JPS6190540A - 光出力安定化装置 - Google Patents
光出力安定化装置Info
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- JPS6190540A JPS6190540A JP59212358A JP21235884A JPS6190540A JP S6190540 A JPS6190540 A JP S6190540A JP 59212358 A JP59212358 A JP 59212358A JP 21235884 A JP21235884 A JP 21235884A JP S6190540 A JPS6190540 A JP S6190540A
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は半導体レーザ、放電管等の如く、駆動電流（電
が）に対して非線形な光出力特性を示す光−の出力光量
を自動的に所望のレベルに制御し、前記光源から安定な
光出力を発生せしむる光出力安定化装置１：関する。
従来技術と問題点 半導体レーザ、放電管等の鼻源は、光源の駆動電流（電
π）に対して非線形な光出力特性を示す。 上記の非線形な光出力特性は、微少駆−電流（電圧）時
にはゼロないし極めで弱い光出力を示し、駆動電流（電
圧）の増大にともない、急激な光出力の増加を□示す折
線特性を示すものである。こうした非−形光出力特性を
有する光源から安定な光出力を得る為（ニー、上記の折
線の屈曲点の前後において、七ｉぞｋに最適な駆動電流
（電圧）の制御を行い、光出力の安定化を図るどとが必
゛要である。以下Ｊ上記の非線形光出力特性を有する光
源の代表例として半導体レーザ素子を例にとり、本発明
を板間する。なお、以下の図面の説明において、同一作
用をなす構成要素には同一符号を付しその説明を省略す
る。 半導体レーザ素子は、第３図に模式的に示すごとく駆動
電流■に対して折線部を有する非線形な光出力特性を示
す。屈曲点を一般に閾値電流Ｉｔｈで、また、屈曲点以
降の急峻な立上り部分の勾配を微分量子効率ηで規定す
る。かかる半導体レーザーの光出力特性は、素子の周囲
温度の上昇、或いは、素子の劣化により、閾値電流１
ｔｈの増加や微分量子効率ηの低下をきたす。上記によ
る光出力特性の変化を図中符号Ｃ，，Ｃ，で示す。この
ような光出力特性の温度依存性や劣化依存性は、半導体
レーザをパルス電流によって駆動しパルス状発光出力を
得る場合には影響が極めて大きい。前記光出力特性変化
による顕著な影響の一例として光記憶装置の光源に半導
体レーザを用い、記憶情報の続出を直流電流ＩＲによる
弱いレーザ連続発振モードで、情報の書込或いは消去を
パルス電流Ｉｗによる強いパルス発振モードでそれぞれ
行う場合についての上記の影響を光出力Ｐ１＋Ｐｔとし
て第３図に併記しである。半導体レーザの劣化や温度上
昇により、光出力特性がＣ１からＣｔへ変化した場合に
は、読出用の連続発振モード（ＩＲに相当する出力分）
が生じなくなる等の問題点がわかる。 こうした非線形特性を有する光源から安定な光出力を得
るための光出力安定化装置（以下、ＡＰＣと略称する）
が従来から提案されている。その代表的な回路構成図を
第４図に示す。半導体レーザ１の出力光の１部を検出す
るフォトデテクタ２により得た光検出信号を増幅器３を
介してウィンドコンパレータ４に入力し、予め設定する
上下限レベルと比較して夫々の出力信号をＡＮＤゲート
回路５（二人力する。一方、クロックパルス発生器６の
出力するクロック信号を上記ＡＮＤゲートＣ二人力して
、その論理演算出力をデジタルアップダワンカクンタ７
に入力する。更に、カワンタ出力なり／Ａコンバータ８
を介して帰還抵抗１１を有する演算増幅器１０に入力し
、電流制限抵抗１２を接続するトランジスタ１３によっ
て前記半導体レーザ１の駆動電流をフィードバック制御
する。かかる上記従来例の光出力安定化装置では、半導
体レーザの駆動電流設定範囲の全域について駆動電流制
御を前記ワインドコンパレータ４、アツブダクンカクン
タ７及びＤ／Ａコンバータ８により行うので、夫々の構
成部品の不感帯や応答速度及びピット数により制御精度
が限定されてしまう欠点を有していた。例えば、第３図
に示す如く連続発振（ＩＲ分に相当）をともなうパルス
発振モード（１ｗ分に相当）で半導体レーザを発振させ
る場合、３ｍＷのパルス出力を得る為には、温度上昇に
よる出力低下分の補信号も含めて約８０ｍＡの最大駆動
電流を想定し、駆動電流設定範囲はＯ〜８０ｍＡとなる
。 仮に前記Ｄ／Ａコンバータ８を８ピツト構成とし、更に
ワインドコンパレータ４の不感帯を考慮して精度分解能
として２デジツトを割当てた場合には、上記電流設定範
囲についての分解能（精度）は電流値で０．６ｍＡとな
り、微分量子効率ηが０．３ ｍＷ／ｍ Ａのレーザ素
子の場合には光出力制御精度は０．２ｍＷとなる。つま
り、最大出力３ｍＷに対して約７チの精度しか得られず
高精度な目的には使用できないこととなる欠点を有する
。 発明の目的 本発明は、駆動電流（電圧）に対して非線形な光出力特
性を示す光源の出力光量を所望の値に制御して、安定な
光出力を発生せしめる光出力安定化装置を提供しようと
するものである。 発明の概要 本発明は、上記従来の光出力安定化装置の有していた欠
点に鑑み、更に、非線形な光出力を発生する光源の有す
る特徴的特性に着目してなされたもので、上記非線形光
出力特性を有する光源の駆動電流（電圧）に対する光出
力特性曲線に見られる屈曲点（例えば、半導体レーザ素
子においては発光閾値）が、温度変化に応じて一定の関
係で変化することに着目してなされたものである。以下
、本発明を半導体レーザ素子を光源とした場合に例にと
り説明する。 半導体レーザの上記閾値電流１ ｔｂは、周囲温度に対
して（１）式のごとく変化することが知られてしＡる。 Ｉ ｔｈ ” ｅｘｐ （Ｔ／Ｔｏ） （１
）ここで、Ｔは周囲温度（Ｋ）、’Ｉ’。は特性温度（
Ｋ）である。いま、周囲温度の変化に対応できる範囲を
２６０ Ｋ （１３℃）から３３０ Ｋ （５７℃）迄
に設冥し、前記閾値電流を３００ Ｋ （２７℃）に於
いて６０ｍＡとすると、上記温度変化に対不する■値電
流の電流調整範囲は５２〜７０ ｍＡと、すればよいこ
とがわかる。 そこで、予め、半導体レーザ素子ｊ−５０ｍＡ程度の電
流を流しておき、さら（二半導体レーザ素子の駆動回路
に温度変化に応じた信号を供給し、半導体レーザの駆動
電流を自動的に補償するようＩ：なし、更に、上記温度
補償により調整しきれない成分Ｉ：ついて、光出力を検
出したフィートノ（ツク制御を施すことにより、高精度
な光出力安定装置を得るものである。 実 施 例 第１図に本発明に係る第１の実施例の回路構成図を示す
。１は半導体レーザ素子、２は半導体レーザの出力光の
１部を検出するフォトデテクタ、′ ３は光検出信号を
入力する差動アンプ、４は増幅された光検出信号を入力
し予め設定される上下限値と比較するウィンドコンパレ
ータ、５は上記コンパレータ出力とクロックパルスを入
力するＡＮＤゲート回路、６はクロックパルス発生器、
了は前記ゲート出力を入力するデジタルアツプダクンカ
ワンタ、８は前記力ワンタのデジタル出力を入力するＤ
／Ａコンバータ、８は温度変化（二対する調整手段で、
９１は定電圧電源、９２は抵抗、９３は台演算増幅器の
帰還回路を構成する大きな温度係数を有する温度センナ
を兼ねる抵抗、９４は演算増幅器、９５は抵抗、１０は
帰還抵抗１１を有する演算増幅器、１２は電流制限抵抗
、１３は半導体レーザ素 ゛＋１に供給する
電流を制御する制御手段としてのトランジスタである。 本実施例の構成においてフォトデテクタ２、ワインドコ
ンパレータ４、クロックパルス発生器６、アップダワン
カウンタ７及びＤ／Ａコンバータ８の作用は、前記従来
例の場合と同様であるのでその説明を省略し、以下、温
度変化に対する調整手段９の作用を説明する。温度変化
に対して大きな正の温度係数を有する抵抗９３は、周囲
温度Ｔ＝ ３００ Ｋ （２７℃）に於いて抵抗値Ｒを
有し、その抵・抗温度係数なαとする。従って一般に、
温度Ｔ１（：おける前記抵抗９３の抵抗値Ｒ□は、（２
）式で示される。 Ｒ□＝Ｒ（１＋α（Ｔ−３００）） ＋２）一
方、抵抗９２の抵抗値をＲ□とし、定電圧電源９１の電
圧をＥとすると、前記演算増幅器９４の出力Ｅ１は、（
３）式で示される。 抵抗９５の抵抗値をＲ１１！、抵抗１１の抵抗値をＲ１
□とすると、抵抗１２（電流れる電流のうち前記調整手
段９による成分Ｉ、は、（４）式で示される。 今、仮も月：、周囲温度Ｔ ＝ ２６０ Ｋ （１３℃
）における上記調整手段９Ｉ：よる電流成分ｌ、をＩ、
＝５０ｍＡとし、抵抗１２の抵抗値をＲ，、＝１Ω−Ｒ
ｔｔ／Ｒ＊ｉ＝１、α＝ ５ Ｘ ｉｆｆ” ［ｄｅｇ
−’］ 、 Ｅ ＝ ５ Ｖとすれば、Ｒ９゜／Ｒｏｔ
＝ １２ ｘ １０−”となり、例えばＲ，、＝ Ｉ
ＫΩ、Ｒｏ。 ＝ ８２．５ ＫΩとすればよいことがわかる。このと
き上記（４）式は、（５）式に示される。 ｌ１＝０．３ Ｘ （Ｔ −１００） （ｍＡ）
ｔ５１半導体レーザ素子１を３ ｍＷで発振させる
時（二必要な電流ｌは、前記（１）式よりＴ ＝ ２６
０に、 Ｉｔｈ”５０ ｍＡとして求めたＩｔｈ（Ｔ） Ｉｔｈ（Ｔ） ＝ Ｉ、 ・ｅｘｐ （Ｔ／２００）＝
１３．６ ・ｅｘｐ （Ｔ／２００）から、（６）式
（二より求められる。 １＝ −＝ｉｏ （ｐ：出力） η Ｉ ＝ ｌｌ）１（Ｔ） ＋ １ ＝ １３．６ ・ｅｘｐ （Ｔ／２００） ＋ １０
（６）従って、２６０Ｋ＜Ｔ≦３３０にの周
囲温度範囲において、Ｉ＞Ｉｌが満足されるので、Ｄ／
Ａコンバータによって補償すべき電流の大きさくｄｉ＝
１−１．）は周囲温度Ｔ ＝ ３３０Ｋ （５７℃）で
最大となり、かつ、ｄｉ＜１１ｍＡである。余裕度を充
分に設定して上記ｄｉを最大２０ ｍＡとしても、８ビ
ツトのＤ／Ａコンバータの１デジット当りでは０．０７
８ ｍＡとなり、対応する光量は０．０２３ ｍＷに対
して１゜５憾の精度が得られることとなる。 第２図は、本発明の第２の実施例を示す回路構成図で、
前記第１の実施例における光検出信号のデジタルフィー
ドバック１成を排し、アナログ信号処理によりループを
構成したもので、温度変化に対する調整手段９の作用は
第１の実施例と同様であり、更（＝、回路構成をより簡
便なものと出来るものである。 なお、上記実施例の説明では、光源を半導体レーザ素子
とし、周囲温度の変化により調整手段を正温度係数を有
する抵抗によるとしたが、それに限られることなく、非
線形光出力特性を有する光源に広く適用できるものであ
り、かつ、サーミスタ、熱電対などの熱起電圧素子など
、温度変化に応じてその電気特性に変化を示す感温素子
などの温度変化素子を用いうろことは、本発明の技術的
思想（二鑑みて容易になすことができるものである。 発明の効果 本発明によれば、駆動電流（電圧）に対して非線形の光
出力特性を有する光源の光出力安定化を、駆動電流（電
圧）を温度変化に応じて調整する手段を有して構成され
る光出力安定化装置によって行うことにより、簡便かつ
高精度に行いえるものであり、これを半導体レーザ素子
に適用した場合には、例えば、光記憶装置の安定な書込
、消去。 及び読出を容易に行いうるなどの効を奏するものである
。
が）に対して非線形な光出力特性を示す光−の出力光量
を自動的に所望のレベルに制御し、前記光源から安定な
光出力を発生せしむる光出力安定化装置１：関する。
従来技術と問題点 半導体レーザ、放電管等の鼻源は、光源の駆動電流（電
π）に対して非線形な光出力特性を示す。 上記の非線形な光出力特性は、微少駆−電流（電圧）時
にはゼロないし極めで弱い光出力を示し、駆動電流（電
圧）の増大にともない、急激な光出力の増加を□示す折
線特性を示すものである。こうした非−形光出力特性を
有する光源から安定な光出力を得る為（ニー、上記の折
線の屈曲点の前後において、七ｉぞｋに最適な駆動電流
（電圧）の制御を行い、光出力の安定化を図るどとが必
゛要である。以下Ｊ上記の非線形光出力特性を有する光
源の代表例として半導体レーザ素子を例にとり、本発明
を板間する。なお、以下の図面の説明において、同一作
用をなす構成要素には同一符号を付しその説明を省略す
る。 半導体レーザ素子は、第３図に模式的に示すごとく駆動
電流■に対して折線部を有する非線形な光出力特性を示
す。屈曲点を一般に閾値電流Ｉｔｈで、また、屈曲点以
降の急峻な立上り部分の勾配を微分量子効率ηで規定す
る。かかる半導体レーザーの光出力特性は、素子の周囲
温度の上昇、或いは、素子の劣化により、閾値電流１
ｔｈの増加や微分量子効率ηの低下をきたす。上記によ
る光出力特性の変化を図中符号Ｃ，，Ｃ，で示す。この
ような光出力特性の温度依存性や劣化依存性は、半導体
レーザをパルス電流によって駆動しパルス状発光出力を
得る場合には影響が極めて大きい。前記光出力特性変化
による顕著な影響の一例として光記憶装置の光源に半導
体レーザを用い、記憶情報の続出を直流電流ＩＲによる
弱いレーザ連続発振モードで、情報の書込或いは消去を
パルス電流Ｉｗによる強いパルス発振モードでそれぞれ
行う場合についての上記の影響を光出力Ｐ１＋Ｐｔとし
て第３図に併記しである。半導体レーザの劣化や温度上
昇により、光出力特性がＣ１からＣｔへ変化した場合に
は、読出用の連続発振モード（ＩＲに相当する出力分）
が生じなくなる等の問題点がわかる。 こうした非線形特性を有する光源から安定な光出力を得
るための光出力安定化装置（以下、ＡＰＣと略称する）
が従来から提案されている。その代表的な回路構成図を
第４図に示す。半導体レーザ１の出力光の１部を検出す
るフォトデテクタ２により得た光検出信号を増幅器３を
介してウィンドコンパレータ４に入力し、予め設定する
上下限レベルと比較して夫々の出力信号をＡＮＤゲート
回路５（二人力する。一方、クロックパルス発生器６の
出力するクロック信号を上記ＡＮＤゲートＣ二人力して
、その論理演算出力をデジタルアップダワンカクンタ７
に入力する。更に、カワンタ出力なり／Ａコンバータ８
を介して帰還抵抗１１を有する演算増幅器１０に入力し
、電流制限抵抗１２を接続するトランジスタ１３によっ
て前記半導体レーザ１の駆動電流をフィードバック制御
する。かかる上記従来例の光出力安定化装置では、半導
体レーザの駆動電流設定範囲の全域について駆動電流制
御を前記ワインドコンパレータ４、アツブダクンカクン
タ７及びＤ／Ａコンバータ８により行うので、夫々の構
成部品の不感帯や応答速度及びピット数により制御精度
が限定されてしまう欠点を有していた。例えば、第３図
に示す如く連続発振（ＩＲ分に相当）をともなうパルス
発振モード（１ｗ分に相当）で半導体レーザを発振させ
る場合、３ｍＷのパルス出力を得る為には、温度上昇に
よる出力低下分の補信号も含めて約８０ｍＡの最大駆動
電流を想定し、駆動電流設定範囲はＯ〜８０ｍＡとなる
。 仮に前記Ｄ／Ａコンバータ８を８ピツト構成とし、更に
ワインドコンパレータ４の不感帯を考慮して精度分解能
として２デジツトを割当てた場合には、上記電流設定範
囲についての分解能（精度）は電流値で０．６ｍＡとな
り、微分量子効率ηが０．３ ｍＷ／ｍ Ａのレーザ素
子の場合には光出力制御精度は０．２ｍＷとなる。つま
り、最大出力３ｍＷに対して約７チの精度しか得られず
高精度な目的には使用できないこととなる欠点を有する
。 発明の目的 本発明は、駆動電流（電圧）に対して非線形な光出力特
性を示す光源の出力光量を所望の値に制御して、安定な
光出力を発生せしめる光出力安定化装置を提供しようと
するものである。 発明の概要 本発明は、上記従来の光出力安定化装置の有していた欠
点に鑑み、更に、非線形な光出力を発生する光源の有す
る特徴的特性に着目してなされたもので、上記非線形光
出力特性を有する光源の駆動電流（電圧）に対する光出
力特性曲線に見られる屈曲点（例えば、半導体レーザ素
子においては発光閾値）が、温度変化に応じて一定の関
係で変化することに着目してなされたものである。以下
、本発明を半導体レーザ素子を光源とした場合に例にと
り説明する。 半導体レーザの上記閾値電流１ ｔｂは、周囲温度に対
して（１）式のごとく変化することが知られてしＡる。 Ｉ ｔｈ ” ｅｘｐ （Ｔ／Ｔｏ） （１
）ここで、Ｔは周囲温度（Ｋ）、’Ｉ’。は特性温度（
Ｋ）である。いま、周囲温度の変化に対応できる範囲を
２６０ Ｋ （１３℃）から３３０ Ｋ （５７℃）迄
に設冥し、前記閾値電流を３００ Ｋ （２７℃）に於
いて６０ｍＡとすると、上記温度変化に対不する■値電
流の電流調整範囲は５２〜７０ ｍＡと、すればよいこ
とがわかる。 そこで、予め、半導体レーザ素子ｊ−５０ｍＡ程度の電
流を流しておき、さら（二半導体レーザ素子の駆動回路
に温度変化に応じた信号を供給し、半導体レーザの駆動
電流を自動的に補償するようＩ：なし、更に、上記温度
補償により調整しきれない成分Ｉ：ついて、光出力を検
出したフィートノ（ツク制御を施すことにより、高精度
な光出力安定装置を得るものである。 実 施 例 第１図に本発明に係る第１の実施例の回路構成図を示す
。１は半導体レーザ素子、２は半導体レーザの出力光の
１部を検出するフォトデテクタ、′ ３は光検出信号を
入力する差動アンプ、４は増幅された光検出信号を入力
し予め設定される上下限値と比較するウィンドコンパレ
ータ、５は上記コンパレータ出力とクロックパルスを入
力するＡＮＤゲート回路、６はクロックパルス発生器、
了は前記ゲート出力を入力するデジタルアツプダクンカ
ワンタ、８は前記力ワンタのデジタル出力を入力するＤ
／Ａコンバータ、８は温度変化（二対する調整手段で、
９１は定電圧電源、９２は抵抗、９３は台演算増幅器の
帰還回路を構成する大きな温度係数を有する温度センナ
を兼ねる抵抗、９４は演算増幅器、９５は抵抗、１０は
帰還抵抗１１を有する演算増幅器、１２は電流制限抵抗
、１３は半導体レーザ素 ゛＋１に供給する
電流を制御する制御手段としてのトランジスタである。 本実施例の構成においてフォトデテクタ２、ワインドコ
ンパレータ４、クロックパルス発生器６、アップダワン
カウンタ７及びＤ／Ａコンバータ８の作用は、前記従来
例の場合と同様であるのでその説明を省略し、以下、温
度変化に対する調整手段９の作用を説明する。温度変化
に対して大きな正の温度係数を有する抵抗９３は、周囲
温度Ｔ＝ ３００ Ｋ （２７℃）に於いて抵抗値Ｒを
有し、その抵・抗温度係数なαとする。従って一般に、
温度Ｔ１（：おける前記抵抗９３の抵抗値Ｒ□は、（２
）式で示される。 Ｒ□＝Ｒ（１＋α（Ｔ−３００）） ＋２）一
方、抵抗９２の抵抗値をＲ□とし、定電圧電源９１の電
圧をＥとすると、前記演算増幅器９４の出力Ｅ１は、（
３）式で示される。 抵抗９５の抵抗値をＲ１１！、抵抗１１の抵抗値をＲ１
□とすると、抵抗１２（電流れる電流のうち前記調整手
段９による成分Ｉ、は、（４）式で示される。 今、仮も月：、周囲温度Ｔ ＝ ２６０ Ｋ （１３℃
）における上記調整手段９Ｉ：よる電流成分ｌ、をＩ、
＝５０ｍＡとし、抵抗１２の抵抗値をＲ，、＝１Ω−Ｒ
ｔｔ／Ｒ＊ｉ＝１、α＝ ５ Ｘ ｉｆｆ” ［ｄｅｇ
−’］ 、 Ｅ ＝ ５ Ｖとすれば、Ｒ９゜／Ｒｏｔ
＝ １２ ｘ １０−”となり、例えばＲ，、＝ Ｉ
ＫΩ、Ｒｏ。 ＝ ８２．５ ＫΩとすればよいことがわかる。このと
き上記（４）式は、（５）式に示される。 ｌ１＝０．３ Ｘ （Ｔ −１００） （ｍＡ）
ｔ５１半導体レーザ素子１を３ ｍＷで発振させる
時（二必要な電流ｌは、前記（１）式よりＴ ＝ ２６
０に、 Ｉｔｈ”５０ ｍＡとして求めたＩｔｈ（Ｔ） Ｉｔｈ（Ｔ） ＝ Ｉ、 ・ｅｘｐ （Ｔ／２００）＝
１３．６ ・ｅｘｐ （Ｔ／２００）から、（６）式
（二より求められる。 １＝ −＝ｉｏ （ｐ：出力） η Ｉ ＝ ｌｌ）１（Ｔ） ＋ １ ＝ １３．６ ・ｅｘｐ （Ｔ／２００） ＋ １０
（６）従って、２６０Ｋ＜Ｔ≦３３０にの周
囲温度範囲において、Ｉ＞Ｉｌが満足されるので、Ｄ／
Ａコンバータによって補償すべき電流の大きさくｄｉ＝
１−１．）は周囲温度Ｔ ＝ ３３０Ｋ （５７℃）で
最大となり、かつ、ｄｉ＜１１ｍＡである。余裕度を充
分に設定して上記ｄｉを最大２０ ｍＡとしても、８ビ
ツトのＤ／Ａコンバータの１デジット当りでは０．０７
８ ｍＡとなり、対応する光量は０．０２３ ｍＷに対
して１゜５憾の精度が得られることとなる。 第２図は、本発明の第２の実施例を示す回路構成図で、
前記第１の実施例における光検出信号のデジタルフィー
ドバック１成を排し、アナログ信号処理によりループを
構成したもので、温度変化に対する調整手段９の作用は
第１の実施例と同様であり、更（＝、回路構成をより簡
便なものと出来るものである。 なお、上記実施例の説明では、光源を半導体レーザ素子
とし、周囲温度の変化により調整手段を正温度係数を有
する抵抗によるとしたが、それに限られることなく、非
線形光出力特性を有する光源に広く適用できるものであ
り、かつ、サーミスタ、熱電対などの熱起電圧素子など
、温度変化に応じてその電気特性に変化を示す感温素子
などの温度変化素子を用いうろことは、本発明の技術的
思想（二鑑みて容易になすことができるものである。 発明の効果 本発明によれば、駆動電流（電圧）に対して非線形の光
出力特性を有する光源の光出力安定化を、駆動電流（電
圧）を温度変化に応じて調整する手段を有して構成され
る光出力安定化装置によって行うことにより、簡便かつ
高精度に行いえるものであり、これを半導体レーザ素子
に適用した場合には、例えば、光記憶装置の安定な書込
、消去。 及び読出を容易に行いうるなどの効を奏するものである
。
第１図は本発明の光出力安定化装置の第１の実施例を示
す回路構成図、第２図は、本発明の第２の実施例を示す
回路構成図、第３図は、本発明を説明するための非線形
光出力を有する光源として例示する半導体レーザの光出
力特性を示す動作模式説明図、第４図は、従来の光出力
安定化装置スを示す回路構成図である。 １・・・・・・半導体レーザ ２・・・・・・フォトデテクタ ９・・・・・・調整手段 ９３・・・・・・温度センサー １０・・・・・・演算増幅器 １３・・・・・・トランジスタ
す回路構成図、第２図は、本発明の第２の実施例を示す
回路構成図、第３図は、本発明を説明するための非線形
光出力を有する光源として例示する半導体レーザの光出
力特性を示す動作模式説明図、第４図は、従来の光出力
安定化装置スを示す回路構成図である。 １・・・・・・半導体レーザ ２・・・・・・フォトデテクタ ９・・・・・・調整手段 ９３・・・・・・温度センサー １０・・・・・・演算増幅器 １３・・・・・・トランジスタ
Claims (3)
- （１）駆動電流又は電圧に対して非線形性を有す光出力
を発生する光源を所望に制御して安定な出力を得る光出
力安定化装置において、少なくとも前記光源に供給する
電流又は電圧を温度変化に応じて調整する調整手段を有
する事を特徴とする光出力安定化装置。 - （２）前記調整手段は、少なくとも温度に対して電気特
性を変化する感温素子を有する特許請求の範囲第１項記
載の光出力安定化装置。 - （３）前記調整手段は、その出力が、光源から検出され
所望に処理された光検出信号とともに光源に供給する電
圧又は電流を制御する制御手段に入力される特許請求の
範囲第１項記載の光出力安定化装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59212358A JPS6190540A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 光出力安定化装置 |
| US06/785,910 US4700057A (en) | 1984-10-09 | 1985-10-09 | Light source with power stabilizer having temperature compensation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59212358A JPS6190540A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 光出力安定化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6190540A true JPS6190540A (ja) | 1986-05-08 |
Family
ID=16621220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59212358A Pending JPS6190540A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 光出力安定化装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4700057A (ja) |
| JP (1) | JPS6190540A (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3541002A1 (de) * | 1984-11-20 | 1986-05-28 | Olympus Optical Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Optisches informationsaufnahme- und -wiedergabespeichersystem |
| JPH03276782A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パルス光源 |
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| CA2384523C (en) * | 1991-03-04 | 2007-01-09 | Bayer Corporation | Automated analyzer |
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| FR2798780B1 (fr) * | 1999-09-17 | 2002-10-25 | Thomson Csf | Procede et dispositif de controle de la puissance optique d'un emetteur laser |
| CN1333499C (zh) * | 2005-01-07 | 2007-08-22 | 清华大学 | 半导体激光器两种模式工作的驱动电源 |
| JP2008218720A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Ricoh Co Ltd | 光量制御装置、光書き込み装置及び画像形成装置 |
| JP2017147615A (ja) * | 2016-02-17 | 2017-08-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置および通信モジュール |
Family Cites Families (5)
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|---|---|---|---|---|
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| US4025440A (en) * | 1975-09-30 | 1977-05-24 | Shigeru Suga | Device for regulating a xenon lamp with optical and temperature compensation |
| FR2476945A1 (fr) * | 1980-02-22 | 1981-08-28 | Lignes Telegraph Telephon | Dispositif de regulation automatique de puissance de sortie d'un module emetteur pour systeme de transmission sur fibre optique |
| US4307469A (en) * | 1980-04-18 | 1981-12-22 | Harris Corporation | Injection laser diode digital transmitter having signal quality monitoring arrangement |
| JPS58103625A (ja) * | 1981-12-15 | 1983-06-20 | Hitachi Ltd | 光度計 |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP59212358A patent/JPS6190540A/ja active Pending
-
1985
- 1985-10-09 US US06/785,910 patent/US4700057A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4700057A (en) | 1987-10-13 |
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