JPS60239741A - 記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）技術分野 本発明は、包接錯体の単分子膜、乃至単分子層累積膜の
化学変化若しくは物理変化を利用して記録を行なう記録
媒体に関する。

（２）背景技術 従来、有機化合物を記録層とする記録゛媒体としては種
々のものが知られている。

例えば、有機化合物を薄膜にして記録層として用いる光
記録媒体については、例えば特開昭５Ｂ−ＩＨ４８号公
報、特開昭５８−１２５２４８号公報にも開示されてい
る。いずれも有機色素を記録層とし、レーザビームによ
り記録再生を行なうレーザ記録媒体に関するものである
。特に、特開昭５８−１２５２４８号公報に開示された
媒体は、一般式（Ｉ） で表わされるシアニン系色素の薄膜を記録層とするもの
である。（１）式で表わされるシアニン系色素溶液を回
転塗布機などを用いて、１００ＯＡ以下の厚さ、例えば
約３０ＯＡの厚さにプラスチック基板上に塗布し薄膜を
形成する。膜内の分子分布配向がランダムであると、光
照射に伴って膜内で光の散乱が生じ、微視的にみた場合
各光照射の度に生ずる化学反応の度合が異なってくる。

そこで記録媒体としては、膜内の分子分布、配向が一様
になっているととが望ましく、またできる限り膜厚が薄
いことが、記録の高密度化のために要請される。しかし
ながら、塗布法による場合、膜厚においては３００Ａ程
度が限界であり、膜内の分子分布、配向がランダムであ
ることは解決しがたいことであった。

レジスト材料の一つとして光量子効率が大でかつ優れた
解像力を有するものとして提案されていたジアセチレン
化合物累積膜が、レジスト材料のみならず、薄膜電気−
光学デバイス、電気−音響デバイス、圧・焦電デバイス
等にも応用されることが、特開昭５８−４２２２９号公
報、特開昭５８−４３２２０号公報などに示されている
・ 近時においては、ジアセチレン化合物累積膜の製造方法
の改良について特開昭５８−１１１０２！３号公報に示
されている。かかる発明にて製造された基板上のジアセ
チレン化合物累積膜は紫外線を照射することにより重合
させてジアセチレン化合物重合体膜を作り、或はマスキ
ングして紫外線を照射し部分的に重合させ、未重合部分
を除去して図形を作り、薄膜光学デバイスや集積回路素
子として使用される。

しかし、これらはいずれもジアセチレン化合物に限るも
のであり、薄膜光学デバイスとして使用するときに、一
度記録したものの消去の可能性については述べられてい
ない。

一方、上述欠点を解決すべく、分子内に親木基、疎水基
及び少なくとも１個の不飽和結合を有する１種類の光重
合性七ツマ−の単分子膜又は単分子層累積膜を基板上に
形成して記録層としたことを特徴とする、反復使用可能
な光記録媒体が特願昭５８−１１１０９３２号の光記録
媒体に示されている。

これらのジアセチレン化合物累８ｉＭにしても、光重合
性オレフィンモノマーの単分子膜若しくは単分子層累積
膜にしても、光反応性化合物に親木基、疎水基を導入し
て、直接基板上に担持させる製法を採用している。従っ
て、種々の機能性膜、を簡単に作製することが困難なの
に加えて、親木基、疎水基の導入に伴う光反応性の低下
の恐れがあった。更には、非常に高度な高密度記録を行
う際に重要となる、膜面内の分子配向の制御についても
、極めて複雑な操作が要求される問題があった。

かかる従来例の欠点を解消し、ｌ）各種の機能性膜を比
較的簡単に作製する方法、２）その際、機能性分子の−
持つ各種機能が、薄膜化した場合に於いても、損失若し
くは低下されることなく発現する様に膜化する方法、更
には、３）上記の薄膜化に於いて、特別な操作を行うこ
となしに、膜構成分子が膜面内方向に対して、高度の秩
序構造を持って配向される方法を種々検討した結果、本
発明を成すに至った。又、かかる成膜法を用いて、高感
度、高解像度の記録媒体を、容易にかつ高品質に提供で
きるに至った。

（３）発明の開示 本発明の目的は、光により分子単位での化学変化若しく
は物理変化を起こす様な高密度記録媒体を提供すること
にある。

また、この様な分子単位での高密度像形成を行うのに際
して重要な因子となる媒体面内での分子配向に関して、
従来例よりも秀逸な媒体を提供することにある。更には
、上述記録媒体を製造するに当って、比較的簡単な操作
変更により、様々な性質を有する媒体を提供することに
ある。

本発明の上記目的は、以下の本発明によって達成される
。

その分子内に親水性部位、疎水性部位及び他分子との包
接が可能な部位（包接部位）を有する分子（ホスト分子
）と該ホスト分子に包接され、光三員性を有する別種の
分子（ゲスト分子）とからなる包接錯体の単分子膜又は
単分子層累積膜を担体上に形成して記録層とし、光によ
り記録を行なうことを特徴とする記録媒体。

本発明の記録層を構成する物質は、分子内に親木性部位
、疎水性部位及び他分子との包接が可能な部位を少なく
共１ケ所有する分子（これをホスト分子と呼ぶ）と該ホ
スト分子に包・接され、光−二・量性を有する別種の分
子（これをゲスト分子と呼ぶ）の二種の分子からなる。

かかる本スト分子とゲスト分子とからなる包接錯体の単
分子膜、乃至単分子層累積膜を担体上に形成することに
より、本発明の記録媒体が形成される。但し、これら二
種類の分子の内、ゲスト分子が、光により、三員化する
ことが必要である。

本発明に用いられるホスト分子としては、上述の如く１
分子内の適当な位置に親木性部位、疎水性部位及び少な
く共１ケ所の他種分子との包接錯体を形成可能な部位を
有する分子であれば広く使用することができる。分子内
に親木性部位や疎水性部位を形成し得る構成要素として
は、一般に広く知られている各種の親木基や疎水基等が
代表的なものとして挙げられる。他種分子との包接錯体
を形成上書る部位は、水酸基、カルボニル基、カルボキ
シル基、エステル基、アミン基、ニトリル基、チオアル
コール基、イミノ基等の導入によって形成される。この
ようなホスト分子を、一般式（ＩＩ　ａ）〜（”ＴＩｃ
）で示される水酸基を持つホスト分子を例として、以下
に具体的に説明する。

ｘ １ Ｕ）ｌ （ここで、Ｘ＝ＨまたはＣ６Ｈ５である。）すなわち、
分子内に親水性部位および疎水性部位を有するとは、例
えば上式に於いてＲ１部及びＲ２部の何れか一方に親木
性部位が存在し、他方に疎水性部位が存在するか、Ｒ１
部及びＲ２部が両部以外の残りの部との関係に於いて共
に親水性、若しくは疎水性を示すことを言う。Ｒ１部及
び、Ｒ２部の構造に関して、疎水性部位を導入する場合
には特に炭素原子数５〜３０の長鎖アルキル基が、又親
水性部位を導入する場合には特に炭素原子数１〜３０の
脂肪酸が望ましい。

本発明に於けるホスト分子を更に具体的に示せば、例え
ば以下に列挙するアセチレンジオール誘導体（Ｎｏ、１
−勤、８．　Ｎｏ、１６〜陽、２１）、ジアセチレンジ
オール誘導体（Ｎｏ、７〜Ｎｏ、１２．　Ｎｏ、２２〜
Ｎｏ−２７）、ハイドロキノン誘導体（Ｎｏ、１３〜Ｎ
ｏ、１５゜陽、２８〜Ｎｏ、３０）等が利用し得るもの
として挙げられる。尚、以下の例にお（する　ｍ、ｎは
、正の整数を、Ｚは、−ＣＨ３または−ＣＯＯＨを、ｐ
ｈは、　−Ｃ６Ｈ５を示すものとする。

〔アセチレンジオール誘導体の例〕

Ｎｏ、　１ ３０≧ｍ十ｎ≧１１．ｎ≧Ｏ 歯、２ ３０≧ｍ十ｎ≧１１．ｎ≧Ｏ Ｎｏ、　３ ３０≧ｍ＋ｎ≧８．　ｎ≧１ Ｎｏ、４ ３０≧ｍ十ｎ≧８．　ｎ≧１ Ｎｏ、　５ ３０≧ｍ＋ｎ≧８．　ｎ≧Ｏ Ｎｏ、　６ ３０≧ｍ十ｎ≧８．　ｎ≧０ 〔ジアセチレンジオール誘導体の例〕 Ｎｏ、　７ ３０≧ｍ十ｎ≧９．　ｎ≧Ｏ Ｎｏ、　８ ３０≧ｍ＋ｎ≧９．　ｎ≧Ｏ Ｎｏ、　９ ３０≧ｍ＋ｎ≧５．　ｎ≧１ 騰、１０ ３０≧ｍ＋ｎ≧５．　ｎ≧Ｉ Ｎｏ、１１ ３０≧ｍ十ｎ≧５．　ｎ≧Ｏ Ｎｏ、１２ ３０≧ｍ＋ｎ≧５．ｎ≧Ｏ 〔ハイドロキノン誘導体の例〕 Ｈ ３０≧ｍ＋ｎ≧１３．ｎ≧Ｏ Ｎｏ、１４ Ｈ ３０≧ｍ　＋ｎ≧９．ｎ≧１ Ｎｏ、１５ ３０≧ｍ＋　ｎ≧９．ｎ≧０ 〔アセチレンジオール誘導体の例〕 拘、１６ ３０≧　ｎ≧５ Ｎｏ、１７ ３０≧　ｎ≧５ Ｎｏ、１８ ３０≧　ｎ≧４ Ｎｏ、１９ ３０≧　ｎ≧４ Ｎｏ、２０ ３０≧　ｎ≧４ Ｎｏ、２１ ３０≧　ｎ≧４ 以上挙げた化合物はホスト分子に長鎖アルキル基や長鎖
カルボン酸等を置換させて親木性や疎水性を導入した点
を除けばそれ自゛体既知の化合物であり、又、長鎖アル
キル基等で修飾されていないホスト分子が２種々のゲス
ト分子と結晶性の包接錯体を形成する点に関しても、日
本化学会誌陽、２２３８頁−２４２頁（１９８３年）に
述べられている。

これらホスト分子と包接錯体を作り得るゲスト分子とし
ては、一般に、ホスト分子と強い水素結合を形成し得る
分子が望ましい。従って、先に述べた如く、ホスト分子
が包接部位として水酸基を有する場合には、ゲスト分子
として、アルデヒド、ケトン、アミン、スル７オキシド
等を挙げることができる。また、ゲスト分子としては他
に、各種ハロゲン化合物、或いはπ−電子系化合物、即
ちアルケン、アルキン、及びアレーン等を選ぶ事もでき
る。何れにせよ、ゲスト分子の三量化により所望の記録
をすることのできる有する分子が選ばれる。

ゲスト分子の光二量化反応を用いた記録媒体に利用し得
るゲスト分子の具体例としては、オレフィン化合物（Ｎ
ｏ、３１〜Ｎｏ、３４）、ジオレフィン化合物（、ＮＯ
，３５〜ＮＯ，３ｅ）、アントラセン誘導体（Ｎｂ、３
９）、２−アミノピリジニウム（Ｎｏ、４１）等が挙げ
られる。

〔オレフィン化４合物の例〕 Ｎｏ、３１ Ｒ＝　−Ｈ、−Ｃ，Ｈ，、−ＯＨ、−０ＣＲ，）拘、３
２ Ｎｏ、３３ ＮＣ−Ｃ）Ｉ＝ＣＨ−ＣＮ Ｎｏ、　３４ Ｒ，０ＯＣ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯＲ。

（Ｒ１＝Ｒｔ＝ＣＨａまたはＲ１＝　０Ｍ３、Ｒ，＝Ｉ
（）〔ジオレフィン化合物の例〕 Ｎｏ、３５ Ａｒ’　−ＣＨ＝ＣＨ−Ａｒ−ＣＨ＝ＣＨ−Ａｒ’１１ （ＲＣＣＨ＝ＣＨ）２Ａｒ Ｎｏ、３７ Ｎｏ、３８ １ Ｒ−ｃａ＝ｃＨ−Ｃ−Ｃ）（＝ＣＩＨ−Ｒ（Ｒ二ｃ、ａ
ｌｌ−、−ＣＯＯＣ馬）〔アントラセン誘導体の例） 〔アクリジニウム誘導体の例〕 夙 〔２−アミノピリジニウム〕 尚、４】 このようなホスト分子およびゲスト分子から成る包接錯
体の単分子膜または単分子層累積膜を作成する方法とし
ては、例えばＩ　＋　Ｌａｎｇｌｕｉｒらの開発したラ
ングミュア・ブロジェット法（ＬＢ法）を用いる。ＬＢ
法は、例え１ｆ分子内に親木基と疎水基を有する構造の
分子において、両者のバランス（両親媒性のバランス）
が適度に保たれているとき、分子は水面上で親木基を下
に向けて単分子の層になることを利用して単分子膜また
は単分子層の累積膜を作成する方法である。水面上の単
分子層は二次元系の特徴をもつ０分子がまばらに散開し
ているときは、一分子当り面積Ａと表面圧ｎとの間に二
次元理想気体の式、 ｎＡ＝ｋＴ が成り立ち、′気体膜”となる、ここに、ｋは、ポルツ
マン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれば
分子間相互作用が強まり二次元固体の″凝縮膜（または
固体膜）”になる、凝縮膜はガラス基板などの種々の材
質や形状を有する担体の表面へ一層ずつ移すことができ
る。この方法を用いて、本発明のゲスト分子を包接する
ホスト分子の単分子Ｍ（これを単錯体分子膜と呼ぶこと
にする）、若しくは単錯体分子層累積膜の具体的な製法
としては、例えば以下に示すＡ−Ｈの５法を挙げること
ができる。

［Ａ］　目的とする包接錯体のホスト分子とゲスト分子
とを溶剤に溶解し、これを水相上に展開させて包接錯体
を膜状に析出させる。この場合、ホスト分子の構造がＮ
ｏ、１−Ｎｏ−１５に示したような分子の両端に親水性
部位（カルボキシル基）と疎水性部位（アルキを基）を
併有するものであれば、水相上に析出する包接錯体はゲ
スト分子の親水性および疎水性のいかんにかかわらず、
ホスト分子の親水性部位を水稲に向けた状態で水相上に
展開する。一方、ホスト分子がＮｏ、１８−　Ｎｏ、・
３０に示した構造をとる場合、分子の両端が疎水性部位
のみで構成されるＺ＝−ＣＨ３は、水相上に析出する包
接錯体は、ゲスト分子の親水性部位を水相に向けた第４
図に示すような状態で水相上に展開する。又、分子の両
端が親水性部位のみで構成されるＺ＝−ＣＯＯＨでは水
相上に形成される包接錯体は、ホスト分子の親水性部位
を水相に向けた第５図に示すような状態で水相上に展開
する。

次にこの析出物が水相上を自由に拡散して広がりすぎな
いように仕切板（または浮子）を設けて展開面積を制限
して膜物質の集合状態を制御し、その集合状態に比例し
た表面圧■を得る。この仕切板を動かし、展開面積を縮
少して膜物質の集合状態を制御し、表面圧を徐々に上昇
させ、累積膜の製造に適する表面圧■を設定することが
できる。この表面圧を維持しながら静かに清浄な担体を
垂直に上下させることにより単鎖体分子膜が担体上に移
しとられる。単錯体分子膜は以上で製造されるが、単鎖
体分子層累積膜は前記の操作を繰り返すことにより所望
の累積度の単鎖体分子層累積膜が形成される。

単錯体分子層を担体上に移すには、上述した垂直浸せき
法の他、水平付着法１回転円筒法などの方法による。水
平付着法は担体を水面に水平に接触させて移しとる方法
で、回転円筒法は、円筒型の担体を水面上を回転させて
単錯体分子層を担体表面に移しとる方法である。前述し
た垂直浸せき法では１表面が親木性である担体を水面を
横切る方向に水中から引き上げるとホスト分子の親木基
が担体側に向いた単鎖体分子層が担体上に形成される。

前述のように担体を上下させると、各行程ごとに１枚ず
つ単錯体分子層が積み重なっていく。成膜分子の向きが
引上げ行程と浸せき行程で逆になるので、この方法によ
ると各層間はホスト分子の親木基と親木基、ホスト分子
の疎水基と疎水基が向かい合うＹ型膜が形成される。そ
れに対し、水平付着法は、担体を水面に水平に接触させ
て移しとる方法で、ホスト分子の疎水基が担体側に向い
た単鎖体分子層が担体上に形成される。この方法では、
累積しても、成膜分子の向きの交代はなく全ての層にお
いて、疎水基が担体側に向いたＸ型膜が形成される０反
対に全ての層において親木基が担体側に向いた累積膜は
Ｚ型膜と呼ばれる。

回転円筒法は、円筒型の担体を水面上を回転させて単分
子層を担体表面に移しとる方法である。

単分子層を担体上に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面積担体を用いる時には、担体ロールか
ら水相中に担体を押し出していく方法などもとり得る。

また、前述した親木基、疎水基の担体への向きは原則で
あり、担体の表面処理等によって変えることもできる。

以上の成膜過程に於いて膜物質の面内方向の配向性制御
は従来、主として表面圧の制御に依って成されていた訳
であるが、膜物質が全稈単純な構造の化合物、例えば直
鎖脂肪酸等の場合を除き、高い秩序性を得ることは極め
て困難であった。然るに本発明に於いては、包接錯体を
膜物質に用いるので、高い秩序性を持つ膜を比較的簡単
に得ることができる。即ち、水相上に包接錯体が膜状・
に析出した時点で、水素結合やファン・デル・ワールス
カ等に因ってホスト分子−ゲスト分子間、ホスト分子−
・ホスト分子間、ゲスト分子−ゲスト分子間の立体的配
置は固定され、各ホスト分子及びゲスト分子は結晶格子
的秩序性を持って配列する。又、ゲスト分子のみが機能
性を持つ場合には、このゲスト分子への化学的修飾、即
ち、疎水基や親木基の導入を行わないので、膜化に伴う
機能の低下は生じない。

［Ｂ］水溶性を示すゲスト分子を水相に溶解させる０次
にホスト分子を溶剤に溶解せしめてこれを水相上に展開
させる。この時同時にホスト分子−ゲスト分子間で包接
錯体形成が行われて膜状に析出する。ホスト分子とゲス
ト分子の組み合わせ及び以下の成膜操作については［Ａ
］に示した方法に準する。

［Ｃ］水溶性を示すゲスト分子を水相に溶解させる。次
に、目的とする包接錯体のホスト分子とゲスト分子とを
溶剤に溶解し、これを水相上に展開させて包接錯体を膜
状に析出させる。、ホスト分子とゲスト分子の組み合わ
せ及び以下の成膜操作については［Ａ］に示した方法に
準する。

［０］ホスト分子を溶剤に溶解しこれを水相中に展開さ
せる。その後、密閉系の装置を用いて気相側、即ち装置
内の空間をゲスト分子ガス雰囲気とする。この詩、同時
に気相側のゲスト分子を包接し、包接錯体が膜状に析出
する。この方法はゲスト分子が低沸点で気化し易い性質
を持つ化合物、例えばアセトン等の場合、特に有効であ
る。ホスト分子とゲスト分子の組み合わせ及び以下の成
膜操作については［Ａ］に示した方法に順する。

［Ｅ］密閉系の装置を用いて気相側、即ち装置内の空間
をゲスト分子ガス雰囲気とする０次に目的とする包接錯
体のホスト分子とゲスト分子とを溶剤に溶解し、これを
水相上に展開させて包接錯体を膜状に析出させる。ホス
ト分子とゲスト分子の組み合わせ及び以下の成膜操作に
ついては、　［Ａ］に示した方法に準する。

上述の方法によって担体上に形成される単鎖体分子膜及
び単鎖体分子層累積膜は高密度でしかも高度の秩序性を
有しており、これらの膜で記録層を構成することによっ
て、包接錯体の機能に応じて光記録、熱的記録、電気的
記録あるいは磁気的記録等の可能な高密度で高解像度の
記録機能を有する記録媒体を得ることができる。

作成した単錯体分子膜及び単錯体分子層累積膜を記録媒
体の記録層として用いる場合以下に示す様に記録が行わ
れる。

例えばホスト分子にＮｏ、　７〜１５、Ｎｏ、２２〜３
０の何れかと、Ｎｏ、３１−３８等の光三員性二重結合
を有するゲスト分子とを組み合わせるとホスト分子対ゲ
スト分子の組成比（ｍｏｌ比）が１＝２の包接錯体が形
成される。この単錯体分子膜、若しくは、単鎖体分子層
累積膜にあるパターンに従ってガンマ線、Ｘ線、紫外線
など重合に必要なエネルギーを供給しうる光を照射する
と照射部位において■式に示すようにゲスト分子間で三
量化反応がおこる。

これらの反応は互いに隣接する不飽和結合の距離が４Ａ
以下のときおこり得るものであるが、先に述べた様な方
法で作成された単錯体分子膜又は。

単錯体分子層累積膜では、二量化物が容易に得ちれるの
みならず、三量化反応に伴って生成が考えられる各種の
異性体若しくは構造体の唯一種しか生成されない、即ち
、包接錯体層に於けるゲスト分子間の立体配列は、極め
て整然としている。また、三量化した後は、暗所下でも
解重合は起らず、非照射部位は単量体のままであるので
、第１図に示すように、成るパターンに従った記録が成
される。

記録された情報の読み取りは例えば可視光の照射によっ
て行なう、すなわち、重合によって単量体時の共役系が
崩れるので、可視光の吸収波長に変化をきたす、最大吸
収波長は低波長側にシフトするので、吸収スペクトル変
化を読みとることにより情報の再生が行なわれる（第２
図）。

再生は、可視光による吸収スペクトル変化の読み取り以
外にも、単量体時と三員孔径の体積変化又は屈折率変化
をシュリーレン法により読みとることも可能である。こ
の方法は、単量体時と三員イＩ＋＊（ｒ＋＆１１８ルＡ
）１．↓Ｗ４１−”Ｍ７１１−／Ｌ−／１％−Ｊ−＆＋
、Ｊ＆Ｖ＆ｍ４する化合物の単錯体分子膜または単錯体
分子層累積膜のときには特に適している。また、単鎖体
分子膜または単錯体分子層累積膜を基板の上に直接では
なく、基板上にＳｓ、　ＺｎＯ，ＣｄＳなどの光導電体
層を形成し、その上に単錯体分子膜または単錯体分子層
累積膜を形成することにより、単量体と二量体の吸光度
の差を電気的に読み取ることも可能である。

二量体はシクロブタン環に基づく、波長２７０ｍｍの吸
収を持つが、この波長２７Ｏｎｍの紫外光を照射するこ
とによって二量体は元の単量体二分子に戻る。従って一
度記録された情報の除去が可能となる。（第３図） なお光三員性のゲスト分子としてアントラセン誘導体Ｎ
ｏ、３９の如き化合物を用いる事もできる。

この場合光二量化反応は■式に従って進行する。

ヌ、ホスト分子としてＮｏ、　７を用いた場合には、Ｘ
線、ガンマ線、紫外線等の重合に必要なエネルギーを供
給し得る光を照射すると、照射部位に於いてＶ式に示す
様にホスト分子間で重合がおこり、ポリジアセチレンが
形成される。

従って、単錯体分子膜若しくは単鎖体分子層累積膜に全
面露光することにより、基板との付着力を飛躍的に増大
せしめることが可能である。特に耐薬品（耐溶剤）性が
増大する。かかる、全面露光により、ゲスト分子が光三
員性を示す場合にはゲスト分子も、重量化してしまうが
、これを光記録媒体として用いる際には、前述例とは逆
にパターンに従ってシクロブタン環の吸収波長に等しい
波長の光（紫外光）を照射して解重合させることにより
記録乃至表示が出来る訳である。

以上述べた記録媒体に於いｙ膜厚は、特に１００〜３０
００Ａのものが好ましい。

これら成膜方法はその原理からも分る通り、非常に簡易
な方法であり、上記のような優れた記録機能を有する記
録媒体を低コストで提供することができる。

以上述べた、本発明におζする単鎖体′分子膜または単
分子層累積膜を形成する担体は特に限定されないが、担
体表面に界面活性物質が付着していると、単鎖体分子層
を水面から移しとる時に、単錯体分子膜が乱れ良好な単
鎖体分子膜または単錯体分子層累積膜グできないので担
体表面が清浄なものを使用する必要がある。使用するこ
とのできる担体の例としては、ガラス、アルミニウムな
どの金属、プラスチック、セラミックなどが挙げられる
。

担体上の単鎖体分子膜または単鎖体分子層累積膜は、十
分に強く固定されており担体からの剥離、剥落を生じる
ことはほとんどないが、付着力を強化する目的で担体と
単鎖体分子膜または単錯体分子暦累積膜の間に接着層を
設けることもできる。ざらに単錯体分子層形成条件例え
ば水相の水素イオン濃度、イオン種、水温、担体上げ下
げ速度あるいは表面圧の選択等によって付着力を強化す
ることもできる。

単分子膜または単分子層累積膜の上に保護膜を設けるこ
とは、単分子膜または単分子層累積膜の化学的安定性を
向上させるためには、好ましいことであるが、成膜分子
の選択によって保護膜は設けても設けなくてもよい。

以下に本発明の実施例を示して更に具体的に説明する。

　Ｎｏ、４９〜Ｎｏ、５４の化合物は、第１表に示す。

実施例１ ゲスト分子の光二量化反応を用いた光記録媒体（１） ホスト分子としてＮｏ、４１１のジアセチレオンジオー
ルと、ゲスト分子としてカルコンをモル比に２の割合で
クロロホルムに溶かした後、ｐ）１Ｂ、５　、塩化カド
ミウム濃度４　Ｘ　１０＜Ｍの水相上に展開させた。溶
媒のクロロホルムを蒸発除去後、表面圧を３５ｄｙｎａ
ｓ／ｃｍまで高めて、包接錯体を膜状に析出させた。こ
の後、表面圧を一定に保ちながら１表面が十分に清浄で
親木性となっているガラス基板を上下速度７ｃｍ／ｗｉ
ｎにて水面を横切る方向に静かに上下させ、単錯体分子
膜を基板上に移し取り、単錯体分子膜及び３　、５　、
９　、１５．１９層に累積した単錯体分子層累積膜を記
録層とする光記録媒体を製造した。この累積行程に於い
て基板を水相から引きあげる都度に、３０分間以上放置
して、基板に付着している水分を蒸発除去した。

なお成膜装置としては、英国Ｊｏｙｃａ社製のＬａｎｇ
ｍｕｉｒ−Ｔｒｏｕｇｈ４を使用した。

作成した光記録媒体にパターンに従って、Ｘ線照射を行
い、式■に示すゲスト分子の二重化反応を行ない情報を
記録した０分子オーダーの高密度記録が可能であった。

記録の再生はゲスト分子の三量化に伴う波長３８０ｎ層
〜４２０ｎ腸付近の吸収変化を読み取る事により行った
０次いで波長２７０　ｎｍの紫外光を１時１間照射した
ところ、解重合がおこり、記録が消去がされた。

実施例２〜１２ 実施例１のカルコンの代わりに′ゲスト分子としてＮｏ
、３１〜Ｎｏ、３８の化合物を用いた場合も同様の結果
を得た。（実施例２〜９） 又、ゲスト分子をカルコンとし、ホスト分子をＮｏ、５
０〜Ｎｏ、５２とした場合にも、実施例１と同様、光に
依る記録、再生、更には、記録の消去が可能であった。

（実施例１０〜１２） 実施例１３〜２４ ゲスト分子の光二量化反応を用いた光記録媒体（２） 実施例１〜１２で述べた各光記録媒体を先づ高圧水銀灯
により全面露光せしめて、全てのゲスト分子を三量化し
た。かかる媒体に三量化に伴って生成されたシクロブタ
ン環の吸収極大に相当する波長２？Ｏｎｍ付近の紫外光
をパターン状に照射し、ゲスト分子を解重合し情報を記
録した０分子オーダーの記録が可能であった。記録の再
生は、ゲスト分子の解重合に伴う波長３８０〜４２０ｎ
ｍ付近の吸収変化を読み取る事により行った。更に再び
高圧水銀灯を用いて上記録媒体を全面露光することによ
り、記録を消去、即ち、全てのゲスト分子を三量化する
ことが可能であることを確認した。

実施例２５ ゲスト分子の光二量化反応を用いた光記録媒体（３） ホスト分子としてＮｏ、５３のジアセチレンジオール、
ゲスト分子としてケイ皮酸を用いて、実施例１と同様の
操作により単錯体分子膜及び、これを３　、５　、９　
、１５．　Ｉｆｆ層に累積した。単錯体分子層累積膜を
記録層とする光記録媒体を製造した０次に高圧水銀灯を
用いて、これらの膜を全面露光して、ゲスト分子を三量
化（式■）、ホスト分子を重合（式Ｖ）させた後、パタ
ーンに従って、波長２７０　ｎｎの紫外光を照射して、
ゲスト分子を解重合させて情報を記録した。

記録の再生は、三量化したゲスト分子の解重合に伴う波
長３８０〜４２０　ｎｍ付近の吸収変化を読み取る事に
より行った。

更に再び高圧水銀灯を用いて上記録媒体を全面露光する
ことにより記録を消去することが可能であることを確認
した。なお一度高圧水銀灯で全面露光した本記録媒体を
、アルコール中に約３０秒間浸漬した後、上記方法によ
り情報の記録／再生を行ったが、特に問題点はなかった
。即ち、ホスト分子を重合させる事により該記録媒体の
化学的強度が大となることが確認された。

実施例２８．２７ ホスト分子としてＮｏ、５３のジアセチレンジオール、
ゲスト分子としてアントラアルデヒドをモル比１：２の
割合でクロロホルムに溶かし、実施例１と同様に操作に
より単錯体分子膜及びこれを５　、９　、１５．３１．
　Ｇｏ、　８０層に累積した単錯体分子層累積膜を記録
層とする光記録媒体を製造した。

作成した光記録媒体にパターンに従ってＸ線照射を行な
い、式（■゛）に示すゲスト分子の二重化反応を行ない
情報を記録した０分子オーダーの記録が可能であった。

記録の再生はゲスト分子の三量化に伴う波長３７０〜３
９０ｎｍ付近の吸収変化を読み取る裏により行った。次
いで、波長３１３ｎｍの紫外光を１時間照射したところ
解重合が起こり、記録の消去が可能であることを、確か
めた。

Ｎｏ、４１のアントラセン誘導体を用いた場合にも同様
の結果を得た。（実施例２７） 第１表

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は、本発明に係る寧ル錫媒体の実施例を
説明する縦断面図であり、各々、第１図は覧胤嶌１記録
へ過程、第２図は再生過程、第３図は消去過程を示して
おり、第４図〜第５図は本発明に係る包接錯体の水相上
に於ける状態を説明する説明図である。 １−ｍ−ホスト分子　２−−−ゲスト分子３−ｍ−親水
性部位 ４−−一長鎖アルキル部位 ５−ｍ−基板 ６−−−Ｘ線 ７−−−二量化部位　８−ｍ−可視光 ９−−−紫外線 １０、１１−ｍ−包接部位 １２、１３−一一被包接部位 １４−ｍ−長鎖脂肪酸部位 １５−ｍ−疎水性部位 １６−−−水相 第１図 第２図 第３″図 第４図 （ｂ） 第５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. その分子内に親木性部位、疎水性部位及び包接部位を有
   するホスト分子と該ホスト分子に包接され光三員性を有
   するゲスト分子とからなる包接錯体の単分子膜又は単分
   子層累積膜を担体上に形成して記録層とし、光により記
   録を行なうことを特徴とする記録媒体。