JPS62142689A - 光記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野〕 本発明は、光記録媒体を用いた光記録方法に関し、特に
１枚の光ディスクで変色記録とピット記録との併用、す
なわち３値記録を可能とし、且つ低出力の半導体レーザ
ーを用いた場合でも、高密度、光記録が可能であり、省
エネルギーの面で有利な光記録方法に関する。

［従来の技術］ 最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスク、光カード、光テープ（以下、光ディスクと
総称する）等の光記録媒体が注目されている。

例えば、光ディスクは、１枚のディスク中に大量の文書
、文献等の整理、管理が効率良〈実施できるという利点
を有している。

このような、光デイスク技術で用いる記録層は、光学的
に検出可能な小さなドツト（例えばＩｇｍ程度）をらせ
ん状又は円形トラック形態にして、高密度情報を記憶す
ることができる。

この光デイスク技術に用いるディスクとしては、例えば
レーザーに対して感応する材料からなる記録層を基板上
に設けた構成のものが代表的である。　この光ディスク
に情報を書き込むには、レーザー感応層（記録層に集束
したレーザーを走査し、このレーザー光線が照射された
表面のみにドツトを形成させ、記録情報に応じてこのド
ツトをらせん状又は円形トラックの形態で形成する。

すなわちレーザー感応層は、レーザーエネルギーを吸収
して光学的に検出可能なドツトを形成できる０例えば、
ヒートモード記録方式では、レーザー感応層は熱エネル
ギーを吸収し、その箇所に蒸発又は融解による小さな凹
部（ピット）からなるドツトを形成できる。

また、別のヒートモード記録方式では、照射されたレー
ザーエネルギーの吸収により、その箇所に光学的に検出
可能な変色部からなるドツトを形成できる。

この光ディスクに記録された情報は、レーザーをトラッ
クに沿って走査し、ドツトが形成された部分と形成され
なかった部分の光学的変化を読み取ることによって検出
される０例えば、基板の反射面上に記録層を設けた構成
のディスクを用いた場合には、レーザーがトラックに沿
って走査され、ディスクによって反射されたエネルギー
がフォトディテクターによってモニターされる。その際
、ピット記録の場合には、ピットが形成されていないと
ころでは、フォトディテクターの出力は低下し、一方ピ
ットが形成されているところでは、レーザー光線は下層
の反射面によって充分に反射されフォトディテクターの
出力は大きくなる。

このような光ディスクの記録層としては、従来からアル
ミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマス薄膜、酸化テ
ルル薄膜やカルコゲナイド系非晶質ガラス膜などの無機
物質を主に用いたものなど各種のものが検討されてきた
が、価格、製造の容易さから有機材料を用いたものが注
目されている。

一方、従来のヒートモード方式は、ドツトを形成するか
しないかの２値記録であるため、より高密度な記録を実
施する上で限界があった。

［発明が解決しようとする問題点］ 木発明は、かかる従来の問題点を解決するためになされ
たものであり、本発明者らはアズレニウム塩化合物とジ
アセチレン誘導体化合物とを組合せて光記録媒体に記録
層を形成することによって、１枚の光ディスクで変色記
録とピット記録とが可能であり、しかも低出力の半導体
レーザーを用いた場合でも変色記録とピット記録とを同
程度の速さで行うことを見出し本発明を完成した。

本発明の目的は、１枚の光ディスクで２種のドツトによ
る３値記録を可能とする光記録方法を提供することにあ
る。

本発明の他の目的は、小型軽量で低出力の半導体レーザ
ーにより光書込みが可能であり、且つ高速記録が可能な
光記録方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度での記録が可能な
光記録方法を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な記録
画像を得ることのできる光記録方法を提供することにあ
る。

［問題点を解決するための手段］ 上記の目的は、以下の本発明によって達成されと下記一
般式（１）で表わされる骨格を有するアズレニウム塩化
合物を含む記録層を有して成る光記録媒体に、記録情報
に応じて露光量を制御した光を照射し、露光量Ｑ１の光
で変色を起こし、露光量Ｑｌの光で凹部からなるピット
を形成する工程（ただし、Ｑ、＜　Ｑ２）を含むことを
特徴とする光記録方法である。

スｔ ［作用］ 本発明の方法に用いる光記録媒体に含有されるジアセチ
レン誘導体化合物（以下、ＤＡ化合物と略称する）とは
、下記一般式 ％式％ （式中、Ｒ及びＲ１は、極性基；極性基で置換されてい
ても良いアルキル基、シクロヘキシル基のような飽和脂
肪族炭化水素基；極性基で置換されていても良いビニル
基、プロペニル基のようなオレフィン系炭化水素基；又
は極性基で置換されていてモ良いフェニル基、ナフチル
基、アルキルフェニル基のような芳香族炭化水素基であ
り、ここでいう極性基としては、例えばカルボキシル基
又はその金属もしくはアミン塩、スルホン酸基又はその
金属もしくはアミン塩、スルホアミド基、アミド基、ア
ミノ基、イミノ基、ヒドロキシ基、オキシアミノ基、ジ
アゾニウム基、グアこジン基、ヒドラジン基、リン酸基
、ケイ酸基、アルミン酸基、ニトリル基、チオアルコー
ル基、ニトロ基及びハロゲン原子が挙げられる）で表わ
される化合物及びこれらの重合体（ポリジアセチレン化
合物）である。

一方、本発明で用いる前記一般式（１）で表わされる骨
格を有するアズレニウム塩化合物（以下、ＡＺ化合物と
略称する）は、？５０ｎｍ以上の波長域に吸収ピークを
有し、この波長の赤外線により発熱する化合物である。

前記一般式（１）を含むＡＺ化合物は、次の３種に分類
できる。

（■Ｉ）〜（Ｉｖ）ニ示す化合物において、ＩＪ〜Ｒｒ
ｌは、水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機残基を表
わす。

１価の有機残基としては、アルキル基、アルコキシ基、
置換もしくは未置換アリール基、アシル基、置換もしく
は未置換アミノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、カルボキ
シル基、シアノ基又は置換もしくは未置換アリールアゾ
基を挙げることができる。

Ａは２型詰合によって結合した２価の有機残基を表わし
、以下に具体例を示す。

Ｚｏは、バークロレート、フルオロポレート、Ｐｉミル
エンスルホネートパーアイオダイド、クロライド、ブロ
マイド又はアイオダイドなどのアニオン残基を表わす。

本発明に用いるＡＺ化合物の具体例を以下に示す・ ＣＨ３ しＨ３ ＣＨ３／ 本発明に用いる光記録媒体は、前記ＤＡ化合物とＡＺ化
合物とを含有してなり、１層温合系、２層分離系又は多
層積層系のいずれの構成でも良い。

ここで１層温合系とは、［ｌＡ化合物とＡＺ化合物との
混合層からなるものを、２層分離系とは、ＤＡ化合物を
含む層とＡＺ化合物を含む層とが分ａ精層されているも
のを、多層積層系とは、ＤＡ化合物を含む層の１以上と
、ＡＺ化合物を含む層の１以上とが、所定の層数積層さ
れた、上記２層分離系を含まない構成のものをそれぞれ
いう。

本発明に用いる光記録媒体の代表的な構成を第１図（ａ
）　（ｂ）、第２図（ａ）　（ｂ）に示す。

第１図（ａ）　（ｂ）は、１層温合系の記録層Ｉ５が基
板ｌｌ上に設けられているものであり、第２図（ａ）　
（ｂ）は、２層分離系、すなわちＯＡ化合物を含む層１
５−１とＡＺ化合物を含む層１５−２とからなる記゛録
層１５が基板ｌｌ上に設けられているものである。

記録層１５を形成するには、代表的には、１層温合系の
場合には、ＯＡ化合物の結晶微粉末及びＡＺ化合物とを
適当な揮発性溶媒に溶解して塗布液を作成し、この塗布
液を基板１１上に塗布して、また２層分離系もしくは多
層積層系の場合には、ＯＡ化合物の結晶微粉末を含む塗
布液と、ＡＺ化合物を含む塗布液とを別々に調製し、こ
れらを基板１１に所定の順序で塗布すれば良い。

本発明に用いる光記録媒体の基板１１としては、ガラス
、アクリル樹脂のプラスチック板、ポリエステル等のプ
ラスチックフィルム、紙、金属等の各種の材料が使用で
きるが、基板側から輻射線を照射して記録を実施する場
合には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを用い
る。

１層温合系の記録層の形成に用いる塗布液の溶媒は、一
般に、使用するバインダの種類やＯＡ化合物とＡＺ化合
物の種類によって適時選択されるが、一般に、メタノー
ル、エタノール、インプロパツール等のアルコール類、
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等の
ケトン類。

Ｎ、　Ｎ−ジメチルホルムアミド、８Ｎ−ジメチルアセ
トアミド等のケトン類、ジメチルスルホキシド等のスル
ホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル等のエーテル類、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、クロ
ロホルム、塩化メチレン、ジクロロエチレン、四塩化炭
素、トリクロロエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素
類、ベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼ
ン、ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素類等が挙げら
れる。

また、２層分離系もしくは多層積層系の形成に用いる塗
布溶液の溶媒として、メタノール、エタノール、イソプ
ロパツール等のアルコール類、アセトン、メチルエチル
ケトン、シクロへキサノン等のケトン類、アセトニトリ
ル等の脂肪族ニトリル類、クロロホルム、塩化メチレン
、ジクロロエチレン、四塩化炭素、トリクロロエチレン
等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類等が挙げられ、塩化メ
チレン、アセトニトリルが特に好適である。

また、ＯＡ化合物の好適な分散媒としては、ｎ−ヘキサ
ン、ｎ−へブタン、ｎ−オクタン、シクロヘキサン等の
脂肪族炭化水素類等が挙げられる。　尚。

各塗布液には、基板１１あるいは他の層との密着性を向
上させるために、適時天然もしくは合成高分子からなる
バインダを添加しても良い、また、記録層１５の安定性
、品質向上を計るために各種の添加剤を加えても良い。

このような塗布液の基板１１上への塗工は、スピンナー
回転塗布法、浸漬コーティング法、スプレーコーティン
グ法、ピードコーティング法、ワイヤーバーコーティン
グ法、ブレードコーティング法、ローラーコーティング
法、カーテンコーティング法等の手法が用いられる。

記録層１１が１層温合系の場合は、その膜厚は、４００
Ａ〜２ル程度が適しており、特に１０００〜５０００Ａ
の範囲が好ましい、また２層分離系の場合の各層の膜厚
は、２００Ａ−１ｍ程度が適しており、特に２００〜５
０００Ａの範囲が好ましい。更に、多層積層系の場合に
は、個々の［］Ａ化合物を含む層の膜厚の総和及び個々
のＡＺ化合物を含む層の膜厚の総和がともに、１００Ａ
〜１ル程度が適しており、特に２００〜５０００Ａの範
囲が好ましい。

記録層１１内でのＤＡ化合物とＡＺ化合物との混合比は
　１／１５〜　＋５／１程度が好ましく、最適には１／
１０〜１０／ｌである。

尚、必要に応じてこのように構成される記録層の上に各
種の保護層を設けても良い。

また、２層分離系や多層積層系の場合の各層の積層順序
に関係なく、本発明は成立するものである。

このようにして構成される記録媒体を用いて本発明の光
記録方法を実施することができる。

この記録媒体においては、　ＯＡ化合物に光を加えるこ
とにより、記録層の吸収波長が変化して見掛けの色が変
化する。すなわち、　ＯＡ化合物は、初期にはほぼ無色
透明であるが、紫外線を照射すると重合し、ポリジアセ
チレン誘導体化合物へと変化する。この重合は紫外線照
射によってのみ起こり、熱等の他の物理的エネルギーの
印加によっては生じない、この重合の結果、６２０〜８
８０ｎｍに最大吸収波長を有するようになり、青色ない
し暗色へと変化する。この重合に基づく色相の変化は不
可逆変化であり、一度青色へ変化した記録層は無色透明
膜へとは戻らない。

更に、この青色へと変化したポリジアセチレン誘導体化
合物とＡＺ化合物とを含有した記録層は、照射された光
の露光量に応じた温度で発熱する。

その際、記録層１５が溶融せず、且つポリジアセチレン
誘導体化合物が約５０℃以上に加熱された場合には、記
録層の露光部は約５４０ｎｍに最大吸収波長を有するこ
とになり、赤色膜へと変化する。尚、この赤色膜への変
化も不可逆変化である。

更に、露光量を上昇させ、露光量がある限度を越えると
記録層の露光部は溶融する。

本発明の記録方法は、このようなＯＡ化合物とＡＺ化合
物との組合せによって得られる特性を利用して記録を実
施するものである。

本発明の方法に用いる半導体レーザーとしては、出力波
長８２０〜８４０ｎｍのＧａ’Ａｓ接合レーザーを使用
するのが特に好適である。

本発明の方法を実施するに際して、光記録媒体としてＯ
Ａ化合物とＡＺ化合物とを含有させて構成した記録層を
有するものを用いる場合には、先ず、記録層全体に紫外
線を照射する。この紫外線の照射によって、前述したよ
うに記録層中ＯＡ化合物が重合し、ポリジアセチレン誘
導体化合物へ変化し、記録層は青色の膜へと変色する。

一方、入力情報は、制御回路を経て半導体レーザーによ
り光信号に変換される。この光信号は光学系を経て、例
えば光記録媒体載置手段上に載置され、同期回転してい
る記録媒体の所定の位置に第１図（ａ）に示すように結
像される。結像位置は記録媒体の記録層１５である。

結像点（部位）　１８−１．１８−２における露光量は
、変色記録のための、ポリジアセチレン誘導体化合物が
約５０°Ｃ以上に加熱されるが、記録層１５を溶融しな
い程度の温度にするのに充分な量（Ｑｌ）と、ピット記
録のための記録Ｍ１５を溶融するのに充分な量（Ｑｚ）
とに制御される（但し、Ｑ、＜Ｑえ）。

このように結像点の露光量を変化させるには、半導体レ
ーザーの強度を変化させるか、レーザーの照射時間を変
化させる、もしくはこれらを併用するなどの方法を用い
ればよい。尚、２種の露光量の照射を実施するに際して
は、１台の半導体レーザーを用いて上記のような制御を
行っても良いし、異なる露光量の得られる複数の半導体
レーザーを用いても良い。

結像点（部位）　１８−１１８−２に存在するＡＺ化合
物は、このレーザービーム１７−１１７−２を吸収し発
熱する。

ここで、前述したＱ（の露光量を受けた結像点１８−１
は、ＡＺ化合物の発熱によりポリジアセチレン誘導体化
合物が加熱されるので赤色に変化して、未露光部の青色
と識別可能な変色部からなるドツト１８となる。尚、Ｏ
Ａ化合物のみからなる記録層を有する光記録媒体では、
ポリジアセチレン誘導体化合物がこの８００〜８５０ｎ
ｍの波長のレーザーに対する感応性を有していないので
、この波長の半導体レーザーを用いた場合には、変色に
よる光記録は不可能である。

一方、前述したＱλの露光量を受けた結像点１日−２は
、ＡＺ化合物の発熱によりその部分が溶融し、第１図（
ｂ）に示すように四部からなるピットが形成される。

その際、本発明に用いる記録媒体の記録層１５は、前述
のようにＡＺ化合物にポリジアセチレン誘導体化合物が
組合わされて構成されているので、すなわちポリジアセ
チレン誘導体化合物が存在することにより、記録層の溶
融に要するエネルギーを著しく減少させることができ、
ＡＺ化合物による上述のピット形成が大幅に促進される
。

このようにして入力情報に応じて記録層１５に変色部１
９とピット２０の２種の形態の異なるドツトによる光記
録、すなわち３値記録が実施される。しかも、本発明に
用いる光記録媒体は、変色記録及びピット記録双方に対
し、高感度を有しているので、このような３値記録を高
速で行うことができる。

以上、１層温合系の記録層を有する光記録媒体を用いた
場合について説明したが、第２図（ａ）　（ｂ）に示し
たような２層分離系を用いた場合には、結像点１８−１
１８−２は、第２図（ａ）に示すようにＡＺ化合物を含
む層１５−２とされる。このようにレーザー１７−１１
７−２が照射されると、記録情報に応じた結像点１８−
１１８−２　＋７）露光量Ｑ１、ＱＺニ応じテＡＺ化合
物が発熱し、第２図（ｂ）に示すように変色部からなる
ドツト１９又は凹部からなるピット２０が形成される。

以上のようにして記録された２種のドツトは、所望によ
り、両者を一度にあるいは一方のみを読取ることができ
る。

尚、光記録媒体としては、上述の例では円盤上のディス
ク（光ディスク）が用いられたが、もちろん、ＯＡ化合
物とＡＺ化合物を含有する記録層を支持する基板の種類
により、光テープ、光カード等としても使用できる。

［実施例］ 本発明を更に具体的に説明するために、以下に実施例を
挙げる。

実施例１ ｃ、ｚＨｚｔ−ｃ＝ｃ−ｃ＝ｃ−ｃ＆Ｈｉ４−ｃｏｏｎ
で表わされるジアセチレン誘導体化合物結晶微粉末１重
量部と前記の染料ＮＯ，１で表わされるアズレニウム塩
化合物１重量部とを塩化メチレン４重量部中に添加し、
充分攪拌したものを塗布液として準備した。

次に、ガラス製のディスク基板（厚さ　１．５＋ａｍ。

直径２００ｍｍ）をスピナー塗布機に装着し、前記塗布
液をディスク基板の中央部に少量滴下した後、所定の回
転数で所定の時間スピナーを回転させて塗布し、常温で
乾燥し、基板上の乾燥膜厚が、５００λ、　１００ＯＡ
、２００ＯＡである記録媒体をそれぞれ作成した。

このようにして得た記録媒体に、まず２５４ｎｍの紫外
線を均一かつ充分に照射し、記録層を青色膜にした。

次に、この青色膜化された記録層を有する記録媒体に、
レーザービームの出力が可変可能な８３０ｎｍの半導体
レーザー（最大出カニ　１０ｍＷ、レーザービーム径：
１ｐｍ、照射時間：　２００ｎｓ／１ビツト）を入力情
報に従い照射し、本発明の光記録を実施した。尚、ピッ
ト記録指令の時は、レーザー出力を８ｍＷとし、変色記
録指令の時は、レーザー出力を４ｍＷとした。

この記録結果の評価を第１表に示す。

評価はピット及び変色の両方の記録における感度、解像
度、記録部と未記録部とのコントラスト比（鮮明性）に
ついて総合的に評価し、特に良好なものをＯ１良好なも
のをＯ１記録ができないか又は不良なものを×とした。

実施例２ ジアセチレン誘導体化合物の量を５重量部、アズレニウ
ム塩化合物の量を１重量部、塩化メチレンの量を１２重
量部とした混合溶液を塗布液として使用したことを除き
、実施例１と同様の方法により記録媒体を得、これに記
録を行い、評価した。

その記録結果を第１表に示す。

実施例３ ジアセチレン誘導体化合物の量を１重量部、アズレニウ
ム塩化合物の量を１重量部、塩化メチレンの量を４重量
部とし、更にニトロセルロース２重量部をバインダとし
て使用したことを除き、実施例１と同様の方法により記
録媒体を得、これに光記録を行い、その記録結果を評価
した。この結果を第１表に示す。

実施例４ Ｇ、２Ｈ六−ｃ＝ｃ−ｃ＝ｃ−ｃ３ｏ、ｌｌ−ｃｏｏＨ
で表わされるジアセチレン誘導体化合物に代え、ＣＢＨ
，７−Ｃ″＝ｃ−ｃ＝ｃ−ｃユＨダーＣ００Ｈで示され
る化合物を用いたことを除いては実施例１と同様の方法
により記録媒体を得、これに光記録を行い、その記録結
果を評価した。この結果を第１表に示す。

実施例５ 染料Ｎｏ、　　ｌで表わされるアズレニウム塩化合物に
代え、染料Ｎｏ、　６で表わされるアズレニウム塩化合
物を用いたことを除いて実施例４と同様の方法により記
録媒体を得、これに光記録を行い、その記録結果を評価
した。この結果を第１表に示す。

実施例６ 染料Ｎｏ、　　１で表わされるアズレニウム塩化合物に
代え、染料Ｎｏ、　１４で表わされるアズレニウム塩化
合物を用いたことを除いて実施例４と同様の方法により
記録媒体を得、これに光記録を行い、その記録結果を評
価した。この結果を第１表に示す。

実施例７ 染料Ｎ０１１で表わされるアズレニウム塩化合物をジク
ロロエチレン１０重量部に溶解し、塗布液Ａとした。

これとは別に　Ｃ，２Ｈ席−Ｃ−ｉｃニーＣ；Ｃ−Ｃｇ
　Ｈｌｂ−ＣＯＯＨで表わされるジアセチレン誘導体化
合物結晶微粉末１重量部をベンゼン１０重量部に添加し
て充分攪拌して塗布液Ｂとした。

次に、ガラス製のディスク基板（厚さ　１．５ｍｍ。

直径２００ｍｍ）をスピナー塗布機に装着し、前記塗布
液をディスク基板の中央部に少量滴下した後、所定の回
転数で所定の時間スピナーを回転させて塗布し、常温で
乾燥し、基板上に塗布液Ａを塗布してアズレニウム塩化
合物を含む層を形成した。

ついで、この基板を再びスピナー塗布機に装着し、前記
塗布液Ｂを基板上のアズレニウム塩化合物を含む層の表
面に前述と同様の方法でジアセチレン誘導体化合物を含
む層を積層し記録層とした。尚、各層の膜厚が２００Ａ
　１００ＯＡである記録媒体をそれぞれ作成した。

このようにして得た記録媒体に、まず２５４ｎｍの紫外
線を均一かつ充分に照射し、記録層を青色膜にした。

次に、この青色膜化された記録層を有する記録媒体に、
実施例１と同様にして光記録を実施し。

これを評価した。その結果を第２表に示す。

実施例８ Ｃ＋ｌＨ止Ｃ百Ｃ−Ｃ；Ｃ−ＣｇＨｌｌｌ−ＣＯＯＨで
表わされるジアセチレン誘導体化合物に代え、Ｃ２Ｈ１
クーＣＨＣ−ＣＨＣ−Ｃ，、？Ｈダグ−００Ｈで示され
る化合物を用いたことを除いては実施例７と同様の方法
により記録媒体を得、これに光記録を行い、その記録結
果を評価した。この結果を第２表に示す。　　　　。

実施例９ 染料Ｎｏ、　　ｌで表わされるアズレニウム塩化合物に
代え、染料Ｎ００８で表わされるアズレニウム塩化合物
を用いたことを除いて実施例７と同様の方法により記録
媒体を得、これに光記録を行い、その記録結果を評価し
た。この結果を第１表に示す。

第１表 第　１　表（続き） 第　　２　　表 本ｌ　：変色記録、木２　：ピット記録［発明の効果］ 本発明の光記録方法の効果を以下に列挙する。

（１）記録層に７ズレニウム塩化合物とポリジアセチレ
ン誘導体化合物とが組合わされて含有されいるので、小
型軽量の半導体レーザーを用いて１枚の記録媒体で変色
記録とピット記録とを所望により行うことができる。す
なわち、１枚の記録媒体で３値記録による高密度記録が
可能である。しかも、記録層は、変色記録とピット記録
のどちらにおいても高感度であり、高速記録が可能であ
る。

（２）記録層が均質かつ表面性良く形成されているので
、安定性に優れ高品質の光記録が実施できる。

（３）高度に均質な大面積の記録層を有する安価な記録
媒体を用いた光記録が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａＯｂ）は、本発明の方法に用いる光記録媒体
の構成（１層温合系）の一実施態様及び光記録プロセス
を例示する模式断面図、第２図（ａ）　（ｂ）は、本発
明の方法に用いる光記録媒体の構成（２層分離系）の一
実施態様及び光記録プロセスを例示する模式断面図であ
る。 １１：基板　　１５：記録層 １５−１　：　ＤＡ化合物を含む層 １５−２　：　ＡＺ化合物を含む層 １７−１　：霧光量Ｑ１のレーザービーム１７−２　：
露光量Ｑ、のレーザービーム１８−１，２　：露光部（
結像部） １８：変色部 ２０：ピット

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ポリジアセチレン誘導体化合物と下記一般式（ I ）で
   表わされる骨格を有するアズレニウム塩化合物を含む記
   録層を有して成る光記録媒体に、記録情報に応じて露光
   量を制御した光を照射し、露光量Ｑ＿１の光で変色を起
   こし、露光量Ｑ＿２の光で凹部からなるピットを形成す
   る工程（ただし、Ｑ＿１＜Ｑ＿２）を含むことを特徴と
   する光記録方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１〜Ｒ＿７は、水素原子、ハロゲン原子又
   は１価の有機残基を表わす。）