JPH0487037A - 記録媒体およびその製造方法、記録方法、記録再生方法、記録装置、再生装置、記録再生装置 - Google Patents
記録媒体およびその製造方法、記録方法、記録再生方法、記録装置、再生装置、記録再生装置Info
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- JPH0487037A JPH0487037A JP20115790A JP20115790A JPH0487037A JP H0487037 A JPH0487037 A JP H0487037A JP 20115790 A JP20115790 A JP 20115790A JP 20115790 A JP20115790 A JP 20115790A JP H0487037 A JPH0487037 A JP H0487037A
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、導電性材料の探針であるプローブ電極と導電
性物質量に電圧を加えることで生じるトンネル電流を適
用する記録媒体、これに係る電極基板、かかる記録媒体
を用いた記録・再生装置、記録再生方法、さらにはかか
る電極基板及び記録媒体の製造方法に関する。
性物質量に電圧を加えることで生じるトンネル電流を適
用する記録媒体、これに係る電極基板、かかる記録媒体
を用いた記録・再生装置、記録再生方法、さらにはかか
る電極基板及び記録媒体の製造方法に関する。
［従来の技術］
近年、情報化社会の発展につれ、大容量メモリ化技術の
開発が行われている。最近では走査型トンネル電子顕微
鏡（以後ＳＴＭと略す）を用いた記録再生装置が登場し
てきた（例えば特開昭６１−８０５３６号公報等）。か
かるＳＴＭは導電性材料からなる探針（プローブ電極）
と導電性物質量に電圧を加えて１ｎｍ程度の距離まで近
づけるとトンネル電流が流れることを利用しているもの
である。この電流は両者の距離変化に非常に敏感である
。トンネル電流を一定に保つようにプローブ電極を走査
することにより実空間の全電子雲に関する種々の情報を
も読みとることができる。この際、面内方向の分解能は
Ｏ，１ｎｍ程度である。
開発が行われている。最近では走査型トンネル電子顕微
鏡（以後ＳＴＭと略す）を用いた記録再生装置が登場し
てきた（例えば特開昭６１−８０５３６号公報等）。か
かるＳＴＭは導電性材料からなる探針（プローブ電極）
と導電性物質量に電圧を加えて１ｎｍ程度の距離まで近
づけるとトンネル電流が流れることを利用しているもの
である。この電流は両者の距離変化に非常に敏感である
。トンネル電流を一定に保つようにプローブ電極を走査
することにより実空間の全電子雲に関する種々の情報を
も読みとることができる。この際、面内方向の分解能は
Ｏ，１ｎｍ程度である。
従って、ＳＴＭの原理を応用すれば充分に原子オーダー
（サブナノメートル）での高密度記録再生を行うことが
可能である。
（サブナノメートル）での高密度記録再生を行うことが
可能である。
また、ＳＴＭを応用したメモリの記録再生方法に関して
は、検出されたトンネル電流の値を平均化させサーボを
かけることによってプローブ電極と記録面表面の距離（
Ｚ）をあまり変化させずにプローブを高速に移動させ、
再生を高速に行う提案がされている（特開平１−１３３
２３９号公報）。
は、検出されたトンネル電流の値を平均化させサーボを
かけることによってプローブ電極と記録面表面の距離（
Ｚ）をあまり変化させずにプローブを高速に移動させ、
再生を高速に行う提案がされている（特開平１−１３３
２３９号公報）。
この方式は、プローブを記録層表面を走査させるときに
Ｚ軸方向に表面の凹凸に応じたプローブの空間位置の変
位量を少なくすることによってプローブ走査速度を高速
化し、再生速度を大幅に向上させたものである。
Ｚ軸方向に表面の凹凸に応じたプローブの空間位置の変
位量を少なくすることによってプローブ走査速度を高速
化し、再生速度を大幅に向上させたものである。
また、記録層として電圧電流のスイッチング特性に対し
てメモリ効果をもつ材料、例えばπ電子系有機材料やカ
ルコゲン化合物類の薄膜層を用いて記録、再生をＳＴＭ
で行う方法が提案されている（特開昭６３−１６１５５
２号公報等）。この方法によれば、記録のビットサイズ
を１０ｎｍとすれば１０ ”ｂ ｉ ｔ／ ｃｍ”もの
大容量記録再生が可能である。
てメモリ効果をもつ材料、例えばπ電子系有機材料やカ
ルコゲン化合物類の薄膜層を用いて記録、再生をＳＴＭ
で行う方法が提案されている（特開昭６３−１６１５５
２号公報等）。この方法によれば、記録のビットサイズ
を１０ｎｍとすれば１０ ”ｂ ｉ ｔ／ ｃｍ”もの
大容量記録再生が可能である。
第２図に従来の記録媒体の断面例を示す。
１０５はトラックであり、１０６はトラックを有する溝
（トラック溝）、１０２は金属電極及び記録層、１０１
は平滑基板である。また、１０４は記録面である。ここ
で用いられる記録媒体には、トラックを有することが必
要である。トラックがない場合においては、記録再生が
非常に困難なものとなる。
（トラック溝）、１０２は金属電極及び記録層、１０１
は平滑基板である。また、１０４は記録面である。ここ
で用いられる記録媒体には、トラックを有することが必
要である。トラックがない場合においては、記録再生が
非常に困難なものとなる。
トラックが凹凸の段差部分を指し、このときトラック溝
の深さは電極表面から約５０人乃至１００人であった。
の深さは電極表面から約５０人乃至１００人であった。
かかるトラック溝深さを有する場合、記録面１０４との
間のトンネル電流は検出可能でも、その位置（Ｚ軸方向
）にプローブ電極がある限り、記録面上方からトラック
溝上方に移動しても、トラック溝底部からのトンネル電
流を検出することは困難である。
間のトンネル電流は検出可能でも、その位置（Ｚ軸方向
）にプローブ電極がある限り、記録面上方からトラック
溝上方に移動しても、トラック溝底部からのトンネル電
流を検出することは困難である。
このような構成において、仮にプローブ電極が記録再生
時の２軸空間座標の位置を保ったままトラック溝の上部
に位置してしまった場合、即ちトラッキングエラーを生
じた場合、プローブにより電流を検出することができな
（なるため、Ｚ軸方向のフィードバックがかからない可
能性が高くなる。フィードバックを常にかけるためには
、プローブがどの位置にあってもプローブにより電流を
検出する必要がある。
時の２軸空間座標の位置を保ったままトラック溝の上部
に位置してしまった場合、即ちトラッキングエラーを生
じた場合、プローブにより電流を検出することができな
（なるため、Ｚ軸方向のフィードバックがかからない可
能性が高くなる。フィードバックを常にかけるためには
、プローブがどの位置にあってもプローブにより電流を
検出する必要がある。
［発明が解決しようとする課題］
以上述べたような従来技術の問題点に鑑み、本発明の目
的とするところは、 ■ プローブ電極が記録面上方からずれトラック溝上方
に位置したときでも、トンネル電流を検出ならしめＺ軸
方向のフィードバックがかかった状態を保つようにし、
プローブ電極の２軸の高さ情報を常に検知しておくこと
によりプローブ電極の記録面への接触、トラック溝の一
部の接触による記録面、プローブ電極の損傷等を防ぐこ
とを可能にした記録媒体であり更には高速記録再生を可
能にした記録媒体、 ■ 上述のような記録媒体を用いた記録装置、再生装置
、記録再生装置、 ■ さらには、かかる記録媒体の製造方法、等を提供す
ることにある。
的とするところは、 ■ プローブ電極が記録面上方からずれトラック溝上方
に位置したときでも、トンネル電流を検出ならしめＺ軸
方向のフィードバックがかかった状態を保つようにし、
プローブ電極の２軸の高さ情報を常に検知しておくこと
によりプローブ電極の記録面への接触、トラック溝の一
部の接触による記録面、プローブ電極の損傷等を防ぐこ
とを可能にした記録媒体であり更には高速記録再生を可
能にした記録媒体、 ■ 上述のような記録媒体を用いた記録装置、再生装置
、記録再生装置、 ■ さらには、かかる記録媒体の製造方法、等を提供す
ることにある。
［課題を解決するための手段及び作用］本発明の特徴と
するところは、 第１に、表面に凹状のトラック溝を有し、該トラック溝
の深さが、表面を走査するプローブ電極によりトラック
溝底部からのトンネル電流を検出できる深さであること
を特徴とする電極基板である。
するところは、 第１に、表面に凹状のトラック溝を有し、該トラック溝
の深さが、表面を走査するプローブ電極によりトラック
溝底部からのトンネル電流を検出できる深さであること
を特徴とする電極基板である。
第２に、表面に凹状のトラック溝を有し、該トラック溝
の深さが、表面を走査するプローブ電極によりトラック
溝底部からのトンネル電流を検出できる深さであること
を特徴とする記録媒体である。
の深さが、表面を走査するプローブ電極によりトラック
溝底部からのトンネル電流を検出できる深さであること
を特徴とする記録媒体である。
第３に、表面に凹状のトラック溝を有し、該トラック溝
の深さが、表面を走査するプローブ電極によりトラック
溝底部からのトンネル電流を検出できる深さである記録
媒体、該記録媒体に近接して配置されたプローブ電極及
び記録用パルス電圧印加回路を備えたことを特徴とする
記録装置である。
の深さが、表面を走査するプローブ電極によりトラック
溝底部からのトンネル電流を検出できる深さである記録
媒体、該記録媒体に近接して配置されたプローブ電極及
び記録用パルス電圧印加回路を備えたことを特徴とする
記録装置である。
第４に、表面に凹状のトラック溝を有し、該トラック溝
の深さが、表面を走査するプローブ電極によりトラック
溝底部からのトンネル電流を検出できる深さである記録
媒体、該記録媒体に近接して配置されたプローブ電極、
記録用パルス電圧印加回路及び再生用バイアス電圧印加
回路を有することを特徴とする記録再生装置である。
の深さが、表面を走査するプローブ電極によりトラック
溝底部からのトンネル電流を検出できる深さである記録
媒体、該記録媒体に近接して配置されたプローブ電極、
記録用パルス電圧印加回路及び再生用バイアス電圧印加
回路を有することを特徴とする記録再生装置である。
第５に、表面に凹状のトラック溝を有し、該トラック溝
の深さが、表面を走査するプローブ電極によりトラック
溝底部からのトンネル電流を検出できる深さである記録
媒体、該記録媒体に近接して配置されたプローブ電極、
記録／消去用パルス電圧印加回路及び再生用バイアス電
圧印加回路を有することを特徴とする記録再生装置であ
る。
の深さが、表面を走査するプローブ電極によりトラック
溝底部からのトンネル電流を検出できる深さである記録
媒体、該記録媒体に近接して配置されたプローブ電極、
記録／消去用パルス電圧印加回路及び再生用バイアス電
圧印加回路を有することを特徴とする記録再生装置であ
る。
第６に、表面に凹状のトラック溝を有し、該トラック溝
の深さが、表面を走査するプローブ電極によりトラック
溝底部からのトンネル電流を検出できる深さであり、且
つ情報が記録された記録媒体、該記録媒体に近接して配
置されたプローブ電極及び再生用バイアス電圧印加回路
を備えたことを特徴とする再生装置である。
の深さが、表面を走査するプローブ電極によりトラック
溝底部からのトンネル電流を検出できる深さであり、且
つ情報が記録された記録媒体、該記録媒体に近接して配
置されたプローブ電極及び再生用バイアス電圧印加回路
を備えたことを特徴とする再生装置である。
第７に、表面に凹状のトラック溝を有する電極基板に記
録層を設けてなり、記録面における該トラック溝の深さ
が、表面を走査するプローブ電極によりトラック溝底部
からのトンネル電流を検出できる深さである記録媒体に
対して、プローブ電極を近接させ、プローブ電極と電極
基板との間にバイアス電圧を印加して配録面とトラック
部をトンネル電流により識別し、プローブ電極と電極基
板との間にパルス電圧を印加して記録面に記録を行うこ
とを特徴とする記録方法である。
録層を設けてなり、記録面における該トラック溝の深さ
が、表面を走査するプローブ電極によりトラック溝底部
からのトンネル電流を検出できる深さである記録媒体に
対して、プローブ電極を近接させ、プローブ電極と電極
基板との間にバイアス電圧を印加して配録面とトラック
部をトンネル電流により識別し、プローブ電極と電極基
板との間にパルス電圧を印加して記録面に記録を行うこ
とを特徴とする記録方法である。
第８に、表面に凹状のトラック溝を有する電極基板に記
録層を設けてなり、記録面における該トラック溝の深さ
が、表面を走査するプローブ電極によりトラック溝底部
からのトンネル電流を検出できる深さである記録媒体に
対して、プローブ電極を近接させ、プローブ電極と電極
基板との間にバイアス電圧を印加して記録面とトラック
部をトンネル電流により識別し、プローブ電極と電極基
板との間にパルス電圧を印加して記録面に記録を行い、
プローブ電極と電極基板との間にバイアス電圧を印加し
て記録を再生することを特徴とする記録再生方法である
。
録層を設けてなり、記録面における該トラック溝の深さ
が、表面を走査するプローブ電極によりトラック溝底部
からのトンネル電流を検出できる深さである記録媒体に
対して、プローブ電極を近接させ、プローブ電極と電極
基板との間にバイアス電圧を印加して記録面とトラック
部をトンネル電流により識別し、プローブ電極と電極基
板との間にパルス電圧を印加して記録面に記録を行い、
プローブ電極と電極基板との間にバイアス電圧を印加し
て記録を再生することを特徴とする記録再生方法である
。
第９に、表面に凹状のトラック溝を有する電極基板に記
録層を設けてなり、記録面における該トラック溝の深さ
が、表面を走査するプローブ電極によりトラック溝底部
からのトンネル電流を検出できる深さである記録媒体に
対して、プローブ電極を近接させ、プローブ電極と電極
基板との間にバイアス電圧を印加して記録面とトラック
部をトンネル電流により識別し、プローブ電極と電極基
板との間にパルス電圧を印加して記録面に記録を行い、
プローブ電極と電極基板との間にバイアス電圧を印加し
て記録の再生を行い、プローブ電極と電極基板との間に
パルス電圧を印加して配録の消去を行うことを特徴とす
る記録再生方法である。
録層を設けてなり、記録面における該トラック溝の深さ
が、表面を走査するプローブ電極によりトラック溝底部
からのトンネル電流を検出できる深さである記録媒体に
対して、プローブ電極を近接させ、プローブ電極と電極
基板との間にバイアス電圧を印加して記録面とトラック
部をトンネル電流により識別し、プローブ電極と電極基
板との間にパルス電圧を印加して記録面に記録を行い、
プローブ電極と電極基板との間にバイアス電圧を印加し
て記録の再生を行い、プローブ電極と電極基板との間に
パルス電圧を印加して配録の消去を行うことを特徴とす
る記録再生方法である。
第１０に、凹凸が１ｎｍ以下である表面を１μｍ以上有
する基板上に有機薄膜を形成する工程、該薄膜に電子線
を照射し、その後現像することにより該薄膜のパターン
を形成する工程、該パターンを有する基板上に導電性材
料からなる電極層を形成する工程、該基板と電極層を分
離する工程を経て表面に凹状のトラック溝を有する電極
基板を得ることを特徴とする電極基板の製造方法である
。
する基板上に有機薄膜を形成する工程、該薄膜に電子線
を照射し、その後現像することにより該薄膜のパターン
を形成する工程、該パターンを有する基板上に導電性材
料からなる電極層を形成する工程、該基板と電極層を分
離する工程を経て表面に凹状のトラック溝を有する電極
基板を得ることを特徴とする電極基板の製造方法である
。
第１１に、凹凸が１ｎｍ以下である表面を１μｍ以上有
する基板上に有機薄膜を形成する工程、該薄膜に電子線
を照射し、その後現像することにより該薄膜のパターン
を形成する工程、該パターンを有する基板上に導電性材
料からなる電極層を形成する工程、該基板と電極層を分
離する工程及び該基板に面していた電極層の表面に記録
層を形成する工程を経て表面に凹状のトラック溝を有す
る記録媒体を得ることを特徴とする記録媒体の製造方法
である。
する基板上に有機薄膜を形成する工程、該薄膜に電子線
を照射し、その後現像することにより該薄膜のパターン
を形成する工程、該パターンを有する基板上に導電性材
料からなる電極層を形成する工程、該基板と電極層を分
離する工程及び該基板に面していた電極層の表面に記録
層を形成する工程を経て表面に凹状のトラック溝を有す
る記録媒体を得ることを特徴とする記録媒体の製造方法
である。
以下に、本発明の構成及び作用につき説明する。
第１図に本発明の一つである記録媒体を示す。
１０５はトラック、１０６はトラックを有する溝（トラ
ック溝）であり、１０２は金属電極及び記録層であり、
１０１は基板である。また１０４は記録位置に相当する
記録面である。
ック溝）であり、１０２は金属電極及び記録層であり、
１０１は基板である。また１０４は記録位置に相当する
記録面である。
ここで、本発明の特徴であるトラック溝１０６はできる
だけ浅い方がよく、好ましい深さは導電性材料層の表面
からトンネル電流を検出することが可能な領域である。
だけ浅い方がよく、好ましい深さは導電性材料層の表面
からトンネル電流を検出することが可能な領域である。
それは導電性材料の仕事関数、バイアス電圧等によって
若干具なり、最大でもその距離は数ｎｍ程度であるが、
その電流検出方法等の観点より好ましい距離は２０Å以
下である。
若干具なり、最大でもその距離は数ｎｍ程度であるが、
その電流検出方法等の観点より好ましい距離は２０Å以
下である。
次に、本発明に係る別の記録媒体を第３図に示す。本発
明においては、上述第１図に示す記録媒体に比べ、金属
電極１０２′と記録層１０３とを別体としたものである
。かかる構成の特徴とする点は、記録層１０３としては
導電性材料に限らず、層状の有機薄膜等を用いることが
できることにある。この場合、薄膜の厚さとしては４人
〜２０人以内（印加電圧０．１〜ＩＯＶのとき）であれ
ば両電極間にトンネル電流を得ることができる。
明においては、上述第１図に示す記録媒体に比べ、金属
電極１０２′と記録層１０３とを別体としたものである
。かかる構成の特徴とする点は、記録層１０３としては
導電性材料に限らず、層状の有機薄膜等を用いることが
できることにある。この場合、薄膜の厚さとしては４人
〜２０人以内（印加電圧０．１〜ＩＯＶのとき）であれ
ば両電極間にトンネル電流を得ることができる。
次に、上述の記録媒体を用いた記録再生装置について説
明する。第４図に示すのは、かかる装置の概略−構成図
である。
明する。第４図に示すのは、かかる装置の概略−構成図
である。
ここでは、基板１０１上に金属電極層１０２′さらにそ
の上に記録層１０３を設けたタイプの記録媒体を具備し
た構成とした。２０１はＸＹステージ、２０２はプロー
ブ電極、２０３はプローブ電極の支持体、２０４はプロ
ーブ電極をＺ方向に駆動するリニアアクチュエータ、２
０５．２０６はＸＹステージをそれぞれＸ、Ｙ方向に駆
動するリニアアクチュエータ、２０７はパルス電圧回路
である。３０１はプローブ電極から記録層１０３を介し
て電極層１０２′へ流れる電流を検出する増幅器である
。３０２は電流の変化をプローブ電極と記録層の間隙距
離に比例する値に変換するための対数圧縮器、３０３は
記録層の表面凹凸成分を抽出するための低域通過フィル
ターである。３０４は基準電圧■１１と低域通過フィル
ター３０３との出力との誤差を検出する誤差増幅器、３
０５はアクチュエータ２０４を駆動するドライバーであ
る。３０６はＸＹステージの位Ｉ制御を行う駆動回路、
３０７はデータ成分を分離する高域通過フィルターであ
る。
の上に記録層１０３を設けたタイプの記録媒体を具備し
た構成とした。２０１はＸＹステージ、２０２はプロー
ブ電極、２０３はプローブ電極の支持体、２０４はプロ
ーブ電極をＺ方向に駆動するリニアアクチュエータ、２
０５．２０６はＸＹステージをそれぞれＸ、Ｙ方向に駆
動するリニアアクチュエータ、２０７はパルス電圧回路
である。３０１はプローブ電極から記録層１０３を介し
て電極層１０２′へ流れる電流を検出する増幅器である
。３０２は電流の変化をプローブ電極と記録層の間隙距
離に比例する値に変換するための対数圧縮器、３０３は
記録層の表面凹凸成分を抽出するための低域通過フィル
ターである。３０４は基準電圧■１１と低域通過フィル
ター３０３との出力との誤差を検出する誤差増幅器、３
０５はアクチュエータ２０４を駆動するドライバーであ
る。３０６はＸＹステージの位Ｉ制御を行う駆動回路、
３０７はデータ成分を分離する高域通過フィルターであ
る。
尚、言うまでもな（上述他の記録媒体を具備した構成と
することも可能である。さらに、ここでは記録再生消去
装置について示したが、記録装置、再生装置等としても
構成することができる。
することも可能である。さらに、ここでは記録再生消去
装置について示したが、記録装置、再生装置等としても
構成することができる。
次に、本発明に係る記録媒体の製造方法を示す。先ず、
第５図（ｂ）に示すように溶融石英、マイカ基板等の平
滑性の極めて良好な基板１０７上に電子線等のエネルギ
ー線に感度を有する両親媒性の有機材料をラングミュア
−プロジェット法（ＬＢ法）により薄膜１０８を形成さ
せる。ＬＢ法で形成された膜はＬＢ膜と呼ばれる。次に
（Ｃ）に示すようにエネルギー線をパターン状に照射後
、現像等を行いパターニングを行う。次に（ｄ）に示す
ように通常の真空蒸着法、スパッタ法、エピタキシャル
成長法により金属電極層１０２をパターニングされた基
板上に形成する。
第５図（ｂ）に示すように溶融石英、マイカ基板等の平
滑性の極めて良好な基板１０７上に電子線等のエネルギ
ー線に感度を有する両親媒性の有機材料をラングミュア
−プロジェット法（ＬＢ法）により薄膜１０８を形成さ
せる。ＬＢ法で形成された膜はＬＢ膜と呼ばれる。次に
（Ｃ）に示すようにエネルギー線をパターン状に照射後
、現像等を行いパターニングを行う。次に（ｄ）に示す
ように通常の真空蒸着法、スパッタ法、エピタキシャル
成長法により金属電極層１０２をパターニングされた基
板上に形成する。
次に（ｅ）に示すように剥離を行う基板（電極を形成す
る基板１０１）にポリイミド系接着剤、エポキシ系接着
剤、シアノアクリレート系接着剤等の接着剤を塗布し、
その後電極表面に密着させる。次に、（ｆ）に示すよう
にこれを引きはがし金属電極を平滑基板“から剥離する
ことによって電極基板（記録媒体）を得ることができる
。
る基板１０１）にポリイミド系接着剤、エポキシ系接着
剤、シアノアクリレート系接着剤等の接着剤を塗布し、
その後電極表面に密着させる。次に、（ｆ）に示すよう
にこれを引きはがし金属電極を平滑基板“から剥離する
ことによって電極基板（記録媒体）を得ることができる
。
次に、（ｇ）に示すようにこの電極基板を用い、記録層
を形成する。記録層に用いる有機材料及び形成方法は以
下に述べる。
を形成する。記録層に用いる有機材料及び形成方法は以
下に述べる。
有機薄膜材料としては、電流−電圧特性に於いてメモリ
ースイッチング現象（を気メモリー効果）を有する材料
、例えば、π電子準位をもつ群とσ電子準位のみを有す
る群を併有する分子を電極上に積層した有機単分子膜あ
るいはその累積膜を用いることが可能となる。電気メモ
リー効果は前記の有機単分子膜、その累積膜等の薄膜を
一対の電極間に配置させた状態でそれぞれ異なる２つ以
上の導電率を示す状態（第７図ＯＮ状態、ＯＦＦ状態）
へ遷移させることが可能なしきい値電圧を印加すること
により可逆的に低抵抗状態（ＯＮ状態）及び高抵抗状態
（ＯＦＦ状態）へ遷移（スイッチング）させることがで
きる、またそれぞれの状態は電圧を印加しなくとも、保
持（メモリー）しておくことができる。
ースイッチング現象（を気メモリー効果）を有する材料
、例えば、π電子準位をもつ群とσ電子準位のみを有す
る群を併有する分子を電極上に積層した有機単分子膜あ
るいはその累積膜を用いることが可能となる。電気メモ
リー効果は前記の有機単分子膜、その累積膜等の薄膜を
一対の電極間に配置させた状態でそれぞれ異なる２つ以
上の導電率を示す状態（第７図ＯＮ状態、ＯＦＦ状態）
へ遷移させることが可能なしきい値電圧を印加すること
により可逆的に低抵抗状態（ＯＮ状態）及び高抵抗状態
（ＯＦＦ状態）へ遷移（スイッチング）させることがで
きる、またそれぞれの状態は電圧を印加しなくとも、保
持（メモリー）しておくことができる。
一般に有機材料のほとんどは絶縁性もしくは半絶縁性を
示すことから係る本発明に於て、適用可能なπ電子準位
を持つ群を有する有機材料は著しく多岐にわたる。本発
明に好適なπ電子系を有する色素の構造として例えば、
フタロシアニン、テトラフェニルポルフィリン等のポル
フィリン骨格を有する色素、スクアリリウム基及びクロ
コニックメチン基を結合鎖として持つアズレン系色素及
びキノリン、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール等
の２個の含窒素複素環をスクアリリウム基及びクロコニ
ックメチン基により結合したシアニン系類似の色素、ま
たはシアニン色素、アントラセン及びピレン等の縮合多
環芳香族、及び芳香環及び複素環化合物が重合した鎖状
化合物及びジアセチレン基の重合体、さらにはテトラシ
アノキノジメタンまたはテトラチアフルバレンの誘導体
およびその類縁体およびその電荷移動錯体、またさらに
はフェロセン、トリスビピリジンルテニウム錯体等の金
属錯体化合物が挙げられる。
示すことから係る本発明に於て、適用可能なπ電子準位
を持つ群を有する有機材料は著しく多岐にわたる。本発
明に好適なπ電子系を有する色素の構造として例えば、
フタロシアニン、テトラフェニルポルフィリン等のポル
フィリン骨格を有する色素、スクアリリウム基及びクロ
コニックメチン基を結合鎖として持つアズレン系色素及
びキノリン、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール等
の２個の含窒素複素環をスクアリリウム基及びクロコニ
ックメチン基により結合したシアニン系類似の色素、ま
たはシアニン色素、アントラセン及びピレン等の縮合多
環芳香族、及び芳香環及び複素環化合物が重合した鎖状
化合物及びジアセチレン基の重合体、さらにはテトラシ
アノキノジメタンまたはテトラチアフルバレンの誘導体
およびその類縁体およびその電荷移動錯体、またさらに
はフェロセン、トリスビピリジンルテニウム錯体等の金
属錯体化合物が挙げられる。
本発明に好適な高分子材料としては、例えばポリアクリ
ル酸誘導体等の付加重合体、ポリイミド等の縮合重合体
、ナイロン等の開環重合体等の生体高分子が挙げられる
。
ル酸誘導体等の付加重合体、ポリイミド等の縮合重合体
、ナイロン等の開環重合体等の生体高分子が挙げられる
。
有機記録層の形成に関しては、具体的には蒸着法やクラ
スターイオンビーム法等の適用も可能であるが、制御性
、容易性そして再現性から公知の従来技術の中ではＬＢ
法が極めて好適である。
スターイオンビーム法等の適用も可能であるが、制御性
、容易性そして再現性から公知の従来技術の中ではＬＢ
法が極めて好適である。
このＬＢ法によれば、１分子中に疎水性部位と親水性部
位とを有する有機化合物の単分子膜またはその累積膜を
基板上に容易に形成することができ、分子オーダーの厚
みを有し、かつ大面積にわたって均一、均質な有機超薄
膜を安定に供給することができる。
位とを有する有機化合物の単分子膜またはその累積膜を
基板上に容易に形成することができ、分子オーダーの厚
みを有し、かつ大面積にわたって均一、均質な有機超薄
膜を安定に供給することができる。
ＬＢ法は分子内に親水性部位と疎水性部位とを有する構
造の分子において、両者のバランス（両親媒性のバラン
ス）が適度に保たれているとき、分子は水面上で親水性
基を下に向けて単分子の層になることを利用して単分子
膜またはその累積膜を形成する方法である。
造の分子において、両者のバランス（両親媒性のバラン
ス）が適度に保たれているとき、分子は水面上で親水性
基を下に向けて単分子の層になることを利用して単分子
膜またはその累積膜を形成する方法である。
疎水性部位を構成する基としては、一般に広く知られて
いる飽和及び不飽和炭化水素基や縮合多環芳香族基及び
鎖状多環フェニル基等の各種疎水基が挙げられる。これ
らは各々単独又はその複数が組み合わされて疎水性部位
を構成する。一方、親水性部位の構成要素として最も代
表的なものは、例えばカルボキシル基、エステル基、酸
アミド基、イミド基、ヒドロキシル基、更にはアミノ基
（１，２，３級及び４級）等の親水性基等が挙げられる
。
いる飽和及び不飽和炭化水素基や縮合多環芳香族基及び
鎖状多環フェニル基等の各種疎水基が挙げられる。これ
らは各々単独又はその複数が組み合わされて疎水性部位
を構成する。一方、親水性部位の構成要素として最も代
表的なものは、例えばカルボキシル基、エステル基、酸
アミド基、イミド基、ヒドロキシル基、更にはアミノ基
（１，２，３級及び４級）等の親水性基等が挙げられる
。
これらも各々単独又はその複数が組み合わされて上記分
子の親水性部分を構成する。
子の親水性部分を構成する。
これらの疎水性基と親水性基をバランス良く併有した有
機分子であれば、水面上で単分子膜を形成することが可
能であり、本発明に対して極めて好適な材料となる。
機分子であれば、水面上で単分子膜を形成することが可
能であり、本発明に対して極めて好適な材料となる。
一方、平滑な面を有する電極はこの過程で平滑な基板上
に蒸着させた電極を剥離し、他の基板上の移しとること
によって作成することができる。
に蒸着させた電極を剥離し、他の基板上の移しとること
によって作成することができる。
この電極表面は平滑な基板の表面を反映したものであり
、得られる電極基板の表面も平滑な基板表面と同等なも
のを得ることができる。
、得られる電極基板の表面も平滑な基板表面と同等なも
のを得ることができる。
以上のような製造方法により、電極層に従来に比べて浅
いトラック溝を形成することができ、最終的にかかる溝
底部からのトンネル電流を検出できることが可能となる
。
いトラック溝を形成することができ、最終的にかかる溝
底部からのトンネル電流を検出できることが可能となる
。
［実施例］
以下、本発明の詳細な説明する。
罠五■］
本実施例では、第１図に示すタイプの記録媒体を作製し
た。先ず、ポリイソブチルメタクリレート（Ｐ ｒ Ｂ
Ｍ）を溶融石英基板上にラングミュア−プロジェット法
（ＬＢ法）により１層堆積させた。１層の厚さは約１０
人であった。
た。先ず、ポリイソブチルメタクリレート（Ｐ ｒ Ｂ
Ｍ）を溶融石英基板上にラングミュア−プロジェット法
（ＬＢ法）により１層堆積させた。１層の厚さは約１０
人であった。
以下にＰＩＢＭの単分子膜の作成方法について述べる。
ＰＩＢＭをクロロホルムに溶解させ、濃度１ ｇ／１２
に調製した。この溶液を水温２０℃、純水からなる水相
上に展開し、水面上に単分子膜を形成した。表面圧を１
２ｍＮ／ｍまで高め、予め水相中に浸漬させていた洗浄
した溶融石英基板を速度５ｍｍ／ｍｉｎで引き上げを行
いＰＩＢＭ単分子膜を形成した。
に調製した。この溶液を水温２０℃、純水からなる水相
上に展開し、水面上に単分子膜を形成した。表面圧を１
２ｍＮ／ｍまで高め、予め水相中に浸漬させていた洗浄
した溶融石英基板を速度５ｍｍ／ｍｉｎで引き上げを行
いＰＩＢＭ単分子膜を形成した。
この薄膜にＥＢ露光装置（エリオニクス社製ＥＬＳ−３
３００）によ’ｌ加速電圧３０ｋＶ、Ｄｏｅｓ量１００
μＣ／ｃｍ”で描画を行った。
３００）によ’ｌ加速電圧３０ｋＶ、Ｄｏｅｓ量１００
μＣ／ｃｍ”で描画を行った。
イソプロピルアルコール／水（８５／１５）で現像を行
った。続いて真空蒸着法によりＡｕを２５人／ ｓ ｅ
ｃの蒸着速度で厚さ１５００人の膜を形成させた。こ
の後、ガラス基板（Ｃｏｒｎｉｎｇ＃７０５９）に接着
剤（コニシボノドハイテンブＨＴ−１０）を微量塗布し
Ａｕを蒸着させた基板のＡｕ表面に密着させた。密着圧
を約０．５ｋｇ／ ｃ ｍ ”に保ち、１２０℃に加温
しながら２日間放置した。双方の基板を引き剥したとこ
ろ、溶融石英基板及びパターニングされたＰＩＢＭ単分
子膜の表面状態を保ったままパターニングされたトラッ
クを有する記録媒体を得ることができた。
った。続いて真空蒸着法によりＡｕを２５人／ ｓ ｅ
ｃの蒸着速度で厚さ１５００人の膜を形成させた。こ
の後、ガラス基板（Ｃｏｒｎｉｎｇ＃７０５９）に接着
剤（コニシボノドハイテンブＨＴ−１０）を微量塗布し
Ａｕを蒸着させた基板のＡｕ表面に密着させた。密着圧
を約０．５ｋｇ／ ｃ ｍ ”に保ち、１２０℃に加温
しながら２日間放置した。双方の基板を引き剥したとこ
ろ、溶融石英基板及びパターニングされたＰＩＢＭ単分
子膜の表面状態を保ったままパターニングされたトラッ
クを有する記録媒体を得ることができた。
観察はＳＴＭを用いることによって行った。トラックは
設定通りの幅を有していた。トラック溝深さは約８人で
あった。これをプローブのＺ軸方向のフィードバック制
御を穏やかにし、検知された電流値の変化に対し、プロ
ーブの２軸度位量を小さくした状態でＳＴＭを用いて記
録再生時と同様にプローブを走査したところ、トラック
溝の位置にプローブがきてもプローブで電流を検知する
ことができた。
設定通りの幅を有していた。トラック溝深さは約８人で
あった。これをプローブのＺ軸方向のフィードバック制
御を穏やかにし、検知された電流値の変化に対し、プロ
ーブの２軸度位量を小さくした状態でＳＴＭを用いて記
録再生時と同様にプローブを走査したところ、トラック
溝の位置にプローブがきてもプローブで電流を検知する
ことができた。
叉」１吐１
本実施例では、第１図に示すタイプの記録媒体を作製し
た。先ず、ポリイソブチルメタクリレ−１−（ＰＩＢＭ
）を溶融石英基板上にラングミュア−プロジェット法（
ＬＢ法）により２層堆積させた。１層の厚さは約１０人
であった。
た。先ず、ポリイソブチルメタクリレ−１−（ＰＩＢＭ
）を溶融石英基板上にラングミュア−プロジェット法（
ＬＢ法）により２層堆積させた。１層の厚さは約１０人
であった。
以下にＰＩＢＭの単分子膜の作成方法について述べる。
ＰＩＢＭをクロロホルムに溶解させ、濃度１ｇ／βに調
製した。この溶液を水温２０℃、純水からなる水相上に
展開し、水面上に単分子膜を形成した。表面圧を１２ｍ
Ｎ／ｍまで高め、予め水相中に浸漬させていた洗浄した
溶融石英基板を速度５ｍｍ／ｍｉｎで引き上げを行いＰ
ＩＢＭ単分子累積膜を形成した。
製した。この溶液を水温２０℃、純水からなる水相上に
展開し、水面上に単分子膜を形成した。表面圧を１２ｍ
Ｎ／ｍまで高め、予め水相中に浸漬させていた洗浄した
溶融石英基板を速度５ｍｍ／ｍｉｎで引き上げを行いＰ
ＩＢＭ単分子累積膜を形成した。
この薄膜にＥＢ露光装置（エリオニクス社製ＥＬＳ−３
３００）により加速電圧３０ｋＶ、Ｄｏｓｅ量１００ｕ
Ｃ／ｃｍ”で描画を行った。
３００）により加速電圧３０ｋＶ、Ｄｏｓｅ量１００ｕ
Ｃ／ｃｍ”で描画を行った。
イソプロピルアルコール／水（８５／１５）で現像を行
った。続いて真空蒸着法によりＡｕを２５人／ ｓ ｅ
ｃの蒸着速度で厚さ１５００人の膜を形成させた。こ
の後、ガラス基板（Ｃｏｒｎｉｎｇ＃７０５９）に接着
剤（コニシボノドハイテンブＨＴ−１０）を微量塗布し
Ａｕを蒸着させた基板のＡｕ表面に密着させた。密着圧
を約０．５ｋｇ／ ｃ ｍ ”に保ち、１２０℃に加温
しながら２日間放置した。双方の基板を引き剥したとこ
ろ、溶融石英基板及びバターニングされたＰＩＢＭ単分
子膜の表面状態を保ったままバターニングされたトラッ
クを有する記録媒体を得ることができた。
った。続いて真空蒸着法によりＡｕを２５人／ ｓ ｅ
ｃの蒸着速度で厚さ１５００人の膜を形成させた。こ
の後、ガラス基板（Ｃｏｒｎｉｎｇ＃７０５９）に接着
剤（コニシボノドハイテンブＨＴ−１０）を微量塗布し
Ａｕを蒸着させた基板のＡｕ表面に密着させた。密着圧
を約０．５ｋｇ／ ｃ ｍ ”に保ち、１２０℃に加温
しながら２日間放置した。双方の基板を引き剥したとこ
ろ、溶融石英基板及びバターニングされたＰＩＢＭ単分
子膜の表面状態を保ったままバターニングされたトラッ
クを有する記録媒体を得ることができた。
観察はＳＴＭを用いることによって行った。トラックは
設定通りの幅を有していた。トラック溝深さは約１８人
であった。これをプローブの２軸方向のフィードバック
制御を穏やかにし、検知された電流値の変化に対し、プ
ローブの２軸度位量を小さ（した状態でＳＴＭを用いて
記録再生時と同様にプローブを走査したところ、トラッ
ク溝の位置にプローブがきてもプローブで電流を検知す
ることができた。
設定通りの幅を有していた。トラック溝深さは約１８人
であった。これをプローブの２軸方向のフィードバック
制御を穏やかにし、検知された電流値の変化に対し、プ
ローブの２軸度位量を小さ（した状態でＳＴＭを用いて
記録再生時と同様にプローブを走査したところ、トラッ
ク溝の位置にプローブがきてもプローブで電流を検知す
ることができた。
叉」１舛］−
本実施例では、第１図に示すタイプの記録媒体を作製し
た。先ず、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル及び
無水ピロメリット酸を重合して得られるポリアミック酸
（ＰＡＡＤ−ＤＤＥ／ＰＡＡ）を用い、溶融石英基板上
にラングミュア−ブロジェット法により２層の単分子累
積膜を形成させた。１層の厚さは約１５人であった。
た。先ず、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル及び
無水ピロメリット酸を重合して得られるポリアミック酸
（ＰＡＡＤ−ＤＤＥ／ＰＡＡ）を用い、溶融石英基板上
にラングミュア−ブロジェット法により２層の単分子累
積膜を形成させた。１層の厚さは約１５人であった。
以下にＰＡＡＤ−ＤＤＥ／ＰＡＡの単分子膜の作成方法
について述べる。ＰＡＡＤ−ＤＤＥ／ＦＡＡのジメチル
アセトアミド（ＤＭＡＣ）溶液（単量体換算濃度１×１
０−３ｍｏｉ／ρ）にＰＡＡＤ−ＤＤＥ／ＦＡＡの繰り
返し単位１当量に対して２の割合でＮ、Ｎ−ジメチルヘ
キサデシルアミン（ＤＨＤＡ）を加え、ＰＡＡＤ−ＤＤ
Ｅ／ＰＡＡ／ＤＨＤＡ溶液を調製した。この溶液を水温
２０℃、純水からなる水相上に展開し、水面上に単分子
膜を形成した。
について述べる。ＰＡＡＤ−ＤＤＥ／ＦＡＡのジメチル
アセトアミド（ＤＭＡＣ）溶液（単量体換算濃度１×１
０−３ｍｏｉ／ρ）にＰＡＡＤ−ＤＤＥ／ＦＡＡの繰り
返し単位１当量に対して２の割合でＮ、Ｎ−ジメチルヘ
キサデシルアミン（ＤＨＤＡ）を加え、ＰＡＡＤ−ＤＤ
Ｅ／ＰＡＡ／ＤＨＤＡ溶液を調製した。この溶液を水温
２０℃、純水からなる水相上に展開し、水面上に単分子
膜を形成した。
この薄膜にＥＢ露光装置（エリオニクス社製ＥＬＳ−３
３００）により加速電圧３０ｋＶ、Ｄｏｓｅ量６０ μ
Ｃ／ ｃ ｍ ”で描画を行った。
３００）により加速電圧３０ｋＶ、Ｄｏｓｅ量６０ μ
Ｃ／ ｃ ｍ ”で描画を行った。
ＤＭＡＣで現像を行い、１５０℃で２時間焼成しポリア
ミック酸をイミド化しポリイミド（Ｐ Ｉ −ＤＤＥ／
ＦＡＡ）にした。このとき得られたポリイミドの厚さは
１層あたり約５人であった。
ミック酸をイミド化しポリイミド（Ｐ Ｉ −ＤＤＥ／
ＦＡＡ）にした。このとき得られたポリイミドの厚さは
１層あたり約５人であった。
続いて真空蒸着法によりＡｕを２５人／ｓｅｃの蒸着速
度で厚さ１５００人の膜を形成させた。この後、ガラス
基板（Ｃｏｒｎｉｎｇ＃７０５９）に接着剤（コニシボ
ノドハイテンブＨＴ−１０）を微量塗布しＡｕを蒸着さ
せた基板のＡｕ表面に密着させた。密着圧を約０．５ｋ
ｇ／ ｃ ｍ ”に保ち、１２０℃に加温しながら２日
間放置した。双方の基板を引き剥したところ、溶融石英
基板及びバターニングされたポリイミドＬＢ膜の表面状
態を保ったままバターニングされたトラックを有する記
録媒体を得ることができた。
度で厚さ１５００人の膜を形成させた。この後、ガラス
基板（Ｃｏｒｎｉｎｇ＃７０５９）に接着剤（コニシボ
ノドハイテンブＨＴ−１０）を微量塗布しＡｕを蒸着さ
せた基板のＡｕ表面に密着させた。密着圧を約０．５ｋ
ｇ／ ｃ ｍ ”に保ち、１２０℃に加温しながら２日
間放置した。双方の基板を引き剥したところ、溶融石英
基板及びバターニングされたポリイミドＬＢ膜の表面状
態を保ったままバターニングされたトラックを有する記
録媒体を得ることができた。
観察はＳＴＭを用いることによって行った。トラックは
設定通りの幅を有していた。トラック溝深さは約８人で
あった。これをプローブのＺ軸方向のフィードバック制
御を穏やかにし、検知された電流値の変化に対し、プロ
ーブの２軸度位量を小さくした状態でＳＴＭを用いて記
録再生時と同様にプローブを走査したところ、トラック
溝の位置にプローブがきてもプローブで電流を検知する
ことができた。
設定通りの幅を有していた。トラック溝深さは約８人で
あった。これをプローブのＺ軸方向のフィードバック制
御を穏やかにし、検知された電流値の変化に対し、プロ
ーブの２軸度位量を小さくした状態でＳＴＭを用いて記
録再生時と同様にプローブを走査したところ、トラック
溝の位置にプローブがきてもプローブで電流を検知する
ことができた。
塞」１舛」−
本実施例では、第１図に示すタイプの記録媒体を作製し
た。先ず、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル及び
無水ピロメリット酸を重合して得られるポリアミック酸
（ＰＡＡＤ−ＤＤＥ／ＰＡＡ）を用い、溶融石英基板上
にラングミュア−プロジェット法により２層の単分子累
積膜を形成させた。１層の厚さは約１５人であった。
た。先ず、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル及び
無水ピロメリット酸を重合して得られるポリアミック酸
（ＰＡＡＤ−ＤＤＥ／ＰＡＡ）を用い、溶融石英基板上
にラングミュア−プロジェット法により２層の単分子累
積膜を形成させた。１層の厚さは約１５人であった。
以下にＰＡＡＤ−ＤＤＥ／ＦＡＡの単分子膜の作成方法
について述べる。ＰＡＡＤ−ＤＤＥ／ＰＡＡのジメチル
アセトアミド（ＤＭＡＣ）溶液（単量体換算濃度１ ｘ
１０−３ｍｏ Ｑ／ Ｉ２）にＰＡＡＤ−ＤＤＥ／Ｐ
ＡＡの繰り返し単位１当量に対して２の割合でＮ、Ｎ−
ジメチルヘキサデシルアミン（ＤＨＤＡ）を加え、ＰＡ
ＡＤ−ＤＤＥ／ＰＡＡ／ＤＨＤＡ溶液を調製した。この
溶液を水温２０℃、純水からなる水相上に展開し、水面
上に単分子累積膜を形成した。
について述べる。ＰＡＡＤ−ＤＤＥ／ＰＡＡのジメチル
アセトアミド（ＤＭＡＣ）溶液（単量体換算濃度１ ｘ
１０−３ｍｏ Ｑ／ Ｉ２）にＰＡＡＤ−ＤＤＥ／Ｐ
ＡＡの繰り返し単位１当量に対して２の割合でＮ、Ｎ−
ジメチルヘキサデシルアミン（ＤＨＤＡ）を加え、ＰＡ
ＡＤ−ＤＤＥ／ＰＡＡ／ＤＨＤＡ溶液を調製した。この
溶液を水温２０℃、純水からなる水相上に展開し、水面
上に単分子累積膜を形成した。
表面圧を２５ｍＮ／ｍまで高め、予め水相上に浸漬させ
ていた洗浄した溶融石英基板を速度５ｍｍ／ｍｉｎで浸
漬、引き上げを行いＰＡＡＤ−ＤＤＥ／ＦＡＡ単分子累
積膜を作成した。
ていた洗浄した溶融石英基板を速度５ｍｍ／ｍｉｎで浸
漬、引き上げを行いＰＡＡＤ−ＤＤＥ／ＦＡＡ単分子累
積膜を作成した。
この薄膜にＥＢ露光装置（エリオニクス社製ＥＬＳ−３
３００）４ｍより加速電圧３０ｋＶ、Ｄｏｓｅ量６０μ
Ｃ／ ｃ ｍ ”で描画を行った。電子線で露光した部
分はイミド化が進行し、ポリイミド（Ｐ Ｉ−ＤＤＥ／
ＦＡＡ）になった。このとき得られたポリイミドの厚さ
は１層あたり約５人であった。段差を有する有機単分子
膜を得ることができた。
３００）４ｍより加速電圧３０ｋＶ、Ｄｏｓｅ量６０μ
Ｃ／ ｃ ｍ ”で描画を行った。電子線で露光した部
分はイミド化が進行し、ポリイミド（Ｐ Ｉ−ＤＤＥ／
ＦＡＡ）になった。このとき得られたポリイミドの厚さ
は１層あたり約５人であった。段差を有する有機単分子
膜を得ることができた。
続いて真空蒸着法によりＡｕを２５人／ｓｅｃの蒸着速
度で厚さ１５００人の膜を形成させた。この後、ガラス
基板（Ｃｏｒｎｉｎｇ＃７０５９）に接着剤（コニシボ
ノドハイテンブＨＴ−１０）を微量塗布しＡｕを蒸着さ
せた基板のＡｕ表面に密着させた。密着圧を約０．５ｋ
ｇ／ ｃ ｍ ”に保ち、１２０℃に加温しながら２巳
間放置した。双方の基板を引き剥したところ、溶融石英
基板及びバターニングされたポリイミドＬＢ膜の表面状
態を保ったままパターニングされたトラックを有する記
録媒体を得ることができた。
度で厚さ１５００人の膜を形成させた。この後、ガラス
基板（Ｃｏｒｎｉｎｇ＃７０５９）に接着剤（コニシボ
ノドハイテンブＨＴ−１０）を微量塗布しＡｕを蒸着さ
せた基板のＡｕ表面に密着させた。密着圧を約０．５ｋ
ｇ／ ｃ ｍ ”に保ち、１２０℃に加温しながら２巳
間放置した。双方の基板を引き剥したところ、溶融石英
基板及びバターニングされたポリイミドＬＢ膜の表面状
態を保ったままパターニングされたトラックを有する記
録媒体を得ることができた。
観察はＳＴＭを用いることによって行った。トラックは
設定通りの幅を有していた。トラック溝深さは約１０人
であった。これをプローブの２軸方向のフィードバック
制御を穏やかにし、検知された電流値の変化に対し、プ
ローブのＺ軸変位量を小さ（した状態でＳＴＭを用いて
記録再生時と同様にプローブを走査したところ、トラッ
ク溝の位置にプローブがきてもプローブで電流を検知す
ることができた。
設定通りの幅を有していた。トラック溝深さは約１０人
であった。これをプローブの２軸方向のフィードバック
制御を穏やかにし、検知された電流値の変化に対し、プ
ローブのＺ軸変位量を小さ（した状態でＳＴＭを用いて
記録再生時と同様にプローブを走査したところ、トラッ
ク溝の位置にプローブがきてもプローブで電流を検知す
ることができた。
夾１１硼互
実施例１中でのＡｕの蒸着速度を２５人／ｓｅｃから１
人／ ｓ ｅ ｃに変え、実施例１と同様に行った。そ
の結果、実施例１と同様の結果を得た。
人／ ｓ ｅ ｃに変え、実施例１と同様に行った。そ
の結果、実施例１と同様の結果を得た。
去ＪＬ［硼旦
実施例１中で接着剤をコニシボノドハイテンブＨＴ−１
０から１０時間硬化型２液混合エポキシ系接着剤（コニ
シボノドＥセット）に替え実施例１と同様に行った。そ
の結果、実施例１と同様の結果を得た。
０から１０時間硬化型２液混合エポキシ系接着剤（コニ
シボノドＥセット）に替え実施例１と同様に行った。そ
の結果、実施例１と同様の結果を得た。
見立１二
実施例１中で用いられた溶融石英基板の代わりにマイカ
を用い、実施例１と同様に行った。その結果、実施例１
と同様の結果を得た。
を用い、実施例１と同様に行った。その結果、実施例１
と同様の結果を得た。
支五■上
ポリイソブチルメタクリレート（ＰＩＢＭ）を溶融石英
基板上にラングミュア−プロジェット法（ＬＢ法）によ
り１層堆積させた。１層の厚さは約１０人であった。
基板上にラングミュア−プロジェット法（ＬＢ法）によ
り１層堆積させた。１層の厚さは約１０人であった。
以下にＰＩＢＭの単分子膜の作成方法について述べる。
ＰＩＢＭをクロロホルムに溶解させ、濃度１ｇ／βに調
製した。この溶液を水温２０℃、純水からなる水相上に
展開し、水面上に単分子膜を形成した。表面圧を１２ｍ
Ｎ／ｍまで高め、予め水相中に浸漬させていた洗浄した
溶融石英基板を速度５ｍｍ／ｍｉｎ、で引き上げを行い
ＰＩＢＭ単分子膜を作成した。
製した。この溶液を水温２０℃、純水からなる水相上に
展開し、水面上に単分子膜を形成した。表面圧を１２ｍ
Ｎ／ｍまで高め、予め水相中に浸漬させていた洗浄した
溶融石英基板を速度５ｍｍ／ｍｉｎ、で引き上げを行い
ＰＩＢＭ単分子膜を作成した。
この薄膜に紫外光露光装置（キャノン社製ＰＬＡ−５２
１ＦＡ）により波長２５０ｎｍの紫外光をパターンを介
して照射を行った。イソプロピルアルコール／水（８５
／１５）で現像を行った。続いて真空蒸着法によりＡｕ
を２５人／ｓｅｃの蒸着速度で厚さ１５００人の膜を形
成させた。この後、ガラス基板（Ｃｏｒｎｉｎｇ＃７０
５９）に接着剤（コニシボノドハイテンブＨＴ−１０）
を微量塗布しＡｕを蒸着させた基板のＡｕ表面に密着さ
せた。密着圧を約０．５ｋｇ／ｃｍ”に保ち、１２０℃
に加温しながら２日間放置した。双方の基板を引き剥し
たところ溶融石英基板及びバターニングされたＰＩＢＭ
単分子膜の表面状態を保ったままパターニングされたト
ラックを有する記録媒体を得ることができた。
１ＦＡ）により波長２５０ｎｍの紫外光をパターンを介
して照射を行った。イソプロピルアルコール／水（８５
／１５）で現像を行った。続いて真空蒸着法によりＡｕ
を２５人／ｓｅｃの蒸着速度で厚さ１５００人の膜を形
成させた。この後、ガラス基板（Ｃｏｒｎｉｎｇ＃７０
５９）に接着剤（コニシボノドハイテンブＨＴ−１０）
を微量塗布しＡｕを蒸着させた基板のＡｕ表面に密着さ
せた。密着圧を約０．５ｋｇ／ｃｍ”に保ち、１２０℃
に加温しながら２日間放置した。双方の基板を引き剥し
たところ溶融石英基板及びバターニングされたＰＩＢＭ
単分子膜の表面状態を保ったままパターニングされたト
ラックを有する記録媒体を得ることができた。
観察はＳＴＭを用いることによって行った。トラックは
設定通りの幅を有していた。トラック溝深さは約８人で
あった。これをプローブのＺ軸方向のフィードバック制
御を穏やかにし、検知された電流値の変化に対し、プロ
ーブのＺ軸変位量を小さくした状態でＳＴＭを用いて記
録再生時と同時にプローブを走査したところトラック溝
の位置にプローブがきてもプローブで電流を検知するこ
とができた。
設定通りの幅を有していた。トラック溝深さは約８人で
あった。これをプローブのＺ軸方向のフィードバック制
御を穏やかにし、検知された電流値の変化に対し、プロ
ーブのＺ軸変位量を小さくした状態でＳＴＭを用いて記
録再生時と同時にプローブを走査したところトラック溝
の位置にプローブがきてもプローブで電流を検知するこ
とができた。
叉ｌｂ引旦
ポリイソブチルメタクリレート（ＰＩＢＭ）を溶融石英
基板上にラングミュア−ブロジェット法（ＬＢ法）によ
り１層堆積させた。１層の厚さは約１０人であった。
基板上にラングミュア−ブロジェット法（ＬＢ法）によ
り１層堆積させた。１層の厚さは約１０人であった。
以下にＰＩＢＭの単分子膜の作成方法について述べる。
ＰＩＢＭをクロロホルムに溶解させ、濃度１ｇ／βに調
製した。この溶液を水温２０℃、純水からなる水相上に
展開し、水面上に単分子膜を形成した。表面圧を１２ｍ
Ｎ／ｍまで高め、予め水相中に浸漬させていた洗浄した
５ｉＯｚ（１μｍ厚）を有するＳＬ基板を速度５ｍｍ／
ｍｉｎ、で引き上げを行いＰＩＢＭ単分子膜を作成した
。
製した。この溶液を水温２０℃、純水からなる水相上に
展開し、水面上に単分子膜を形成した。表面圧を１２ｍ
Ｎ／ｍまで高め、予め水相中に浸漬させていた洗浄した
５ｉＯｚ（１μｍ厚）を有するＳＬ基板を速度５ｍｍ／
ｍｉｎ、で引き上げを行いＰＩＢＭ単分子膜を作成した
。
この薄膜にＥＢ露光装置（エリオニクス社製ＥＬＳ−３
３００）により加速電圧３０ｋＶ、Ｄｏｓｅ量１０μｃ
／ ｃ ｍ ”で描画を行った。イソプロピルアルコ
ール／水（８５／１５）で現像を行った。続いて真空蒸
着法によりＡｕを２５人／ ｓ ｅ ｃの蒸着速度で厚
さ１５００人の膜を形成させた。この後、ガラス基板（
Ｃｏｒｎｉｎｇ＃７０５９）に接着剤（コニシボノドハ
イテンブＨＴ−１０）を微量塗布しＡｕを蒸着させた基
板のＡｕ表面に密着させた。密着圧を約０．５ｋｇ／Ｃ
ｍ”に保ち、１２０℃に加温しながら２日間放置した。
３００）により加速電圧３０ｋＶ、Ｄｏｓｅ量１０μｃ
／ ｃ ｍ ”で描画を行った。イソプロピルアルコ
ール／水（８５／１５）で現像を行った。続いて真空蒸
着法によりＡｕを２５人／ ｓ ｅ ｃの蒸着速度で厚
さ１５００人の膜を形成させた。この後、ガラス基板（
Ｃｏｒｎｉｎｇ＃７０５９）に接着剤（コニシボノドハ
イテンブＨＴ−１０）を微量塗布しＡｕを蒸着させた基
板のＡｕ表面に密着させた。密着圧を約０．５ｋｇ／Ｃ
ｍ”に保ち、１２０℃に加温しながら２日間放置した。
双方の基板を引き剥したところ溶融石英基板及びパター
ニングされたＰＩＢＭ単分子膜の表面状態を保ったまま
パターニングされたトラックを有する記録媒体を得るこ
とができた。
ニングされたＰＩＢＭ単分子膜の表面状態を保ったまま
パターニングされたトラックを有する記録媒体を得るこ
とができた。
観察はＳＴＭを用いることによって行った。トラックは
設定通りの幅を有していた。トラック溝深さは約８人で
あった。これをプローブのＺ軸方向のフィードバック制
御を穏やかにし、検知された電流値の変化に対し、プロ
ーブの２軸度位量を小さくした状態でＳＴＭを用いて配
録再生時と同時にプローブを走査したところトラック溝
の位置にプローブがきてもプローブで電流を検知するこ
とができた。
設定通りの幅を有していた。トラック溝深さは約８人で
あった。これをプローブのＺ軸方向のフィードバック制
御を穏やかにし、検知された電流値の変化に対し、プロ
ーブの２軸度位量を小さくした状態でＳＴＭを用いて配
録再生時と同時にプローブを走査したところトラック溝
の位置にプローブがきてもプローブで電流を検知するこ
とができた。
夾五」虹辷旦
実施例１で得られた記録媒体を用い、記録再生の実験を
行った。
行った。
第４図に示す記録再生装置を用い、プローブ電極にタン
グステンを電解研磨したものを使用した。このプローブ
電極は記録層の表面との距離（Ｚ）を電流を一定に保つ
ように圧電素子により、その距離（Ｚ）が微動制御され
ている。更に微動制御機構は距離（Ｚ）を一定に保った
まま、面内（Ｘ、Ｙ）方向にも微動制御できるように設
計されている。
グステンを電解研磨したものを使用した。このプローブ
電極は記録層の表面との距離（Ｚ）を電流を一定に保つ
ように圧電素子により、その距離（Ｚ）が微動制御され
ている。更に微動制御機構は距離（Ｚ）を一定に保った
まま、面内（Ｘ、Ｙ）方向にも微動制御できるように設
計されている。
また、プローブ電極は直接、記録再生を行うことができ
る。記録媒体は高精度のＸＹステージの上に置かれ、任
意の位置に移動させることができる。前述の記録媒体を
ＸＹステージ上に置いた。
る。記録媒体は高精度のＸＹステージの上に置かれ、任
意の位置に移動させることができる。前述の記録媒体を
ＸＹステージ上に置いた。
次に、プローブ電極と記録媒体との間に１■の電圧を印
加し、電流をモニターしながらプローブ電極と記録層表
面との距離（Ｚ）を調整した。この時、プローブ電極と
記録層表面との距離Ｚを制御するためのプローブ電流工
、を１０−”Ａ≧工。
加し、電流をモニターしながらプローブ電極と記録層表
面との距離（Ｚ）を調整した。この時、プローブ電極と
記録層表面との距離Ｚを制御するためのプローブ電流工
、を１０−”Ａ≧工。
≧１０−”Ａになるように設定した。次に、プローブ電
極をトラック上で走査させながら１００人ピッチで情報
の記録を行った。情報の記録はプローブ電極を＋側、基
板電極を一側にして１０Ｖ、５μｓｅｃの矩形パルス電
圧を加えた。
極をトラック上で走査させながら１００人ピッチで情報
の記録を行った。情報の記録はプローブ電極を＋側、基
板電極を一側にして１０Ｖ、５μｓｅｃの矩形パルス電
圧を加えた。
ＳＴＭを用い、記録表面の観察を行ったところ、記録位
置においては数人の高さを有する突起物が形成されてい
た。その後プローブ電極を記録開始点に戻し、再び記録
層上を走査させた。この時、記録の読みだしにおいては
Ｚがほぼ一定になるように設定した。その結果、記録ビ
ットにおいては１０ｎＡ程度のプローブ電流が流れ、記
録を再生することができた。
置においては数人の高さを有する突起物が形成されてい
た。その後プローブ電極を記録開始点に戻し、再び記録
層上を走査させた。この時、記録の読みだしにおいては
Ｚがほぼ一定になるように設定した。その結果、記録ビ
ットにおいては１０ｎＡ程度のプローブ電流が流れ、記
録を再生することができた。
大」Ｕ阪ユ」２
実施例１で得られた記録媒体を用い、記録再生の実験を
行った。
行った。
第４図に示す記録再生装置を用い、プローブ電極にタン
グステンを電解研磨したものを使用した。このプローブ
電極は記録層の表面との距離（Ｚ）を電流を一定に保つ
ように圧電素子にょリ、その距離（Ｚ）が微動制御され
ている。更に微動制御機構は距離（Ｚ）を一定に保った
まま、面内（ｘ、ｙ）方向にも微動制御できるように設
計されている。
グステンを電解研磨したものを使用した。このプローブ
電極は記録層の表面との距離（Ｚ）を電流を一定に保つ
ように圧電素子にょリ、その距離（Ｚ）が微動制御され
ている。更に微動制御機構は距離（Ｚ）を一定に保った
まま、面内（ｘ、ｙ）方向にも微動制御できるように設
計されている。
また、プローブ電極は直接、記録再生を行うことができ
る。記録媒体は高精度のＸＹステージの上に置かれ、任
意の位置に移動させろことができる。前述の記録媒体を
ＸＹステージ上に置いた。
る。記録媒体は高精度のＸＹステージの上に置かれ、任
意の位置に移動させろことができる。前述の記録媒体を
ＸＹステージ上に置いた。
次に、プローブ電極と記録媒体との間に１ｖの電圧を印
加し、電流をモニターしながらプローブ電極と記録層表
面との距離（Ｚ）を調整した。この時、プローブ電極と
記録層表面との距離２を制御するためのプローブ電流工
、を１０−”Ａ≧■２≧１０−”Ａになるように設定し
た。プローブ電極を予め設けた基準マーカーに合わせる
ように初期設定した。基準マーカーより一定の距離をト
ラック溝の段差部（トラック）に沿って移動させ、トラ
ック溝方向に対して垂直方向に記録面上を走査して１０
０人ピッチで情報の記録を行った。そして記録ビットを
複数形成した段階で元のトラック位置にプローブ電極を
戻した。更に２００人トラックに沿ってプローブ電極を
移動させ、同様に情報の記録を行った。これを繰り返し
行った。情報の記録はプローブ電極を＋側、基板電極を
一側にして４ｖ、５０μｓｅｃの矩形パルス電圧を加え
た。
加し、電流をモニターしながらプローブ電極と記録層表
面との距離（Ｚ）を調整した。この時、プローブ電極と
記録層表面との距離２を制御するためのプローブ電流工
、を１０−”Ａ≧■２≧１０−”Ａになるように設定し
た。プローブ電極を予め設けた基準マーカーに合わせる
ように初期設定した。基準マーカーより一定の距離をト
ラック溝の段差部（トラック）に沿って移動させ、トラ
ック溝方向に対して垂直方向に記録面上を走査して１０
０人ピッチで情報の記録を行った。そして記録ビットを
複数形成した段階で元のトラック位置にプローブ電極を
戻した。更に２００人トラックに沿ってプローブ電極を
移動させ、同様に情報の記録を行った。これを繰り返し
行った。情報の記録はプローブ電極を＋側、基板電極を
一側にして４ｖ、５０μｓｅｃの矩形パルス電圧を加え
た。
ＳＴＭを用い、記録表面の観察を行ったところ、記録位
置においては数人の高さを有する突起物が形成されてい
た。
置においては数人の高さを有する突起物が形成されてい
た。
またトラックも観察された。その後、記録時と同様にプ
ローブ電極を予め設けた基準マーカーに合わせるように
初期設定した。基準マーカーよりトラックに沿って記録
時に移動させた距離と同等の距離を移動させた。トラッ
ク溝方向に垂直に記録面上を２軸のフィードバックを穏
やかにかけながら走査して情報の再生を行った。少なく
とも全記録ビットを読み出す距離を移動させ、移動が終
了した段階で速やかにプローブ電極をトラックまで戻し
た。この時プローブ電極のＺ軸に対してフィードバック
がかけることが可能であるか検討を行うためにトラック
を検出した後に数ｎｍ更に同方向に移動させたところ、
即ち、意図的にトラッキングエラーを生じさせたところ
、十分にトラック溝底部からの電流を検知することがで
きた。このことによって常にプローブ電極がＺ軸空間に
対しての記録面からの絶対位置を知ることが可能である
ことが分かった。その後プローブ電極を記録開始点に戻
し、再び記録層上を走査させた。この時、記録の読みだ
しにおいては２がほぼ一定になるように設定した。その
結果、記録ビットにおいては１０ｎＡ程度のプローブ電
流が流れ、記録を再生することができた。
ローブ電極を予め設けた基準マーカーに合わせるように
初期設定した。基準マーカーよりトラックに沿って記録
時に移動させた距離と同等の距離を移動させた。トラッ
ク溝方向に垂直に記録面上を２軸のフィードバックを穏
やかにかけながら走査して情報の再生を行った。少なく
とも全記録ビットを読み出す距離を移動させ、移動が終
了した段階で速やかにプローブ電極をトラックまで戻し
た。この時プローブ電極のＺ軸に対してフィードバック
がかけることが可能であるか検討を行うためにトラック
を検出した後に数ｎｍ更に同方向に移動させたところ、
即ち、意図的にトラッキングエラーを生じさせたところ
、十分にトラック溝底部からの電流を検知することがで
きた。このことによって常にプローブ電極がＺ軸空間に
対しての記録面からの絶対位置を知ることが可能である
ことが分かった。その後プローブ電極を記録開始点に戻
し、再び記録層上を走査させた。この時、記録の読みだ
しにおいては２がほぼ一定になるように設定した。その
結果、記録ビットにおいては１０ｎＡ程度のプローブ電
流が流れ、記録を再生することができた。
支立土ユ１
実施例１で得られた記録媒体を用い、記録再生の実験を
行った。
行った。
第４図に示す記録再生装置を用い、プローブ電極に白金
製のものを使用した。このプローブ電極は記録層の表面
との距離（Ｚ）を電流を一定に保つように圧電素子によ
り、その距離（Ｚ）が微動制御されている。更に微動制
御機構は距離（Ｚ）を一定に保ったまま、面内（Ｘ、Ｙ
）方向にも微動制御できるように設計されている。
製のものを使用した。このプローブ電極は記録層の表面
との距離（Ｚ）を電流を一定に保つように圧電素子によ
り、その距離（Ｚ）が微動制御されている。更に微動制
御機構は距離（Ｚ）を一定に保ったまま、面内（Ｘ、Ｙ
）方向にも微動制御できるように設計されている。
またプローブ電極は直接、記録再生を行うことができる
。記録媒体は高精度のＸＹステージの上に置かれ、任意
の位置に移動させることができる。前述の記録媒体をＸ
Ｙステージ上に置いた。
。記録媒体は高精度のＸＹステージの上に置かれ、任意
の位置に移動させることができる。前述の記録媒体をＸ
Ｙステージ上に置いた。
次にプローブ電極と記録媒体との間に１ｖの電圧を印加
し、電流をモニターしながらプローブ電極と記録層表面
との距離（Ｚ）を調整した。この時、プローブ電極と記
録層表面との距離Ｚを制御するためのプローブ電流Ｉ、
を１０−”Ａ≧１２≧１０−”Ａになるように設定した
。次にプローブ電極をトラック上で走査させながら１０
０人ピッチで情報の記録を行った。情報の記録はプロー
ブ電極を＋側、基板電極を一側にして１０■、５μｓｅ
ｃの矩形パルス電圧を加えた。
し、電流をモニターしながらプローブ電極と記録層表面
との距離（Ｚ）を調整した。この時、プローブ電極と記
録層表面との距離Ｚを制御するためのプローブ電流Ｉ、
を１０−”Ａ≧１２≧１０−”Ａになるように設定した
。次にプローブ電極をトラック上で走査させながら１０
０人ピッチで情報の記録を行った。情報の記録はプロー
ブ電極を＋側、基板電極を一側にして１０■、５μｓｅ
ｃの矩形パルス電圧を加えた。
ＳＴＭを用い、記録表面の観察を行ったところ、記録位
置においては数人の高さを有する突起物が形成されてい
た。その後プローブ電極を記録開始点に戻し、再び記録
層上を走査させた。この時、記録の読みだしにおいては
２がほぼ一定になるように設定した。その結果、記録ビ
ットにおいては１０ｎＡ程度のプローブ電流が流れ、記
録を再生することができた。
置においては数人の高さを有する突起物が形成されてい
た。その後プローブ電極を記録開始点に戻し、再び記録
層上を走査させた。この時、記録の読みだしにおいては
２がほぼ一定になるように設定した。その結果、記録ビ
ットにおいては１０ｎＡ程度のプローブ電流が流れ、記
録を再生することができた。
及五五ユニ
本実施例では、第３図に示すタイプの記録媒体を作製し
た。先ず、ポリイソブチルメタクリレ−ｈ（ＰＩＢＭ）
を溶融石英基板上にラングミュア−プロジェット法（Ｌ
Ｂ法）により１層堆積させた。１層の厚さは約１０人で
あった。
た。先ず、ポリイソブチルメタクリレ−ｈ（ＰＩＢＭ）
を溶融石英基板上にラングミュア−プロジェット法（Ｌ
Ｂ法）により１層堆積させた。１層の厚さは約１０人で
あった。
以下にＰＩＢＭの単分子膜の作成方法について述べる。
ＰＩＢＭをクロロホルムに溶解させ、濃度１ｇ／βに調
製した。この溶液を水温２０℃、純水からなる水相上に
展開し、水面上に単分子膜を形成した。表面圧を１２ｍ
Ｎ／ｍまで高め、予め水相中に浸漬させていた洗浄した
溶融石英基板を速度５ｍｍ／ｍｉｎで引き上げを行いＰ
ＩＢＭ単分子膜を形成した。
製した。この溶液を水温２０℃、純水からなる水相上に
展開し、水面上に単分子膜を形成した。表面圧を１２ｍ
Ｎ／ｍまで高め、予め水相中に浸漬させていた洗浄した
溶融石英基板を速度５ｍｍ／ｍｉｎで引き上げを行いＰ
ＩＢＭ単分子膜を形成した。
この薄膜にＥＢ露光装置（エリオニクス社製ＥＬＳ−３
３００）により加速電圧３０ｋＶ、Ｄｏｓｅ量１００μ
Ｃ／ｃｍ”で描画を行った。
３００）により加速電圧３０ｋＶ、Ｄｏｓｅ量１００μ
Ｃ／ｃｍ”で描画を行った。
イソプロピルアルコール／水（８５／１５）で現像を行
った。続いて真空蒸着法によりＡｕを２５人／ ｓ ｅ
ｃの蒸着速度で厚さ１５００人の膜を形成させた。こ
の後、ガラス基板（Ｃｏｒｎｉｎｇ＃７０５９）に接着
剤（コニシボノドハイテンブＨＴ−１０）を微量塗布し
Ａｕを蒸着させた基板のＡｕ表面に密着させた。密着圧
を約０．５ｋｇ／ ｃ ｍ ２に保ち、１２０℃に加温
しながら２日間放置した。双方の基板を引き剥したとこ
ろ、溶融石英基板及びバターニングされたＰＩＢＭ単分
子膜の表面状態を保ったままパターニングされたトラッ
クを有する電極基板を得ることができた。
った。続いて真空蒸着法によりＡｕを２５人／ ｓ ｅ
ｃの蒸着速度で厚さ１５００人の膜を形成させた。こ
の後、ガラス基板（Ｃｏｒｎｉｎｇ＃７０５９）に接着
剤（コニシボノドハイテンブＨＴ−１０）を微量塗布し
Ａｕを蒸着させた基板のＡｕ表面に密着させた。密着圧
を約０．５ｋｇ／ ｃ ｍ ２に保ち、１２０℃に加温
しながら２日間放置した。双方の基板を引き剥したとこ
ろ、溶融石英基板及びバターニングされたＰＩＢＭ単分
子膜の表面状態を保ったままパターニングされたトラッ
クを有する電極基板を得ることができた。
尚、トラック溝深さは約８人であった。
次に、かかる電極基板に、記録層１０３としてＰ Ｉ−
ＤＤＥ／ＰＡＡのラングミュア−プロジェット膜を形成
した。以下にＰＩ−ＤＤＥ／ＰＡＡ ＬＢ記録層の作
成方法について述べる。
ＤＤＥ／ＰＡＡのラングミュア−プロジェット膜を形成
した。以下にＰＩ−ＤＤＥ／ＰＡＡ ＬＢ記録層の作
成方法について述べる。
Ｐ Ｉ −ＤＤＥ／ＰＡＡの単分子膜は実施例２で記さ
れている成膜方法によって上述トラック付き電極基板上
に２層のＰＡＡＤ−ＤＤＥ／ＦＡＡ単分子膜を累積する
。この薄膜を１５０℃に加熱し、記録層１０３を形成さ
せることにより、プローブを近接させ電流値を読みとる
記録再生装置における記録媒体を得ることができた。こ
の記録媒体を用い、記録再生消去の実験を行った。
れている成膜方法によって上述トラック付き電極基板上
に２層のＰＡＡＤ−ＤＤＥ／ＦＡＡ単分子膜を累積する
。この薄膜を１５０℃に加熱し、記録層１０３を形成さ
せることにより、プローブを近接させ電流値を読みとる
記録再生装置における記録媒体を得ることができた。こ
の記録媒体を用い、記録再生消去の実験を行った。
プローブ電極として白金製のものを用いた。このプロー
ブ電極は記録層の表面との距離（Ｚ）を制御するための
もので電流を一定に保つように圧電素子により、その距
離（Ｚ）が微動制御されている。更に微動制御機構は距
離（Ｚ）を一定に保ったまま、面内（Ｘ、Ｙ）方向にも
微動制御できるように設計されている。
ブ電極は記録層の表面との距離（Ｚ）を制御するための
もので電流を一定に保つように圧電素子により、その距
離（Ｚ）が微動制御されている。更に微動制御機構は距
離（Ｚ）を一定に保ったまま、面内（Ｘ、Ｙ）方向にも
微動制御できるように設計されている。
またプローブは直接記録再生消去を行うことができる。
また記録媒体は高精度のＸＹステージの上に置かれ、任
意の位置に移動させることができる。前述の記録媒体を
ＸＹステージ上に置いた。
意の位置に移動させることができる。前述の記録媒体を
ＸＹステージ上に置いた。
次にプローブ電極と記録媒体の基板電極との間に１．５
ｖの電圧を印加し、電流をモニターしながらプローブ電
極と記録層表面との距離（Ｚ）を調整した。この時、プ
ローブ電極と記録層表面との距離Ｚを制御するためのプ
ローブ電流ＩｐをＩＣＭ”Ａ≧工、≧１０−”Ａになる
ように設定した。次にプローブ電極をトラック上で走査
させながら１００人ピッチで情報の記録を行った。情報
の記録はプローブ電極を＋側、基板電極を一側にして電
気メモリー材料（ポリイミド薄膜記録層）が低抵抗状態
（ＯＮ状態）に変化する第６図に示すしきい値電圧Ｖ
ｔｎ以上の矩形パルス電圧を加えた。その後、プローブ
電極を記録開始点に戻し、再び記録層上を走査させた。
ｖの電圧を印加し、電流をモニターしながらプローブ電
極と記録層表面との距離（Ｚ）を調整した。この時、プ
ローブ電極と記録層表面との距離Ｚを制御するためのプ
ローブ電流ＩｐをＩＣＭ”Ａ≧工、≧１０−”Ａになる
ように設定した。次にプローブ電極をトラック上で走査
させながら１００人ピッチで情報の記録を行った。情報
の記録はプローブ電極を＋側、基板電極を一側にして電
気メモリー材料（ポリイミド薄膜記録層）が低抵抗状態
（ＯＮ状態）に変化する第６図に示すしきい値電圧Ｖ
ｔｎ以上の矩形パルス電圧を加えた。その後、プローブ
電極を記録開始点に戻し、再び記録層上を走査させた。
この時、記録の読みだし時においてはＺが一定になるよ
うに調整した。その結果、記録ビットにおいては１０ｎ
Ａ程度のプローブ電流が流れ、ＯＮ状態になっているこ
とが示された。なおプローブ電圧を電気メモリー材料が
ＯＮ状態からＯＦＦ状態に変化するしきい値電圧Ｖ ｔ
ｈＯＦ Ｆ以上のＩＯＶに設定し、再び記録位置をトレ
ースした結果、すべての記録が消去されＯＦＦ状態に遷
移したことも確認した。
うに調整した。その結果、記録ビットにおいては１０ｎ
Ａ程度のプローブ電流が流れ、ＯＮ状態になっているこ
とが示された。なおプローブ電圧を電気メモリー材料が
ＯＮ状態からＯＦＦ状態に変化するしきい値電圧Ｖ ｔ
ｈＯＦ Ｆ以上のＩＯＶに設定し、再び記録位置をトレ
ースした結果、すべての記録が消去されＯＦＦ状態に遷
移したことも確認した。
さらに再度前述の記録開始点にプローブ電極を戻し、前
述の記録方法と同時に再記録を行った。再記録開始点に
プローブ電極を戻し、記録層上を走査し記録の読みだし
を行った。記録ビットにおいては前述と同様に１０ｎＡ
程度の電流が流れＯＮ状態となっていることが確認され
た。
述の記録方法と同時に再記録を行った。再記録開始点に
プローブ電極を戻し、記録層上を走査し記録の読みだし
を行った。記録ビットにおいては前述と同様に１０ｎＡ
程度の電流が流れＯＮ状態となっていることが確認され
た。
尚、プローブを白金製のものからタングステンワイヤー
を電解研磨したものを用いた場合にも同様の結果を得た
。
を電解研磨したものを用いた場合にも同様の結果を得た
。
［発明の効果コ
以上述べたように、本発明の記録媒体及びこれを用いた
記録再生装置等によれば、 １）記録再生時においてトラック溝の底部の上でプロー
ブが停止するようなトラッキングエラーが起きても復帰
が容易に行うことが可能になる。
記録再生装置等によれば、 １）記録再生時においてトラック溝の底部の上でプロー
ブが停止するようなトラッキングエラーが起きても復帰
が容易に行うことが可能になる。
２）アクセス時にトラック溝の上部に位置してしまった
場合、走査時にトラック溝壁に接触が避けられるように
することが可能になる。
場合、走査時にトラック溝壁に接触が避けられるように
することが可能になる。
３）トラック溝を形成する場合にバターニングされたＬ
Ｂ膜を用いるが、ＬＢ膜は数オングストロームで表面が
平滑な膜を形成することが可能であるためトラック溝の
内部においても記録ビットと錯覚されるような突起物が
ない。
Ｂ膜を用いるが、ＬＢ膜は数オングストロームで表面が
平滑な膜を形成することが可能であるためトラック溝の
内部においても記録ビットと錯覚されるような突起物が
ない。
第１図及び第３図は、本発明の記録媒体の構成断面図を
示すものである。 第２図は、従来の記録媒体の構成断面図を示すものであ
る。 第４図は、本発明の言己録媒体を用いた記録再生装置の
構成を示すものである。 第５図は、本発明に係る記録媒体の作製工程を示すもの
である。 第６図は、情報の記録に際し適用した矩形パルス電圧波
形を示すものである。 第７図は、記録媒体の電気的特性を示す特性図である。 １０１・・・基板（電極形成用） １０２・・・金属電極層及び記録層 １０２′・・・金属電極層 Ｏ３・・・記録層 ０４・・・記録位置に相当する電極表面０５・・・トラ
ック ０６・・・トラック溝 ０７・・・平滑基板 ０８・・・ＬＢ膜 ０１・・・ＸＹステージ ０２・・・プローブ電極 ０３・・・プローブ電極の支持体 ０４・・・リニアアクチュエータ（Ｚ軸）０５．２０６
・・・リニアアクチュエータ（Ｘ、Ｙ軸） ２０７・・・パルス電圧回路 ３０１・・・増幅器 ３０２・・・対数圧縮器 ３０３・・・低域通過フィルター ３０４・・・誤差増幅器 ３０５・・・ドライバー ３０６・・・駆動回路 ３０７・・・高域通過フィルター 第１図 第２図 第３図 第５図 （Ｃ） ↓ 団＝ニゴ＝＝ゴコ ↓ 閂 間
示すものである。 第２図は、従来の記録媒体の構成断面図を示すものであ
る。 第４図は、本発明の言己録媒体を用いた記録再生装置の
構成を示すものである。 第５図は、本発明に係る記録媒体の作製工程を示すもの
である。 第６図は、情報の記録に際し適用した矩形パルス電圧波
形を示すものである。 第７図は、記録媒体の電気的特性を示す特性図である。 １０１・・・基板（電極形成用） １０２・・・金属電極層及び記録層 １０２′・・・金属電極層 Ｏ３・・・記録層 ０４・・・記録位置に相当する電極表面０５・・・トラ
ック ０６・・・トラック溝 ０７・・・平滑基板 ０８・・・ＬＢ膜 ０１・・・ＸＹステージ ０２・・・プローブ電極 ０３・・・プローブ電極の支持体 ０４・・・リニアアクチュエータ（Ｚ軸）０５．２０６
・・・リニアアクチュエータ（Ｘ、Ｙ軸） ２０７・・・パルス電圧回路 ３０１・・・増幅器 ３０２・・・対数圧縮器 ３０３・・・低域通過フィルター ３０４・・・誤差増幅器 ３０５・・・ドライバー ３０６・・・駆動回路 ３０７・・・高域通過フィルター 第１図 第２図 第３図 第５図 （Ｃ） ↓ 団＝ニゴ＝＝ゴコ ↓ 閂 間
Claims (47)
- （１）表面に凹状のトラック溝を有し、該トラック溝の
深さが、表面を走査するプローブ電極によりトラック溝
底部からのトンネル電流を検出できる深さであることを
特徴とする電極基板。 - （２）該トラック溝の深さが２０Å以下であることを特
徴とする請求項１に記載の電極基板。 - （３）凹凸が１ｎｍ以下である表面を１μｍ以上有する
ことを特徴とする請求項１に記載の電極基板。 - （４）表面に凹状のトラック溝を有し、該トラック溝の
深さが、表面を走査するプローブ電極によりトラック溝
底部からのトンネル電流を検出できる深さであることを
特徴とする記録媒体。 - （５）表面に凹状のトラック溝を有する電極基板に記録
層を設けてなることを特徴とする請求項４に記載の記録
媒体。 - （６）該トラック溝の深さが２０Å以下であることを特
徴とする請求項４に記載の記録媒体。 - （７）凹凸が１ｎｍ以下である表面を１μｍ以上有する
ことを特徴とする請求項４に記載の記録媒体。 - （８）電気メモリー効果を有することを特徴とする請求
項４に記載の記録媒体。 - （９）記録層が有機化合物の単分子膜又は単分子累積膜
を含むことを特徴とする請求項５に記載の記録媒体。 - （１０）記録層の厚さが、４〜２０Åの範囲にあること
を特徴とする請求項５に記載の記録媒体。 - （１１）表面に凹状のトラック溝を有し、該トラック溝
の深さが、表面を走査するプローブ電極によりトラック
溝底部からのトンネル電流を検出できる深さである記録
媒体、該記録媒体に近接して配置されたプローブ電極及
び記録用パルス電圧印加回路を備えたことを特徴とする
記録装置。 - （１２）記録媒体が、表面に凹状のトラック溝を有する
電極基板に記録層を設けてなることを特徴とする請求項
１１に記載の記録装置。 - （１３）記録媒体のトラック溝の深さが２０Å以下であ
ることを特徴とする請求項１１に記載の記録装置。 - （１４）記録媒体が、凹凸１ｎｍ以下である表面を１μ
ｍ以上有することを特徴とする請求項１１に記載の記録
装置。 - （１５）記録媒体が電気メモリー効果を有することを特
徴とする請求項１１に記載の記録装置。 - （１６）記録媒体の記録層が有機化合物の単分子膜又は
単分子累積膜を含むことを特徴とする請求項１２に記載
の記録装置。 - （１７）記録媒体の記録層の厚さが、４〜２０Åの範囲
にあることを特徴とする請求項１２に記載の記録装置。 - （１８）表面に凹状のトラック溝を有し、該トラック溝
の深さが、表面を走査するプローブ電極によりトラック
溝底部からのトンネル電流を検出できる深さである記録
媒体、該記録媒体に近接して配置されたプローブ電極、
記録用パルス電圧印加回路及び再生用バイアス電圧印加
回路を有することを特徴とする記録再生装置。 - （１９）記録媒体が、表面に凹状のトラック溝を有する
電極基板に記録層を設けてなることを特徴とする請求項
１８に記載の記録再生装置。 - （２０）記録媒体のトラック溝の深さが２０Å以下であ
ることを特徴とする請求項１８に記載の記録再生装置。 - （２１）記装媒体が、凹凸１ｎｍ以下である表面を１μ
ｍ以上有することを特徴とする請求項１８に記載の記録
再生装置。 - （２２）記録媒体が電気メモリー効果を有することを特
徴とする請求項１８に記載の記録再生装置。 - （２３）記録媒体の記録層が有機化合物の単分子膜又は
単分子累積膜を含むことを特徴とする請求項１９に記載
の記録再生装置。 - （２４）記録媒体の記録層の厚さが、４〜２０Åの範囲
にあることを特徴とする請求項１９に記載の記録再生装
置。 - （２５）表面に凹状のトラック溝を有し、該トラック溝
の深さが、表面を走査するプローブ電極によりトラック
溝底部からのトンネル電流を検出できる深さである記録
媒体、該記録媒体に近接して配置されたプローブ電極、
記録／消去用パルス電圧印加回路及び再生用バイアス電
圧印加回路を有することを特徴とする記録再生装置。 - （２６）記録媒体が、表面に凹状のトラック溝を有する
電極基板に記録層を設けてなることを特徴とする請求項
２５に記載の記録再生装置。 - （２７）記録媒体のトラック溝の深さが２０Å以下であ
ることを特徴とする請求項２５に記載の記録再生装置。 - （２８）記装媒体が、凹凸１ｎｍ以下である表面を１μ
ｍ以上有することを特徴とする請求項２５に記載の記録
再生装置。 - （２９）記録媒体が電気メモリー効果を有することを特
徴とする請求項２５に記載の記録再生装置。 - （３０）記録媒体の記録層が有機化合物の単分子膜又は
単分子累積膜を含むことを特徴とする請求項２６に記載
の記録再生装置。 - （３１）記録媒体の記録層の厚さが、４〜２０Åの範囲
にあることを特徴とする請求項２６に記載の記録再生装
置。 - （３２）表面に凹状のトラック溝を有し、該トラック溝
の深さが、表面を走査するプローブ電極によりトラック
溝底部からのトンネル電流を検出できる深さであり、且
つ情報が記録された記録媒体、該記録媒体に近接して配
置されたプローブ電極及び再生用バイアス電圧印加回路
を備えたことを特徴とする再生装置。 - （３３）記録媒体が、表面に凹状のトラック溝を有する
電極基板に記録層を設けてなることを特徴とする請求項
３２に記載の再生装置。 - （３４）記録媒体のトラック溝の深さが２０Å以下であ
ることを特徴とする請求項３２に記載の再生装置。 - （３５）記装媒体が、凹凸１ｎｍ以下である表面を１μ
ｍ以上有することを特徴とする請求項３２に記載の再生
装置。 - （３６）記録媒体が電気メモリー効果を有することを特
徴とする請求項３２に記載の再生装置。 - （３７）記録媒体の記録層が有機化合物の単分子膜又は
単分子累積膜を含むことを特徴とする請求項３３に記載
の再生装置。 - （３８）記録媒体の記録層の厚さが、４〜２０Åの範囲
にあることを特徴とする請求項３３に記載の再生装置。 - （３９）表面に凹状のトラック溝を有する電極基板に記
録層を設けてなり、記録面における該トラックの深さが
、表面を走査するプローブ電極によりトラック溝底部か
らのトンネル電流を検出できる深さである記録媒体に対
して、プローブ電極を近接させ、プローブ電極と電極基
板との間にバイアス電圧を印加して記録面とトラック部
をトンネル電流により識別し、プローブ電極と電極基板
との間にパルス電圧を印加して記録面に記録を行うこと
を特徴とする記録方法。 - （４０）表面に凹状のトラック溝を有する電極基板に記
録層を設けてなり、記録面における該トラック溝の深さ
が、表面を走査するプローブ電極によりトラック溝底部
からのトンネル電流を検出できる深さである記録媒体に
対して、プローブ電極を近接させ、プローブ電極と電極
基板との間にバイアス電圧を印加して記録面とトラック
部をトンネル電流により識別し、プローブ電極と電極基
板との間にパルス電圧を印加して記録面に記録を行い、
プローブ電極と電極基板との間にバイアス電圧を印加し
て記録を再生することを特徴とする記録再生方法。 - （４１）表面に凹状のトラック溝を有する電極基板に記
録層を設けてなり、記録面における該トラック溝の深さ
が、表面を走査するプローブ電極によりトラック溝底部
からのトンネル電流を検出できる深さである記録媒体に
対して、プローブ電極を近接させ、プローブ電極と電極
基板との間にバイアス電圧を印加して記録面とトラック
部をトンネル電流により識別し、プローブ電極と電極基
板との間にパルス電圧を印加して記録面に記録を行い、
プローブ電極と電極基板との間にバイアス電圧を印加し
て記録の再生を行い、プローブ電極と電極基板との間に
パルス電圧を印加して記録の消去を行うことを特徴とす
る記録再生方法。 - （４２）凹凸が１ｎｍ以下である表面を１μｍ以上有す
る基板上に有機薄膜を形成する工程、該薄膜に電子線を
照射し、その後現像することにより該薄膜のパターンを
形成する工程、該パターンを有する基板上に導電性材料
からなる電極層を形成する工程、該基板と電極層を分離
する工程を経て表面に凹状のトラック溝を有する電極基
板を得ることを特徴とする電極基板の製造方法。 - （４３）有機薄膜をラングミュアープロジェット法によ
り形成することを特徴とする請求項４２に記載の電極基
板の製造方法。 - （４４）凹凸が１ｎｍ以下である表面を１μｍ以上有す
る基板上に有機薄膜を形成する工程、該薄膜に電子線を
照射し、その後現像することにより該薄膜のパターンを
形成する工程、該パターンを有する基板上に導電性材料
からなる電極層を形成する工程、該基板と電極層を分離
する工程及び該基板に面していた電極層の表面に記録層
を形成する工程を経て表面に凹状のトラック溝を有する
記録媒体を得ることを特徴とする記録媒体の製造方法。 - （４５）有機薄膜をラングミュアープロジェット法によ
り形成することを特徴とする請求項４４に記載の記録媒
体の製造方法。 - （４６）記録層が有機薄膜を含むことを特徴とする請求
項４４に記載の記録媒体の製造方法。 - （４７）有機薄膜をラングミュアープロジェット法によ
り形成することを特徴とする請求項４６に記載の記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20115790A JP2748182B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 記録媒体およびその製造方法、記録方法、記録再生方法、記録装置、再生装置、記録再生装置 |
| CA002035748A CA2035748C (en) | 1990-02-07 | 1991-02-06 | Medium, process for preparing the same, information processing device, information processing method |
| DE1991630337 DE69130337T2 (de) | 1990-02-07 | 1991-02-07 | Medium, Herstellungsverfahren desselben, Informationsverarbeitungsvorrichtung und Informationsverarbeitungsverfahren |
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