JPH055343B2

JPH055343B2 -

Info

Publication number: JPH055343B2
Application number: JP60282215A
Authority: JP
Inventors: Toshihiko Myazaki; Yukio Nishimura; Takeshi Eguchi; Kunihiro Sakai; Harunori Kawada; Hiroshi Matsuda
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1985-12-16
Filing date: 1985-12-16
Publication date: 1993-01-22
Also published as: JPS62141537A

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕本発明は、ジアセチレン誘導体化合物の単分子
膜又はその累積膜を含有する光記録媒体の光記録
方法に関し、特に光書き込み手段として800〜
850nmの赤外線レーザーを用いた光記録方法に関
する。〔従来の技術〕最近、オフイスオートメイシヨンの中心的な存
在として光デイスクが注目を集めている。光デイ
スクは一枚のデイスク中に大量の文書、文献等を
記録保存できるため、オフイスにおける文書等の
整理、管理が効率よく実施できる。この光デイス
ク用の記録媒体としては、各種のものが検討され
ているが、価格、製造の容易さから有機材料を用
いたものが注目されている。このような記録媒体用の有機材料として、ジア
セチレン誘導体化合物が知られており、該化合物
の熱変色性に着目し、レーザー記録媒体として用
いる記録技術が特開昭56−147807号に開示されて
いる。しかし、この明細書中には、どのようなレ
ーザーを用いたか、あるいは用いるべきかの記載
がなく、単にレーザーを用いて記録を実施したと
の記載に留まつている。本発明者らは、種々のレーザーを用いてこのジ
アセチレン誘導体化合物のレーザー記録につき検
討した結果、アルゴンレーザー等の大型かつ高出
力のレーザーを用いれば熱変色記録が可能なもの
の、小型で比較的低出力の半導体レーザー（波長
800〜850nm）を使用した場合にはレーザー記録
が実施できないことを確認した。しかし、光デイ
スク等の実用的な記録媒体としては、小型で低出
力の半導体レーザーにより光書き込みが可能なこ
とが要請される。更に、上記のようなジアセチレン誘導体化合物
よりなる従来の記録層は、ジアセチレン誘導体化
合物の微結晶の粉体を用いて形成されているの
で、記録層内でのジアセチレン誘導体化合物分子
の分子配向がランダムであり、そのため場所によ
つては、光の透過性、反射性が異なつたり、化学
反応の度合が異なるなどの弊害が生じ、品質の良
い高密度記録には必ずしも適しているとはいえな
い。〔発明が解決しようとする問題点〕本発明はかかる従来技術の問題点を解決するた
めになされたものであり、本発明の目的は小型軽
量な半導体レーザーにより光書き込みが可能であ
り、まず記録情報を記録媒体に潜像として記録
し、その後必要に応じて任意に記録情報を顕像化
して読み取ることのできる光記録方法を提供する
ことにある。本発明の他の目的は、高密度、高感度、高解像
度で高速記録の可能な光記録方法を提供すること
にある。本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品
質な光記録画像を得ることのできる光記録方法を
提供することにある。〔問題点を解決するための手段〕すなわち、本発明の光記録方法は、少なくとも
親水性部位及び疎水性部位を併有するジアセチレ
ン誘導体化合物の単分子膜又はその累積膜と、下
記一般式（）〜（）で表わされる少なくとも
１つのアズレニウム塩化合物を含む記録層を有す
る光記録媒体に、800〜850nmの赤外線を記録情
報に応じて照射し、潜像を形成する工程と、該潜
像が形成された記録媒体に紫外線を照射して該潜
像を顕像化する工程を含むことを特徴とする。（式中、R₁〜R₇は、水素原子、ハロゲン原子
又は１価の有機残基を表わす。Ａは、２価の有機
残基を表わし、Z^-はアニオン残基を表わす。）〔作用〕本発明の方法に用いる光記録媒体に含有される
新水性部位および疎水性部位を併有するジアセチ
レン誘導体化合物（以下、DA化合物と略称す
る）とは、隣接する分子中のＣ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ官能
基間において1.4−付加重合反応が可能な化合物
であり、代表的には下記一般式Ｈ（CH₂）ｍ−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ −（CH₂）ｎ−Ｘ（式中、Ｘは親水性部位を形成する親水性基で
あり、ｍ，ｎは整数を表わす。）で表わされる化合物が挙げられる。上記DA化合物における新水性基Ｘとしては、
例えばカルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシ
基、ニトリル基、チオアルコール基、イミノ基、
スルホン酸基、スルフイニル基またはその金属若
しくはアミン塩が挙げられる。疎水性部位を形成
するＨ（CH₂）ｍ−表わされるアルキル基として
は炭素原子数が10〜30の長鎖アルキル基が好まし
い。また、ｍ＋ｎとしては10〜30の整数が好まし
い。一方、本発明で用いる前記一般式（）〜
（）で表わされるアズレニウム塩化合物（以下、
AZ化合物と略称する）は750nm以上の波長域に
吸収ピークを有し、この波長の赤外光により発熱
する化合物である。前記一般式（）〜（）に示す化合物に於い
て、R₁〜R₇は水素原子、ハロゲン原子又は１個
の有機残基を表わす。１価の有機残基としては、アルキル基、アルコ
キシ基、置換もしくは未置換アリール基、アシル
基置換もしくは未置換アミノ基、ニトロ基、ヒド
ロキシ基、カルボキシル基、シアノ基又は置換も
しくは未置換アリールアゾ基を挙げることができ
る。Ａは２重結合によつて結合した２価の有機残基
を表し、以下の具体例で示す。Ｚはバークロレート、フルオロボレート、
Ｐ−トルエンスルフオネート、バーアイオダイ
ド、クロライド、ブロマイド又はアイオダイドな
どのアニオン残基を表わす。本発明に用いるAZ化合物の具体例を以下に示
す。本発明に用いる光記録媒体は前記DA化合物の
単分子膜若しくは単分子累積膜と前記AZ化合物
とを含んでなり、一層混合系、二層分離系または
多層積層系のいずれの構成でも良い。ここで、一層混合系とは、DA化合物とAZ化
合物との混合層からなるもので、二層分離系と
は、DA化合物を含む層とAZ化合物を含む層と
が分離積層されているものを、更に多層積層系と
は、DA化合物を含む層の１以上と、AZ化合物
を含む層の１以上が所定の順位で基板上に積層さ
れた前記二層分離系を含まない構成のものをそれ
ぞれいう。本発明に用いる光記録媒体の代表的な構成を第
１図及び第２図に示す。第１図は、一層混合系の記録層２が基板１上に
設けられているものであり、第１図Ａは、基板１
上に、DA化合物８とAZ化合物７との混合単分
膜が形成された構成のもの、第１図Ｂは、DA化
合物８とAZ化合物７との混合単分子累積膜が形
成された構成のものである。一方、第２図は、二層分離系の記録層２が基板
１上に設けられているものであり、第２図Ａは、
基板１上に、AZを含む層２ｂ上にDA化合物８
の単分子膜からなる層２ａが積層された構成のも
の、第２図Ｂは、AZ化合物を含む層２ｂ上に
DA化合物８の単分子累積膜からなる層２ａが形
成された構成のものである。 AZ化合物を含む層２ｂは、後に述べるような
方法によつて、単分子膜若しくはその累積膜とし
て形成しても良い。本発明に用いる光記録媒体の基板１としては、
ガラス、アクリル樹脂等のプラスチツク板、ポリ
エステル等のプラスチツクフイルム、紙、金属等
の各種の支持材料が使用できるが、基板側から輻
射線を照射して記録を実施する場合には、特定波
長の記録用輻射線を透過するものを用いる。基板１上に、または基板１上に先に形成されて
いるDA化合物若しくはAZ化合物を含む層の上
に、上記のような単分子膜または単分子累積膜を
形成するには、例えばI.Langmuirらの開発した
ラングミユア・プロジエツト法（以下、LB法と
略）が用いられる。LB法は、分子内に親水基と
疎水基を有する構造の分子において、両者のバラ
ンス（両親媒性のバランス）が適度に保たれてい
るとき、この分子は水面上で親水基を下に向けた
単分子の層になることを利用して単分子膜または
単分子層の累積した膜を作成する方法である。水
面上の単分子層は二次元系の特徴をもつ。分子が
まばらに散開しているときは、一分子当り面積Ａ
と表面圧Πとの間に二次元理想気体の式、 ΠA＝kT が成り立ち、“気体膜”となる。ここに、ｋはボ
ルツマン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小
さくすれば分子間相互作用が強まり二次元固体の
“凝縮膜（または固体膜）”になる。凝縮膜はガラ
スなどの基板の表面へ一層ずつ移すことができ
る。また、二以上の化合物からなるいわゆる混合単
分子膜または混合単分子累積膜も上述と同様の方
法により得られる。このとき、混合単分子膜また
は混合単分子累積膜を構成する二以上の化合物の
うち少なくともその一つが親水性部位と疎水性部
位とを併有するものであればよく、必ずしも全て
の化合物に親水性部位と疎水性部疎水基との併有
が要求されるものではない。すなわち、少なくと
も一つの化合物において両親媒性のバランスが保
たれていれば、水面上に単分子層が形成され、他
の化合物は両親媒性の化合物に挾持され、結局全
体として分子秩序性のある単分子層が形成され
る。以下、記録層２の代表的な形成方法について述
べる。第１図に示した一層混合系の記録層２は、基板
１上にDA化合物とAZ化合物との混合単分子膜
またはその累積膜を形成して得ることができる。すなわち、まず、DA化合物とAZ化合物とを
クロロホルム等の溶剤に溶解し、これを水相上に
展開し、これらの化合物を膜状に展開させた展開
層を形成する。次にこの展開層が水相上を自由に
拡散して拡がりすぎないように仕切板（または浮
子）を設けて展開層の面積を制限してこれら化合
物の集合状態を制御し、その集合状態に比例した
表面圧Πを得る。この仕切板を動かし、展開面積
を縮小して膜物質の集合状態を制御し、表面圧を
徐々に上昇させ、累積膜の製造に適する表面圧Π
を設定することができる。この表面圧を維持しな
がら静かに清浄な基板を垂直に上下させることに
より、DA化合物とAZ化合物との混合単分子膜
が基板上に移しとられる。混合単分子膜はこのよ
うにして製造されるが、混合単分子層累積膜は、
前記の操作を繰り返すことにより所望の累積度の
混合単分子層累積膜が形成される。単分子膜を基板上に移すには、上述した垂直浸
漬法の他、水平付着法、回転円筒法などの方法が
採用できる。水平付着法は基板を水面に水平に接
触させて移しとる方法で、回転円筒法は、円筒型
の基体を水面上で回転させて単分子層を基体表面
に移しとる方法である。前述した垂直浸漬法で
は、水面を横切る方向に表面が親水性である基板
を水中から引き上げると、一層目はDA化合物の
親水基が基板側に向いた単分子層が基板上に形成
される。基板を上下させると、各行程ごとに一層
ずつ混合単分子膜が積層されていく。成膜分子の
向きが引上げ行程と浸漬行程で逆になるので、こ
の方法によると、各層間は親水基と親水基、疎水
基と疎水基が向かい合うＹ型膜が形成される。これに対し、水平付着法は、基板を水面に水平
に接触させて移しとる方法で、DA化合物の疎水
基は基板側に向いた単分子層が基板上に形成され
る。この方法では、累積しても、DA化合物の分
子の向きの交代はなく全ての層において、疎水基
が基板側に向いたＸ型膜が形成される。反対に全
ての層において親水基が基板側に向いた累積膜は
Ｚ型膜と呼ばれる。回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転さ
せて単分子層を基体表面に移しとる方法である。
単分子層を基板上に移す方法は、これらに限定さ
れるわけではなく、大面積基板を用いる時には、
基板ロールから水相中に基板を押し出していく方
法などもとり得る。また、前述した親水基、疎水
基の基板への向きは原則であり、基板の表面処理
等によつて変えることもできる。これらの単分子膜の移し取り操作の詳細につい
ては既に公知であり、例えば「新実験化学講座18
界面とコロイド」498〜507頁、丸善刊、に記載さ
れている。このようにして、基板上に形成される混合単分
子膜およびその累積膜は、高密度で高度な秩序性
を有しているので、場所による光吸収のバラツキ
は極めて小さい。したがつて、このような膜によ
つて記録層を構成することにより、DA化合物と
AZ化合物との機能に応じて、光記録、熱的記録
の可能な高密度、高解像度の記録機能を有する記
録媒体が得られる。また、二層分離系若しくは多層積層系の記録層
２を形成する場合には、DA化合物の単分子膜ま
たはその累積膜からなる層２ａの１以上とAZ化
合物を含む層２ｂの１以上とを基板１上に所定の
層数及び順序で積層すれば良い。 DA化合物の単分子膜またはその累積膜からな
る層２ａは、DA化合物を含む（AZ化合物を含
まない）展開用の溶液を調整して、上記のLB法
により、基板１に、または基板１にすでに形成さ
れている他の層上に形成できる。 AZ化合物を含む層２ｂは、AZ化合物を適当な
揮発性溶液に溶解して調整した塗布液を、基板１
に、または基板１にすでに形成されている他の層
上に、所定の乾燥膜厚が得られるように塗布した
後、これを乾燥させて形成できる。あるいは、
AZ化合物に、ステアリン酸、アラルギン酸など
の高分子脂肪酸のような両親媒性のバランスの適
度に保たれた有機高分子を担体分子として任意の
比率で使用して上記のLB法により、単分子膜ま
たはその累積膜として形成することもできる。 AZ化合物を含む層２ｂを塗布法で形成する場
合の、塗布溶液形成用の溶媒としては、メタノー
ル、エタノール、イソプロパノール等のアルコー
ル類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン等のケトン類；アセトニトリル等の脂肪
族ニトリル類；クロロホルム、塩化メチレン、ジ
クロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレ
ン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類；等が挙げら
れ、塩化メチレン、アセトニトリルが特に好適で
ある。なお、上記塗布液には、基板１との、あるいは
他の層との密着性を向上させるために、適宜天然
若しくは合成高分子からなるバインダーを添加し
てもよい。このような塗布液の基板１への塗工は、スピナ
ー回転塗布法、浸漬コーテイング法、スプレーコ
ーテイング法、ピードコーテイング法、ワイヤー
バーコーテイング法、ブレードコーテイング法、
ローラーコーテイング法カーテンコーテイング法
等の手法が用いられる。記録層２が一層混合系の場合は、その膜厚は、
200Å〜2μm程度が適しており、特に400〜5000Å
の範囲が好ましい。また二層分離系の場合の各層
の膜厚は、100Å〜1μm程度が適しており、特に
200〜5000Åの範囲が好ましい。更に、多層積層
系の場合には、個々のDA化合物を含む層の膜厚
の総和及び個々のAZ化合物を含む層の膜厚の総
和がともに、100Å〜1μm程度が適しており、特
に200〜5000Åの範囲が好ましい。記録層２内でのDA化合物とAZ化合物との配
合割合は、1/15〜15/1程度が好ましく、最適には
１／１０〜5/1である。なお、必要に応じてこのよう
に構成される記録層２の上に各種の保護層を設け
てもよい。また、二層分離系や多層積層系の場合
の各層の積層順序は、特に問題にはならない。な
お、記録層２を形成するにあたつては、その安定
性、品質向上を計るために各種の添加剤をこれに
加えてもよい。このようにして構成される記録媒
体を用いて本発明の光記録方法を実施することが
できる。この記録媒体においては、DA化合物に
紫外線を加えることにより、記録層の吸収波長が
変化して見掛けの色が変化する。すなわち、DA
化合物は、初期にはほぼ無色透明であるが、紫外
線を照射すると重合し、ポリジアセチレン誘導体
化合物へと変化する。この重合は紫外線の照射に
よつてのみ起り、熱等の他の物理的エネルギーの
印加によつては生じない。この重合の結果、620
〜660nmに最大吸収波長を有するようになり、青
色ないし暗色へと変化する。この重合に基づく色
相の変化は不可逆変化であり、一度青色へ変化し
た記録層は無色透明膜へとは戻らない。また、この青色へ変化したポリジアセチレン誘
導体化合物を約50℃以上に加熱すると今度は約
540nm最大吸収波長を有するようになり、赤色膜
へと変化する。この変化も不可逆変化である。一方、本発明者らは、上記のような構成の記録
層について種々検討したところ、破壊若しくはそ
の形状を変形させないような適当な温度で加熱し
て、これを一度溶融状態とする過程を経過させた
記録層に、上記のような紫外線照射を行なつても
記録層の青色への変化が起きないことを見い出し
た。すなわち、これは、この紫外線照射によるDA
化合物の重合の結果としての青色膜への変化が、
主にDA化合物の高秩序分子配向性により得られ
るものであり、上記のように記録層を加熱して
DA化合物を含む層を溶融させるなどして層内で
のDA化合物の配合の秩序を乱してやると、分子
配列レベルでの反応可能な位置関係にあるDA化
合物の分子数が大幅に減少するためであると考え
られる。本発明の光記録方法は、このようなDA化合物
の特性と、これとAZ化合物との組合せによつて
得られる機能を利用して記録を実施するものであ
る。以下この記録方法の一例につき詳述する。まず、記録情報は、適当な制御回路を経て半導
体レーザーにより光信号に変換される。この光信
号は光学系を経て、例えば光記録媒体載置手段上
に載置され、同期回転している一層混合系の記録
層を有する円盤状の記録媒体の所定の位置に第２
図Ａに示すように結像され、半導体レーザーによ
る記録情報の光書き込みが実施される。このとき用いる半導体レーザーとしては、出力
波長800〜850nmのGa・As接合レーザーを使用
するのが特に好適である。このとき、結像点（光照射部位）３には、変色
等のみかけの変化は生じないが、この部分にある
アズレニウム塩化合物が光を吸収して発熱し、こ
の発熱によつて、光照射部位３の記録層が溶融し
てこの部位における構成分子の高秩序配向性が乱
される。その結果、光照射部位３にあるDA化合
物の高秩序配向性が乱され、光照射部位３は、後
に行なう顕像化処理において変色しない部分とな
る。なお、この書き込み時のレーザービーム４の照
射条件は、用いる光記録媒体の構成に応じて適宜
選択すれば良いが、少なくとも光照射部位３の温
度が、記録層を溶解させて構成分子の配向の秩序
を乱すのに十分であり、かつ記録層の破壊若しく
はその形状を変形させないような温度となるよう
にする必要がある。このようにして、記録層に分子配向性のレベル
での状態の差による、すなわち光照射されなかつ
たDA化合物の高秩序配向性が維持されている部
分５ｂ中に形成された、光照射され、DA化合物
の高秩序配向性が乱された部分５ａからなる潜像
が形成されて記録情報の書き込みが行なわれる。なお、DA化合物は上記の半導体レーザーに対
して感能性を有さず、従来のDA化合物のみから
なる光記録媒体ではこのような光書込みは不可能
であつた。ここで、上述したように、記録層２には光学的
に検知可能な像として記録情報が記録されていな
いので、この段階では、書き込んだ記録情報を読
み取ることはできない。そこで、記録情報の読み
取りを行ないたい場合には、記録層２に形成され
た潜像を顕像化する必要がある。この潜像の顕像化は記録媒体に一様に紫外線を
照射することによつて実施される。この紫外線の照射により、記録層中の高秩序配
向性を維持している、すなわち先の書き込み時に
おいて光照射されなかつた部分５ｂにあるDA化
合物が重合してポリジアセチレン誘導体化合物へ
変化し、記録層のこの部分は第３図Ｃに示すよう
に620〜660nmに最大吸収波長を有する青色の膜
６ｂへと変色する。一方、先の光書き込み時にお
いて赤外線照射された部分５ａでは、前述したよ
うに、DA化合物の光秩序配向性が乱されている
ので、DA化合物の重合反応が起きにくく、この
部分では、非照射部５ｂにおけるような青色膜へ
の変色は起こらない。従つて、先の書き込み時に
形成された潜像部分５ａはほぼ無色透明な当初の
記録層の色のままでこの紫外線照射処理によつて
青色化した膜６ｂ中に残され、青色膜６ｂと光学
的に識別可能な白ぬき部６ａとして顕像化され
る。なお、この紫外線の照射による処理が終了した
後に、必要に応じて記録層２を約50℃以上に加熱
してやれば、青色膜６ｂ中のポリジアセチレン誘
導体化合物が先に述べたように赤色へ変色するの
が、潜像として記録層２に書き込まれた記録情報
を赤色膜中の白ぬき部６ａとして顕像化すること
ができる。この記録層の加熱処理には、ヒーター等の加熱
手段を用いて、あるいは記録層には輻射線を吸収
して発熱するAZ化合物が含有されているので赤
外線等の輻射線を記録層に照射するなどして実施
することができる。以上、一層混合系の記録層を有する記録媒体を
用いた場合の本発明の光記録方法について説明し
たが、第２図に示したような二層分離系の記録層
を有した記録媒体を用いる場合には、レーザービ
ームの結像点３は、第４図Ａに示すようにAZ化
合物を含む層２ｂとされる。このようにレーザー
ビーム４が照射されると、層２ｂに含まれたAZ
化合物がレーザービーム４を吸収して発熱し、こ
の発熱によつてDA化合物を含む層２ａの結像点
３上の部分が溶融し、上述した程度に従つて第４
図Ｂに示すように潜像５ａが形成される。この潜
像は上述した紫外線の照射処理によつて、また更
に必要に応じた加熱処理によつて、第４図ｃに示
すような青若しくは赤色の膜６ｂと光学的に識別
可能な白ぬき部６ａとして顕像化することができ
る。なお、光記録媒体としては、上述の例では円盤
状のデイスク（光デイスク）が用いられたが、も
ちろん、DA化合物およびAZ化合物を含有する
記録層を支持する基板の種類により、光テープ、
光カード等も使用できる。〔発明の効果〕本発明の光記録方法の効果を以下に列挙する。 (1) 記録層にAZ化合物とジアセチレン誘導体化
合物とが組合わされて用いられているので、小
型軽量の半導体レーザーを用いて光書込みが可
能であり、しかも記録情報は記録媒体に潜像と
して記録され、その後必要に応じて任意に記録
情報を顕像化して読み取ることができる。 (2) 少なくともジアセチレン誘導体化合物が単分
子膜またはその累積膜となつて記録層を構成し
ているために、記録層の構成成分は高密度で高
度な秩序性を有し、記録層は均質かつ表面性良
く形成されている。その結果、高密度、高感度
での安定性に優れた高品質な光記録が実施でき
る。 (3) 高度に均質な大面積の記録層を有する安価な
記録媒体を用いた光記録が可能となる。〔実施例〕以下、本発明を実施例に基づきより詳細に説明
する。実施例１一般式C₁₂H₂₅−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−C₈H₁₆−
COOHで表わされるジアセチレン誘導体化合物
１重量部と前記の染料No.１で表わされるAZ化合
物15重量部とをクロロホルムに３×10^-3モル／
の濃度で溶解した溶液を、PHが6.5で塩化カドミ
ニウム濃度が１×10^-3モル／の水相上に展開し
た。溶媒のクロロホルムを除去した後、表面圧を
一定に保ちながら、十分に洗浄し、表面が親水性
となつているガラス基板を、水面を横切る方向に
上下速度1.0cm／分で静かに上下させ、DA化合物
とAZ化合物との混合単分子膜を基板上に移しと
り、混合単分子膜ならびに５層、21層、41層、
101層および201層に累積した混合単分子累積膜を
基板上に形成した記録媒体を作成した。このようにして得た記録媒体を用いて、以下の
ようにして本発明の光記録方法を実施した。まず、上記の記録媒体のそれぞれに、830nmの
波長の半導体レーザー（レーザービーム径；
1μm、照射時間；200ns／１ドツト、出力3mw）
を記録情報にしたがい照射し、潜像を形成した。
その際、記録媒体の光照射部には見掛け上の変化
は認められなかつた。次に、この半導体レーザーによる書き込みが終
了した後、記録媒体に254nmの波長の紫外線を均
一かつ十分に照射した。すると、記録媒体の記録
層の先の書き込み時に半導体レーザーが照射され
た部分以外の部分が青色に変色し、先に形成した
潜像、すなわち半導体レーザーの照射部位が白ぬ
きとなつたネガ像が顕像化された。この記録結果の評価を、第1A表に示した。評
価は、感度、画像解像度及び白ぬき部と周辺との
コントラストの良否の総合評価により判定し、特
に良好なものを◎、良好なものを〇、記録ができ
ないまたは不良なものを×とした。実施例２ジアセチレン誘導体化合物の量を１重量部、
AZ化合物の量を10重量部としたことを除き、実
施例１と同様の方法により記録媒体を作成した。このようにして得た記録媒体に、実施例１と同
様にして、光記録を実施した後、記録媒体に
254nmの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像
を顕像化し、これを評価した。その結果を、第
1A表に示す。実施例３ジアセチレン誘導体化合物の量を１重量部、
AZ化合物の量を５重量部としたことを除き、実
施例１と同様の方法により記録媒体を作成した。このようにして得た記録媒体に、実施例１と同
様にして、光記録を実施した後、記録媒体に
254nmの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像
を顕像化し、これを評価した。その結果を、第
1A表に示す。実施例４ジアセチレン誘導体化合物の量を１重量部、
AZ化合物の量を１重量部としたことを除き、実
施例１と同様の方法により記録媒体を作成した。このようにして得た記録媒体に、実施例１と同
様にして、光記録を実施した後、記録媒体に
254nmの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像
を顕像化し、これを評価した。その結果を、第
1A表に示す。実施例５ジアセチレン誘導体化合物の量を５重量部、
AZ化合物の量を１重量部としたことを除き、実
施例１と同様の方法により記録媒体を作成した。このようにして得た記録媒体に、実施例１と同
様にして、光記録を実施した後、記録媒体に
254nmの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像
を顕像化し、これを評価した。その結果を、第
1B表に示す。実施例６ジアセチレン誘導体化合物の量を10重量部、
AZ化合物の量を１重量部としたことを除き、実
施例１と同様の方法により記録媒体を作成した。このようにして得た記録媒体に、実施例１と同
様にして、光記録を実施した後、記録媒体に
254nmの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像
を顕像化し、これを評価した。その結果を、第
1B表に示す。実施例７ジアセチレン誘導体化合物の量を15重量部、
AZ化合物の量を１重量部としたことを除き、実
施例１と同様の方法により記録媒体を作成した。このようにして得た記録媒体に、実施例１と同
様にして、光記録を実施した後、記録媒体に
254nmの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像
を顕像化し、これを評価した。その結果を、第
1B表に示す。

【表】

【表】実施例８〜14 光記録及びネガ像の顕像化までは、実施例１〜
７までと同様に行つた後、記録媒体のそれぞれを
約80℃に加熱して背景の青色を赤色に変化させた
ネガ像を得た。このネガ像について実施例１と同
様の基準により評価したその結果を第2A表及び
第2B表に示す。

【表】

【表】実施例 15 C₁₂H₂₅−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−C₈H₁₆−COOHで表
わされるジアセチレン誘導体化合物に代え、
C₈H₁₇−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−C₂H₄−COOHで表わ
された化合物を用いたことを除いては実施例４と
同様の方法により記録媒体を作成した。このようにして得た記録媒体に、実施例１と同
様にして、光記録を実施した後、記録媒体に
254nmの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像
を顕像化し、これを評価した。その結果を、第
3A表に示す。実施例 16 染料No.１で表わされるAZ化合物に代え、染料
No.６で表わされるAZ化合物を用いたことを除い
ては実施例15と同様の方法により記録媒体を作成
した。このようにして得た記録媒体に、実施例１と同
様にして、光記録を実施した後、記録媒体に
254nmの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像
を顕像化し、これを評価した。その結果を、第
3A表に示す。実施例 17 染料No.１で表わされるAZ化合物に代え、染料
No.８で表わされるAZ化合物を用いたことを除い
ては実施例15と同様の方法により記録媒体を作成
した。このようにして得た記録媒体に、実施例１と同
様にして、光記録を実施した後、記録媒体に
254nmの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像
を顕像化し、これを評価した。その結果を、第
3A表に示す。実施例 18 染料No.１で表わされるAZ化合物に代え、染料
No.16で表わされるAZ化合物を用いたことを除い
ては実施例15と同様の方法により記録媒体を作成
した。このようにして得た記録媒体に、実施例１と同
様にして、光記録を実施した後、記録媒体に
254nmの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像
を顕像化し、これを評価した。その結果を、第
3B表に示す。実施例 19 染料No.１で表わされるAZ化合物に代え、染料
No.12で表わされるAZ化合物を用いたことを除い
ては実施例15と同様の方法により記録媒体を作成
した。このようにして得た記録媒体に、実施例１と同
様にして、光記録を実施した後、記録媒体に
254nmの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像
を顕像化し、これを評価した。その結果を、第
3B表に示す。

【表】

【表】実施例 20 染料No.１で表わされるAZ化合物10重量部を塩
化メチレン20重量部に溶解して、塗布液を調整し
た。次に、ガラス製のデイスク基板（厚さ1.5mm、
直径20mm）をスピナー塗布機に装着し、まず上記
塗布液をデイスク基板の中央部に少量滴下した
後、所定の回転数で所定の時間スピナーを回転さ
せて塗布し、常温で乾燥し、基板上にAZ化合物
を含む層を形成した。このようにしてAZ化合物を含む層を形成した
後、C₁₂H₂₅−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−C₈H₁₆−COOHで
表わされるAZ化合物をクロロホルムに３×10^-3
モル／の濃度で溶解した溶液を、PHが6.5で塩
化カドミニウム濃度が１×10^-3モル／の水相上
に展開した。溶媒のクロロホルムを除去した後、
表面圧を一定に保ちながら、表面が十分に洗浄な
AZ化合物を含む層が形成されているガラス基板
を、水面に横切る方向に上下速度1.0cm／分で静
かに上下させ、AZ化合物を含む層の表面にDA
化合物の単分子膜を移しとり、DA化合物の単分
子膜またはこの単分子膜を所定数累積した単分子
累積膜をAZ化合物を含む層上に形成した記録媒
体を作成した。なお、AZ化合物を含む層の膜厚と上記の単分
子膜の累積数を、第4A表に示すように種々変化
させ、試料No.20−１〜20−25の25種の記録媒体を
得た。このようにして得た記録媒体に、実施例１と同
様にして、光記録を実施した後、記録媒体に
254nmの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像
を顕像化し、これを評価した。その結果を、第
4B表に示す。

【表】

【表】実施例 21 C₁₂H₂₅−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−C₈H₁₆−COOHで表
わされるジアセチレン誘導体化合物に代えて、
C₈H₁₇−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−C₂H₄−COOHで表わ
されるジアセチレン誘導体化合物を用いたことを
除いては実施例20と同様の方法により第5A表に
示すような試料No.21−１〜21−25の25種の記録媒
体を得た。このようにして得た記録媒体のそれぞれに、ま
ず254nmの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ
像を顕像化し、これを評価した。その結果を、第
5B表に示す。

【表】

【表】実施例 22 AZ化合物を含む層を形成するための塗布液に、
染料No.１で表わされるAZ化合物に代え、染料No.
18で表わされるAZ化合物を用いたことを除いて
は実施例21と同様の方法により第6A表に示すよ
うな試料No.22−１〜22−25の25種の記録媒体を得
た。このようにして得た記録媒体のそれぞれに、実
施例１と同様にして、光記録を実施した後、記録
媒体に254nmの紫外線を均一かつ十分に照射して
ネガ像を顕像化し、これを評価した。その結果
を、第5B表に示す。

【表】

【表】実施例 23 AZ化合物を含む層を形成するための塗布液に、
染料No.１で表わされるAZ化合物に代え、染料No.
６で表わされるAZ化合物を用いたことを除いて
は実施例21と同様の方法により第7A表に示すよ
うな試料No.23−１〜23−25の25種の記録媒体を得
た。このようにして得た記録媒体に、実施例１と同
様にして、光記録を実施した後、記録媒体に
254nmの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像
を顕像化し、これを評価した。その結果を、第
7B表に示す。

【表】

【表】【図面の簡単な説明】

第１図Ａ及び第１図Ｂ並びに第２図Ａ及び第２
図Ｂは、本発明の方法に用いる光記録媒体の構成
の一態様を例示する模式断面図、第３図Ａ〜第３
図Ｃ及び第４図Ａ〜第４図Ｃは本発明の光記録の
過程を示す記録媒体の模式断面図である。１：基板、２：記録層、２ａ：DA化合物を含
む層、２ｂ：AZ化合物を含むむ層、３：結像点、
４：レーザービーム、５ａ：潜像、５ｂ：非照射
部、６ａ：白ぬき部、６ｂ：変色部、７：AZ化
合物、８：DA化合物分子。

Claims

【特許請求の範囲】１少なくとも親水性部位及び疎水性部位を併有
するジアセチレン誘導体化合物の単分子膜又はそ
の累積膜と、下記一般式（）〜（）で表わさ
れる少なくとも１つのアズレニウム塩化合物を含
む記録層を有する光記録媒体に、800〜850nmの
赤外線を記録情報に応じて照射し、潜像を形成す
る工程と、該潜像が形成された記録媒体に紫外線
を照射して該潜像を顕像化する工程を含むことを
特徴とする光記録方法。（式中、R₁〜R₇は、水素原子、ハロゲン原子
又は１価の有機残基を表わす。Ａは、２価の有機
残基を表わし、Z^-はアニオン残基を表わす。）２該潜像を有する記録媒体を紫外線照射後、さ
らに加熱して該潜像を顕像化する特許請求の範囲
第１項記載の光記録方法。