JPS6211274A - ポリシリコン薄膜電界効果トランジスタ - Google Patents
ポリシリコン薄膜電界効果トランジスタInfo
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- JPS6211274A JPS6211274A JP15106685A JP15106685A JPS6211274A JP S6211274 A JPS6211274 A JP S6211274A JP 15106685 A JP15106685 A JP 15106685A JP 15106685 A JP15106685 A JP 15106685A JP S6211274 A JPS6211274 A JP S6211274A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、アモルファス・シリコン・イメージセンサや
液晶７１へリツクスディスプレイ等の駆動回路に用いる
ことができるポリシリコン薄膜電界効果トランジスタに
関するものである。
液晶７１へリツクスディスプレイ等の駆動回路に用いる
ことができるポリシリコン薄膜電界効果トランジスタに
関するものである。
従来の技術
近年、ポリシリコン薄膜電界効果トランジスタは、ア〔
ルファス・シリコン・イメージセンサや液晶マトリック
スディスプレイ等の駆動回路として多用されるようにな
ってきた。
ルファス・シリコン・イメージセンサや液晶マトリック
スディスプレイ等の駆動回路として多用されるようにな
ってきた。
このような従来のポリシリコン薄膜電界効果トランジス
タについて第２図を用いて説明する。第２図は従来のポ
リシリコン薄膜電界効果トランジスタの断面図で、１は
石英基板、２−は５１０２膜、３はアルミニウム電極、
４はゲート電極、５はｎ°形ポリシリコン層、６はｉ形
ポリシリコン層である。
タについて第２図を用いて説明する。第２図は従来のポ
リシリコン薄膜電界効果トランジスタの断面図で、１は
石英基板、２−は５１０２膜、３はアルミニウム電極、
４はゲート電極、５はｎ°形ポリシリコン層、６はｉ形
ポリシリコン層である。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記従来の構成では、チャンネル部がｉ
形ポリシリコン層６で構成されていても、ポリシリコン
ｔよ多くの粒界や不適当な不純物を含むために、フェル
ミ・レベルが真性位置より伝導帯側あるいは価電子帯側
にシフトするので、トランジスタがオフの時でも、約１
Ｏ−３Ａ／ａｄのリーク電流が流れるという問題点を有
していた。
形ポリシリコン層６で構成されていても、ポリシリコン
ｔよ多くの粒界や不適当な不純物を含むために、フェル
ミ・レベルが真性位置より伝導帯側あるいは価電子帯側
にシフトするので、トランジスタがオフの時でも、約１
Ｏ−３Ａ／ａｄのリーク電流が流れるという問題点を有
していた。
本発明は上記従来の問題点を解消するもので、オフ時の
リーク電流を低減することのできるポリシリコン薄膜電
界効果トランジスタを提供Ｊることを目的とする。
リーク電流を低減することのできるポリシリコン薄膜電
界効果トランジスタを提供Ｊることを目的とする。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するため、本発明のポリシリコン７ａ
膜電界効果トランジスタは、チャンネル部のポリシリコ
ン層に３族原子あるいは５族原子を添ｍ ｔ、、て真性
のポリシリコン層としたものである。
膜電界効果トランジスタは、チャンネル部のポリシリコ
ン層に３族原子あるいは５族原子を添ｍ ｔ、、て真性
のポリシリコン層としたものである。
作用
１記構成によれば、粒界や不適当な不純物によって真性
位置よりシフトしていたフェルミ・レベルが真性位置に
戻されるために、オフ時のリーク電流が低減されること
となる。
位置よりシフトしていたフェルミ・レベルが真性位置に
戻されるために、オフ時のリーク電流が低減されること
となる。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例におけるポリシリコン簿模雷
界効宋トランジスタの断面図で、第２図に示す構ｐｉ要
素と同一の構成要素には同一の符号を付している。第１
図において、１は石英基板、２は５ｉ０２膜、３はアル
ミニウム電極、４はゲート電極、５はｎ°形ポリシリコ
ン層、７は３族あるいは５族の原子を不純物として含ん
だポリシリコン層である。本実施例では、石英基板１上
に常圧ＣＶＤ法で厚さ２μｍの５ｉ０２模２を堆積し、
その、トに減圧ＣＶＤ払で厚さ０，５μｍのポリシリコ
ン層を成長させた。その後、光りソグラフィ技術とイオ
ン汀λ法とを用いて、チャンネル部のみに、ドーズＭＡ
２．０ｘｌＯｖ／Ｃｌｌ１のＰ゛イオン注入した。つ
づいて、ゲート酸化およびゲート電極用のポリシリコン
成長を行ない、そのポリシリコンにＰを拡散したあと、
光りソグラフィ技術とプラズマ・エツチングでゲート電
極４を形成し、イオン１１人法で１．ＯＸ １Ｇ” ／
ａｉのドーズ吊のＰ。
界効宋トランジスタの断面図で、第２図に示す構ｐｉ要
素と同一の構成要素には同一の符号を付している。第１
図において、１は石英基板、２は５ｉ０２膜、３はアル
ミニウム電極、４はゲート電極、５はｎ°形ポリシリコ
ン層、７は３族あるいは５族の原子を不純物として含ん
だポリシリコン層である。本実施例では、石英基板１上
に常圧ＣＶＤ法で厚さ２μｍの５ｉ０２模２を堆積し、
その、トに減圧ＣＶＤ払で厚さ０，５μｍのポリシリコ
ン層を成長させた。その後、光りソグラフィ技術とイオ
ン汀λ法とを用いて、チャンネル部のみに、ドーズＭＡ
２．０ｘｌＯｖ／Ｃｌｌ１のＰ゛イオン注入した。つ
づいて、ゲート酸化およびゲート電極用のポリシリコン
成長を行ない、そのポリシリコンにＰを拡散したあと、
光りソグラフィ技術とプラズマ・エツチングでゲート電
極４を形成し、イオン１１人法で１．ＯＸ １Ｇ” ／
ａｉのドーズ吊のＰ。
イオンを注入し、ｎ°形ポリシリコン層５を形成した。
さらに、イの上に常圧ＣＶＤ法で約１μｍの５ｉＯ２１
１１２を堆積し、コンタクト窓を開けたあと、アルミニ
ウム電極３を形成した。この結果、オフ時のリーク電流
は、従来の１Ｏ−３Ａ／ａＩから１Ｏ−４Ａ／ｄ以下に
低減され、−桁以上改善された。
１１２を堆積し、コンタクト窓を開けたあと、アルミニ
ウム電極３を形成した。この結果、オフ時のリーク電流
は、従来の１Ｏ−３Ａ／ａＩから１Ｏ−４Ａ／ｄ以下に
低減され、−桁以上改善された。
このように本実施例によれば、ポリシリコン薄膜電界５
１１＋東トランジスタのチャンネル部に３族あるいは５
Ｉｓの原子を不純物として含゛むポリシリコン層を設け
ることにより、粒界や不適当な不純物によってシフトし
ていたフェルミ・レベルが真性位置に戻されるので、３
７時のリーク電流を低減することができる。
１１＋東トランジスタのチャンネル部に３族あるいは５
Ｉｓの原子を不純物として含゛むポリシリコン層を設け
ることにより、粒界や不適当な不純物によってシフトし
ていたフェルミ・レベルが真性位置に戻されるので、３
７時のリーク電流を低減することができる。
発明の効果
以上述べたごとく本発明によれば、チャンネル部のポリ
シリコン層に３族原子もしくは５１１ｉ原子を不純物と
して添加し、粒界や他の不純物などによって真性位置か
らシフトしたフェルミ・レベルを真性位置に戻すことが
できるので、トランジスタのオフ時におけるリーク電流
を低減することができ、その工業的利用価値は極めて大
である。
シリコン層に３族原子もしくは５１１ｉ原子を不純物と
して添加し、粒界や他の不純物などによって真性位置か
らシフトしたフェルミ・レベルを真性位置に戻すことが
できるので、トランジスタのオフ時におけるリーク電流
を低減することができ、その工業的利用価値は極めて大
である。
第１図は本発明の一実施例におけるポリシリコン簿膜電
界効果トランジスタの断面図、第２図は従来のポリシリ
コン１鋭電界効果トランジスタの断面図である。 ７・・・３＆あるいは５族の原子を含有したポリシリコ
ン層 代理人 森 本 義 弘 第１図 第２図
界効果トランジスタの断面図、第２図は従来のポリシリ
コン１鋭電界効果トランジスタの断面図である。 ７・・・３＆あるいは５族の原子を含有したポリシリコ
ン層 代理人 森 本 義 弘 第１図 第２図
Claims (1)
- １、チャンネル部のポリシリコン層に３族原子あるいは
５族原子を添加して真性のポリシリコン層としたポリシ
リコン薄膜電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15106685A JPS6211274A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | ポリシリコン薄膜電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15106685A JPS6211274A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | ポリシリコン薄膜電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6211274A true JPS6211274A (ja) | 1987-01-20 |
Family
ID=15510556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15106685A Pending JPS6211274A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | ポリシリコン薄膜電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6211274A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6018181A (en) * | 1990-10-12 | 2000-01-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin film transistor and manufacturing method thereof |
| WO2014121007A2 (en) | 2013-02-01 | 2014-08-07 | 3M Innovative Properties Company | Coating compositions and articles made therefrom |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP15106685A patent/JPS6211274A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6018181A (en) * | 1990-10-12 | 2000-01-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin film transistor and manufacturing method thereof |
| WO2014121007A2 (en) | 2013-02-01 | 2014-08-07 | 3M Innovative Properties Company | Coating compositions and articles made therefrom |
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