JPH05129702A - 半導体レーザ駆動制御回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動制御回路Info
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- JPH05129702A JPH05129702A JP3292653A JP29265391A JPH05129702A JP H05129702 A JPH05129702 A JP H05129702A JP 3292653 A JP3292653 A JP 3292653A JP 29265391 A JP29265391 A JP 29265391A JP H05129702 A JPH05129702 A JP H05129702A
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- Japan
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- light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光出力・順方向電流特性が個々に異なる半導
体レーザの駆動において、所望の光出力を得るために、
光量調整幅を設定でき微調が容易にできる、半導体レー
ザの出力可能な駆動電流レベルを調整する手段を提供す
ること。 【構成】 エミッタに抵抗Ｒ2 を介して外部電圧ＶEXT
が与えられる定電流源１１による第１調整回路８と、可
変抵抗器ＶＲにより出力電流が調整自在なカレントミラ
ーによる第２調整回路９とによる光量調整回路７を設
け、第１調整回路８において外部電圧ＶEXT と抵抗Ｒ2
とにより光量調整幅を設定でき、第２調整回路９の可変
抵抗器ＶＲにより微調できる光量調整回路７により発光
レベル指令信号Ｉ0 を生成することで、半導体レーザの
露光エネルギーの制御精度を高いものとし、所望の光出
力が容易かつ確実に得ることができようにした。
体レーザの駆動において、所望の光出力を得るために、
光量調整幅を設定でき微調が容易にできる、半導体レー
ザの出力可能な駆動電流レベルを調整する手段を提供す
ること。 【構成】 エミッタに抵抗Ｒ2 を介して外部電圧ＶEXT
が与えられる定電流源１１による第１調整回路８と、可
変抵抗器ＶＲにより出力電流が調整自在なカレントミラ
ーによる第２調整回路９とによる光量調整回路７を設
け、第１調整回路８において外部電圧ＶEXT と抵抗Ｒ2
とにより光量調整幅を設定でき、第２調整回路９の可変
抵抗器ＶＲにより微調できる光量調整回路７により発光
レベル指令信号Ｉ0 を生成することで、半導体レーザの
露光エネルギーの制御精度を高いものとし、所望の光出
力が容易かつ確実に得ることができようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザプリンタ、レー
ザファクシミリ等のように半導体レーザを用いた光書込
み装置に用いられる半導体レーザ駆動制御回路に関す
る。
ザファクシミリ等のように半導体レーザを用いた光書込
み装置に用いられる半導体レーザ駆動制御回路に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザは小型であり、かつ、駆動
電流により高速変調を直接行なえることから、近年、レ
ーザプリンタ等の光書込み装置の光源として広く利用さ
れている。
電流により高速変調を直接行なえることから、近年、レ
ーザプリンタ等の光書込み装置の光源として広く利用さ
れている。
【０００３】ここに、半導体レーザは、その光出力・順
方向電流特性が個々に異なるので、高品位画像形成のた
めに所望の光量を得るには、出力可能な駆動電流レベル
を調整する必要がある。
方向電流特性が個々に異なるので、高品位画像形成のた
めに所望の光量を得るには、出力可能な駆動電流レベル
を調整する必要がある。
【０００４】この点、従来にあっては、半導体レーザ駆
動制御回路に外付け抵抗や可変抵抗器を設けて、この調
整を行なうようにしている。
動制御回路に外付け抵抗や可変抵抗器を設けて、この調
整を行なうようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来方式によると、微調が困難であったり、抵抗値のバ
ラツキにより所望の駆動電流レベルが得られないことが
あり、さらには、可変抵抗器のトリミング時のバラツキ
等により半導体レーザに過大電流が流れて劣化させてし
まうこともある。
従来方式によると、微調が困難であったり、抵抗値のバ
ラツキにより所望の駆動電流レベルが得られないことが
あり、さらには、可変抵抗器のトリミング時のバラツキ
等により半導体レーザに過大電流が流れて劣化させてし
まうこともある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、発光レベル指令信号に応じた光量となるように半導
体レーザを駆動制御する半導体レーザ駆動制御回路にお
いて、エミッタに抵抗を介して外部電圧が与えられる定
電流源による第１調整回路と、可変抵抗器により出力電
流が調整自在なカレントミラーによる第２調整回路とを
有して、前記第１調整回路により設定された電流と、こ
の電流を用いて前記第２調整回路により設定される電流
との差電流により前記発光レベル指令信号を生成する光
量調整回路を設けた。
は、発光レベル指令信号に応じた光量となるように半導
体レーザを駆動制御する半導体レーザ駆動制御回路にお
いて、エミッタに抵抗を介して外部電圧が与えられる定
電流源による第１調整回路と、可変抵抗器により出力電
流が調整自在なカレントミラーによる第２調整回路とを
有して、前記第１調整回路により設定された電流と、こ
の電流を用いて前記第２調整回路により設定される電流
との差電流により前記発光レベル指令信号を生成する光
量調整回路を設けた。
【０００７】請求項２記載の発明では、半導体レーザの
光出力を受光検知する受光素子と、この受光素子により
検知されて得られる半導体レーザの光出力に比例した受
光信号と第１発光レベル指令信号とが等しくなるように
前記半導体レーザの順方向電流を制御する光・電気負帰
還ループと、前記受光信号と第２発光レベル指令信号と
が等しくなるように前記半導体レーザの光出力・順方向
電流特性、前記受光素子と前記半導体レーザの光出力と
の結合係数、及び前記受光素子の光入力・受光信号特性
に基づき前記第２発光レベル指令信号を前記半導体レー
ザの順方向電流に変換する変換手段とを備え、前記光・
電気負帰還ループの制御電流と前記変換手段により生成
された電流との和電流により前記半導体レーザを駆動制
御するようにした半導体レーザ駆動制御回路に、請求項
１記載の発明の光量調整回路を付加し、第１発光レベル
指令信号を生成するようにした。
光出力を受光検知する受光素子と、この受光素子により
検知されて得られる半導体レーザの光出力に比例した受
光信号と第１発光レベル指令信号とが等しくなるように
前記半導体レーザの順方向電流を制御する光・電気負帰
還ループと、前記受光信号と第２発光レベル指令信号と
が等しくなるように前記半導体レーザの光出力・順方向
電流特性、前記受光素子と前記半導体レーザの光出力と
の結合係数、及び前記受光素子の光入力・受光信号特性
に基づき前記第２発光レベル指令信号を前記半導体レー
ザの順方向電流に変換する変換手段とを備え、前記光・
電気負帰還ループの制御電流と前記変換手段により生成
された電流との和電流により前記半導体レーザを駆動制
御するようにした半導体レーザ駆動制御回路に、請求項
１記載の発明の光量調整回路を付加し、第１発光レベル
指令信号を生成するようにした。
【０００８】
【作用】第１調整回路において外部電圧と抵抗とにより
光量調整幅を設定でき、第２調整回路の可変抵抗器によ
り微調できる光量調整回路により発光レベル指令信号な
いしは第１発光レベル指令信号を生成するようにしたの
で、半導体レーザの露光エネルギーの制御精度の高いも
のとし、所望の光出力が容易かつ確実に得られるものと
なる。特に、この光量調整回路は、外部電圧による設定
信号と可変抵抗器による設定信号との差電流により調整
を行なうものであり、可変抵抗器の抵抗値にバラツキが
あったとしても半導体レーザを劣化させることなく調整
し得るものとなる。
光量調整幅を設定でき、第２調整回路の可変抵抗器によ
り微調できる光量調整回路により発光レベル指令信号な
いしは第１発光レベル指令信号を生成するようにしたの
で、半導体レーザの露光エネルギーの制御精度の高いも
のとし、所望の光出力が容易かつ確実に得られるものと
なる。特に、この光量調整回路は、外部電圧による設定
信号と可変抵抗器による設定信号との差電流により調整
を行なうものであり、可変抵抗器の抵抗値にバラツキが
あったとしても半導体レーザを劣化させることなく調整
し得るものとなる。
【０００９】
【実施例】本発明の一実施例を図面に基づいて説明す
る。まず、本発明が適用される半導体レーザ駆動制御回
路の一例として、特開平２−２０５３７５号公報中に示
される回路構成を図３に示す。
る。まず、本発明が適用される半導体レーザ駆動制御回
路の一例として、特開平２−２０５３７５号公報中に示
される回路構成を図３に示す。
【００１０】第１発光レベル指令信号は比較増幅器１に
入力され、第２発光レベル指令信号は電流変換器（変換
手段）２に入力され、制御対象となる半導体レーザ３の
光出力の一部が受光素子４によりモニタされる。ここ
に、比較増幅器１と半導体レーザ３と受光素子４とは光
・電気負帰還ループ５を形成しており、比較増幅器１は
受光素子４に誘起された光起電流（半導体レーザ３の光
出力に比例する）に比例する受光信号と第１発光レベル
指令信号とを比較して、その結果により半導体レーザ３
の順方向電流を受光信号と第１発光レベル指令信号とが
等しくなるように制御する。また、電流変換器２は前記
受光信号と第２発光レベル指令信号とが等しくなるよう
にこの第２発光レベル指令信号に従って予め設定された
電流（半導体レーザ３の光出力・順方向電流特性、受光
素子４と半導体レーザ３の光出力との結合係数、及び、
受光素子４の光入力・順方向電流特性に基づき予め設定
された電流）を出力する。この電流変換器２の出力電流
と比較増幅器１から出力される制御電流との和電流が半
導体レーザ３の順方向電流となって制御されることにな
る。
入力され、第２発光レベル指令信号は電流変換器（変換
手段）２に入力され、制御対象となる半導体レーザ３の
光出力の一部が受光素子４によりモニタされる。ここ
に、比較増幅器１と半導体レーザ３と受光素子４とは光
・電気負帰還ループ５を形成しており、比較増幅器１は
受光素子４に誘起された光起電流（半導体レーザ３の光
出力に比例する）に比例する受光信号と第１発光レベル
指令信号とを比較して、その結果により半導体レーザ３
の順方向電流を受光信号と第１発光レベル指令信号とが
等しくなるように制御する。また、電流変換器２は前記
受光信号と第２発光レベル指令信号とが等しくなるよう
にこの第２発光レベル指令信号に従って予め設定された
電流（半導体レーザ３の光出力・順方向電流特性、受光
素子４と半導体レーザ３の光出力との結合係数、及び、
受光素子４の光入力・順方向電流特性に基づき予め設定
された電流）を出力する。この電流変換器２の出力電流
と比較増幅器１から出力される制御電流との和電流が半
導体レーザ３の順方向電流となって制御されることにな
る。
【００１１】いま、光・電気負帰還ループ５の開ループ
での交叉周波数をｆ0 とし、ＤＣゲインを１００００と
した場合、半導体レーザ３の光出力ＰO のステップ応答
特性は、ｔ＝∞における光出力をＰL 、電流変換器２に
より設定された光量をＰS とすると、 ＰO ＝ＰL＋（ＰS−ＰL）exp（−２πｆ0ｔ） で近似できる。ここでは、光・電気負帰還ループ５の開
ループでのＤＣゲインを１００００としているので、設
定誤差は０．０１％となり、設定誤差の許容範囲を０．
１％以下とした場合には光出力ＰL は設定された光量に
等しいと考えられる。従って、仮に電流変換器２により
設定された光量ＰSがＰLに等しければ、瞬時に半導体レ
ーザ３の光出力ＰOがＰLに等しくなる。また、外乱等に
よりＰS が５％変動したとしてもｆ0 ＝４０ＭＨｚ程度
であれば、１０ナノ秒後には半導体レーザ３の光出力は
設定値に対する誤差が０．４％以下となる。
での交叉周波数をｆ0 とし、ＤＣゲインを１００００と
した場合、半導体レーザ３の光出力ＰO のステップ応答
特性は、ｔ＝∞における光出力をＰL 、電流変換器２に
より設定された光量をＰS とすると、 ＰO ＝ＰL＋（ＰS−ＰL）exp（−２πｆ0ｔ） で近似できる。ここでは、光・電気負帰還ループ５の開
ループでのＤＣゲインを１００００としているので、設
定誤差は０．０１％となり、設定誤差の許容範囲を０．
１％以下とした場合には光出力ＰL は設定された光量に
等しいと考えられる。従って、仮に電流変換器２により
設定された光量ＰSがＰLに等しければ、瞬時に半導体レ
ーザ３の光出力ＰOがＰLに等しくなる。また、外乱等に
よりＰS が５％変動したとしてもｆ0 ＝４０ＭＨｚ程度
であれば、１０ナノ秒後には半導体レーザ３の光出力は
設定値に対する誤差が０．４％以下となる。
【００１２】このような高速・高精度・高分解能な半導
体レーザ制御回路に対する第１発光レベル指令信号は、
図２に示すような入力回路により生成される。即ち、デ
ジタルデータはＤ／Ａ変換器６によりアナログの発光レ
ベル指令信号に変換される。この時、この発光レベル指
令信号は光量調整回路７により調整されて前記第１発光
レベル指令信号として出力される。
体レーザ制御回路に対する第１発光レベル指令信号は、
図２に示すような入力回路により生成される。即ち、デ
ジタルデータはＤ／Ａ変換器６によりアナログの発光レ
ベル指令信号に変換される。この時、この発光レベル指
令信号は光量調整回路７により調整されて前記第１発光
レベル指令信号として出力される。
【００１３】このための光量調整回路７は図１に示すよ
うに、第１調整回路８と第２調整回路９とにより構成さ
れている。第１調整回路８は電源１０によりベースに一
定電位Ｖが与えられ、エミッタ・グランド間に抵抗Ｒ1
が接続されて定電流源を構成するトランジスタ１１のエ
ミッタに対して、抵抗Ｒ2 を介して外部電圧ＶEXT を与
えるようにしたものであり、抵抗Ｒ3 、トランジスタ１
２を介して電源Ｖccに接続されている。また、第２調整
回路９はダイオード接続されたトランジスタ１３と、こ
のトランジスタ１３のエミッタに接続された可変抵抗器
ＶＲと、トランジスタ１４及び抵抗Ｒ4 とによるカレン
トミラー構成とされている。これらのトランジスタ１
３，１４には前記第１調整回路８で設定された電流に比
例した供給電流が、各々抵抗Ｒ5，Ｒ6及びトランジスタ
１５，１６を介して供給されるとともに、トランジスタ
１４の出力が第１発光レベル指令信号として前記比較増
幅器１に入力されている。
うに、第１調整回路８と第２調整回路９とにより構成さ
れている。第１調整回路８は電源１０によりベースに一
定電位Ｖが与えられ、エミッタ・グランド間に抵抗Ｒ1
が接続されて定電流源を構成するトランジスタ１１のエ
ミッタに対して、抵抗Ｒ2 を介して外部電圧ＶEXT を与
えるようにしたものであり、抵抗Ｒ3 、トランジスタ１
２を介して電源Ｖccに接続されている。また、第２調整
回路９はダイオード接続されたトランジスタ１３と、こ
のトランジスタ１３のエミッタに接続された可変抵抗器
ＶＲと、トランジスタ１４及び抵抗Ｒ4 とによるカレン
トミラー構成とされている。これらのトランジスタ１
３，１４には前記第１調整回路８で設定された電流に比
例した供給電流が、各々抵抗Ｒ5，Ｒ6及びトランジスタ
１５，１６を介して供給されるとともに、トランジスタ
１４の出力が第１発光レベル指令信号として前記比較増
幅器１に入力されている。
【００１４】このような構成において、トランジスタ１
１に流れる電流Ｉ1 は、 Ｉ1＝（Ｖ−０．７）／Ｒ1 ＋（Ｖ−０．７−ＶEXT ）／Ｒ2 として求められる。いま、Ｖ＝１．７Ｖ、Ｒ1 ＝１０ｋ
Ω、ＶEXT ＝１Ｖとすると、Ｉ1 ＝１００μＡとなる。
ここに、Ｒ2 ＝１００ｋΩとし、ＶEXT の電圧可変範囲
を０〜２Ｖとすると、電流Ｉ1 の調整幅は±２０％とす
ることができる。
１に流れる電流Ｉ1 は、 Ｉ1＝（Ｖ−０．７）／Ｒ1 ＋（Ｖ−０．７−ＶEXT ）／Ｒ2 として求められる。いま、Ｖ＝１．７Ｖ、Ｒ1 ＝１０ｋ
Ω、ＶEXT ＝１Ｖとすると、Ｉ1 ＝１００μＡとなる。
ここに、Ｒ2 ＝１００ｋΩとし、ＶEXT の電圧可変範囲
を０〜２Ｖとすると、電流Ｉ1 の調整幅は±２０％とす
ることができる。
【００１５】また、トランジスタ１３，１４に対する供
給電流をＩ2 、トランジスタ１４に流れる電流をＩ3 と
すると、トランジスタ１４の出力電流（第１発光レベル
指令信号）Ｉ0 は、 Ｉ0＝Ｉ3−Ｉ2＝（ＶＲ・Ｉ2／Ｒ4）−Ｉ2＝（ＶＲ−Ｒ4）Ｉ2／Ｒ4 として求められる。但し、Ｉ2＝（Ｒ3／Ｒ5）・Ｉ1、Ｉ
3＝（ＶＲ／Ｒ4）・Ｉ2である。ここに、前述したよう
にＩ1 ＝１００μＡであり、Ｒ3＝Ｒ5＝Ｒ6、Ｒ４＝１
０ｋΩ、ＶＲ＝１１ｋΩとすると、Ｉ０ ＝１０μＡと
なり、微小な信号が生成でき、光量調整（微調）を容易
に行なえるものとなる。
給電流をＩ2 、トランジスタ１４に流れる電流をＩ3 と
すると、トランジスタ１４の出力電流（第１発光レベル
指令信号）Ｉ0 は、 Ｉ0＝Ｉ3−Ｉ2＝（ＶＲ・Ｉ2／Ｒ4）−Ｉ2＝（ＶＲ−Ｒ4）Ｉ2／Ｒ4 として求められる。但し、Ｉ2＝（Ｒ3／Ｒ5）・Ｉ1、Ｉ
3＝（ＶＲ／Ｒ4）・Ｉ2である。ここに、前述したよう
にＩ1 ＝１００μＡであり、Ｒ3＝Ｒ5＝Ｒ6、Ｒ４＝１
０ｋΩ、ＶＲ＝１１ｋΩとすると、Ｉ０ ＝１０μＡと
なり、微小な信号が生成でき、光量調整（微調）を容易
に行なえるものとなる。
【００１６】また、出力電流Ｉ0 は電流Ｉ3，Ｉ2の差電
流によるものであり、可変抵抗器ＶＲのトリミング時の
バラツキ等によるオフセット電流は電流Ｉ2 で吸収され
るので、出力電流Ｉ0 が過大電流となって半導体レーザ
３を劣化させるようなこともない。
流によるものであり、可変抵抗器ＶＲのトリミング時の
バラツキ等によるオフセット電流は電流Ｉ2 で吸収され
るので、出力電流Ｉ0 が過大電流となって半導体レーザ
３を劣化させるようなこともない。
【００１７】
【発明の効果】本発明は、上述したように、エミッタに
抵抗を介して外部電圧が与えられる定電流源による第１
調整回路において外部電圧と抵抗とにより光量調整幅を
設定でき、可変抵抗器により出力電流が調整自在なカレ
ントミラーによる第２調整回路の可変抵抗器により微調
できる光量調整回路により発光レベル指令信号を生成す
るようにしたので、半導体レーザの露光エネルギーの制
御精度を高いものとし、所望の光出力を容易かつ確実に
得ることができ、特に、この光量調整回路は、外部電圧
による設定信号と可変抵抗器による設定信号との差電流
により調整を行なうものであり、可変抵抗器の抵抗値に
バラツキがあったとしても半導体レーザを劣化させるこ
となく調整でき、このような光量調整回路を高速・高精
度・高分解能特性を持つ請求項２記載の半導体レーザ駆
動制御回路に付加することにより、半導体レーザの露光
エネルギーの制御精度をより高いものとし、高品位画像
形成に供することができる。
抵抗を介して外部電圧が与えられる定電流源による第１
調整回路において外部電圧と抵抗とにより光量調整幅を
設定でき、可変抵抗器により出力電流が調整自在なカレ
ントミラーによる第２調整回路の可変抵抗器により微調
できる光量調整回路により発光レベル指令信号を生成す
るようにしたので、半導体レーザの露光エネルギーの制
御精度を高いものとし、所望の光出力を容易かつ確実に
得ることができ、特に、この光量調整回路は、外部電圧
による設定信号と可変抵抗器による設定信号との差電流
により調整を行なうものであり、可変抵抗器の抵抗値に
バラツキがあったとしても半導体レーザを劣化させるこ
となく調整でき、このような光量調整回路を高速・高精
度・高分解能特性を持つ請求項２記載の半導体レーザ駆
動制御回路に付加することにより、半導体レーザの露光
エネルギーの制御精度をより高いものとし、高品位画像
形成に供することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す光量調整回路の回路図
である。
である。
【図２】半導体レーザ駆動制御回路に対する入力部構成
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図３】半導体レーザ駆動制御回路を示す回路図であ
る。
る。
２ 変換手段 ３ 半導体レーザ ４ 受光素子 ５ 光・電気負帰還ループ ７ 光量調整回路 ８ 第１調整回路 ９ 第２調整回路 １１ 定電流源 Ｒ2 抵抗 ＶＲ 可変抵抗器
Claims (2)
- 【請求項１】 発光レベル指令信号に応じた光量となる
ように半導体レーザを駆動制御する半導体レーザ駆動制
御回路において、エミッタに抵抗を介して外部電圧が与
えられる定電流源による第１調整回路と、可変抵抗器に
より出力電流が調整自在なカレントミラーによる第２調
整回路とを有して、前記第１調整回路により設定された
電流と、この電流を用いて前記第２調整回路により設定
される電流との差電流により前記発光レベル指令信号を
生成する光量調整回路を設けたことを特徴とする半導体
レーザ駆動制御回路。 - 【請求項２】 半導体レーザの光出力を受光検知する受
光素子と、この受光素子により検知されて得られる半導
体レーザの光出力に比例した受光信号と第１発光レベル
指令信号とが等しくなるように前記半導体レーザの順方
向電流を制御する光・電気負帰還ループと、前記受光信
号と第２発光レベル指令信号とが等しくなるように前記
半導体レーザの光出力・順方向電流特性、前記受光素子
と前記半導体レーザの光出力との結合係数、及び前記受
光素子の光入力・受光信号特性に基づき前記第２発光レ
ベル指令信号を前記半導体レーザの順方向電流に変換す
る変換手段とを備え、前記光・電気負帰還ループの制御
電流と前記変換手段により生成された電流との和電流に
より前記半導体レーザを駆動制御するようにした半導体
レーザ駆動制御回路において、エミッタに抵抗を介して
外部電圧が与えられる定電流源による第１調整回路と、
可変抵抗器により出力電流が調整自在なカレントミラー
による第２調整回路とを有して、前記第１調整回路によ
り設定された電流と、この電流を用いて前記第２調整回
路により設定される電流との差電流により前記第１発光
レベル指令信号を生成する光量調整回路を設けたことを
特徴とする半導体レーザ駆動制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3292653A JPH05129702A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 半導体レーザ駆動制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3292653A JPH05129702A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 半導体レーザ駆動制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129702A true JPH05129702A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17784569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3292653A Pending JPH05129702A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 半導体レーザ駆動制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05129702A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1079549A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-03-24 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ制御装置 |
| JPH1079548A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-03-24 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ制御装置 |
| EP1053575A1 (en) * | 1998-04-14 | 2000-11-22 | Optobahn Corporation | Temperature compensation of laser diodes |
-
1991
- 1991-11-08 JP JP3292653A patent/JPH05129702A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1079549A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-03-24 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ制御装置 |
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| EP1053575A1 (en) * | 1998-04-14 | 2000-11-22 | Optobahn Corporation | Temperature compensation of laser diodes |
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