JPH02204088A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
光学的情報記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザ光線によって情報を記録、再生するこ
とのできる光学的情報記録媒体に係り、特に、ナフタロ
シアニン化合物の相変化により可逆的に記録再生消去す
る光学的情報記録媒体に関する。
とのできる光学的情報記録媒体に係り、特に、ナフタロ
シアニン化合物の相変化により可逆的に記録再生消去す
る光学的情報記録媒体に関する。
近年、有機系材料を用いた書き換え可能である、いわゆ
る、Ｅ−Ｄ、ＲＡＷ型の光記録には、フォトクロミズム
現象を用いた方法が、数多く報告されている。このフォ
トクロミズム現象とは、ある化合物に日光、あるいは、
水銀灯の光のように紫外線を含む光を照射する速やかに
色が変わり、光の照射をやめて暗所におくと、元の色に
変わる可逆的作用のことである。この性質をもつ化合物
はフォトクロミンク化合物と呼ばれ、下記の構造式（但
し、Ｒ＋、Ｒｚは種々の置換基ン で示される１、３．３〜トリメチルインドリノベンゾス
ピロビラン誘導体が、最も注目されてきている。即ち、
この化合物は、ベンゼン、トルエン等の無極性溶媒中で
は太陽光、または、紫外線を照射すると無色から青色に
すみやかに変化し、暗所で放置、又は、可視光の照射に
よりもとの無色に戻る。しかし、これらの化合物はエチ
ルアルコール、メチルアルコール、アセトン、アセトニ
トリル、ジメチルホルムアミド等の極性溶媒に溶かした
ときは一般に赤ないし赤紫色をしており、この溶媒に紫
外線を照射してもそれ１よと顕著なフォトクロミニ、ｌ
り作用を呈しない。また、高分子マトリックス中でも、
この化合物はそれほど顕著なフォトクロミック作用を呈
さず、特に、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、
ポリ （アリルグリコールカーボネート）など極性基を
もつ高分子マトリックス中では赤ないし赤紫色をしてお
り、紫外線を照射しても充分なフォトクロミック作用が
認められない、さらに、上述のような高分子７１〜リツ
クス中で（ＩＩ）の化合物は、その発色構造がマトリッ
クス中で安定化されてしまうため、その退色スピードが
極端に遅くなってしまうという欠点がある。
る、Ｅ−Ｄ、ＲＡＷ型の光記録には、フォトクロミズム
現象を用いた方法が、数多く報告されている。このフォ
トクロミズム現象とは、ある化合物に日光、あるいは、
水銀灯の光のように紫外線を含む光を照射する速やかに
色が変わり、光の照射をやめて暗所におくと、元の色に
変わる可逆的作用のことである。この性質をもつ化合物
はフォトクロミンク化合物と呼ばれ、下記の構造式（但
し、Ｒ＋、Ｒｚは種々の置換基ン で示される１、３．３〜トリメチルインドリノベンゾス
ピロビラン誘導体が、最も注目されてきている。即ち、
この化合物は、ベンゼン、トルエン等の無極性溶媒中で
は太陽光、または、紫外線を照射すると無色から青色に
すみやかに変化し、暗所で放置、又は、可視光の照射に
よりもとの無色に戻る。しかし、これらの化合物はエチ
ルアルコール、メチルアルコール、アセトン、アセトニ
トリル、ジメチルホルムアミド等の極性溶媒に溶かした
ときは一般に赤ないし赤紫色をしており、この溶媒に紫
外線を照射してもそれ１よと顕著なフォトクロミニ、ｌ
り作用を呈しない。また、高分子マトリックス中でも、
この化合物はそれほど顕著なフォトクロミック作用を呈
さず、特に、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、
ポリ （アリルグリコールカーボネート）など極性基を
もつ高分子マトリックス中では赤ないし赤紫色をしてお
り、紫外線を照射しても充分なフォトクロミック作用が
認められない、さらに、上述のような高分子７１〜リツ
クス中で（ＩＩ）の化合物は、その発色構造がマトリッ
クス中で安定化されてしまうため、その退色スピードが
極端に遅くなってしまうという欠点がある。
また、米国特許第３５６２１．７２号、第３５１’８６
０２号、第４２１５０１０号、第４３４２６６８号の各
明細書に記載されているようなスピロ（インドリン）ナ
フトオキサジン化合物は、上に示したような溶媒、ある
いは。
０２号、第４２１５０１０号、第４３４２６６８号の各
明細書に記載されているようなスピロ（インドリン）ナ
フトオキサジン化合物は、上に示したような溶媒、ある
いは。
高分子マトリックスの影響を受けず、その退色スピード
も早い、しかし、この人ピロ（インドリン）ナフトオキ
サジン化合物は、そのフォトクロミック作用が溶媒中、
あるいは、高分子マトリックス中で１０〜１５℃付近で
顕著であるが、室温付近（２０〜３０℃）、あるいは、
それより高温域（３０−４０℃）ではあまり顕著ではな
い。
も早い、しかし、この人ピロ（インドリン）ナフトオキ
サジン化合物は、そのフォトクロミック作用が溶媒中、
あるいは、高分子マトリックス中で１０〜１５℃付近で
顕著であるが、室温付近（２０〜３０℃）、あるいは、
それより高温域（３０−４０℃）ではあまり顕著ではな
い。
可逆記ｔ？ｉ用材料としては、記録が速やかに行われ、
その記録の保存安定性が重要になる。
その記録の保存安定性が重要になる。
先にあげた従来のフォトクロミンク化合物については、
スピロ（インドリン）ナフトオキサジン化合物のように
、可逆的変化が早い、つまり２記録層度が早いという反
面材料自身の安定性にかけ、また、室温付近でさえ記録
状態が不安定などの欠点があるものが多い。
スピロ（インドリン）ナフトオキサジン化合物のように
、可逆的変化が早い、つまり２記録層度が早いという反
面材料自身の安定性にかけ、また、室温付近でさえ記録
状態が不安定などの欠点があるものが多い。
このように、優れた可逆的な光情報記録材料としての条
件を全て満たすような材料は、現在のところほとんど見
られない。
件を全て満たすような材料は、現在のところほとんど見
られない。
本発明の目的は、記録媒体自身の安定性がよく、かつ、
記録状態の保存安定性に優れ、′／ｅ４去可能な光情報
記録媒体を提供することにある。
記録状態の保存安定性に優れ、′／ｅ４去可能な光情報
記録媒体を提供することにある。
発明者らは、従来技術の課題を解決するため鋭意検討を
行なった結果、ナフタロシアニン化合物が熱安定性に優
れ、かつ、記録状態の保存安定性に優れていることを見
出した。これを用いた光学的情報記録媒体が可逆的な記
録層の相変化によって、記録再生消去することを見出し
、本発明に至った。
行なった結果、ナフタロシアニン化合物が熱安定性に優
れ、かつ、記録状態の保存安定性に優れていることを見
出した。これを用いた光学的情報記録媒体が可逆的な記
録層の相変化によって、記録再生消去することを見出し
、本発明に至った。
即ち、本発明の目的は、基板りに設ける情報記録層が次
式（Ｉ）で表されるナフタロシアニン化合物を含有する
光学的情報記録媒体を提供することにある。
式（Ｉ）で表されるナフタロシアニン化合物を含有する
光学的情報記録媒体を提供することにある。
（式中２Ｍは一価又は三価の金属、金属の酸化物。
ハロゲン化物、または、水酸化物を表す）（Ｉ）式で表
わされるナフタロシアニン化合物には、バナジルナフタ
ロシアニ〉′、亜鉛ナフタロシアニン、銅ナフタロシア
ニン、アルミニウムナフタロシアニン、シリコンナフタ
ロシアニン、チタニルナフタロシアニン等を挙げること
ができ、特に、バナジル、アルミニウム、チタン等の金
属酸化物が好ましい。
わされるナフタロシアニン化合物には、バナジルナフタ
ロシアニ〉′、亜鉛ナフタロシアニン、銅ナフタロシア
ニン、アルミニウムナフタロシアニン、シリコンナフタ
ロシアニン、チタニルナフタロシアニン等を挙げること
ができ、特に、バナジル、アルミニウム、チタン等の金
属酸化物が好ましい。
これらを可逆な光学的情報記録媒体の材料に用いる応用
例はまだ見出されていない。
例はまだ見出されていない。
上述のナフタロシアニン化合物は、通常の真空蒸着装置
を用いて基板上に薄膜形成することができる。
を用いて基板上に薄膜形成することができる。
本発明におけるナフタロシアニン化合物を含有する記録
層を担持する基板材料として、塩化ビニル樹脂、アクリ
ル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、
ポリビニルアセタール樹脂。
層を担持する基板材料として、塩化ビニル樹脂、アクリ
ル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、
ポリビニルアセタール樹脂。
不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂等の熱可
塑、及び、熱硬化性樹脂、あるいはガラス。
塑、及び、熱硬化性樹脂、あるいはガラス。
金属類を用いることができる６二九らの材料により、成
型された基板の鏡面」二、あるいは、案内溝パターン（
プリグループ）の刻まれた面りに、」−述のような方法
で薄膜形成することができる。また、基板が上述の材料
で成型された平板の上に、光硬化性樹脂を積層し、案内
溝パターンが光硬化性樹脂層の表面に転写された構造で
あってもよい。
型された基板の鏡面」二、あるいは、案内溝パターン（
プリグループ）の刻まれた面りに、」−述のような方法
で薄膜形成することができる。また、基板が上述の材料
で成型された平板の上に、光硬化性樹脂を積層し、案内
溝パターンが光硬化性樹脂層の表面に転写された構造で
あってもよい。
これら基板上に形成する記録層の膜厚は２０〜５００ｎ
ｍの範囲であればよく、好ましくは、；３０〜１００ｎ
ｒｒｉの範囲である。更に２反射層。
ｍの範囲であればよく、好ましくは、；３０〜１００ｎ
ｒｒｉの範囲である。更に２反射層。
保護１１１ｇ層等を設けてディスク状、あるいは、シー
ト状の光学的情報記録媒体を構成するが、本発明ではそ
れら構成の如何は問わない。
ト状の光学的情報記録媒体を構成するが、本発明ではそ
れら構成の如何は問わない。
こうして作製した、本発明の光学的情報記録媒体に、レ
ーザ光線を照射することにより、照射部分が相変化を起
こし、情報の記録、消去を行うことができるが、用いる
レーザ光は、記録層の吸収波長に応じてＮ ｚ ｒ Ｈ
ｅ−Ｎ ｅ ＋ Ａ ｒ ＋色素、半導体等の各レーザ
光を選ぶことができる。
ーザ光線を照射することにより、照射部分が相変化を起
こし、情報の記録、消去を行うことができるが、用いる
レーザ光は、記録層の吸収波長に応じてＮ ｚ ｒ Ｈ
ｅ−Ｎ ｅ ＋ Ａ ｒ ＋色素、半導体等の各レーザ
光を選ぶことができる。
〈実施例１〉
厚さ１．２ｕｕのガラス基板に下記構造式（ＩＩＩ）に
示すバナジルナフタロシアニンを真空度８．９３ ｘｌ
ｏｌＰａ、基板の温変は特に制御せず自然放置する条件
で真空蒸着を行ない、膜厚８０ｎｍの記録層を形成し、
記録媒体とした。更に、保護膜として窒化珪素を１０１
００ｎ スパッタリングして５インチディスクを得た。
示すバナジルナフタロシアニンを真空度８．９３ ｘｌ
ｏｌＰａ、基板の温変は特に制御せず自然放置する条件
で真空蒸着を行ない、膜厚８０ｎｍの記録層を形成し、
記録媒体とした。更に、保護膜として窒化珪素を１０１
００ｎ スパッタリングして５インチディスクを得た。
得られた記録媒体の記録層の波長８３０ ｎ ｒｒ＋に
おける基板側からの反射率は２７％であった。
おける基板側からの反射率は２７％であった。
また、この記録媒体上に波長８３０ｎｍの半導体レーザ
の出力光を直径１．２μｍのスポット径に集光し、線速
度６ 、２ ｍ ／ ｓ ＋出力９川Ｗで基板側から２
Ｍ Ｉ−１ｚの信号の書き込みを行なった後、１．０
ｍＷの再生光で読み取りｋしたところ、再生Ｃ／Ｎ比４
２．ｄＢであった。この時、レーザ光が照射された部分
と照射されなかった部分とを薄膜Ｘ線回折測定をしたと
ころ、第１図、第２図のように、アモルファス相と結晶
相であることが確認された。
の出力光を直径１．２μｍのスポット径に集光し、線速
度６ 、２ ｍ ／ ｓ ＋出力９川Ｗで基板側から２
Ｍ Ｉ−１ｚの信号の書き込みを行なった後、１．０
ｍＷの再生光で読み取りｋしたところ、再生Ｃ／Ｎ比４
２．ｄＢであった。この時、レーザ光が照射された部分
と照射されなかった部分とを薄膜Ｘ線回折測定をしたと
ころ、第１図、第２図のように、アモルファス相と結晶
相であることが確認された。
更に、上述の記録パワーで基板側から３ Ｍ Ｉ４ ｚ
の信号の消去を行なった後、同上の再生光で読み取りを
したところ、消去比２３ｄＢが得られた。
の信号の消去を行なった後、同上の再生光で読み取りを
したところ、消去比２３ｄＢが得られた。
〈実施例２〉
厚さ１．２ｆｆｌのガラス基板上に同様なバナジルナフ
タロシアニンを実施例１と同様な真空度で膜厚６０ｎｒ
ｒｉの記録層を形成し、エンハンス膜としてＡＱを同程
度の真空度で膜厚２０ｎｍ蒸着し、実施例１と同様に保
護膜として窒化珪素を１０Ｏｎ Ｉｎスパッタリングし
て記録媒体とした。この記録媒体上に波長８３０ｒ＋ｍ
の半導体レーザの出力光を直径１．２μｍのスポット径
に集光し、線速度６．２ｍ／ｓ、出力９ｍＷで基板側か
ら２ＭＨｚの（コ号の書き込みを行なった後、１． 、
Ｏｍ Ｗの再生光で読み取りをしたところ、再生Ｃ／
Ｎ比５６ｄＢであった。更に、上述の記録パワーで基板
側から３ Ｍ Ｈｚの信号の消去を行った後、」二連の
再生光で読み取りをしたところ消去比３７ｄＢが得られ
た。
タロシアニンを実施例１と同様な真空度で膜厚６０ｎｒ
ｒｉの記録層を形成し、エンハンス膜としてＡＱを同程
度の真空度で膜厚２０ｎｍ蒸着し、実施例１と同様に保
護膜として窒化珪素を１０Ｏｎ Ｉｎスパッタリングし
て記録媒体とした。この記録媒体上に波長８３０ｒ＋ｍ
の半導体レーザの出力光を直径１．２μｍのスポット径
に集光し、線速度６．２ｍ／ｓ、出力９ｍＷで基板側か
ら２ＭＨｚの（コ号の書き込みを行なった後、１． 、
Ｏｍ Ｗの再生光で読み取りをしたところ、再生Ｃ／
Ｎ比５６ｄＢであった。更に、上述の記録パワーで基板
側から３ Ｍ Ｈｚの信号の消去を行った後、」二連の
再生光で読み取りをしたところ消去比３７ｄＢが得られ
た。
本発明によれば、得られた薄膜は、近赤外領域の光に対
して好適な吸収スペクトル、及び、高い感度をもち、可
逆的な光学的情報記録媒体として好適に用いることがで
きる。
して好適な吸収スペクトル、及び、高い感度をもち、可
逆的な光学的情報記録媒体として好適に用いることがで
きる。
第１図はレーザ光照射前の薄膜Ｘ線回折パターン図、第
２図はレーザ光照射後の薄膜Ｘ線回折パターン図である
。
２図はレーザ光照射後の薄膜Ｘ線回折パターン図である
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に情報記録層を設けた光学的情報記録媒体に
おいて、 前記情報記録層が一般式（ I ）で表わされるナフタロ
シアニン化合物を含有するものであることを特徴とする
光学的情報記録媒体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｍは二価又は三価の金属、金属の酸化物、ハロ
ゲン化物または、水酸化物を表す）２、前記一般式（
I ）の化合物を光学的情報記録媒体とし、記録再生消去
を前記情報記録層の相変化で可逆的に行うことを特徴と
する特許請求項第１項記載の光学的情報記録媒体。 ３、前記一般式（ I ）を光学的情報記録媒体とし、結
晶相の反射率で記録再生の変調を取ることを特徴とする
特許請求項第１項記載の光学的情報記録媒体。 ４、前記一般式（ I ）を光学的情報記録媒体とし、結
晶相の透過率で記録再生の変調を取ることを特徴とする
特許請求項第１項記載の光学的情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1023894A JPH02204088A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 光学的情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1023894A JPH02204088A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02204088A true JPH02204088A (ja) | 1990-08-14 |
Family
ID=12123161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1023894A Pending JPH02204088A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02204088A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003074282A1 (fr) * | 2002-02-15 | 2003-09-12 | Sony Corporation | Support d'enregistrement d'informations optiques reinscriptible, procede d'enregistrement/reproduction et dispositif d'enregistrement/reproduction |
-
1989
- 1989-02-03 JP JP1023894A patent/JPH02204088A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003074282A1 (fr) * | 2002-02-15 | 2003-09-12 | Sony Corporation | Support d'enregistrement d'informations optiques reinscriptible, procede d'enregistrement/reproduction et dispositif d'enregistrement/reproduction |
| EP1484191A4 (en) * | 2002-02-15 | 2005-03-02 | Sony Corp | Rewritable optical data recording medium and logging / reproducing method, logging / retrofusion device |
| CN100401400C (zh) * | 2002-02-15 | 2008-07-09 | 索尼株式会社 | 可再书写光学信息记录介质、记录/再现方法及记录/再现设备 |
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