JPS6193652A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPS6193652A JPS6193652A JP19588285A JP19588285A JPS6193652A JP S6193652 A JPS6193652 A JP S6193652A JP 19588285 A JP19588285 A JP 19588285A JP 19588285 A JP19588285 A JP 19588285A JP S6193652 A JPS6193652 A JP S6193652A
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- JP
- Japan
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- support plate
- resin
- semiconductor pellet
- resin body
- sealed
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は樹脂封止型半導体装置に関するもので、主とし
て樹脂封止型のトランジスタを対象とするものである。
て樹脂封止型のトランジスタを対象とするものである。
［背景技術］
樹脂封止型トランジスタは、金属支持板（ヘッダ）に半
導体ペレットが固定され、このベレン）の各電極と対応
するリード線間をワイヤで接続し、ヘッダの一部側面を
含むヘッダ上面で半導体ペレット及びワイヤが接続され
ているリード線先端部を包囲するように樹脂体で封止し
た構造を有している。
導体ペレットが固定され、このベレン）の各電極と対応
するリード線間をワイヤで接続し、ヘッダの一部側面を
含むヘッダ上面で半導体ペレット及びワイヤが接続され
ているリード線先端部を包囲するように樹脂体で封止し
た構造を有している。
しかし、上記構造のトランジスタにおいては、ヘッダと
封止樹脂体との開の熱膨張率の差によるストレスが半導
体ペレット及び細いワイヤに加わり、半導体ペレットの
破壊及びワイヤの断線が生じた。
封止樹脂体との開の熱膨張率の差によるストレスが半導
体ペレット及び細いワイヤに加わり、半導体ペレットの
破壊及びワイヤの断線が生じた。
なお、合ｒ＆樹脂の長手方向に生ずる大きな変位を減少
させるため、電極基板の長手方向の合成樹脂と対向接触
する両側面に突起部を設けた構造が特開昭５０−１０７
８６５号公報によって開示されている。
させるため、電極基板の長手方向の合成樹脂と対向接触
する両側面に突起部を設けた構造が特開昭５０−１０７
８６５号公報によって開示されている。
ところで、上記公報ｆＪＳ４図に開示された半導体装置
には半導体基板（ペレット）が電極基板（金属支持板）
のいかなる位置に存在するか全く開示されていない。し
かし、上記公報第１図、第２図においては半導体基板（
ペレット）の存在が図示されている。したがって、上記
公報第１図、第２図を参酌することによって、ここに添
付した図面の第１図に示すように半導体基板（ペレット
）４は突起部１０．１０’と一点鎖線で示した樹脂端面
７゛との間に位置するものと理解できよう。なお、第１
図においては１は金属支持板、５はリード線、７は樹脂
体を示す。
には半導体基板（ペレット）が電極基板（金属支持板）
のいかなる位置に存在するか全く開示されていない。し
かし、上記公報第１図、第２図においては半導体基板（
ペレット）の存在が図示されている。したがって、上記
公報第１図、第２図を参酌することによって、ここに添
付した図面の第１図に示すように半導体基板（ペレット
）４は突起部１０．１０’と一点鎖線で示した樹脂端面
７゛との間に位置するものと理解できよう。なお、第１
図においては１は金属支持板、５はリード線、７は樹脂
体を示す。
この第１図に示した半導体装置において、リード線５に
近傍している金属支持板１の側面部１ａ。
近傍している金属支持板１の側面部１ａ。
ｌｂｔ ｌｃ、ｌｄｙ ｌｅｔ ＩＬ Ｉｇを基
準として矢印Ａのようにそれら側面部に向ってＵ（薄体
の収縮が起こるわけであるが、突起部１０．１０’は半
導体基板（ペレット）４に比べてさらに樹Ｂ″ｆｔ端面
７゛より離間されて位置しているため、その突起部１０
．１０°によって樹脂体の収縮（矢印Ａ）によるペレッ
トへのストレス緩和をはなすことは無理である。したが
って、ｆｊＳ１図に示した半導体装置の構造では半導体
ペレットの破損（カケ、クラック）および半導体ペレッ
ト主面上に位置したワイヤ（図示せず）の断線を防止す
ることはできないものである。
準として矢印Ａのようにそれら側面部に向ってＵ（薄体
の収縮が起こるわけであるが、突起部１０．１０’は半
導体基板（ペレット）４に比べてさらに樹Ｂ″ｆｔ端面
７゛より離間されて位置しているため、その突起部１０
．１０°によって樹脂体の収縮（矢印Ａ）によるペレッ
トへのストレス緩和をはなすことは無理である。したが
って、ｆｊＳ１図に示した半導体装置の構造では半導体
ペレットの破損（カケ、クラック）および半導体ペレッ
ト主面上に位置したワイヤ（図示せず）の断線を防止す
ることはできないものである。
［発明の目的］
本発明の目的は金属支持板（ヘッダ）と樹脂体との間の
熱膨張率の差に起因する半導体ベレ・ノドの破壊及びワ
イヤの断線を確実に防止することにある。
熱膨張率の差に起因する半導体ベレ・ノドの破壊及びワ
イヤの断線を確実に防止することにある。
［発明の概要］
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体ペレ−７）支持板に半導体ペレットが固定され、該
ペレットの電極と対応するリード線間がワイヤで接続さ
れ、支持板上で半導体ペレット、ワイヤ及びリード線内
端部を包囲するように樹脂体で封止しである樹脂封止型
半導体装置において、上記支持板には、半導体ペレット
及びワイヤを包囲している近傍の樹脂を拘束する切込部
が設けられているものであって、特にその切込部は支持
板の対向する両側面部分にあり、露出する主面一部分と
半導体ペレットとの間に位置して互いに向い合って設け
られている。以下本発明を具体的に説明する。
導体ペレ−７）支持板に半導体ペレットが固定され、該
ペレットの電極と対応するリード線間がワイヤで接続さ
れ、支持板上で半導体ペレット、ワイヤ及びリード線内
端部を包囲するように樹脂体で封止しである樹脂封止型
半導体装置において、上記支持板には、半導体ペレット
及びワイヤを包囲している近傍の樹脂を拘束する切込部
が設けられているものであって、特にその切込部は支持
板の対向する両側面部分にあり、露出する主面一部分と
半導体ペレットとの間に位置して互いに向い合って設け
られている。以下本発明を具体的に説明する。
［実施例］
第２図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例を示すもの
で、パワートランジスタに適用したものである。
で、パワートランジスタに適用したものである。
第２図（ａ）はパワートランジスタの斜視図そして第２
図（ｂ）は＄２図（ａ）に示したパワートランジスタを
裏面側よりみた平面図である。
図（ｂ）は＄２図（ａ）に示したパワートランジスタを
裏面側よりみた平面図である。
第２図（ａ）において、１は放熱性のよい金属、例えば
Ｃｕ板からなる金属支持板（ヘッダ）である。
Ｃｕ板からなる金属支持板（ヘッダ）である。
この支持板１の一端に矩形状切欠部３がある。そして、
支持板１の一生面には半導体ペレット４が半田等を介し
て固定されている。破線で示した部分は樹脂体７で封止
する部分を示すものである。
支持板１の一生面には半導体ペレット４が半田等を介し
て固定されている。破線で示した部分は樹脂体７で封止
する部分を示すものである。
この樹脂体７はｒｊＳ２図（ｂ）からも明らかなように
、ヘッダのリード導出側面部１０ｃを被覆するとともに
その側面部１０ｃにとなり合って互いに対向する側面部
分１０ａ、１０ｂを被覆している。
、ヘッダのリード導出側面部１０ｃを被覆するとともに
その側面部１０ｃにとなり合って互いに対向する側面部
分１０ａ、１０ｂを被覆している。
なお、第２図（ｂ）において、５はトランジスタのリー
ド線で、エミッタリード線、コレクタリード線、ベース
リード線からなる。第２図（、）においてはこれらリー
ド線の図示は省略しである６本実施例によれば、第２図
（ａ）、 （ｂ）に示したように湾曲切込部８ａ、８ｂ
が、それぞれ金属支持板１の両側面部分１０ａ、１０ｂ
であって、かつ露出する金属支持板−主面部分１ａと半
導体ペレット４との間に位置して互いに向き合って設け
られている。そして、これら切込部８ａ、８ｂには樹脂
体７が封じ込まれている。
ド線で、エミッタリード線、コレクタリード線、ベース
リード線からなる。第２図（、）においてはこれらリー
ド線の図示は省略しである６本実施例によれば、第２図
（ａ）、 （ｂ）に示したように湾曲切込部８ａ、８ｂ
が、それぞれ金属支持板１の両側面部分１０ａ、１０ｂ
であって、かつ露出する金属支持板−主面部分１ａと半
導体ペレット４との間に位置して互いに向き合って設け
られている。そして、これら切込部８ａ、８ｂには樹脂
体７が封じ込まれている。
［効果］
第２図（ａ）、 （ｂ）に示した本発明の実施例によれ
ば、以下の効果をもたらす。
ば、以下の効果をもたらす。
側面１０ａ、 １０ｂ、 １０ｃは樹脂体によって
被覆されている。そのため、これら側面が樹脂体のすべ
り変位のストッパーの役目をはたす。一方、樹脂が支持
板の側面を覆っておらず支持板の主面（１ａ）上におい
て終端している部分７′においては、矢印で示したよう
な樹脂と支持板との熱膨張係数差により最もすべり変位
をおこしやすい。しがし、本実施例によれば、切込部８
ａ、８ｂは支持板１の対向する両側面部分にあたり、露
出する主面一部分と半導体ペレットとの間に位置して互
いに向き合って設けられている。そして、御薄体７の一
部が切込部８ａ、８ｂ内に封し込まれている。このため
、切込部内において樹脂が拘束されることになる。すな
わち、樹脂と支持板との熱膨張係数差によるすベリ変位
（矢印Ａ）は半導体ペレット４の手前の切込部内の壁８
ａ“、８ｂ゛によりおさえられることになる。したがっ
て、支持板主面（１ａ）上にある半導体ペレット４へは
ストレスが加わることがなくなり、半導体ペレットの破
壊（カケ、クラック）及び半導体ペレット主面上に位置
したワイヤの断線を防止することができる。
被覆されている。そのため、これら側面が樹脂体のすべ
り変位のストッパーの役目をはたす。一方、樹脂が支持
板の側面を覆っておらず支持板の主面（１ａ）上におい
て終端している部分７′においては、矢印で示したよう
な樹脂と支持板との熱膨張係数差により最もすべり変位
をおこしやすい。しがし、本実施例によれば、切込部８
ａ、８ｂは支持板１の対向する両側面部分にあたり、露
出する主面一部分と半導体ペレットとの間に位置して互
いに向き合って設けられている。そして、御薄体７の一
部が切込部８ａ、８ｂ内に封し込まれている。このため
、切込部内において樹脂が拘束されることになる。すな
わち、樹脂と支持板との熱膨張係数差によるすベリ変位
（矢印Ａ）は半導体ペレット４の手前の切込部内の壁８
ａ“、８ｂ゛によりおさえられることになる。したがっ
て、支持板主面（１ａ）上にある半導体ペレット４へは
ストレスが加わることがなくなり、半導体ペレットの破
壊（カケ、クラック）及び半導体ペレット主面上に位置
したワイヤの断線を防止することができる。
また、本実施例によれば、耐湿性向上にも極めて有効で
ある。すなわち、支持板主面（１ａ）での樹脂終端部分
Ａは樹脂剥離の問題をひき起しやすい。このため、支持
板主面（１ａ）と樹脂との界面から半導体ペレットに向
って水分か侵入し、耐湿性劣化の原因となる。しかし、
本実施例によれば、支持板の露出主面近傍において切込
部８ａ、８ｂが設けられ、その切込部８ａ、８ｂ内に樹
脂体７の一部が封し込まれている。したがって、樹脂の
剥離が生じにくくなり、耐湿性向上を計ることができる
。
ある。すなわち、支持板主面（１ａ）での樹脂終端部分
Ａは樹脂剥離の問題をひき起しやすい。このため、支持
板主面（１ａ）と樹脂との界面から半導体ペレットに向
って水分か侵入し、耐湿性劣化の原因となる。しかし、
本実施例によれば、支持板の露出主面近傍において切込
部８ａ、８ｂが設けられ、その切込部８ａ、８ｂ内に樹
脂体７の一部が封し込まれている。したがって、樹脂の
剥離が生じにくくなり、耐湿性向上を計ることができる
。
［利用分野］
上記実施例はパワートランジスタに適用した場合を説明
したが、これに限定されるものでなく、本発明は樹脂封
止型半導体装置に比較し、金属支持板と樹脂体との開の
熱膨張率の差に起因する半導体ペレットの破壊及びワイ
ヤ断線に顕著な効果を発揮するものである。
したが、これに限定されるものでなく、本発明は樹脂封
止型半導体装置に比較し、金属支持板と樹脂体との開の
熱膨張率の差に起因する半導体ペレットの破壊及びワイ
ヤ断線に顕著な効果を発揮するものである。
第１図は従来の半導体装置の平面図を示す。第２図（ａ
）、 （ｂ）は本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体
装置であり、第２図（、）は要部斜視図、第２図（ｂ）
は平面図を示す。 １・・金属支持板、３・・矩形状切込部、４・・半導体
ペレット、５・・リード線、７・・樹脂体、８ａ、８ｂ
・・湾曲状切込部。 第１図
）、 （ｂ）は本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体
装置であり、第２図（、）は要部斜視図、第２図（ｂ）
は平面図を示す。 １・・金属支持板、３・・矩形状切込部、４・・半導体
ペレット、５・・リード線、７・・樹脂体、８ａ、８ｂ
・・湾曲状切込部。 第１図
Claims (1)
- 金属支持板の一主面に半導体ペレットが固定され、該ペ
レットに設けられた電極とその電極に対応するリードと
がワイヤで接続され、該半導体ペレット、ワイヤ及びリ
ードの一部を包囲し、前記主面の一部及び反対主面を露
出するように樹脂体で封止した樹脂封止型半導体装置で
あって、上記リード導出側の金属支持板の側面部分とそ
の側面部分にとなり合って互いに対向する側面部分とが
上記樹脂体で被覆され、かつ上記金属支持板には上記露
出する主面一部分と半導体ペレットとの間に位置して上
記対向する両側面部分より互いに向い合う切込部が形成
され、そしてこれら切込部に前記樹脂体が封じ込まれて
いることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19588285A JPS6193652A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19588285A JPS6193652A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59186307A Division JPS60105257A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6193652A true JPS6193652A (ja) | 1986-05-12 |
| JPS63950B2 JPS63950B2 (ja) | 1988-01-09 |
Family
ID=16348553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19588285A Granted JPS6193652A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6193652A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5514913A (en) * | 1991-12-05 | 1996-05-07 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Net Mezzogiorno | Resin-encapsulated semiconductor device having improved adhesion |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4726210B2 (ja) * | 2005-08-19 | 2011-07-20 | 日本インター株式会社 | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-09-06 JP JP19588285A patent/JPS6193652A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5514913A (en) * | 1991-12-05 | 1996-05-07 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Net Mezzogiorno | Resin-encapsulated semiconductor device having improved adhesion |
| US5766985A (en) * | 1991-12-05 | 1998-06-16 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | Process for encapsulating a semiconductor device having a heat sink |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63950B2 (ja) | 1988-01-09 |
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