JPS63950B2 - - Google Patents

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JPS63950B2
JPS63950B2 JP19588285A JP19588285A JPS63950B2 JP S63950 B2 JPS63950 B2 JP S63950B2 JP 19588285 A JP19588285 A JP 19588285A JP 19588285 A JP19588285 A JP 19588285A JP S63950 B2 JPS63950 B2 JP S63950B2
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JP
Japan
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support plate
resin body
resin
lead
semiconductor
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JP19588285A
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JPS6193652A (ja
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Masao Yamaguchi
Joga Imai
Kazuo Kanbayashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6193652A publication Critical patent/JPS6193652A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野] 本発明は樹脂封止型半導体装置に関するもの
で、主として樹脂封止型のトランジスタを対象と
するものである。
[背景技術] 樹脂封止型トランジスタは、金属支持板(ヘツ
ダ)に半導体ペレツトが固定され、このペレツト
の各電極と対応するリード線間をワイヤで接続
し、ヘツダの一部側面を含むヘツダ上面で半導体
ペレツト及びワイヤが接続されているリード線先
端部を包囲するように樹脂体で封止した構造を有
している。
しかし、上記構造のトランジスタにおいては、
ヘツダと封止樹脂体との間の熱膨張率の差による
ストレスが半導体ペレツト及び細いワイヤに加わ
り、半導体ペレツトの破壊及びワイヤの断線が生
じた。
なお、合成樹脂の長手方向に生ずる大きな変位
を減少させるため、電極基板の長手方向の合成樹
脂と対向接触する両側面に突起部を設けた構造が
特開昭50−107865号公報によつて開示されてい
る。
ところで、上記公報第4図に開示された半導体
装置には半導体基板(ペレツト)が電極基板(金
属支持板)のいかなる位置に存在するか全く開示
されていない。しかし、上記公報第1図、第2図
においては半導体基板(ペレツト)の存在が図示
されている。したがつて、上記公報第1図、第2
図を参酌することによつて、ここに添付した図面
の第1図に示すように半導体基板(ペレツト)4
は突起部10,10′と一点鎖線で示した樹脂端
面7′との間に位置するものと理解できよう。な
お、第1図においては1は金属支持板、5はリー
ド線、7は樹脂体を示す。
この第1図に示した半導体装置において、リー
ド線5に近傍している金属支持板1の側面部1
a,1b,1c,1d,1e,1f,1gを基準
として矢印Aのようにそれら側面部に向つて樹脂
体の収縮が起こるわけであるが、突起部10,1
0′は半導体基板(ペレツト)4に比べてさらに
樹脂端面7′より離間されて位置しているため、
その突起部10,10′によつて樹脂体の収縮
(矢印A)によるペレツトへのストレス緩和をは
たすことは無理である。したがつて、第1図に示
した半導体装置の構造では半導体ペレツトの破損
(カケ、クラツク)および半導体ペレツト主面上
に位置したワイヤ(図示せず)の断線を防止する
ことはできないものである。
[発明の目的] 本発明の目的は金属支持板(ヘツダ)と樹脂体
との間の熱膨張率の差に起因する半導体ペレツト
の破壊及びワイヤの断線を確実に防止することに
ある。
[発明の概要] 上記目的を達成するための本発明の基本的な構
成は、互いに対向する第一、第二主面を有する金
属支持板と、一端が該第一主面に近接し、他端が
その主面から離れるように延在してなる複数リー
ドと、そのリードの一端に近接して上記第一主面
に固定された主面に電極を有する半導体ペレツト
と、その電極とリード一端とを電気的に接続する
ワイヤと、上記第二主面と上記第一主面の一部で
あつてそのリード導出側とは反対側の一部とを露
出するように、半導体ペレツト、ワイヤ、リード
の一部および上記リード導出側の金属支持板の側
面部分とその側面部分に隣合つて互いに対向する
側面一部分とを封止してなる樹脂体と、より成
り、しかも上記金属支持板の対向する両側面部分
には、上記半導体ペレツトよりも樹脂体と樹脂体
より露出する第一主面との境界線に近接した位置
において互いに向い合う切込部が設けられ、これ
ら切込部に上記樹脂体が封じ込まていることにあ
る。
以下、本発明を具体的に説明する。
[実施例] 第2図a,bは本発明の一実施例を示すもの
で、パワートランジスタに適用したものである。
第2図aはパワートランジスタの斜視図そして第
2図bは第2図aに示したパワートランジスタを
裏面側よりみた平面図である。
第2図aにおいて、1は放熱性のよい金属、例
えばCu板からなる金属支持板(ヘツダ)である。
この支持板1の一端に矩形状切欠部3がある。そ
して、支持板1の一主面には半導体ペレツト4が
半田等を介して固定されている。破線で示した部
分は樹脂体7で封止する部分を示すものである。
この樹脂体7は第2図bからも明らかなように、
ヘツダのリード導出側面部10cを被覆するとと
もにその側面部10cにとなり合つて互いに対向
する側面部分10a,10bを被覆している。
なお、第2図bにおいて、5はトランジスタの
リード線で、エミツタリード線、コレクタリード
線、ベースリード線からなる。第2図aにおいて
はこれらリード線の図示は省略してある。
本実施例によれば、第2図a,bに示したよう
に湾曲切込部8a,8bが、それぞれ金属支持板
1の両側面部分10a,10bであつて、かつ露
出する金属支持板一主面部分1aと半導体ペレツ
ト4との間に位置して互いに向き合つて設けられ
ている。そして、これら切込部8a,8bには樹
脂体7が封じ込まれている。
[効果] 第2図a,bに示した本発明の実施例によれ
ば、以下の効果をもたらす。
側面10a,10b,10cは樹脂体によつて
被覆されている。そのため、これら側面が樹脂体
のすべり変位のストツパーの役目をはたす。一
方、樹脂が支持板の側面を覆つておらず、単に支
持板の主面1a上にのつた形態で被覆されている
にとどまる部分、つまり樹脂体と露出する支持板
の主面との境界線部分(終端している部分7′)
においては、樹脂の熱収縮歪が起こりやすく、矢
印で示したような樹脂と支持板との熱膨張係数差
により最もすべり変位をおこしやすい。しかし、
本実施例によれば、切込部8a,8bは支持板1
の対向する両側面部分にあたり、露出する主面一
部分と半導体ペレツトとの間に位置して互いに向
き合つて設けられている。そして、樹脂体7の一
部が切込部8a,8b内に封じ込まれている。こ
のため、切込部内において樹脂が拘束されること
になる。すなわち、樹脂と支持板との熱膨張係数
差によるすべり変位(矢印A)は半導体ペレツト
4の手前の切込部内の壁8a′,8b′によりおさえ
られることになる。特に、この切込部内の壁8
a′,8b′は、半導体ペレツトから充分離間し、露
出する主面部分に近接して位置しているために、
切込部8a,8b間において樹脂終端部分7′か
ら半導体ペレツト4へ向つてのすべり変位が生じ
ようとしても半導体ペレツト4へまではストレス
が加わることなくその壁8a′,8b′で阻止するこ
とができる。したがつて、支持板主面1a上にあ
る半導体ペレツト4へはストレスが加わることが
なくなり、半導体ペレツトの破壊(カケ、クラツ
ク)及び半導体ペレツト主面上に位置したワイヤ
の断線を防止することができる。
また、本実施例によれば、耐湿性向上にも極め
て有効である。すなわち、支持板主面1aでの樹
脂終端部分Aは樹脂剥離の問題をひき起しやす
い。このため、支持板主面1aと樹脂との界面か
ら半導体ペレツトに向つて水分が侵入し、耐湿性
劣化の原因となる。しかし、本実施例によれば、
支持板の露出主面近傍において切込部8a,8b
が設けられ、その切込部8a,8bに樹脂体7の
一部が封じ込まれている。したがつて、樹脂の剥
離が生じにくくなり、耐湿性向上を計ることがで
きる。
[利用分野] 上記実施例はパワートランジスタに適用した場
合を説明したが、これに限定されるものでなく、
本発明は樹脂封止型半導体装置に比較し、金属支
持板と樹脂体との間の熱膨張率の差に起因する半
導体ペレツトの破壊及びワイヤ断線に顕著な効果
を発揮するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の半導体装置の平面図を示す。第
2図a,bは本発明の実施例を示す樹脂封止型半
導体装置であり、第2図aは要部斜視図、第2図
bは平面図を示す。 1…金属支持板、3…矩形状切込部、4…半導
体ペレツト、5…リード線、7…樹脂体、8a,
8b…湾曲状切込部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 互いに対向する第一、第二主面を有する金属
    支持板と、 一端が該第一主面に近接し、他端がその主面か
    ら離れるように延在してなる複数リードと、 そのリードの一端に近接して上記第一主面に固
    定された主面に電極を有する半導体ペレツトと、 その電極とリード一端とを電気的に接続するワ
    イヤと、 上記第二主面と上記第一主面の一部であつてそ
    のリード導出側とは反対側の一部とを露出するよ
    うに、半導体ペレツト、ワイヤ、リードの一部お
    よび上記リード導出側の金属支持板の側面部分と
    その側面部分に隣合つて互いに対向する側面一部
    分とを封止してなる樹脂体と、 より成り、しかも上記金属支持板の対向する両側
    面部分には、上記半導体ペレツトよりも樹脂体と
    樹脂体より露出する第一主面との境界線に近接し
    た位置において互いに向い合う切込部が設けら
    れ、これら切欠部に上記樹脂体が封じ込まている
    ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
JP19588285A 1985-09-06 1985-09-06 樹脂封止型半導体装置 Granted JPS6193652A (ja)

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JP4726210B2 (ja) * 2005-08-19 2011-07-20 日本インター株式会社 半導体装置

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