JPS63204531A - 再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、再生装置に関するものである。

更に詳しくは、粒子線（電子線、イオン線）や書き込ま
れた高密度記録をプローブ電極を用いて電気的に再生す
る再生装置に関する。

〔背景技術〕

近年、メモリ材料の用途は、コンピュータおよびその関
連機器、ビデオディスクやデジタルオーディ７オデイス
ク等のエレクトロニクス産業の中核をなすものであり、
その材料開発も極めて活発に進んでいる。

メそり材料に要求される機能は用途により異なるが、将
来にわたり要求されるであろう重要な機能の１つは大量
のデータを長期に亘って安定に保存する機能である。各
種データベース、イメージファイル等は今後とも増大す
る一方であり、光メモリを越える新しい安定性の良い大
容量ファイルメモリが要求されると考えられている。

〔発明の概要〕

従って本発明の目的は、前述した光メモリに優る安定性
の良い大容量な高密度記録及びその再生装置を提供する
ことにある。

すなわち本発明は、プローブ電極、エネルギー線照射に
よって書込まれた記録媒体、前記プローブ電極から該記
録媒体に電圧を印加する手段及び前記記録媒体に流れる
電流量の変化を読み取る手段を有する再生装置に特徴を
有している。

〔発明の態様の詳細な説明） 本発明は、金属の探針を導電性物質の間に電圧を加えて
ｌｎｍ〜数ｐｍ数置ｍ程度まで近づけるとトンネル電流
が流れることを利用している。

トンネル電流は両者の距離変化に非常に敏感であり、ト
ンネル電流を一定に保つように探針を走査することによ
り実空間像の表面構造を描くことができる。更には表面
電子状態に関する種々の情報を読み取ることができるこ
とを利用している。

このようなトンネル電流を用いる方法は真空条件を必要
とせず、単結晶非晶質を問わず応用でき、高い分解能で
しかも電流による損傷を与えずに低電力で再生できる等
多くの利点を有する。

一方トンネル電流を用いた記録再生方法ではプローブ電
極と記録媒体の間に１０〜９Ａ程度の電流を流すため記
録媒体は１Ｏ−１０（Ω・ｃ　ｍ　）　−１以上、好ま
しくは１０−’（Ω・ｃｍ）−’以上の伝導率を有する
半導電性材料か、あるいはまた電極上に非常に薄く形成
された絶縁性の材料が用いられる。

ここで非常に薄いというのは５００Å以下の膜厚を言い
、更に好ましくは数Å〜１００人の膜厚のことを言う。

又前述したトンネル電流は、（Ｇ、Ｂｉｎｎｉｎｇ　　
　ｅｔ　　　ａｌ、、Ｈｅ１ｖｅｔｉｃａ　　　Ｐｈｙ
ｓｉｃａ　　　Ａｃｔａ、　　５５．　７２６　　（１
９８２）〕に開示された走査型トンネル顕微鏡で明らか
にされている。

第１図は本発明の再生装置を示すブロック構成図である
。第１図（Ａ）中、１０５はプローブ電流増巾器で、１
０６はプローブ電流が一定になるように圧電素子を用い
た微動機構１０７を制御するサーボ回路である。１０８
はプローブ電極１０２と電極と電極１０３の間に再生用
のパルス電圧を印加するための電源である。

パルス電圧を印加するときプローブ電流が急激に変化す
るためサーボ回路１０６は、その間出力電圧が一定にな
るように、ＨＯＬＤ回路をＯＮにするように制御してい
る。

１０９はＸＹ方向にプローブ電極１０２を移動制御する
ためのＸＹ走査駆動回路である。１１０と１１１は、あ
らかじめ１０−”Ａ程度のプローブ電流が得られるよう
にプローブ電極１０２と記録媒体１との距離を粗動制御
するものである。

これらの各機器は、すべてマイクロコンピュータ１１２
により中央制御されている。また１１３は表示器を表し
ている。

また、圧電素子を用いた移動制御における機械的性能を
を下記に示す。

Ｚ方向微動制御範囲：０．Ｉｎｍ〜１μｍＺ方向粗勅制
御範囲：１０ｎｍ〜ｌＯｍｍｘｙ方向微動制御範囲：１
０ｎｍ〜１０μｍｘｙ方向粗動制御範囲：１０ｎｍ〜１
０ｍｍ計測・制御許容誤差：＜０．１　ｎｍ　（ｚ）＜
１　ｎｍ　（ｘ、　ｙ） 記録媒体１は、基板電極１０３とその上に成膜した記録
層１０１とによって構成されている。

前述の記録層１０１としては、無機又は有機半導体物質
を用いることができる。

例えば無機半導体としては、長周期型周期表のＩＶＢ族
から選ばれた元素（Ｃ，Ｓｉ、Ｇｅ）を含む半導体物質
、ＩＩＩ　Ｂ族から選ばれた元素（Ｇａ）とＶＢ族から
選ばれた元素（Ａｓ、Ｐ）を含む半導体物質あるいはＩ
Ｉ　Ｂ族から選ばれた元素（Ｚｎ、Ｃｄ）とＶＴＲ族か
ら選ばれた元素（０゜Ｓ、Ｓｅ）とを含む半導体物質を
用いることができる。具体的にはＳｔ（単結晶、ポリシ
リコン。

アモルファス）、ＧｅやＧａＡｓ、ＧａＰ。

ＩｎＡｓ、ＩｎＰあるいはＣｄＳ、ＣｄＳｅ。

ＺｎＯ，ＺｎＳなどの半導体を始めとして数多くの材料
が挙げられる。また有機半導体としては、例えばフタロ
シアニンおよびその誘導体やピレン、ペリレン等の芳香
族多環化合物およびその屈導体、ポリアセチレンやポリ
ジアセチレン誘導体等の共役π結合をもつ高分子化合物
、更にはビロール、チオフェン等の電解重合膜またはポ
リビニシカ２レバゾール、テトラキノジメタン。

トコシルピリジニウム、テトラキノジメタン電荷移動錯
体なと数多くの有機半導体が挙げられる。

これらの半導体物質は、常法により薄膜状に成膜される
、例えば無機半導体の成膜には真空蒸着法、スパッタリ
ング法やグロー放電法等を用いることができ、又有機半
導体の成膜にタラスタイオンビーム法などの真空蒸着法
や電解重合法を用いることができる。又、半導体物質を
適当な樹脂（例えばポリスチレン、ポリアクリロニトル
、ポリカーボネート、ポリエステル等）中に分散した塗
液を常法（ロールコート法、ディッピング法など）によ
り塗布することによって成膜することもできる。

又、本発明の別の具体例では、記録層１０１を形成する
際に、ラングミュアらが提案したラングミュア・プロジ
ェット法（ＬＢ法）を適用することができる。

このＬＢ法によれば、１分子中に疎水性部位と親木性部
位とを有する有機化合物の単分子膜またはその累積膜を
基板上に容易に形成することができ、分子オーダの厚み
を有し、かつ大面積にわたって均一、均質な有機超薄膜
を安定に供給することができる。

ＬＢ法は、分子内に親水性部位と疎水性部位とを有する
構造の分子において、両者のバランス（両親媒性のバラ
ンス）が適度に保たれている時、分子は水面上で親水性
基を下に向けて単分子の層になることを利用して単分子
膜またはその累積膜を作成する方法である。

疎水性部位を構成する基としては一般に広く知られてい
る飽和及び不飽和炭化水素基や縮合多環芳香族基及び鎮
状多環フェルニル基等の各種疎水基が挙げられる。これ
らは各々単独又はその複数が組合されて疎水性部分を構
成する。

一方親水性部分の構成要素として最も代表的なものは、
例えばカルボキシル基、スルホン酸基及び四級アミノ基
等の親水性基等が挙げられる。

これらの疎水性基と親水性基をバランス良く併有する分
子であれば、水面上で単分子膜を形成することが可能で
ある。

本発明に用いられる一般的な分子の構造としては、下記
の如き分子等が挙げられる。

■所望の機能性を荷う部位、即ち機能性部分（例えばπ
電子系）が同時に強い親水性（又は強い疎水性）として
の性質を併有する分子、例えば胴フタロシアニン、ピレ
ン、トリフェニルメタン等、又、係る機能性部分が重合
性を示す分子、例えばジアセチレン誘導体、ポリイミド
等、■機能性部分が特に親水性、８！水性を有さす上記
の如き親木基、疎水基等を導入することで、分子内に親
水性部分と疎水性部位を構成したもの、例えば、 イ０機能性部分が親水性部分の側に配設されているもの
、例えば光導電性を有する長鎖アルキル置換のメロシア
ニン色素等、 口０機能性部分が疎水性部分の側に配設されているもの
、例えばとレンに長鎖アルキルカルボン酸を結合したも
の等、 ハ９機能性部分が中央付近、即ち疎水性部分と親木性部
分の中間に配設されているもの、例えばアントラセン話
導体、ジアゾ色素の誘導体等、 二６機能性部分がなく疎水性部分と親水性部分のみでで
きているもの、例えば長鎖飽和脂肪酸置換のステアリン
酸、アラキシン酸等が具体的なものとして挙げられる。

尚、上記以外でもＬＢ法に適している材料であれば本発
明に好適なのは言うまでもない０例えば近年研究が盛ん
になりつつある生体材料（例えばバタテリオロドプシン
やチトクロームＣなどのポリペプチド）や合成ポリペプ
チド（ＰＢＬＧなと）等も適用が可能である。

係る両親媒性の分子は水面上で親木基を下に向けて単分
子の層を形成する。このとき水面上の単分子層は二次元
系の特徴を有し、分子がまばらに散開しているときは一
分子当り面積Ａと表面圧πとの間に二次元理想気体の式
、 πＡ＝ｋＴ が成り立ち、“気体膜”となる。ここにｋはボルツマン
定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれば分子
間相互作用が強まり、二次元固体の“凝縮膜（または固
体膜）“になる。

凝縮膜はガラスや樹脂の如き種々の材質や形状を有する
任意の物体の表面へ一層ずつ移すことができる。この方
法を用いて単分子膜またはその累積膜を形成し、これを
本発明が示す半導体素子用のポテンシャル障壁層として
使用することができる。

具体的な製法としては、例えば以下に示す方法を挙げる
ことができる。

所望の有機化合物をクロロホルム、ベンゼン。

アセトニトリル等の溶剤に溶解させる。次に添付図面の
第３図に示す如き適当な装置を用いて、係る溶液を水相
３１上に展開させて有機化合物の展開層３１１を膜状に
形成させる。

次にこの展開層３１１が水相３１上を自由に拡散して広
がりすぎないように仕切板（または浮子）３３を設け、
展開層３１１の面積を制限して膜物質の集合状態を制御
し、その集合状態に比例した表面圧πを得る。この仕切
板３３を動かし、展開層３１１の面積を縮小して膜物質
の集合状態を制御し、表面圧を徐々に上昇させ、膜の製
造に適する表面圧πを設定することができる。この表面
圧を維持しながら、静かに清浄な基板３２を垂直に上昇
または下降させることにより有機化合物の単分子膜４１
が基板３２上に穆し取られる。このような単分子膜４１
は第４図（ａ）また第４図（ｂ）に模式的に示す如く分
子が秩序正しく配列した膜である。

単分子膜４１は以上で製造されるが、前記の操作を繰り
返すことにより所望の累積数の累積膜が形成される。単
分子膜を基板上に穆すには、上述した垂直浸漬法の他、
水平付着法１回転円筒法等の方法でも可能である。

前述した垂直浸漬法では、表面が親水性である基板を水
面を横切る方向に水中から引き上げると有機化合物の親
水性部位４２が基板３２側に向いた有機化合物の単分子
膜４１が基板３２上に形成される（第４図（ｂ））。前
述のように基板３２を上下させると、各行程ごとに一枚
ずつ単分子膜４１が積み重なって累積膜５１が形成され
る。

成膜分子の向きが引上行程と浸漬行程で逆になるので、
この方法によると単分子膜の各層間は有機化合物の疎水
性部位４３ａと４３ｂが向かいあうＹ型幕が形成される
（第５図（ａ））。これに対し、水平付着法は、有機化
合物の疎水性部位４３が基板３２側に向いた単分子膜４
１が基板３２上に形成される（第４図（ａ））。この方
法では、単分子膜４１を累積しても成膜分子の向きの交
代はなく全ての層において、疎水性の部位４３ａと４３
ｂが基板３２側に３２側に向いたＸ型膜が形成される（
第５図（ｂ））。反対に全ての層において親水性部位４
２ａ、４２ｂが基板３２側に向いた累積膜５１は２型膜
と呼ばれる（第５図（Ｃ））。

単分子膜４１を基板３２上に穆す方法は、上記方法に限
定されるわけでなく、大面積基板を用いる時にはロール
から水相中に基板を押し出していく方法なども採り得る
。また、前述した親木性基および疎水性基の基板への向
きは原則であり、基板の表面処理等によって変えること
もできる。

以上の如くして有機化合物の単分子膜４１またはその累
積膜５１からなるポテンシャル障壁層が基板３２上に形
成される。

本発明において、上記の如き無ｍ′Ｅ１．び有機材料が
積層された薄膜を支持するための基板３２は、金属、ガ
ラス、セラミックス、プラスチックス材料等いずれの材
料でもよく、更に耐熱性の著しく低い生体材料も使用で
きる。

上記の如き基板３２は任意の形状でよく平板状であるの
が好ましいが、平板に何ら限定されない。すなわち前記
成膜法においては、基板の表面がいかなる形状であって
もその形状通りに膜を形成し得る利点を有するからであ
る。

前述した記録層１０１は、上述する各種エネルギー線で
記録することができ、この記録された情報を前述の再生
装置によって再生することができる。以下、記録法の具
体例を示す。

１）前述のＬＢ膜に電子線、イオン線などの高エネルギ
ー粒子線を照射する方法。ＬＢに膜に高エネルギー粒子
線を照射すると、ＬＢ膜自体に物理的な膜構造の変化を
生じ、この結果、ＬＢ膜の膜厚に変動を惹起こすことに
なる。

２）半導体薄膜に、イオン線、可視光や紫外線などを照
射することによフて、その照射部の導電率に変化を生じ
させる方法。

３）金属フタロシアニン（胴フタロシアニン。

ニッケルフタロシアニン、鉛フタロシアニン等）の薄膜
に電子線を照射することによって、その照射部の金属フ
タロシアニンに酸化−還元反応を生じさせて、その結果
膜構造に変化を生じさせる方法。

４）電子線、Ｘ線、紫外線照射による重合にともなう電
子状態の変化を生じさせる方法。この際に用いるモノマ
ーとしては、 ■Ｒ１（ＣＨ２＋。Ｘ−Ｒ２１０≦≦２５Ｘ＝−Ｃｏｏ
−、−ＣＯＮＨ−、−０ＣＯ−Ｒ１＝−ＣＨ３，−Ｃ）
（＝ＣＨ２ ＲＱナーＨ，ＣＨ＝ＣＨ２、−Ｃ（ＣＨ３）　＝ＣＨ２
゜−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２ （但し、Ｒ３が−ＣＨ３，の時、Ｒ２は−Ｈとはならな
い） ■））（−ＣＨ，＋ｎＣ＝ＣＣ−ＣミＣ−（ＣＨ２九ｘ
−ｚ　　Ｏ；≦ｚｎ、１０≦ｍ＋ｎ≦２５Ｘ＝−Ｃｏｏ
、　−ＣＯＮＨ−、−０ＣＯ−九＝−Ｈ，−ＣＨ＝ＣＨ
２，−Ｃ（ＣＨ３）　＝ＣＨ２＋−ｃｌ−１２ＣＨ＝Ｃ
Ｈ２が挙げられる。

５）可視および紫外線照射による化合物のコンフォーメ
ーション（ｃｏｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ）あるいはコンフ
ィグレーション（ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ）の変化
により直接記録する方法で、例えば、 ■スピロピラン、フルギドあるいはアゾベンゼンの誘導
体でホトクロミック性を有する化合物が用いられる。

■色素の会合状態が変化するもの。例えば、メロシアニ
ン化合物、シアニン化合物、あるいはスクアリリウムお
よびクロコニックメチン化合物で特にアズレン系の化合
物などが用いられる。

ここで述べたＬＢ膜などの薄膜構造変化は、単独でおこ
ることもあるが一般にはい（つかの効果が複合していお
こることが多い。

以上のとときＬＢ膜などの薄膜を積層する電極１０３と
しては１０−’（Ω・ｃｍ）−’以上の伝導率を有する
導電体であれば、すべて使用することができる。すなわ
ちＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ。

Ａｇ、Ａｕ２などの金属板、あるいはこれら金属を蒸着
したガラス、セラミックス、プラスチック材料、または
Ｓｔ（結晶、アモルファス）などの半導体を基板１０４
としてＬＢ膜などの薄膜を積層し記録媒体として使用で
きる。

また上記の如き基板１０４は、任意の形状でよく平板状
であるのが好ましいが、平板に何ら限定されない。すな
わち前記成膜法においては、基板の表面がいかなる形状
であってもその形状通りに膜を形成し得る利点を有する
からである。

なお記録媒体１の金属電極１０３は、本発明となる記録
層１０１が絶縁性のため必要となるが、該記録層１０１
がＭΩ以下の半導体的性質を示すものであれば該金属電
極は不必要となる。すなわち記録層１０１そのものをプ
ローブ電極１０２の対向電極として用いることができる
。

またプローブ電極１０２の先端は再生の分解能を上げる
ため出来るだけ尖らせる必要がある。

本発明では、１φの太さの白金の先端を９０’のコーン
になるように機械的に研磨し超高真空中で電界をかけて
表面原子を蒸発させたものを用いているが、プローブの
形状や処理方法は何らこれに限定するものではない。

以後実施例に基づいて、本発明の記録再生方法について
詳細に述べる。

実施例１ 第１図に示す電極１０３とＡｕを用い、このＡｕ電極上
に記録層１０１としてペンタコサ−１０，１２−ジイノ
イツク酸（ＤＡ　１２−８）を２層累積したＬＢ膜を用
いた。

かかる重合性の記録媒体をエリオニクス社製ＥＬＳ−３
３００電子線描画装置に装填し、加速電圧２０ｋＶ、電
流値ｌＸｌ０−９Ａ、静止スポット径０．４μｍφ、露
光時間０．５μｓａｃ／スポットの条件で第２図（ａ）
の格子パターン発生装置を用いて描画した。

このときの倍率は５０倍であった。

次に、加速電圧２０ｋＶ、電流値ｌＸｌ０−”Ａ、静止
スポット径０．０４μｍφ、露光時間０．５μｓｅｅ／
スポツトで各格子内に第２図（ｂ）のラインパターンを
同様に描画した。

このようにして描画したパターンを第１図に示した再生
装置を用いて読み取った。次に、その過程を示す。

記録媒体をステージ上にしつかり固定し、まず目視によ
りプローブ電極の位置をさだめた。

プローブ電圧を２ｖに設定し、Ｚ方向の粗動機構を制御
してプローブ電流が１０−”Ａになるようにプローブ電
極と記録媒体の距離を調整した。

面内（ｘ、ｙ）の方向に粗動走査していまず格子パター
ンをさがした後、面内（ｘ、ｙ）に微動走査してライン
パターンを読み取ったところ電子線の照射された部分は
重合し、その膜厚はサーボ電圧の変化量に換算して数人
程度の変化（減少）が認められた。また読み取られたラ
イン巾は０．０２２μｍであり、少なくとも０．０２μ
ｍ程度の記録分解能が得れることがわかった。

以上の実験に用いたＤＡ１２−８記録媒体は下記の如く
作成した。

光学研磨したガラス基板を中性洗剤とトリクレンを用い
てきれいに洗浄した後、下引き層としてＣｒを真空蒸着
法により厚さ５０人堆積させ、更にＡｕを同法により４
００人蒸着して下地電極を形成した。ＤＡ１２−８をク
ロロホルムにｌＸｌ０”Ｍの濃度で溶かし、その溶液２
００μ℃を水相（ＭｎＣｊ！ｚ　　：　５ｘ　１０−’
Ｍ、ＫＨＣＯ３：　５Ｘ１０−’Ｍ、ｐＨ６，８，Ｍ、
２０℃）上に展開した。

溶媒を蒸発除去後、表面圧を２０　ｍ　Ｎ　／　ｍまで
高め、更にこれを一定に保ちながら前記電極基板を、水
面を横切るように速度３ｍｍ／分で静かに浸漬し、さら
に引上げ２層の単分子膜を累積した。このようにしてＡ
ｕ電極上に形成されたＤＡ１２−８車分子累積膜を２４
時間風乾して、記録媒体とした。

実施例２ ｎ”−３ｔ基板上にω−トリコセン酸を２層累積したも
のを記録媒体としたほかは、実施例１は全く同様の実験
を行った。但し、露光時間は５μｓｅｃ／スポツトに設
定している。読み取られたライン巾は０．０１３μｍで
０．０１μｍ程度の記録分解能が期待される。

なお、ω−トリコセン酸のＬＢＦ＆膜条件は下記の通り
であった。

溶媒二′クロロホルム 濃度：１ｍｇ／ｍλ 水相：Ｈ，ｏ（純水）、水温２０℃ 表面圧：２０ｍＮ／ｍ。

基板上下速度２０　ｍｍ７分 実施例３ アラキシン酸の２層累積膜を用いたほかは、実施例１と
全く同様の実験を行った。但し、露光時間は２０μｓｅ
ｃ／スポツトとした。記録は電子線照射による熱の発生
に基づ＜ＬＢ膜構造の変化によるもので、実施例１．２
に比較して分解能は悪く再生されたライン巾は０．０６
２μｍであった。なおアラキシン酸のＬＢ成膜条件は下
記の通りであった。

溶媒：クロロホルム、濃度：１ｍｇ／ｍＪ２水相：　ｃ
ｄｃλ、５ｘｌＯ−’Ｍ、水温水温：２失 実施例４ 実施例１と同様なＡｕ電極上にペリレンテトラカルボン
酸無水物 を真空蒸着（蒸着速度５人／　ｓ　ｅ　ｃ　、膜厚３１
１０人）し記録媒体としたほかは、実施例１と同様な記
録再生実験を行なった。

露光時間は２００μｓｅｃ／スポツトで行った結果、電
子線照射部は黒化していることが認められた。プローブ
電圧を２ｖとして再生されたライン巾は０，０４μｍで
あった。

実施例５ ｐ形５ｔ（１１１）ウニ八基板（１０Ω−ｃｍ）に日本
電子■製集東イオンビーム装置ＪＩＢＬ−１０ＯＡを用
いてＰ０イオンを注入して実施例１と同様に第２図に示
したパターンを描画した。その時の注入条件は イオン源加速電圧４０ｋＶ。

イオンビーム電流１　ｎＡ。

注入量　１．３ｘｌＯ”　　１０ｎｓ／ｃｒｒ１′ウ工
ハ一温度　３００℃ で行った。

次に、プローブ電圧を一〇．５ｖにして上記パターン記
録を再生したところライン巾は平均して０．０８３μｍ
であった。したがって０．１μｍ以下の分解能が得られ
ることがわかった。

上記記録媒体を６００℃で熱処理した結果、分解能は０
．１μｍ程度に減少したが安定な再生シグナルが得られ
るようになった。

実施例６・ 光学研磨したガラス基板にテトラキノジメタン・トコシ
ルピリジウムを１３層累積した記録媒体に実施例５と同
様に集束イオンビーム装置を用いて、■−イオンを注入
して第２図のパターンを描画した。

注入条件はイオン源加速電圧４０ｋＶ、イオンビーム電
流１００ρＡ注入量５Ｘ１０Ｉ３ｔｏｎｓ／ｃｍ１基板
温度２０℃で行った。

プローブ電圧を１■にしてパターン再生を行ったところ
ライン巾は平均して０．１μｍ程度であった。

以上述べた実旋例中では、エネルギー線として電子線、
イオン線を使用してがたが、用いられるエネルギー線は
これに限定されるものではなく可視、紫外およびＸ線等
の電磁波も使用することができる。

〔本発明の効果〕

００．０１８ｍ以上の記録分解能が得られ、従来の光記
録方法などと比較して２桁以上の高密度記録が可能であ
る。

■記録の読み取りに必要なエネルギーが小さいため、再
生にともなう記録の破壊が無い、したがって安定性の良
い大容量ファイルメモリが実現できる。

■記録媒体の構造が簡単でまたその作成過程も単純であ
る。したがって制御性が優れている為、素子を形成した
時再現性が高く、また生産性に富む。

■記録媒体に利用できる有機材料および無機材料の範囲
が広く、また非常に安価な記録媒体を提供できる。

■以上の特徴を有する新規な記録再生方法を提供した。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の再生装置を図解的に示すブロック図
である。 第２図（ａ）は、本発明において用いた記録パターンの
略図であり、第２図（ｂ）は、各格子内に記録されたラ
インパターンの拡大図である。 第３図は、本発明の記録層をＬＢ法によって形成すを方
法を図解的に示す断面図である。 第４図（ａ）及び（ｂ）は単分子膜の模式図であり、 第５図稔（ａ）、（ｂ）及び（Ｃ）は、累積膜の模式図
である。

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. （１）プローブ電極、エネルギー線照射によって書込ま
   れた記録媒体、前記プローブ電極から該記録媒体に電圧
   を印加する手段及び前記記録媒体に流れる電流量の変化
   を読み取る手段を有することを特徴とする再生装置。
2. （２）前記記録媒体が前記プローブ電極と、該プローブ
   電極に対向配置した対向電極との間に配置されている特
   許請求の範囲第１項記載の再生装置。
3. （３）前記記録媒体が１０＾−＾１＾０（Ω・ｃｍ）＾
   −＾１以上の伝導率をもつ半導電性物質によって形成さ
   れている特許請求の範囲第１項記載の再生装置。
4. （４）前記記録媒体が１０＾−＾８（Ω・ｃｍ）＾−＾
   １以上の伝導率をもつ半導電性物質によって形成されて
   いる特許請求の範囲第１項記載の再生装置。
5. （５）前記半導電性物質が長周期型同期表IVＢ族の元素
   、IIIＢ族の元素、ＶＢ族の元素、IIＢ族の元素及びVI
   Ｂ族の元素からなる元素群より選択された、少なくとも
   １種の元素を含有した半導電性物質である特許請求の範
   囲第３項又は第４項記載の再生装置。
6. （６）前記半導電性物質がＳｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ａｓ、Ｇ
   ａＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＺｎＯ及
   びＺｎＳからなる物質群より選択された少なくとも１種
   の物質を含有した半導電性物質である特許請求の範囲第
   ５項記載の再生装置。
7. （７）前記記録媒体が有機化合物の単分子膜又は該単分
   子層を累積した累積膜を有している特許請求の範囲第１
   項記載の再生装置。
8. （８）前記単分子膜又は累積膜の膜厚が数Å〜数１００
   ０Åの範囲である特許請求の範囲第７項記載の再生装置
   。
9. （９）前記単分子膜又は累積膜の膜厚が数Å〜５００Å
   の範囲である特許請求の範囲第７項記載の再生装置。
10. （１０）前記単分子膜又は累積膜の膜圧が１０Å〜２０
    ０Åの範囲である特許請求の範囲第７項記載の再生装置
    。
11. （１１）前記単分子膜又は累積膜がＬＢ法によって成膜
    した膜である特許請求の範囲第７項記載の再生装置。
12. （１２）前記有機化合物が分子中にπ電子順位をもつ群
    を有する特許請求の範囲第７項記載の再生装置。
13. （１３）前記有機化合物が芳香族多環化合物、共役π結
    合をもつ高分子化合物、フォトクロミック化合物、ポリ
    ペプチド化合物、色素会合状態をもつ化合物及び電荷移
    動錯体からなる化合物より選択された少なくとも１種の
    化合物である特許請求の範囲第７項記載の再生装置。
14. （１４）前記エネルギー線が電子線、イオン線、レーザ
    光線、Ｘ線、紫外線又は可視光線である特許請求の範囲
    第１項記載の再生装置。
15. （１５）前記プローブ電極のＸＹ走査駆動装置を有して
    いる特許請求の範囲第１項記載の再生装置。
16. （１６）前記プローブ電極と記録媒体の相対位置を３次
    元的に微動制御する手段を有している特許請求の範囲第
    １項記載の再生装置。
17. （１７）前記読み取り手段がサーボ回路を有している特
    許請求の範囲第１項記載の再生装置。