JP3065791B2 - 半導体レーザ駆動制御回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動制御回路Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザプリンタ、レー
ザファクシミリ、デジタル複写機等のように、半導体レ
ーザを用いた光書込み装置に用いられる半導体レーザ駆
動制御回路に関する。
ザファクシミリ、デジタル複写機等のように、半導体レ
ーザを用いた光書込み装置に用いられる半導体レーザ駆
動制御回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザは小型であり、かつ、駆動
電流により高速変調を直接行えることから、近年、レー
ザプリンタ等の光書込み装置の光源として広く利用され
ている。
電流により高速変調を直接行えることから、近年、レー
ザプリンタ等の光書込み装置の光源として広く利用され
ている。
【０００３】ここに、半導体レーザは、その光出力・順
方向電流特性が個々に異なるので、高品位画像形成のた
めに所望の光量を得るには、出力可能な駆動電流レベル
を調整する必要がある。そこで、種々のＡＰＣ回路（自
動パワー制御回路）が提案されているが、中でも、光・
電気負帰還ループを利用した特開平２−２０５３７５号
公報に示されるような駆動制御方式が、高速・高精度・
高分解能の点で有望といえる。
方向電流特性が個々に異なるので、高品位画像形成のた
めに所望の光量を得るには、出力可能な駆動電流レベル
を調整する必要がある。そこで、種々のＡＰＣ回路（自
動パワー制御回路）が提案されているが、中でも、光・
電気負帰還ループを利用した特開平２−２０５３７５号
公報に示されるような駆動制御方式が、高速・高精度・
高分解能の点で有望といえる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、半導体レー
ザは個々に、その微分量子効率、受光素子と半導体レー
ザの光出力との結合効率、及び受光素子の光入力・受光
信号特性が異なり、常に一定電流を受光素子に供給して
も、所望のオフセット光量が得られない場合がある。
ザは個々に、その微分量子効率、受光素子と半導体レー
ザの光出力との結合効率、及び受光素子の光入力・受光
信号特性が異なり、常に一定電流を受光素子に供給して
も、所望のオフセット光量が得られない場合がある。
【０００５】例えば、図９において、２つの半導体レー
ザＬＤ１，ＬＤ２の特性を考えた場合、半導体レーザＬ
Ｄ１の時にはオフセット電流ＩOFFSETのときにオフセッ
ト光量ＰOFFSETが得られるが、半導体レーザＬＤ２の時
にはオフセット電流ＩOFFSETを与えても所望のオフセッ
ト光量ＰOFFSETは得られないものとなってしまう。これ
は、上記のように光・電気負帰還ループを構成して半導
体レーザの駆動電流を常時制御する構成の半導体レーザ
駆動制御回路にあっても、このような半導体レーザＬＤ
２については正常に動作しないものである。
ザＬＤ１，ＬＤ２の特性を考えた場合、半導体レーザＬ
Ｄ１の時にはオフセット電流ＩOFFSETのときにオフセッ
ト光量ＰOFFSETが得られるが、半導体レーザＬＤ２の時
にはオフセット電流ＩOFFSETを与えても所望のオフセッ
ト光量ＰOFFSETは得られないものとなってしまう。これ
は、上記のように光・電気負帰還ループを構成して半導
体レーザの駆動電流を常時制御する構成の半導体レーザ
駆動制御回路にあっても、このような半導体レーザＬＤ
２については正常に動作しないものである。
【０００６】一方、半導体レーザの光出力・順方向電流
特性、受光素子と半導体レーザの光出力との結合係数、
及び受光素子の光入力・受光信号特性に基づいた信号
は、電源投入時にタイミング信号発生回路等によって生
成・設定されるが、一旦設定されると電源を落すまでは
その値に維持される。従って、例えば図１０に示すよう
に、光量調整回路における外部電圧又は可変抵抗器によ
り光量をＰａからＰｂに変更した場合、変換手段による
変換電流は変わらないのでＰ1 は一定であり、光出力の
応答特性が同図(ａ)に示した状態から同図(ｂ)に示す状
態に、見掛け上、劣化してしまう場合がある。
特性、受光素子と半導体レーザの光出力との結合係数、
及び受光素子の光入力・受光信号特性に基づいた信号
は、電源投入時にタイミング信号発生回路等によって生
成・設定されるが、一旦設定されると電源を落すまでは
その値に維持される。従って、例えば図１０に示すよう
に、光量調整回路における外部電圧又は可変抵抗器によ
り光量をＰａからＰｂに変更した場合、変換手段による
変換電流は変わらないのでＰ1 は一定であり、光出力の
応答特性が同図(ａ)に示した状態から同図(ｂ)に示す状
態に、見掛け上、劣化してしまう場合がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、発光レべル指令信号に応じた光量となるように半導
体レーザを駆動制御する半導体レーザ駆動制御回路にお
いて、前記半導体レーザの光出力を受光検知する受光素
子と、この受光素子により検知されて得られる半導体レ
ーザの光出力に比例した受光信号と入力データに基づき
生成される発光レベル指令信号とが等しくなるように前
記半導体レーザの順方向電流を制御する光・電気負帰還
ループと、前記受光信号と前記発光レベル指令信号とが
等しくなるように前記半導体レーザの光出力・順方向電
流特性、前記受光素子と前記半導体レーザの光出力との
結合係数、及び前記受光素子の光入力・受光信号特性に
基づき前記入力データを前記半導体レーザの順方向電流
に変換する変換手段と、外部から与えられる電圧と可変
抵抗器とにより前記半導体レーザの光量を調整する光量
調整回路と、この光量調整回路により調整された前記半
導体レーザの光量に比例したオフセット光量がこの半導
体レーザから得られるように前記受光素子に電流を供給
するオフセット供給回路とを設けた。
は、発光レべル指令信号に応じた光量となるように半導
体レーザを駆動制御する半導体レーザ駆動制御回路にお
いて、前記半導体レーザの光出力を受光検知する受光素
子と、この受光素子により検知されて得られる半導体レ
ーザの光出力に比例した受光信号と入力データに基づき
生成される発光レベル指令信号とが等しくなるように前
記半導体レーザの順方向電流を制御する光・電気負帰還
ループと、前記受光信号と前記発光レベル指令信号とが
等しくなるように前記半導体レーザの光出力・順方向電
流特性、前記受光素子と前記半導体レーザの光出力との
結合係数、及び前記受光素子の光入力・受光信号特性に
基づき前記入力データを前記半導体レーザの順方向電流
に変換する変換手段と、外部から与えられる電圧と可変
抵抗器とにより前記半導体レーザの光量を調整する光量
調整回路と、この光量調整回路により調整された前記半
導体レーザの光量に比例したオフセット光量がこの半導
体レーザから得られるように前記受光素子に電流を供給
するオフセット供給回路とを設けた。
【０００８】加えて、請求項２記載の発明では、エミッ
タ面積の異なる２つのトランジスタを用いて形成されて
一定電圧を生成する２つの電圧生成部と、負端子側がグ
ランドに接続された一方の電圧生成部の正端子と電源と
の間に接続した第１抵抗と第２抵抗との接続中点に一方
の入力が接続され、正端子が電源に接続された他方の電
圧生成部の負端子とグランドとの間に接続した第３抵抗
と定電流源との接続中点に他方の入力が接続された２入
力差動スイッチによる電位比較部とを有して、この他方
の入力が前記一方の入力より低電位のときに前記半導体
レーザに対する駆動電流を遮断する電源電圧監視回路を
設けた。
タ面積の異なる２つのトランジスタを用いて形成されて
一定電圧を生成する２つの電圧生成部と、負端子側がグ
ランドに接続された一方の電圧生成部の正端子と電源と
の間に接続した第１抵抗と第２抵抗との接続中点に一方
の入力が接続され、正端子が電源に接続された他方の電
圧生成部の負端子とグランドとの間に接続した第３抵抗
と定電流源との接続中点に他方の入力が接続された２入
力差動スイッチによる電位比較部とを有して、この他方
の入力が前記一方の入力より低電位のときに前記半導体
レーザに対する駆動電流を遮断する電源電圧監視回路を
設けた。
【０００９】さらに、請求項３記載の発明では、光・電
気負帰還ループの制御時間より長く設定された時定数の
ローパスフィルタが一方の入力端子に接続されて他方の
入力端子が定電位に保たれた２入力の電位比較器を、前
段の電位比較器出力を後段のローパスフィルタの入力と
して、複数段に接続したタイミング信号発生回路を設
け、電源電圧監視回路中の電位比較部に対する一方の入
力が他方の入力より低電位のときに初段の電位比較器の
入力端子の充電を開始させるとともに、２段目以降の電
位比較器の入力端子は前段の電位比較器の出力により各
ローパスフィルタの時定数で順次充電させ、前記半導体
レーザの光出力・順方向電流特性、前記受光素子と前記
半導体レーザの光出力との結合係数、及び前記受光素子
の光入力・受光信号特性に基づく信号を生成するために
各段の電位比較器からタイミング信号を出力させるよう
にした。
気負帰還ループの制御時間より長く設定された時定数の
ローパスフィルタが一方の入力端子に接続されて他方の
入力端子が定電位に保たれた２入力の電位比較器を、前
段の電位比較器出力を後段のローパスフィルタの入力と
して、複数段に接続したタイミング信号発生回路を設
け、電源電圧監視回路中の電位比較部に対する一方の入
力が他方の入力より低電位のときに初段の電位比較器の
入力端子の充電を開始させるとともに、２段目以降の電
位比較器の入力端子は前段の電位比較器の出力により各
ローパスフィルタの時定数で順次充電させ、前記半導体
レーザの光出力・順方向電流特性、前記受光素子と前記
半導体レーザの光出力との結合係数、及び前記受光素子
の光入力・受光信号特性に基づく信号を生成するために
各段の電位比較器からタイミング信号を出力させるよう
にした。
【００１０】一方、請求項４記載の発明では、発光レべ
ル指令信号に応じた光量となるように半導体レーザを駆
動制御する半導体レーザ駆動制御回路において、前記半
導体レーザの光出力を受光検知する受光素子と、この受
光素子により検知されて得られる半導体レーザの光出力
に比例した受光信号と入力データに基づき生成される発
光レベル指令信号とが等しくなるように前記半導体レー
ザの順方向電流を制御する光・電気負帰還ループと、前
記受光信号と前記発光レベル指令信号とが等しくなるよ
うに前記半導体レーザの光出力・順方向電流特性、前記
受光素子と前記半導体レーザの光出力との結合係数、及
び前記受光素子の光入力・受光信号特性に基づき前記入
力データを前記半導体レーザの順方向電流に変換する変
換手段と、前記半導体レーザに対する電源電圧が所定の
電位より低いときに前記半導体レーザに対する駆動電流
を遮断する電源電圧監視回路と、光・電気負帰還ループ
の制御時間より長く設定された時定数のローパスフィル
タが一方の入力端子に接続されて他方の入力端子が定電
位に保たれた２入力の電位比較器を、前段の電位比較器
出力を後段のローパスフィルタの入力として、複数段に
接続し、前記電源電圧が所定の電位より高いときに初段
の電位比較器の入力端子の充電を開始させるとともに、
２段目以降の電位比較器の入力端子は前段の電位比較器
の出力により各ローパスフィルタの時定数で順次充電さ
せて、前記半導体レーザの光出力・順方向電流特性、前
記受光素子と前記半導体レーザの光出力との結合係数、
及び前記受光素子の光入力・受光信号特性に基づく信号
を生成するために各段の電位比較器からタイミング信号
を出力するタイミング信号発生回路とを設け、このタイ
ミング信号発生回路中の各段のローパスフィルタの出力
端に外部制御信号によりこの出力端を接地させる放電用
スイッチ素子を接続した。
ル指令信号に応じた光量となるように半導体レーザを駆
動制御する半導体レーザ駆動制御回路において、前記半
導体レーザの光出力を受光検知する受光素子と、この受
光素子により検知されて得られる半導体レーザの光出力
に比例した受光信号と入力データに基づき生成される発
光レベル指令信号とが等しくなるように前記半導体レー
ザの順方向電流を制御する光・電気負帰還ループと、前
記受光信号と前記発光レベル指令信号とが等しくなるよ
うに前記半導体レーザの光出力・順方向電流特性、前記
受光素子と前記半導体レーザの光出力との結合係数、及
び前記受光素子の光入力・受光信号特性に基づき前記入
力データを前記半導体レーザの順方向電流に変換する変
換手段と、前記半導体レーザに対する電源電圧が所定の
電位より低いときに前記半導体レーザに対する駆動電流
を遮断する電源電圧監視回路と、光・電気負帰還ループ
の制御時間より長く設定された時定数のローパスフィル
タが一方の入力端子に接続されて他方の入力端子が定電
位に保たれた２入力の電位比較器を、前段の電位比較器
出力を後段のローパスフィルタの入力として、複数段に
接続し、前記電源電圧が所定の電位より高いときに初段
の電位比較器の入力端子の充電を開始させるとともに、
２段目以降の電位比較器の入力端子は前段の電位比較器
の出力により各ローパスフィルタの時定数で順次充電さ
せて、前記半導体レーザの光出力・順方向電流特性、前
記受光素子と前記半導体レーザの光出力との結合係数、
及び前記受光素子の光入力・受光信号特性に基づく信号
を生成するために各段の電位比較器からタイミング信号
を出力するタイミング信号発生回路とを設け、このタイ
ミング信号発生回路中の各段のローパスフィルタの出力
端に外部制御信号によりこの出力端を接地させる放電用
スイッチ素子を接続した。
【００１１】この際、請求項５記載の発明では、電源電
圧監視回路を、エミッタ面積の異なる２つのトランジス
タを用いて形成されて一定電圧を生成する２つの電圧生
成部と、負端子側がグランドに接続された一方の電圧生
成部の正端子と電源との間に接続した第１抵抗と第２抵
抗との接続中点に所定の電位入力が接続され、正端子が
電源に接続された他方の電圧生成部の負端子とグランド
との間に接続した第３抵抗と定電流源との接続中点に電
源電圧入力が接続された２入力差動スイッチによる電位
比較部とを有し、前記電源電圧入力が前記所定の電位入
力より低電位のときに前記半導体レーザに対する駆動電
流を遮断するものとした。
圧監視回路を、エミッタ面積の異なる２つのトランジス
タを用いて形成されて一定電圧を生成する２つの電圧生
成部と、負端子側がグランドに接続された一方の電圧生
成部の正端子と電源との間に接続した第１抵抗と第２抵
抗との接続中点に所定の電位入力が接続され、正端子が
電源に接続された他方の電圧生成部の負端子とグランド
との間に接続した第３抵抗と定電流源との接続中点に電
源電圧入力が接続された２入力差動スイッチによる電位
比較部とを有し、前記電源電圧入力が前記所定の電位入
力より低電位のときに前記半導体レーザに対する駆動電
流を遮断するものとした。
【００１２】また、請求項６記載の発明では、外部から
与えられる電圧と可変抵抗器とにより半導体レーザの光
量を調整する光量調整回路を付加して設けた。
与えられる電圧と可変抵抗器とにより半導体レーザの光
量を調整する光量調整回路を付加して設けた。
【００１３】さらに、請求項７記載の発明では、光量調
整回路により調整された半導体レーザの光量に比例した
オフセット光量がこの半導体レーザから得られるように
受光素子に電流を供給するオフセット供給回路を付加し
て設けた。
整回路により調整された半導体レーザの光量に比例した
オフセット光量がこの半導体レーザから得られるように
受光素子に電流を供給するオフセット供給回路を付加し
て設けた。
【００１４】
【作用】請求項１記載の発明によれば、オフセット供給
回路によって光量調整回路で設定された信号に比例した
電流を受光素子に常時供給することで、半導体レーザに
対して光・電気負帰還ループによる光出力制御が安定し
て行われる。
回路によって光量調整回路で設定された信号に比例した
電流を受光素子に常時供給することで、半導体レーザに
対して光・電気負帰還ループによる光出力制御が安定し
て行われる。
【００１５】加えて、請求項２記載の発明によれば、電
圧生成部を含めて抵抗、トランジスタだけで構成した電
源電圧監視回路を設けたので、ＩＣ内部に組込むことが
可能なほどに小型化を図ることができる。また、電源電
圧が所定の電位に達しない場合には半導体レーザに電流
が流れないように遮断するので、半導体レーザの光出力
を高速・高精度に制御でき、かつ、電源投入時等のよう
に電源が不安定な状況下での半導体レーザの劣化も防止
される。
圧生成部を含めて抵抗、トランジスタだけで構成した電
源電圧監視回路を設けたので、ＩＣ内部に組込むことが
可能なほどに小型化を図ることができる。また、電源電
圧が所定の電位に達しない場合には半導体レーザに電流
が流れないように遮断するので、半導体レーザの光出力
を高速・高精度に制御でき、かつ、電源投入時等のよう
に電源が不安定な状況下での半導体レーザの劣化も防止
される。
【００１６】また、請求項３記載の発明によれば、電源
電圧が所定の電位以上となってから起動し、光・電気負
帰還ループの制御時間より長い時定数を有するローパス
フィルタを用いた簡易な構成のタイミング信号発生回路
によってタイミング信号を生成することで、半導体レー
ザ及び受光素子の特性に基づく信号を生成するので、各
種半導体レーザの光出力を高速・高精度に制御できると
ともに、電源投入時のような電源不安定状態における半
導体レーザの劣化も防止される。さらには、電源電圧の
バラツキによる不適切な変換電流を生成することなく最
適な変換電流を生成し、良好なる光出力の応答特性が得
られるものとなる。
電圧が所定の電位以上となってから起動し、光・電気負
帰還ループの制御時間より長い時定数を有するローパス
フィルタを用いた簡易な構成のタイミング信号発生回路
によってタイミング信号を生成することで、半導体レー
ザ及び受光素子の特性に基づく信号を生成するので、各
種半導体レーザの光出力を高速・高精度に制御できると
ともに、電源投入時のような電源不安定状態における半
導体レーザの劣化も防止される。さらには、電源電圧の
バラツキによる不適切な変換電流を生成することなく最
適な変換電流を生成し、良好なる光出力の応答特性が得
られるものとなる。
【００１７】一方、請求項４記載の発明によれば、半導
体レーザ及び受光素子の特性に基づいた信号生成に用い
るためのタイミング信号を出力するタイミング信号発生
回路に、放電用スイッチ素子を付加したので、このよう
な特性信号の生成を電源投入時だけでなく任意のタイミ
ングで生成し得るものとなり、半導体レーザの光出力を
高速・高精度に制御可能となり、かつ、環境温度変化が
生じた場合や、電源電圧が立上った後に光量調整を行っ
ても、書込み装置における制御信号を用いることで、常
に、最適な変換電流を得ることができ、光出力の応答特
性の劣化しないものとなる。
体レーザ及び受光素子の特性に基づいた信号生成に用い
るためのタイミング信号を出力するタイミング信号発生
回路に、放電用スイッチ素子を付加したので、このよう
な特性信号の生成を電源投入時だけでなく任意のタイミ
ングで生成し得るものとなり、半導体レーザの光出力を
高速・高精度に制御可能となり、かつ、環境温度変化が
生じた場合や、電源電圧が立上った後に光量調整を行っ
ても、書込み装置における制御信号を用いることで、常
に、最適な変換電流を得ることができ、光出力の応答特
性の劣化しないものとなる。
【００１８】この際、請求項５記載の発明によれば、光
出力の応答特性を劣化させることなく半導体レーザの光
出力を高速・高精度に制御でき、かつ、抵抗、コンデン
サだけで構成した電源電圧監視回路によるため、電源投
入時等の電源の不安定な状態における半導体レーザの劣
化を防止し得るだけでなく、ＩＣ内部に組込むことが可
能なほどに小型化を図ることができる。
出力の応答特性を劣化させることなく半導体レーザの光
出力を高速・高精度に制御でき、かつ、抵抗、コンデン
サだけで構成した電源電圧監視回路によるため、電源投
入時等の電源の不安定な状態における半導体レーザの劣
化を防止し得るだけでなく、ＩＣ内部に組込むことが可
能なほどに小型化を図ることができる。
【００１９】加えて、請求項６記載の発明によれば、小
型化が図れ、光出力の応答特性を劣化させることなく、
半導体レーザの光出力を高速・高精度に制御し得るとと
もに、外部電圧と可変抵抗器とによる光量調整回路を有
するので、光出力の微調を容易かつ安全に行うことがで
きる。
型化が図れ、光出力の応答特性を劣化させることなく、
半導体レーザの光出力を高速・高精度に制御し得るとと
もに、外部電圧と可変抵抗器とによる光量調整回路を有
するので、光出力の微調を容易かつ安全に行うことがで
きる。
【００２０】さらに、請求項７記載の発明によれば、請
求項６記載の発明の作用に加え、オフセット供給回路を
有するので、微分量子効率、受光素子の光入力・受光信
号特性の異なる各種半導体レーザに対して光・電気負帰
還ループによる光出力の制御を安定して行うことができ
る。
求項６記載の発明の作用に加え、オフセット供給回路を
有するので、微分量子効率、受光素子の光入力・受光信
号特性の異なる各種半導体レーザに対して光・電気負帰
還ループによる光出力の制御を安定して行うことができ
る。
【００２１】
【実施例】本発明の一実施例を図１ないし図８に基づい
て説明する。まず、請求項１記載の発明に相当する基本
構成を図１に示す。入力データに応じて生成される発光
レベル指令信号は比較増幅器１に入力され、制御対象と
なる半導体レーザ２の光出力の一部が受光素子３により
モニタされる。ここに、これらの比較増幅器１と半導体
レーザ２と受光素子３とは光・電気負帰還ループ４を形
成しており、比較増幅器１は受光素子３に誘起された光
起電流（半導体レーザ２の光出力に比例する）に比例す
る受光信号と前記発光レベル指令信号とを比較して、そ
の結果により半導体レーザ２の順方向電流を、受光信号
と発光レベル指令信号とが等しくなるように制御する。
一方、前記受光信号と発光レベル指令信号とが等しくな
るように、半導体レーザ２の光出力・順方向電流特性、
受光素子３と半導体レーザ２の光出力との結合係数、及
び、受光素子３の光入力・順方向電流特性に基づき、前
記入力データを前記半導体レーザ２の順方向電流に変換
する電流変換器（変換手段）５が設けられている。この
電流変換器５の出力電流と前記比較増幅器１から出力さ
れる制御電流との和電流が半導体レーザ２の順方向電流
となって制御されることになる。
て説明する。まず、請求項１記載の発明に相当する基本
構成を図１に示す。入力データに応じて生成される発光
レベル指令信号は比較増幅器１に入力され、制御対象と
なる半導体レーザ２の光出力の一部が受光素子３により
モニタされる。ここに、これらの比較増幅器１と半導体
レーザ２と受光素子３とは光・電気負帰還ループ４を形
成しており、比較増幅器１は受光素子３に誘起された光
起電流（半導体レーザ２の光出力に比例する）に比例す
る受光信号と前記発光レベル指令信号とを比較して、そ
の結果により半導体レーザ２の順方向電流を、受光信号
と発光レベル指令信号とが等しくなるように制御する。
一方、前記受光信号と発光レベル指令信号とが等しくな
るように、半導体レーザ２の光出力・順方向電流特性、
受光素子３と半導体レーザ２の光出力との結合係数、及
び、受光素子３の光入力・順方向電流特性に基づき、前
記入力データを前記半導体レーザ２の順方向電流に変換
する電流変換器（変換手段）５が設けられている。この
電流変換器５の出力電流と前記比較増幅器１から出力さ
れる制御電流との和電流が半導体レーザ２の順方向電流
となって制御されることになる。
【００２２】ここに、前記発光レベル指令信号は入力デ
ータに基づき発光レベル生成回路６で生成されるが、こ
の発光レベル生成回路６には光量調整回路７が接続され
ており、この光量調整回路７からの出力により前記発光
レベル指令信号は可変調整される。この光量調整回路７
は概略的には外部から与えられる外部電圧ＶEXT と可変
抵抗ＶＲとを備えたものである。さらに、この光量調整
回路７の出力に基づき前記受光素子３に対して所定の電
流を供給するオフセット供給回路８も設けられている。
ータに基づき発光レベル生成回路６で生成されるが、こ
の発光レベル生成回路６には光量調整回路７が接続され
ており、この光量調整回路７からの出力により前記発光
レベル指令信号は可変調整される。この光量調整回路７
は概略的には外部から与えられる外部電圧ＶEXT と可変
抵抗ＶＲとを備えたものである。さらに、この光量調整
回路７の出力に基づき前記受光素子３に対して所定の電
流を供給するオフセット供給回路８も設けられている。
【００２３】ついで、前記光量調整回路７の具体的構成
例を図２に示す。基本的には第１調整回路９ａと第２調
整回路９ｂとにより構成されている。第１調整回路９ａ
は電源１０によりベースに一定電位Ｖが与えられ、エミ
ッタ・グランド間に抵抗Ｒ1が接続されて定電流源を構
成するトランジスタ１１のエミッタに対して、抵抗Ｒ2
を介して外部電圧ＶEXT を与えるようにしたものであ
り、抵抗Ｒ3 、トランジスタ１２を介して電源Ｖccに接
続されている。また、第２調整回路９ｂはダイオード接
続されたトランジスタ１３と、このトランジスタ１３の
エミッタに接続された可変抵抗器ＶＲと、トランジスタ
１４及び抵抗Ｒ4 とによるカレントミラー構成とされて
いる。これらのトランジスタ１３，１４には前記第１調
整回路９ａで設定された電流に比例した供給電流が、各
々抵抗Ｒ5，Ｒ6及びトランジスタ１５，１６を介して供
給されるとともに、トランジスタ１４の出力が発光レベ
ル指令信号として前記発光レベル生成回路６に入力され
ている。
例を図２に示す。基本的には第１調整回路９ａと第２調
整回路９ｂとにより構成されている。第１調整回路９ａ
は電源１０によりベースに一定電位Ｖが与えられ、エミ
ッタ・グランド間に抵抗Ｒ1が接続されて定電流源を構
成するトランジスタ１１のエミッタに対して、抵抗Ｒ2
を介して外部電圧ＶEXT を与えるようにしたものであ
り、抵抗Ｒ3 、トランジスタ１２を介して電源Ｖccに接
続されている。また、第２調整回路９ｂはダイオード接
続されたトランジスタ１３と、このトランジスタ１３の
エミッタに接続された可変抵抗器ＶＲと、トランジスタ
１４及び抵抗Ｒ4 とによるカレントミラー構成とされて
いる。これらのトランジスタ１３，１４には前記第１調
整回路９ａで設定された電流に比例した供給電流が、各
々抵抗Ｒ5，Ｒ6及びトランジスタ１５，１６を介して供
給されるとともに、トランジスタ１４の出力が発光レベ
ル指令信号として前記発光レベル生成回路６に入力され
ている。
【００２４】このような構成において、トランジスタ１
１に流れる電流Ｉ1 は、 Ｉ1＝（Ｖ−０．７）／Ｒ1 ＋（Ｖ−０．７−ＶEXT ）／Ｒ2 として求められる。いま、Ｖ＝１．７Ｖ、Ｒ1 ＝１０ｋ
Ω、ＶEXT ＝１Ｖとすると、Ｉ1 ＝１００μＡとなる。
また、Ｒ2 ＝１００ｋΩとし、ＶEXT の電圧可変範囲を
０〜２Ｖとすると、電流Ｉ1 の調整幅は±２０％とする
ことができる。
１に流れる電流Ｉ1 は、 Ｉ1＝（Ｖ−０．７）／Ｒ1 ＋（Ｖ−０．７−ＶEXT ）／Ｒ2 として求められる。いま、Ｖ＝１．７Ｖ、Ｒ1 ＝１０ｋ
Ω、ＶEXT ＝１Ｖとすると、Ｉ1 ＝１００μＡとなる。
また、Ｒ2 ＝１００ｋΩとし、ＶEXT の電圧可変範囲を
０〜２Ｖとすると、電流Ｉ1 の調整幅は±２０％とする
ことができる。
【００２５】また、トランジスタ１３，１４に対する供
給電流をＩ2 、トランジスタ１４に流れる電流をＩ3 と
すると、発光レベル生成回路６に出力される出力電流Ｉ
0 は、 Ｉ0＝Ｉ3−Ｉ2＝（ＶＲ・Ｉ2／Ｒ4）−Ｉ2＝（ＶＲ−Ｒ4）Ｉ2／Ｒ4 として求められる。但し、Ｉ2＝（Ｒ3／Ｒ5）・Ｉ1、Ｉ
3＝（ＶＲ／Ｒ4）・Ｉ2である。ここに、前述したよう
にＩ1 ＝１００μＡであり、Ｒ3＝Ｒ5＝Ｒ6、Ｒ4＝１０
ｋΩ、ＶＲ＝１１ｋΩとすると、Ｉ0 ＝１０μＡとな
り、微小な信号が生成でき、光量調整（微調）を容易に
行なえるものとなる。
給電流をＩ2 、トランジスタ１４に流れる電流をＩ3 と
すると、発光レベル生成回路６に出力される出力電流Ｉ
0 は、 Ｉ0＝Ｉ3−Ｉ2＝（ＶＲ・Ｉ2／Ｒ4）−Ｉ2＝（ＶＲ−Ｒ4）Ｉ2／Ｒ4 として求められる。但し、Ｉ2＝（Ｒ3／Ｒ5）・Ｉ1、Ｉ
3＝（ＶＲ／Ｒ4）・Ｉ2である。ここに、前述したよう
にＩ1 ＝１００μＡであり、Ｒ3＝Ｒ5＝Ｒ6、Ｒ4＝１０
ｋΩ、ＶＲ＝１１ｋΩとすると、Ｉ0 ＝１０μＡとな
り、微小な信号が生成でき、光量調整（微調）を容易に
行なえるものとなる。
【００２６】この際、出力電流Ｉ0 は電流Ｉ3，Ｉ2の差
電流によるものであり、可変抵抗器ＶＲのトリミング時
のバラツキ等によるオフセット電流は電流Ｉ2 で吸収さ
れるので、出力電流Ｉ0 が過大電流となって半導体レー
ザ３を劣化させるようなこともない。
電流によるものであり、可変抵抗器ＶＲのトリミング時
のバラツキ等によるオフセット電流は電流Ｉ2 で吸収さ
れるので、出力電流Ｉ0 が過大電流となって半導体レー
ザ３を劣化させるようなこともない。
【００２７】また、前記オフセット供給回路８の具体的
構成例を図３に示す。基本的には、第１カレントミラー
１７と第２カレントミラー１８とにより構成されてい
る。第１カレントミラー１７は前記光量調整回路７から
の出力電流Ｉ0 がコレクタ側に供給されるトランジスタ
１９と対をなすトランジスタ２０とにより構成されてい
る。各トランジスタ１９，２０のエミッタには抵抗
Ｒ7，Ｒ8が接続されている。また、第２カレントミラー
１８はトランジスタ２０のコレクタにコレクタが接続さ
れたトランジスタ２１と対をなすトランジスタ２２とに
より構成され、各トランジスタ２１，２２のエミッタに
は抵抗Ｒ9，Ｒ10 が接続され、前記トランジスタ２２の
コレクタからオフセット電流ＩOFFSETが取出されてい
る。
構成例を図３に示す。基本的には、第１カレントミラー
１７と第２カレントミラー１８とにより構成されてい
る。第１カレントミラー１７は前記光量調整回路７から
の出力電流Ｉ0 がコレクタ側に供給されるトランジスタ
１９と対をなすトランジスタ２０とにより構成されてい
る。各トランジスタ１９，２０のエミッタには抵抗
Ｒ7，Ｒ8が接続されている。また、第２カレントミラー
１８はトランジスタ２０のコレクタにコレクタが接続さ
れたトランジスタ２１と対をなすトランジスタ２２とに
より構成され、各トランジスタ２１，２２のエミッタに
は抵抗Ｒ9，Ｒ10 が接続され、前記トランジスタ２２の
コレクタからオフセット電流ＩOFFSETが取出されてい
る。
【００２８】いま、光出力の最大値をＰmax 、受光素子
３と半導体レーザ２の光出力との結合係数、及び受光素
子３の光入力・受光信号特性をαとするとともに、発光
レベル生成回路６を５ビットのＤ／Ａコンバータで構成
し、その基準信号をＩ0 とすると、 Ｐmax・α＝３１×Ｉ0 が成立ち、この式の関係を満足するように光量調整回路
７で電流Ｉ0 が調整される。従って、図３に示すように
オフセット供給回路８を構成することで、αの値の異な
る各種半導体レーザに対して常に一定のオフセット光量
を与えることができる。
３と半導体レーザ２の光出力との結合係数、及び受光素
子３の光入力・受光信号特性をαとするとともに、発光
レベル生成回路６を５ビットのＤ／Ａコンバータで構成
し、その基準信号をＩ0 とすると、 Ｐmax・α＝３１×Ｉ0 が成立ち、この式の関係を満足するように光量調整回路
７で電流Ｉ0 が調整される。従って、図３に示すように
オフセット供給回路８を構成することで、αの値の異な
る各種半導体レーザに対して常に一定のオフセット光量
を与えることができる。
【００２９】例えば、最大光出力を５ｍＷ、Ｒ7・Ｒ9／
（Ｒ8・Ｒ10）＝１／２ とすると、オフセット電流Ｉ
OFFSET＝Ｉ0／２ となり、各種半導体レーザに対してオ
フセット光量ＰOFFSET＝８０μＷが得られる。
（Ｒ8・Ｒ10）＝１／２ とすると、オフセット電流Ｉ
OFFSET＝Ｉ0／２ となり、各種半導体レーザに対してオ
フセット光量ＰOFFSET＝８０μＷが得られる。
【００３０】このような高速・高精度・高分解能な半導
体レーザ制御回路に対して、本実施例では、図４に示す
ような電源電圧監視回路２５が付加されている（請求項
２記載の発明に相当）。この電源電圧監視回路２５は一
定電位と、電源電圧Ｖccから一定電圧降下した電位との
大小を比較することで、電源電圧Ｖccが所定電位以上で
あるか否かを判断する機能を有し、一定電位のほうが大
きい状態では電源電圧Ｖccがまだ所定電位以下であると
判断して、前記比較増幅器１及び電流変換器５に所定の
指令信号を出力し、半導体レーザ２に駆動電流が流れな
いように遮断制御する機能を持たせたものである。
体レーザ制御回路に対して、本実施例では、図４に示す
ような電源電圧監視回路２５が付加されている（請求項
２記載の発明に相当）。この電源電圧監視回路２５は一
定電位と、電源電圧Ｖccから一定電圧降下した電位との
大小を比較することで、電源電圧Ｖccが所定電位以上で
あるか否かを判断する機能を有し、一定電位のほうが大
きい状態では電源電圧Ｖccがまだ所定電位以下であると
判断して、前記比較増幅器１及び電流変換器５に所定の
指令信号を出力し、半導体レーザ２に駆動電流が流れな
いように遮断制御する機能を持たせたものである。
【００３１】まず、電位比較部を形成する２入力差動ス
イッチ２６が定電流源２７を介して電圧Ｖccなる電源に
接続されている。２入力差動スイッチ２６を構成する一
方のトランジスタ２８のベース（一方の入力）は、電源
と負端子側がグランドに接続された一定電圧Ｖr の電圧
生成部２９の正端子との間に直列に接続した抵抗Ｒ11，
Ｒ12の接続中点に接続されている。即ち、トランジスタ
２８のベースには抵抗Ｒ12を介して一定電位Ｖr が与え
られている。また、２入力差動スイッチ２６を構成する
他方のトランジスタ３０のベース（他方の入力）は、正
端子が電源に接続された一定電圧Ｖr の電圧生成部３１
の負端子とグランドとの間に直列に接続した抵抗Ｒ13と
定電流源３２との接続中点に接続されている。即ち、ト
ランジスタ３０のベースには電源電圧Ｖccから一定電圧
降下した電位（Ｖcc−Ｖr） が与えられている。
イッチ２６が定電流源２７を介して電圧Ｖccなる電源に
接続されている。２入力差動スイッチ２６を構成する一
方のトランジスタ２８のベース（一方の入力）は、電源
と負端子側がグランドに接続された一定電圧Ｖr の電圧
生成部２９の正端子との間に直列に接続した抵抗Ｒ11，
Ｒ12の接続中点に接続されている。即ち、トランジスタ
２８のベースには抵抗Ｒ12を介して一定電位Ｖr が与え
られている。また、２入力差動スイッチ２６を構成する
他方のトランジスタ３０のベース（他方の入力）は、正
端子が電源に接続された一定電圧Ｖr の電圧生成部３１
の負端子とグランドとの間に直列に接続した抵抗Ｒ13と
定電流源３２との接続中点に接続されている。即ち、ト
ランジスタ３０のベースには電源電圧Ｖccから一定電圧
降下した電位（Ｖcc−Ｖr） が与えられている。
【００３２】２入力差動スイッチ２６の出力となるトラ
ンジスタ３０のコレクタにはカレントミラーを形成する
ダイオード接続のトランジスタ３３が接続されている。
このトランジスタ３３のベースにはカレントミラーの他
方のトランジスタをなすトランジスタ３４が接続されて
いる。このトランジスタ３４の出力（コレクタ）は前記
半導体レーザ２に対する駆動トランジスタ３５による駆
動電流を制御するための比較増幅器１及び電流変換器５
内の制御部（図示せず）に接続されている。この駆動ト
ランジスタ３５のベース側に接続されたトランジスタ３
６のベースａには発光レベル指令信号に対応した信号が
入力される。
ンジスタ３０のコレクタにはカレントミラーを形成する
ダイオード接続のトランジスタ３３が接続されている。
このトランジスタ３３のベースにはカレントミラーの他
方のトランジスタをなすトランジスタ３４が接続されて
いる。このトランジスタ３４の出力（コレクタ）は前記
半導体レーザ２に対する駆動トランジスタ３５による駆
動電流を制御するための比較増幅器１及び電流変換器５
内の制御部（図示せず）に接続されている。この駆動ト
ランジスタ３５のベース側に接続されたトランジスタ３
６のベースａには発光レベル指令信号に対応した信号が
入力される。
【００３３】このような構成において、その動作を説明
する。まず、抵抗Ｒ12 の端子間電圧をＶ1 、抵抗Ｒ13
の端子間電圧をＶ2 とすると、トランジスタ２８のベー
スはグランドに対して一定電圧Ｖa （＝Ｖr＋Ｖ1）上が
った電位であるのに対し、トランジスタ３０のベースは
電源電圧Ｖccから一定電圧Ｖb （＝Ｖr＋Ｖ2）下がった
電位であるので、電源電圧Ｖccが Ｖa ＞Ｖcc−Ｖb なる関係を満たすと、トランジスタ３０のベース電位
が、トランジスタ２８のベース電位よりも低いため、ト
ランジスタ２８がオフ状態でトランジスタ３０がオン状
態となる。よって、カレントミラー、即ちトランジスタ
３３，３４に電流が流れ、トランジスタ３４により駆動
トランジスタ３５のベース電位を引下げるので、駆動ト
ランジスタ３５がオフし、半導体レーザ２には駆動電流
が流れない。
する。まず、抵抗Ｒ12 の端子間電圧をＶ1 、抵抗Ｒ13
の端子間電圧をＶ2 とすると、トランジスタ２８のベー
スはグランドに対して一定電圧Ｖa （＝Ｖr＋Ｖ1）上が
った電位であるのに対し、トランジスタ３０のベースは
電源電圧Ｖccから一定電圧Ｖb （＝Ｖr＋Ｖ2）下がった
電位であるので、電源電圧Ｖccが Ｖa ＞Ｖcc−Ｖb なる関係を満たすと、トランジスタ３０のベース電位
が、トランジスタ２８のベース電位よりも低いため、ト
ランジスタ２８がオフ状態でトランジスタ３０がオン状
態となる。よって、カレントミラー、即ちトランジスタ
３３，３４に電流が流れ、トランジスタ３４により駆動
トランジスタ３５のベース電位を引下げるので、駆動ト
ランジスタ３５がオフし、半導体レーザ２には駆動電流
が流れない。
【００３４】ここに、２入力差動スイッチ２６がスイッ
チングする電位Ｖs は、 Ｖs ＝（２＋Ｒ12／Ｒ11）・Ｖr＋（１＋Ｒ12／Ｒ11）・Ｖ2 のように設定される。電源電圧Ｖccがこの式で求められ
る電位Ｖs 以上であれば、トランジスタ２８側がオンし
トランジスタ３０側がオフすることで、トランジスタ３
４が関与しない状態となり、駆動トランジスタ３５のベ
ース電位がトランジスタ３６により制御されるものとな
る。即ち、半導体レーザ２には発光レベル指令信号に応
じた駆動電流が流れ、所望の光出力が得られるものとな
る。
チングする電位Ｖs は、 Ｖs ＝（２＋Ｒ12／Ｒ11）・Ｖr＋（１＋Ｒ12／Ｒ11）・Ｖ2 のように設定される。電源電圧Ｖccがこの式で求められ
る電位Ｖs 以上であれば、トランジスタ２８側がオンし
トランジスタ３０側がオフすることで、トランジスタ３
４が関与しない状態となり、駆動トランジスタ３５のベ
ース電位がトランジスタ３６により制御されるものとな
る。即ち、半導体レーザ２には発光レベル指令信号に応
じた駆動電流が流れ、所望の光出力が得られるものとな
る。
【００３５】ところで、一定電圧Ｖr の電圧生成部２
９，３１は、例えば図５に示すように、トランジスタと
抵抗とにより構成してもよい。即ち、ダイオード接続さ
れたトランジスタ３７のベースとトランジスタ３８のベ
ースとを接続し、トランジスタ３７のエミッタを抵抗Ｒ
14を介してトランジスタ３８のエミッタに接続し、トラ
ンジスタ３７のコレクタを抵抗Ｒ15を介してトランジス
タ３８のコレクタに接続してこのトランジスタ３８のエ
ミッタ・コレクタ間に一定電圧Ｖr を生成させるように
したものである。ここに、トランジスタ３７のエミッタ
面積はトランジスタ３８のエミッタ面積のｋ倍（ｋは１
よりも大きな値）とされている。
９，３１は、例えば図５に示すように、トランジスタと
抵抗とにより構成してもよい。即ち、ダイオード接続さ
れたトランジスタ３７のベースとトランジスタ３８のベ
ースとを接続し、トランジスタ３７のエミッタを抵抗Ｒ
14を介してトランジスタ３８のエミッタに接続し、トラ
ンジスタ３７のコレクタを抵抗Ｒ15を介してトランジス
タ３８のコレクタに接続してこのトランジスタ３８のエ
ミッタ・コレクタ間に一定電圧Ｖr を生成させるように
したものである。ここに、トランジスタ３７のエミッタ
面積はトランジスタ３８のエミッタ面積のｋ倍（ｋは１
よりも大きな値）とされている。
【００３６】このような構成において、いま、電源電圧
Ｖccがトランジスタ３７のバンドギャップ以上の電圧で
あり、トランジスタ３７，３８の各々のベース・エミッ
タ間電圧をＶBE(３７)，ＶBE(３８)とすると、抵抗Ｒ14
の端子間電圧Ｖe は、Ｖｔ＝０．０８６１７×絶対温度
(mv)とすると、 Ｖe ＝ＶBE(３８)−ＶBE(３７)＝Ｖｔ・ｌｎ(ｋ) となる。従って、トランジスタ３８のエミッタ・コレク
タ間に発生する電圧Ｖrは、 Ｖr ＝Ｖe ＋ＶBE(３７)＋（Ｒ15／Ｒ14）／Ｖe ＝（１＋Ｒ15／Ｒ14）・Ｖｔ・ｌｎ(ｋ)＋ＶBE(３７) として求まり、抵抗比Ｒ15／Ｒ14とトランジスタ３７，
３８のエミッタ面積比ｋとにより、ほぼ一定となること
が判る。
Ｖccがトランジスタ３７のバンドギャップ以上の電圧で
あり、トランジスタ３７，３８の各々のベース・エミッ
タ間電圧をＶBE(３７)，ＶBE(３８)とすると、抵抗Ｒ14
の端子間電圧Ｖe は、Ｖｔ＝０．０８６１７×絶対温度
(mv)とすると、 Ｖe ＝ＶBE(３８)−ＶBE(３７)＝Ｖｔ・ｌｎ(ｋ) となる。従って、トランジスタ３８のエミッタ・コレク
タ間に発生する電圧Ｖrは、 Ｖr ＝Ｖe ＋ＶBE(３７)＋（Ｒ15／Ｒ14）／Ｖe ＝（１＋Ｒ15／Ｒ14）・Ｖｔ・ｌｎ(ｋ)＋ＶBE(３７) として求まり、抵抗比Ｒ15／Ｒ14とトランジスタ３７，
３８のエミッタ面積比ｋとにより、ほぼ一定となること
が判る。
【００３７】よって、図４に示した電源電圧監視回路２
５において、電圧生成部２９，３１を図５のような回路
構成のものとすれば、全てをトランジスタと抵抗とによ
り構成できるものとなり、半導体レーザ駆動制御回路用
のＩＣ内部に組み込めるものとなり、小型化を促進でき
る。
５において、電圧生成部２９，３１を図５のような回路
構成のものとすれば、全てをトランジスタと抵抗とによ
り構成できるものとなり、半導体レーザ駆動制御回路用
のＩＣ内部に組み込めるものとなり、小型化を促進でき
る。
【００３８】ところで、電源投入時に電源電圧Ｖccが徐
々に立上がる場合を考える。電源電圧Ｖccがトランジス
タ３７のバンドギャップ以下の電圧でトランジスタ３８
による一定電圧Ｖr が生成されない状態では、トランジ
スタ２８のベース電位は抵抗Ｒ11 により電源電圧Ｖcc
に従い上昇するが、トランジスタ３０のベース電位は電
源に接続された電圧生成部３１がオフ状態であり定電流
源３２にも電流が流れないため、ほぼ０であり、トラン
ジスタ３０がオン状態となる。即ち、一定電圧Ｖr が生
成されない場合であっても、２入力差動スイッチ２６に
おいてトランジスタ３０側のオンが確保され、半導体レ
ーザ２に電流が流れないものとなり、回路不安定状態で
の過大電流による半導体レーザ２の劣化が確実に防止さ
れる。一定電圧Ｖr が生成された後は、前述したような
関係式を電源電圧Ｖccが満たすまでトランジスタ３０側
のオン状態、即ち半導体レーザ２の駆動電流遮断状態が
維持される。
々に立上がる場合を考える。電源電圧Ｖccがトランジス
タ３７のバンドギャップ以下の電圧でトランジスタ３８
による一定電圧Ｖr が生成されない状態では、トランジ
スタ２８のベース電位は抵抗Ｒ11 により電源電圧Ｖcc
に従い上昇するが、トランジスタ３０のベース電位は電
源に接続された電圧生成部３１がオフ状態であり定電流
源３２にも電流が流れないため、ほぼ０であり、トラン
ジスタ３０がオン状態となる。即ち、一定電圧Ｖr が生
成されない場合であっても、２入力差動スイッチ２６に
おいてトランジスタ３０側のオンが確保され、半導体レ
ーザ２に電流が流れないものとなり、回路不安定状態で
の過大電流による半導体レーザ２の劣化が確実に防止さ
れる。一定電圧Ｖr が生成された後は、前述したような
関係式を電源電圧Ｖccが満たすまでトランジスタ３０側
のオン状態、即ち半導体レーザ２の駆動電流遮断状態が
維持される。
【００３９】さらに、請求項３記載の発明による場合、
例えば図６に示すように、タイミング信号発生回路４１
が付加されるとともに、半導体レーザ２の光出力・順方
向電流特性、受光素子３と半導体レーザ２の光出力との
結合係数、及び受光素子３の光入力・受光信号特性に基
く信号を、このタイミング信号発生回路４１により生成
されたタイミング信号を用いて生成するように構成され
る。
例えば図６に示すように、タイミング信号発生回路４１
が付加されるとともに、半導体レーザ２の光出力・順方
向電流特性、受光素子３と半導体レーザ２の光出力との
結合係数、及び受光素子３の光入力・受光信号特性に基
く信号を、このタイミング信号発生回路４１により生成
されたタイミング信号を用いて生成するように構成され
る。
【００４０】まず、タイミング信号発生回路４１はロー
パスフィルタ（ＬＰＦ）４２が一方の入力端子に接続さ
れ他方の入力端子が定電位に保たれた２入力の電位比較
器４３を、複数段に渡って縦列接続したものである。図
示例は２段であり、初段（第１段）はＬＰＦ４２ａと定
電位Ｖａと電位比較器４３ａとにより構成され、２段目
はＬＰＦ４２ｂと定電位Ｖｂと電位比較器４３ｂとによ
り構成されている。ここに、前段の電位比較器４３ａの
出力が後段のＬＰＦ４２ｂの入力となるように縦列接続
される。また、タイミング信号発生回路４１、従って、
初段のＬＰＦ４２ａに対する入力端子Ｉｎには、半導体
レーザ駆動制御回路の電源電圧Ｖccが所定値に立上がる
ことにより電流Ｉが注入されるように構成されている。
この電流Ｉは図４に示した電源電圧監視回路２５におい
て、電位比較部（２入力差動スイッチ２６）の一方の出
力側（トランジスタ２８のコレクタ側）にもトランジス
タ３３，３４と同様なカレントミラーを設けることで容
易に得られる。さらに、各ＬＰＦ４２ａ，４２ｂの時定
数は光・電気負帰還ループ４の制御時間より長く設定さ
れている。
パスフィルタ（ＬＰＦ）４２が一方の入力端子に接続さ
れ他方の入力端子が定電位に保たれた２入力の電位比較
器４３を、複数段に渡って縦列接続したものである。図
示例は２段であり、初段（第１段）はＬＰＦ４２ａと定
電位Ｖａと電位比較器４３ａとにより構成され、２段目
はＬＰＦ４２ｂと定電位Ｖｂと電位比較器４３ｂとによ
り構成されている。ここに、前段の電位比較器４３ａの
出力が後段のＬＰＦ４２ｂの入力となるように縦列接続
される。また、タイミング信号発生回路４１、従って、
初段のＬＰＦ４２ａに対する入力端子Ｉｎには、半導体
レーザ駆動制御回路の電源電圧Ｖccが所定値に立上がる
ことにより電流Ｉが注入されるように構成されている。
この電流Ｉは図４に示した電源電圧監視回路２５におい
て、電位比較部（２入力差動スイッチ２６）の一方の出
力側（トランジスタ２８のコレクタ側）にもトランジス
タ３３，３４と同様なカレントミラーを設けることで容
易に得られる。さらに、各ＬＰＦ４２ａ，４２ｂの時定
数は光・電気負帰還ループ４の制御時間より長く設定さ
れている。
【００４１】このような構成において、電源電圧Ｖccが
所定値に立上ると（電源電圧監視回路２５で監視し得
る）、入力端子Ｉｎに電流Ｉが注入され、ＬＰＦ４２ａ
の容量が充電され始める。このＬＰＦ４２ａの出力電位
が設定電位Ｖａを越えると電位比較器４３ａはタイミン
グ信号Ｔ0 を出力し、２段目のＬＰＦ４２ｂを充電し始
める。また、タイミング信号Ｔ0 によって発光レベル指
令信号を最大として比較増幅器１に出力する。この時の
半導体レーザ２の制御電流の変化分を変化検出器４４で
捉え、制御回路内で予め設定されている基準信号（電
圧）ＶREF との大小を比較器４５で比較し、その結果を
Ｄ／Ａコンバータ４６に出力する。このＤ／Ａコンバー
タ４６はタイミング信号Ｔ0 でＬＰＦ４２ｂの容量が充
電され、設定電位Ｖｂを越えた時にその電位比較器４３
ｂから出力されるタイミング信号Ｔ1により前記比較器
４５の出力結果を取込む。このＤ／Ａコンバータ４６の
出力信号を電流変換器５に与えることにより、この電流
変換器５では半導体レーザ２と受光素子３との特性に基
づいた信号が生成され、入力データに応じて駆動電流へ
の変換動作を行う。
所定値に立上ると（電源電圧監視回路２５で監視し得
る）、入力端子Ｉｎに電流Ｉが注入され、ＬＰＦ４２ａ
の容量が充電され始める。このＬＰＦ４２ａの出力電位
が設定電位Ｖａを越えると電位比較器４３ａはタイミン
グ信号Ｔ0 を出力し、２段目のＬＰＦ４２ｂを充電し始
める。また、タイミング信号Ｔ0 によって発光レベル指
令信号を最大として比較増幅器１に出力する。この時の
半導体レーザ２の制御電流の変化分を変化検出器４４で
捉え、制御回路内で予め設定されている基準信号（電
圧）ＶREF との大小を比較器４５で比較し、その結果を
Ｄ／Ａコンバータ４６に出力する。このＤ／Ａコンバー
タ４６はタイミング信号Ｔ0 でＬＰＦ４２ｂの容量が充
電され、設定電位Ｖｂを越えた時にその電位比較器４３
ｂから出力されるタイミング信号Ｔ1により前記比較器
４５の出力結果を取込む。このＤ／Ａコンバータ４６の
出力信号を電流変換器５に与えることにより、この電流
変換器５では半導体レーザ２と受光素子３との特性に基
づいた信号が生成され、入力データに応じて駆動電流へ
の変換動作を行う。
【００４２】ここに、タイミング信号発生回路４１の最
終段のタイミング信号が生成されるまでの間、半導体レ
ーザ２の駆動電流は一定であり、電流変換器５によって
生成された電流分だけ制御電流が減少し、その変化分を
タイミング信号で逐次検出し、予め設定されている複数
の基準信号（電圧）と比較し、半導体レーザ２の光出力
・順方向電流特性、受光素子３と半導体レーザ２の光出
力との結合係数、及び受光素子３の光入力・受光信号特
性に基く電流を設定する。
終段のタイミング信号が生成されるまでの間、半導体レ
ーザ２の駆動電流は一定であり、電流変換器５によって
生成された電流分だけ制御電流が減少し、その変化分を
タイミング信号で逐次検出し、予め設定されている複数
の基準信号（電圧）と比較し、半導体レーザ２の光出力
・順方向電流特性、受光素子３と半導体レーザ２の光出
力との結合係数、及び受光素子３の光入力・受光信号特
性に基く電流を設定する。
【００４３】このようにＬＰＦ４２と電位比較器４３と
からなる回路を縦列接続する段数とＤ／Ａコンバータ４
６のビット数とを多くとることで、電流変換器５におけ
る変換電流の精度を高めることができる。
からなる回路を縦列接続する段数とＤ／Ａコンバータ４
６のビット数とを多くとることで、電流変換器５におけ
る変換電流の精度を高めることができる。
【００４４】ところで、請求項４記載の発明の場合、こ
のタイミング信号発生回路４１は図７に示すように放電
機能が付加されて構成される。これは、各段のＬＰＦ４
２ａ，４２ｂの出力端と接地との間に制御端子を有する
放電用スイッチ素子４７ａ，４７ｂを接続し、外部制御
信号Ｓによりオン・オフし得るように構成したものであ
る。半導体レーザ駆動制御回路全体としては、例えば、
請求項５，６及び７記載の発明のように、図４に示した
ような電源電圧監視回路２５、図２に示したような光量
調整回路７、図３に示したようなオフセット供給回路８
を含んで構成される。
のタイミング信号発生回路４１は図７に示すように放電
機能が付加されて構成される。これは、各段のＬＰＦ４
２ａ，４２ｂの出力端と接地との間に制御端子を有する
放電用スイッチ素子４７ａ，４７ｂを接続し、外部制御
信号Ｓによりオン・オフし得るように構成したものであ
る。半導体レーザ駆動制御回路全体としては、例えば、
請求項５，６及び７記載の発明のように、図４に示した
ような電源電圧監視回路２５、図２に示したような光量
調整回路７、図３に示したようなオフセット供給回路８
を含んで構成される。
【００４５】例えば、放電用スイッチ素子４７ａ，４７
ｂがともにオフ状態で電源が立上ると、電源投入時の光
量調整回路７での設定で、電流変換器５に半導体レーザ
２の光出力・順方向電流特性、受光素子３と半導体レー
ザ２の光出力との結合係数、及び受光素子３の光入力・
受光信号特性に基づいた信号がタイミング信号発生回路
４１から出力されるタイミング信号Ｔ1 により生成され
る。
ｂがともにオフ状態で電源が立上ると、電源投入時の光
量調整回路７での設定で、電流変換器５に半導体レーザ
２の光出力・順方向電流特性、受光素子３と半導体レー
ザ２の光出力との結合係数、及び受光素子３の光入力・
受光信号特性に基づいた信号がタイミング信号発生回路
４１から出力されるタイミング信号Ｔ1 により生成され
る。
【００４６】ここで、タイミングｔ0 において外部制御
信号Ｓにより放電用スイッチ素子４７ａ，４７ｂがオン
すると、ＬＰＦ４２ａ，４２ｂの容量が放電する。そし
て、電位比較器４３ａ，４３ｂの出力信号であるタイミ
ング信号Ｔ0，Ｔ1が図８に示すように変化する。また、
入力端子Ｉｎに流れ込む電流Ｉはグランドに流れる。そ
の後、タイミングｔ1 で外部制御信号Ｓにより放電用ス
イッチ素子４７ａ，４７ｂがオフすると、ＬＰＦ４２ａ
は電流Ｉで充電されてタイミング信号Ｔ0 を生成し、ま
た、このタイミング信号Ｔ0 によりＬＰＦ４２ｂは充電
されてタイミング信号Ｔ1 を生成する。
信号Ｓにより放電用スイッチ素子４７ａ，４７ｂがオン
すると、ＬＰＦ４２ａ，４２ｂの容量が放電する。そし
て、電位比較器４３ａ，４３ｂの出力信号であるタイミ
ング信号Ｔ0，Ｔ1が図８に示すように変化する。また、
入力端子Ｉｎに流れ込む電流Ｉはグランドに流れる。そ
の後、タイミングｔ1 で外部制御信号Ｓにより放電用ス
イッチ素子４７ａ，４７ｂがオフすると、ＬＰＦ４２ａ
は電流Ｉで充電されてタイミング信号Ｔ0 を生成し、ま
た、このタイミング信号Ｔ0 によりＬＰＦ４２ｂは充電
されてタイミング信号Ｔ1 を生成する。
【００４７】これに対応し、タイミング信号Ｔ0 により
発光レベル生成回路６は、タイミングｔ1 直前の光量調
整回路７の設定に基づき発光レベル指令信号を最大にし
て比較増幅器１に出力し、タイミング信号Ｔ1 出力時点
で生じる制御電流の変化分と基準信号ＶREF との比較結
果を比較器４５からＤ／Ａコンバータ４６に取込み、電
流変換器５に半導体レーザ２と受光素子３との特性に基
づいた信号を再度生成することができる。
発光レベル生成回路６は、タイミングｔ1 直前の光量調
整回路７の設定に基づき発光レベル指令信号を最大にし
て比較増幅器１に出力し、タイミング信号Ｔ1 出力時点
で生じる制御電流の変化分と基準信号ＶREF との比較結
果を比較器４５からＤ／Ａコンバータ４６に取込み、電
流変換器５に半導体レーザ２と受光素子３との特性に基
づいた信号を再度生成することができる。
【００４８】ところで、外部制御信号Ｓを出力させるタ
イミングであるが、例えばレーザプリンタ等の光書込み
装置においては、ページ書込み開始前或いはライン走査
開始前など任意のタイミングでこの外部制御信号Ｓを出
力させれば、書込み直前に設定された光量に応じた変換
電流の生成が可能となり、光出力の応答特性の見掛け上
の劣化が防止される。
イミングであるが、例えばレーザプリンタ等の光書込み
装置においては、ページ書込み開始前或いはライン走査
開始前など任意のタイミングでこの外部制御信号Ｓを出
力させれば、書込み直前に設定された光量に応じた変換
電流の生成が可能となり、光出力の応答特性の見掛け上
の劣化が防止される。
【００４９】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、光・電気
負帰還ループ、変換手段を用いて発光レべル指令信号に
応じた光量となるように半導体レーザを駆動制御する半
導体レーザ駆動制御回路において、外部から与えられる
電圧と可変抵抗器とにより半導体レーザの光量を調整す
る光量調整回路と、この光量調整回路により調整された
半導体レーザの光量に比例したオフセット光量がこの半
導体レーザから得られるように受光素子に電流を供給す
るオフセット供給回路とを設けたので、オフセット供給
回路によって光量調整回路で設定された信号に比例した
電流を受光素子に常時供給することで、特性の異なる各
種半導体レーザに対して光・電気負帰還ループによる光
出力制御を安定して行うことができる。
負帰還ループ、変換手段を用いて発光レべル指令信号に
応じた光量となるように半導体レーザを駆動制御する半
導体レーザ駆動制御回路において、外部から与えられる
電圧と可変抵抗器とにより半導体レーザの光量を調整す
る光量調整回路と、この光量調整回路により調整された
半導体レーザの光量に比例したオフセット光量がこの半
導体レーザから得られるように受光素子に電流を供給す
るオフセット供給回路とを設けたので、オフセット供給
回路によって光量調整回路で設定された信号に比例した
電流を受光素子に常時供給することで、特性の異なる各
種半導体レーザに対して光・電気負帰還ループによる光
出力制御を安定して行うことができる。
【００５０】加えて、請求項２記載の発明によれば、電
圧生成部を含めて抵抗、トランジスタだけで構成した電
源電圧監視回路を設けたので、ＩＣ内部に組込むことが
可能なほどに小型化を図ることができる上に、電源電圧
が所定の電位に達しない場合には半導体レーザに電流が
流れないように遮断するので、半導体レーザの光出力を
高速・高精度に制御でき、かつ、電源投入時等のように
電源が不安定な状況下での半導体レーザの劣化も防止で
きる。
圧生成部を含めて抵抗、トランジスタだけで構成した電
源電圧監視回路を設けたので、ＩＣ内部に組込むことが
可能なほどに小型化を図ることができる上に、電源電圧
が所定の電位に達しない場合には半導体レーザに電流が
流れないように遮断するので、半導体レーザの光出力を
高速・高精度に制御でき、かつ、電源投入時等のように
電源が不安定な状況下での半導体レーザの劣化も防止で
きる。
【００５１】また、請求項３記載の発明によれば、電源
電圧が所定の電位以上となってから起動し、光・電気負
帰還ループの制御時間より長い時定数を有するローパス
フィルタを用いた簡易な構成のタイミング信号発生回路
によってタイミング信号を生成することで、半導体レー
ザ及び受光素子の特性に基づく信号を生成するようにし
たので、特性の異なる各種半導体レーザの光出力を高速
・高精度に制御できるとともに、電源投入時のような電
源不安定状態における半導体レーザの劣化も防止でき、
さらには、電源電圧のバラツキによる不適切な変換電流
を生成することなく最適な変換電流を生成し、良好なる
光出力の応答特性を得ることができる。
電圧が所定の電位以上となってから起動し、光・電気負
帰還ループの制御時間より長い時定数を有するローパス
フィルタを用いた簡易な構成のタイミング信号発生回路
によってタイミング信号を生成することで、半導体レー
ザ及び受光素子の特性に基づく信号を生成するようにし
たので、特性の異なる各種半導体レーザの光出力を高速
・高精度に制御できるとともに、電源投入時のような電
源不安定状態における半導体レーザの劣化も防止でき、
さらには、電源電圧のバラツキによる不適切な変換電流
を生成することなく最適な変換電流を生成し、良好なる
光出力の応答特性を得ることができる。
【００５２】一方、請求項４記載の発明によれば、半導
体レーザ及び受光素子の特性に基づいた信号生成に用い
るためのタイミング信号を出力するタイミング信号発生
回路に、放電用スイッチ素子を付加したので、このよう
な特性信号の生成を電源投入時だけでなく任意のタイミ
ングで生成することができ、半導体レーザの光出力を高
速・高精度に制御することが可能となり、かつ、環境温
度変化が生じた場合や、電源電圧が立上った後に光量調
整を行っても、書込み装置における外部制御信号を用い
ることで、常に、最適な変換電流を得ることができ、光
出力の応答特性の劣化しないものとすることができる。
体レーザ及び受光素子の特性に基づいた信号生成に用い
るためのタイミング信号を出力するタイミング信号発生
回路に、放電用スイッチ素子を付加したので、このよう
な特性信号の生成を電源投入時だけでなく任意のタイミ
ングで生成することができ、半導体レーザの光出力を高
速・高精度に制御することが可能となり、かつ、環境温
度変化が生じた場合や、電源電圧が立上った後に光量調
整を行っても、書込み装置における外部制御信号を用い
ることで、常に、最適な変換電流を得ることができ、光
出力の応答特性の劣化しないものとすることができる。
【００５３】この際、請求項５記載の発明によれば、光
出力の応答特性を劣化させることなく半導体レーザの光
出力を高速・高精度に制御できる上に、抵抗、コンデン
サだけで構成した電源電圧監視回路によるため、電源投
入時等の電源の不安定な状態における半導体レーザの劣
化を防止できるだけでなく、ＩＣ内部に組込むことが可
能なほどに小型化を図ることができる。
出力の応答特性を劣化させることなく半導体レーザの光
出力を高速・高精度に制御できる上に、抵抗、コンデン
サだけで構成した電源電圧監視回路によるため、電源投
入時等の電源の不安定な状態における半導体レーザの劣
化を防止できるだけでなく、ＩＣ内部に組込むことが可
能なほどに小型化を図ることができる。
【００５４】加えて、請求項６記載の発明によれば、小
型化が図れ、光出力の応答特性を劣化させることなく、
半導体レーザの光出力を高速・高精度に制御し得るとと
もに、外部電圧と可変抵抗器とによる光量調整回路を有
するので、光出力の微調を容易かつ安全に行うことがで
きる。
型化が図れ、光出力の応答特性を劣化させることなく、
半導体レーザの光出力を高速・高精度に制御し得るとと
もに、外部電圧と可変抵抗器とによる光量調整回路を有
するので、光出力の微調を容易かつ安全に行うことがで
きる。
【００５５】さらに、請求項７記載の発明によれば、請
求項６記載の発明の作用に加え、オフセット供給回路を
有するので、微分量子効率、受光素子の光入力・受光信
号特性の異なる各種半導体レーザに対して光・電気負帰
還ループによる光出力の制御を安定して行うことができ
る。
求項６記載の発明の作用に加え、オフセット供給回路を
有するので、微分量子効率、受光素子の光入力・受光信
号特性の異なる各種半導体レーザに対して光・電気負帰
還ループによる光出力の制御を安定して行うことができ
る。
【図１】本発明の一実施例を示し、請求項１記載の発明
対応のブロック図である。
対応のブロック図である。
【図２】光量調整回路の構成例を示す回路図である。
【図３】オフセット供給回路の構成例を示す回路図であ
る。
る。
【図４】請求項２記載の発明対応の電源電圧監視回路の
構成例を示す回路図である。
構成例を示す回路図である。
【図５】その電位生成部の構成例を示す回路図である。
【図６】請求項３記載の発明対応の構成例を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図７】請求項４記載の発明対応のタイミング信号発生
回路の構成例を示すブロック図である。
回路の構成例を示すブロック図である。
【図８】その動作を説明するためのタイミングチャート
である。
である。
【図９】半導体レーザの一般的な電流−光出力特性図で
ある。
ある。
【図１０】光出力の応答特性を説明するための特性図で
ある。
ある。
２ 半導体レーザ ３ 受光素子 ４ 光・電気負帰還ループ ５ 変換手段 ７ 光量調整回路 ８ オフセット供給回路 ２５ 電源電圧監視回路 ２６ 電位比較部＝２入力差動スイッチ ２９ 電圧生成部 ３１ 電圧生成部 ３２ 定電流源 ４１ タイミング信号発生回路 ４２ ローパスフィルタ ４３ 電位比較器 ４７ 放電用スイッチ素子 ＶＲ 可変抵抗器 Ｒ11 第１抵抗 Ｒ12 第２抵抗 Ｒ13 第３抵抗
Claims (7)
- 【請求項１】 発光レべル指令信号に応じた光量となる
ように半導体レーザを駆動制御する半導体レーザ駆動制
御回路において、前記半導体レーザの光出力を受光検知
する受光素子と、この受光素子により検知されて得られ
る半導体レーザの光出力に比例した受光信号と入力デー
タに基づき生成される発光レベル指令信号とが等しくな
るように前記半導体レーザの順方向電流を制御する光・
電気負帰還ループと、前記受光信号と前記発光レベル指
令信号とが等しくなるように前記半導体レーザの光出力
・順方向電流特性、前記受光素子と前記半導体レーザの
光出力との結合係数、及び前記受光素子の光入力・受光
信号特性に基づき前記入力データを前記半導体レーザの
順方向電流に変換する変換手段と、外部から与えられる
電圧と可変抵抗器とにより前記半導体レーザの光量を調
整する光量調整回路と、この光量調整回路により調整さ
れた前記半導体レーザの光量に比例したオフセット光量
がこの半導体レーザから得られるように前記受光素子に
電流を供給するオフセット供給回路とを設けたことを特
徴とする半導体レーザ駆動制御回路。 - 【請求項２】 エミッタ面積の異なる２つのトランジス
タを用いて形成されて一定電圧を生成する２つの電圧生
成部と、負端子側がグランドに接続された一方の電圧生
成部の正端子と電源との間に接続した第１抵抗と第２抵
抗との接続中点に一方の入力が接続され、正端子が電源
に接続された他方の電圧生成部の負端子とグランドとの
間に接続した第３抵抗と定電流源との接続中点に他方の
入力が接続された２入力差動スイッチによる電位比較部
とを有して、この他方の入力が前記一方の入力より低電
位のときに前記半導体レーザに対する駆動電流を遮断す
る電源電圧監視回路を設けたことを特徴とする請求項１
記載の半導体レーザ駆動制御回路。 - 【請求項３】 光・電気負帰還ループの制御時間より長
く設定された時定数のローパスフィルタが一方の入力端
子に接続されて他方の入力端子が定電位に保たれた２入
力の電位比較器を、前段の電位比較器出力を後段のロー
パスフィルタの入力として、複数段に接続したタイミン
グ信号発生回路を設け、電源電圧監視回路中の電位比較
部に対する一方の入力が他方の入力より低電位のときに
初段の電位比較器の入力端子の充電を開始させるととも
に、２段目以降の電位比較器の入力端子は前段の電位比
較器の出力により各ローパスフィルタの時定数で順次充
電させ、前記半導体レーザの光出力・順方向電流特性、
前記受光素子と前記半導体レーザの光出力との結合係
数、及び前記受光素子の光入力・受光信号特性に基づく
信号を生成するために各段の電位比較器からタイミング
信号を出力させるようにしたことを特徴とする請求項２
記載の半導体レーザ駆動制御回路。 - 【請求項４】 発光レべル指令信号に応じた光量となる
ように半導体レーザを駆動制御する半導体レーザ駆動制
御回路において、前記半導体レーザの光出力を受光検知
する受光素子と、この受光素子により検知されて得られ
る半導体レーザの光出力に比例した受光信号と入力デー
タに基づき生成される発光レベル指令信号とが等しくな
るように前記半導体レーザの順方向電流を制御する光・
電気負帰還ループと、前記受光信号と前記発光レベル指
令信号とが等しくなるように前記半導体レーザの光出力
・順方向電流特性、前記受光素子と前記半導体レーザの
光出力との結合係数、及び前記受光素子の光入力・受光
信号特性に基づき前記入力データを前記半導体レーザの
順方向電流に変換する変換手段と、前記半導体レーザに
対する電源電圧が所定の電位より低いときに前記半導体
レーザに対する駆動電流を遮断する電源電圧監視回路
と、光・電気負帰還ループの制御時間より長く設定され
た時定数のローパスフィルタが一方の入力端子に接続さ
れて他方の入力端子が定電位に保たれた２入力の電位比
較器を、前段の電位比較器出力を後段のローパスフィル
タの入力として、複数段に接続し、前記電源電圧が所定
の電位より高いときに初段の電位比較器の入力端子の充
電を開始させるとともに、２段目以降の電位比較器の入
力端子は前段の電位比較器の出力により各ローパスフィ
ルタの時定数で順次充電させて、前記半導体レーザの光
出力・順方向電流特性、前記受光素子と前記半導体レー
ザの光出力との結合係数、及び前記受光素子の光入力・
受光信号特性に基づく信号を生成するために各段の電位
比較器からタイミング信号を出力するタイミング信号発
生回路とを設け、このタイミング信号発生回路中の各段
のローパスフィルタの出力端に外部制御信号によりこの
出力端を接地させる放電用スイッチ素子を接続したこと
を特徴とする半導体レーザ駆動制御回路。 - 【請求項５】 電源電圧監視回路を、エミッタ面積の異
なる２つのトランジスタを用いて形成されて一定電圧を
生成する２つの電圧生成部と、負端子側がグランドに接
続された一方の電圧生成部の正端子と電源との間に接続
した第１抵抗と第２抵抗との接続中点に所定の電位入力
が接続され、正端子が電源に接続された他方の電圧生成
部の負端子とグランドとの間に接続した第３抵抗と定電
流源との接続中点に電源電圧入力が接続された２入力差
動スイッチによる電位比較部とを有し、前記電源電圧入
力が前記所定の電位入力より低電位のときに前記半導体
レーザに対する駆動電流を遮断するものとしたことを特
徴とする請求項４記載の半導体レーザ駆動制御回路。 - 【請求項６】 外部から与えられる電圧と可変抵抗器と
により半導体レーザの光量を調整する光量調整回路を設
けたことを特徴とする請求項５記載の半導体レーザ駆動
制御回路。 - 【請求項７】 光量調整回路により調整された半導体レ
ーザの光量に比例したオフセット光量がこの半導体レー
ザから得られるように受光素子に電流を供給するオフセ
ット供給回路を設けたことを特徴とする請求項６記載の
半導体レーザ駆動制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4138456A JP3065791B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 半導体レーザ駆動制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4138456A JP3065791B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 半導体レーザ駆動制御回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335665A JPH05335665A (ja) | 1993-12-17 |
| JP3065791B2 true JP3065791B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=15222444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4138456A Expired - Fee Related JP3065791B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 半導体レーザ駆動制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3065791B2 (ja) |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP4138456A patent/JP3065791B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05335665A (ja) | 1993-12-17 |
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