JPH01125688A - 有機被膜を分子範囲内で変性及びアドレスする方法 - Google Patents
有機被膜を分子範囲内で変性及びアドレスする方法Info
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- JPH01125688A JPH01125688A JP63175287A JP17528788A JPH01125688A JP H01125688 A JPH01125688 A JP H01125688A JP 63175287 A JP63175287 A JP 63175287A JP 17528788 A JP17528788 A JP 17528788A JP H01125688 A JPH01125688 A JP H01125688A
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- 230000036425 denaturation Effects 0.000 title 1
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- DKFFITSUIIXFPL-UHFFFAOYSA-N penta-2,4-diynoic acid Chemical compound OC(=O)C#CC#C DKFFITSUIIXFPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
-
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
- G11B9/1463—Record carriers for recording or reproduction involving the use of microscopic probe means
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- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
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- G11C13/0014—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、トンネルマイクロスコピーを用いて分子範囲
内で有機被膜を変性及びアドレスする方法に関する。
内で有機被膜を変性及びアドレスする方法に関する。
従来の技術
今日提供可能な記録媒体は、情報を主として無機系の形
で記憶する。電子回路では、達成可能な記憶密度は、電
子の波長特性が尚素子の機能を苦しくは妨害することが
でいない、製造可能な最小構造によって制限される。こ
の場合には、もう１つの問題点として、情報密度が上昇
するに伴い、電子回路内の熱密度が急速に上昇し、この
ことが結局、例えば高い熱負荷、及び例えばドープ物質
の又は接触電極における、高い電子拡散速度もしくは移
行速度を生じかつ構成素子の故障をもたらす。磁気記録
体は、その記録密度が磁化可能な最小領域（ワイスの領
域）によって及び技術的には書込み及び読出しマグネッ
トヘッドの磁界の横方向の膨張によって制限される。光
学的記録体は既に光の波長範囲内の記憶密度を可能にし
かつ著しく回折によって制限される、即ち０．２〜０．
５μｍの範囲内の構造が技術的に製造可能である。記憶
密度の著しい上昇は、今日の技術本邸に基づく１Ｙｊ記
方法を用いてはらはや達成されない。
で記憶する。電子回路では、達成可能な記憶密度は、電
子の波長特性が尚素子の機能を苦しくは妨害することが
でいない、製造可能な最小構造によって制限される。こ
の場合には、もう１つの問題点として、情報密度が上昇
するに伴い、電子回路内の熱密度が急速に上昇し、この
ことが結局、例えば高い熱負荷、及び例えばドープ物質
の又は接触電極における、高い電子拡散速度もしくは移
行速度を生じかつ構成素子の故障をもたらす。磁気記録
体は、その記録密度が磁化可能な最小領域（ワイスの領
域）によって及び技術的には書込み及び読出しマグネッ
トヘッドの磁界の横方向の膨張によって制限される。光
学的記録体は既に光の波長範囲内の記憶密度を可能にし
かつ著しく回折によって制限される、即ち０．２〜０．
５μｍの範囲内の構造が技術的に製造可能である。記憶
密度の著しい上昇は、今日の技術本邸に基づく１Ｙｊ記
方法を用いてはらはや達成されない。
有機分子状記憶体の形のテラーバイト範囲内の著しく高
め、られた記憶密度へのアプローチは、従来は実現する
ことができなかった、それというのもその制御法が知ら
れていなかったからである。
め、られた記憶密度へのアプローチは、従来は実現する
ことができなかった、それというのもその制御法が知ら
れていなかったからである。
このような極端に高い密度を有する有機記憶体の有効性
及び機能は、生物学的系における極めて効果的な利用に
よって証明されている。しかしながら、技術的には例え
ばラングミュア−ブロードゲット層におけるような整然
とした異方性の被膜においては個々の分子又は分子結合
のアドレス可能性において問題点が生じる。単位情報当
り２５人２の必要な記憶表面積において、１ＱＩ４ビッ
ト７ａｍ”の程度の理論的記憶密度が生じる、即ちｌ０
ＣＩ！”に、ヒトの能の記憶容量を収容できることにな
る。
及び機能は、生物学的系における極めて効果的な利用に
よって証明されている。しかしながら、技術的には例え
ばラングミュア−ブロードゲット層におけるような整然
とした異方性の被膜においては個々の分子又は分子結合
のアドレス可能性において問題点が生じる。単位情報当
り２５人２の必要な記憶表面積において、１ＱＩ４ビッ
ト７ａｍ”の程度の理論的記憶密度が生じる、即ちｌ０
ＣＩ！”に、ヒトの能の記憶容量を収容できることにな
る。
発明が解決しようとする課題
従って、本発明の課題は、整然とした有機層を用いてテ
ラーバイト範囲の記録媒体を提供することであった。
ラーバイト範囲の記録媒体を提供することであった。
課題を解決するための手段
前記課題は、本発明により、有機被膜を分子範囲内で変
性及びアドレスする方法において、寸法安定性の支持体
と、その上に施された有機層とから成る記録媒体−にお
いて、トンネル効果又は電界効果を介して発生せしめら
れる０、Ｉｎ＋ｍ以下のチャンネル幅を有する局部電流
及びイオン電流を用いて、有機層の分子又は電子構造を
局所的に変化させることにより解決される。
性及びアドレスする方法において、寸法安定性の支持体
と、その上に施された有機層とから成る記録媒体−にお
いて、トンネル効果又は電界効果を介して発生せしめら
れる０、Ｉｎ＋ｍ以下のチャンネル幅を有する局部電流
及びイオン電流を用いて、有機層の分子又は電子構造を
局所的に変化させることにより解決される。
発明の作用及び効果
本発明による方法を実施するためのトンネルマイクロス
コピーは公知である（ Ｇ、Ｂ１ｎｎ１ｇ及び１１．Ｒ
ｏｈｒｅｒ著“Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ
Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ”、 ｌ１ｅｌｖ、 Ｐｈｙｓ
、 Ａｃｔａ ５５．７２６ （１９８２）］ 、表面
に対する測定電極のトンネル電流の高いギャップ感度に
より、原子範囲内の極端に狭い電流チャンネルを生じる
。この方法のナノメータ範囲内の高い横方向の解像力は
、ラングミュア−ブロードゲット層の、個々の有機分子
の結像を可能にする［添付図面及び又り、Ｐ、Ｅ、Ｓｎ
＋ｉｔｈ ａｔ ａｌ。
コピーは公知である（ Ｇ、Ｂ１ｎｎ１ｇ及び１１．Ｒ
ｏｈｒｅｒ著“Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ
Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ”、 ｌ１ｅｌｖ、 Ｐｈｙｓ
、 Ａｃｔａ ５５．７２６ （１９８２）］ 、表面
に対する測定電極のトンネル電流の高いギャップ感度に
より、原子範囲内の極端に狭い電流チャンネルを生じる
。この方法のナノメータ範囲内の高い横方向の解像力は
、ラングミュア−ブロードゲット層の、個々の有機分子
の結像を可能にする［添付図面及び又り、Ｐ、Ｅ、Ｓｎ
＋ｉｔｈ ａｔ ａｌ。
著“Ｐｒｏｃ、 Ｎａｔ、 Ａｃａｄ、 ｏｆ Ｓｃｉ
、 ＬＩＳＡ ８４ （１９８７）９６９参照］。情報
の記憶は、短い電圧又は電流パルスの印加により、個々
の分子又は分子結合から成る分子基が溶出されるか又は
分子が重合又は架橋されるか、あるいは又脱型台及び／
又は主鎖の部分的分解により個々の分子が溶出されかつ
気相に移行せしめられることにより行われる。こうして
発生した電流もしくは表面変性は、情報単位として役立
つ。情報の読出しは、直接的構造測定もしくは電位バリ
アの局所的変動又は先行の処理の基づく層の局所的状態
密度の測定により行う。情報単位として役立つ電流は、
同様に有利に、トンネルマイクロスコープの尖端状測定
電極から層内に導入されるイオン又は原子の注入のよっ
て発生させることができる。同様に、このような層内に
電極を注入することによって、層の電子的特性を変化さ
せることができる。
、 ＬＩＳＡ ８４ （１９８７）９６９参照］。情報
の記憶は、短い電圧又は電流パルスの印加により、個々
の分子又は分子結合から成る分子基が溶出されるか又は
分子が重合又は架橋されるか、あるいは又脱型台及び／
又は主鎖の部分的分解により個々の分子が溶出されかつ
気相に移行せしめられることにより行われる。こうして
発生した電流もしくは表面変性は、情報単位として役立
つ。情報の読出しは、直接的構造測定もしくは電位バリ
アの局所的変動又は先行の処理の基づく層の局所的状態
密度の測定により行う。情報単位として役立つ電流は、
同様に有利に、トンネルマイクロスコープの尖端状測定
電極から層内に導入されるイオン又は原子の注入のよっ
て発生させることができる。同様に、このような層内に
電極を注入することによって、層の電子的特性を変化さ
せることができる。
有機被膜としては、特に例えばω−トリコセン酸又はジ
アセチレンカルボン酸のような架橋可能な又は重合可能
な基、又はそれらの誘導体を有するラングミュア−ブロ
ードゲット層が該当する。同様にこのために適当な整然
とした有機被膜、例えばフタロシアニンは、気相から析
出させる［ １１．Ｕｓｕｉ ｅｔ ａ１、著、” Ｊ
、 Ｍａｃ、 Ｓｃｉ。
アセチレンカルボン酸のような架橋可能な又は重合可能
な基、又はそれらの誘導体を有するラングミュア−ブロ
ードゲット層が該当する。同様にこのために適当な整然
とした有機被膜、例えばフタロシアニンは、気相から析
出させる［ １１．Ｕｓｕｉ ｅｔ ａ１、著、” Ｊ
、 Ｍａｃ、 Ｓｃｉ。
Ｔｅｃｈｎ、 ４ （１９８６）、 ５２〜５６；
Ｉ１、 ５ａｓａｂｃ著、“Ｐｒｏｃ 。
Ｉ１、 ５ａｓａｂｃ著、“Ｐｒｏｃ 。
Ｉｎｔ、 Ｓｙｍｐ、 Ｆｕｔｕｒｅ Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎ Ｄｅｖ、” Ｎｏｖ、 ２０／２１、１９８５．Ｔ
ｏｋｙｏ］ 、又は例えば液相からＰＶＤ、ＣＶＤ、Ｍ
Ｏ又はＭＢＥ又はシロキサンを用いて析出させる［“Ｏ
ｒｇａｎｉｚｅｄ Ｍｏｎｏｌａｙａｒｓ ｂｙ＾ｄｓ
ｏｒｐｔｉｏｎ”、Ｊａｃｏｂ Ｓａｇｉｙ、 Ｊ、
Ａｍ、 Ｃｈｅｗ、 Ｓｏｃ。
ｎ Ｄｅｖ、” Ｎｏｖ、 ２０／２１、１９８５．Ｔ
ｏｋｙｏ］ 、又は例えば液相からＰＶＤ、ＣＶＤ、Ｍ
Ｏ又はＭＢＥ又はシロキサンを用いて析出させる［“Ｏ
ｒｇａｎｉｚｅｄ Ｍｏｎｏｌａｙａｒｓ ｂｙ＾ｄｓ
ｏｒｐｔｉｏｎ”、Ｊａｃｏｂ Ｓａｇｉｙ、 Ｊ、
Ａｍ、 Ｃｈｅｗ、 Ｓｏｃ。
Ｕμ＝（１９８０）、 ９２〜９８］から得ることがで
きる。
きる。
これらの被膜のための寸法安定性の支持体としては、金
属、半金属、半導体、又は導電性層が施された絶縁支持
体が適当である。
属、半金属、半導体、又は導電性層が施された絶縁支持
体が適当である。
添付図面は、本発明による方法の高い横方向の解像力に
より得られた、ラングミュア−ブロードゲット層の個々
の有機分子の状態を示す図である。 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 特願昭６３−１７５２８７号 λ 発明の名称 有機被膜を分子範囲内で変性及びアドレスする方法３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 ビーニーニスエフ ァクチェンゲゼルシャフ
ト↓代理人 〒１０３ ５、 補正命令の日付 昭和６３年９月２７日（発送臼） ６、 補正の対象 明細書の「図面の簡単な説明」の欄。 ７、 補正の内容 明細書第６頁第１７乃至２０行の「添付図面は、・・・
・・・示す図である。」を「添付図面は、高い横方向の
解像力により得られた、ラングミュア−ブロードゲラｌ
ａの個々の仔機分子の状態を走査型トンネル顕微鏡によ
り撮影した写真である。」と訂正する。
より得られた、ラングミュア−ブロードゲット層の個々
の有機分子の状態を示す図である。 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 特願昭６３−１７５２８７号 λ 発明の名称 有機被膜を分子範囲内で変性及びアドレスする方法３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 ビーニーニスエフ ァクチェンゲゼルシャフ
ト↓代理人 〒１０３ ５、 補正命令の日付 昭和６３年９月２７日（発送臼） ６、 補正の対象 明細書の「図面の簡単な説明」の欄。 ７、 補正の内容 明細書第６頁第１７乃至２０行の「添付図面は、・・・
・・・示す図である。」を「添付図面は、高い横方向の
解像力により得られた、ラングミュア−ブロードゲラｌ
ａの個々の仔機分子の状態を走査型トンネル顕微鏡によ
り撮影した写真である。」と訂正する。
Claims (1)
- １、有機被膜を分子範囲内で変性及びアドレスする方法
において、寸法安定性の支持体と、その上に施された有
機層とから成る記録媒体において、トンネル効果又は電
界効果を介して発生せしめられる０．１ｎｍ以下のチャ
ンネル幅を有する局部電流及びイオン電流を用いて、有
機層の分子又は電子構造を局所的に変化させることを特
徴とする、有機被膜を分子範囲内で変性及びアドレスす
る方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19873723540 DE3723540A1 (de) | 1987-07-16 | 1987-07-16 | Verfahren zur modifizierung und adressierung organischer filme im molekularen bereich |
| DE3723540.0 | 1987-07-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01125688A true JPH01125688A (ja) | 1989-05-18 |
Family
ID=6331711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63175287A Pending JPH01125688A (ja) | 1987-07-16 | 1988-07-15 | 有機被膜を分子範囲内で変性及びアドレスする方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0299366B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01125688A (ja) |
| DE (2) | DE3723540A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10756738B2 (en) | 2018-07-17 | 2020-08-25 | Northrop Grumman Systems Corporation | JTL-based superconducting logic arrays and FPGAS |
| US11120869B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-09-14 | Northrop Grumman Systems Corporation | Quantizing loop memory cell system |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62104239A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Toshiba Corp | デ−タ伝送装置 |
| JPS63204531A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-24 | Canon Inc | 再生装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4575822A (en) * | 1983-02-15 | 1986-03-11 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Method and means for data storage using tunnel current data readout |
| JPS6194042A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分子構築体およびその製造方法 |
| JPH0770690B2 (ja) * | 1986-01-14 | 1995-07-31 | オリンパス光学工業株式会社 | 三次元トンネルメモリ装置 |
-
1987
- 1987-07-16 DE DE19873723540 patent/DE3723540A1/de not_active Withdrawn
-
1988
- 1988-07-08 DE DE88110900T patent/DE3885020D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-08 EP EP88110900A patent/EP0299366B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-15 JP JP63175287A patent/JPH01125688A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62104239A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Toshiba Corp | デ−タ伝送装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10756738B2 (en) | 2018-07-17 | 2020-08-25 | Northrop Grumman Systems Corporation | JTL-based superconducting logic arrays and FPGAS |
| US11120869B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-09-14 | Northrop Grumman Systems Corporation | Quantizing loop memory cell system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3885020D1 (de) | 1993-11-25 |
| EP0299366A3 (de) | 1991-10-23 |
| DE3723540A1 (de) | 1989-01-26 |
| EP0299366A2 (de) | 1989-01-18 |
| EP0299366B1 (de) | 1993-10-20 |
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