JPS62141537A - 光記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分岐〕 未発・明は、シア°セチレン銹導体化合物の単分子膜又
はその累ａ膜キ含有する光記録媒体の光艷録方法に関し
、特に光書き込み手段として８００〜８５０ｎｍの赤外
線レーザーを用いた光記録方法に関する。

〔従来の技術〕

最近、オフィスオートメイションの中心的な存在として
光ディスクが注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大量の文書、文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文書等の整理、管理が効率よ〈実施で
きる。この光デイスク用の記録媒体としては、各種のも
のが検討されているが、価格、製造の容易さから有機材
料を用いたものが注目されている。

このような記録媒体用の有機材料として、ジアセチレン
誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録媒体として用いる記録技術が特開昭
５６−１４７８０７号に開示されている。しかし、この
明細書中には、どのようなレーザーを用いたか、あるい
は用いるべきかの記載がなく、単にレーザーを用いて記
録を実施したとの記載に留まっている。

本発明者らは、種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー（波長８００〜８５０ｎｍ）を使用した場
合にはレーザー記録が実施できないことを確認した。し
かし、光ディスク等の実用的な記録媒体としては、小型
で低出力の半導体レーザーにより光書き込みが可能なこ
とが要請される。

更に、上記のようなジアセチレン誘導体化合物よりなる
従来の記録層は、ジアセチレン誘導体化合物の微結晶の
粉体を用いて形成されているので、記録層内でのジアセ
チレン誘導体化合物分子の分子配向がランダムであり、
そのため場所によっては、光の透過性１反射性が異なっ
たり、化学反応の度合が異なるなどの弊害が生じ１品質
の良い高密度記録には必ずしも適しているとはいえない
。

〔発明が解決しようとす２問題点〕 本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたもの゛であり、本発明の目的は小型軽量な半導体レ
ーザーにより光書き込みが可能であり、まず記録情報を
記録媒体に潜像として記録し、その後必要に応じて任意
に記録情報を顕像化して読み取ることのできる光記録方
法を提供することにある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度、高解像度で高速
記録の可能な光記録方法を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録画像を得ることのできる光記録方法を提供することに
ある。

〔問題点を解決するための手段〕

セチレン誘導体化合物の単分子膜又はその累積ｌｑと、
下記一般式（Ｉ）で表わされる骨格を有するアズレニウ
ム塩化合物を含有する記録層を有する光記録媒体に、８
００〜＄５０ｎｍの赤外線を記録情報に応じて照射し、
潜像を形成する工程と、該潜像が形成された記録媒体に
紫外線を照射して該潜像を顕像化する工程を含むことを
特徴とする。

〔作用〕

本発明の方法に用いる光記録媒体に含有される新水性部
位および疎水性部位を併有するジアセチレン誘導体化合
物、（以下、ＤＡ化合物と略称する）とは、隣接する分
子中のＣＥＣ−ＣミＣ官能基間において１．４−付加重
合反応が可能な化合物であり、代表的には下記一般式８
式％ （式中、又は新水性部位を形成する新水性基であり、ｍ
、ｎは整数を表わす、） で表わされる化合物が挙げられる。

上記ＤＡ化合物における新水性基Ｘとして°ま、例えば
カルボキシル基、アミノ基、ヒドロヤシ基、ニトリル基
、チオアルコール基、イミノ基、スルホン酸基、スルフ
ィニル基またはその金属若しくはアミン塩が挙げられる
。疎水性部位を形成するＨ　（ＣＨ２）ｍ−表わされる
アルキル基としては炭素原子数がｌθ〜３０の長釦アル
キル基が好ましい、また、ｍ＋ｍとしては１０〜３０の
整数が好ましい。

一方、本発明で用いる前記一般式（Ｉ）で表わされる骨
格を有するアズレニウム塩化合物（以下、ＡＺ化合物と
略称する）は７５０ｎｍ以トの波長域に吸収ピークを有
し、この波長の赤外光により発熱する化合物である。

前記一般式（Ｉ）を含むＡＺ化合物は、次の３（Ｉ！　
） （ＩＩＩ） （ｒｖ） （ｎ）〜（ｍＶ）に示す化合物に於いて、Ｒ１〜Ｒフは
水素原子、ハロゲン原子又は１個の有機残基を表わす。

１価の有機残基としては、アルキル基、アルコキシ基、
Ｉｉ換もしくは未置換アリール基、７シル基置換もしく
は未置換ア、ミノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、カルボ
キシル基ニジアノ基又は置換もしくは未置換アリ゛ニー
ルアゾ基を挙げることができる。

Ａは２重結合によって結合した２価の有機残基を表し、
以下の具体例で示す。

Ｚｅはバークロレート、フルオロポレート、Ｐ−）ルエ
ンスルフオネート、パーフイオダイド、クロライド、ブ
ロマイド又はアイオダイドなどのアニオン残基を表わす
。

本発明に用いるＡＺ化合物の具体例を以下に示す。

、／ 本発明に用いる光記録媒体は前記ＤＡ化合物の単分子膜
若しくは単分子累積膜と前記ＡＺ化合物とを含んでなり
、一層混合系、二層分離系または多層積層系のいずれの
構成でも良い。

ここで、一層混合系とは、ＤＡ化合物とＡＺ化合物との
混合層からなるものを、二層分離系とは、ＤＡ化合物を
含む層とＡＺ化合物を含む層とが分離積層されているも
のを、更に多Ｗ！：積層系とは、ＤＡ化合物を含む層の
１以上と、ＡＺ化合物を含む層の１以上が所定の順位で
基板上に１１層された前記二層分離系を含まない構成の
ものをそれぞれいう。

本発明に用いる光記録媒体の代表的な構成を第１図及び
ｗＳ２図に示す、　　′ 第１図は、−１混合系の記録Ｍ２が基板ｌ上に設けられ
ているものであり、第１図（Ａ）は、基板ｌ上に、ＤＡ
化合物８とＡＺ化合物７との混合単分子膜が形成された
構成のもの、第１図（Ｂ）は、ＤＡ化合物８とＡＺ化合
物７との混合単分子累積膜が形成された構成のものであ
る。

一方、第２図は、二層分離系の記録層２が基板１上に設
けられているものであり、第２図（Ａ）は、基板ｌ上に
、ＡＺを含む層２ｂ上にＤＡ化合物８の単分子膜からな
る層２ａが積層された構成のもの、第２図（Ｂ）は、Ａ
Ｚ化合物を含む層２ｂ上にＤＡ化合物８の単分子累積膜
からなる層２ａが形成された構成のものである。

ＡＺ化合物を含む層２ｂは、後に述べるような方法によ
って、単分子膜若しくはその累積膜として形成しても良
い。

本発明に用いる光記録媒体の基板ｌとしては。

ガラス、アクリル樹脂等のプラスチック板。

ポリエステル等のプラスチックフィルム、紙。

金属等の各種の支持材料が使用できるが、基板側から輻
射線を照射して記録を実施する場合には、Ｉ４定波長の
記録用輻射線を透過するものを用いる。

基板ｌ上に、または基板ｌ上に先に形成されているＤＡ
化合物−しくはＡＺ化合物を含む層の上に、上記のよう
な単分子膜または単分子累積膜を形成するには、例えば
１．Ｌａｎｇｍｕｉｒらの開発したラングミュア・プロ
ジェット法（以下、ＬＢ法と略）が用いられる。ＬＢ法
は、分子内に親水基と疎水基を有する構造の分子におい
て１両者のバランス（両親媒性のバランス）が適度に保
たれているとき、この分子は水面上で親木基を下に向け
・た単分子の層になることを利用して単分子膜または単
分子層の累積した膜を作成する方法である。水面上の単
分子層は二次元系の特徴をもつ６分子がまばらに散開し
ているときは、一分子当り面積Ａ゛と表面圧ｎとの間に
二次元理想気体の式、 ｎＡ＝ｋＴ が成り立ち、′気体膜”となる、ここに、ｋはポルツマ
ン定数、Ｔは絶対温度である。Ａｌ十分小さくすれば分
子間相互作用が強まり二次元固体の“凝縮膜（または固
体膜）”になる、凝縮膜はガラスなどの基板の表面へ一
層ずつ移すことができる。

一烏−１−■・自　　＾　ノし　ｊ、ｍ　　−畠１、　
ｌｉ−ナー　ｆ−１−一　↓、　しｈ　ス　７１″Δ単
分子膜または混合単分子累積膜も上述と同様の方法によ
り得られる。このとき、混合単分子膜または混合単分子
膜ｍ膜を構成するエリ上の化合物のうち少なくともその
一つが親木性部位と疎水性部位とを併有するものであれ
ばよく、必ずしも全ての化合物に親水性部位と疎水性部
疎水基との併有が一層されるものではない、すなわち、
少なくとも一つの化合物において両親媒性のｌ−ランス
が保たれていれば、水面上に単分子層が形成され、他の
化合物は両親媒性の化合物に挾持され、結局全体として
分子秩序性のある単分子層が形成される。

以下、記録層２の代表的な形成方法について述べる。

第１図に示した一層混合系の記録ｆｉ２は、基板１上に
ＤＡ化合物とＡＺ化合物との混合単分子膜またはそあ“
本積−を形成して得ることかできる。　　　　　′ すなわち、まず、ＤＡ化合物とＡＺ化合物とをクロロボ
ルム等の溶剤に溶解し、これを水相上に展開し、これら
の化合物を膜状に展開させたｊｐ４間層を形成する０次
にこの展Ｂ）１層が水相上を自由に拡散して拡がりすぎ
ないように仕切板（または浮子）を設けて展開層の面積
を制限してこれら化合物の集合状態を制御し、その共合
状Ｅ；に比例した表面圧■を得る。この仕切板を動かし
、展開面積を縮小して膜物質の集合状態を制御し、表面
圧を徐々に上昇させ、累積膜の製造に適する表面圧■を
設定することができる。この表面圧を維持しながら静か
に清浄な基板を垂直に上下させることにより、ＤＡ化合
物とＡＺ化合物との混合単分子膜が基板上に移しとられ
る。混合単分子膜はこのようにして製造されるが、＃２
合単分子層累積膜は、前記の操作を繰り返すことにより
所望の累積度の混合単分子層累結膜が形成される。

単分子膜を基板上に移すには、上述した垂直浸漬法の他
、水平付着法１回転円筒法などの方法が採用できる。水
平付着法は基板を水面に水平に接触させて移しとる方法
で１回転円筒法は、円筒型の基体を水面上で回転させて
単分子層を基体表面に移しとる方法である。前述した垂
直浸漬法では、水面を横切る方向に表面が親水性である
基板を水中から引き上げると、一層目はＤＡ化合物の親
木基が基板側に向いた単分子層が基板上に形成される。

基板を上下させると、各行程ごとに一層ずつ混合単分子
膜が積層されていく、成膜分子の向きが引上げ行程と浸
漬行程で逆になるので、この方法によると、各層間は親
木基と親水基、疎水基と疎水基が向かい合うＹ型膜が形
成される。

これに対し、水平付着法は、基板を水面に水平に接触さ
せて移しとる方法で、ＤＡ化合物の疎水基は基板側に向
いた単分子層が基板上に形成される。この方法では、累
積しても、ＤＡ化合物の分子の向きの交代はなく全ての
層において、疎水基が基板側に向いたｘ覆膜が形成され
る０反対に全ての層において親水基が基板側に向いた累
ａ膜はＺ型膜と呼ばれる。

回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である。単分子層を基板
上に移す方法は、これらに限定されるわけではなく、大
面積、基板を用いる時には、基板ロールから水相中に基
板を押し出していく方法などもとり得る。また、前述し
た親木基１Ｍ！水基の基板への向きは原則であり、基板
の表面処理等によって変えることもできる。

これらの単分子膜の移し雫り操作の詳細については既に
公知であり１例えば「新実験化学講座１８界面とコロイ
ド」４９８〜５０７頁、丸善刊、に記載されて′いる。

このようにして、基板上に形成される混合単分子膜およ
びその累ａ膜は、高一度で高度な秩序性を有しているの
で、場所による光吸収のバラツキは極めて小さい、した
がって、このようシタ９よ°てｉ′！鎧層を構成する０
と′″１す・ＤＡ化合物とＡＺ化合物、との板部に応じ
て。

光記録、°熱的記録の可能な高密度、高解像度の記竺機
能を有する記録媒体が得られる・また、二層分離系若し
くは多Ｒ積層系の記録層２を構成する場合には、ＤＡ化
合物の単分子膜またはその累積膜からなる暦２ａの１以
上とＡＺ化合物を含む暦２ｂの１以上とを基板ｌ上に所
定の暦数及び順序で積層すれば良い。

ＤＡ化合物の単分子膜またはその累積膜からなる層２ａ
は、ＤＡ化合物を含む（ＡＺ化合物を含まない）展開用
の溶液を調整して、上記のＬＢ法により、基板ｌに、ま
たは基板１にすでに形成されている他の層上に形成でき
る。

ＡＺ化合物を含む層２ｂは、ＡＺ化合物を適当な揮発性
溶液に溶解して調整した塗布液を、基板ｌに、または基
板１にすでに形成されている他の層上に、所定の乾燥膜
厚が得られるように塗布した後、これを乾燥させて形成
できる。

あるいは、ＡＺ化合物に、ステアリン融、アラルギン酸
などの高分子脂肪酸のような両親媒性のバランスの適度
に保たれた有機高分子を相体分子として任意の、比率で
使用して上記のＬＢ法により、単分子膜またはその累積
膜として形成することもできる。

ＡＺ化合物を含む層２ｂを塗布法で形成する場合の、塗
布溶液形成用の溶媒としては、メタノール、エタノール
、インプロパツール等のアルコール類；アセトン、メチ
ルエチルケトン。

シクロヘキサノン等のケトン類；アセトニトリル等の脂
肪族ニトリル類；クロロホルム、塩化メチレン、ジクロ
ルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレン等の脂肪
族ハロゲン化炭化水素類；等が挙げられ、塩化メチレン
、アセトニトリルが特に好適である。

なお、上記塗布液′には、基板ｌとの、あるいは他の層
との密着性を向上させるために、適宜天然若しくは合成
高分子からなるバインダーを添加してもよい。

このような塗布液の基板ｌへの塗工は、スピナー回転塗
布法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、
ビードコーティング法。

ワイヤニバーコーティング法、ブレードシーテイング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法等
の手法が用いられる。

記録層２が一層混合系の場合は、その膜厚は、２００人
〜２ｇｍ程度が適しており、特に４００〜５０００人の
範囲が好ましい、また二層分離系の場合の各層の膜厚は
、１００人〜１ｇｍ程度が適しており、特に２００〜５
０００人の範囲が好ましい、更に、多層積層系の場合に
は１個々のＤＡ化合物を含む層の膜厚の総和及び個々の
ＡＺ化合物を含む層の膜厚の総和がともに、１００人〜
ｌｕＬｍ程度が適しており、特に２００〜５０００人の
範囲が好ましい。

記録層２内でのＤＡ化合物とＡＺ化合物との配合割合は
、１／１５〜１５／１程度が好ましく、最適には１７１
０〜５／１である。なお、必要に応じてこのように構成
される記録層２の上に各種の保護層を設けてもよい、ま
た、二層分離系や多層積層系の場合の各層のａ層順序は
、特に問題にはならない、なお、記録ｉ２を形成するに
あたっては、その安定性１品質向上を計るために各種の
添加剤をこれに加えてもよい、このようにして構成され
る記録媒体を用いて本発明の光記録方法を実施すること
ができる。この記録媒体においては、ＤＡ化合物に紫外
線を加えることにより、記録層の吸収波長が変化して見
掛けの色が変化する。すなわち。

ＤＡ化合物は、初期にはほぼ無色透明であるが、紫外線
を照射すると重合し、ポリジアセチレン誘導体化合物へ
と変化する。この重合は紫外線の照射によってのみ起り
、熱等の他の物理的エネルギーの印加によっては生じな
い、この重合の結果、６２０〜６６０ｎｍに最大吸収波
長を有するようになり、゛青色ないし暗色へと変化゛す
る。この重合に基づく色相の変化は不・可逆変化であり
、一度青色へ変化した記録層は無色透明膜へとは戻らな
い。

また、この青色へ変化したポリジアセチレン誘導体化合
物を約５０℃以上に加熱すると今度は約５４０ｎｍ最大
吸収波長を有するようになり、赤色膜へと変化する。こ
の変化も不可逆変化である。

一方、本発明者らは、上記のような構成の記録層につい
て種々検討したところ、破壊若しくはその形状を変形さ
せないような適当な温度で加熱して、これを一度溶融状
態とする過程を経過させた記録層に、上記のような紫外
線照射を行なっ゛ても記録層の青色への変化が起きない
゛ことを見い出した。

すなわち、これは、この紫外線照射によるＤＡ化合物の
重合の結果としての青色膜への変化が、主にＤＡ化合物
の高秩序分子配向性により得られるものであり、上記の
ように記録層を加熱してＤＡ化合物を含む暦を溶融させ
るなどし−Ｃ′暦内でのＤ□Ａ化合物の配向の秩序を乱
してやると１分子配列しよルでの反応可能な位置関係に
あるＤＡ化合物の分子数が大幅に減少するためであると
考えられる。

本発明の光記録方法は、このようなりＡ化合物の特性と
、これとＡＺ化合物との組合せによって得られる機能を
利用して記録を実施するものであ□る。

以下この記録方法の一例につき詳述する。

まず、記録情報は、適当な制御回路を経て半導体レーザ
ーにより光信号に変換される。この光信号は光学系を経
て１例えば光記録媒体載置手段上に！！置され、同期回
転している一層混合系の記録層を有する円盤状の記録媒
体の所定の位置に第２図（Ａ）に示すように結像され、
半導体レーザーによる記録情報の光書き込みが実施され
る。

このとき用いる半導体レーザーとしては、出力波長８０
０〜８５０ｎｍのＧａ・Ａｓ接合レーザーを使用するの
が特に好適である。

このとき、結像点（光照射部位）３には、変色等のみか
けの変化は生じないが、この部分にあるピリリウム染料
類が光を吸収して発熱し、この発熱によって、光照射部
位３の記録層が溶融してこの部位における構成分子の高
秩序配向性が乱される。その結果、光照射部位３にある
ＤＡ化合物の高秩序配向性が乱され、光照射部位３は、
後に行なう顕像化処理において変色しない部分となる。

なお、このｔ！？き込み時のレーザービーム４の照射条
件は、用いる光記録媒体の構成に応じて適宜選択すれば
良いが、少なくとも光照射部位３の温度が、記録層を溶
解させて構成分子の配向の秩序を乱すのに十分であり、
かつ記＆２Ｊｉ＋の破壊若しくはその形状を変形させな
いような温度となるようにする必要がある。

このようにして、記録層に分子配向性のレベルでの状態
の差による。すなわち光照射されなかったＤＡ化合物の
高秩序配向性が維持されている部分５ｂ中に形成された
。光照射され、ＤＡ化合物の高秩序配向性が乱された部
分５ａからなる潜像が形成されて記録情報の書き込みが
行なわれる。

なお、ＤＡ化合物は上記の半導体レーザーに対して感能
性を崩さず、従来のＤＡ化合物のみからなる光記録媒体
ではこのような光書込みは不可能であった。

ここで、上述したように、記［ｔ２．には光学的に検知
可能な像として記録情報が記録されていないので、この
段階では、＠き込んだ記録情報を読み取ることはできな
い、そこで、記録情報の読み取りを行ないたい場合には
、記録層２に形成された潜像を顕像化する争要がある。

この潜像の顕像化は記録媒体に一様に紫外線を照射する
ことによって実施される。

この紫外線の照射により、記録層中の高秩序配向性を維
持している。すなわち先の書き込み時において光照射さ
れなかった部分５ｂにあるＤＡ化合物が重合してポリジ
アセチレン誘導体化合物へ変化し、記録層のこの部分は
第３図（Ｃ）に示すように６２０〜６６０ｎｍに最大吸
収波長を有する青色の膜６ｂへと変色する。

一方、先の光書き込み時において赤外線照射された部分
５ａでは、前述したように、ＤＡ化合物の光秩序配向性
が乱されているので、ＤＡ化合物の重合反応が起きに＜
＜、この部分では、非照射部５ｂにおけるような青色膜
への変色は起こらない、従って、先の書き込み時に形成
されたＷＩ＃像罹分Ｓａｊ士はぼ無弘襦１１か当期の肥
値層の色のままでこの紫外線照射処理によって青色化し
た膜６ｂ中に残され、青色ｇ６ｂと光学的に１別可能な
自ぬき部６ａとして顕像化される。

なお、この紫外線の照射による処理が終了した後に、必
要に応じて記録層２を約５０℃以上に加熱してやれば、
青色膜６ｂ中のポリジアセチレン誘導体化合物が先に述
べたように赤色へ変色するので、潜像上して記録Ｍ２に
書き込まれた記録情報を赤色膜中の白ぬき部６ａとして
顕像化することができる。

この記録層の加熱処理には、ヒーター等の加熱手段を用
いて、あるいは記録層には輻射線を吸収して発熱するＡ
Ｚ化合物が含有されているので赤外線等の輻射線を記録
層に照射するなどして実施することができる。

以上、一層混合系の記録層を有する記録媒体を用いた場
合の本発明の光記録方法について説明したが、第２図に
示したような二層分離系の記録層を有した記録媒体を用
いる場合には。

レーザービームの結像点３は、第４図（Ａ）に示すよう
にＡＺ化合物を含む層２ｂとされる。

このようにレーザービーム４が照射されると、層２ｂに
含まれたＡＺ化合物がレーザービーム４を吸収して発熱
し、この発熱によってＤＡＡ合物を含む層２ａの結像点
３上の部分が溶融し、上述した程度に従って第４図（Ｂ
）に示すように潜像５ａが形成される。この潜像は上述
した紫外線の照射処理によって、また更に必要に応じた
加熱処理によって、ｆｆ１４図（Ｃ）に示すような青若
しくは赤色の１ｌＱ６ｂと光学的に１別可能な白ぬき部
６ａとして顕像化することができる。

なお、光記録媒体としては、上述の例では円盤状のディ
スク（光ディスク）が用いられたが、もちろん、ＤＡＡ
合物およびＡＺ化合物を含有する記録層を支持する基板
の種類により、光テープ、光カード等も使用できる。

〔発明の効果〕

本発明の光記録方法の効果を以下に列挙する。

（１）記録層にＡＺ化合物とジアセチレン誘導体化合物
とが組合わされて用いられているので、小塑軽斌の半導
体レーザーを用いて光書込みが可能であり、しかも記録
情報は記録媒体に潜像として記録され、その後必要に応
して任意に記録情報を顕像化して読み取ることができる
。

（２）少なくともジアセチレン誘導体化合物が単分子膜
味たはその累積膜となって記録層を構成しているために
、記録層の構成成分は高密度で高度な秩序性を有し、記
録層は均質かつ表面性良く形成されている。その結果、
高密度、高感度での安定性に優れた高品質な光記録が実
施できる。

（３）高度に均質な大面積の記録層を有する安価な記録
媒体を用いた光記録が可能となる。

〔実施例〕

以下１本発明を実施例に基づきより詳細に説明する。

実施例１ −Ｃ０ＯＨで表わさ□れるジアセチレン誘導体化合物１
重量部と前記の染料Ｎｏ、ｌで表やされるＡＺ化合物１
５重量部とをクロロホルムに３×１０−３モル／ＩＬの
濃□度で溶解□した溶液を、ｐＨが６．５で塩化カドミ
ニウム濃度がｌＸｌ０’−３−１−ル／ｌの水相上に展
゛開した。溶媒のクロロホル□　　ムを除去した後、表
面圧を一定に保ちながら、十分に洗浄し、表面が親木性
と、なっているガラス基板を、水面を横切る方向に上下
速度１．０ｃ　ｍ　７分で静かに上下させ、ＤＡ化化合
物物ＡＺ化合物との混合単分子膜を基板上に移しとり、
混合単分子膜ならびに５層、２１層、４１Ｗｊ、１０１
層および２０１！に累積した混合単分子累積膜を基板上
に形成した記録媒体を作成した。

このようにして得た記録媒体を用いて、以下のようにし
て本発明の光記録方法を実施した。

まず、上記の記録媒体のそれぞれに、８３０層ｍの波長
の半導体レーザー（レーザービーム径；Ｉ＃Ｌｍ、ＷＡ
射時、間；　２００　ｎ　ｓ　／　１ドツト。

出力３　ｍ　ｗ　）を記録情報にしたがい照射し、潜像
を、形成した。その際、記録媒体の光照射部には見掛は
上の変化は認められなかった。

次に、この半導体レーザーによる書き込みが５、終了し
た後、記録媒体に２５４層ｍの波長の紫外線を均一かつ
十分に照射した。すると、記ＱＢ体の記録層の先の書き
込み時に半導体レーザーが照射された部分以外の部分が
青色に変色し、先に形成した潜像、すなわち半導体レー
ザーの照射部位が白めさとなったネガ像がＷＪｇＩｌ化
された。

この記録結果の評価を、第１Ａ表に示した。

評価は、感度、画像解像度及び白ぬき部と周辺とのコン
トラストの良否の総合評価により判定し、特に良好なも
のを０、良好なものを０、記録ができないまたは不良な
ものをＸとした。

実施例２ ジアセチレン誘導体化合物の量を１正門部、ＡＺ化合物
の是をｌθ重重是としたことを除き、実施例１と同様の
方法により記録媒体を作成した。

このようにして得た記録媒体に、実施例１と同様にして
、光記録を実施した後、記Ｑ媒体に２５４ｎｍの紫外線
を均一かつ十分に照射してネガ像を顕像化し、これを評
価した。その結果を、第１Ａ表に示す。

実施例３ ジアセチレン誘導体化合物の量を１重量部。

ＡＺ化合物の是を５重量部としたことを除き。

実施例１と同様の方法により記録媒体を作成した。

このようにして得た記Ｉ：１媒体に、実施例１と同様に
して、光記録を実施した後、記録媒体に２５４ｎｍの紫
外線を均一かつ十分に照射してネガ像を＆ＩＯ像化し、
これを評価した。その結果を、第１Ａ表に示す。

実施例４ ジアセチレン誘導体化合物の星を１重足部、ＡＺ化合物
の是を１重り１部としたことを除き、実施例１と同様の
方法により記録媒体を作成した。

このようにして得た記録媒体に、実施例１と同様にして
、光記録を実施した後、記録媒体に２５４ｎｍの紫外線
を均一かつ十分に照射してネガ像を顕像化し、これを評
価した。その結果を、第１Ａ表に示す。

実施例５ ジアセチレン誘導体化合物の量を５ｆｆｉ９９部、ＡＺ
化合物の量を１重量部としたことを除き、実施例１と同
様の方法により記録媒体を作成した。

このようにして得た記録媒体に、実施例１と同様にして
、光記録を実施した後、記録媒体に２５４ｎｍの紫外線
を均一かつ十分に照射してネガ像を顕像化し、これを評
価した。その結果を、第１Ｂ表に示す。

実施例６ ジアセチレン誘導体化合物の量を１０ｉｉ量部、ＡＺ化
合物の量を１重量部としたことを除き、実施例１と同様
の刃稜により記録媒体を作成した。

このようにして得た記録媒体に、実施例１と同様にして
、光記録を実施した後、記録媒体に２５４ｎｍの紫外線
を均一かつ十分に照射してネガ像を顕像化し、これを評
価した。その結果を、ｆｆｌｌＢ表に示す。

実施例７ ジアセチレン誘導体化合物の量を１５＠量部、ＡＺ化合
物の量を１′Ｉｋ量部としたことを除き、実施例１と同
様の方法により記録媒体を作成した。

このようにして得た記録媒体に、実施例１と同様にして
、光記録を実施した後、記録媒体に２５４ｎｍの紫外線
を均一かつ十分に照射してネガ像を顕像化し、これを評
価した。その結果第　　ＩＡ　　　表 第　　ＩＢ　　表 実施例８〜１４ 光記録及びネガ像のｗＪ像化までは、実施例１〜７まで
′□と同様に行った後、記録媒体のそれぞれを約８０″
Ｃに加熱して背景の青色を赤色に変化させたネガ像を得
た。このネガ像について実施例１と同様の基準により評
価したその結果を第２Ａ表及び第２Ｂ表に示す。

第　　２Ａ　　表 ｉ　　　２Ｂ　　　表 実施例１５ Ｃ１２Ｈ２５−ＣミＣ−ＣミＣ−Ｃ３Ｈ１６−Ｃｏｏｌ
で表わされるジアセチレンｉＡ導体化合物に代え。

Ｃ３Ｈ１７−ｃ＝ｃ−ｃミＣ−Ｃ２Ｈ４−Ｃ０ＯＨで表
わされた化合物を用いたことを除いては実施例４と同様
の方法により記録媒体を作成した。

このようにして得た記録媒体に、実施例１と同様にして
、光記録を実施した後、記録媒体に２５４ｎｍの紫外線
を均一かつ十分に照射してネガ像を顕像化し、これを評
価した。その結果を、第３Ａ表に示す。

実施例１６ 染料Ｎ　ｏ、　１で表わされるＡＺ化合物に代え、染ネ
ｑＮｏ、６で表わされるＡＺ化合物を用いたことを除い
ては実施例１５と同様の方法により記録媒体を作成した
。

このようにして得た記録媒体に、実施例１と同様にして
、光記録を実施した後、記録媒体に２５４ｎｍの紫外線
を均一かつ十分に照射してネガ像をＦｊｒＪ像化し、こ
れを評価した。その結果を、第３Ａ表に示す。

実施例１７ ２料Ｎｏ、１で表わされるＡＺ化合物に代え、染ネ４Ｎ
ｏ、８で表わされるＡＺ化合物を用いたことを除いては
実施例１５と同様の方法により記Ｑｌｌ１体を作成した
。

このようにして得た記ＱＩＩＭ体に、−５実施例１と同
様にして、光記録を実施した後、記録媒体に２５４ｎｍ
の紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を顕像化し、
これを評価した。その結果を、第３Ａ表に示す。

実施例１８ 染料Ｎ　ｏ、　１で表わされるＡＺ化合物に代え、染料
Ｎｏ、１６で表わされるＡＺ化合物を用いたことを除い
ては実施例１５と同様の方法により記録媒体を作成した
。

このようにして得た記１４２６体に、実施例１と同様に
して、光記録を実施した後、記録媒体に２５４ｎｍの紫
外線を均一かつ十分に照射してネガ像を顕像化し、これ
を評価した。その結果を、第３Ｂ表に示す。

実施例１９ 染料Ｎ　ｏ、　１で表わされるＡＺ化合物に代え。

染ネ４Ｎｏ、１２で表わされ６ＡＺ化合物を用いたこと
を除いては実施例１５と同様の゛方法により記録媒体を
作成した。

このようにして得た記Ｑ媒体に、実施例１と同様にして
、光記録を実施した後、記録媒体に２５４ｎｍの紫外線
を均一かつ十分に照射してネガ像を！ＩＯ像化し、これ
を評価した。その結果を、第３Ｂ表に示°す、　　　　
　　　゛第３Ａ表 第３Ｂ表 実施例２０ 染ネ２１Ｎｏ、ｌで表わされるＡＺ化合物ｌＯ重艮部を
ＩＬ化メチレン２０重量部に溶解して、塗布液を調整し
た。

次に、ガラス製のディスク基板（厚さ１．５　ｍ　ｍ、
直径２０ｍｍ）をスピナー塗布機に装着し、まず上記塗
布液をディスク基板の中央部に夕闇滴下した後、所定の
回転数で所定の時間スピナーを回転させて塗布し、常温
で乾燥し、基板上にＡＺ化合物を含む層を形成した。

このようにしてＡＺ化合物を含む層を形成した後、Ｃ１
２Ｈ２５−ＣＮ　Ｃ−Ｃｖ−Ｃ−Ｃ８Ｈ１６−ＣＯＯＨ
で表わされるＡＺ化合物をクロロホルムに３Ｘ１０−３
モル／ｉの濃度で溶解した溶液を、ＰＨが６．５で塩化
カドミニウム濃度がｌ×１Ｏ−３モル／ｊｌの水相上に
展開した。溶媒のクロロホルムを除去した後１表面圧を
一定に保ちながら１表面が十分に洗浄なＡＺ化合物を含
む層が形成されているガラス基、板を、水面に横切る方
向に上下速度１．０ｃｍ／分で静かに上下させ、ＡＺ化
合物を含む層の表面にＤＡ化合物の単分子膜を移しとり
、ＤＡ化合物の単分子膜またはこめ単分子膜を所定数累
積した５単分子Ｉ！積：二：：６物を唇む層上°に形竺
した記録ｉ体な−ｍ、ＡＺ化合物を含む暦の一厚と上記
の単分子膜の累積数を、第４Ａ表に示すように種々変化
１させ、試料Ｎｏ、２０−１〜２０−’２５’の２５種
の記録媒体を得た。゛。

このようにして得た記録：＆１体に、実−例１と゛同様
にして、光記録゛を実施＝シた後、記−媒鰺に２５４ｎ
ｍの紫外線を均−ｊかつ十彷に無射１てえｙｅｔ−ｍ像
化ＬＴＩ％−ゎや”評価しえ１．′ヤ。結果Ｉ身 を、第４Ｂ表に示す。

第４Ａ表 第４Ｂ表 実施例２１ Ｃ１２Ｈ２５−ＣミＣ−Ｃ＝　Ｃ−Ｃｅ　Ｈ１６−Ｃ。

ＯＨで表わされるジアセチレン誘導体化合物に代えて、
Ｃ９Ｈｔ７−　ＣミＣ−ＣミＣ−Ｃ２Ｈ４−Ｃ０ＯＨで
表わされるジアセチレン誘導体化合物を用いたことを除
いては実施例２０と同様の方法により第５Ａ表に示すよ
うな試＄４Ｎｏ、２１−１〜２１−２５の２５種の記録
媒体を得た。

このようにして得た記Ｑ媒体のそれぞれに。

まず２５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ
像をｗＪ像化し、これを評価した。その結果を、第５Ｂ
表に示す。

第　　５Ａ　　表 第　　５Ｂ　　表 実施例２２ ＡＺ化合物を含む層を形成するための塗布液に、染料Ｎ
ｏ、１で表わされるＡＺ化合物に代え、染料Ｎｏ、１８
で表わされるＡＺ化合物を用いたことを除いては実施例
２１と同様の方法により第６Ａ表に示すような試料Ｎｏ
、２２−１〜２２−２５の２５種の記録媒体を得た。

このようにして得た記録媒体のそれぞれに、実施例１と
同様にして、光記録を実施した後、記録媒体に２５４ｎ
ｍの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を顕像化し
、これを評価した。

その結果を、第５Ｂ表に示す。

第　　６Ａ　　表 第　　６Ｂ　　表 実施例２３ ＡＺ化合物豪含む層を形成するための塗布液に、染料Ｎ
ｏ、ｌで表義さ°れるＡＺ化合物に代え４、染料、Ｎｏ
、６．で表、わ４．されるＡＺ化合物を用いたことを除
、いては実施例２１と同様の方法により、、第７Ａ表に
示すような試料Ｎｏ、２３−１〜２３−２５の２６種の
記録媒体を得た。

このようにして得た記録媒体に、実施例１と同様にして
、光記録を実施した後、記録媒体に２５４ｎｍの紫外線
を均一かつ十分に照射してネガ像を顕像化し、これを評
価した。その結果を。

第７Ｂ表に示す。

第・７Ａ表 第７Ｂ表

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）及び第１図“（Ｂ）並びに第２図（Ａ）及
び第２図（Ｂ）は、本発明の方法に用いる光記録媒体の
構成の一態様を例示する＃キ模式断面図、第３図（Ａ）
〜第３図（Ｃ）及・び第４図（Ａ）〜第４図（Ｃ）は本
発明の光記録の過程を示す記録媒体の模式断面図セある
。 １：基板　　２：記録層　゛ ２ａ：Ｄ　Ａ化合物を含む層 ２ｂ：Ａ　Ｚ化合物を含む層　゛ ３：結像点 ４：レーザービーム ５ＢｗＷｌ像　　　　５ｂ：非照射部 ６ａ：白ぬき部　　６ｂ：変色部 ７：Ａ　Ｚ化合物　８：Ｄ　Ａ化合物分子特許出願人　
　キャノン株式会社 ′］ イセ　　　　ｌ瞥　　　　人　　　　　　　ｉＪ　　　
　　　　島　　　　　　儀　　　　　　−。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも親水性部位及び疎水性部位を併有する
   ジアセチレン誘導体化合物の単分子膜又はその累積膜と
   、下記一般式（ I ）で表わされる骨格を有するアズレ
   ニウム塩化合物を含む記録層を有する光記録媒体に、８
   ００〜８５０ｎｍの赤外線を記録情報に応じて照射し、
   潜像を形成する工程と、該潜像が形成された記録媒体に
   紫外線を照射して該潜像を顕像化する工程を含むことを
   特徴とする光記録方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ［式中、Ｒ＿１〜Ｒ＿７は、水素原子、ハロゲン原子又
   は１価の有機残基を表わす。］
2. （２）該潜像を有する記録媒体に紫外線照射後、さらに
   加熱して該潜像を顕像化する特許請求の範囲第１項記載
   の光記録方法。