JPS60239742A - 記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）技術分野 本発明は、包接錯体の単分子膜、乃至単分子層累積膜の
化学変化を利用して記録を行なう記録媒体に関する。

（２）背景技術 従来、有機化合物を記録層とする記録媒体としては種々
のものが知られている。

例えば、有機化合物を薄膜にして記録層として用いる光
記録媒体については１例えば特開昭５８−１８９４８号
公報、特開昭５８−１２５２４８号公報にも開示されて
いる。いずれも有機色素を記録層とし、レーザビームに
より記録再生を行なうレーザ記録媒体に関するものであ
る。特に、特開昭５８−１２５２４８号公報に開示され
た媒体は、一般式（Ｉ） で表わされるシアニン系色素の薄膜を記録層とするもの
である。（Ｉ）式で１表わされるシアニン系色素溶液を
回転塗布機などを用いて、１００ＯＡ以下の厚さ０例え
ば約３００Ａの厚さにプラスチック基板上に塗布し薄膜
を形成する。膜内の分子分布配向がランダムであると、
光照射に伴って膜内で光の散乱が生じ、微視的にみた場
合各党照射の度に′生ずる化学反応の度合が異なってく
る。そこで記録媒体としては、膜内の分子分布、配向が
一様になっていることが望ましく、またできる限り膜厚
が薄いことが、記録の高密度化のために要請される。し
かしながら、塗布法による場合、膜厚においては３００
Ａ程度が限界であり、膜内の分子分布、配向がランダム
であることは解決しがたいことであった。

レジスト材料の一つとして光量子効率が大でかつ優れた
解像力を有するものとして提案されていたジアセチレン
化合物累積膜が、レジスト材料のみならず、薄膜電気−
光学デバイス、電気−音響デバイス、圧・焦電デバイス
等にも応用されることが、特開昭５８−４２２２９号公
報、特開昭５８−４３２２０号公報などに示されている
。

近時においては、ジアセチレン化合物累積膜の製造方法
の改良について特開昭５８−１１１０２９号公報に示さ
れている。かかる発明にて製造された基板上のジアセチ
レン化合物累積膜は紫外線を照射することにより重合さ
せてジアセチレン化合物重合体膜を作り、或はマスキン
グして紫外線を照射し部分的に重合させ、未重合部分を
除去して図形を作り、薄膜光学デバイスや集積回路素子
として使用される。

しかし、これらはいずれもジアセチレン化合物に限るも
のであり、薄膜光学デバイスとして使用するときに、一
度記録したものの消去の可能性については述べられてい
ない。

一方、上述欠点を解決すべく、分子内に親木基、疎水基
及び少なくとも１個の不飽和結合を有する１種類の光重
合性上ツマ−の単分子膜又は単分子層累積膜を基板上に
形成して記録層としたことを特徴とする、反復使用可能
な光記録媒体が特願昭５８−１９０！１３２号の光記録
媒体に示されている。

これらのジアセチレン化合物累積膜にしても、光重合性
オレフィンモノマーの単分子膜若しくは単分子層累積膜
にしても、光反応性化合物に親木基、疎水基を導入して
、直接基板上に担持させる製法を採用している。従って
、種々の機能性膜を簡単に作製することが困難なのに・
加えて、親木基、疎水基の導入に伴う光反応性の低下の
恐れがあった。更には、非常に高度な高密度記録を行う
際に重要となる、膜面内の分子配向の制御についても、
極めて複雑な操作が要求される問題があった。

かかる従来例の欠点を解消し、１）各種の機能性膜を比
較的簡単に作製する方法、２）その際、機能性分子の持
つ各種機能が、薄膜化した場合に於いても、損失若しく
は低下されることなく発現する様に膜化する方法、更に
は、３）上記の薄膜化に於いて、特別な操作を行うこと
なしに、膜構成分子が膜面内方向に対して、高度の秩序
構造を持って配向される方法を種々検討した結果、本発
明を成すに至った。又、かかる成膜法を用いて、高感度
、高解像度の記録媒体を、容易にかつ高品質に提供でき
るに至った。

（３）発明の開示 本発明の目的は、外因により分子単位での化学変化を起
こす様な高密度記録媒体を提供することにある。

また、この様な分子単位での高密度記録を行うのに際し
て重要な因子となる媒体面内での分子配向に関して、従
来例よりも秀逸な媒体を提供することにある。更には、
上述記録媒体を製造するに当って、比較的簡単な操作変
更により、様々な性質を有する媒体を提供することにあ
る。

本発明の上記目的は、以下の本発明によって達成される
。

その分子内に親水性部位、疎水性部位及び他分子との包
接が可能な部位（包接部位）を有する重合性分子（ホス
ト分子）と該ホスト分子に包接される別種の分子（ゲス
ト分子）とからなる包接錯体の単分子膜又は単分子層累
積膜を担体上に形成して記録層としたことを特徴とする
記録媒体。

本発明の記録層を構成する物質は、分子内に親水性部位
、疎水性部位及び他分子との包接が可能な部位を少なく
共１ケ所有する分子（これをホスト分子と呼ぶ）と該ホ
スト分子に包接される別種の分子（これをゲスト分子と
呼ぶ）の二種の分子からなる。かかるホスト分子とゲス
ト分子とからなる包接錯体の単分子膜、乃至単分子層累
積膜を担体上に形成することにより、本発明の記録媒体
が形成される。但し、これら二種類の分子の内、ホスト
分子が、光、熱、電気、磁気等の外因により、化学変化
若しくは物理変化を起こすことが必要である。即ち、本
発明に於ける記録媒体は、前述の化学変化を利用して記
録を行なう。

本発明に用いられるホスト分子としては、上述の如く、
分子内の適当な位置に親水性部位、疎水性部位及び少な
く共１ケ所の他種分子との包接錯体を形成可能な部位を
有する重合性分子であれば広く使用することができる。

具体的には、下記一般式で示される化合物が適している
。

〔ジアセチレンジオール誘導体の例〕

ＨＨ １ ＣＨ３−（ＣＨ２）　ｍ−Ｃ−Ｇ：　＝　Ｃ−ＣミＣ−
Ｃ−（ＣＨｚ）ｎ−ＣＯＯＨ（Ｋ　）Ｉ ＯＨ’０Ｈ ３０≧薦＋ｎ≧８．ｎ≧０ 上記化合物はそれ自体既知の化合物であ′す、又、長釦
アルキル基等で修飾されていないホスト分子が、種々の
ゲスト分子と結晶性の包接錯体を形成する点に関しても
、日本化学会誌Ｎｏ、２２３９頁−２４２頁（１１１８
３年）に述べられている。

ホスト分子と包接錯体を作り得るゲスト分子としては、
一般に、ホスト分子と強い水素結合を形成し得る分子が
望ましい。従って、先に述べた如く、ホスト分子が包接
部位として水酸基を有する場合には、ゲスト分子として
、アルデヒド、ケトン、アミン、スルフオキシド等を挙
げることができる。また、ゲスト分子としては他に、各
種ハロゲン化合物、或いはπ−電子系化合物、即ちアル
ケン、アルキン、及びアレーン等を選ぶ事もできる。何
れにせよ、形成される包接錯体が所望の像形成機能を示
す構造を有する分子が選ばれる。

以下、各種機能別に利用可能なゲスト分子の具体例を示
す。

（１）ゲスト分子の二重化反応を用いた光記録媒体に利
用し得るゲスト分子の具体例としては、オレフィン化合
物（Ｎｏ、３１〜Ｎｏ、３４）、ジオレフィン化合物（
１’＆）、３５〜Ｎｏ、３８）、アントラセン誘導体（
Ｉｌｂ　、３１３）、２−７ミノピリジニウム（Ｎｏ、
４１）等、 隘８１ Ｒ−−Ｈ，−〇、馬、−ＯＨ，−０ＣＩ（、）隘８Ｂ 階８８ ＮＣ−ＣＩ−ＣＨ−ＣＮ １８４ Ｒ，ＯＯＣ−ＣＭ−ＣＭ−ＣＯＯＲ，（ＲＩ−Ｒ，−Ｃ
ＭＩｌ　またはヘー−ＣＭ、　、Ｒ，−−Ｈ） 〔ジオレフィン化合物の例〕 階８５ Ａｒ　’−ＣＨ−ＣＨ−Ａｒ−ＣＨ−ＣＨ−Ａｒ　’ｎ
８６ 陽８７ 〔アントラセン誘導体の例〕 隘８９ （Ｒ−−ＣＨ，、−ＣＨｏ　、　−ＣＯＯＣ，Ｈ，、−
Ｂｒ）〔アクリジニクム誘導体の例〕 ｎ４０ Ｒ ＋ （Ｒ−−Ｈｅ−Ｃ）Ｉ３．−Ｃ，Ｈ，、Ｘ−−Ｉ　、　
Ｂｒ　、ＣＩ三〔２−アミノビリジニクム〕 階４１ （２）　ゲスト分子の昇華を利用した記録媒体に利用し
得るゲスト分子の具体例としては、ケトン（階４８）、
ＩＪ−エポキシプロパンなどのエポキシ）’（１ｍ４Ｂ
）、エチレンイミン（Ｎｎ４４）、ベンゼン（Ｎｎ４５
）、ジクロルメタン、クロロホルムなどの塩化物（１ｍ
４６　、Ｎｎ４？　）、臭化メンルなどの臭化物（＋１
ｋＬ４８）等、 １ ｔｋ　４Ｓ　Ｒ−Ｃ−Ｒ（Ｒ−−ＣＨ，、−Ｃ，Ｈ，）
陽、４６　０８２Ｃ１Ｚ 陽、４７　ＣＭＣｌ３ Ｎｏ、４８　ＣＨ３Ｂｒ が挙げられる。

このようなホスト分子およびゲスト分子から成る包接錯
体の単分子膜または単分子層累積膜を作成する方法とし
ては、例えばエルａｎｇｍｕｉｒらの開発したラングミ
ュア・プロジェット法（ＬＢ法）を用いる。ＬＢ法は、
例えば分子内に親木基と疎水基を有する構造の分子にお
いて、両者のバランス（両親媒性のバランス）が適度に
保たれているとき、分子は水面上で親木基を下に向けて
単分子の層になることを利用して単分子膜または単分子
層の累積膜を作成する方法である。水面上の単分子層は
二次元系の特徴をもつ。分子がまばらに散開していると
きは、一分子当り面積Ａと表面圧■との間に二次元理想
気体の式。

ｎＡ＝　ｋＴ が成り立ち、“気体膜′°となる。ここに、ｋはポルツ
マン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれば
分子間相互作用が強まり二次元固体の“凝縮膜（または
固体膜）”°になる。凝縮膜はガラス基板などの種々の
材質や形状を有する担体の表面へ一層ずつ移すことがで
きる。この方法を用いて、本発明のゲスト分子を包接す
るホスト分子の単分子膜（これを単錯体分子膜と呼ぶこ
とにする）、若しくは単錯体分子層累積膜の具体的な製
法としては、例えば以下に示すＡ−Ｈの５法を挙げるこ
とができる ［Ａ］　目的とする包接錯体のホスト分子とゲスト分子
とを溶剤に溶解し、これを水相上に展開させて包接錯体
を膜状に析出させる。ホスト分子の構造が式ｌに示した
ような分子の両端に親水性部位（カルボキシル基）と疎
水性部位（アルキル基）を併有するものであれば、水相
上に析出する包接錯体はゲスト分子の親水性および疎水
性のいかんにかかわらず、ホスト分子の親水性部位を水
相に向けた状態で水相上に展開する。

次にこの析出物が水相上を自由に拡散して広がりすぎな
いように仕切板（または浮子）を設けて展開面積を制限
して膜物質の集合状態を制御し、その集合状態に比例し
た表面圧ｎを得る。この仕切板を動かし、展開面積を縮
少して膜物質の集合状態を制御し、表面圧を徐々に上昇
させ、累積膜の製造に適する表面圧ｎを設定することが
できる。この表面圧を維持しながら静かに清浄な担体を
垂直に上下させることにより単錯体分子膜が担体上に移
しとられる。単錯体分子膜は以上で製造されるが、単錯
体分子層累積膜は前記の操作を繰り返すことにより所望
の累積度の単鎖体分子層累積膜が形成される。

単鎖体分子層を担体上に移すには、上述した垂直浸せき
法の他、水平付着法、回転円筒法などの方法による。水
平付着法は担体を水面に水平に接触させて移しとる方法
で、回転円筒法は、円筒型の担体を水面上を回転させて
単鎖体分子層を担体表面に移しとる方法である。前述し
た垂直浸せき法では、表面が親水性である担体を水面を
横切る方向に水中から引き上げるとホスト分子の親木基
が担体側に向いた単錯体分子層が担体上に形成される。

前述のように担体を上下させると、各行程ごとに１枚ず
つ単錯体分子層が積み重なっていく。成膜分子の向きが
引上げ行程と浸せき行程で逆になるので、この方法によ
ると各層間はホスト分子の親木基と親木基、ホスト分子
の疎水基と疎水基が向かい合うＹ型膜が形成される。そ
れに対し、水平付着法は、担体を水面に水平に接触させ
て移しとる方法で、ホスト分子の疎水基が担体側に向い
た単鎖体分子層が担体上に形成される。この方法では、
累積しても、成膜分子の向きの交代はなく全ての層にお
いて、疎水基が担体側に向いたｘｙ１１膜が形成される
０反対に全ての層において親木基が担体側に向いた累積
膜はＹ型膜と呼ばれる。

回転円筒法は、円筒型の担体を水面上を回転させて単分
子層を担体表面に移しとる方法である。

単分子層を担体上に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面積担体を用いる時に仲、担体ロールか
ら水相中に担体を押し出していく方法などもとり得る。

また、前述した親木基、疎水基の担体への向きは原則で
あり、担体の表面処理等によって変えることもできる。

以上の成膜過程に於いて膜物質の面内方向の配向性制御
は従来、主として表面圧の制御に依って成されていた訳
であるが、膜物質が全稈単純な構造の化合物、例えば直
鎖脂肪酸等の場合を除き、高い秩序性を得ることは極め
て困難であった。然るに本発明に於いては、包接錯体を
膜物質に用いるので、高い秩序性を持つ膜を比較的簡単
に得ることができる。即ち、水相上に包接錯体が膜状に
析出した時点で、水素結合やファン・デル・ワールスカ
等に因ってホスト分子−ゲスト分子間、ホスト分子−ホ
スト分子間、ゲスト分子−ゲスト分子間の立体的配置は
固定され、各ホスト分子及びゲスト分子は結晶格子的秩
序性を持って配列する。

［Ｂ］水溶性を示すゲスト分子を水相に溶解させる。次
にホスト分子を溶剤に溶解せしめてこれを水相上に展開
させる。この時同時にホスト分子−ゲスト分子間で包接
錯体形成が行われて膜状に析出する。ホスト分子とゲス
ト分子の組み合わせ及び以下の成膜操作については［Ａ
］に示した方法に準する。

［Ｃ］水溶性を示すゲスト分子を水相に溶解させる０次
に、目的とする包接錯体のホスト分子とゲスト分子とを
溶剤に溶解し、これを水相上に展開させて包接錯体を膜
状に析出させる。ホスト分子とゲスト分子の組み合わせ
及び以下の成膜操作については［Ａ］に示した方法に準
する。

［Ｄ］ホスト分子を溶剤に溶解しこれを水相中に展開さ
せる。その後、密閉系の装置を用いて気相側、即ち装置
内の空間をゲスト分子ガス雰囲気とする。この時、′同
時に気相側のゲスト分子を包接し、包接錯体が膜状に析
出する。この方法はゲスト分子が低沸点で気化し易い性
質を持つ化合物、例えばアセトン等の場合、特に有効で
ある。ホスト分子とゲスト分子の組み合わせ及び以下の
成膜操作については［Ａ］に示した方法に順する。

［Ｅ］　！閉系の装置を用いて気相側、即ち装置内の空
間をゲスト分子ガス雰囲気とする０次に目的とする包接
錯体のホスト分子とゲスト分子とを溶剤に溶解し、これ
を水相上に展開させて包接錯体を膜状に析出させる。ホ
スト分子とゲスト分子の組み合わせ及び以下の成膜操作
につし１てｔ±、［Ａ］に示した方法に準する。

上述の方法によって担体上に形成される単鎖体分子膜及
び単鎖体分子層累積膜は高密度でし力）も高度の秩序性
を有しており、これらの膜で記録層を構成することによ
って、包接錯体の機能に応じて光記録、熱的記録、電気
的記録あるし１は磁気的記録等の可能な高密度で高解像
度の記録機能を有する記録媒体を得ることができる。

作成した単鎖体分子膜及び単鎖体分子層累積膜を記録媒
体の記録層として用いる場合以下に示す様に記録が行な
われる。

ホスト分子は、Ｘ線、ガンマ線、紫外線等の重合に必要
なエネルギーを供給し得る光を照射すると、照射部位に
於いてｍ式に示す様にホスト分子間で重合がおこり、ポ
リジアセチレンが形成される。

３０≧ｍ＋ｎ≧９．ｎ≧０ 従って、単錯体分子膜芳しくは単鎖体分子層累積膜に全
面露光することにより、基板との付着力を飛躍的に増大
せしめることが可能である。特に耐薬品（耐溶剤）性が
増大する。ｔ）かる、全面露光により、ゲスト分子が光
三員性を示す場合にｔ±ゲスト分子も、二重化してしま
う力呪、これを光記録媒体として用いる際には、ノくタ
ーンに従って二量体の吸収波長に等しい波長の光（紫外
光）を照射して解重合させることによる記録、あるいは
、ホスト分子は一度重合すると解重合されない９で、二
量体の吸収波長に等しい波長の光で全面露光し、ゲスト
分子を解重合させた後、パターンに従ってガンマ線、Ｘ
線、紫外線などを照射して記録が出来る。記録法を以下
に説明する。

１、ゲスト分子が光三員性分子の場合、■ゲスト分子の
二量体の吸収波長に等しい波長を用いる方法 例えば、Ｎｏ、　３１−３８等の光三員性二重結合を有
するゲスト分子を組み合わせるとホスト分子対ゲスト分
子の組成比（ｍｏｌ比）が１＝２の包接錯体が形成され
る。この単錯体分子膜、若しくは、単錯体分子累積膜に
ガンマ線、Ｘ線、紫外線など重合に必要なエネルギーを
供給しうる光を照射すると照射部位において■式に示す
ようにゲスト分子間でも二重化反応がおこる。

これらの反応は互いに隣接する不飽和結合の距離が４Ａ
以下のときおこり得るものであるが、先に述べた様な方
法で作成された単錯体分子膜又は、単鎖体分子層累積膜
では、二量化物が容易に得られるのみならず、二重化反
応に伴って生成が考えられる各種の異性仇若しくは構造
体の唯一種しか生成されない、即ち、包接錯体層に於け
るゲスト分子間の立体配列は、極めて整然としている。

二量体はシクロブタン環に基づく、波長２？Ｏｎｍの吸
収を持つが、この波長２？Ｑｎ＋ｓの紫外光を照射する
ことによって二量体は元の単量体二分子に戻る。従って
、波長２７０ｎｍの紫外光を照射するとその部分のみ解
重合がおこり、成るパターンに従った記録が成される。

記録された情報の読み取りは例えば可視光の照射によっ
て行なう。すなわち、重合によって単量体時の共役系が
崩れるので、可視光の吸収波長に変化をきたす、最大吸
収波長は低波長側にシフトするので、吸収スペクトル変
化を読みとることにより情報の再生が行なわれる。

再生は、可視光による吸収スペクトル変化の読み取り以
外にも、単量体時と三員孔径の体積変化をシューリーレ
ン法により読みとることも可能である。この方法は、単
量体時と三員孔径の体積変化の大きい構造を有する化合
物の単命体分子膜または単錯体分子層累積膜のときには
特に適している。また、単鎖体分子膜または単鎖体分子
層累積膜を基板の上に直接ではなく、基板上にＳｓ、　
Ｚｎ（１゜ＣｄＳなどの光導電体層を形成し、その上に
単錯体分子膜または単鎖体分子層累積膜を形成すること
により、単量体と二量体の吸光度の差を電気的に読み取
ることも可能である。

■ゲスト分子の二量体の吸収波長に等しい波長で全面露
光後、ゲスト分子の二重化により記録を行なう方法。

■式のように二重化されたゲスト分子をシクロブタン環
の吸収波長（２７（ｌｎ＋ｉ）で照射し、解重合させ単
量体に戻す０次いで、あるパターンに従い、ガンマ線、
Ｘ線、紫外線など重合に必要なエネルギーを供給し、部
分的に再度二量化を行なうことにより記録を行なう。

以上述べた光記録媒体に於いて膜厚は特に１００〜３０
００　Ａのものが好ましい。

２、ゲスト分子が昇華する場合 例えばＮｏ、４２−４８等のゲスト分子を組合わせると
、ホスト分子対ゲスト分子の組成比（１０１比）がｌ：
１乃至１：２の包接錯体が形成される。この単鎖体分子
膜若しくは単鎖体分子層累積膜にあるパターンに従って
これらゲスト分子が包接錯体より解離して気化するに十
分なエネルギーを有するレーザ光や電子線等を照射する
と非照射部位に於いては、ゲスト分子はホスト分子に包
接されたままであるので上記パターンに従った記録が成
されたことになる。

記録された情報の読み取りは、ゲスト分子としてＮｏ、
４２、を用いた場合にはこ・れらの化合物が持つカルボ
ニル基に基づく紫外光吸収の有無を読みとることにより
成される。又、レーザ光や電子線照射前後の膜の構造変
化をシュリーレン法により読み取ることもでき、この方
法は、ゲスト分子としてＮｏ、４２〜４Ｂを用いた場合
にも有効である。

又、Ｎｏ、４２を含む単鎖体分子膜乃至単錯体分子層累
積膜をＳｅ、　ＺｎＯ，ＣｄＳ等の光導電体層上に形成
することにより包接錯体部とゲスト分子のみの部位との
吸光度の差を電気的に読み取ることも可能である。

以上の記録媒体に於いて膜厚は、特に１００〜１０００
Ａのものが好ましい。

これら成膜方法はその原理からも分る通り、非常に簡易
な方法であり、上記のような優れた記録機能を有する記
録媒体を低コストで提供することができる。

以上述べた、本発明における単鎖体分子膜または単分子
層累積膜を形成する担体は特に限定されないが、担体表
面に界面活性物質が付着していると、単錯体分子層を水
面から移しとる時に、単錯体分子膜が乱れ良好な単鎖体
分子膜または単鎖体分子層累積膜ができないので担体表
面が清浄なものを使用する必要がある。使用することの
できる担体の例としては、ガラス、アルミニウムなどの
金属、プラスチック、セラミックなどが挙げられる。

担体上の単鎖体分子膜または単錯体分千層累積膜は、十
分に強く固定されており担体からの剥離、剥落を生じる
ことはほとんどないが、付着力を強化する目的で担体と
単錯体分子膜または単錯体分子層累積膜の間に接着層を
設けることもできる。ざらに単錯体分子層形成条件例え
ば水相の水素イオン濃度、イオン種、水温、担・体上げ
下げ速度あるいは表面圧の選択等によって付着力を強化
することもできる。

単分子膜または単分子層累積膜の上に保護膜を設けるこ
とは、単分子膜または単分子層累積膜の化学的安定性を
向上させるためには、好ましいことであるが、成膜分子
の選択によって保護膜は殿けても設けなくてもよい。

以下に本発明の実施例を示して更に具体的に説明する。

実施例１ ゲスト分子の光二量化反応を用いた光記録媒体（３） ホスト分子としてＶのジアセチレンジオール、ゲスト分
子としてケイ皮酸をモル比ｌ：２の割合でクロロホルム
に溶かした後、ｐＨ８，５、塩化カドミウム濃度４　Ｘ
　１０層４Ｍの水相上に展開させた。溶媒のクロロホル
ムを蒸発除去後、表面圧を３５ｄｙｎｅｓ／ｃｍまで高
めて、包接錯体を膜状に析出させた。この後、表面圧を
一定に保ちながら、表面が十分に清浄で親水性となって
いるガラス基板を上下速度７ｃｍ／ｓｉｎにて水面を横
切る方向に静かに上下させ、単錯体分子膜を基板上に移
し取り、単錯体分子膜及び３　、５　、９　、１５．１
９層に累積した単鎖体分子層累積膜を記録層とする光記
録媒体を製造した０次に高圧水銀灯を用いて、これらの
膜を全面露光して、ゲスト分子を二重化（式■）、ホス
ト分子を重合（弐ｍ）させた後、パターンに従って１．
波長２７０　ｎｍの紫外光を照射して、ゲスト分゛子を
解重合させて情報を記録した０分子オーダーの記録が可
能であった。

記録の再生は、二重化したゲスト分子の解重合に伴う波
長３８０〜４２Ｏｎｍ付近の吸収変化を読み取る本によ
り行った。

更に再び高圧水銀灯を用いて上記録媒体を全面露光する
ことにより記録を消去することが可能であることを確認
した。なお一度高圧水銀灯で全面露光した本記録媒体を
、アルコール中に約３０秒間授精した後、上記方法によ
り情報の記録／再生を行ったが、特に問題点はなかった
。即ち、ホスト分子を重合させる事により該記録ｉ体の
化学的強度が大となることが確認された。

実施例２〜８ ゲスト分子の昇華を利用した記録媒体 ホスト分子として（ｖ）を用い、ゲスト分子にＮｏ、４
２〜Ｎｏ、４８を用いて単錯体分子膜乃至３゜５．９層
に累積した単錯体分子層累積膜を作成した。かかる単錯
体分子膜乃至単錯体分子層累積膜を高圧水銀灯を用いて
全面露光してホスト分子を重合させて記録媒体を製造し
た。

炭酸ガスレーザ又は赤外線レーザを用いて、作成した記
録媒体にパターンに従ってレーザ光を照射したところ、
照射部位だけゲスト分子が気化除去され、情報の記録が
成された０分子オーダーの記録が可能であった。ゲスト
分子の有無をシュリーレン法を用いて読みとることによ
り記録再生が可能であった。ゲスト分子としてＮｏ、４
２を用いた記録媒体においては、ゲスト分子が気化除去
された部分の吸収スペクトル強度（入１１６１　＝２８
０ｎ履）が減少し、　２Ｂｏｎ層における吸収スペクト
ルの測定によっても、記録再生が可能であった。

この記録媒体をそれぞれＮｏ、４２〜Ｎ’ｏ’、　４　
Ｂの溶液に侵潰したところ、ゲスト分子が除去された部
位に再びゲスト分子が包接され、記録が消去されるとと
もに、再記録が可能であった。

本方法によれ′ばホスト分子の基板付着力が、増大する
。従って記録媒体の化学的強度が相対的に大となり、反
復使用回数を少なくとも１００回まで増大できることが
わかった。

特許出願人　キャノン株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. その分子内に親水性部位、疎水性部位及び包接部位を有
   する重合性ホスト分子と該ホスト分子に包接されるゲス
   ト分子とからなる包接錯体の単分子膜又は単分子層累積
   膜を担体上に形成して記録層としたことを特徴とする記
   録媒体。