JPS62128180A - メサ型半導体装置の製造方法 - Google Patents
メサ型半導体装置の製造方法Info
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|---|---|---|---|---|
| JP2003282892A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-10-03 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 低容量ｅｓｄ耐性ダイオードの方法および構造 |
| JP2007311655A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2009541979A (ja) * | 2006-06-21 | 2009-11-26 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | デュアル・シャロー・トレンチ分離及び低いベース抵抗を有するバイポーラ・トランジスタ |
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1985
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| KR100962832B1 (ko) | 2006-05-19 | 2010-06-09 | 신덴겐코교 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
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Also Published As
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