JPH01125688A - 有機被膜を分子範囲内で変性及びアドレスする方法 - Google Patents
有機被膜を分子範囲内で変性及びアドレスする方法Info
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- JPH01125688A JPH01125688A JP63175287A JP17528788A JPH01125688A JP H01125688 A JPH01125688 A JP H01125688A JP 63175287 A JP63175287 A JP 63175287A JP 17528788 A JP17528788 A JP 17528788A JP H01125688 A JPH01125688 A JP H01125688A
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- G11C13/0014—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material
-
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-
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
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-
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- G11B9/1463—Record carriers for recording or reproduction involving the use of microscopic probe means
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- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、トンネルマイクロスコピーを用いて分子範囲
内で有機被膜を変性及びアドレスする方法に関する。
内で有機被膜を変性及びアドレスする方法に関する。
従来の技術
今日提供可能な記録媒体は、情報を主として無機系の形
で記憶する。電子回路では、達成可能な記憶密度は、電
子の波長特性が尚素子の機能を苦しくは妨害することが
でいない、製造可能な最小構造によって制限される。こ
の場合には、もう1つの問題点として、情報密度が上昇
するに伴い、電子回路内の熱密度が急速に上昇し、この
ことが結局、例えば高い熱負荷、及び例えばドープ物質
の又は接触電極における、高い電子拡散速度もしくは移
行速度を生じかつ構成素子の故障をもたらす。磁気記録
体は、その記録密度が磁化可能な最小領域(ワイスの領
域)によって及び技術的には書込み及び読出しマグネッ
トヘッドの磁界の横方向の膨張によって制限される。光
学的記録体は既に光の波長範囲内の記憶密度を可能にし
かつ著しく回折によって制限される、即ち0.2〜0.
5μmの範囲内の構造が技術的に製造可能である。記憶
密度の著しい上昇は、今日の技術本邸に基づく1Yj記
方法を用いてはらはや達成されない。
で記憶する。電子回路では、達成可能な記憶密度は、電
子の波長特性が尚素子の機能を苦しくは妨害することが
でいない、製造可能な最小構造によって制限される。こ
の場合には、もう1つの問題点として、情報密度が上昇
するに伴い、電子回路内の熱密度が急速に上昇し、この
ことが結局、例えば高い熱負荷、及び例えばドープ物質
の又は接触電極における、高い電子拡散速度もしくは移
行速度を生じかつ構成素子の故障をもたらす。磁気記録
体は、その記録密度が磁化可能な最小領域(ワイスの領
域)によって及び技術的には書込み及び読出しマグネッ
トヘッドの磁界の横方向の膨張によって制限される。光
学的記録体は既に光の波長範囲内の記憶密度を可能にし
かつ著しく回折によって制限される、即ち0.2〜0.
5μmの範囲内の構造が技術的に製造可能である。記憶
密度の著しい上昇は、今日の技術本邸に基づく1Yj記
方法を用いてはらはや達成されない。
有機分子状記憶体の形のテラーバイト範囲内の著しく高
め、られた記憶密度へのアプローチは、従来は実現する
ことができなかった、それというのもその制御法が知ら
れていなかったからである。
め、られた記憶密度へのアプローチは、従来は実現する
ことができなかった、それというのもその制御法が知ら
れていなかったからである。
このような極端に高い密度を有する有機記憶体の有効性
及び機能は、生物学的系における極めて効果的な利用に
よって証明されている。しかしながら、技術的には例え
ばラングミュア−ブロードゲット層におけるような整然
とした異方性の被膜においては個々の分子又は分子結合
のアドレス可能性において問題点が生じる。単位情報当
り25人2の必要な記憶表面積において、1QI4ビッ
ト7am”の程度の理論的記憶密度が生じる、即ちl0
CI!”に、ヒトの能の記憶容量を収容できることにな
る。
及び機能は、生物学的系における極めて効果的な利用に
よって証明されている。しかしながら、技術的には例え
ばラングミュア−ブロードゲット層におけるような整然
とした異方性の被膜においては個々の分子又は分子結合
のアドレス可能性において問題点が生じる。単位情報当
り25人2の必要な記憶表面積において、1QI4ビッ
ト7am”の程度の理論的記憶密度が生じる、即ちl0
CI!”に、ヒトの能の記憶容量を収容できることにな
る。
発明が解決しようとする課題
従って、本発明の課題は、整然とした有機層を用いてテ
ラーバイト範囲の記録媒体を提供することであった。
ラーバイト範囲の記録媒体を提供することであった。
課題を解決するための手段
前記課題は、本発明により、有機被膜を分子範囲内で変
性及びアドレスする方法において、寸法安定性の支持体
と、その上に施された有機層とから成る記録媒体−にお
いて、トンネル効果又は電界効果を介して発生せしめら
れる0、In+m以下のチャンネル幅を有する局部電流
及びイオン電流を用いて、有機層の分子又は電子構造を
局所的に変化させることにより解決される。
性及びアドレスする方法において、寸法安定性の支持体
と、その上に施された有機層とから成る記録媒体−にお
いて、トンネル効果又は電界効果を介して発生せしめら
れる0、In+m以下のチャンネル幅を有する局部電流
及びイオン電流を用いて、有機層の分子又は電子構造を
局所的に変化させることにより解決される。
発明の作用及び効果
本発明による方法を実施するためのトンネルマイクロス
コピーは公知である( G、B1nn1g及び11.R
ohrer著“Scanning Tunneling
Microscopy”、 l1elv、 Phys
、 Acta 55.726 (1982)] 、表面
に対する測定電極のトンネル電流の高いギャップ感度に
より、原子範囲内の極端に狭い電流チャンネルを生じる
。この方法のナノメータ範囲内の高い横方向の解像力は
、ラングミュア−ブロードゲット層の、個々の有機分子
の結像を可能にする[添付図面及び又り、P、E、Sn
+ith at al。
コピーは公知である( G、B1nn1g及び11.R
ohrer著“Scanning Tunneling
Microscopy”、 l1elv、 Phys
、 Acta 55.726 (1982)] 、表面
に対する測定電極のトンネル電流の高いギャップ感度に
より、原子範囲内の極端に狭い電流チャンネルを生じる
。この方法のナノメータ範囲内の高い横方向の解像力は
、ラングミュア−ブロードゲット層の、個々の有機分子
の結像を可能にする[添付図面及び又り、P、E、Sn
+ith at al。
著“Proc、 Nat、 Acad、 of Sci
、 LISA 84 (1987)969参照]。情報
の記憶は、短い電圧又は電流パルスの印加により、個々
の分子又は分子結合から成る分子基が溶出されるか又は
分子が重合又は架橋されるか、あるいは又脱型台及び/
又は主鎖の部分的分解により個々の分子が溶出されかつ
気相に移行せしめられることにより行われる。こうして
発生した電流もしくは表面変性は、情報単位として役立
つ。情報の読出しは、直接的構造測定もしくは電位バリ
アの局所的変動又は先行の処理の基づく層の局所的状態
密度の測定により行う。情報単位として役立つ電流は、
同様に有利に、トンネルマイクロスコープの尖端状測定
電極から層内に導入されるイオン又は原子の注入のよっ
て発生させることができる。同様に、このような層内に
電極を注入することによって、層の電子的特性を変化さ
せることができる。
、 LISA 84 (1987)969参照]。情報
の記憶は、短い電圧又は電流パルスの印加により、個々
の分子又は分子結合から成る分子基が溶出されるか又は
分子が重合又は架橋されるか、あるいは又脱型台及び/
又は主鎖の部分的分解により個々の分子が溶出されかつ
気相に移行せしめられることにより行われる。こうして
発生した電流もしくは表面変性は、情報単位として役立
つ。情報の読出しは、直接的構造測定もしくは電位バリ
アの局所的変動又は先行の処理の基づく層の局所的状態
密度の測定により行う。情報単位として役立つ電流は、
同様に有利に、トンネルマイクロスコープの尖端状測定
電極から層内に導入されるイオン又は原子の注入のよっ
て発生させることができる。同様に、このような層内に
電極を注入することによって、層の電子的特性を変化さ
せることができる。
有機被膜としては、特に例えばω−トリコセン酸又はジ
アセチレンカルボン酸のような架橋可能な又は重合可能
な基、又はそれらの誘導体を有するラングミュア−ブロ
ードゲット層が該当する。同様にこのために適当な整然
とした有機被膜、例えばフタロシアニンは、気相から析
出させる[ 11.Usui et a1、著、” J
、 Mac、 Sci。
アセチレンカルボン酸のような架橋可能な又は重合可能
な基、又はそれらの誘導体を有するラングミュア−ブロ
ードゲット層が該当する。同様にこのために適当な整然
とした有機被膜、例えばフタロシアニンは、気相から析
出させる[ 11.Usui et a1、著、” J
、 Mac、 Sci。
Techn、 4 (1986)、 52〜56;
I1、 5asabc著、“Proc 。
I1、 5asabc著、“Proc 。
Int、 Symp、 Future Electro
n Dev、” Nov、 20/21、1985.T
okyo] 、又は例えば液相からPVD、CVD、M
O又はMBE又はシロキサンを用いて析出させる[“O
rganized Monolayars by^ds
orption”、Jacob Sagiy、 J、
Am、 Chew、 Soc。
n Dev、” Nov、 20/21、1985.T
okyo] 、又は例えば液相からPVD、CVD、M
O又はMBE又はシロキサンを用いて析出させる[“O
rganized Monolayars by^ds
orption”、Jacob Sagiy、 J、
Am、 Chew、 Soc。
Uμ=(1980)、 92〜98]から得ることがで
きる。
きる。
これらの被膜のための寸法安定性の支持体としては、金
属、半金属、半導体、又は導電性層が施された絶縁支持
体が適当である。
属、半金属、半導体、又は導電性層が施された絶縁支持
体が適当である。
添付図面は、本発明による方法の高い横方向の解像力に
より得られた、ラングミュア−ブロードゲット層の個々
の有機分子の状態を示す図である。 手続補正書(方式) %式% 1、事件の表示 特願昭63−175287号 λ 発明の名称 有機被膜を分子範囲内で変性及びアドレスする方法3、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 ビーニーニスエフ ァクチェンゲゼルシャフ
ト↓代理人 〒103 5、 補正命令の日付 昭和63年9月27日(発送臼) 6、 補正の対象 明細書の「図面の簡単な説明」の欄。 7、 補正の内容 明細書第6頁第17乃至20行の「添付図面は、・・・
・・・示す図である。」を「添付図面は、高い横方向の
解像力により得られた、ラングミュア−ブロードゲラl
aの個々の仔機分子の状態を走査型トンネル顕微鏡によ
り撮影した写真である。」と訂正する。
より得られた、ラングミュア−ブロードゲット層の個々
の有機分子の状態を示す図である。 手続補正書(方式) %式% 1、事件の表示 特願昭63−175287号 λ 発明の名称 有機被膜を分子範囲内で変性及びアドレスする方法3、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 ビーニーニスエフ ァクチェンゲゼルシャフ
ト↓代理人 〒103 5、 補正命令の日付 昭和63年9月27日(発送臼) 6、 補正の対象 明細書の「図面の簡単な説明」の欄。 7、 補正の内容 明細書第6頁第17乃至20行の「添付図面は、・・・
・・・示す図である。」を「添付図面は、高い横方向の
解像力により得られた、ラングミュア−ブロードゲラl
aの個々の仔機分子の状態を走査型トンネル顕微鏡によ
り撮影した写真である。」と訂正する。
Claims (1)
- 1、有機被膜を分子範囲内で変性及びアドレスする方法
において、寸法安定性の支持体と、その上に施された有
機層とから成る記録媒体において、トンネル効果又は電
界効果を介して発生せしめられる0.1nm以下のチャ
ンネル幅を有する局部電流及びイオン電流を用いて、有
機層の分子又は電子構造を局所的に変化させることを特
徴とする、有機被膜を分子範囲内で変性及びアドレスす
る方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19873723540 DE3723540A1 (de) | 1987-07-16 | 1987-07-16 | Verfahren zur modifizierung und adressierung organischer filme im molekularen bereich |
DE3723540.0 | 1987-07-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01125688A true JPH01125688A (ja) | 1989-05-18 |
Family
ID=6331711
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63175287A Pending JPH01125688A (ja) | 1987-07-16 | 1988-07-15 | 有機被膜を分子範囲内で変性及びアドレスする方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0299366B1 (ja) |
JP (1) | JPH01125688A (ja) |
DE (2) | DE3723540A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10756738B2 (en) | 2018-07-17 | 2020-08-25 | Northrop Grumman Systems Corporation | JTL-based superconducting logic arrays and FPGAS |
US11120869B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-09-14 | Northrop Grumman Systems Corporation | Quantizing loop memory cell system |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62104239A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Toshiba Corp | デ−タ伝送装置 |
JPS63204531A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-24 | Canon Inc | 再生装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4575822A (en) * | 1983-02-15 | 1986-03-11 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Method and means for data storage using tunnel current data readout |
JPS6194042A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分子構築体およびその製造方法 |
JPH0770690B2 (ja) * | 1986-01-14 | 1995-07-31 | オリンパス光学工業株式会社 | 三次元トンネルメモリ装置 |
-
1987
- 1987-07-16 DE DE19873723540 patent/DE3723540A1/de not_active Withdrawn
-
1988
- 1988-07-08 DE DE88110900T patent/DE3885020D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-08 EP EP88110900A patent/EP0299366B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-15 JP JP63175287A patent/JPH01125688A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62104239A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Toshiba Corp | デ−タ伝送装置 |
JPS63204531A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-24 | Canon Inc | 再生装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10756738B2 (en) | 2018-07-17 | 2020-08-25 | Northrop Grumman Systems Corporation | JTL-based superconducting logic arrays and FPGAS |
US11120869B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-09-14 | Northrop Grumman Systems Corporation | Quantizing loop memory cell system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3885020D1 (de) | 1993-11-25 |
EP0299366A3 (de) | 1991-10-23 |
DE3723540A1 (de) | 1989-01-26 |
EP0299366A2 (de) | 1989-01-18 |
EP0299366B1 (de) | 1993-10-20 |
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