JPS629734Y2 - - Google Patents
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- JPS629734Y2 JPS629734Y2 JP1978160851U JP16085178U JPS629734Y2 JP S629734 Y2 JPS629734 Y2 JP S629734Y2 JP 1978160851 U JP1978160851 U JP 1978160851U JP 16085178 U JP16085178 U JP 16085178U JP S629734 Y2 JPS629734 Y2 JP S629734Y2
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- plating layer
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- heat sink
- resin
- soldered
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/321—Disposition
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- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
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-
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、放熱板の上に半田付け固着された半
導体基板をモールド樹脂により包み込んで、外気
より保護した型の樹脂封止型半導体装置に関す
る。
導体基板をモールド樹脂により包み込んで、外気
より保護した型の樹脂封止型半導体装置に関す
る。
樹脂封止型半導体装置は、その製造が容易で低
価格であるので、近年多用されている。
価格であるので、近年多用されている。
第１図は従来の樹脂封止型半導体装置を示す。
１は銅などからできている放熱板、２は放熱板１
に施されたメツキ層、３は、半導体基板４をメツ
キ層２を介して放熱板１に半田付けしている半田
層、５は、半導体基板４を外気より保護するため
に半導体基板の露出面を包み込んでいるモールド
樹脂、６は電極引出しリード線である。
１は銅などからできている放熱板、２は放熱板１
に施されたメツキ層、３は、半導体基板４をメツ
キ層２を介して放熱板１に半田付けしている半田
層、５は、半導体基板４を外気より保護するため
に半導体基板の露出面を包み込んでいるモールド
樹脂、６は電極引出しリード線である。
このような構造の樹脂封止型半導体装置におい
ては、樹脂５と放熱板１との熱膨張率の違いなど
によつて放熱板１の上のメツキ層２と樹脂５との
密着が悪くなり、この界面を通して水分が浸透し
て半導体基板４に達して半導体基板４の特性が劣
化することがある。したがつて、従来の樹脂封止
型半導体装置は高い湿度条件のもとでは使うこと
が出来ず、そのような悪条件下では金属ケース、
セラミツクケース等に封入された半導体装置が用
いられていた。しかしながら、金属ケース、セラ
ミツクケースは高価であり、したがつて装置のコ
ストが高い欠点があつた。
ては、樹脂５と放熱板１との熱膨張率の違いなど
によつて放熱板１の上のメツキ層２と樹脂５との
密着が悪くなり、この界面を通して水分が浸透し
て半導体基板４に達して半導体基板４の特性が劣
化することがある。したがつて、従来の樹脂封止
型半導体装置は高い湿度条件のもとでは使うこと
が出来ず、そのような悪条件下では金属ケース、
セラミツクケース等に封入された半導体装置が用
いられていた。しかしながら、金属ケース、セラ
ミツクケースは高価であり、したがつて装置のコ
ストが高い欠点があつた。
本考案は、従来の樹脂封止型半導体装置の欠点
を除去した高耐湿性の樹脂封止型半導体装置を提
供することにある。
を除去した高耐湿性の樹脂封止型半導体装置を提
供することにある。
本考案の特徴は、銅などからなる放熱板と、こ
の放熱板にメツキ層を介して半田付けされた半導
体基板と、この半導体基板を包み込んでいるモー
ルド樹脂とからなる樹脂封止型半導体装置におい
て、メツキ層に半導体基板の半田付け面より外部
にはみ出た環状部が設けられ、この環状部におけ
る半田付用半田層がその周辺部のにおいて盛上つ
ている半導体装置にある。
の放熱板にメツキ層を介して半田付けされた半導
体基板と、この半導体基板を包み込んでいるモー
ルド樹脂とからなる樹脂封止型半導体装置におい
て、メツキ層に半導体基板の半田付け面より外部
にはみ出た環状部が設けられ、この環状部におけ
る半田付用半田層がその周辺部のにおいて盛上つ
ている半導体装置にある。
本考案によれば、半田層の盛上り部によつて樹
脂界面が長くなるので、湿気が入りにくくなる。
さらに、湿気が侵入しても、界面が長くなつてい
るので、リークパスも長くなつており、電気的特
性が向上する。
脂界面が長くなるので、湿気が入りにくくなる。
さらに、湿気が侵入しても、界面が長くなつてい
るので、リークパスも長くなつており、電気的特
性が向上する。
つぎに第２図を参照して本考案実施例を詳細に
説明する。第２図の装置の第１図の従来例と異な
る点は、金属メツキ層２が半導体基板４の半田付
け面より外部にはみ出した環状部をとり巻いた切
欠部７を有している。この切欠部７のため、半導
体基板４を半田付けの半田層３は外方に広がるの
が押えられ、最外周部に盛上り８が形成される。
第２図の形状によれば第１図の装置に比べて樹脂
界面の長さが20％程長くなる。
説明する。第２図の装置の第１図の従来例と異な
る点は、金属メツキ層２が半導体基板４の半田付
け面より外部にはみ出した環状部をとり巻いた切
欠部７を有している。この切欠部７のため、半導
体基板４を半田付けの半田層３は外方に広がるの
が押えられ、最外周部に盛上り８が形成される。
第２図の形状によれば第１図の装置に比べて樹脂
界面の長さが20％程長くなる。
この盛上りは、製造時に用いる半田量を従来よ
り多くして、さらに半導体基板４を押し付ける治
具に第２図の半田盛上り８にかん合するような形
状の突起部を設けることにより容易に形成でき
る。また、半導体基板４を押し付ける際にこの基
板を前後左右に動かし、切欠部７近傍の半田層に
しわを寄せるようにして形成することもできる。
いずれにしても治具の操作により容易に形成され
る。
り多くして、さらに半導体基板４を押し付ける治
具に第２図の半田盛上り８にかん合するような形
状の突起部を設けることにより容易に形成でき
る。また、半導体基板４を押し付ける際にこの基
板を前後左右に動かし、切欠部７近傍の半田層に
しわを寄せるようにして形成することもできる。
いずれにしても治具の操作により容易に形成され
る。
上述のような構造をもつ本考案半導体装置では
樹脂５と放熱板１の密着端Ａ点から湿気が浸入し
ても、半田層３の盛り上り８によりリークパスが
長くなつているので、、その分半導体基板４に到
達し難くなつている。さらに、半田層３の表面の
ミクロ的な凹凸がメツキ層２よりも密着性がよい
ので湿気浸透防御性能は、第１図の従来例に比べ
格段に改善されている。
樹脂５と放熱板１の密着端Ａ点から湿気が浸入し
ても、半田層３の盛り上り８によりリークパスが
長くなつているので、、その分半導体基板４に到
達し難くなつている。さらに、半田層３の表面の
ミクロ的な凹凸がメツキ層２よりも密着性がよい
ので湿気浸透防御性能は、第１図の従来例に比べ
格段に改善されている。
第１図は従来の樹脂封止型半導体装置の断面
図、第２図は本考案実施例の断面図である。 なお図において、１……放熱板、２……メツキ
層、３……半田層、４……半導体基板、５……保
護樹脂、６……電極引出しリード線、７……メツ
キ層切欠部、８……半田層盛上り、である。
図、第２図は本考案実施例の断面図である。 なお図において、１……放熱板、２……メツキ
層、３……半田層、４……半導体基板、５……保
護樹脂、６……電極引出しリード線、７……メツ
キ層切欠部、８……半田層盛上り、である。
Claims (1)
- 放熱板と、この放熱板にメツキ層を介して半田
付けされた半導体基板と、この半導体基板を包み
込んでいるモールド樹脂とを含む樹脂封止型半導
体装置において、前記メツキ層は前記半導体基板
の半田付け面より外部にはみ出ており、その周辺
に於いて前記放熱板が露出しており、前記半導体
基板の半田付け面は前記メツキ層に半田で半田付
けされており、前記半田は前記半導体基板の半田
付け面から前記メツキ層のはみ出し部は前記メツ
キ層の周辺部において盛り上り部を形成している
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978160851U JPS629734Y2 (ja) | 1978-11-22 | 1978-11-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978160851U JPS629734Y2 (ja) | 1978-11-22 | 1978-11-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5577846U JPS5577846U (ja) | 1980-05-29 |
| JPS629734Y2 true JPS629734Y2 (ja) | 1987-03-06 |
Family
ID=29155021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978160851U Expired JPS629734Y2 (ja) | 1978-11-22 | 1978-11-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS629734Y2 (ja) |
-
1978
- 1978-11-22 JP JP1978160851U patent/JPS629734Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5577846U (ja) | 1980-05-29 |
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