JPS62149488A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光記録媒体に関し、特に赤外線レーザーによ
る光書き込みに通した光記録媒体に関する。

（従来の技術） 最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスクか注目を集めている。光テイスウは一枚のテ
ィスウ中に大量の文害、文献等を記↑ｊ保存できるだめ
、オフィスにおける文害等の整理、管理か効率よ〈実施
できる。この先テイスウ用の記録素子としでは、各種の
５のか検討されているか、価格、製造の容易さから有機
材′Ｎそ用いたちのＩＪＸ′ｒ主目されている。

このよう店記ｊｊ素子用の有機材料としで、シアセチレ
シ誘導体化合物か知られでおり、該化合物の熱変色性に
着目し、レーザー記録素子としで用いる記ｊ３技術か特
開昭５６−１４７８０７号に開示されでいる。しかし、
この明細書中には、どのようなレーザーを用いたか、あ
るいは用いるべきかの記戎かなく、単にレーザーを用い
て記１）を実施したとの記桟に留まっている。

本発明者らは、種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録か可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー（波長８００〜８５０ｎｍ）を使用した場
合にはレーザー記録か実施できないことを確認した。し
かし、光ディスク等の実用的な記録媒体としでは、小型
で低出力の半導体レーザーによつ光貫き込みか可能なこ
とか要請される。

一方、特開昭５９−　８４２４８号および同８４２４９
号には、熱安定性のよい特定構造のジエン化合物の塩を
含有する有機被膜か開示され、これらの有機被膜か半導
体レーザーの輻射波長領域の輻射線を吸収し発熱するの
で、レーザーエネルキーによりビットを形成するいわゆ
るヒートモート記録か実施できることを開示しでいる。

しかし、記録媒体の表面に物理的なピットを形成して記
録を実施する場合には、初期の記録媒体表面か十分に平
滑であると同時に記録後においでも記録媒体の表面に傷
を付けないよう十分な注意か必要となるとともに、高田
度、高感度で高速の記録を実施することは比較的困難で
ある。

（発明か解決しようとする問題点） 本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は小型軽量の半導体レー
ザーで光書き込みか可能な光記録媒体を提供することに
ある。

本発明の他の目的は、高田度、高感度で高速記！ゑの可
能な光記録媒体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録媒体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段］ すなわち、本発明の光記録媒体は、ジアセチレン誘導体
化合物と、下記一般式（１）または（２）で表わされる
化合物の一種以上とを含有してなる記録層を何すること
を特徴とする。

一般式（１） ％式％（２） （戊申、Ｒ１はアルキル基、置換基を有しでもよいフェ
ニル基またはスチリル基を表わし、Ｒ２およびＲ′′は
、隣接した二つの−ＣＨ＝ＣＨ−基と共役二重結合系を
形成する置換基を何しでもよいアリーレン基そ表わし、
Ｒ４およびＲ７は、置換基を有しでもよいフェニル基ま
たはナフチル基を表わし、Ｒ’ｌはアルコキシ基を表わ
し、Ｒｏ・はアルキル基を表わし、Ａはアニオン残基を
表わす。） 本発明に用いるジアセチレン誘導体化合物（以下、ＯＡ
化合物と略称する）とは、下記一般式％式％： （式中、Ｒ１１およびＲｏ１は、極性基；極性基て１換
されてもよい、アルキル基、シクロヘキシル基のような
飽和脂肪族化水素基：極性基で買換されてもよい、ビニ
ル基、プロペニル基のようなオレフィン系炭化水素基、
または極性基でＭ換されてもよい、フェニル基、ナフチ
ル基、アルキルフェニル基のような芳香族炭化水素基で
あり、ここでいう極性基としでは、例えばカルボキシル
基またはその金属若しくはアミン塩、スルホン酸基また
はその金属若しくはアミン塩、スルホアミド基、アミド
基、アミノ基、イミノ基、ヒドロキシ基、オキシアミノ
基、ジアゾニウム基、グアニジン基、ヒドラジン基、１
ノン酸基、ケイ酸基、アルミン酸基、ニトリル基、チオ
アルコール基、ニトロ基およびハロゲン原子か挙げられ
る。） で表わされる化合物およびこれらの重合体である。

一方、本発明で用いる前記一般式（１）または（２）で
表わされる化合物（以下、ジエン化合物塩と略称する）
は、７５０ｎｍ以上の波長域に吸収ピークを有し、この
波長の赤外光により発熱する化合物である。

このジエン化合物ＩＭＩこつきより具体的に説明すると
、一般式（１）および（２）中、Ｒ１はメチル、エチル
、プロピル、イソプロピル、ブチル、ヘキシル等のアル
キル基、言換基を有してもよいフェニル基またはスチリ
ル基を表わす。ここで置換基としてはメトキシ、エトキ
シ、ブトキシ等のアルコキシ基、塩素、臭素、ヨウ素等
のハロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル等のアルキル基、ニトロ基かあげられる。Ｒ２およ
びＲ１−は、ｐ−フェニレン、１．４−ナフチレン等の
隣接した二つの−ＣＨ＝ＣＨ−基と共役二重結合系を形
成する言換基を有してもよいアリーレン基を表わす。

ここで置換基としては塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン
原子、メチル、エチル等のアルキル基、メトキシ、エト
キシ等のアルコキシ基があげられる。

Ｒ１およびＲ“′は置換基を有しでもよいフェニル基ま
たはナフチル基を表わす。言換基としではジメチルアミ
ノ、ジブチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミ
ノ、ジフェニルアミノ、ノエニルアミノ、ノエニルヘン
ジルアミン、フェニルエヂルアミノ等の言換アミノ基、
モルホリノ、どべｌノジニル、どロワジノ等の環状アミ
ノ基、メトキシ、エトキシ、ブトキシ等のアルコキシ基
があげられる。Ｒ４はメトキシ、エトキシ、ブトキシ等
のアルコキシ基を表わす。Ｒ“はメチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、ヘキシル等のアルドン キル基を表わす。Ａ　はアニオン残基て、例えば、Ｈ３ れる。

このジエン化合物の具体例を以下に例示する。

山し２Ｉノ　　　　　　　　　　　　ｒｃｌ＋７　＞７
　Ｃ：Ｉｌ：ｔ本発明の光記録媒体の代表的な構成を第
１図に例示する。この例では基板１上に前記ＯＡ化合物
３と前記ジエン化合物塩４とを含有する記録層２か形成
されでいる。必要に応しで、例えば記録層２上に透明な
保護層等の他の層を設けることもできる。

記録層２内のＯＡ化合物とジエン化合物塩との配合割合
は、　１／１５〜１５／１程度か好ましく、最適には１
１５〜１０／１である。

また、記録層２の膜厚としでは、３００人〜２μＡ程度
か適しでおり、特に１０００〜５０００への範囲か好ま
しい。

本発明の光記録媒体の基板］としては、ガラス、アクリ
ル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプラスチ
ックフィルム、紙、全屈等の各種の支持材料か使用でき
るか、基板側から輻射線を照射して記録を実施する場合
には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを用いる
。

基板］上に記録層２を形成するには、代表的にはＯＡ化
合物３の結晶微粉末およびジエン化合物塩４を過当な揮
発ｆｆ溶媒に分散、洛解して１布薮そ作成し、これを基
板］Ｌに７布する方法か採用できる。塗布液には、基板
１との把若′Ｉ′ｌ：を向ｔさせるために、適宜天然若
しくは合成高分子からなるバインダーを添加しでもよい
。また、記録層２の安定性、品質向上を計るために各種
の添加剤を加えてもよい。

好適なバインダーとしでは、広範な樹脂から選択するこ
とかできる。具体的には、ニトロセルロース、リン酸セ
ルロース、硫酸セルロース、酢酸セルロース、プロピオ
ン酸セルロース、酪酸セルロース、ミリスチン酸セルロ
ース、バルミチン酸セルロース、酢酸プロピオン酸セル
ロース、酢酸酪酸セルロースなどのセルロースエステル
類。

メチルセルロース、エチルセルロース、プロピルセルロ
ース、ブチルセルロースなどのセルロースエーテル頚：
ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリビニル
アルコール、ポリどニルピロリドンなどのビニル樹脂類
、スチレン−ブタジェンコポリマー、スチレン−アクリ
ロニトリルコポリマー、スチレシーブタジエンーアクリ
ロニトリルコポリマー、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリ
マーなどの共重合樹脂類：ポリメチルメタクリレート、
ポ１ツメチルアクリレート、ポリアクリル酸、ポリメタ
クリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニトリル
などのアクリル樹脂類：ポリエチレンテレフタレートな
どのポリエステル頚；ポリ（４，４’−イソブロビリデ
ンジフエニレンーニー１，４−シクロヘキシレンジメチ
レンカーボネート）、ポリ（エチレンジオキシ−３，３
′−フェニレンチオカーボネート）、ポリ（４，４’−
インブロビリテンジフエニレンカーボネートーニーテレ
フタレート）、ポリ（４，４’−イソプロどリデンジフ
エニレンカーポネート）、ポリ（４，４’　−ＳｅＧ　
−ブチリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４，
４′−イソブロビリデンジフエニレンカーポネートープ
ロツウーオキシエチレン）などのボリアリレート樹脂類
：ボリアミト類、ポリイミド頚：エボキシ樹月旨頚、フ
ェノール樹月旨頚；およびポリエチレン、ポリプロピレ
ン、塩素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類などを
用いることかできる。

塗布のために用いる溶媒は、使用するバインダー、ＯＡ
化合物およびジエン化合物塩の種類によって適宜選択さ
れるが、一般にメタノール、エタノール、イソプロパツ
ール等のアルコール頚：アセトン、メチルエチルケトン
、シクロヘキサノン等のケトン類：に、Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、Ｎバージメチルアセトアミド等のアミド類
；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド頚、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル等のエーテル頚：酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸ブチル等のエステル頚、／）ロロホルム、塩化メチ
レン、ジウロルエチレン、四塩化炭素、トリウロルエチ
レン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類：ヘンセン、トル
エン、キシしり、モノクロルベンセン、ジウロルヘンセ
ン等の芳香族炭化水素類等か挙げられる。

このような塗布液の基板への塗工は、スビナー回転塗布
法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、ビ
ートコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、プ
レートコーティング法、ローラーコーティング法、カー
テンコーティング法等の手法か用いられる。

このようにして構成される本発明の記録媒体は、半導体
レーザーによる高密度、高解像度の記録を可能にするも
のである。

本発明の光記録媒体は、各種の方式の光記録を実施する
ことか可能であるか、以下に光や熱を加えることにより
、記録層の吸収波長か変化して見掛けの色か変化するこ
とを利用する半導体レーザーによる記録の機構につき簡
略に説明する。

ＯＡ化合物（重合体を除く）は、初期にはほぼ無色透明
であるか、記録層に紫外線を照射すると重合し、ポリア
セチレン誘導体化合物へと変化する。この重合は紫外線
の照射等によって起り、単に熱エネルギーを加えるだけ
では生じない。この重合の結果、記録層は６２０〜６６
０ｎｍに最大吸収波長を何するようになり、青色乃至暗
色へと変化する。この重合に基づく色相の変化は不可逆
変化であり、一度青色乃至暗色へ変化した記録層は無色
透明膜へとは戻らない。また、この青色乃至暗色へ変化
したポリアセチレン誘導体化合物を約５０°Ｃ以上に加
熱すると今度は約５４０ｎｍに最大吸収波長を有するよ
うになつ、赤色膜へと変化する。この変化も不可逆変化
である。

したかっで、本発明の記録媒体を用いた光記録は次のよ
うな機構により実施される。

先ず本発明の記録媒体の記録層全体に紫外線を照射する
と記録層中のＯＡ化合物４か重合しポリアセチレン誘導
体化合物へ変化することにより、記録層２は青色乃至暗
色の膜へと変化する。なあ、ＯＡ化合物としてポリアセ
チレン誘導体化合物を使用した場合にはこの過程は不要
である。次いで第１図に示されるように、この記録媒体
の所定の位置に情報信号に応しで点滅する波長８００〜
８５０ｎｍの半導体レーザービーム６を照射すると、ポ
リアセチレン誘導体化合物はこのレーザービーム６を吸
収しないか、記録層中のジエン化合物塩４はこのレーザ
ービーム６を吸収し発熱する。このジエン化合物塩４の
発熱が隣接するポリアセチレン誘導体化合物に伝わり、
赤色へと変化する。かくして入力情報に応して記録層上
の記録部位５の色変化による光記録か実施される。

〔発明の効果〕

本発明の光記録媒体の効果を以下に列挙する。

（１）大面積の支持体に対しでも均質な記録層を安価に
製造することか可能である。

（２）記録層か８００〜８５０ｎｍの波長域の赤外線を
吸収し発熱するジエン化合物塩を含有しているので８０
０〜８５０ｎｍの波長域の赤外線を放射する小型軽量の
半導体レーザーを用いて記録を実施できる。

（３）光照射による記録層の色相の変化を利用した記ｉ
ゑか可能なので、高速、高密度、高感度な光記録か実施
できる。

（実施例） 以下、本発明を実施例に基づきより詳細に説明する。

実施例１ 一般式ＣＩ２　Ｈ７４，−Ｃ＝Ｃ−Ｃ：Ｃ−ＣｏＨ＋ｈ
−ＣＯＯＨで表わされるジアセチレン誘導体化合物の結
晶微粉末１重量部、前記の化合物Ａ１で表わされるジエ
ン化合物塩１５重量部およびニトロセルロース３．２重
量部とを塩化メチレン２０重量部中に添加し、十分撹拌
混合したものを塗布液としで準備した。

次にガラス製のディスク基板（厚ざＩ　、　５ｍｍ、直
径２００　ｍｍ）をスピナー塗布機に装着し、前記塗布
液をディスク基板の中央部に少量滴下した債、所定の回
転数で所定の時間スピナーを回転させ塗布し、常温で乾
燥し、基板上の乾燥後の塗膜の厚みか５００人、１００
０人および２０００人である光記録媒体をそれぞれ作成
した。

実施例２ ジアセチレン誘導体化合物の量を１重量部、ジエン化合
物塩の量を５重量部、ニトロセルロースの量を１．２重
量部および塩化メチレンの量ヲ１２重量部とした混合溶
液を塗布液として使用し、実施例１と同様の方法によつ
光記録媒体を作成した。

実施例３ ジアセチレン誘導体化合物の量を１重量部、ジエン化合
物塩の量を１重量部、ニトロセルロースの量を０．４重
量部および塩化メチレンの量を４重量部とした混合溶液
を塗布液として使用し、実施例１と同様の方法により光
記録媒体を作成した。

実施例４ ジアセチレン誘導体化合物の量を５重量部、ジエン化合
物塩の量を１重量部、ニトロセルロースの量を１．２重
量部および塩化メチレンの量を１２重量部とした混合溶
液を塗布液としで使用し、実施例１と同様の方法により
光記録媒体を作成した。

実施例５ ジアセチレン誘導体化合物の量ヲ１０重量部、ジエン化
合物塩の量を１重量部、ニトロセルロースの量を２，２
重量部および塩化メチレンの量を２０重量部とした混合
溶液を塗布液として使用し、実施例１と同様の方法によ
り光記録媒体を作成した。

実施例６ ジアセチレン誘導体化合物の量ヲ１５重量部、ジエン化
合物塩の量を　１重量部、ニトロセルロースの量を３．
２型組部および塩化メチレンのｆｆｉ！３０重量部とし
た混合溶液を塗布液として使用し、実施例１と同様の方
法により光記録媒体を作成した。

比較例１ ジエン化合物塩を使用せすに、ジアセチレン誘導体化合
物１重量部およびニトロセルロース０２重量部ｒ８塩化
メチレン２重量部に溶解した溶液を塗布液とし使用し、
実施例１と同様の方法により光記録媒体を作成した。

記録試験１ 実施例１〜６および比較例１で作成した光記録媒体に２
５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青
色膜にした。次１こ出力３ｍＷ、波長８３０ｎｍ、ビー
ム径１μｍの半導体レーザービームを入力情報にしたか
い、各光記録媒体表面の所定位置に照射（照射時間４０
０　ｎ　ｓ　／　Ｉビット）し、青色の記録層上に赤色
の記録画像を形成した。

この記録結果の評価を第１表に示した。評価は記録の感
度、画像解像度および画像濃度の良杏の総合評価により
判定し、特に良好なものを◎、良好なものを○、記録が
できないあるいは不良なものを×とした。

第１表 比較例２ ジアセチレン誘導体化合物を使用せすに、ジエレ化合物
塩１重量部とニトロセルロース　１重量部とＰ８．塩化
メチレン２重量部（こ溶解した溶液を塗布源とし便用し
、実施例］と同様の方法により記録層の厚みか２０００
人の光記録媒体を作成した。

記録試験２ 実施例１の記録層の厚みか２０００人の光記録媒体およ
び比較例２て作成した光記録媒体につき、実施例１の記
録媒体についでは半導体レーザービームの照射時間を種
々変更（照射時間２００〜８００ｎｓ５／ピツト）した
以外は記録試験１と同様な操作で記録を実施した。一方
、比較例２の光記録媒体についでは、紫外線照射を実施
せずに直接半導体レーザーヒ゛−ムを入力情報にしたか
い、同し出力で光記録媒体表面の所定位置に照射時間を
種々変更して記録層表面上に照射（照射時間５００ｎｓ
〜５μＳ／ビツト）し、ビットを形成することによる記
録を実施した。

実施例１の光記録媒体についでは、照射時間か５００ｎ
ｓ以上の場合に良好な記録か実施できたか、比較例２で
作成した光記録媒体についでは、顕微鏡で観察した結果
、一つのビットを明瞭に形成するには２５μｓ以上の照
射時間を要することか判明した。

実施例７ 一般式ＣＩ＞８２・、−Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ−ＣｎＨｚ、−
Ｃ０ＯＨて表わされるジアセチレン誘導体化合物に代え
、一般式Ｃｌ１Ｈ１７−ＣＥＣ−Ｃ＝Ｃ−ｃ、Ｈ，１−
Ｃ０ＯＨて表わされるジアセチレン誘導体化合物の結晶
微粉末を用いたことを除いては実施例４と同様の方法に
より光記録媒体を作成した。

実施例８〜１２ 化合物Ａ１５．　Ｉで表わされるジエン化合物塩に代え
、化合物届３、８．１２．１５および２０で表わされる
ジエン化合物塩をそれぞれ用いたことを除いては実施例
８と同様の方法により光記録媒体を作成した。

記録試験３ 実施例７〜１２て作成した光記録媒体を用いて、記録試
験１と同様にして記録試験を実施した。この記録結果の
評価を第２表に示した。

第　　２　　表

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光記録媒体の構成の一態様を例示する
模式断面図である。 １、基板　　　　　　２　記録層 ３　ジアセチレン誘導体化合物 ４・ジエシ化合物塩 ５　赤色変色部位（記録部位） ６、レーザービーム

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）ジアセチレン誘導体化合物と、下記一般式（１）ま
   たは（２）で表わされる化合物の一種以上とを含有して
   なる記録層を有することを特徴とする光記録媒体。 一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１） 一般式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （式中、Ｒ＾１はアルキル基、置換基を有してもよいフ
   ェニル基またはスチリル基を表わし、Ｒ＾２およびＲ＾
   ６は、隣接した二つの−ＣＨ＝ＣＨ−基と共役二重結合
   系を形成する置換基を有してもよいアリーレン基を表わ
   し、Ｒ＾３およびＲ＾７は、置換基を有してもよいフェ
   ニル基またはナフチル基を表わし、Ｒ＾４はアルコキシ
   基を表わし、Ｒ＾５はアルキル基を表わし、Ａはアニオ
   ン残基を表わす。）