JPS60222847A - 像形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）技術分野 本発明は、包接錯体の中分子膜、乃至単分子層累積膜の
化学変化若しくは物理変化を利用して像を形成する像形
成媒体に関する。

（２）背景技術 従来、有機化合物を像形成層とする像形成媒体としては
種々のものが知られており、種々の表示媒体や記録媒体
が提案されている。

例えば、有機化合物を表示層として用いる表示媒体とし
ては、酸化還元反応によって発色する有機化合物（エレ
クトロクロミ、り材料）や蛍光性有機化合物等を利用し
たものなとが知られている。

エレクトロクロミンク材料を用いた表示媒体は、いくつ
かの型のものが提案されている（例えば特開昭４８−７
１３８０号公報、同５０−３２９５８号公報、同５０−
８３９５０号公報、及び同５Ｏ−１３６ｔｏｏｏ号公報
参照）。これら従来のものは、いずれもエレクトロクロ
ミンク材料としてビオロゲンの誘導体を用い、これを適
当な電解液中に溶解せしめて発色表示層とし、電圧印加
により発色を行なう、いわゆる有機ＥＣ（エレクトロク
ロミック）表示素子に関するものである。この際の発色
パターンは、有機ＥＣ素子を形成している電極の形状に
従ったものである。しかしながら、上述の有機ＥＣｇ子
にあっては、エレクトロクロミンク材料は、電解液中に
溶解しているため自由度が大きく応斡性（電圧印加後の
発色若しくは消色にかかる時間）に劣り、高密度発色表
示素子とはなり得ないものであった。又、電極上に析出
した着色物質が、再び溶ａ（電解液）に溶けだすため、
メモリ一時間が短かく、可逆性（発色→消色のプロセス
）に劣るものであった。かかる従来例の欠点を解消する
ためには、上述のエレクトロクロミンク材料が表示素子
を構成するパターン状電極上に高度の秩序性を持って刺
着していることが必要である。

又、蛍光性有機化合物を用いた発光表示素子としても、
いくつかの型のものが提案されている（例えば特開昭５
２−３５５８７号公報及び同５８−１７２８９１公報参
照〕。これら従来のものはいずれもエレクＩ・ロルミネ
ッセンスを示す化合物を発光表示層とし、電圧印加によ
り発光を行なういわゆるＥＬ（エレクトロルミネッセン
ス）発光表示素子に関するものである。特に特開昭５２
，３５５８７号公報に開示された素子はアントラセン、
ピレンまたはペリレンの適当な位置に親水性基および疎
水性基を導入した誘導２体の単分子膜またはその累積膜
を電極板トに形成し、次いで第二の電極をかかる薄膜に
沈着させることにより構成されている。この際、高解像
度の表示素子を得るには膜内の発光性分子の分子分布が
高い秩序性を保持することが望ましいが、上記のアント
ラセン等の誘導体では単分子膜又はその累積膜を高い秩
序性をもって製造するためには注意深い複雑な操作が要
求されるという欠点があった。また、−に記事分子膜ま
たはその累積膜の構成分子であるアントラセン等の誘導
体を合成するに当っても、相当複雑な操作を要求される
（Ｔｈｉｎ　５ｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍ　９９巻　７１　頁
〜７９頁　１９８３年）という欠点があった。

また、有機化合物を薄膜にして記録層として用いる光記
録媒体については、例えば特開昭５８−ＩＥ１９４８号
公報、特開昭５８−１２５２４６号公報にも開示されて
いる。いずれも有機色素を記録層とし。

レーザビームにより記録再生を行なうレーザ記録場位置
に関するものである。特に、特開昭５８−１２５２４６
号公報に開示された媒体は、一般式（Ｉ） で表わされるシアこン系色素の薄膜を記録層とするもの
である。（Ｉ）式で表わされるシアニン系色素溶液を回
転塗布機などを用いて、１００ＯＡ以下の厚さ、例えば
約３００への厚さにプラスチック基板１−に塗４１シ薄
膜を形成する。膜内の分子分布配向がランダムであると
、光照射に伴って膜内で光の散乱が生じ、微視的にみた
場合各光照射の度に生ずる化学反応の度合が異なってく
る。そこで記録媒体としては、膜内の分子分布、配向が
一様になっていることが望ましく、またできる限り膜厚
が薄いことが、記録の高密度化のために要請される。し
かしながら、塗布法による場合、膜厚においては３００
八程度が限界であり、膜内の分子分布、配向がランダム
であることは解決しがたいことであった・ レジスト材料の一つとして光情子効率が大でかつ優れた
解像力を有するものとして提案さ終ていたジアセチレン
化合物累積膜が、レジスト材料のみならず、薄膜電気−
光学デ／＜−イス、電気−音響デバイス、圧・焦電デバ
イス等にも応用されることが、特開昭５８−４２２２９
号公報、特開昭５６−４３２２０号公報などに示されて
いる。

近時においては、ジアセチレン化合物累積膜の製造方法
の改良について特開昭５８−１１１０２９号公報に示さ
れている。かかる発明にて製造された基板りのジアセチ
レン化合物累積膜は紫外線を照射することにより重合さ
せてジアセチレン化合物重合体膜を作り、或はマスキン
グして紫外線を照射し部分的に重合させ、未重合部分を
除去して図形を作り、薄膜光学デバイスや集積回路素子
として使用される。

しかし、これらはいずれもジアセチレン化合物に限るも
のであり、薄膜光学デバイスとして使用するときに、一
度記録したものの消去の可能性については述べられてい
ない。

一方、上述欠点を解決すべく、分子内に親木基、疎水基
及び少なくともＩ　Ｍの不飽和結合を有する１種類の光
重合性七ノで−の単分子膜又は中分子層累積膜を基板上
に形成して記録層としたことを＃徴とする、反復使用可
能な光記録媒体が特願＋１ｆｌ　５Ｂ−１８０９３２号
の光記録媒体に示されている。

これらのジアセチレン化合物累積膜にしても、光重合性
オレフィンモノマーの惧分子膜若しくは中分子層累積膜
にしても、光反応性化合物に親水ノ＾、疎水基を導入し
て、直接基板上に担持させる製法を採用している。従っ
て、種々の機能性膜を筒中に作製することが困難なのに
加えて、親木基、疎水基の導入に伴う光反応性の低下の
恐れがあった。更には、非常に高度な高密度記録を行う
際に重要となる、膜面内の分子配向の制御についても、
極めて複雑な操作が要求される問題があった。

かかる従来例の欠点を解消し、１）各種の機能性膜を比
較的簡単に作製する方法、２）その際、機能性分子の持
つ各種機能が、薄膜化した場合に於いても、損失若しく
は低下されることなく発現する様に膜化する方法、更に
は、３）上記の薄膜化に於いて、特別な操作を行うこと
なしに、膜構成分子が膜面内方向に対して、高度の秩序
構造を持って配向される方法を種々検討した結果、本発
明を成すに至った。又、かかる成膜法を用いて、高感度
、高解像度の像形成媒体を、安易にかつ高品質に提供で
きるに至った。

（３）発明の開示 本発明の目的は、外因により分Ｆ　ｌ−位での化学変化
若しくは物理変化を起こす様な高密度像形成媒体を提供
することにある。また、この様な分子単位での高密度像
形成を行うのに際して重要な因子となる媒体面内での分
子配向に関して、従来例よりも秀逸な媒体を提供するこ
とにある。更には、」二連像形成媒体を製造するに当っ
て、比較的簡単な操作変更により、様々な性質を有する
媒体を提供することにある。

本発明のｔ配回的は、以下の本発明によって達成される
。

その分子内に親水性部位、疎水性部位及び他分子との包
接が可能な部位（包接部位）を有する分子−（ホスト分
子）と該ホスト分子に包接される別種の分子（ゲスト分
子）とからなる包接錯体の屯分子膜又は単分子層累積膜
を担体上に形成して像形成層としたことを特徴とする像
形成媒体。

本発明の像形成層を構成する物質は、分子内に親水性部
位、疎水性部位及び他分子との包接が可能な部位を少な
く共１ケ所有する分子（これをホスト分子と呼ぶ）と該
ホスト分子に包接される別種の分子（これをゲスト分子
と呼ぶ）の二種の分子からなる。かかるホスト分子とゲ
スト分子とからなる包接錯体の単分子膜、乃至単分子層
累積膜を担体−にに形成することにより、本発明の像形
成媒体が形成される。但し、これら二種類の分子の内、
ともらか−力、若しくは、両方が、光、熱、電気、磁気
等の外因により、化学変化若しくは物理変化を起こすこ
とが必要である。即ち、本発明に於ける像形成媒体は、
前述の化学変化や物理変化を利用して像形成を行なう。

未発ψノに用いられるホスト分子としては、上述の如く
、分子内の適当な位置に親木性部位、疎水性部位及び少
なく共１ケ所の他種分子との包接錯体を形成ｎｆ能な部
位を有する分子であれば広く使用することができる。分
子内に親木性部位や疎水性部位を形成し得る構成要素と
しては、一般に広く知られている各種の親木基や疎水基
等が代表的なものとして挙げられる。他種分子との包接
錯体を形成し得る部位は、水酸基、カルボニル基、カル
ボキシル基、エステル基、アミン基、ニトリル基、チオ
アルコール基、イミノ基等の導入によって形成される。

このようなホスト分子を、一般式（Ｉｌａ）〜（Ｉｌｃ
）で示される水酸基を持つホスト分子を例として、以下
に具体的に説明する。

１ ０ＨＯＨ １ ０ＨＯ）ｌ Ｈ （ここで、　Ｘ＝ＨまたはＣ６Ｈ５である。）すなわち
、分子内に親水性部位および疎水性部（６を有するとは
、例えば上式に於いてＲ１！ｌｆ′Ｂ及びＲ２部の何れ
か一方に親木性部位が存在し、他方に疎水性部位が存在
するか、Ｒ１部及びＲ２部が両部以外の残りの部との関
係に於いて共に親水性、若しくは疎水性を示すことを言
う。Ｒ，部及び、Ｒ２部の構造に関して、疎水性部位を
導入する場合には特に炭素原子数５〜３０の長鎖アルキ
ル基が、又親水性部位を導入する場合には特に炭素原子
数１〜３０の脂肪酸が望ましい。

本発明に於けるホスト分子を更に具体的に示せば、例え
ば以下に列挙するアセチレンジオール誘導体（Ｎｏ、ｌ
−Ｎｏ、６．　Ｎｏ、１６〜Ｎｏ、２１）、ジアセチレ
ンジオール誘導体（Ｎｏ、７−Ｎｏ、１２．　Ｎｏ、２
２−ＮＯ，２７）、ハイドロキノン誘導体（Ｎｏ、１３
〜ｌｂ、１５゜Ｍ、２８〜Ｎｏ　、３０）等が利用し得
るものとして挙げられる。尚、以下の例における　ｍ　
、　ｎは、正の整数を、２は、−ＣＨ３または−ＧＯＣ
ＩＨを、ｐｈは、　−Ｃ６Ｈ，。

を示すものとする。

〔アセチレンジオール誘導体の例〕

０１ ）Ｉ　Ｈ １ ＣＨ３−（ＣＩＬ２）ｍ−Ｃ−Ｃ＝　Ｃ−Ｃ−（Ｃ）１
２）ｎ−Ｃｏｏ）１１ ０）１　０）１ ３０≧ｍ＋ｎ≧１１．ｎ≧Ｏ ｊ爛、２ １ ０Ｈ０Ｈ ３０≧ｙａ＋ｎ≧１１．　ｎ≧Ｏ ｊ勅、３ ３０≧ｍ＋ｎ≧８．ｎ≧１ 間、４ ３０≧ｍ＋ｎ　≧８．ｎ≧Ｉ 陽、５ ３０≧ｍ＋ｎ　≧８．ｎ≧０ 南、８ ３０≧ｍ＋ｎ　≧８．ｎ≧０ 〔ジアセチレンジオール誘導体の例〕 陽、７ １　Ｈ １ ＣＨ３−（ＣＨ２）ＩＩ−Ｃ−Ｃ”Ｃ−Ｃ’　Ｃ−Ｃ−
（ＯＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ１ ０）１　０Ｈ ３０≧膓十ｎ≧９．ｎ≧０ 陶、８ ３０≧ｆｆｉ＋ｎ≧９．　ｎ≧０ 尚、９ ３０≧ｆｆｉ＋１≧５．ｎ≧１ 陽、１０ ３０≧ｍ＋ｎ　≧５．ｎ≧１ ３０≧ｍ＋ｎ　≧５．ｒ＋≧Ｏ Ｍ、１２ ３０≧ｍ＋ｎ　≧５．ｎ≧０ 〔ハイドロキノン誘導体の例〕 ｊ動、１３ ＯＨ ３０≧ｍ＋ｎ≧１３．ｎ≧Ｏ ｊ勅、１４ ＯＨ ｉ ３０≧ｍ＋ｎ≧９．　ｎ≧１　 Ｍ、１５ １ ３０≧ｍ＋ｎ≧９．　ｎ≧０ 〔アセチレンジオール誘導体の例〕 ｉ勅、Ｉ６ １勅、１７ １ ０ＨＯＨ Ｍ、１８ ３０≧　ｎ≧４ 陥、１９ ３０≧　ｎ　≧４ 陶、２０ ３０≧　ｎ　≧４ １匂、２１ ３０≧　ｎ　≧４ 〔ジアセチレンジオール誘導体の例〕 陽、２２ １ ０Ｈ叶 ３０≧　ｎ　≧５ Ｎｏ、２３ １　１ ０）１　０）１ ３０≧　ｎ　≧５ 崩、２４ ３０≧　ｎ　≧３ 陥、２５ ３０≧　ｎ　≧３ 陥、２６ ３０≧　ｎ　≧３ 陽、２７　特開昭６０−２２２８４７　（６）ＯＨ０Ｈ ３０≧　ｎ　≧３ 〔ハイドロキノン誘導体の例〕 Ｎｏ　、　２８ ［１）１ ＯＨ ｒ動、２８ ｌ ＯＨ ３０≧　ｎ≧５ 陽、３０ ＯＨ ＯＨ 以上挙げた化合物はホスト分子に長鎖アルキ）１基や長
鎖カルボン酸等を置換させて親木性や疎水性を導入した
点を除けばそれ自体既知の化合物であり、又、長鎖アル
キル基等で修飾されていないホスト分子が、種々のゲス
ト分子と結晶性の包接錯体を形成する点に関しても、日
木化学会誌陥、２２３８頁−２４２頁（１９８３年）に
述べられている。

これらホスト分子と包接錯体を作り得るゲスト分子とし
ては、一般に、ホスト分子と強い水素結合を形成し得る
分子が望ましい。従って、先に述べた如く、ホスト分子
が包接部位として水酸基を有する場合には、ゲスト分子
として、アルデヒド、ケトン、アミン、スルフオキシＦ
等を挙げることができる。また、ゲスト分子としては他
に、各種ハロゲン化合物、或いはπ−電子系化合物、即
ちアルケン、アルキン、及びアレーン等を選ぶ事もでき
る。何れにせよ、形成される包接錯体が所望の像形成機
能を示す構造を有する分子が選ばれる。

このようなホスト分子およびゲスト分子から成る包接錯
体の単分子膜または単分子層累積膜を作成する方法とし
ては、例えば１．ＬａｎｇＩＩｕ　ｉ　ｒらの開発した
ラングミュア・ブロジェット法（ＬＢ法）を用いる。ラ
ングミュア・ブロジェット法は、例えば分子内に親木基
と疎水基を有する構造の分子〜において、両者のバラン
ス（両親媒性のバランス）か適度に保たれているとき、
分子は水面上で親木基を下に向けて単分子の層になるこ
とを利用して単分子膜または単分子層の累積膜を作成す
る方法である。水面上の単分子層は二次元系の特徴をも
つ。分子がまばらに散開しているときは、一分子当り面
積Ａと表面圧■との間に二次元理想気体の式、 ｒＩＡ＝　ｋＴ が成り立ち、°“気体膜゛となる。ここに、ｋはボルツ
マン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれば
分子間相互作用が強まり二次元国体の゛凝縮膜（または
固体膜）″になる。凝縮膜はカラス基板などの種々の材
質や形状を看する担体の表面へ一層ずつ移すことができ
る。この方法を用いて、本発明のゲスト分子を包接する
ホスト分子−のＩｔ分子１１シ（これを中錯体分子膜と
呼ぶことにする）、若しくは単鎖体分子層累積膜の具体
的な製法としては、例えば以下に示すＡ−Ｈの５法を挙
げることかできる。

［Ａ］ｒｌ的とする包接錯体のホスト分子とゲスト分子
とを溶剤に溶解し、これを水相上に展開させて包接錯体
を膜状に析出させる。この場合、ホスト分子の構造がＮ
ｏ、ｌ−Ｎｏ、１５に示したよう１′、、分子の両端に
親水性部位（カルボキシル基）と疎水性部位（アルキル
基）を併有するものであれば、水相］；に析出する包接
錯体はゲスト分子の親水性および疎水性のいかんにかか
わらず、ホスト分子の親水性部位を水相に向けた状態で
水相上に展開する。一方、ホスト分子がＮｏ、ｌｆ３−
　Ｎｏ、３０に示した構造をとる場合、分子の両端が疎
水性部位のみで構成される　Ｚ＝−ＣＨ３は、水相上に
析出する包接錯体は、ゲスト分子の親水性部位を水相に
商法だ第４図に示すような状態で水相」−に展開する。

又、分子の両端が親水性部位のみで構成されるｚ＝−ｃ
ｏｏＨでは水相上に形成される包接錯体は、ホスト分子
の親木性部位を水相に向けた第５図に示すような状態で
水相」；に展開する。

次にこの析出物が水相上を自由に拡散して広がりすぎな
いように仕切板（または浮子）を設けて展開面積を制限
して膜物質の集合状態を制御し、その集合状態に比例し
た表面圧■を得る。この仕切板を動かし、展開面積を縮
少して膜物質の集合状態を制御し５表面圧を徐々に上列
させ、累積膜の製造に適する表面圧■を設定することが
できる。この表面圧を維持しながら静かに清浄な担体を
垂直に上下させることにより単錯体分子膜が担体上に移
しとられる。単鎖体分子膜は以トで製造されるが、中錯
体分子層累積膜は前記の操作を繰り返すことにより所望
の累積度の単鎖体分子層累積膜が形成される。

単鎖体分子層を担体−１−に移すには、上述した垂直浸
せき法の他、水平イ＋ｊ着法、回転円筒法などの方法に
よる。水平刺着法は担体を水面に水平に接触させて移し
とる方法で、回転円筒法は、円筒型の担体を水面」二を
回転させて単鎖体分子層を担体表面に移しとる方法であ
る。前述した垂直浸せき法では、表面が親水性である担
体を水面を横切る方向に水中から引き−１−げろとホス
ト分子の親水基が担体側に向いた単鎖体分子層が担体上
に形成される。前述のように担体を上下させると、各行
程ごとに１枚ずつ弔錯体分子層が積み重なっていく。成
膜分子の向きが引上げ行程と浸せき行程で逆になるので
、この方法によると各層間はホスト分−ｒの親木基と親
木基、ホスト分子の疎水基と疎水基が向かい合うＹ型膜
が形成される。それに対［７、水１ｆｆ−（＝Ｉ着法は
、担体を水面に水平に接触させて移しとる方法で、ホス
ト分子の疎水基が担体側に向いた中錯体分子層が担体−
Ｌに形成される。この方法では、累積しても、成膜分子
の向きの交代はなく全ての層において、疎水基が担体側
に向いたＸ型膜が形成される。反対に全ての層において
親木基が担体側に向いた累積膜はＺ型膜と呼ばれる。

回転円筒法は、円筒型の担体を水面上を回転させて申分
−ｒ層を担体表面に移しとる方法である。

単分子層を担体上に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面ａ担体を用いる時には、１１１体ロー
ルから水相中に担体を押し出していく方法などもとり得
る。また、前述した親木基、疎水基の担体への向きは原
則であり、担体の表面処理等によって変えることもでき
る。

以上の成膜過程に於いて膜物質の面内方向の配向性制御
は従来、主として表面圧の制御に依って成されていた訳
であるか、膜物質が全稈単純な構造の化合物、例えば直
鎖脂肪酸等の場合を除き、高い秩序性を得ることは極め
て困難であった。然るに本発明に於いては、包接錯体を
膜物質に用いるので、高い秩序性を持つ膜を比較的簡単
に得ることができる。即ち、水相上に包接錯体が膜状に
析出した時点で、水素結合やファン・チル・ワールスカ
等に因ってホスト分子−ゲスト分子間、ホスト分子−ホ
スト分子間、ゲスト分子−ゲスト分子−間の立体的配置
は固定され、各ホスト分子−及びゲスト分子は結晶格子
的秩序性を持って配列する。又、ゲスト分子のみが機能
性を持つ場合にほ、このゲスト分子への化学的修飾、即
ち、ｖｉ水基や親木基の導入を行わないので、膜化に伴
う機能の低下は生しない。

［Ｂ］水溶性を示すゲスト分子を水相に溶解させる。次
にホスト分子を溶剤に溶解せしめてこれを水相にに展開
させる。この時同時にホスト分子−ゲスト分子間で包接
錯体形成が行われて膜状に析出する。ホスト分子とゲス
ト分子の組み合わせ及び以下の成膜操作については［Ａ
］に示した方法に順する。

［ＣＪ水溶性を示すゲスト分子を水相に溶解させる。次
に、目的とする包接錯体のホスト分子とゲスト分子とを
溶剤に溶解し、これを水相上に展開させて包接錯体を膜
状に析出させる。ホスト分子とゲスト分子の組み合わせ
及び以下の成膜操作については［Ａ］に示した方法に順
する。

［Ｄ］ホスト分子を溶剤に溶解しこれを水相中、に展開
させる。その後、密閉系の装置を用いて気相側、即ち装
置内の空間をゲスト分子ガス雰囲気とする。この時、同
時に気相側のゲスト分子を包接し、包接錯体が膜状に析
出する。この方法はゲスト分子が低沸点で気化し易い性
質を持つ化合物、例えばアセトン等の場合、特に有効で
ある。ホスト分子とゲスト分子の組み合わせ及び以下の
成膜操作については［Ａ］に示した方法に順する６［Ｅ
］密閉系の装置を用いて気相側、即ち装置内の空間をゲ
スト分子カス雰囲気とする。次に目的とする包接錯体の
ホスト分子とゲスト分子とを溶剤に溶解し、これを水相
上に展開させて包接錯体を膜状に析出させる。ホスト分
子とゲスト分子の組み合わせ及び以下の成膜操作につい
ては、［Ａ］に示した方法に順する。

叙上の方法によって担体上に形成される単鎖体分子膜及
び単錯体分子層累積膜は高密度でしかも高度の秩序性を
有しており、これら膜で像形成層を構成することによっ
て、包接錯体の機能に応して光像形成、熱的像形成、電
気的像形成あるいは磁気的像形成等の可能な高密度で高
解像度の像形成機能を有する像形成媒体を得ることがで
きる。

また、これら成膜方法はその原理からも分る通り、非常
に簡易な方法であり、上記のような優れた像形成機能を
有する像形成媒体を低コストで提供することができる。

以上述べた、本発明における単鎖体分子膜または単分子
層累積膜を形成する担体は特に限定されないが、担体表
面に界面活性物質が付着していると、単錯体分子層を水
面から移しとる時に、単錯体分子膜が乱れ良好な単錯体
分子膜または単鎖体分子層累積膜ができないので担体表
面が清浄なものを使用する必要がある。使用することの
できる担体の例としては、カラス、アルミニウムなどの
金属、プラスチック、セラミックなどが挙げられる。

担体上の単鎖体分子膜または単鎖体分子層累積膜は、十
分に強く固定されており担体からの剥離、剥落を生じる
ことはほとんどないが、付着力を強化する目的で担体と
単鎖体分子膜または単鎖体分子層累積膜の間に接着層を
設けることもできる。さらに単鎖体分子層形成条件例え
ば水相の水素イオン濃度、イオン種、水温、担体上げ下
げ速度あるいは表面圧の選択等によって刺着力を強化す
ることもできる。

単分子膜または単分子層累積膜の上に保護膜を設けるこ
とは、単分子膜または単分子層累積膜の化学的安定性を
向上させるためには、好ましいことであるが、成膜分子
の選択によって保護膜は設けても設けなくてもよい。以
下に本発明の実施例を示して更に具体的に説明する６ 実施例１ ジアセチレンジオール と、ジスチリルピラジン とを、モル比１：１の割合でクロロポルムに溶がした後
、ｐＨ＝８．５．塩化カドミウム濃度４×１０′４ｍｏ
ｌ／Ａの水相上に展開させた。溶媒のクロロポルムを蒸
発除去した後、表面圧を高めて３５ｄｙｎｅｓ／ｃｍと
し、包接錯体を膜状に析出させた。この後、表面が１・
分に清浄で親木性となっているがラス基板を、水面を横
切る方向に静かにト下させ（」−下速Ｉｇ　７　ｃｍ／
ｆｆ１ｉｎ）　ｌ−錯体分子膜を基板−Ｈに移し取り、
中錯体分子膜及び３　、５　、９　、１５．２１層に累
積した単鎖体分子層膜を像形成層とする光像形成媒体を
作成した。この累積行程に於いて、基板を引きトげる都
度に３０分間以上放置して、基板５上に付着している水
分を蒸発除去した。尚、成膜装置としては、英国Ｊｏｙ
ｃｅ社製のＬａｎｇｍｕｉｒ−Ｔｒｏｕｇｈ　４を使用
した。

作成した光像形成媒体に情報パターンに従ってＸ線照射
を行ない、式（ＩＩＩ）に従うゲスト分子の′、量化反
応を行ない情報を記録した（第１図にの情報の記録は、
分子−オーターの密度で行なえ、高密度記録が可能であ
ることを確かめた。記録像の再生は、ゲスト分子の三量
化に伴う波長３８５ｎｍ伺近の吸収変化（吸光度の減少
）を読み取ることによって行なった（第２図参照）。次
いで赤外線を３０秒間照射したところ、開環反応が起っ
て元のジスチリルピラジンが再生され、記録の消去が可
能であることを確かめた（第３図参照）。

ゲスト分子として上記ジスチリルピラジンの他ジオレフ
ィン化合物を用いた場合も同様の結果を得た。また、上
述の各種ゲスト分子を用い、ホスト分子をハイドロキノ
ン誘導体、とした場合にも、」二述例と同様にして光に
因る高密度像形成（記録）、再生、更には像（記録）の
消去が可能　−であった。

実施例２ 実施例１で述べた各光像形成媒体を、先ず、高圧水銀灯
或いはキセノン光等で全面露光して、全てのゲスト分子
を三量化せしめた。かかる媒体に情報パターンに従って
赤外レーザー光を照射し、二酸化していたゲスＩ・分子
をパターン状に解重合させることにより、像形成（情報
の記録）を行なった。この情報の記録は、分子オーター
の密度で行なえ、高密度記録が可能であることを確かめ
た６記録像の再生は、ゲスト分子の解重合に伴う波長３
８５ｎｍ伺近の吸収変化（吸光度の増加）を読み取るこ
とにより行なった。記録像の消去は、高圧水銀灯若しく
はキャノン光等を、再度、１−配光像形成媒体に全面露
光し、全てのゲスト分子を三量化することにより行なっ
た。

以上に説明した如く、本発明によって、高密度で高解像
力を有する像形成媒体を低コストで提供することが可能
となった。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は、本発明に係る像形成媒体の実施例を
説明する縦断面図であり、各々、第１図は像形成（記録
）過程、第２図は再生過程、第３図は消去過程を示して
おり、第４図〜第５図は本発明に係る包接錯体の水相上
に於ける状態を説明する説明図である。 １−−−ホスト分子　２−一−ゲスト分イ３−−−親水
性部位 ４−ｍ−長鎖アルキル部位 ５−ｍ−基板 ６−−−Ｘ線 ７−−−二量化部位　８−一一可視光 ９−ｍ−赤外線 １０．１Ｉ−−一包接部位 １２、１３−−一被包接部位 １４−ｍ−長鎖脂肪酸部位 １５−ｍ−疎水性部位 １６−−−水相 特許出願人　キャノン株式会社 （ｂ）　（ａ） 第　１　図 第　２　図 第　３　図 （ｂ） 第　４　図 （ｂ） 第　５　図 手　続　補　正　書（自発） 昭オロ５９年を月　２日 １、事件の表示　昭和５９年４月２０日提出の特許願４
後記号なし） ２、発明の名称 像形成媒体 ３、補正をする者 事件との関係特許出願人 住　所　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名　称　
（１００）　キャノン株式会社代表者　賀　来　龍三部 ４、代理人 住　所　東京都港区赤坂１丁目９番２０号６補正の内容 （１）　明細誓第１４頁の−９の化合物の式が、とある
のを、 と訂正する。 （２）　明細ＩＦ第１５頁のｍｉｏの化合物の式が、と
あるのを、 と訂正する。 （３）明細側１５頁の随１１の化合物の式が、とあるの
を、 ＯＨＯＨ，Ｊ と訂正する。 （４）　明細書第１８頁のＮ［Ｌ２２の化合物の式にお
いて、ｒ３０≧ｎ≧５」とあるのを、「３ｏ≧ｎ≧３」
と訂正する。 （５）　明細書第１９員のＮａ２３の化合物の式におい
て、「３０≧ｎ≧５」とあるのを、ｒ３０≧ｎ≧３」と
訂正する。 （６）　明細書第１９頁のｍ２４の化合物のなおいて、
３０≧ｎ≧３」 とあるを、 ｒ　ＨＨ ３０≧ｎ≧１　」 と訂正する。 （７）　明細書第１９頁の１＠２５の化合物の式におい
て、「３０≧ｎ≧３」とあるのを、「３０≧ｎ≧１」と
訂正する。 （８）　明細書第１９頁の随２６の化合物の式において
、「３０≧ｎ≧３」とあるのを、「３０≧ｎ≧１」と訂
正する。 （９）　明細書第２０頁の麹２７の化合物の式において
、「３０≧ｎ≧３」とあるのを、「３０≧ｎ≧１　」と
訂正する。 （１０）明細１ｉ第２０頁の随２８の化合物の式におい
て、「３０≧ｎ≧７」とあるのを、「３０≧ｎ≧５」と
引圧する。 （１１）明細書第２０員の随２９の化合物の弐において
、 ＯＨ ３０≧ｎ≧５　」 とあるのを、 ３０≧ｎ≧１」 と訂正する。 （１２）明細書第２０頁のＮ［Ｌ３０の化合物の式にお
いて、「３０≧ｎ≧５」とあるめを、ｒ３０≧ｎ≧ｌ」
と訂正する・ （１３）明細書第３１頁１６行の式（川）が、とあるの
を、 と訂正する。 （１４）明細書第３３貞Ｆ行〜２１テの式カー、とある
のを、 Ｈ Ｈ とＷＪ正づ−る。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. その分子内に親木性部位、疎水性部位及び包接部位を有
   するホスト分子と該ホスト分子に包接されるケスト分子
   とからなる包接錯体の単分子膜又は単分子層累積膜を担
   体１−に形成して像形Ｔ＆層としたことを特徴とする像
   形成媒体。