JP2704133B2 - レーザダイオード駆動回路 - Google Patents

レーザダイオード駆動回路

Info

Publication number
JP2704133B2
JP2704133B2 JP7122182A JP12218295A JP2704133B2 JP 2704133 B2 JP2704133 B2 JP 2704133B2 JP 7122182 A JP7122182 A JP 7122182A JP 12218295 A JP12218295 A JP 12218295A JP 2704133 B2 JP2704133 B2 JP 2704133B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
resistor
laser diode
circuit
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP7122182A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08316560A (ja
Inventor
浩 大野
政明 横溝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP7122182A priority Critical patent/JP2704133B2/ja
Priority to DE69618713T priority patent/DE69618713T2/de
Priority to EP96303653A priority patent/EP0744800B1/en
Priority to US08/651,746 priority patent/US5761230A/en
Publication of JPH08316560A publication Critical patent/JPH08316560A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2704133B2 publication Critical patent/JP2704133B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザダイオード駆動
回路に関し、特に温度変化に対して光出力を一定に制御
する温度補償回路を付加したレーザダイオード駆動回路
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、複数の子局と親局とからなる光
ネットワークにおいては、子局から親局に対してバース
トデータの伝送が要求される。バーストデータとはデー
タが無い状態が続き、突如データが伝送される形態のデ
ータである。基本的にはバーストデータの１ビット目か
ら光出力の安定した送信が望まれ、かつ、温度的にも光
出力が安定していることが望まれる。
【０００３】しかしながら、既存のＡＰＣ（Ａｕｔｏｍ
ａｔｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）ループ回路に
よる光出力の温度補償方法では、ループ時定数の制約に
より１ビット目から光出力レベルの安定した送信は困難
であるので、バースト伝送対応のレーザダイオード駆動
回路では、新規の温度補償方法が必要となる。
【０００４】このような一例としては、平成３年６月２
０日に公開された特開平３−１４５１７１号公報記載の
「半導体レーザの発光回路」を挙げると、この回路で
は、半導体レーザの発光出力が絶対定格を越えないよう
に、周囲温度が変化してもサーミスタの使用により半導
体レーザを流れる電流を常に一定値に電流制限してい
る。また、昭和６０年１２月１６日に公開された特開昭
６０−２５４７８３号公報記載の「レーザダイオードの
駆動方式」では、レーザダイオードを駆動するパルス電
流とバイアス電流との比をレーザダイオードの動作温度
に応じた値に設定し、これら両電流値を周囲温度が変化
しても一定に電流制限するためサーミスタを使用してい
る。
【０００５】図４は従来のレーザダイオード駆動回路を
示す回路図である。
【０００６】図４を参照すると、従来のレーザダイオー
ド駆動回路は半導体レーザ素子であるレーザダイオード
１と、差動増幅器を構成するトランジスタ２および３
と、分圧回路を構成する抵抗１１および１２と、温度検
出用のダイオード１３と、ダイオード１３のバイアス電
流を制限する抵抗１０と、増幅器であるオペアンプ６
と、オペアンプ６の出力電流により駆動されるトランジ
スタ５と、トランジスタ５のエミッタ抵抗９と、オペア
ンプ６の負帰還用の抵抗８および抵抗１６とから構成さ
れている。トランジスタ２のコレクタにはレーザダイオ
ード１が接続され、レーザダイオード１とトランジスタ
３のコレクタとが共通に電源１８に接続され、またトラ
ンジスタ２および３の各エミッタが互いに接続されて共
通エミッタ４をなし、さらに共通エミッタ４にはトラン
ジスタ５のコレクタが接続され、トランジスタ５のエミ
ッタは抵抗９を介してグランドに接続されている。
【０００７】また、トランジスタ５のベースにはオペア
ンプ６の出力端子１９が接続され、オペアンプ６の非反
転入力端子２０は抵抗１１と抵抗１２との接続点に接続
される。一方、オペアンプ６の反転入力端子２１はトラ
ンジスタ５のエミッタと抵抗８を介して接続されている
とともに、抵抗１０とダイオード１３との接続点に抵抗
１６を介して接続されている。ここで、ダイオード１３
は温度検出用として使用される。なお、抵抗１０とダイ
オード１３とは電源２２と接地点との間に直列に接続さ
れている。また、抵抗１１と抵抗１２とは電源２２と接
地点との間に直列に接続されている。
【０００８】次に動作を説明する。
【０００９】ダイオード１３の順方向電圧の温度変化
は、オペアンプ６によって所定のゲインで増幅されトラ
ンジスタ５を駆動することになるのでトランジスタ５の
コレクタ電流、すなわち、共通エミッタ４のエミッタ電
流が制御される。その結果、レーザダイオード１の駆動
電流が制御されることになる。また、抵抗１１と抵抗１
２の比率を変えることにより、ある温度における基準と
なる駆動電流のオフセットが調整可能であり、さらに抵
抗８と抵抗１６の比率を変えることにより、レーザダイ
オード１の駆動電流変化の温度傾斜が調整可能となる。
【００１０】しかしながら、このレーザダイオード駆動
回路では、温度検出用にダイオード１３だけを使用して
いる。ダイオード１３は温度とともにリニアに順方向電
圧が変化するので、その結果オペアンプ６の出力電圧も
リニアに変化することになる。
【００１１】図５は図４のレーザダイオードのケース温
度と駆動電流との関係を示す図である。
【００１２】レーザダイオード１の理想的な動作電流、
すなわち、レーザダイオード（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄ
ｅ：以下ＬＤと略称する）のＬＤ光出力パワーを一定と
するために必要なＬＤ駆動電流は、図５のように温度に
対して曲線的に増加し、指数関数的特性であることが判
明している。
【００１３】従って、リニア制御であるトランジスタ２
によるＬＤ駆動電流とＬＤ光出力パワーを一定とするた
めに必要なＬＤ駆動電流との間には、温度変化に対して
電流差が生じ、ＬＤ光出力の大きな変動が生じることに
なる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】従来のバースト伝送対
応のレーザダイオード駆動回路は、温度補償回路の温度
検出用にダイオードだけを使用しその順方向電圧を利用
しているため、レーザダイオードの指数関数的特性の理
想動作電流曲線に対してリニア近似となっているので、
機器の屋外設置などにより使用温度範囲が広い場合に
は、大きな光出力変動を生じるという欠点を有してい
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザダイオー
ド駆動回路は、レーザダイオードを駆動する電流駆動回
路と、前記電流駆動回路の駆動電流を制御する増幅回路
と、前記増幅回路の第１の入力端子に基準電圧を出力す
る基準電位回路と、前記増幅回路の第２の入力端子に前
記レーザダイオードの動作電流の温度特性をサーミスタ
およびダイオードの合成温度特性で近似した制御電圧を
出力する温度補償回路とを備えたことを特徴としてい
る。
【００１６】また、コレクタを第１の電源に接続した第
１のトランジスタと、このトランジスタと対をなしコレ
クタを前記第１の電源に接続した第２のトランジスタ
と、コレクタを前記第１および第２のトランジスタのエ
ミッタと接続しエミッタを第１の抵抗を介して接地した
第３のトランジスタとを有し、前記第１のトランジスタ
のコレクタと前記第１の電源との間に接続したレーザダ
イオードを駆動するための電流駆動回路と；基準電位回
路の出力端子に接続した非反転入力端子と、前記第３の
トランジスタのエミッタと第２の抵抗を介して接続した
反転入力端子と、前記第３のトランジスタのベースに接
続した出力端子とを有するオペアンプと；第２の電源に
接続した第３の抵抗と、この抵抗に直列に接続し接地し
た第４の抵抗とを有し、前記第３および第４の抵抗の接
続点から基準電圧を出力する前記基準電位回路と；前記
第２の電源に接続した第５の抵抗と、この抵抗にアノー
ド電極を接続しカソード電極を接地したダイオードと、
前記第５の抵抗と前記ダイオードとの接続点に接続し前
記オペアンプの反転入力端子に接続したサーミスタとを
有する温度補償回路と；を備えたことを特徴としてい
る。
【００１７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【００１８】図１は本発明のレーザダイオード駆動回路
の一実施例を示す回路図である。
【００１９】図２はレーザダイオードの順方向電流（Ｉ
Ｆ）と光出力パワー（Ｐｏ）との関係を示す図であり、
また、図３は図１のレーザダイオードのケース温度と駆
動電流との関係を示す図である。
【００２０】図１に示す本実施例の回路図は、半導体レ
ーザ素子であるレーザダイオード１と、差動増幅器を構
成するトランジスタ２および３と、分圧回路を構成する
抵抗１１および１２と、温度検出用のダイオード１３
と、ダイオード１３にバイアス電流を制限するバイアス
抵抗１０と、温度補償用のサーミスタ７と、増幅器であ
るオペアンプ６と、オペアンプ６の出力電流により駆動
されるトランジスタ５と、トランジスタ５のエミッタ抵
抗９と、オペアンプ６の負帰還用の抵抗８とから構成さ
れている。
【００２１】図１において、図４に示す構成要素に対応
するものには同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００２２】次に、図１，図２および図３を参照して動
作を詳細に説明する。
【００２３】電源電圧２２を抵抗１１と抵抗１２により
分圧した分圧点１４の電位Ｖ1 を基準電圧としてオペア
ンプ６の非反転入力端子２０に入力し、抵抗１０とダイ
オード１３によって得られる約−２ｍＶ／℃のリニアな
温度特性を持つ温度特性発生点１５の電位Ｖ2 をサーミ
スタ７を介してオペアンプ６の反転入力端子２１に出力
することにより、サーミスタ７の抵抗値Ｒｔｈと抵抗８
の抵抗値Ｒ８の比Ｒ８／Ｒｔｈがオペアンプ６のゲイン
となるため、オペアンプ６に接続されているトランジス
タ５のエミッタの電位ＶE は（２ｍＶ／℃）×（Ｒ８／
Ｒｔｈ）の温度特性を有することになる。
【００２４】また、一対の差動トランジスタ２と３によ
る電流スイッチング回路の共通エミッタ４がトランジス
タ５のコレクタに接続されており、（２ｍＶ／℃）×
（Ｒ８／Ｒｔｈ）に比例した電流Ｉｏｐで、トランジス
タ２のコレクタと電源１８との間に順方向に接続されて
いるレーザダイオード１を駆動する。
【００２５】レーザダイオード１のケース温度Ｔｃに対
する、一般的な順方向電流ＩＦと光出力パワーＰｏの関
係は図２の様な特性を示す。
【００２６】ここで、一例としてＰｏ＝３ｍＷ一定とな
る動作電流Ｉｏｐ（Ｔｃ）は、ケース温度Ｔｃに依存し
て増加している。この動作電流Ｉｏｐ（Ｔｃ）とケース
温度Ｔｃとの関係を示したのが、図３の中で示す「ＬＤ
光出力パワーを一定とするために必要なＬＤ駆動電流」
の曲線である。
【００２７】一般に、レーザダイオードの動作電流の増
加は、閾電流密度Ｊｔｈの増加で決定付けられる。この
閾電流密度Ｊｔｈは、レーザダイオードのジャンクショ
ン温度Ｔｊと、レーザダイオードの特性温度Ｔ０、基準
とするジャンクション温度での閾電流密度Ｊｔｈ０によ
って、経験的に次式の如く表わすことができる。
【００２８】
【００２９】特性温度Ｔ０はレーザダイオード固有の定
数であり、例えば波長１．３μｍのレーザダイオードで
あれば、Ｔｊが２５℃から７０℃までの温度範囲では、
Ｔ０≒７０Ｋである。閾電流密度Ｊｔｈ０は通常２５℃
とする。
【００３０】この式からもわかるようにレーザダイオー
ド１の動作電流の温度特性は指数関数的特性を示す。
【００３１】広い温度範囲において、レーザダイオード
１の光出力を高精度に一定に保つためには、レーザダイ
オード１の駆動電流もまた、温度に対して指数関数的特
性で変化させる必要がある。従って、トランジスタ５の
コレクタ電流に指数関数的な温度特性を持たせることが
要求される。
【００３２】そこで、これをサーミスタ７が持つ温度増
加に対する抵抗値Ｒｔｈの負の指数関数的特性を利用す
ることにより、レーザダイオード１の駆動電流を温度増
加に対し指数関数的に増加させることが可能となる。
【００３３】すなわち、トランジスタ５のエミッタの電
位ＶE は、抵抗１１と抵抗１２の分圧点１４の電位Ｖ1
と、抵抗１０とダイオード１３によって得られる温度特
性発生点１５の電位Ｖ2 と、抵抗８の抵抗値Ｒ８と、サ
ーミスタ７の抵抗値Ｒｔｈによって次式にて表わされ
る。
【００３４】
【００３５】また、ＬＤ駆動電流Ｉｏｐは、抵抗９の抵
抗値Ｒ９を用いて次式にて表わされる。
【００３６】
【００３７】また、サーミスタ７の絶対温度Ｔ（Ｋ）に
於ける抵抗値Ｒｔｈは、絶対温度Ｔ１、Ｔ１に於ける抵
抗値Ｒ１、またサーミスタ固有の特性であるＢ定数によ
って次式の如く表わされる。
【００３８】
【００３９】このように、サーミスタ７の抵抗値Ｒｔｈ
が負の指数関数的温度特性を持つので、（３）式よりＬ
Ｄ駆動電流Ｉｏｐが温度増加に対して指数関数的な特性
で増加することがわかる。
【００４０】図３は本発明のＬＤ駆動回路におけるＬＤ
のケース温度と駆動電流との関係であるが、このよう
に、本発明のＬＤ駆動回路によるＬＤ駆動電流はＬＤ光
出力パワーを一定とするために必要なＬＤ駆動電流に高
精度に近似させることができており、ＬＤのケース温度
Ｔｃが−４０℃から＋９０℃の範囲においてその差は１
ｍＡ以内である。
【００４１】なお、本実施例では電源電圧１８および２
２は正電圧の電源につて述べているが、電源電圧２２が
負電源でも同様の作用効果があることは言うまでもない
（ただし、ダイオード１３の極性は変る）。
【００４２】また、伝送速度数十Ｍｂ／ｓ程度の駆動回
路では、レーザダイオードは無バイアス駆動で十分であ
る。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のレーザダ
イオード駆動回路はサーミスタの負の温度特性を利用し
て、レーザダイオードの理想的動作電流である指数関数
的な動作電流増加曲線に高精度に近似させることができ
るので、広い温度範囲おいてレーザダイオードの光出力
を安定させることができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のレーザダイオード駆動回路の一実施例
を示す回路図である。
【図２】レーザダイオードの順方向電流（ＩＦ）と光出
力パワー（Ｐｏ）との関係を示す図である。
【図３】図１のレーザダイオードのケース温度と駆動電
流との関係を示す図である。
【図４】従来のレーザダイオード駆動回路を示す回路図
である。
【図５】図４のレーザダイオードのケース温度と駆動電
流との関係を示す図である。
【符号の説明】
１ レーザダイオード ２，３，５ トランジスタ ４ 共通エミッタ ６ オペアンプ ７ サーミスタ ８〜１２ 抵抗 １３ ダイオード １４ 分圧点 １５ 温度特性発生点 １６ 抵抗 １８，２２ 電源電圧 １９ 出力端子 ２０ 非反転入力端子 ２１ 反転入力端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−147443（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−342032（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−259563（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−218546（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−135031（ＪＰ，Ａ)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 レーザダイオードを駆動する電流駆動回
    路と、前記電流駆動回路の駆動電流を制御する増幅回路
    と、前記増幅回路の第１の入力端子に基準電圧を出力す
    る基準電位回路と、前記増幅回路の第２の入力端子に前
    記レーザダイオードの動作電流の温度特性をサーミスタ
    およびダイオードの合成温度特性で近似した制御電圧を
    出力する温度補償回路とを備えたことを特徴とするレー
    ザダイオード駆動回路。
  2. 【請求項２】 コレクタを第１の電源に接続した第１の
    トランジスタと、このトランジスタと対をなしコレクタ
    を前記第１の電源に接続した第２のトランジスタと、コ
    レクタを前記第１および第２のトランジスタのエミッタ
    と接続しエミッタを第１の抵抗を介して接地した第３の
    トランジスタとを有し、前記第１のトランジスタのコレ
    クタと前記第１の電源との間に接続したレーザダイオー
    ドを駆動するための電流駆動回路と；基準電位回路の出
    力端子に接続した非反転入力端子と、前記第３のトラン
    ジスタのエミッタと第２の抵抗を介して接続した反転入
    力端子と、前記第３のトランジスタのベースに接続した
    出力端子とを有するオペアンプと；第２の電源に接続し
    た第３の抵抗と、この抵抗に直列に接続し接地した第４
    の抵抗とを有し、前記第３および第４の抵抗の接続点か
    ら基準電圧を出力する前記基準電位回路と；前記第２の
    電源に接続した第５の抵抗と、この抵抗にアノード電極
    を接続しカソード電極を接地したダイオードと、前記第
    ５の抵抗と前記ダイオードとの接続点に接続し前記オペ
    アンプの反転入力端子に接続したサーミスタとを有する
    温度補償回路と；を備えたことを特徴とするレーザダイ
    オード駆動回路。
JP7122182A 1995-05-22 1995-05-22 レーザダイオード駆動回路 Expired - Lifetime JP2704133B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7122182A JP2704133B2 (ja) 1995-05-22 1995-05-22 レーザダイオード駆動回路
DE69618713T DE69618713T2 (de) 1995-05-22 1996-05-22 Schaltungsanordnung zur Ansteuerung von Laserdioden
EP96303653A EP0744800B1 (en) 1995-05-22 1996-05-22 Laser-diode driving circuit
US08/651,746 US5761230A (en) 1995-05-22 1996-05-22 Laser-diode driving circuit with temperature compensation

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7122182A JP2704133B2 (ja) 1995-05-22 1995-05-22 レーザダイオード駆動回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08316560A JPH08316560A (ja) 1996-11-29
JP2704133B2 true JP2704133B2 (ja) 1998-01-26

Family

ID=14829612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7122182A Expired - Lifetime JP2704133B2 (ja) 1995-05-22 1995-05-22 レーザダイオード駆動回路

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5761230A (ja)
EP (1) EP0744800B1 (ja)
JP (1) JP2704133B2 (ja)
DE (1) DE69618713T2 (ja)

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6996150B1 (en) 1994-09-14 2006-02-07 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor
JP2962263B2 (ja) * 1997-02-13 1999-10-12 日本電気株式会社 半導体レーザ駆動回路
JP3636411B2 (ja) * 1997-03-19 2005-04-06 富士通株式会社 レーザーダイオードの駆動回路および駆動方法
JP4116133B2 (ja) * 1997-07-31 2008-07-09 株式会社東芝 温度依存型定電流発生回路およびこれを用いた光半導体素子の駆動回路
JP3449898B2 (ja) * 1997-10-16 2003-09-22 富士通株式会社 発光素子駆動回路
JP3732345B2 (ja) * 1998-02-10 2006-01-05 株式会社沖データ 駆動回路、ｌｅｄヘッド及びプリンタ
JP3139442B2 (ja) * 1998-02-17 2001-02-26 日本電気株式会社 光送信器
US5974064A (en) * 1998-04-14 1999-10-26 Optobahn Corporation Temperature compensation of laser diodes
US6021143A (en) * 1998-04-21 2000-02-01 Lucent Technologies, Inc. Dynamic control for laser diode drivers
JP2000022263A (ja) 1998-06-29 2000-01-21 Murata Mfg Co Ltd 半導体レーザ駆動回路および半導体レーザ装置
US6226114B1 (en) 1998-07-02 2001-05-01 Scientific-Atlanta, Inc. Temperature compensation for uncooled laser
FI105627B (fi) * 1998-09-29 2000-09-15 Nokia Networks Oy Aallonpituuden stabilointi WDM-järjestelmän lähettimessä
US6606177B1 (en) 1999-02-15 2003-08-12 Hitachi, Ltd. Driver circuit and optical-transmission module
US6021144A (en) * 1999-02-24 2000-02-01 Nvision, Inc. Automatic power control circuit for a laser driver
KR100290262B1 (ko) * 1999-03-12 2001-05-15 권문구 레이저 다이오드 구동회로의 온도변화에 따른 광출력 소광비 보상회로
US6501449B1 (en) * 1999-12-08 2002-12-31 Industrial Technology Research Institute High matching precision OLED driver by using a current-cascaded method
US6609842B1 (en) 2000-03-27 2003-08-26 Marconi Communications, Inc. Linear laser driver circuit
US6707833B1 (en) 2000-03-31 2004-03-16 Marconi Communications, Inc. Digital laser driver circuit
US6667661B1 (en) 2001-05-04 2003-12-23 Euvis, Inc. Laser diode driver with high power efficiency
US6947458B2 (en) * 2001-06-07 2005-09-20 Alcatel Communications, Inc. Power control circuit for laser diode having wavelength compensation
US6826210B2 (en) * 2001-06-07 2004-11-30 Alcatel Communications, Inc. Power control circuit for laser diode having wavelength compensation
JP2004111827A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Alps Electric Co Ltd 半導体レーザの光出力制御回路
JP2005019512A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Toshiba Corp 光送信機
US7433375B2 (en) * 2003-10-09 2008-10-07 National Semiconductor Corporation Laser trim and compensation methodology for passively aligning optical transmitter
US7321606B2 (en) * 2003-10-09 2008-01-22 National Semiconductor Corporation Laser trim and compensation methodology for passively aligning optical transmitter
US7940821B2 (en) * 2005-01-05 2011-05-10 Lg Electronics Inc. Temperature compensating method of laser power in optical disk storage apparatus
US7250806B2 (en) * 2005-03-02 2007-07-31 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Apparatus and method for generating an output signal that tracks the temperature coefficient of a light source
US7778551B2 (en) * 2005-04-29 2010-08-17 Finisar Corporation Temperature compensation circuits
GB0525521D0 (en) * 2005-12-15 2006-01-25 Melexis Nv Low cost optical data tranceiver
US20070248128A1 (en) * 2006-04-25 2007-10-25 Nl Nanosemiconductor Gmbh Double-sided monolithically integrated optoelectronic module with temperature compensation
JP4899617B2 (ja) * 2006-04-28 2012-03-21 オムロン株式会社 光伝送システム、光伝送モジュール、電子機器
US20100272139A1 (en) * 2009-04-23 2010-10-28 Mediatek Inc. Driving circuit for driving laser diode and method for controlling laser powers of laser diode
JP5477778B2 (ja) * 2010-05-28 2014-04-23 スズキ株式会社 電池並列接続回路の制御装置
TWI511397B (zh) * 2013-08-08 2015-12-01 Via Tech Inc 具溫度補償之雷射驅動電路和雷射驅動方法
JP6590331B2 (ja) * 2014-12-26 2019-10-16 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 制御回路
US9985414B1 (en) 2017-06-16 2018-05-29 Banner Engineering Corp. Open-loop laser power-regulation
US10340408B1 (en) 2018-05-17 2019-07-02 Hi Llc Non-invasive wearable brain interface systems including a headgear and a plurality of self-contained photodetector units configured to removably attach to the headgear
US10420498B1 (en) 2018-06-20 2019-09-24 Hi Llc Spatial and temporal-based diffusive correlation spectroscopy systems and methods
US11213206B2 (en) 2018-07-17 2022-01-04 Hi Llc Non-invasive measurement systems with single-photon counting camera
EP3966590A1 (en) 2019-05-06 2022-03-16 Hi LLC Photodetector architectures for time-correlated single photon counting
EP3980849A1 (en) 2019-06-06 2022-04-13 Hi LLC Photodetector systems with low-power time-to-digital converter architectures
US11883181B2 (en) 2020-02-21 2024-01-30 Hi Llc Multimodal wearable measurement systems and methods
US11950879B2 (en) 2020-02-21 2024-04-09 Hi Llc Estimation of source-detector separation in an optical measurement system
US11630310B2 (en) 2020-02-21 2023-04-18 Hi Llc Wearable devices and wearable assemblies with adjustable positioning for use in an optical measurement system
US11515014B2 (en) 2020-02-21 2022-11-29 Hi Llc Methods and systems for initiating and conducting a customized computer-enabled brain research study
WO2021167893A1 (en) 2020-02-21 2021-08-26 Hi Llc Integrated detector assemblies for a wearable module of an optical measurement system
US11969259B2 (en) 2020-02-21 2024-04-30 Hi Llc Detector assemblies for a wearable module of an optical measurement system and including spring-loaded light-receiving members
US11864867B2 (en) 2020-03-20 2024-01-09 Hi Llc Control circuit for a light source in an optical measurement system by applying voltage with a first polarity to start an emission of a light pulse and applying voltage with a second polarity to stop the emission of the light pulse
WO2021188485A1 (en) 2020-03-20 2021-09-23 Hi Llc Maintaining consistent photodetector sensitivity in an optical measurement system
US11857348B2 (en) 2020-03-20 2024-01-02 Hi Llc Techniques for determining a timing uncertainty of a component of an optical measurement system
WO2021188486A1 (en) 2020-03-20 2021-09-23 Hi Llc Phase lock loop circuit based adjustment of a measurement time window in an optical measurement system
US11877825B2 (en) 2020-03-20 2024-01-23 Hi Llc Device enumeration in an optical measurement system
US11903676B2 (en) 2020-03-20 2024-02-20 Hi Llc Photodetector calibration of an optical measurement system
US11245404B2 (en) 2020-03-20 2022-02-08 Hi Llc Phase lock loop circuit based signal generation in an optical measurement system
US11607132B2 (en) 2020-03-20 2023-03-21 Hi Llc Temporal resolution control for temporal point spread function generation in an optical measurement system
US11187575B2 (en) 2020-03-20 2021-11-30 Hi Llc High density optical measurement systems with minimal number of light sources
US11609116B2 (en) 2020-08-27 2023-03-21 Banner Engineering Corp Open-loop photodiode gain regulation
CN115031658B (zh) * 2021-11-10 2023-04-07 苏州天准科技股份有限公司 一种3d激光成像系统

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4243952A (en) * 1978-10-30 1981-01-06 Rca Corporation Temperature compensated bias circuit for semiconductor lasers
US4639924A (en) * 1982-09-03 1987-01-27 Canon Kabushiki Kaisha Drive system for a semiconductor laser
JPS59146069A (ja) * 1983-02-08 1984-08-21 Canon Inc 光源安定化装置
JPS60253288A (ja) * 1984-05-29 1985-12-13 Mitsubishi Electric Corp レ−ザダイオ−ドのバイアスモニタ回路
JPS60254783A (ja) * 1984-05-31 1985-12-16 Fujitsu Ltd レ−ザダイオ−ドの駆動方式
US4710631A (en) * 1984-08-28 1987-12-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Temperature compensation for a semiconductor light source used for exposure of light sensitive material
JPH0422600Y2 (ja) * 1985-07-02 1992-05-25
US4792957A (en) * 1986-12-22 1988-12-20 Gte Communication Systems Corporation Laser temperature controller
JPH0758819B2 (ja) * 1987-09-25 1995-06-21 株式会社東芝 半導体レーザ駆動装置
JPH01266776A (ja) * 1988-04-18 1989-10-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体レーザの直流バイアス制御回路
JPH03145171A (ja) * 1989-10-31 1991-06-20 Toshiba Corp 半導体レーザの発光回路
DE4025497C2 (de) * 1990-08-11 1996-12-19 Hell Ag Linotype Verfahren und Schaltungsanordnung zur Korrektur der Strahlungsleistung einer Laserdiode
JPH05259563A (ja) * 1992-03-10 1993-10-08 Hitachi Ltd 半導体レーザ光出力制御回路
JPH06342032A (ja) * 1993-05-28 1994-12-13 Ando Electric Co Ltd レーザダイオード劣化検出回路
JPH07147443A (ja) * 1993-11-24 1995-06-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ送信器
JP3320900B2 (ja) * 1994-05-19 2002-09-03 富士通株式会社 レーザダイオードの自動温度制御回路及びこれを用いた電気／光信号変換ユニット
US5479425A (en) * 1994-11-23 1995-12-26 Harris Corporation Thermal compensation of injection laser diodes driven by shunt current modulations

Also Published As

Publication number Publication date
EP0744800B1 (en) 2002-01-23
US5761230A (en) 1998-06-02
DE69618713T2 (de) 2002-11-21
DE69618713D1 (de) 2002-03-14
EP0744800A3 (en) 1996-12-04
JPH08316560A (ja) 1996-11-29
EP0744800A2 (en) 1996-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2704133B2 (ja) レーザダイオード駆動回路
EP0939468B1 (en) Drive circuit for light emitting element
JP3449898B2 (ja) 発光素子駆動回路
US4243952A (en) Temperature compensated bias circuit for semiconductor lasers
JPH07240554A (ja) 半導体レーザ駆動装置
JP2000068946A (ja) 光送信器
JPH0529688A (ja) 半導体レーザアレイ装置
EP0482520B1 (en) Constant-current circuit for light-emitting element
US5499258A (en) Automatic temperature control circuit of laser diode and electric/optical signal converting unit using the same
US6535534B1 (en) Optical source driver with bias circuit for controlling output overshoot
JP3423115B2 (ja) 光信号送信装置
JP2744650B2 (ja) 発光素子駆動回路用制御装置
US8320420B2 (en) Polarity independent laser monitor diode current sensing circuit for optical modules
US6072816A (en) Laser-diode drive circuit
JPH0645674A (ja) 温度補償回路つきレーザダイオード駆動回路
JP2610307B2 (ja) 発光素子駆動回路
JPH0851321A (ja) 電流発生装置及び電流発生方法
JP2877059B2 (ja) レーザダイオード駆動回路
JPS6376493A (ja) レ−ザダイオ−ド駆動回路
JP2945051B2 (ja) 半導体レーザ制御装置
JPH06140700A (ja) 半導体発光素子駆動回路
JPH10321935A (ja) 発光素子駆動回路
JPH063569B2 (ja) 微小定電流回路
JPS6378586A (ja) レ−ザダイオ−ド駆動回路
JP2002324937A (ja) 半導体レーザ制御装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19970909