JPS60239283A - 記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）技術分野 本発明は、包接錯体の単分子膜、乃至単分子層累積膜の
化学変化若しくは物理変化を利用して記録を行なう記録
方法に関する。

（２）背景技術 従来、有機化合物を記録層とする記録方法としては種々
のものが知られている。

例えば、有機化合物を薄膜にして記録層として用いる光
記録媒体については、例えば特開昭５８−１８９４８号
公報、特開昭５８−１２５２４６号公報にも開示されて
いる。いずれも有機色素を記録層とし、レーザビームに
より記録再生を行なうレーザ記録媒体に関するものであ
る。特に、特開昭５８−１２５２４８号公報に開示され
た媒体は、一般式（Ｉ） で表わされるシアニン系色素の薄膜を記録層とするもの
である。（Ｉ）式で表わされるシアニン系色素溶液を回
転塗布機などを用いて、１０００Å以下の厚さ、例えば
約３００Ａの厚さにプラスチック基板上に塗布し薄膜を
形成する。膜内の分子分布配向がランダムであると、光
照射に伴って膜内で光の散乱が生じ、微視的にみた場合
各党照射の度に生ずる化学反応の度合が異なってくる。

そこで記録媒体としては、膜内の分子分布、配向が一様
になっていることが望ましく、またできる限り膜厚が薄
いことが、記録の高密度化のために要請される。しかし
ながら、塗布法による場合、膜厚においては３００八程
度が限界であり、膜内の分子分布、配向がランダムであ
ることは解決しがたいことであった。

レジスト材料の一つとして光量子効率が大でかつ優れた
解像力を有するものとして提案されていたジアセチレン
化合物累積膜が、レジスト材料のみならず、薄膜電気−
光学デバイス、電気−音響デバイス、圧Φ焦電デバイス
等にも応用されることが、特開昭５６−４２２２９号公
報、特開昭５８−４３２２０号公報などに示されている
。

近時においては、ジアセチレン化合物累積膜の製造方法
の改良について特開昭５８−１１１０２９号公報に示さ
れている。かかる発明にて製造された基板上のジアセチ
レン化合物累積膜は紫外線を照射することにより重合さ
せてジアセチレン化合物重合体膜を作り、或はマスキン
グして紫外線を照射し部分的に重合させ、未重合部分を
除去して図形を作り、薄膜光学デバイスや集積回路素子
として使用される。

しかし、これらはいずれもジアセチレン化合物に限るも
のであり、薄膜光学デバイスとして使用するときに、一
度記録したものの消去の可能性については述べられてい
ない。

一方、上述欠点を解決すべく、分子内に親木基、疎水基
及び少なくとも１個の不飽和結合を有する１種類の光重
合性上ツマ−の単分子膜又は単分子層累積膜を基板上に
形成して記録層としたことを特徴とする、反復使用可能
な光記録媒体が特願昭５８−１９Ｈ３２号の光記録媒体
に示されている。

これらのジアセチレン化合物累積膜にしても、光重合性
オレフィンモノマーの単分子膜若しくは単分子層累積膜
にしても、光反応性化合物に親木基、疎水基を導入して
、直接基板上に担持させる製法を採用している。従って
、種々の機能性膜を簡単に作製することが困難なのに加
えて、親木基、疎水基の導入に伴う光反応性の低下の恐
れがあった。更には、非常に高度な高密度記録を行う際
に重要となる、膜面内の分子配向の制御についても、極
めて複雑な操作が要求される問題があった。

かかる従来例の欠点を解消し、■）各種の機能性膜を比
較的簡単に作製する方法、２）その際、機能性分子の持
つ各種機能が、薄膜化した場合に於いても、損失若しく
は低下されることなく発現する様に膜化する方法、更に
は、３）上記の薄膜化に於いて、特別な操作を行うこと
なしに、膜構成分子が膜面内方向に対して、高度の秩序
構造を持って配向される方法を種々検討した結果、本発
明を成すに至った。又、かかる成膜法を用いて、高感度
、高解像度の記録方法を、容易にかつ高品質に提供でき
るに至った。

（３）発明の開示 本発明の目的は、熱により分子単位での化学変化若しく
は物理変化を起こす様な高密度記録方法を提供すること
にある。

また、この様な分子単位での高密度記録を行うのに際し
て重要な因子となる媒体面内での分子配向に関して、従
来例よりも秀逸な方法を提供することにある。

本発明の上記目的は、以下の本発明によって達成される
。

その分子内に親水性部位、疎水性部位及び他分子との包
接が可能な部位（包接部位）を有する分子（ホスト分子
）と該ホスト分子に包接される別種の分子（ゲスト分子
）とからなる包接錯体の単分子膜又は単分子層累積膜を
担体上に形成して記録層とし、該記録層を選択的に加熱
し、加熱された該ゲスト分子を昇華させることにより記
録を行なうことを特徴とする記録方法。

本発明の記録層を構成する物質は、分子内に親木性部位
、疎水性部位及び他分子との包接が可能な部位を少なく
共１ヶ所為する分子（これをホスト分子と呼ぶ）と該ホ
スト分子に包接される別種の分子（これをゲスト分子と
呼ぶ）の二種の分子からなる。かかるホスト分子とゲス
ト分子とからなる包接錯体の単分子膜、乃至単分子層累
積膜を担体上に形成することにより、記録方法が形成さ
れる。但し、これら二種類の分子の内、ゲスト分子加熱
により、昇華することが必要である。

本発明に用いられるホスト分子としては、上述の如く、
分子内の適当な位置に親木性部位、疎水性部位及び少な
く共１ケ所の他種分子との包接錯体を形成可能な部位を
有する分子であれば広く使用することができる。分子内
に親木性部位や疎水性部位を形成し得る構成要素として
は、ブ般に広く知られている各種の親木基や疎水基等が
代表的なものとして挙げられる。他種分子との包接錯体
を形成し得る部位は、水酸基、カルボニル基、カルボキ
シル基、エステル基、アミン基、ニトリル基、チオアル
コール基、イミノ基等の導入によって形成される。この
ようなホスト分子を、一般式（ＩＩａ）〜（Ｈｃ）で示
される水酸基を持つホスト分子を例として、以下に具体
的に説明する。

ＯＨＯＨ Ｘ　Ｘ １ （ここで、Ｘ＝Ｈまたは０６Ｈ５である。）すなわち、
分子内に親水性部位および疎水性部位を有するとは１例
えば上式に於いてＲ，部及びＲ２部の何れか一方に親水
性部位が存在し、他方に疎水性部位が存在するか、８１
部及びＲ２部が両部以外の残りの部との関係に於いて共
に親水性、若しくは疎水性を示すことを言う。８１部及
び、Ｒ２部の構造に関して、疎水性部位を導入する場合
には特に炭素原子数５〜３０の長鎖アルキル基が、又親
水性部位を導入する場合には特に炭素原子数１〜３０の
脂肪酸が望ましい。

本発明に於けるホスト分子を更に具体的に示せば、例え
ば以下に列挙するアセチレンジオール誘導体（Ｎｏ、１
−Ｎｏ、８．　Ｎｏ、１８〜Ｎｏ、２１）、ジアセチレ
ンジオール誘導体（Ｎｏ、７〜Ｎｏ、１２．　Ｎｏ、２
２〜局、２７）、ハイドロキノン誘導体（Ｎｏ、１３〜
Ｎｂ、１５゜尚、２８〜Ｎｏ、３９）等が利用し得るも
のとして挙げられる。尚、以下の例における　ｍ　、　
ｎは、正の整数を、Ｚは、−〇Ｈ３１Ｅりは−ＣＯＯ）
！　ヲ、ｐｈハ、　−Ｃ，Ｒ９を示すものとする。

〔アセチレンジオール誘導体の例〕

Ｎｏ、　１ ３０部ｍ＋ｎ≧１１．ｎ≧０ 拘、２ ３０部ｍ＋ｎ≧１１．ｎ≧Ｏ Ｎｏ、　３ Ｎｏ、４ ３０≧ｍ＋ｎ≧８．　ｎ≧１ Ｎｏ、　５ ３０≧ｍ＋ｎ≧８．　ｎ≧Ｏ Ｎｏ、　６ ３０≧ｍ＋ｎ≧８．ｎ≧０ 〔ジアセチレンジオール誘導体の例〕 摘、７ ３０≧ｍ＋ｎ≧９．ｎ≧Ｏ Ｎｏ、　８ ３０≧ｍ＋ｎ≧９．ｎ≧Ｏ Ｎｏ、　９ ３０≧ｍ＋ｎ≧５．ｎ≧１ 怖、１０ ３０≧ｍ　十ｎ≧５．　ｎ≧１ 絢、１１ ３０≧ｍ　＋　ｎ≧５．　ｎ≧Ｏ Ｎｏ、１２ ３０≧ｍ＋ｒｌ≧５．　ｎ≧０ 〔ハイドロキノン誘導体の例〕 Ｎｏ、１３ ０葺 Ｈ ３０≧ｍ　＋　ｎ≧１３．ｎ≧０ 陥、１４ Ｈ ３０≧ｍ　＋　ｎ≧９．ｎ≧１ 拘、１５ ３０≧ｍ＋ｎ≧９．ｎ≧０ 〔アセチレンジオール誘導体の例〕 陥、１６ ３０≧　ｎ≧５ Ｎｏ、１７ ３０≧　ｎ≧５ Ｎｏ、１８ ３０≧　ｎ≧４ Ｎｏ、１９ ３０≧　ｎ≧４ Ｎｏ、２０ ３０≧　ｎ≧４ Ｎｏ、２１ ３０≧　ｎ≧４ 〔ジアセチレンジオール誘導体の例〕 Ｎｏ、２２ ３０≧　ｎ≧３ Ｎｏ、２３ ３０≧　ｎ≧３ Ｎｏ、２４ ．３０≧　ｎ≧１ 烏、２５ ３０≧　ｎ≧１ Ｎｏ、２６ ３０≧　ｎ≧１ 及、２７ ３０≧　ｎ≧１ 〔ハイドロキノン誘導体の例〕 陥、２８゜ ３０≧　ｎ≧５ 拘、２９ ３０≧　ｎ≧Ｉ Ｎｏ、３０ ３０≧　ｎ≧１ 以上挙げた化合物はホスト分子に長鎖アルキル基や長鎖
カルボン酸等を置換させて親木性や疎水性を導入した点
を除けばそれ自体既知の化合物であり、又、長鎖アルキ
ル基等で修飾されていないホスト分子が、種々のゲスト
分子と結晶性の包接錯体を形成する点に関しても、日本
化学会誌崩、２２３８頁−２４２頁（１８８３年）に述
べられている。

これらホスト分子と包接錯体を作り得るゲスト分子とし
ては、一般に、ホスト分子と強い水素結合を形成し得る
分子が望ましい、従って、先に述べた如く、ホスト分子
が包接部位として水廐基を有する場合には、ゲスト分子
として、アルデヒド、ケトン、アミン、スルフオキシド
等を挙げることができる。また、ゲスト分子としては他
に、各種ハロゲン化合物、或いはπ−電子系化合物、即
ちアルケン、アルキン、及びアレーン等を選ぶ事もでき
る。何れにせよ、形成される包接錯体が熱により所望の
記録をすることのできる分子が選ばれる。

以下、利用可能なゲスト分子の具体例を示す。

ゲスト分子の昇華を利用した記録媒体に利用し得るゲス
ト分子の具体例としては、ケトン（＋’＆：＋、４２）
、１．２−エポキシプロパンなどのエポキシド（Ｎｏ、
４３）、エチレンイミン（Ｉｌ＆）、４４）、ベンゼン
（Ｎｏ、４５）、ジクロルメタン、クロロホルムなどの
塩化物（Ｎｏ、４Ｅｌ　、　ＮＯ，４７）、臭化メチル
などの臭化物（陥、４８）等、 ） 尚、４５ 崩、４８　ＣＨ２Ｃｌ２ Ｐ＆）、４７　ＣＭＣｌ３ Ｎｏ、４８　０Ｈ３Ｂｒ が挙げられる。

このようなホスト分子およびゲスト分子から成る包接錯
体の単分子膜または単分子層累積膜を作成する方法とし
ては、例えばエルａｎｇ層ｕｉｒらの開発したラングミ
ュア・ブロジェット法（ＬＢ法）を用いる。　ＬＢ法は
、例えば分子内に親木基と疎水基を有する構造の分子に
おいて、両者のバランス（両親媒性のバランス）が適度
に保たれているとき、分子は水面上で親木基を下に向け
て単分子の層になることを利用して単分子膜または単分
子層の累積膜を作成する方法である。水面上の単分子層
は二次元系の特徴をもつ。分子がまばらに散開している
ときは、一分子当り面積Ａと表面圧■との間に二次元理
想気体の式、 ｎＡ＝ｋＴ が成り立ち、“気体膜”となる、ここに、ｋはポルツマ
ン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれば分
子間相互作用が強まり二次元固体の°“凝縮膜（または
固体膜）°゛になる。凝縮膜はガラス基板などの種々の
材質や形状を有する担体の表面へ一暦ずつ移すことがで
きる。この方法を用いて、本発明のゲスト分子を包接す
るホスト分子の単分子膜（これを単錯体分子膜と呼ぶこ
とにする）、若しくは単錯体分子層累積膜の具体的な製
法としては、例えば以下に示すＡ−Ｈの５法を挙げるこ
とができる。

［Ａ］目的とする包接錯体のホスト分子とゲスト分子と
を溶剤に溶解し、これを水相上に展開させて包接錯体を
膜状に析出させる。この場合、ホス゛ト分子の構造がＮ
ｏ、１−Ｎｏ、　１５に示したような分子の両端に親木
性部位（カルボキシル基）と疎水性部位（アルキル基）
を併有するものであれば、水相上に析出する包接錯体は
ゲスト分子の親木性および疎水性のいかんにかかわらず
、ホスト分子の親木性部位を水相に向けた状態で水相上
に展開する。一方、ホスト分子がＮｏ、１８−　Ｎｏ、
３０に示した構造をとる場合、分子の両端が疎水性部位
のみで構成されるＺ−ＧＨ３は、水相上に析出する包接
錯体は、ゲスト分子の親木性部位を水相に向けた第１図
に示すような状態で水相上に展開する。又、分子の両端
が親水性部位のみで構成されるＺ−ＣＯＯＨでは水相上
に形成される包接錯体は、ホスト分子の親水性部位を水
相に向けた第２図に示すような状態で水相上に展開する
。

次にこの析出物が水相上を自由に拡散して広がりすぎな
いように仕切板（または浮子）を設けて展開面積を制限
して膜物質の集合状態を制御し、その集合状態に比例し
た表面圧■を得る。この仕切板を動かし、展開面積を縮
少して膜物質の集合状態を制御し、表面圧を徐々に上昇
させ、累積膜の製造に適する表面圧■を設定することが
できる。この表面圧を維持しながら静かに清浄な担体を
垂直に上下させることにより単錯体分子膜が担体上に移
しとられる。単錯体分子膜は以上で製造されるが、単錯
体分子層累積膜は前記の操作を繰り返すことにより所望
の累積度の単鎖体分子層累積膜が形成される。

単錯体分子層を担体上に移すには、上述した垂直浸せき
法の他、水平付着法、回転円筒法などの方法による。水
平付着法は担体を水面に水平に接触させて移しとる方法
で１回転円筒法は、円筒型の担体を水面上を回転させて
単鎖体分子層を担体表面に移しとる方法である。前述し
た垂直浸せき法では、表面が親水性である担体を水面を
横切る方向に水中から引き上げるとホスト分子の親水基
が担体側に向いた単鎖体分子層が担体上に形成される。

前述のように担体を上下させると、各行程ごとに１枚ず
つ単錯体分子層が積み重なっていく。成膜分子の向きが
引上げ行程と浸せき行程で逆になるので、この方法によ
ると各層間はホスト分子の親木基と親木基、ホスト分子
の疎水基と疎水基が向かい合うＹ型膜が形成される。そ
れに対し、水平付着法は、担体を水面に水平に接触させ
て移しとる方法で、ホスト分子の疎水基が担体側に向い
た単錯体分子層が担体上に形成される。この方法では、
累積しても、成膜分子の向きの交代はなく全ての層にお
いて、疎水基が担体側に向いたＸ型膜が形成される０反
対に全ての層において親木基が担体側に向いた累積膜は
Ｚ型膜と呼ばれる。

回転円筒法は、円筒型の担体を水面上を回転させて単分
子層を担体表面に移しとる方法である。

単分子層を担体上に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面積担体を用いる時には、担体ロールか
ら水相中に担体を押し出していく方法などもとり得る。

また、前述した親水基、疎水基の担体への向きは原則で
あり、担体の表面処理等によって変えることもできる。

以上の成膜過程に於いて膜物質の面内方向の配向性制御
は従来、主として表面圧の制御に依って成されていた訳
であるが、膜物質が全稈単純な構造の化合物、例えば直
鎖脂肪酸等の場合を除き、高い秩序性を得ることは極め
て困難であった。然るに本発明に於いては、包接錯体を
膜物質に用いるので、高い秩序性を持つ膜を比較的簡単
に得ることができる。即ち、水相上に包接錯体が膜状に
析出した時点で、水素結合やファン争デル赤ワールスカ
等に因ってホスト分子−ゲスト分子間、ホスト分子−ホ
スト分子間、ゲスト分子−ゲスト分子間の立体的配置は
固定され、各ホスト分子及びゲスト分子は結晶格子的秩
序性を持って配列する。又、ゲスト分子のみが機能性を
持つ場合には、このゲスト分子への化学的修飾、即ち、
疎水基や親木基の導入を行わないので、膜化に伴う機能
の低下は生じない。

［Ｂ］水溶性を示すゲスト分子を水相に溶解させる０次
にホスト分子を溶剤に溶解せしめてこれを水相上に展開
させる。この時同時にホスト分子−ゲスト分子間で包接
錯体形成が行われて膜状に析出する。ホスト分子とゲス
ト分子の組み合わせ及び以下の成膜操作については［Ａ
］に示した方法に準する。

［Ｃ］水溶性を示すゲスト分子を水相に溶解させる。次
に、目的とする包接錯体のホスト分子とゲスト分子とを
溶剤に溶解し、これを水相上に展開させて包接錯体を膜
状に析出させる。ホスト分子とゲスト分子の組み合わせ
及び以下の１１ｔｌ！操作については［Ａ］に示した方
法に準する。

［０］ホスト分子を溶剤に溶解しこれを水相中に展開さ
せる。その後、密閉系の装置を用いて気相側、即ち装置
内の空間をゲスト分子ガス雰囲気とする。この時、同時
に気相側のゲスト分子を包接し、包接錯体が膜状に析出
する。この方法はゲスト分子が低沸点で気化し易い性質
を持つ化合物、例えばアセトン等の場合、特に有効であ
る。ホスト分子とゲスト分子の組み合わせ及び以下の成
膜操作については［Ａ］に示した方法に順する。

［Ｅ］密閉系の装置を用いて気相側、即ち装置内の空間
をゲースト分子ガス雰囲気とする。次に目的とする包接
錯体のホスト分子とゲスト分子とを溶剤に溶解し、これ
を水相上に展開させて包接錯体を膜状に析出させる。ホ
スト分子とゲスト分子の組み合わせ及び以下の成膜操作
については、［Ａ］に示した方法に準する。

上述の方法によって抗体上に形成される単錯体分子膜及
び単錯体分子層累積膜は高密度でしかも高度の秩序性を
有しており、これらの膜で記録層を構成することによっ
て、包接錯体の機能に応じて、熱的記録の可能な高密度
で高解像度の記録機能を有する記録媒体を得ることがで
きる。

作成した単錯体分子膜及び単錯体分子層累積膜を記録媒
体の記録層として用いる場合以下に示す様に記録が行な
われる。

ゲスト分子の昇華を利用することができる。

例えばホスト分子としてＮｏ、１〜３０の何れかと、　
Ｎｏ、４２−４８等のゲスト分子を組合わせると、ホス
ト分子対ゲスト分子の組成比（ｍｏｌ比）が１：ｌ乃至
ｌ：２の包接錯体が形成される。この単錯体分子膜若し
くは単錯体分子層累積膜にあるパターンに従ってこれら
ゲスト分子が包接錯体より解離して気化するに十分なエ
ネルギーを有するレーザ光や電子線等を照射すると非照
射部位に於いては、ゲスト分子はホスト分子に包接され
たままであるので上記パターンに従った記録が成された
ことになる。

記録された情報の読み取りは、ゲスト分子としてＮｏ、
４２、を用いた場合にはこれらの化合物が持つカルボニ
ル基に基づく紫外光吸収の有無を読みとることにより成
される。又、レーザ光や電子線照射前後の膜の構造変化
又は屈折率変化をシュリーレン法により読み取ることも
でき、この方法は、ゲスト分子としてＮｏ、４２〜４８
を用いた場合にも１効である。又、Ｎｏ−４２を含む単
錯体分子膜乃至単鎖体分子層累積膜をＳｓ、　ＺｎＯ，
ＣｄＳ等の光導電体層上に形成することにより包接錯体
部とゲスト分子のみの部位との吸光度の差を電気的に読
み取ることも可能である。

以上の記録媒体に於いて膜厚は、特に１００〜１０００
Ａのものが好ましい。

これら成膜方法はその原理からも分る通り、非常に簡易
な方法であり、上記のような優れた記録機能を有する記
録媒体を低コストで提供することができる。

以上述べた１本発明における単錯体分子膜または単分子
層累積膜を形成する担体は特に限定されないが、担体表
面に界面活性物質が付着していると、単錯体分子層を水
面から移しとる時に、単鎖体分子膜が乱れ良好な単錯体
分子膜またぼ単錯体分子層累積膜ができないので担体表
面が清浄なものを使用する必要がある。使用することの
できる抗体の例としては、ガラス、アルミニウムなどの
金属、プラスチック、セラミックなどが挙げられる。

担体上の単鎖体分子膜または単錯体分子層累積膜は、十
分に強く固定されており担体からの剥離、剥落を生じる
ことはほとんどないが、付着力を強化する目的で担体と
単錯体分子膜または単錯体分子層累積膜の間に接着層を
設けることもできる。ざらに単錯体分子層形成条件例え
ば水相の水素イオン濃度、イオン種、水温、担体上げ下
げ速度あるいは表面圧の選択等によって付着力を強化す
ることもできる。

単分子膜または単分子層累積膜の上に保護膜を設けるこ
とは、単分子膜または単分子層累積膜の化学的安定性を
向上させるためには、好ましいことであるが、成膜分子
の選択によって保護膜は設けても設けなくてもよい。

以下に本発明の実施例を示して更に具体的に説明する。

　Ｎｏ、４９〜Ｎｏ、５４の化合物は、第１表に示す。

実施例１ ゲスト分子の昇華を利用した記録方法（１）ホスト分子
として、Ｎｏ、５４のアセチレンジオールをクロロホル
ムに溶かした後、ｐＨ６，５、塩化カドミウム濃度４　
Ｘ　１０層４Ｍの水相上に展開させた。

溶媒のクロロホルムを蒸発除去させた後、系の気相側を
アセトンで飽和させた。このアセトン雰囲気下、表面圧
を３５ｄｙｎｅｓ／ｎ＋ｓにまで高めて包接錯体を膜状
に析出させた後、気相側のアセトンを空気若しくは窒素
で置換した。次いで、表面圧を一定に保ちながら、表面
が十分に清浄なガラス基板を上下速度２ｃｍ／ｗｉｎで
水面を横切る方向に静かに上下させ、単錯体分子膜を基
板上に移しとり、単錯体分子膜及び３，５，９，１５．
１９，４０，８０．８０層に累積した単錯体分子層累積
膜を記録層とする記録媒体を製造した。この累積行程に
於いて、基板を水相から引き上げる都度に３０分間以上
放置して基板に付着している水分を蒸発除去した。成膜
装置としては、英国Ｊｏｙｃｅ社製のＬａｎｇｍｕｉｒ
−Ｔｒｏｕｇｈ４を使用した。

炭酸ガスレーザ又は赤外線レーザを用いて作成した記録
媒体に所望のパターンに従ってレーザ光を照−射したと
ころ、照射部位だけゲスト分子、即ちアセトン分子が、
気化除去され、その部分の吸収スペクトル強度（人鳳ａ
ｘ＝２８０ｎ層）が減少し、情報の記録が成された０分
子オーダーの記録が可能であった。又、ゲスト分子の有
無をシュリーレン法を用いて読みとることによる記録再
生方法も可能であった。この該記録媒体をアセトン気流
中に１時間放置したところ、アセトンの除去された部位
に再びアセトンが包接され、記録が消去されると共に、
再記録が可能であった。この記録消去←再記録のプロセ
スは少なくとも数十回の使用に耐え、反復使用が可能で
あることを確認した。

実施例２〜５ 実施例１′のホスト分子Ｎｏ、５４の代わりにＮｏ−４
９〜Ｎｏ、５２を用いた場合にも実施例１と同様の結果
が得られた。

実施例６〜１１ ゲスト分子の昇華を利用した記録方法（２）ホスト分子
としてＮｏ、４９〜Ｎｏ、５２を用い、クロロホルムに
溶かした後、ＰＨ８，５、塩化カドミウム濃度４　Ｘ　
１０’　Ｍの水相上に展開させた。この際、系の気相側
をクロロホルムでほぼ飽和させた。溶媒（液側）のクロ
ロホルムがほぼ気化するのを待って（約５分）、表面圧
を３５ｄｙｎｅｓ／ｃｍにまで高めて包接錯体を膜状に
析出させた後、気相側のクロロホルムを空気、若しくは
窒素で置換した。次いで１表面圧を一定に保ちながら表
面が十分に清浄なガラス基板を上下速度、２０層１層ｉ
ｎにて水面を横切る方向に静かに上下させ、単錯体分子
膜を基板上に移しとり、単錯体分子膜及び３，５，９゜
１５．１９層に累積した単錯体分子層累積膜を記録層と
する記録媒体を製造した。

炭酸ガスレーザ又は赤外線レーザを用いて作成した記録
媒体に所望のパターンに従ってレーザ光を照射したとこ
ろ、照射部位だけ、ゲスト分子、即ちクロロホルムが、
気化除去され記録が成された。分子オーダーの記録が可
能であった。このゲスト分子の部分的除去に伴う膜の形
状変化又は屈折率変化をシュリーレン法を用いて読みと
ることにより情報の再生が可能であった。該記録媒体を
クロロホルム気流中に１時間放置したところ、クロロホ
ルム分子が再包接され、記録が消去されると同時に再記
録が可能であった。この記録消去→再記録のプロセスは
、少なくとも数十回の使用に耐え、反復使用が可能であ
ることを確認した。

なおゲスト分子及び展開溶媒として、ベンゼン（Ｎｏ、
４５．実施例１Ｏ）、ジクロルメタｙ（Ｎｏ、４８．実
施例１１）を用いた場合にも同様の結果を得た。

実施例１２〜１７ ゲスト分子の昇華を利用した記録方法（３）ホスト分子
としてＮｏ、４１３〜Ｎｏ、５２、ゲスト分子として１
．２−エボギーシプロパン（ＮＯ，４３）　’ｔモル比
１：２の割合でクロロホルムに溶かした後、ｐＨ８，５
、塩化カドミウム濃度４　Ｘ　１０層４Ｍの水相上に展
開させた。溶媒のクロロホルムを蒸発除去後、表面圧を
３５ｄｙｎｅｓ／ｃｓ＋まで高めて、包接錯体を膜状に
析出させた。この後、表面圧を一定に保ちながら１表面
が十分に清浄で親水性となっているガラス基板を上下速
度７ｃ層／履ｉｎにて水面を横切る方向に静かに上下さ
せ、単錯体分子膜を基板上に移し取り、単鎖体分子膜及
び５　、９　、１５．３１層に累積した単錯体分子層累
積膜を記録層とする記録媒体を製造した（実施例１２〜
１５）。この際、予め水相側に１，２−エポキシプロパ
ン（Ｎｏ、４３）を１〜ＩＯＭ程度溶解させて、気相側
のゲスト分子が、水中に拡散するのを防止した。情報の
記録、再生、及び消去の方法並びに結果は実施例１と同
様であった。

なお、ゲスト分子としてアセトン、エチレンイミン（Ｎ
ｏ、４４）を用いた場合も同様の結果を得た。

（実施例１８〜１７）。

実施例１８〜２１ ゲスト分子の昇華を利用した記録方法（０ホスト分子と
してＮｏ、４９〜Ｎｏ、５２．ゲスト分子として臭化メ
チルＮｏ、４８をモル比ｌ二２の割合でクロロホルムに
溶かした後、ｐＨ１３，５、塩化カドミウム濃度４　Ｘ
　１０’　Ｍの水相上に展開させた。溶媒のクロロホル
ムを蒸発除去後、表面圧を３５ｄ７ｎｅｉ／ｃｍまで高
めて、包接錯体を膜状に析出させた。この後１表面圧を
一定に保ちながら、表面が十分に清浄で親水性となって
いるガラス基板を上下速度７＋ｃｔｓＩ層ｉｎにて水面
を横切る方向に静かに上下させ、単錯体分子膜を基板上
に移し取り、単鎖体分子膜及び５　、９　、１５．３１
層に累積した単錯体分子層累積膜を記録層とする記録媒
体を製造した。情報の記録、再生及び消去の方法並びに
結果は実施例１と同様であった。

実施例２２〜２８ ゲスト分子の昇華を利用した記録方法（５）ホスト分子
としてＮｏ、５３を用い、ゲスト分子にＮｏ、４２〜Ｎ
ｏ、４８を用いて単鎖体分子膜乃至３゜５．９層に累積
した単錯体分子層累積膜を作成した。この作成方法はゲ
スト分子の種類によって、若干具なり、実施例１−１７
に記した方法により作成した。かかる単錯体分子膜乃至
単錯体分子層累積膜を高圧水銀灯を用いて全面露光して
ホスト分子を重合させて記録媒体を製造した。

情報の記録、再生、及び消去の方法並びに結果は、実施
例１と同様であった。本方法によればホスト分子の基板
付着力が、実施例１〜１７に比べて、増大する。従って
記録媒体の化学的強度が相対的に大となり、反復使用回
数を少なくとも　１００回まで増大できることがわかっ
た。

第１表

【図面の簡単な説明】

第１図〜第２図は本発明に係る包接錯体の水相上に於け
る状態を説明する説明図である。 １−、−−ホスト分子　２−ｍ−ゲスト分子３−−−親
水性部位 ４−ｍ−長鎖アルキル部位 １０、１１−−一包接部位 １２、１３−一一被包接部位 １４−−一長鎖脂肪酸部位 １５−ｍ−疎水性部位 １Ｂ−一一水相 （ａ） （ｂ） 第 （ａ） （ｂ） 第 ６ （ｃ） １図 （Ｃ） ２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. その分子内に親木性部位、疎水性部位及び包接部位を有
   するホスト分子と該ホスト分子に包接される封華性ゲス
   ト分子とからなる包接錯体の単分子膜又は単分子層累積
   膜を担体上に形成して記録層とし、該記録層を選択的に
   加熱し、加熱された該ゲスト分子を賓華させることによ
   り記録を行うことを特徴とする記録方法。