塩化カドミニウム濃度がｌＸｌ０−３モル／
ｌの水相上に展開した。溶媒のクロロホルムを除去した
後、表面圧を一定に保ちながら、先にポリメチレン化合
物層を表面に形成したガラス基板を、水面を横切る方向
に上下速度１．０ｃｍ／分で静かに上下させ、ＯＡ化合
物の単分子膜をポリメチレン化合物層上に移しとり、単
分子膜ならびに７層、４１層、および１０１層に累積し
た単分子累積膜を基板上に形成した光記録媒体を作成し
た。

比較例１ ポリメチレン化合物の塗膜（Ｂ層）を形成せずに、直接
基板上に実施例］と同様なＯＡ化合物の単分子腹積膜ま
たは単分子累積膜を形成した光記録媒体を作製した。

比較例２ ガラス基板上にスパッタリング法により、膜厚１５００
へのＧｄ−Ｔｂ−Ｆｅによる輻射線吸収層を設けた。こ
の基板の輻射線吸収層上に実施例１と同様にしてＤＡ化
合物の単分子膜または単分子累積膜を基板上に形成した
光記録媒体を作成した。

記録試験］ 実施例１および比較例１．２で作成した光記録媒体に２
５４層ｍの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青
色膜にした。次に出力３ｍＷ、波長８３０ｎｍ、ビーム
径１−の半導体レーザービームを入力情報にしたがい、
各光記録媒体表面の所定位置に照射（照射時間２００ｎ
ｓ／ビツト）し、青色の記録層上に赤色の記録画像を形
成した。

この記録結果の評価を第１表（こ示した。評価は記録の
感度、画像解像度および画像濃度の良否の総合評価によ
り判定し、特に良好なものを◎、良好なものを○、記録
ができないあるいは不良なものを×とした。

第１表 ポ１ノメチレン化合物３重量部とニトロセルロース１重
量部とを塩化メチレン２０重量部に溶解した溶液を塗布
液とし使用し、実施例１と同様の方法により厚みか１０
００人のＢ層を形成し、これをそのまま光記録媒体とし
た。

実施例２ 比較例３で形成した光記録媒体の８層上に、実施例１と
同様にして４１層のＯＡ化合物の単分子累積膜を形成し
た光記録媒体を作成した。

記録試験２ 実施例２で作成した光記録媒体に対し、半導体レーザー
ビームの照射時間を種々変更（照射時間１００〜８００
ｎｓ／ビツト）した以外は記録試験１と同様な操作で記
録を実施した。また、比較例３の光記録媒体についでは
、紫外線照射を実施せずに直接半導体レーザービームを
入力情報にしたかい、同し出力で光記録媒体表面の所定
位百に照射時間を種々変更して記録層表面上に照射（照
射時間５００ｎｓ／ビツト〜　４μＳ／ビツト）し、ビ
ットを形成することによる記録を実施した。

実施例２の光記録媒体についでは、照射時間が２００ｎ
ｓ以上の場合に良好な記録が実施できたが、比較例３で
作成した光記録媒体については、顕微鏡で観察した結果
、一つのビットを明瞭に形成するには２．５μｓ以上の
照射時間を要することが判明した。

実施例３ 一般式ＣＩ２　Ｈ２Ｓ−ＣＥＣ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ３ＨＩ６−
ＣＯＯＨで表わされるＤＡ化合物に代え、Ｃ６Ｈ＋７−
Ｃ＝Ｃ−ＣＥＣ−Ｃ２Ｈｉ＋−ｃｏ叶の一般式で表わさ
れるＯＡ化合物を用いたことを除いては実施例１と同様
の方法により、Ｂ層の厚みが１０００人で、ＤＡ化合物
の単分子層の累積度が２１の光記録媒体を作製した。

実施例４〜７ 化合物述１４で表わされるポリメチレン化合物に代え、
化合物述１．５．１８および２６で表わされるポリメチ
レン化合物をそれぞれ用いたことを除いては、実施例３
と同様の方法により光記録媒体を作成した。

実施例８ 前記の化合物述４で表わされるチオポリメチレン化合物
１重量部とアラキシン酸２重量部をクロロホルムにｌＸ
ｌ０−３モル／ｌの濃度で溶解した溶液を、ｐＨか６．
５で塩化カドミニウム濃度が１×１゜−３モル／ｌの水
相上に展開した。溶媒のクロロホルムを除去した後、表
面圧を一定に保ちながら、十分に清浄し、表面か親水性
となっているガラス基板（既にＯＡ化合物の単分子膜か
ら構成される累積膜等が形成されでいる場合を含む）を
、水面を横切る方向に上下速度１．０ｃｍ／分で静かに
４０回上下させ（途中、乾燥工程を実施する）、ポリメ
チレン化合物類を含有する４０層の単分子累積膜を基板
上に移しとった。

次いで、この基板を用い、実施例］と同様な操作により
ＯＡ化合物の８０層の単分子膜累積膜をポリメチレン化
合物類を含有する単分子累積膜層上に移しとり、光記録
媒体を作成した。

記録試験３ 実施例３〜８で作成した光記録媒体を用いて、記録試験
１と同様にしてそれぞれ記録試験を実施した。この記録
結果の評価を第２表に示した。

第　　　２　　　表

【図面の簡単な説明】

第１ａ図および第１ｂ図は、本発明の光記録媒体の構成
の態様を示す模式断面図であり、第２ａ図および第２ｂ
図は、本発明の光記録媒体の光記録の一態様を示す模式
断面図である。 １６基板　　　　　　２：記録層 ３ニジアセチレン誘導体化合物含有層 ４　ポリメチレン化合物含有層 ５：レーザービーム ６　発熱部位 ７　赤色変色部位（記録部位）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）少なくとも親水性部位および疎水性部位を併有する
   ジアセチレン誘導体化合物の単分子膜またはその累積膜
   からなるＡ層と、下記一般式（１）または（２）で表わ
   される化合物の一種以上を含有してなるＢ層とが積層さ
   れてなる記録層を有することを特徴とする光記録媒体。 一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１） 一般式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３は、それぞれ独立して
   置換基を有してもよいアリール基を表わし、Ｒ＾４およ
   びＲ＾５は、隣接した二つの−ＣＨ＝ＣＨ−基と共役二
   重結合系を形成する置換基を有してもよいアリーレン基
   を表わし、Ｒ＾６は、水素または置換基を有してもよい
   アリール基を表わし、Ａはアニオン残基を表わす。）