JP2010192847A - リードフレーム及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
リードフレーム及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010192847A JP2010192847A JP2009038318A JP2009038318A JP2010192847A JP 2010192847 A JP2010192847 A JP 2010192847A JP 2009038318 A JP2009038318 A JP 2009038318A JP 2009038318 A JP2009038318 A JP 2009038318A JP 2010192847 A JP2010192847 A JP 2010192847A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frame
- lead
- stage
- stage portion
- resin mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【課題】ステージ部の表面に半導体チップを搭載し、ステージ部の裏面を外方に露出させるように半導体チップ及びステージ部を樹脂モールド部で封止した構成の半導体パッケージにおいて、ステージ部の裏面にめっきを施す作業を簡便に実施できるようにする。
【解決手段】ステージ部５と複数のリード７とをフレーム枠部９及び連結リードにより相互に連結したリードフレームにおいて、フレーム枠部９に、切り込み線とその両端を結ぶ折り曲げ線とを形成すると共に、切り込み線及び折り曲げ線によって囲まれたフレーム枠部９の領域部分を折り曲げ線において折り曲げることで、ステージ部５の表面５ａ側から突出する突出片１７とする。また、突出片１７の突出高さＴ１を樹脂モールド部２５の厚さ寸法Ｔ２よりも大きく設定し、さらに、突出片１７の突出方向の先端の一部を、突出片１７の基端よりもその幅方向に張り出させる。
【選択図】図４
【解決手段】ステージ部５と複数のリード７とをフレーム枠部９及び連結リードにより相互に連結したリードフレームにおいて、フレーム枠部９に、切り込み線とその両端を結ぶ折り曲げ線とを形成すると共に、切り込み線及び折り曲げ線によって囲まれたフレーム枠部９の領域部分を折り曲げ線において折り曲げることで、ステージ部５の表面５ａ側から突出する突出片１７とする。また、突出片１７の突出高さＴ１を樹脂モールド部２５の厚さ寸法Ｔ２よりも大きく設定し、さらに、突出片１７の突出方向の先端の一部を、突出片１７の基端よりもその幅方向に張り出させる。
【選択図】図４
Description
この発明は、リードフレーム及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法に関する。
従来の半導体パッケージには、例えば特許文献１のように、リードフレームによって構成される略板状のステージ部の表面に半導体チップを搭載して樹脂モールド部で封止した構成のものがある。この構成の半導体パッケージにおいては、半導体チップから発生する熱を効率よく放熱することを目的として、ステージ部の裏面を樹脂モールド部の外方に露出させている。また、この種の半導体パッケージでは、ステージ部の裏面全体を半田等により回路基板に接合させることで半導体チップの熱を回路基板に逃がすため、ステージ部の裏面には半田の濡れ性を向上させるためのめっきが形成されている。このめっきは、樹脂モールド部を形成した後に行われる。
このような半導体パッケージは、めっきを施した後に複数積層された状態で搬送されることがあるが、この際、上側の半導体パッケージのステージ部の裏面に形成されためっきが、下側の半導体パッケージの樹脂モールド部に付着してしまう虞がある。すなわち、ステージ部の裏面に形成されためっきが剥がれてしまう虞がある。
また、半導体パッケージをその厚さ方向に複数積層した状態でめっきを施す場合には、上側の半導体パッケージのステージ部が下側の樹脂モールド部に接触しないように、上下のリードフレーム間に別途スペーサを設置する必要があるが、この設置作業は面倒であり、結果として、半導体パッケージの製造効率が低下する虞がある。
また、半導体パッケージをその厚さ方向に複数積層した状態でめっきを施す場合には、上側の半導体パッケージのステージ部が下側の樹脂モールド部に接触しないように、上下のリードフレーム間に別途スペーサを設置する必要があるが、この設置作業は面倒であり、結果として、半導体パッケージの製造効率が低下する虞がある。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、ステージ部の裏面にめっきを施すための作業を簡便に行うことができ、また、ステージ部の裏面に形成されためっきが剥がれることを防止できるリードフレーム及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明のリードフレームは、半導体チップと、該半導体チップを表面に配した板状のステージ部と、前記半導体チップの周囲に配されて前記半導体チップに電気接続される複数のリードと、前記ステージ部の裏面が外方に露出するように前記半導体チップ、前記ステージ部及び前記リードを封止する樹脂モールド部とを備える半導体パッケージの製造に使用するリードフレームであって、前記ステージ部と、前記複数のリードと、前記ステージ部を囲繞して前記複数のリードを相互に連結するフレーム枠部と、当該フレーム枠部及び前記ステージ部を相互に連結する連結リードとを金属性薄板に形成してなり、前記フレーム枠部に、切り込み線と該切り込み線の両端を結ぶ折り曲げ線とが形成されると共に、前記切り込み線及び前記折り曲げ線によって囲まれた前記フレーム枠部の領域部分を前記折り曲げ線において折り曲げることで、当該フレーム枠部の領域部分が、前記ステージ部の表面側あるいは裏面側から前記金属性薄板の厚さ方向に突出する突出片として形成され、当該突出片の突出高さが、前記金属性薄板の厚さ方向に沿う前記樹脂モールド部の厚さ寸法よりも大きくなるように設定され、前記突出片の突出方向の先端の少なくとも一部が、当該突出片の基端よりもその幅方向に張り出していることを特徴とする。
本発明のリードフレームは、半導体チップと、該半導体チップを表面に配した板状のステージ部と、前記半導体チップの周囲に配されて前記半導体チップに電気接続される複数のリードと、前記ステージ部の裏面が外方に露出するように前記半導体チップ、前記ステージ部及び前記リードを封止する樹脂モールド部とを備える半導体パッケージの製造に使用するリードフレームであって、前記ステージ部と、前記複数のリードと、前記ステージ部を囲繞して前記複数のリードを相互に連結するフレーム枠部と、当該フレーム枠部及び前記ステージ部を相互に連結する連結リードとを金属性薄板に形成してなり、前記フレーム枠部に、切り込み線と該切り込み線の両端を結ぶ折り曲げ線とが形成されると共に、前記切り込み線及び前記折り曲げ線によって囲まれた前記フレーム枠部の領域部分を前記折り曲げ線において折り曲げることで、当該フレーム枠部の領域部分が、前記ステージ部の表面側あるいは裏面側から前記金属性薄板の厚さ方向に突出する突出片として形成され、当該突出片の突出高さが、前記金属性薄板の厚さ方向に沿う前記樹脂モールド部の厚さ寸法よりも大きくなるように設定され、前記突出片の突出方向の先端の少なくとも一部が、当該突出片の基端よりもその幅方向に張り出していることを特徴とする。
また、本発明の半導体パッケージの製造方法は、板状のステージ部と、当該ステージ部の周囲に配される複数のリードと、前記ステージ部を囲繞して前記複数のリードを相互に連結するフレーム枠部と、当該フレーム枠部及び前記ステージ部を相互に連結する連結リードとを備えるリードフレームを金属性薄板に形成するフレーム準備工程と、前記ステージ部の表面に半導体チップを固定し、該半導体チップを前記リードに電気接続するチップ搭載工程と、前記ステージ部の裏面を外方に露出させるように、前記ステージ部、前記半導体チップ及び前記リードを樹脂により一体的に固定する樹脂モールド部を形成するモールド工程と、前記樹脂モールド部から外方に露出する前記リード及び前記ステージ部にめっきを施すめっき工程とを備え、前記フレーム準備工程時から前記めっき工程の前までの間に、前記フレーム枠部に切り込み線を形成する切り込み工程と、前記切り込み線の両端を結ぶ折り曲げ線において前記切り込み線及び前記折り曲げ線によって囲まれた前記フレーム枠部の領域部分を折り曲げることで、当該領域部分が、前記ステージ部の表面側あるいは裏面側から前記金属性薄板の厚さ方向に突出して、その突出高さが前記金属性薄板の厚さ方向に沿う前記樹脂モールド部の厚さ寸法よりも大きく、かつ、前記折り曲げ線からその直交方向に延びる前記領域部分の先端の少なくとも一部が前記領域部分の基端よりもその幅方向に張り出す突出片として形成される折り曲げ工程とを実施することを特徴とする。
なお、突出片をフレーム枠部に対して折り曲げた状態においては、突出片を除くフレーム枠部の他の部分に、切り込み線及び折り曲げ線よって画成されてフレーム枠部の厚さ方向に貫通する切欠孔が形成される。したがって、この切欠孔は突出片の形状に対応する形状を呈する。
なお、突出片をフレーム枠部に対して折り曲げた状態においては、突出片を除くフレーム枠部の他の部分に、切り込み線及び折り曲げ線よって画成されてフレーム枠部の厚さ方向に貫通する切欠孔が形成される。したがって、この切欠孔は突出片の形状に対応する形状を呈する。
そして、前記半導体パッケージの製造方法においては、前記フレーム準備工程において複数の前記リードフレームを用意すると共に、複数のリードフレームに対して前記チップ搭載工程、前記モールド工程、前記切り込み工程及び折り曲げ工程を実施し、前記めっき工程の前に、複数の前記ステージ部がその厚さ方向に重なり合うように複数の前記リードフレームを積層し、一方のリードフレームに形成された前記樹脂モールド部の上面側あるいは下面側から突出する前記突出片の先端を、他方のリードフレームの前記フレーム枠部に当接させることで、上側の樹脂モールド部の下面に露出する前記ステージ部と、下側の樹脂モールド部の上面との間に隙間を形成することが好ましい。
なお、上記隙間は、突出片の突出高さが樹脂モールド部の厚さ寸法よりも大きいために生じる。これにより、上側の半導体パッケージのステージ部の裏面が下側の半導体パッケージの樹脂モールド部に接触することを防止できる。
なお、上記隙間は、突出片の突出高さが樹脂モールド部の厚さ寸法よりも大きいために生じる。これにより、上側の半導体パッケージのステージ部の裏面が下側の半導体パッケージの樹脂モールド部に接触することを防止できる。
したがって、上記リードフレーム及び半導体パッケージの製造方法によれば、従来のように別途スペーサを設置することなく、上述したように複数の半導体パッケージを積層するだけで、各半導体パッケージのステージ部の裏面にめっきを施すことができる。すなわち、めっきを施すための作業を簡便に行うことができ、半導体パッケージの製造効率向上を図ることができる。
また、めっきを施した後に複数の半導体パッケージを積層した状態では、上側の半導体パッケージのステージ部の裏面に形成されためっきが、下側の半導体パッケージの樹脂モールド部の上部に付着することを防止できる。
また、めっきを施した後に複数の半導体パッケージを積層した状態では、上側の半導体パッケージのステージ部の裏面に形成されためっきが、下側の半導体パッケージの樹脂モールド部の上部に付着することを防止できる。
また、上記リードフレームによれば、ステージ部に対する突出片の形成位置や突出片の形状が積層される複数のリードフレームの間で同一であっても、ステージ部及び切欠孔がそれぞれ金属性薄板の厚さ方向に重なるように複数の半導体パッケージを重ね合わせることができる。
すなわち、突出片の先端の少なくとも一部が突出片の基端よりもその幅方向に張り出していることから、上述のように複数の半導体パッケージを重ね合わせても、突出片の先端の一部は、突出片の基端に対応する切欠孔の基端に対して幅方向にずれた位置に当接することになる。言い換えれば、突出片が切欠孔に入りこむことを防止できる。
以上のことから、複数の半導体パッケージを重ね合わせる際に、上下のリードフレームを金属性薄板の面方向にずらして配置する必要がないため、半導体パッケージを積層するスペースを最小限に抑えることができる。
すなわち、突出片の先端の少なくとも一部が突出片の基端よりもその幅方向に張り出していることから、上述のように複数の半導体パッケージを重ね合わせても、突出片の先端の一部は、突出片の基端に対応する切欠孔の基端に対して幅方向にずれた位置に当接することになる。言い換えれば、突出片が切欠孔に入りこむことを防止できる。
以上のことから、複数の半導体パッケージを重ね合わせる際に、上下のリードフレームを金属性薄板の面方向にずらして配置する必要がないため、半導体パッケージを積層するスペースを最小限に抑えることができる。
また、前記リードフレームにおいては、前記突出片の先端の幅寸法を前記突出片の基端の幅寸法よりも大きくすることがより好ましい。
この場合には、ステージ部及び切欠孔が金属性薄板の厚さ方向に重なるように複数の半導体パッケージを重ね合わせる際に、上下のリードフレームが突出片の幅方向にずれたとしても、突出片が切欠孔に入り込むことを確実に防止できる。
この場合には、ステージ部及び切欠孔が金属性薄板の厚さ方向に重なるように複数の半導体パッケージを重ね合わせる際に、上下のリードフレームが突出片の幅方向にずれたとしても、突出片が切欠孔に入り込むことを確実に防止できる。
本発明によれば、複数の半導体パッケージを積層させてもステージ部の裏面にめっきを施すための作業を簡便に行うことができ、また、複数の半導体パッケージを積層した状態でステージ部の裏面に形成されためっきが剥がれることを防止できる。
また、同一形状のリードフレームを用いて複数の半導体パッケージを製造しても、複数の半導体パッケージを積層するスペースを最小限に抑えることができる。そして、同一形状のリードフレームを用いて複数の半導体パッケージを製造できるため、半導体パッケージの製造コストも削減することができる。
また、同一形状のリードフレームを用いて複数の半導体パッケージを製造しても、複数の半導体パッケージを積層するスペースを最小限に抑えることができる。そして、同一形状のリードフレームを用いて複数の半導体パッケージを製造できるため、半導体パッケージの製造コストも削減することができる。
以下、図１〜４を参照して本発明の一実施形態に係るリードフレーム、及び、これを用いて製造される半導体パッケージについて説明する。
図１に示すように、リードフレーム１は、表面５ａに半導体チップ３（図４参照）を配するための板状のステージ部５と、ステージ部５の周囲に配される複数のリード７と、複数のリード７を相互に連結するフレーム枠部９と、ステージ部５及びフレーム枠部９を相互に連結する複数の連結リード１１とを金属性薄板２に形成して構成されている。なお、リードフレーム１は、１つのステージ部５を備えるものを１個のものとして、金属性薄板２に１列あるいは複数列に並ぶようにプレス加工やエッチング加工によって複数連ねて形成されるものである。以下、本明細書中においては１個単位のものをリードフレーム１と称する。
図１に示すように、リードフレーム１は、表面５ａに半導体チップ３（図４参照）を配するための板状のステージ部５と、ステージ部５の周囲に配される複数のリード７と、複数のリード７を相互に連結するフレーム枠部９と、ステージ部５及びフレーム枠部９を相互に連結する複数の連結リード１１とを金属性薄板２に形成して構成されている。なお、リードフレーム１は、１つのステージ部５を備えるものを１個のものとして、金属性薄板２に１列あるいは複数列に並ぶようにプレス加工やエッチング加工によって複数連ねて形成されるものである。以下、本明細書中においては１個単位のものをリードフレーム１と称する。
フレーム枠部９は、ステージ部５を囲繞する平面視略矩形の内縁を有しており、金属性薄板２においては、相互に隣り合う２つのリードフレーム１に共通する部位として形成されている。
ステージ部５は、平面視略矩形に形成されており、その各辺はフレーム枠部９の各辺に沿うように配されている。また、複数のリード７は、フレーム枠部９の内縁の各辺からこれに対向するステージ部５の各辺に向けて突出しており、各リード７の先端とステージ部５の各辺との間には隙間が形成されている。なお、図示例において、各リード７は、ステージ部５やフレーム枠部９の内縁の各辺に直交する方向に延びている。そして、各連結リード１１は、フレーム枠部９の内縁の各角部からステージ部５の各角部まで直線状に延びて形成されている。
ステージ部５は、平面視略矩形に形成されており、その各辺はフレーム枠部９の各辺に沿うように配されている。また、複数のリード７は、フレーム枠部９の内縁の各辺からこれに対向するステージ部５の各辺に向けて突出しており、各リード７の先端とステージ部５の各辺との間には隙間が形成されている。なお、図示例において、各リード７は、ステージ部５やフレーム枠部９の内縁の各辺に直交する方向に延びている。そして、各連結リード１１は、フレーム枠部９の内縁の各角部からステージ部５の各角部まで直線状に延びて形成されている。
さらに、リードフレーム１には、複数のリード７及び連結リード１１の長手方向の中途部を相互に連結するダムバー１３が形成されている。ダムバー１３は、平面視略矩形の環状に形成されており、その各辺はステージ部５やフレーム枠部９の各辺に沿うように配されている。
このリードフレーム１のほぼ全体は、元の金属性薄板２と同じ厚さ寸法に設定されており、ステージ部５とダムバー１３との間に配される連結リード１１の先端部だけが、金属性薄板２よりも薄く形成されている。具体的には、ステージ部５の表面５ａとは反対側に面する連結リード１１の先端部の裏面にハーフエッチング加工が施され、連結リード１１の先端部の裏面は、ステージ部５の裏面５ｂよりも低く位置している。なお、図１においては、ハーフエッチング加工を施した連結リード１１の裏面がハッチング領域によって示されている。
このリードフレーム１のほぼ全体は、元の金属性薄板２と同じ厚さ寸法に設定されており、ステージ部５とダムバー１３との間に配される連結リード１１の先端部だけが、金属性薄板２よりも薄く形成されている。具体的には、ステージ部５の表面５ａとは反対側に面する連結リード１１の先端部の裏面にハーフエッチング加工が施され、連結リード１１の先端部の裏面は、ステージ部５の裏面５ｂよりも低く位置している。なお、図１においては、ハーフエッチング加工を施した連結リード１１の裏面がハッチング領域によって示されている。
また、リードフレーム１のフレーム枠部９には切り込み線１５が形成されており、この切り込み線１５の両端を結ぶ直線が折り曲げ線１６として形成されている。切り込み線１５は、金属性薄板２の厚さ方向に貫通するように形成され、平面視で複数（図示例では２つ）の屈曲部分を有する直線形状を呈している。そして、切り込み線１５及び折り曲げ線１６によって囲まれたフレーム枠部９の領域部分は、これをフレーム枠部９の他の部分に対して折り曲げ線１６において折り曲げることで、ステージ部５の表面５ａ側あるいは裏面５ｂ側から金属性薄板２の厚さ方向に突出する突出片１７として形成されるようになっている（図３，４参照）。
なお、突出片１７をなすフレーム枠部９の領域部分は、平面視で平行四辺形に形成されており、折り曲げ線１６はこの平行四辺形の短辺の１つをなしている。
なお、突出片１７をなすフレーム枠部９の領域部分は、平面視で平行四辺形に形成されており、折り曲げ線１６はこの平行四辺形の短辺の１つをなしている。
また、図示例において、フレーム枠部９の領域部分（突出片１７）は、フレーム枠部９の内縁の４つの角部近傍に１つずつ配されており、２つのリードフレーム１の間には２つ配されている。また、２つのリードフレーム１の間に配された２つの領域部分（突出片１７）は、２つのステージ部５の中心を通るように２つのリードフレーム１の配列方向に延びる軸線Ｌ１に対して線対称となるように形成され、各折り曲げ線１６から延びる２つの領域部分（突出片１７）の先端が対向している。
次に、上記構成のリードフレーム１を用いて半導体パッケージを製造する方法について説明する。
はじめに、金属性薄板２に前述したリードフレーム１を複数形成する（フレーム準備工程）。このフレーム準備工程においては、切り込み線１５を形成する切り込み工程も同時に実施される。次いで、ステージ部５の表面５ａに半導体チップ３を固定し、半導体チップ３と複数のリード７の先端部とを個別のボンディングワイヤ３１により電気接続する（チップ搭載工程）。
その後、ステージ部５の裏面５ｂ及びリード７の裏面を外方に露出させるように、半導体チップ３、ステージ部５、並びに、リード７及び連結リード１１の先端部を封止する樹脂モールド部２５を形成する（モールド工程）。この工程においては、樹脂モールド部２５の外形に対応する金型内にリードフレーム１を配置し、この金型内に溶融樹脂を射出することで、樹脂モールド部２５を形成することができる。
はじめに、金属性薄板２に前述したリードフレーム１を複数形成する（フレーム準備工程）。このフレーム準備工程においては、切り込み線１５を形成する切り込み工程も同時に実施される。次いで、ステージ部５の表面５ａに半導体チップ３を固定し、半導体チップ３と複数のリード７の先端部とを個別のボンディングワイヤ３１により電気接続する（チップ搭載工程）。
その後、ステージ部５の裏面５ｂ及びリード７の裏面を外方に露出させるように、半導体チップ３、ステージ部５、並びに、リード７及び連結リード１１の先端部を封止する樹脂モールド部２５を形成する（モールド工程）。この工程においては、樹脂モールド部２５の外形に対応する金型内にリードフレーム１を配置し、この金型内に溶融樹脂を射出することで、樹脂モールド部２５を形成することができる。
なお、図１に示すように、リードフレーム１が同一の金属性薄板２に複数連ねて形成されている場合には、上記モールド工程後の状態において、図２〜４に示すように、金属性薄板２によって複数連結された半導体パッケージ２１が構成されることになる。
この半導体パッケージ２１は、半導体チップ３と、半導体チップ３を表面５ａに配した板状のステージ部５と、半導体チップ３の周囲に配されて半導体チップ３に電気接続された複数のインナーリード（リード）２３と、これら半導体チップ３、ステージ部５及び複数のインナーリード２３を封止する樹脂モールド部２５とを備えて構成されている。なお、インナーリード２３は、ダムバー１３よりも内側に位置するリード７の先端部に相当している。
この半導体パッケージ２１は、半導体チップ３と、半導体チップ３を表面５ａに配した板状のステージ部５と、半導体チップ３の周囲に配されて半導体チップ３に電気接続された複数のインナーリード（リード）２３と、これら半導体チップ３、ステージ部５及び複数のインナーリード２３を封止する樹脂モールド部２５とを備えて構成されている。なお、インナーリード２３は、ダムバー１３よりも内側に位置するリード７の先端部に相当している。
樹脂モールド部２５は、リードフレーム１のうちダムバー１３よりも内側に位置する部分、すなわち、ステージ部５及びインナーリード２３に加えて連結リード１１の先端部も封止している。したがって、連結リード１１の先端部も半導体パッケージ２１の構成に含まれることになる。この樹脂モールド部２５は、平面視略矩形の厚板状に形成され、その各辺がダムバー１３の各辺に沿うように配されている。
そして、ステージ部５の厚さ方向に面する樹脂モールド部２５の平坦な下面２５ｂには、ステージ部５の裏面５ｂ及びインナーリード２３の裏面が外方に露出しており、樹脂モールド部２５の下面２５ｂと共に同一平面を形成している。なお、連結リード１１の先端部の裏面はステージ部５の裏面５ｂよりも低く形成されているため、樹脂モールド部２５の下面２５ｂに露出しない。また、ステージ部５の表面５ａの上方に位置する樹脂モールド部２５の上面２５ａは、下面２５ｂと平行な平坦面に形成されている。
すなわち、この樹脂モールド部２５は、ステージ部５の裏面５ｂと同じ方向に面するフレーム枠部９の裏面側には突出せず、フレーム枠部９の表面側に突出するように形成されている。
そして、ステージ部５の厚さ方向に面する樹脂モールド部２５の平坦な下面２５ｂには、ステージ部５の裏面５ｂ及びインナーリード２３の裏面が外方に露出しており、樹脂モールド部２５の下面２５ｂと共に同一平面を形成している。なお、連結リード１１の先端部の裏面はステージ部５の裏面５ｂよりも低く形成されているため、樹脂モールド部２５の下面２５ｂに露出しない。また、ステージ部５の表面５ａの上方に位置する樹脂モールド部２５の上面２５ａは、下面２５ｂと平行な平坦面に形成されている。
すなわち、この樹脂モールド部２５は、ステージ部５の裏面５ｂと同じ方向に面するフレーム枠部９の裏面側には突出せず、フレーム枠部９の表面側に突出するように形成されている。
上記半導体パッケージ２１を構成した後には、切り込み線１５の両端を結ぶ折り曲げ線１６において切り込み線１５及び折り曲げ線１６によって囲まれたフレーム枠部９の領域部分をステージ部５の表面５ａ側に折り曲げて、フレーム枠部９の表面から金属性薄板２の厚さ方向に突出する突出片１７として形成する（折り曲げ工程）。ここで、突出片１７は平面視で平行四辺形状に形成されていることから、突出片１７の突出方向の先端の一部が、突出片１７の基端よりもその幅方向に張り出すことになる。なお、突出片１７の幅方向は、折り曲げ線１６が延びる方向であり、図１，２，４において紙面の左右方向に相当する。
そして、この折り曲げ状態における突出片１７の突出高さＴ１は、金属性薄板２の厚さ方向に沿う樹脂モールド部２５の厚さ寸法Ｔ２よりも大きくなるように、切り込み線１５の形成時に予め設定されている。また、複数の突出片１７の突出高さＴ１は、互いに等しくなるように設定されている。
なお、この折り曲げ状態においては、突出片１７を除くフレーム枠部９の他の部分に、切り込み線１５及び折り曲げ線１６によって画成されてフレーム枠部９の厚さ方向に貫通する切欠孔１９が形成される。したがって、切欠孔１９は突出片１７の平面視形状に対応する平行四辺形状を呈している。
なお、この折り曲げ状態においては、突出片１７を除くフレーム枠部９の他の部分に、切り込み線１５及び折り曲げ線１６によって画成されてフレーム枠部９の厚さ方向に貫通する切欠孔１９が形成される。したがって、切欠孔１９は突出片１７の平面視形状に対応する平行四辺形状を呈している。
折り曲げ工程後には、樹脂モールド部２５から外方に露出するステージ部５及びリード７にめっきを施す（めっき工程）。このめっき工程は、例えば図４に示すように、上述したフレーム準備工程、チップ搭載工程及びモールド工程を実施してなる半導体パッケージ２１を複数積層した状態で実施する。すなわち、フレーム準備工程においてリードフレーム１が形成された金属性薄板２を複数用意すると共に、複数の金属性薄板２に対してそれぞれチップ搭載工程、モールド工程及び折り曲げ工程を実施しておく。そして、複数のステージ部５がその厚さ方向に重なり合うように複数の金属性薄板２を積層する。
この際には、下側のリードフレーム１（一方のリードフレーム）に形成された突出片１７の先端を、上側のリードフレーム１（他方のリードフレーム）のフレーム枠部９に当接させる。この当接状態においては、突出片１７の突出高さＴ１が樹脂モールド部２５の厚さ寸法Ｔ２よりも大きいことから、上側の樹脂モールド部２５の下面２５ｂに露出するステージ部５及びインナーリード２３と下側の樹脂モールド部２５の上面２５ａとの間には隙間が形成されることになる。すなわち、上側の半導体パッケージ２１を構成するステージ部５の裏面５ｂ及びインナーリード２３の裏面が下側の半導体パッケージ２１を構成する樹脂モールド部２５に接触することを防止できる。
このように複数の半導体パッケージ２１を積層した後に、めっき工程を実施する。めっき工程は、例えばめっき液が満たされためっき漕内に積層状態の半導体パッケージ２１を浸すことで行われる。この際、全ての半導体パッケージ２１のステージ部５の裏面５ｂ及びインナーリード２３の裏面は外方に露出しているため、ステージ部５の裏面５ｂ及びインナーリード２３の裏面にめっきが施されることになる。
最後に、樹脂モールド部２５とダムバー１３との間に位置する複数のリード７及び連結リード１１を切断する切断工程を実施することで、個別に切り分けられた半導体パッケージ２１の製造が完了する。なお、切断工程を経た半導体パッケージ２１においては、リード７及び連結リード１１の切断面が、樹脂モールド部２５の側部から外方に露出することになる。
最後に、樹脂モールド部２５とダムバー１３との間に位置する複数のリード７及び連結リード１１を切断する切断工程を実施することで、個別に切り分けられた半導体パッケージ２１の製造が完了する。なお、切断工程を経た半導体パッケージ２１においては、リード７及び連結リード１１の切断面が、樹脂モールド部２５の側部から外方に露出することになる。
以上説明したように、上記リードフレーム１及び半導体パッケージ２１の製造方法によれば、従来のように別途スペーサを設置することなく、複数の半導体パッケージ２１を積層するだけで、各半導体パッケージ２１のステージ部５の裏面５ｂにめっきを施すことができる。すなわち、めっきを施すための作業を簡便に行うことができ、半導体パッケージ２１の製造効率向上を図ることができる。
また、めっき工程後において、複数の半導体パッケージ２１の積層状態を保持しておけば、上側の半導体パッケージ２１を構成するステージ部５の裏面５ｂ及びインナーリード２３の裏面に形成されためっきが、下側の半導体パッケージ２１の樹脂モールド部２５の上面２５ａに付着することも防止できる。すなわち、めっき工程後の半導体パッケージ２１を積層しても、めっきがステージ部５の裏面５ｂ及びインナーリード２３の裏面から剥がれることを防止できる。
また、めっき工程後において、複数の半導体パッケージ２１の積層状態を保持しておけば、上側の半導体パッケージ２１を構成するステージ部５の裏面５ｂ及びインナーリード２３の裏面に形成されためっきが、下側の半導体パッケージ２１の樹脂モールド部２５の上面２５ａに付着することも防止できる。すなわち、めっき工程後の半導体パッケージ２１を積層しても、めっきがステージ部５の裏面５ｂ及びインナーリード２３の裏面から剥がれることを防止できる。
また、ステージ部５に対する突出片１７の形成位置や突出片１７の形状が積層される複数のリードフレーム１の間で同一であっても、ステージ部５及び切欠孔１９がそれぞれ金属性薄板２の厚さ方向に重なるように複数の半導体パッケージ２１を重ね合わせることができる。
すなわち、突出片１７の先端の一部が突出片１７の基端よりもその幅方向に張り出していることから、上述のように複数の半導体パッケージ２１を重ね合わせても、下側のリードフレーム１の突出片１７の先端の一部は、上側のリードフレーム１の突出片１７の基端に対応する切欠孔１９の基端に対して幅方向にずれた位置に当接することになる。言い換えれば、下側のリードフレーム１の突出片１７が上側のリードフレーム１の切欠孔１９に入りこむことを防止できる。
以上のことから、複数の半導体パッケージ２１を重ね合わせる際に、上下のリードフレーム１を金属性薄板２の面方向にずらして配置する必要がないため、半導体パッケージ２１を積層するスペースを最小限に抑えることができる。そして、同一形状のリードフレーム１を用いて複数の半導体パッケージ２１を製造できるため、半導体パッケージ２１の製造コストも削減することができる。
すなわち、突出片１７の先端の一部が突出片１７の基端よりもその幅方向に張り出していることから、上述のように複数の半導体パッケージ２１を重ね合わせても、下側のリードフレーム１の突出片１７の先端の一部は、上側のリードフレーム１の突出片１７の基端に対応する切欠孔１９の基端に対して幅方向にずれた位置に当接することになる。言い換えれば、下側のリードフレーム１の突出片１７が上側のリードフレーム１の切欠孔１９に入りこむことを防止できる。
以上のことから、複数の半導体パッケージ２１を重ね合わせる際に、上下のリードフレーム１を金属性薄板２の面方向にずらして配置する必要がないため、半導体パッケージ２１を積層するスペースを最小限に抑えることができる。そして、同一形状のリードフレーム１を用いて複数の半導体パッケージ２１を製造できるため、半導体パッケージ２１の製造コストも削減することができる。
なお、上記実施形態の製造方法では、フレーム準備工程において同一の金属性薄板２にリードフレーム１を複数形成するとしたが、例えばリードフレーム１を１つだけ形成してもよい。
また、切り込み工程は、フレーム準備工程時に実施されるとしたが、折り曲げ工程よりも前であれば、フレーム準備工程時からめっき工程の前までの任意のタイミングで実施することが可能である。
また、切り込み工程は、フレーム準備工程時に実施されるとしたが、折り曲げ工程よりも前であれば、フレーム準備工程時からめっき工程の前までの任意のタイミングで実施することが可能である。
さらに、折り曲げ工程は、モールド工程とめっき工程との間に実施されるとしたが、切り込み工程後であれば、フレーム準備工程時からめっき工程の前までの任意のタイミングで実施することが可能である。すなわち、折り曲げ工程は、例えばチップ搭載工程の後からめっき工程の前までの任意のタイミングで実施されてもよいし、例えばフレーム準備工程において切り込み線１５を形成した直後に実施されてもよい。なお、折り曲げ工程をチップ搭載工程後やモールド工程後に実施すれば、突出片１７の折り曲げ角度がチップ搭載工程やモールド工程において変化することを防止できる。
また、上記実施形態のリードフレーム１において、突出片１７（フレーム枠部９の領域部分）は平面視で平行四辺形状に形成されるとしたが、少なくとも突出片１７の先端の一部が突出片１７の基端よりもその幅方向に張り出していればよい。したがって、例えば図５，６に示すように、突出片１８の基端の両側部よりも突出片１８の幅方向に突出する一対の突起１８ａを突出片１８の先端に形成する等して、突出片１８の先端の幅寸法が突出片１８の基端の幅寸法よりも大きく設定されてもよい。
上記構成では、ステージ部５及び切欠孔１９がそれぞれ金属性薄板２の厚さ方向に重なるように複数の半導体パッケージ２１を重ね合わせる際に、上下のリードフレーム１が突出片１８の幅方向にずれたとしても、突出片１８が切欠孔１９に入り込むことを確実に防止できる。
上記構成では、ステージ部５及び切欠孔１９がそれぞれ金属性薄板２の厚さ方向に重なるように複数の半導体パッケージ２１を重ね合わせる際に、上下のリードフレーム１が突出片１８の幅方向にずれたとしても、突出片１８が切欠孔１９に入り込むことを確実に防止できる。
さらに、切り込み線１５は、平面視で複数の屈曲部分を有する直線形状を呈するとしたが、少なくとも上述した突出片１７，１８を構成できるように形成されていれば、例えば曲線形状、あるいは、直線形状及び曲線形状を組み合わせた形状を呈してもよい。
また、上記実施形態において２つのリードフレーム１間に配された２つの突出片１７は、その先端が対向するように形成されるとしたが、それぞれ任意の向きに形成されていてよく、例えば２つの突出片１７の基端が対向するように形成されてもよい。
また、上記実施形態において２つのリードフレーム１間に配された２つの突出片１７は、その先端が対向するように形成されるとしたが、それぞれ任意の向きに形成されていてよく、例えば２つの突出片１７の基端が対向するように形成されてもよい。
さらに、同一の金属性薄板２に形成される複数の突出片１７の突出高さＴ１は互いに等しいとしたが、図４のように複数の半導体パッケージ２１を積層した状態において、上側の樹脂モールド部２５の下面２５ｂと下側の樹脂モールド部２５の上面２５ａとの間に隙間が形成されていれば、例えば相互に異なっていてもよい。
また、突出片１７は、フレーム枠部９の表面から突出するように形成されるとしたが、例えばステージ部５の裏面５ｂ側に折り曲げてフレーム枠部９の裏面から突出するように形成されてもよい。
また、突出片１７は、フレーム枠部９の表面から突出するように形成されるとしたが、例えばステージ部５の裏面５ｂ側に折り曲げてフレーム枠部９の裏面から突出するように形成されてもよい。
さらに、上記実施形態においては、本願発明のリードフレームを用いて製造される半導体パッケージとして、インナーリード２３が樹脂モールド部２５の下面２５ｂから外方に露出する所謂ＱＦＮ（Quad Flat Non-Leaded Package）を例に取り上げて説明したが、少なくともステージ部５の裏面５ｂが樹脂モールド部２５の下面２５ｂから露出していればよい。したがって、本願発明のリードフレームを用いて製造される半導体パッケージは、例えば図７に示すように、インナーリード２３が外方に露出せずに樹脂モールド部２５内に埋設されると共に、インナーリード２３に連なるリード７の基端部がアウターリードとして樹脂モールド部２５の側部から外方に突出するＱＦＰ（Quad Flat Package）であってもよい。
なお、図７の構成においても、突出片１７の突出高さＴ１が樹脂モールド部２５の厚さ寸法Ｔ２よりも大きくなるように設定されているため、上記実施形態と同様の効果を奏する。
なお、図７の構成においても、突出片１７の突出高さＴ１が樹脂モールド部２５の厚さ寸法Ｔ２よりも大きくなるように設定されているため、上記実施形態と同様の効果を奏する。
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
１…リードフレーム、２…金属性薄板、３…半導体チップ、５…ステージ部、５ａ…表面、５ｂ…裏面、７…リード、９…フレーム枠部、１１…連結リード、１５…切り込み線、１６…折り曲げ線、１７，１８…突出片（フレーム枠部９の領域部分）、２１…半導体パッケージ、２３…インナーリード（リード）、２５…樹脂モールド部、２５ａ…上面、２５ｂ…下面
Claims (4)
- 半導体チップと、該半導体チップを表面に配した板状のステージ部と、前記半導体チップの周囲に配されて前記半導体チップに電気接続される複数のリードと、前記ステージ部の裏面が外方に露出するように前記半導体チップ、前記ステージ部及び前記リードを封止する樹脂モールド部とを備える半導体パッケージの製造に使用するリードフレームであって、
前記ステージ部と、前記複数のリードと、前記ステージ部を囲繞して前記複数のリードを相互に連結するフレーム枠部と、当該フレーム枠部及び前記ステージ部を相互に連結する連結リードとを金属性薄板に形成してなり、
前記フレーム枠部に、切り込み線と該切り込み線の両端を結ぶ折り曲げ線とが形成されると共に、前記切り込み線及び前記折り曲げ線によって囲まれた前記フレーム枠部の領域部分を前記折り曲げ線において折り曲げることで、当該フレーム枠部の領域部分が、前記ステージ部の表面側あるいは裏面側から前記金属性薄板の厚さ方向に突出する突出片として形成され、
当該突出片の突出高さが、前記金属性薄板の厚さ方向に沿う前記樹脂モールド部の厚さ寸法よりも大きくなるように設定され、
前記突出片の突出方向の先端の少なくとも一部が、当該突出片の基端よりもその幅方向に張り出していることを特徴とするリードフレーム。 - 前記突出片の先端の幅寸法が、前記突出片の基端の幅寸法よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
- 板状のステージ部と、当該ステージ部の周囲に配される複数のリードと、前記ステージ部を囲繞して前記複数のリードを相互に連結するフレーム枠部と、当該フレーム枠部及び前記ステージ部を相互に連結する連結リードとを備えるリードフレームを金属性薄板に形成するフレーム準備工程と、
前記ステージ部の表面に半導体チップを固定し、該半導体チップを前記リードに電気接続するチップ搭載工程と、
前記ステージ部の裏面を外方に露出させるように、前記ステージ部、前記半導体チップ及び前記リードを樹脂により一体的に固定する樹脂モールド部を形成するモールド工程と、
前記樹脂モールド部から外方に露出する前記リード及び前記ステージ部にめっきを施すめっき工程とを備え、
前記フレーム準備工程時から前記めっき工程の前までの間に、前記フレーム枠部に切り込み線を形成する切り込み工程と、前記切り込み線の両端を結ぶ折り曲げ線において前記切り込み線及び前記折り曲げ線によって囲まれた前記フレーム枠部の領域部分を折り曲げることで、当該領域部分が、前記ステージ部の表面側あるいは裏面側から前記金属性薄板の厚さ方向に突出して、その突出高さが前記金属性薄板の厚さ方向に沿う前記樹脂モールド部の厚さ寸法よりも大きく、かつ、前記折り曲げ線からその直交方向に延びる前記領域部分の先端の少なくとも一部が前記領域部分の基端よりもその幅方向に張り出す突出片として形成される折り曲げ工程とを実施することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 前記フレーム準備工程において複数の前記リードフレームを用意すると共に、複数のリードフレームに対して前記チップ搭載工程、前記モールド工程、前記切り込み工程及び折り曲げ工程を実施し、
前記めっき工程の前に、複数の前記ステージ部がその厚さ方向に重なり合うように複数の前記リードフレームを積層し、一方のリードフレームに形成された前記樹脂モールド部の上面側あるいは下面側から突出する前記突出片の先端を、他方のリードフレームの前記フレーム枠部に当接させることで、上側の樹脂モールド部の下面に露出する前記ステージ部と、下側の樹脂モールド部の上面との間に隙間を形成することを特徴とする請求項３に記載の半導体パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009038318A JP2010192847A (ja) | 2009-02-20 | 2009-02-20 | リードフレーム及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009038318A JP2010192847A (ja) | 2009-02-20 | 2009-02-20 | リードフレーム及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010192847A true JP2010192847A (ja) | 2010-09-02 |
Family
ID=42818518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009038318A Pending JP2010192847A (ja) | 2009-02-20 | 2009-02-20 | リードフレーム及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2010192847A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108109972A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-01 | 江苏长电科技股份有限公司 | 具有引脚侧壁爬锡功能的半导体封装结构及其制造工艺 |
| CN108198790A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-22 | 江苏长电科技股份有限公司 | 具有引脚侧壁爬锡功能的堆叠封装结构及其制造工艺 |
| CN108198797A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-22 | 江苏长电科技股份有限公司 | 具有引脚侧壁爬锡功能的半导体封装结构及其制造工艺 |
| CN108198804A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-22 | 江苏长电科技股份有限公司 | 具有引脚侧壁爬锡功能的堆叠封装结构及其制造工艺 |
| CN108198761A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-22 | 江苏长电科技股份有限公司 | 具有引脚侧壁爬锡功能的半导体封装结构及其制造工艺 |
| CN108206170A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-26 | 江苏长电科技股份有限公司 | 具有引脚侧壁爬锡功能的半导体封装结构及其制造工艺 |
-
2009
- 2009-02-20 JP JP2009038318A patent/JP2010192847A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108109972A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-01 | 江苏长电科技股份有限公司 | 具有引脚侧壁爬锡功能的半导体封装结构及其制造工艺 |
| CN108198790A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-22 | 江苏长电科技股份有限公司 | 具有引脚侧壁爬锡功能的堆叠封装结构及其制造工艺 |
| CN108198797A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-22 | 江苏长电科技股份有限公司 | 具有引脚侧壁爬锡功能的半导体封装结构及其制造工艺 |
| CN108198804A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-22 | 江苏长电科技股份有限公司 | 具有引脚侧壁爬锡功能的堆叠封装结构及其制造工艺 |
| CN108198761A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-22 | 江苏长电科技股份有限公司 | 具有引脚侧壁爬锡功能的半导体封装结构及其制造工艺 |
| CN108206170A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-26 | 江苏长电科技股份有限公司 | 具有引脚侧壁爬锡功能的半导体封装结构及其制造工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI278980B (en) | Lead frame and semiconductor package therefor | |
| US9117795B2 (en) | Semiconductor device | |
| WO2016084483A1 (ja) | リードフレーム、半導体装置、リードフレームの製造方法、および半導体装置の製造方法 | |
| JP2010192847A (ja) | リードフレーム及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法 | |
| TW201643969A (zh) | 封裝模組及其製作方法 | |
| JP5136458B2 (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
| JP2009064854A (ja) | リードフレーム、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2008187101A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の実装構造 | |
| JP2015076604A (ja) | 半導体パッケージ用フレーム補強材およびこれを用いた半導体パッケージの製造方法 | |
| JP5169964B2 (ja) | モールドパッケージの実装構造および実装方法 | |
| JP6165025B2 (ja) | 半導体モジュール | |
| JP2014103365A (ja) | 半導体装置 | |
| JP5072911B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP4111199B2 (ja) | 半導体パッケージ、及びこれを回路基板に実装する方法 | |
| JP5529494B2 (ja) | リードフレーム | |
| JP2018082069A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP5458476B2 (ja) | モールドパッケージおよびその製造方法 | |
| JP2005277231A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP4534675B2 (ja) | 集積回路装置 | |
| JP2013012567A (ja) | 半導体装置 | |
| JP5347933B2 (ja) | モールドパッケージの製造方法及びモールドパッケージ | |
| KR101333001B1 (ko) | 반도체 패키지용 리드프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조 방법 | |
| JP2018006654A (ja) | 電子装置 | |
| JP2008060562A (ja) | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法、半導体装置用基材、および積層型樹脂封止型半導体装置 | |
| JP5083348B2 (ja) | モールドパッケージの製造方法 |