JP4726210B2

JP4726210B2 - 半導体装置

Info

Publication number: JP4726210B2
Application number: JP2005238191A
Authority: JP
Inventors: 紀行田中; 直樹岩政
Original assignee: 日本インター株式会社
Priority date: 2005-08-19
Filing date: 2005-08-19
Publication date: 2011-07-20
Anticipated expiration: 2025-08-19
Also published as: JP2007053275A

Description

本発明は、半導体素子の下面と第１外部端子とを接続し、半導体素子の上面と第２外部端子とを内部端子を介して接続し、半導体素子と内部端子と第１外部端子の一部と第２外部端子の一部とを樹脂によって封止した例えば面実装型半導体装置のような薄型の半導体装置に関する。

特には、本発明は、第１外部端子と樹脂との密着性を高め、第１外部端子から樹脂が剥離してしまうおそれを低減することができる半導体装置に関する。

従来から、半田層を介して半導体チップの下面と第１リードとを接続し、半導体チップの上面と第２リードとをコネクタおよび半田層を介して接続し、半導体チップとコネクタと第１リードの一部と第２リードの一部とを樹脂によって封止し、第１リードの下面と第２リードの下面と樹脂の下面とを同一平面上に配置し、第１リードの下面を第１リードの上面より小さくし、凸部と凹部とを備えた段差を第１リードの側面に形成した半導体素子（半導体装置）が知られている。この種の半導体素子（半導体装置）の例としては、例えば特開２００３−１３３４９７号公報に記載されたものがある。

特開２００３−１３３４９７号公報に記載された半導体素子（半導体装置）では、第１リードの側面の一部が押圧されて潰され、第１リードの側面の一部に段差が形成されている。つまり、特開２００３−１３３４９７号公報に記載された半導体素子（半導体装置）では、第１リードの側面の一部が潰されて階段状または楔状に変形せしめられ、第１リードと樹脂との接触面積が増大せしめられている。それにより、第１リードの側面と樹脂との密着性が高められている。

ところが、特開２００３−１３３４９７号公報に記載された半導体素子（半導体装置）では、第１リードの側面のうち、第２リード側の第１リードの側面に、段差が形成されていない。そのため、特開２００３−１３３４９７号公報に記載された半導体素子（半導体装置）では、第２リード側の第１リードの側面と樹脂との密着性が低く、その結果、第２リード側の第１リードの側面から樹脂が剥離してしまうおそれがある。

この点を検証するために、本発明者等は、特開２００３−１３３４９７号公報に記載された半導体素子（半導体装置）が樹脂成形用金型からエジェクタピンによって突き出される状況を想定してシミュレーションを行った。その結果、特開２００３−１３３４９７号公報に記載された半導体素子（半導体装置）では、上述したように、第２リード側の第１リードの側面と樹脂との密着性が低いにもかかわらず、第２リード側の第１リードの側面の両端部と接する樹脂に応力が集中した。

つまり、特開２００３−１３３４９７号公報に記載された半導体素子（半導体装置）では、上述したように、第２リード側の第１リードの側面と樹脂との密着性が低いにもかかわらず、第２リード側の第１リードの側面の両端部と接する樹脂に応力が集中してしまうため、第２リード側の第１リードの側面から樹脂が剥離してしまうおそれがある。それゆえ、特開２００３−１３３４９７号公報に記載された半導体素子（半導体装置）では、第２リード側の第１リードの側面に対して樹脂が移動してしまうのに伴って、樹脂および半導チップに応力が集中してしまうおそれがある。

特開２００３−１３３４９７号公報

前記問題点に鑑み、本発明は、第１外部端子と樹脂との密着性を高め、第１外部端子から樹脂が剥離してしまうおそれを低減することができる半導体装置を提供することを目的とする。

詳細には、本発明は、第１外部端子に対して樹脂が移動してしまうのに伴って、樹脂および半導体素子に応力が集中してしまうのを抑制することができる半導体装置を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明によれば、半導体素子の下面と第１外部端子とを接続し、前記半導体素子の上面と第２外部端子とを内部端子を介して接続し、前記半導体素子と前記内部端子と前記第１外部端子の一部と前記第２外部端子の一部とを樹脂によって封止し、前記第１外部端子の下面と前記第２外部端子の下面と前記樹脂の下面とを同一平面上に配置し、前記第１外部端子の下面を前記第１外部端子の上面より小さくし、凸部と凹部とを備えた段差を前記第１外部端子の側面に形成した半導体装置において、
第２外部端子側の第１外部端子の側面の段差の凸部上に更なる突出部を部分的に形成し、
第２外部端子側の第１外部端子の側面の段差の凸部上のうち、前記更なる突出部が形成されていない部分と、第１外部端子側の第２外部端子の側面とが対向し、前記更なる突出部と、第１外部端子側の第２外部端子の側面とが対向しないように、前記更なる突出部を配置したことを特徴とする半導体装置が提供される。

請求項２に記載の発明によれば、前記更なる突出部が形成されていない部分を、２つの更なる突出部の間に配置したことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置が提供される。

請求項３に記載の発明によれば、前記更なる突出部が形成されていない部分の幅を、第１外部端子側の第２外部端子の側面の幅より大きくしたことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置が提供される。

請求項１に記載の半導体装置では、第１外部端子の下面と第２外部端子の下面とが同一平面上に配置されている。そのため、第１外部端子の下面と第２外部端子の下面とが異なる平面上に配置されている場合よりも、半導体装置全体を薄型にすることができる。

更に、請求項１に記載の半導体装置では、第１外部端子の下面と樹脂の下面とが同一平面上に配置されている。つまり、第１外部端子の下面が樹脂の外側に露出せしめられている。そのため、第１外部端子の下面が樹脂によって封止されている場合よりも、半導体素子が発生した熱を第１外部端子の下面を介して外部に容易に拡散させることができる。つまり、第１外部端子の下面が樹脂によって封止されている場合よりも放熱性を向上させることができる。更に、第１外部端子の下面が樹脂によって封止されている場合よりも、半導体装置全体を薄型にすることができる。

また、請求項１に記載の半導体装置では、樹脂による封止が行われた後にフォーミング加工が行われていないため、半導体素子に機械ストレスが付与されるのに伴って半導体素子にクラックが発生してしまうのを回避することができる。

更に、請求項１に記載の半導体装置では、第１外部端子の下面が第１外部端子の上面より小さくされ、凸部と凹部とを備えた段差が第１外部端子の側面に形成されている。つまり、第１外部端子の下面の大きさと第１外部端子の上面の大きさとが等しくされ、第１外部端子の側面に段差が形成されていない場合よりも、第１外部端子と樹脂との密着性が高められている。そのため、第１外部端子から樹脂が剥離してしまうおそれを低減することができる。

また、請求項１に記載の半導体装置では、第２外部端子側の第１外部端子の側面の段差の凸部上に更なる突出部が部分的に形成されている。つまり、更なる突出部が形成されていない場合よりも、更なる突出部の表面積の分だけ第１外部端子と樹脂との接触面積が増加せしめられている。そのため、更なる突出部が形成されていない場合よりも、第１外部端子と樹脂との密着性を高めることができる。その結果、更なる突出部が形成されていない場合よりも、第１外部端子から樹脂が剥離してしまうおそれを低減することができる。それにより、第１外部端子に対して樹脂が移動してしまうのに伴って、樹脂および半導体素子に応力が集中してしまうのを抑制することができる。

請求項１及び２に記載の半導体装置では、第２外部端子側の第１外部端子の側面の段差の凸部上のうち、更なる突出部が形成されていない部分と、第１外部端子側の第２外部端子の側面とが対向し、更なる突出部と、第１外部端子側の第２外部端子の側面とが対向しないように、更なる突出部が配置されている。好ましくは、更なる突出部が形成されていない部分が、２つの更なる突出部の間に配置されている。そのため、更なる突出部と第１外部端子側の第２外部端子の側面とが対向するように更なる突出部が配置されるのに伴って、半導体装置全体が大型化してしまうのを回避することができる。

請求項３に記載の半導体装置では、更なる突出部が形成されていない部分の幅が、第１外部端子側の第２外部端子の側面の幅より大きくされている。換言すれば、更なる突出部が形成されない部分の両側に配置された更なる突出部と、第２外部端子との間に、抜きしろに相当する隙間が配置されている。そのため、第１外部端子と第２外部端子とをプレス加工によって単一のリードフレームから形成することができる。つまり、更なる突出部が形成されていない部分の幅が、第１外部端子側の第２外部端子の側面の幅と同一にされるか、あるいは、第１外部端子側の第２外部端子の側面の幅より小さくされるのに伴って、第１外部端子と第２外部端子とをプレス加工によって単一のリードフレームから形成しづらくなってしまうのを回避することができる。

以下、本発明の半導体装置の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の半導体装置を示した図である。詳細には、図１（Ａ）は第１の実施形態の半導体装置の平面図、図１（Ｂ）は第１の実施形態の半導体装置の正面図、図１（Ｃ）は第１の実施形態の半導体装置の底面図、図１（Ｄ）は第１の実施形態の半導体装置の斜視図である。

図２は第１の実施形態の半導体装置の内部構造を明らかにするために図１に示した第１の実施形態の半導体装置から樹脂５を取り除いた状態を示した図である。詳細には、図２（Ａ）は図１（Ａ）に示した第１の実施形態の半導体装置から樹脂５を取り除いた状態を示した図、図２（Ｂ）は図１（Ｂ）に示した第１の実施形態の半導体装置から樹脂５を取り除いた状態を示した図、図２（Ｃ）は図１（Ｃ）に示した第１の実施形態の半導体装置から樹脂５を取り除いた状態を示した図、図２（Ｄ）は図１（Ｄ）に示した第１の実施形態の半導体装置から樹脂５を取り除いた状態を示した図である。

第１の実施形態の半導体装置の製造時には、図１および図２に示すように、まず最初に、例えば、リードフレーム（図示せず）と一体化せしめられている第１外部端子２の上面と、半導体素子１の下面とが、例えば半田、導電性接着剤などの接合材（図示せず）によって接続される。また、リードフレーム（図示せず）と一体化せしめられている第２外部端子３の上面と、半導体素子１の上面とが、内部端子４および例えば半田、導電性接着剤などの接合材（図示せず）によって接続される。

次いで、第１外部端子２の下面と、第２外部端子３の下面と、樹脂５の下面とが同一平面上に位置するように、半導体素子１と、内部端子４と、第１外部端子２の一部と、第２外部端子３の一部とが、樹脂５によって封止される。次いで、第１外部端子２および第２外部端子３がリードフレーム（図示せず）から切断され、図１に示した状態の第１の実施形態の半導体装置が得られる。

図３は図１および図２に示した第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２を詳細に示した図である。詳細には、図３（Ａ）は第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２などの平面図、図３（Ｂ）は第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２の正面図、図３（Ｃ）は第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２の底面図、図３（Ｄ）は第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２の右側面図である。

図３において、２ａは第２外部端子３側（図２（Ｂ）および図３（Ｂ）の右側）の第１外部端子２の側面を示している。第１外部端子２の側面２ａには、凸部２ａ１および凹部２ａ２が形成され、それらによって段差が形成されている。つまり、第１の実施形態の半導体装置では、第１外部端子２の側面２ａに凸部２ａ１および凹部２ａ２が形成され、第１外部端子２の側面２ａと樹脂５との接触面積が増加せしめられている。その結果、第１外部端子２の側面２ａと樹脂５との密着性が高められ、第１外部端子２の側面２ａから樹脂５が剥離してしまうおそれが低減せしめられている。

更に、第１の実施形態の半導体装置では、図３に示すように、第１外部端子２の側面２ａの凸部２ａ１上に更なる突出部２ａ１ａ，２ａ１ｂが形成されている。つまり、第１外部端子２の側面２ａの凸部２ａ１が、更なる突出部２ａ１ａ，２ａ１ｂと、更なる突出部が形成されていない部分２ａ１ｃとによって構成されている。そのため、第１の実施形態の半導体装置では、更なる突出部２ａ１ａ，２ａ１ｂによって、第１外部端子２の側面２ａと樹脂５との接触面積が更に増加せしめられている。その結果、第１外部端子２の側面２ａと樹脂５との密着性が更に高められ、第１外部端子２の側面２ａから樹脂５が剥離してしまうおそれが更に低減せしめられている。

また、図３において、２ｂは手前側（図３（Ａ）の下側、図３（Ｂ）の手前側）の第１外部端子２の側面を示している。第１外部端子２の側面２ｂには、凸部２ｂ１および凹部２ｂ２が形成され、それらによって段差が形成されている。つまり、第１の実施形態の半導体装置では、第１外部端子２の側面２ｂに凸部２ｂ１および凹部２ｂ２が形成され、第１外部端子２の側面２ｂと樹脂５との接触面積が増加せしめられている。その結果、第１外部端子２の側面２ｂと樹脂５との密着性が高められ、第１外部端子２の側面２ｂから樹脂５が剥離してしまうおそれが低減せしめられている。

更に、図３において、２ｃは奥側（図３（Ａ）の上側、図３（Ｃ）の下側）の第１外部端子２の側面を示している。第１外部端子２の側面２ｃには、凸部２ｃ１および凹部２ｃ２が形成され、それらによって段差が形成されている。つまり、第１の実施形態の半導体装置では、第１外部端子２の側面２ｃに凸部２ｃ１および凹部２ｃ２が形成され、第１外部端子２の側面２ｃと樹脂５との接触面積が増加せしめられている。その結果、第１外部端子２の側面２ｃと樹脂５との密着性が高められ、第１外部端子２の側面２ｃから樹脂５が剥離してしまうおそれが低減せしめられている。

また、図３において、３ａは第１外部端子２の側（図３（Ａ）の左側）の第２外部端子３の側面を示している。

図３に示すように、第１の実施形態の半導体装置では、第１外部端子２の側面２ａに凸部２ａ１と凹部２ａ２とが形成され、第１外部端子２の側面２ｂに凸部２ｂ１と凹部２ｂ２とが形成され、第１外部端子２の側面２ｃに凸部２ｃ１と凹部２ｃ２とが形成され、その結果、第１外部端子２の下面が第１外部端子２の上面より小さくされている。

図４は第１外部端子２の側面２ａの凸部２ａ１上の更なる突出部２ａ１ａ，２ａ１ｂおよび更なる突出部が形成されていない部分２ａ１ｃと、第２外部端子３の側面３ａとの位置関係を説明するための図である。

詳細には、図４（Ａ）は第１外部端子２および第２外部端子３がリードフレームから切り離される前の段階であって第２外部端子３が屈曲せしめられる前の段階における第１外部端子２および第２外部端子３の平面図を示しており、図４（Ｂ）はその段階における第１外部端子２および第２外部端子３の正面図を示しており、図４（Ｃ）は第１外部端子２および第２外部端子３がリードフレームから切り離される前の段階であって第２外部端子３が屈曲せしめられた後の段階における第１外部端子２および第２外部端子３の平面図を示しており、図４（Ｄ）はその段階における第１外部端子２および第２外部端子３の正面図を示している。

図４に示すように、第１の実施形態の半導体装置では、第１外部端子２および第２外部端子３が単一のリードフレームから形成される。そのため、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示すように、第２外部端子３が屈曲せしめられる前の段階においては、第１外部端子２と第２外部端子３との間に隙間を設けることが必要とされる。一方、仮に第１外部端子２の更なる突出部２ａ１ａ，２ａ１ｂと第２外部端子３の側面３ａとが対向せしめられると、第１外部端子２の更なる突出部２ａ１ａ，２ａ１ｂの突出量の分だけ、第２外部端子３を図４の右側に移動させなければならず、その結果、半導体装置全体が大型化してしまう。

この点に鑑み、第１の実施形態の半導体装置では、図４（Ａ）および図４（Ｃ）に示すように、更なる突出部が形成されていない部分２ａ１ｃと、第２外部端子３の側面３ａとが対向し、更なる突出部２ａ１ａ，２ａ１ｂと、第２外部端子３の側面３ａとが対向しないように、更なる突出部２ａ１ａ，２ａ１ｂが配置されている。詳細には、更なる突出部が形成されていない部分２ａ１ｃが、更なる突出部２ａ１ａと更なる突出部２ａ１ｂとの間に配置されている。

そのため、第１の実施形態の半導体装置によれば、更なる突出部２ａ１ａ，２ａ１ｂと第２外部端子３の側面３ａとが対向するように更なる突出部２ａ１ａ，２ａ１ｂが配置されるのに伴って、半導体装置全体が大型化してしまうのを回避することができる。

また、第１の実施形態の半導体装置では、図４（Ａ）および図４（Ｃ）に示すように、更なる突出部が形成されていない部分２ａ１ｃの幅が、第２外部端子３の側面３ａの幅より大きくされている。換言すれば、図４（Ａ）に示すように、更なる突出部が形成されない部分２ａ１ｃの両側に配置された更なる突出部２ａ１ａ，２ａ１ｂと、第２外部端子３との間に、抜きしろに相当する隙間が配置されている。そのため、第１外部端子２と第２外部端子３とをプレス加工によって単一のリードフレームから形成することができる。つまり、更なる突出部が形成されていない部分２ａ１ｃの幅が、第２外部端子３の側面３ａの幅と同一にされるか、あるいは、第２外部端子３の側面３ａの幅より小さくされるのに伴って、第１外部端子２と第２外部端子３とをプレス加工によって単一のリードフレームから形成しづらくなってしまうのを回避することができる。

第１の実施形態の半導体装置では、図１および図２に示したように、第１外部端子２の下面と第２外部端子３の下面とが同一平面上に配置されている。そのため、第１外部端子２の下面と第２外部端子３の下面とが異なる平面上に配置されている場合よりも、半導体装置全体を薄型にすることができる。

また、第１の実施形態の半導体装置では、図１および図２に示したように、第１外部端子２の下面と樹脂５の下面とが同一平面上に配置されている。つまり、第１外部端子２の下面が樹脂５の外側に露出せしめられている。そのため、第１外部端子２の下面が樹脂５によって封止されている場合よりも、半導体素子１が発生した熱を第１外部端子２の下面を介して外部に容易に拡散させることができる。つまり、第１外部端子２の下面が樹脂５によって封止されている場合よりも放熱性を向上させることができる。更に、第１外部端子２の下面が樹脂５によって封止されている場合よりも、半導体装置全体を薄型にすることができる。

更に、第１の実施形態の半導体装置では、樹脂５による封止が行われた後にフォーミング加工が行われていないため、半導体素子１に機械ストレスが付与されるのに伴って半導体素子１にクラックが発生してしまうのを回避することができる。

また、第１の実施形態の半導体装置では、図３に示したように、第１外部端子２の下面が第１外部端子２の上面より小さくされ、凸部２ａ１，２ｂ１，２ｃ１と凹部２ａ２，２ｂ２，２ｃ２とを備えた段差が第１外部端子２の側面２ａ，２ｂ，２ｃに形成されている。つまり、第１外部端子２の下面の大きさと第１外部端子２の上面の大きさとが等しくされ、第１外部端子２の側面２ａ，２ｂ，２ｃに段差が形成されていない場合よりも、第１外部端子２と樹脂５との密着性が高められている。そのため、第１外部端子２から樹脂５が剥離してしまうおそれを低減することができる。

更に、第１の実施形態の半導体装置では、図３に示したように、第１外部端子２の側面２ａの段差の凸部２ａ１上に更なる突出部２ａ１ａ，２ａ１ｂが部分的に形成されている。つまり、更なる突出部２ａ１ａ，２ａ１ｂが形成されていない場合よりも、更なる突出部２ａ１ａ，２ａ１ｂの表面積の分だけ第１外部端子２と樹脂５との接触面積が増加せしめられている。そのため、更なる突出部２ａ１ａ，２ａ１ｂが形成されていない場合よりも、第１外部端子２と樹脂５との密着性を高めることができる。その結果、更なる突出部２ａ１ａ，２ａ１ｂが形成されていない場合よりも、第１外部端子２から樹脂５が剥離してしまうおそれを低減することができる。それにより、第１外部端子２に対して樹脂５が移動してしまうのに伴って、樹脂５および半導体素子１に応力が集中してしまうのを抑制することができる。

以下、本発明の半導体装置の第２の実施形態について説明する。図５は第２の実施形態の半導体装置の第２外部端子３’などを示した図である。第２の実施形態の半導体装置は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の半導体装置とほぼ同様に構成されている。従って、第２の実施形態の半導体装置によれば、第１の実施形態の半導体装置とほぼ同様の効果を奏することができる。

図３（Ａ）に示したように、第１の実施形態の半導体装置では、第１外部端子２の側（図３（Ａ）の左側）の第２外部端子３の側面３ａの幅と、その反対側（図３（Ａ）の右側）の第２外部端子３の側面の幅とが、等しくされているが、図５に示すように、第２の実施形態の半導体装置では、第１外部端子２の側（図５の左側）の第２外部端子３’の側面３ａ’の幅が、その反対側（図５の右側）の第２外部端子３’の側面の幅より大きくされている。

以下、本発明の半導体装置の第３の実施形態について説明する。図６は第３の実施形態の半導体装置の第２外部端子３”などを示した図である。第３の実施形態の半導体装置は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の半導体装置とほぼ同様に構成されている。従って、第３の実施形態の半導体装置によれば、第１の実施形態の半導体装置とほぼ同様の効果を奏することができる。

図３（Ａ）に示したように、第１の実施形態の半導体装置では、第１外部端子２の側（図３（Ａ）の左側）の第２外部端子３の側面３ａの幅と、その反対側（図３（Ａ）の右側）の第２外部端子３の側面の幅とが、等しくされているが、図６に示すように、第３の実施形態の半導体装置では、第１外部端子２の側（図６の左側）の第２外部端子３”の側面３ａ”の幅が、その反対側（図６の右側）の第２外部端子３”の側面の幅より大きくされている。

以下、本発明の半導体装置の第４の実施形態について説明する。第４の実施形態の半導体装置は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の半導体装置とほぼ同様に構成されている。従って、第４の実施形態の半導体装置によれば、第１の実施形態の半導体装置とほぼ同様の効果を奏することができる。

図７は樹脂５−１を取り除いた状態を示した第４の実施形態の半導体装置の平面図である。図８は第１外部端子２−１，２−２および第２外部端子３−１，３−２がリードフレームから切り離される前の段階であって第２外部端子３−１，３−２が屈曲せしめられる前の段階における第１外部端子２−１，２−２および第２外部端子３−１，３−２の平面図である。

図２に示したように、第１の実施形態の半導体装置では、単一の半導体装置内に半導体素子１、第１外部端子２、第２外部端子３、および内部端子４が１個ずつ含まれ、それらが樹脂５によって封止されているが、図７および図８に示すように、第４の実施形態の半導体装置では、単一の半導体装置内に２個の半導体素子１−１，１−２と、２個の第１外部端子２−１，２−２と、２個の第２外部端子３−１，３−２と、２個の内部端子４−１，４−２とが含まれ、それらが樹脂５−１によって封止されている。

詳細には、第４の実施形態の半導体装置の製造時には、図７および図８に示すように、まず最初に、リードフレームと一体化せしめられている第１外部端子２−１の上面と、半導体素子１−１の下面とが、例えば半田、導電性接着剤などの接合材（図示せず）によって接続され、リードフレームと一体化せしめられている第１外部端子２−２の上面と、半導体素子１−２の下面とが、例えば半田、導電性接着剤などの接合材（図示せず）によって接続される。また、リードフレームと一体化せしめられている第２外部端子３−１の上面と、半導体素子１−１の上面とが、内部端子４−１および例えば半田、導電性接着剤などの接合材（図示せず）によって接続され、リードフレームと一体化せしめられている第２外部端子３−２の上面と、半導体素子１−２の上面とが、内部端子４−２および例えば半田、導電性接着剤などの接合材（図示せず）によって接続される。

次いで、第１外部端子２−１の下面と、第２外部端子３−１の下面と、第１外部端子２−２の下面と、第２外部端子３−２の下面と、樹脂５−１の下面とが同一平面上に位置するように、半導体素子１−１と、内部端子４−１と、第１外部端子２−１の一部と、第２外部端子３−１の一部と、半導体素子１−２と、内部端子４−２と、第１外部端子２−２の一部と、第２外部端子３−２の一部とが、樹脂５−１によって封止される。次いで、第１外部端子２−１，２−２および第２外部端子３−１，３−２がリードフレームから切断され、単一の半導体装置が得られる。

第１の実施形態の半導体装置を示した図である。第１の実施形態の半導体装置の内部構造を明らかにするために図１に示した第１の実施形態の半導体装置から樹脂５を取り除いた状態を示した図である。図１および図２に示した第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２を詳細に示した図である。第１外部端子２の側面２ａの凸部２ａ１上の更なる突出部２ａ１ａ，２ａ１ｂおよび更なる突出部が形成されていない部分２ａ１ｃと、第２外部端子３の側面３ａとの位置関係を説明するための図である。第２の実施形態の半導体装置の第２外部端子３’などを示した図である。第３の実施形態の半導体装置の第２外部端子３”などを示した図である。樹脂５−１を取り除いた状態を示した第４の実施形態の半導体装置の平面図である。第１外部端子２−１，２−２および第２外部端子３−１，３−２がリードフレームから切り離される前の段階であって第２外部端子３−１，３−２が屈曲せしめられる前の段階における第１外部端子２−１，２−２および第２外部端子３−１，３−２の平面図である。

符号の説明

１半導体素子
２第１外部端子
２ａ，２ｂ，２ｃ側面
２ａ１，２ｂ１，２ｃ１凸部
２ａ２，２ｂ２，２ｃ２凹部
２ａ１ａ，２ａ１ｂ更なる突出部
２ａ１ｃ更なる突出部が形成されていない部分
３第２外部端子
４内部端子
５樹脂

Claims

半導体素子の下面と第１外部端子とを接続し、前記半導体素子の上面と第２外部端子とを内部端子を介して接続し、前記半導体素子と前記内部端子と前記第１外部端子の一部と前記第２外部端子の一部とを樹脂によって封止し、前記第１外部端子の下面と前記第２外部端子の下面と前記樹脂の下面とを同一平面上に配置し、前記第１外部端子の下面を前記第１外部端子の上面より小さくし、凸部と凹部とを備えた段差を前記第１外部端子の側面に形成した半導体装置において、
第２外部端子側の第１外部端子の側面の段差の凸部上に更なる突出部を部分的に形成し、
第２外部端子側の第１外部端子の側面の段差の凸部上のうち、前記更なる突出部が形成されていない部分と、第１外部端子側の第２外部端子の側面とが対向し、前記更なる突出部と、第１外部端子側の第２外部端子の側面とが対向しないように、前記更なる突出部を配置したことを特徴とする半導体装置。
前記更なる突出部が形成されていない部分を、２つの更なる突出部の間に配置したことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
前記更なる突出部が形成されていない部分の幅を、第１外部端子側の第２外部端子の側面の幅より大きくしたことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。