JPS61196577A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS61196577A JPS61196577A JP60036885A JP3688585A JPS61196577A JP S61196577 A JPS61196577 A JP S61196577A JP 60036885 A JP60036885 A JP 60036885A JP 3688585 A JP3688585 A JP 3688585A JP S61196577 A JPS61196577 A JP S61196577A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- source
- layer
- growth
- gate electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract 1
- -1 boron ions Chemical class 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
- H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタを有する
半導体装置に関し、特にゲート長が１μｍ以下の微細な
絶縁ゲート型電界効果トランジスタを有する半導体装置
に関する。
半導体装置に関し、特にゲート長が１μｍ以下の微細な
絶縁ゲート型電界効果トランジスタを有する半導体装置
に関する。
第２図は、従来の絶縁ゲート電界効果トランジスタ（以
下ＭＯＳトランジスタを記す）の断面図である。従来の
ＭＯＳ）ランジスタは、 −４１ｔｍの半導体基板２０
１にフィールド酸化膜９０２’を形成し、ゲート酸化膜
２０３上に形成したゲート電極２０４にセルファライン
でソース・ドレイン拡散層が、半導体基板２０１の中に
形成されていた。
下ＭＯＳトランジスタを記す）の断面図である。従来の
ＭＯＳ）ランジスタは、 −４１ｔｍの半導体基板２０
１にフィールド酸化膜９０２’を形成し、ゲート酸化膜
２０３上に形成したゲート電極２０４にセルファライン
でソース・ドレイン拡散層が、半導体基板２０１の中に
形成されていた。
上述した従来のＭＯＳ）ランジスタは、ソース・ドレイ
ン拡散層２０５が、ゲート′電極２０４下に横方向に拡
散し、ＭＯＳトランジスタのチャネル艮は、ゲート電極
長より、拡散層の深さの２倍はど短かくなり、ゲー１”
Ｋ極長を短かくした場合。
ン拡散層２０５が、ゲート′電極２０４下に横方向に拡
散し、ＭＯＳトランジスタのチャネル艮は、ゲート電極
長より、拡散層の深さの２倍はど短かくなり、ゲー１”
Ｋ極長を短かくした場合。
パンチスルーを起こしゃすくなり、ゲート電極長を短か
くすることが出来なかった。この問題全解決するために
は、ソース・ドレイン拡散層の深さを浅くすれば良いが
、拡散層深さを浅くすれば、層抵抗が増大し、ＭＯＳ）
ランジスタの特性を劣化させるという欠点がある。
くすることが出来なかった。この問題全解決するために
は、ソース・ドレイン拡散層の深さを浅くすれば良いが
、拡散層深さを浅くすれば、層抵抗が増大し、ＭＯＳ）
ランジスタの特性を劣化させるという欠点がある。
この発明は、−導電型の半導体基板上に形成されたゲー
ト電極と、後にソース・ドレインに領域となる前記半導
体基板に接してゲート酸化膜面より、上部に形成された
逆導電型の不純物を添加した半導体層又は高融点金属の
シリサイド層とを有することを％敵とする。
ト電極と、後にソース・ドレインに領域となる前記半導
体基板に接してゲート酸化膜面より、上部に形成された
逆導電型の不純物を添加した半導体層又は高融点金属の
シリサイド層とを有することを％敵とする。
矢に図ＩｆＮヲ参照しながら、この発明の一実施例につ
いて説明する。この実施例はＭＯＳトランジスタを有す
る半導体装置に関する。
いて説明する。この実施例はＭＯＳトランジスタを有す
る半導体装置に関する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）にこの発明の実施例の断面図を示
す。
す。
第１図（ａ）：Ｎｍシリコン基板１０１の不活性領域に
１μｍのフィールド酸化膜１０２を成長し活性領域には
２ｏｏＡのゲート酸化膜１０３を成長させる。その上に
多結晶シリコンのゲート電極１０４を形成し、その表面
に酸化膜１０５４５０ＯＡ成長させ、ソース・ドレイン
領域１０６のシリコ／基板面を露出させる。
１μｍのフィールド酸化膜１０２を成長し活性領域には
２ｏｏＡのゲート酸化膜１０３を成長させる。その上に
多結晶シリコンのゲート電極１０４を形成し、その表面
に酸化膜１０５４５０ＯＡ成長させ、ソース・ドレイン
領域１０６のシリコ／基板面を露出させる。
＠１図（ｂ）−次に、ソース・ド・イン領域１０６に選
択的にシリコン層１０７ｆｔ３０００Ａ成長し、次にポ
ロン７Ｊ−５Ｘ １０ ” ”ｃｉ ” イオン注入
し、Ｐ製不純物拡散層１０８を形成し、時には図示して
いないが高融点金属膜を被着しては高融点シリサイド層
ｔ−表面に形成する。
択的にシリコン層１０７ｆｔ３０００Ａ成長し、次にポ
ロン７Ｊ−５Ｘ １０ ” ”ｃｉ ” イオン注入
し、Ｐ製不純物拡散層１０８を形成し、時には図示して
いないが高融点金属膜を被着しては高融点シリサイド層
ｔ−表面に形成する。
第１図（Ｃ）：仄に層間膜」０９を５０００＾成長し、
アルミニウム電極１１０によシ、ソース・ドレイン拡散
層とのコンタクトを取って完成する。
アルミニウム電極１１０によシ、ソース・ドレイン拡散
層とのコンタクトを取って完成する。
以上説明したように、本発明は、ソース・ドレイン拡散
層が、ゲート酸化膜面よりも上にあるため、ゲート電極
下への拡散層の拡がりか抑えられ、短チヤネル効果を起
こすことな（、また拡散層の層抵抗を増大させることな
く、ゲート電極長を短かくすることが出来る。したがっ
て、集積度の向上した。そして、信頼性の高い半導体装
置を得ることが出来る。
層が、ゲート酸化膜面よりも上にあるため、ゲート電極
下への拡散層の拡がりか抑えられ、短チヤネル効果を起
こすことな（、また拡散層の層抵抗を増大させることな
く、ゲート電極長を短かくすることが出来る。したがっ
て、集積度の向上した。そして、信頼性の高い半導体装
置を得ることが出来る。
第１図（ａＪ〜ＦＣｏｒｉこの発明の一実施例の断面図
であり、第２図は従来のＭＯ８Ｉ−ランジスタの断面図
である。 １０１・・・・・・Ｎ型シリコン基板、１０２・・・・
・・フィールド酸化膜、１０３・・・・・・ゲート酸化
膜、１０４・・・・・・ゲート′屯極、１０５・・・・
−・酸化膜、１０６・・・・・・ソース・ドレイン領域
、１０７・・・・・−シリコン層。 １０８・・・・・・Ｐ型不純拡散層、１０９・・・・・
・層間膜。 １１０・・・・・・アルミニウム電極、２０１・・・・
・−半導体基板、２０２・・・・・・フィールド酸化膜
、２０３・・・・・・ゲート酸化膜、２０４・・・・・
・ゲート電極、２０５・・・・・・ソース・ドレイン拡
散層、２０６・・・・・・層間膜、２０７・・・・・・
アルミニウム電極。 皿 ”・＼
であり、第２図は従来のＭＯ８Ｉ−ランジスタの断面図
である。 １０１・・・・・・Ｎ型シリコン基板、１０２・・・・
・・フィールド酸化膜、１０３・・・・・・ゲート酸化
膜、１０４・・・・・・ゲート′屯極、１０５・・・・
−・酸化膜、１０６・・・・・・ソース・ドレイン領域
、１０７・・・・・−シリコン層。 １０８・・・・・・Ｐ型不純拡散層、１０９・・・・・
・層間膜。 １１０・・・・・・アルミニウム電極、２０１・・・・
・−半導体基板、２０２・・・・・・フィールド酸化膜
、２０３・・・・・・ゲート酸化膜、２０４・・・・・
・ゲート電極、２０５・・・・・・ソース・ドレイン拡
散層、２０６・・・・・・層間膜、２０７・・・・・・
アルミニウム電極。 皿 ”・＼
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板上に形成されたゲート電極と、
ソース・ドレイン拡散層となる前記半導体基板に接して
ゲート酸化膜面より上部に形成された逆導電型の不純物
を添加した半導体層又は高融点金属シリサイド層とを有
することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60036885A JPS61196577A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60036885A JPS61196577A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61196577A true JPS61196577A (ja) | 1986-08-30 |
Family
ID=12482229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60036885A Pending JPS61196577A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61196577A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6291861B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-09-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for producing the same |
| US6825528B2 (en) | 2000-01-07 | 2004-11-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, method of manufacture thereof, and information processing device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58184765A (ja) * | 1982-04-23 | 1983-10-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59115562A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-04 | Toshiba Corp | Ｍｏｓｆｅｔの製造方法 |
-
1985
- 1985-02-26 JP JP60036885A patent/JPS61196577A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58184765A (ja) * | 1982-04-23 | 1983-10-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59115562A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-04 | Toshiba Corp | Ｍｏｓｆｅｔの製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6291861B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-09-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for producing the same |
| US6515340B2 (en) | 1998-06-30 | 2003-02-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| US6656799B2 (en) | 1998-06-30 | 2003-12-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing FET with source/drain region occupies a reduced area |
| US6825528B2 (en) | 2000-01-07 | 2004-11-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, method of manufacture thereof, and information processing device |
| US7176526B2 (en) | 2000-01-07 | 2007-02-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, method for producing the same, and information processing apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100854078B1 (ko) | 모스 게이트형 전력용 반도체소자 및 그 제조방법 | |
| JPH03157974A (ja) | 縦型電界効果トランジスタ | |
| JPS5827369A (ja) | 短チヤネル形電界効果トランジスタ | |
| JPH08213613A (ja) | たて型半導体素子およびその製造方法 | |
| JP2008060416A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61196577A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2808871B2 (ja) | Ｍｏｓ型半導体素子の製造方法 | |
| JPS6048111B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
| JP2000138370A (ja) | Ｍｏｓｆｅｔ | |
| JPH08167713A (ja) | 縦型ｍｏｓ半導体装置 | |
| JPH0346980B2 (ja) | ||
| JPH0740607B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPS63177566A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPS62248256A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5944784B2 (ja) | 相補型ｍｏｓ半導体装置 | |
| JPH04239137A (ja) | 縦型電界効果トランジスタ | |
| JPS62159468A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2004022555A (ja) | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPH03169080A (ja) | 電界効果型トランジスタ | |
| JPS5893276A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
| JPH07254707A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05183166A (ja) | Ｓｏｉ型半導装置および製造方法 | |
| JP3462255B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPS61187273A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62128180A (ja) | メサ型半導体装置の製造方法 |