JPS62177544A

JPS62177544A - 光記録方法

Info

Publication number: JPS62177544A
Application number: JP61017994A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Kimura; 木村　稔章; Hiroshi Matsuda; 宏松田; Yoshinori Tomita; 佳紀富田; Kunihiro Sakai; 酒井　邦裕; Harunori Kawada; 河田　春紀; Toshihiko Miyazaki; 俊彦宮崎
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-01-31
Filing date: 1986-01-31
Publication date: 1987-08-04

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、ジアセチレン誘導体化合物を含任する光記録
媒体への光記録方法に関し、特に光、＋７き込み手段と
して８００〜９００ｎｍの赤外線レーザーを用いた光記
録方法に関する。

（従来の技術〕最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスクが注［１を集めている。光ディスクは一枚の
ディスク中に火：１１の文、！置　文献等を記録保存て
きるため、オフィスにおける文古等の整理、管理か効率
よ〈実施できる。この光デイスク用の記録媒体としては
、名種のものが検討されているか、価格、製造の容易さ
から有機材料を用いたものがｖ１目されている。

このような記録媒体用の有機材料として、ジアセチレン
誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録媒体として用いる記録技術が特開昭
５６−１４７８０７号に開示されている。しかし、この
明細古中には、どのようなレーザーを用いたか、あるい
は用いるべきかの記載がなく、単にレーザーを用いて記
録を実施したとの記載に留まっている。

木発明者らは、桂々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー（波長８００〜９００ｒ＋ｍ）を使用した
場合にはレーザー記録が実施できないことを確認した。

しかし、光ディスク等の実用的な記録媒体としては、小
４９＋４て低出力の゛ｂ専体レーザーにより光、！トき
込みが可能なことか型詰される。

一方、特開昭５９−４０６４８号、同４０６４９号およ
び同４０６５０号には、熱安定性のよい特定構造のポリ
メチレン化合物を含有するイ「機被膜か開示され、これ
ら化合物を含有する打機被膜が半導体レーザーの輻射波
長領域の輻射線を吸収し発熱するので、レーザーエネル
ギーによりピットを形成するいわゆるヒートモード記録
が実施できることを開示している。しかし、記録媒体の
表面に物理的なピットを形成して記録を実施する場合に
は、初期の記録媒体表面が十分に平滑であると同時に記
録後においても記録媒体の表面に傷を付けないよう」−
分な注意が必要となるとともに、特に、高密度、高感度
で高速の記録を実施することは比較的困難であった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は小型軽ち１な半導体レ
ーザーにより光書き込みが可能であり、まず記録情報を
記録媒体に潜像として記録し、その後必要に応じて任、
意に記録情報を顕像化して読み取ることのできる光記録
方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度で高速記録の可能
な光記録方法を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録画像を得ることのできる光記録方法を提供することに
ある。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち、本発明の光記録方法は、ジアセチレン誘導体
化合物と、下記一般式（１）または（２）で表わされる
化合物の一種以上とを含有してなる記録層を存する光記
録媒体に、　８００〜９００ｎｍの赤外線を記録情報に
応じて照射して潜像を形成する工程と：該該潜像が形成
された光記録媒体に紫外線を照射して、該潜像を顕像化
させる工程とを存することを特徴とする。

一般式（１）一般式（２）へ（式中、Ｒ′、Ｒ２、Ｒ３は、それぞれ独立して置換基
を有してもよいアリール基を表わし、Ｒ４およびＲ′は
、隣接した二つの−ＣＩｌ＝ＣＩ＋−基と兵役三爪結合
系を形成する置換基を有してもよいアリーレン基を表わ
し、Ｒ６は、水素または置換基を有してもよいアリール
基を表わし、　八はアニオン残基を表わす。）本発明の方法に用いる光記録媒体に含有されるジアセチ
レン誘導体化合物（以下、Ｄへ化合物と略称する）とは
、下記一般式％式％（式中、ＲおよびＲ′は、極性基；極性基で置換されて
もよい、アルキル基、シクロｌ＼キシルノ２このような
飽和脂肪族化水素Ｊｊ４；極性基て置換されてもよい、
ビニル」、（、プロペニル基のようなすレフイン系炭化
水素」ル；または極性基で置換されてもよい、フェニル
Ｊ、（、ナフチルＪ、Ｑ、アルキルフェニル」、（のよ
うな刀′再族炭化水素基であり、ここでいう極性Ｊ、ｃ
としては、例えばカルボキシル基またはその金属若しく
はアミン塩、スルホン酸基またはその金属若しくはアミ
ン塩、スルホアミド基、アミド基、アミノ基、イミノ基
、ヒドロキシ基、オキシアミノ基、ジアゾニウム基、グ
アニジン乱、ヒドラジン基、リン酸基、ケイ酸基、アル
ミン酸Ｊ、ＩＩ、、ニトリル基、チオアルコール基、ニ
トロ店およびハロゲン原子が挙げられる。）で表わされる化合物である。

一方、本発明で用いる１１１記一般式（１）または（２
）で表わされる化合物（以下、ポリメチレン化合物と略
称１−る）は、８００ｒ＋＋ｎ以上の波長域に吸収ピー
クを有し、この波長の赤外光により発熱する化合物であ
る。

このポリメチレン化合物につきより具体的に説明すると
、一般式（１）および（２）中、Ｒ１，Ｒ２およびＲ３
はそれぞれ独立して置換基を有してもよいフェニル基、
ナフチル基等のアリール基を表わす。

ここで置換ノ、（とじてはジメチルアミノ、ジエチルア
ミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジフェニル
アミノ、フェニルペンシルアミン、フェニルエチルアミ
ノ等の置換アミノ」、ｃ、モルホリノ、ピペリジニル、
ピロリジノ等の環状アミツノ、ｔ＋、メトキシ、エトキ
シ、ブトキシ等のアルコキシ」、（があげられる。Ｒ４
およびＲＳはＰ−フェニレン、１．４−ナフチレン等の
隣接した二つの−（：ｌｌ　＝　ＣＩ＋　−基と兵役二
重結合系を形成する置換基を有してもよいアリーレン基
を表わす。ここで置換基としては塩素、臭素、ヨウ素等
のハロゲン原子、メチル、エチル等のアルキル基、メト
キシ、エトキシ等のアルコキシ基があげられる。Ｒ６は
水素または置換基を有してもよいフェニル基、ナフチル
基等のアリール基を表わす。置換基としてはＲ１ないし
Ｒ′１で例示したものと同様なものが挙げられる。へは
アニオン残基で、例えばＢＦ？、　Ｃ１部、Ｃｌ１ＡＣ
：島、ＰＦ？、猟ｉ、色等、）２、。ゲア原子、Ｐｕｓ
。３、冑１３．。３、ｅ　　　　　ｅ　　　　　ｅ　　
　　　　θ　　　　　　θＣ７Ｈ５ＳＯ，，Ｃ：３Ｈ，
Ｓ’０．、Ｃ４Ｈ９５ｏ３．　　Ｃ５Ｈ，，５０３、Ｃ
，Ｈ，３Ｓｏ３　　、＋（：Ｈ，５０３などのアルキル
スルホン酸化合物、（）べ１１．Ｓ己、　Ｃ１（目ΣＣ
１１２鍬などのベンゼンスル＊　：’　ｍ　化合ＯＪ　
’！　０３　ＳにＨ７，ｓｏｐ、ｅ０３ＳＣＨ，ｅｌ１
２ＳＩＳ’８゜誘（Ｃ１ｈ）ｂｓ灘θ。３ＳＣＨ，Ｃ１
１，−８−０１１，。Ｈ２Ｓ。？、などのアルキルジス
ルホン酸化合物、ゼンジスルホン酸化合物挙げられる。

具体的な化合物例を下記に列挙する。

（０驚０ト　　　　　　　　　　の　　　　　　　　　　　■９
　　　　　　　　　　ロ　　　　　　　　　　　Ｒづ　
　　　　　　　　　　プ　　　　　　　　　　　５工　
匡ＣＪ（Ｊ６９♂ ６　　　　　　　　　　　　　　づ　　　　　　　　　
　　　　　ζ５Ｓ　　　　　　　　９　　　　　　　　
　　　を蔓　　　　　　　　　Ｓｌ　　　　　　　　　
　　　８ｄ　　　　　　ロ　　　　　　　　８９　　　　　　　　　　お　　　　　　　　　　　きき
　　　　　　　　　　さくＢ　　　　　　　　　　ＱＳ　　　　　　　　　　”
ｇ３　　　　　　　　　　口　　　　　　　　　ら♂　
　　　　　　　　　δ　　　　　　　　　　　ξ９　　
　　　　　　　　２δ　　　　　　　　　心　　　　　
　　　　　口　　　　　　　　　６８　　　　　　　２
　　　　　　　　口２λ 本発明に用いる光記録媒体は＋ｉｆ記Ｄ＾り合物と前記
ポリメチレン化合物とを含有してなり、一層混合系、二
層分Ｍ系または多層積層系のいずれの構成でも良い。

ここで、一層混合系とは、Ｄへ化合物とポリメチレン化
合物との混合層からなるものを、二層分離系とは、ＯＡ
化合物を含む層とポリメチレン化合物を含む層とが分難
積層されているものを、更に多層積層系とは、例えばＤ
Ａ化合物を含む層の１以上と、ポリメチレン化合物を含
む層の１以ヒか所定の層数及び順序で基板上に積層され
たト記工層分＋ｉ１１．：ｆ−を含まない構成のものを
それぞれいう。

本発明に用いる光記録媒体の代表的な構成を第１図（＾
）及び第１図（ＩＩ）に示す。第１図（＾）は。

一層混合系の記録層２が基板１上に設けられているもの
であり、第１図（ＩＩ）は、二層分離系の、−・１−な
わち〇式化合物を含む第１の層２ｄとポリメチレン化合
物を含む層２ｂとからなる記録層２かノ１（板１１・に
設けられているものである。

記録層２を形成するには、代表的には、一層混台系の場
合には、ＤＡ化合物の結晶微粉末およびポリメチレン化
合物を適当な揮発性溶媒に混合して、塗イ１１液を作成
し、この塗布液を基板１上に塗布して、また二層分離系
若しくは多層積層系の場合には、Ｄ式化合物の結晶微粉
末を含む塗Ｉ５液と、ポリメチレン化合物を含む塗布液
とを別々に調製し、これらを基板１に所定の順庁で塗布
すれば良い。

本発明に用いる光記録媒体の基板１としては、ガラス、
アクリル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプ
ラスチックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料が使
用できるが、基板側から輻射線を照射して記録を実施す
る場合には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを
用いる。

一層混合系の記録層の形成に用いる塗ｆｉｒ液の溶媒は
、使用するバインダーの種類や、Ｄ式化合物およびポリ
メチレン化合物の種類によって適宜選択されるが、一般
に、メタノール、エタノール、イソプロパツール等のア
ルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン等のケトン類：　Ｉ’ｆ、　Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド等のケトン類
；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類：テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル等のエーテル類；酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸ブチル等のエステル類；クロロホルム、塩化メチレ
ン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレ
ン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類；ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼン
等の芳香族炭化水素類等が挙げられる。

また、二層分離系若しくは多層積層系の形成に用いる塗
布溶液の溶媒として、ポリメチレン化合物の好適な溶媒
としては、メタノール、エタノール、イソプロパツール
等のアルコール類：アセトン、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノン等のケトン類、　Ｎ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド
類ニジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類：テト
ラヒド口フラン、ジオキサン、エチレングリコールモノ
メチルエーテルなどのエーテル類；酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸ブチルなどのエステル類：クロロホルム、塩
化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロ
ルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類：あるいは
ベンゼン、トルエン、キシレン、リグロイン、モノクロ
ルベンゼンなどの芳６族類等が挙げられる。

また、ＤＡ化合物の好適な分散媒としては、ｎ−ヘキサ
ン、ローへブタン、ｒｌ−オクタン、シクロヘキサン等
の脂肪族炭化水素類などが挙げられる。しかし、Ｄ式化
合物は、結晶性が強い化合物なので、−１１溶媒に溶解
し、この溶液を基板上に塗布しても乾燥過程で再結晶化
が進行し、ダレインが得られる。したがって、分散液だ
けでなく、Ｄ式化合物の溶液を使用しても良い。この場
合の溶媒としては、ポリメチレン化合物の溶媒として先
に挙げたものと同様なものか使用できる。

なお、各塗Ｉｊｒ液には、基板１との、あるいは他の層
との密着性を向上させるために、適宜天然若しくは合成
高分子からなるバインダーを添加してもよい。また、記
録層２の安定性、品質向上を計るために各種の添加剤を
加えてもよい。

このような塗布液の基板１への塗工は、スピナー回転塗
布法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、
と−トコ−ティング法、ワイヤーバーコーティング法、
ブレードコーティング法、ローラーコーディング法、カ
ーテンコーティング法等の手法か用いられる。

記録層２が一層混合系の場合は、その膜厚は、３００人
〜２−程度が通しており、特に　４００〜５０００人の
範囲が好ましい。また二層分難系の場合の各層の膜厚は
、　１００人〜ｌ−程度が適しており、特に２００〜５
０００人の範囲が好ましい。更に、多層積層系の場合に
は、個々のＤ式化合物を含む層の膜厚の総和及び個々の
ポリメチレン化合物を含む層の＋＋ｑ厚の総和がともに
、　１００人〜１μ程度が適しており、特に２００〜５
０００人の範ｍ１が好ましい。

記録層２内でのＤ式化合物とポリメチレン化合物との配
合割合は、１７１５〜１５／１程度が好ましく、最適に
は１７１０〜ｔｏ／ｌである。

なお、必要に応じてこのように構成される記録層２の上
に各種の保護層を設けてもよい。また、二層分＃系や多
層積層系の場合の各層の積層順序には関係なく本発明の
方法は実施可能である。

このようにして構成される光記録媒体を用いて本発明の
光記録方法を実施することができる。

この光記録媒体においては、Ｄへ化合物に光を加えるこ
とにより、記録層の吸収波長が変化して見掛けの色が変
化する。すなわち、Ｄへ化合物は、初期にはほぼ無色透
明であるが、紫外線を照射すると重合し、ポリジアセチ
レン誘導体化合物へと変化する。この重合は紫外線の照
射によってのみ起り、熱等の他の物理的エネルギーの印
加によっては生じない。この重合の結果、６２０〜６６
０ｎｍに最大吸収波長を有するようになり、青色ないし
暗色へと変化する。この重合に基づく色相の変化は不可
逆変化であり、一度青色ないし暗色へ変化した記録層は
無色透明膜へとは戻らない。

また、この青色ないし暗色へ変化したポリジアセチレン
誘導体化合物を約５０℃以上に加熱すると今度は約５４
０ｎｍに最大吸収波長を有するようになり、赤色膜へと
変化する。この変化も不可逆変化である。

一方、本発明者らは、上記のような構成の記録層につい
て種々検討したところ、破壊若しくはその形状を変形さ
せないような適当な温度で加熱して、これを一度溶融状
態とする過程を経過させた記録層に、上記のような紫外
線照射を行なっても記録層のｉ１色ないし暗色への変化
が起きないことを見い出した。

すなわち、これは、この紫外線照射によるＯＡ化合物の
重合の結果としての青色ないし暗色膜への変化が、主に
記録層２中に含まれた晶化合物結晶体中でのＤＡ化合物
分子の高秩序分子配向性により得られるものであり、上
記のように記録層を加熱してＤへ化合物を含む層を溶融
させるなどして、その部分に含まれていたＯＡ化合物結
晶体を溶融させ、これを非晶質状態として、その部分の
Ｄへ化合物分子の配向の秩序を乱してやると、分子配列
レベルでの反応できる位置関係にあるＤへ化合物分子の
数が大幅に減少するためであると考えられる。

本発明の光記録方法は、このようなＯＡ化合物結晶体の
特性と、これとポリメチレン化合物との組合せによって
得られる機能を利用して記録を実施するものである。

以下、本発明の光記録方法の一例について述べる。

まず、記録情報は、適当な制御回路を経て半導体レーザ
ーにより光信号に変換される。この光信号は光学系を経
て、例えば光記録媒体載置手段上に載置され、同期回転
している−・層混合系の記録層を有する円盤状の光記録
媒体の所定の位置に第２図（＾）に示すように結像され
、半導体レーザーによる記録情報の光計き込みが実施さ
れる。

このとき用いる半導体レーザーとしては、出力波長８０
０〜８５０　ｎｌｉのＧａＡｓ接合レーザーを使用する
のが特に好適である。

このとき、結像点（光照射部位）３には、変色等のみか
けの変化は生じないが、この部分にあるポリメチレン化
合物が光を吸収して発熱し、この発熱によって、光照射
部位３に含まれた微粉末状の〇へ化合物結晶体が溶融し
、この部分は非晶質状態となり、ＤＡ化合物分子の高秩
序配向性が乱される。その結果、光照射部位３は、後に
行なう顕像化処理において変色しない部分となる。

なお、この書き込み時のレーザービーム４の照射条件は
、用いる光記録媒体の構成に応じて適宜選択すれば良い
が、少なくとも光照射部位３の温度が、ＯＡ化合物結晶
微粉末を溶融させてＤ＾化合物分子の配向の秩序を乱す
のに十分であり、かつ記録層を破壊若しくはその形状を
変形させないような温度となるようにする必要がある。

このようにして、記録層に分子配向性のレベルでの状態
の差による、すなわち微粉末状のＤへ化合物結晶体中で
ＤΔ化合物分子の高秩序配向性か維持されている（光照
射されなかった）部分５ｂ中に形成された、〇へ化合物
分子の高秩序配向性が乱された（光照射された）部分５
ａからなる潜像が第２図（ＩＩ）に示したように形成さ
れて記録＋１７報の書き込みか行なわれる。

なお、ＤＡ化合物は上記の半導体レーザーに対して感能
性を有さず、従来のＤＡ化合物のみからなる光記録媒体
ではこのような光書き込みは不可能であった。

ここで、上述したように、記録層２には光学的に検知可
能な像として記録情報が記録されていないので、この段
階では、書き込んだ記録情報を読み取ることはできない
。

そこで、記録情報の読み取りを行ないたい場合には、記
録層２に形成された潜像を顕像化する必要がある。

この潜像の顕像化は、光記録媒体に一様に紫外線を照射
することによって実施される。

この紫外線の照射により、記録層の先の書き込み時にお
いて光照射されなかった部分５ｂにあるＤ＾化合物結晶
体中のその高秩序配向性が維持されているＤＡ化合物が
重合してポリジアセチレン誘導体化合物へ変化し、記録
層のこの部分は第２図（Ｃ）に示すように６２０〜６６
０ｎｍに最大吸収波長を有する１１１色ないし暗色のＩ
ＩＱ　ｓ　ｂへと変色する。一方、先の光、１１き込み
時において赤外線照射された部分５ａでは、＋ｉｒｆ述
したように、Ｄ＾化合物の高秩序配向性が乱されている
ので、Ｄへ化合物の重合反応か起きにくく、この部分で
は、非照射部５ｂにおけるような青色ないし暗色膜への
変色は起こらない。従って、先の古き込み時に形成され
た潜像部分５ａはほぼ無色透明な当初の記録層の色のま
までこの紫外線照射処理によって１１１色ないし暗色化
した１１！；ｌ！　６　ｂ中に残され、１１１色ないし
暗色Ｉ漠６　ｂと光学的に識別可能な白ぬき部６ａとし
て顕像化される。

なお、この紫外線の照射による処理が終了した後に、必
要に応じて記録層２を約５０℃以りに加熱してやれば、
青色ないし暗色ｆｌｙ　６ｂ中のポリジアセチレン誘導
体化合物が先に述べたように赤色へ変色するので、潜像
として記録層２に３込まれた記録情報を赤色ＩＩＳ！中
の白ぬき部６ａとして顕像化することができる。

この記録層の加熱処理には、ヒーター等の加熱ｆ段を用
いて、あるいは記録層には輻射線を吸収して発熱するポ
リメチレン化合物が含有されているので赤外線等の輻射
線を記録層に照射するなどして実施することができる。

以北、一層混合系の記録層、を存する記録媒体を用いた
場合の本発明の光記録方法について説明したか、第１図
（Ｂ）に示したような二層分離系の記録層を存した記録
媒体を用いる場合には、レーザービームの結像点３は、
第３図（八）に示すようにポリメチレン化合物を含む層
２ｂとされる。このようにレーザービーム４が照射され
ると、層２ｂに含まれたポリメチレン化合物かレーザー
ビーム４を吸収して発熱し、この発熱によってＤ＾化合
物を含む層２ａの結像点３の上の部分が溶融し、上述し
た過程に従って第３図（Ｂ）に示すように潜像５ａが形
成される。この潜像は上述した紫外線の照射処理によっ
て、また更に必要に応じた加熱処理によフて、第３図（
Ｃ）に示１−ようなｉＩＦないし暗色、若しくは赤色の
膜６ｂと光学的に識別＋７丁能な白ぬき部６ａとして顕
像化することができる。

なお、光記録媒体としては、上述の例では円盤状のディ
スク（光ディスク）が用いられたが、もちろん、Ｄへ化
合物およびポリメチレン化合物を含有する記録層を支持
する基板の種類により、光テープ、光カード等も使用で
きる。

〔発明の効果〕

本発明の光記録方法の効果を以下に列挙する。

（１）記録層にポリメチレン化合物とジアセチレン誘導
体化合物とが組合わされて用いられているので、小Δ１
１軽晴の半導体レーザーを用いて光１１７き込みが可能
であり、高密度、高感度での高速記録が可能である。し
かも記録＋＋ｉ報は記録媒体に潜像として記録され、そ
の後必要に応して任意に記録情報を顕像化して読み取る
ことができる。

（２）記録層が均質かつ表面性良く形成されているので
、安定性に優れた高品質な光記録が実／ｉｉ！Ｉてきる
。

（３）高度に均質な大面積の記録層を４ｒする安価な記
録媒体を用いた光記録が可能となる。

〔実ｈｂ例〕

以下、本発明を実施例にｊ、ｔ、づきより計則に説明す
る。

実施例１一般式［；　、、　＋４．、−　Ｃ三Ｃ−Ｃミ（ニーＣ
８Ｈ，６−ＣＯ０Ｉ＋で表わされるシアセヂレン誘導体
化合物結晶微粉末１市量部と＋’＋７ｆ記の化合物Ａ１
て表わされるポリメチレン化合物＋　５　、ｉｒｊ　ｈ
ｌ部とを塩化メチレン３０重量部中に添加し、十分撹拌
したものを塗布液として準備した。

次にガラス製のディスク基板（Ｊソさ　１．５ｍ＋ｎ、
直径２００　ｍｍ）をスピナー塗布機に装着し、前記塗
布液をディスク基板の中央部に少量滴下した後、所定の
回転数で所定の時間スピナーを回転させ塗布し、常温で
乾燥して、基板上の乾燥後の塗膜の厚みか５００人、ｌ
０００人および２０００人である光記録媒体をそれぞわ
作成した。

このようにして得た光記録媒体を用いて、以下のように
して本発明の光記録方法を実施した。

まず、ト記の光記録媒体のそれぞれに、８３０ｎｍの波
長の半導体レーザー（レーザービーム径：　ｌμ、照射
時間：２００ｎＳ／１ドツト、出力５ｍＷ）を人力情報
にしたかい照射し、■（）像を形成した。その際、外光
記録媒体の光照射部には見掛は上の変化は認められなか
った。

次に、この半導体レーザーによる占き込みが終了した後
、各光記録媒体に２５４ｎｍの波長の紫外線を均一・か
つ十分に照射した。すると、各光記録媒体の記録層の先
の書き込み時に半導体レーザーが１１＜１射された部分
以外の部分が青色に変色し、先に形成した潜像、すなわ
ち半導体レーザーの照射部が白ぬきとなったネガ像が顕
像化された。

この記録結果の評価を、第１表に示した。評価は、感度
、画像解像度及び白ぬき部と周辺とのコントラストの良
否の総合評価により判定し、特に良好なものを◎、良好
なものをＯ１記録ができないまたは不良なものをＸとし
た。

実施例２ジアセチレン誘導体化合物の量を１重量部、ポリメチレ
ン化合物の量を１０重量部、塩化メチレンの量を２０重
量部とした混合溶液を塗布液として使用し、実施例１と
同様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｎＩ１１の紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像
を顕像化し、これを評価した。その結果を第１表に示す
。

実施例３ジアセチレン誘導体化合物のｈｌを１重量部、ポリメチ
レン化合物の量を５重量部、塩化メチレンの：Ｉｉを１
２２重部部とした混合溶液を塗布液として使用し、実施
例１と同様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、外光記録媒体に２
５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を顕
像化し、これを評価した。その結果をＴｒＪ１表に示す
。

実施例４ジアセチレン誘導体化合物の晴を１重：Ｊ１部、ポリメ
チレン化合物の、Ｉｉｔを１用量部、塩化メチレンの量
を４ｉ（ｔ−置部とした混合溶液を塗布液として使用し
、実施例１と同様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を顕
像化し、これを評価した。その結果を第１表に示す。

実施例５ジアセチレン誘導体化合物の川を５１１重部、ポリメチ
レン化合物の量をｌ　ｍ　置部、塩化メチレンのｈｌを
１２＠量部とした混合溶液を塗布液として使用し、実施
例１と同様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実７ｉｉ
例１と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体
に２５４ｎｍの紫外線を均一かつ］−分に照射してネガ
像を顕像化し、こわを二ｆ価した。その結果を第１表に
示す。

実施例６ジアセチレン誘導体化合物の量を１０市量部、ポリメチ
レン化合物の星を１重量部、塩化メチレンの量を２０７
Ｑ　計部とした混合溶液を塗Ｉｉ液として使用し、実施
例１と同様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｎｍの紫外線を均一かつ１分に照射してネガ像を顕
像化し、これを工ｆ価した。その結果を第１表に示す。

実施例７ジアセチレン誘導体化合物の量を１５ｉＪｌ量部、ポリ
メチレン化合物の量を１重量部、塩化メチレンの量を３
０重量部とした混合溶液を塗布液として使用し、実施例
１と同様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして１ｉｔだ光記録媒体のそれぞれに、実施
例１と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体
に２５４ｎωの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像
を顕像化し、これを１，１価した。その結果を第１表に
示す。

実施例８〜１４光記録及びネガ像の顕像化までは、実施例１〜７までと
同様に行なった後、光記録媒体のそれぞれを約８０℃に
加熱して背景の８色を赤色に変化させたネガ像を得た。

このネガ像について実施例１と同様の基準により＋Ｅ’
Ｐ値した結果を第２表に示す。

実施例１５一般式Ｃ，，Ｈ２，−Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝ｌ；−Ｃ，、Ｈ，６
−（：００＋１て表わされるジアセチレン話導体化合物
に代え、一般式〇、、　Ｈ，、−Ｃ：　（ニーＣミＣ−
Ｃ，Ｈ４−Ｃ００Ｉ＋で表わされた化合物を用いたこと
を除いては実施例４と同様の方法により光記録媒体を作
成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞわに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｎｍの紫外線を均一かつト分に照射してネガ像を顕
像化し、これを評価した。その結果を第３表に示す。

実施例１６〜２０化合物Ｊ／Ｌｌで表わされるポリメチレン化合物に代え
、化合物Ａｌ１Ｌ４．８．２０．３０及び３６で表わさ
れるポリメチレン化合物を個々に用いたことを除いては
実施例１５と同様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに。

実施例１と同様にして、光記録を実施した後、各光記録
媒体に２５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射してネ
ガ像を顕像化し、これを評価した。その結果を第３表に
示す。

爪　　　９　　裏実施例２１化合物Ａ５で表わされるポリメチレン化合物ｌ、ｒＣ−
ｊ：部をアセトニトリルｌ０ＨＩ′ｆｉ、ｊ部に溶解し
、苧イ５液Ａとした。

これとは別に［：１２　Ｈ７，−ｃ＝ｃ−ｃ＝ｃ−ｃｏ
Ｈ，６＋、ｏｏｌｌで表わされるジアセチレン誘導体化
合物結晶微粉末１重量部をベンゼン１０重量部に添加し
十分攪拌して塗布液Ｂとした。

次にガラス製のディスク基板（厚さ　１．５ｍｍ、直径
２００　ｍｍ　）をスピナー塗布機に装着し、最初に１
１「記塗布液Ａをディスク基板の中央部に少Ｓ【滴下し
た後、所定の回転数で所定の時間スピナーを回転させて
塗布し、常温で乾燥し、基板上にポリメチレン化合物を
含む層を形成した。次に、ポリメチレン化合物を含む層
を形成した基板を再びスピナー塗布機に装着し、先に形
成したディスク基板りのポリメチレン化合物を含む層の
表面の中央部に前記塗布液Ｂを少量滴下した後、所定の
回転数で所定の時間スピナーを回転させて塗布し、常温
で乾燥し、ポリメチレン化合物を含む層上にＤへ化合物
を含む層を積層し記録層とした。

なお、ポリメチレン化合物を含む層と、Ｄへ化合物を含
む層との膜厚を、第４Ａ表に示すように種々変化させ、
試料７Ｌ２１−１〜２１−２５の２５種の光記録媒体を
得た。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を顕
像化し、これを３ｆ価した。その結果を第４Ｂ表に示す
。

実施例２２塗１１ｉ液Ｂに一般式Ｃ，，）！、５−Ｃ三Ｃ−Ｃ＝Ｃ
−ＣｏＨ＋ｒ、−ＣＯＯＩＩで人わされるジアセチレン
誘導体化合物に代えて、　一般式ｃ、、Ｈ，７−ｃ＝ｃ
−ｃミ（ニーＣ，Ｈ，−ＣＯＯＩＩて表されるジアセチ
レン誘導体化合物を用いたことを除いては実施例２１と
同様の方法により第５Ａ表に示すような試料、４２２−
１〜２２−２５の２５種の光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｎｍの紫外線を均一かつ１分に照射してネガ像を顕
像化し、これを３ｆ価した。その結果を第５Ｂ表に示す
。

実施例２３塗布液Ａに化合物ＪｉＬ５で表わされるポリメチレン化
合物に代え、化合物、ｔｉｔ１５で表わされるポリメチ
レン化合物を用いたことを除いては実施例２２と同様の
方法により第６Ａ表に示すような試料Ａ１ｆＬ２３−１
〜２３−２５の２５種の光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｎｒＱの紫外線を均一かつ１分に照射してネガ像を
顕像化し、これを１け価した。その結果を第６Ｂ表に示
す。

実施例２４塗１１１液Ａに化合物Ａｌ１１Ｌ５で表わされるポリメ
チレン化合物に代え、化合物誠２８で表わされるポリメ
チレン化合物を用いたことを除いては実施例２２と同様
の方法により第７Ａ表に示すような試料、／１２４−１
〜２４−２５の２５種の光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実ｈ’ｔ
ｒ例１と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒
体に２５４ｎ＋ｎの紫外線を均一かつ十分に照射してネ
ガ像を顕像化し、これを評価した。その結果を第７Ｂ表
に示す。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）及び第１図（Ｂ）は本発明の方法に用いる
光記録媒体の構成の一態様を例示する模式断面図、第２
図（Ａ）〜第２図（Ｃ）並びに第３図（八）〜第３図（
Ｃ）はそれぞれ本発明の光記録の過程を示す光記録媒体
の模式断面（２）である。１：基板　　　　　　２：記録層２ａ：ＤＡ化合物を含む層２ｂ：ポリメチレン化合物を含む層３：光照射部位４：レーザービーム５ａ：潜像５ｂ：非照射部６ａ：白ぬき部６ｂ＝変色部

Claims

【特許請求の範囲】１）ジアセチレン誘導体化合物と、下記一般式（１）ま
たは（２）で表わされる化合物の一種以上とを含有して
なる記録層を有する光記録媒体に、８００〜９００ｎｍ
の赤外線を記録情報に応じて照射して潜像を形成する工
程と；該潜像が形成された光記録媒体に紫外線を照射し
て、該潜像を顕像化させる工程とを有することを特徴と
する光記録方法。一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１）一般式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（２）（式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３は、それぞれ独立して
置換基を有してもよいアリール基を表わし、Ｒ＾４およ
びＲ＾５は、隣接した二つの−ＣＨ＝ＣＨ−基と共役二
重結合系を形成する置換基を有してもよいアリーレン基
を表わし、Ｒ＾６は、水素または置換基を有してもよい
アリール基を表わし、Ａはアニオン残基を表わす。）２）前記光記録媒体の紫外線照射処理工程後に、光記録
媒体の加熱処理工程を有する特許請求の範囲第１項記載
の光記録方法。