JP3139442B2 - 光送信器 - Google Patents
光送信器Info
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- JP3139442B2 JP3139442B2 JP10035231A JP3523198A JP3139442B2 JP 3139442 B2 JP3139442 B2 JP 3139442B2 JP 10035231 A JP10035231 A JP 10035231A JP 3523198 A JP3523198 A JP 3523198A JP 3139442 B2 JP3139442 B2 JP 3139442B2
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- Japan
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- laser diode
- current
- circuit
- optical transmitter
- thermistor
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光送信器に関し、
特に、レーザダイオードの光出力を一定に制御する光送
信器に関する。
特に、レーザダイオードの光出力を一定に制御する光送
信器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の光送信器として、特開平
７ー２４５５５号公報に開示された光送信器が知られて
いる。同公報に開示された光送信器は、レーザダイオー
ドの発光出力を検出して、同発光出力に応じた駆動電流
値を算出するとともに、駆動回路に流れる電流を供給す
る定電流源を制御することにより、レーザダイオードを
発光させる駆動電流を制御していた。
７ー２４５５５号公報に開示された光送信器が知られて
いる。同公報に開示された光送信器は、レーザダイオー
ドの発光出力を検出して、同発光出力に応じた駆動電流
値を算出するとともに、駆動回路に流れる電流を供給す
る定電流源を制御することにより、レーザダイオードを
発光させる駆動電流を制御していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の光送信
器においては、次のような課題があった。すなわち、駆
動電流を制御することにより変化させると駆動回路の波
形が劣化するとともに、光波形が劣化するという課題が
あった。また、一般的に駆動電流に対するリンギングの
量は、駆動電流の大小に拘わらず一定であるため、特
に、レーザダイオード周囲における温度が低下するとと
もに、同レーザダイオードの駆動電流が低下すると、光
波形に占めるリンギングの量が増加してしまうという課
題があった。
器においては、次のような課題があった。すなわち、駆
動電流を制御することにより変化させると駆動回路の波
形が劣化するとともに、光波形が劣化するという課題が
あった。また、一般的に駆動電流に対するリンギングの
量は、駆動電流の大小に拘わらず一定であるため、特
に、レーザダイオード周囲における温度が低下するとと
もに、同レーザダイオードの駆動電流が低下すると、光
波形に占めるリンギングの量が増加してしまうという課
題があった。
【０００４】本発明は、上記課題にかんがみてなされた
もので、簡易な構成によって、レーザダイオードに流れ
る電流を制御するとともに、駆動電流のリンギングによ
る劣化を防止することが可能な光送信器の提供を目的と
する。
もので、簡易な構成によって、レーザダイオードに流れ
る電流を制御するとともに、駆動電流のリンギングによ
る劣化を防止することが可能な光送信器の提供を目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１にかかる発明は、電気信号を光信号に変換
するレーザダイオードと、上記レーザダイオードに加え
るために必要な電流を供給する定電流回路と、上記レー
ザダイオードと並列に接続されるとともに同レーザダイ
オードの周囲温度の変化に伴う発光効率の変動に対して
上記定電流回路を補償する温度補償回路とを具備した光
送信器において、上記レーザダイオードに、当該レーザ
ダイオードの閾い値特性に対応した閾い値電流をバイア
ス電流と して供給するバイアス駆動制御回路を接続する
とともに、上記バイアス駆動制御回路が、上記バイアス
駆動制回路からの電流出力が上記温度補償回路に流れな
いように整流回路を有する構成としてある。
に、請求項１にかかる発明は、電気信号を光信号に変換
するレーザダイオードと、上記レーザダイオードに加え
るために必要な電流を供給する定電流回路と、上記レー
ザダイオードと並列に接続されるとともに同レーザダイ
オードの周囲温度の変化に伴う発光効率の変動に対して
上記定電流回路を補償する温度補償回路とを具備した光
送信器において、上記レーザダイオードに、当該レーザ
ダイオードの閾い値特性に対応した閾い値電流をバイア
ス電流と して供給するバイアス駆動制御回路を接続する
とともに、上記バイアス駆動制御回路が、上記バイアス
駆動制回路からの電流出力が上記温度補償回路に流れな
いように整流回路を有する構成としてある。
【０００６】 また、請求項２にかかる発明は、上記請求
項１に記載の光送信器において、上記バイアス駆動制御
回路が、上記レーザダイオードの発光出力を検出すると
ともに、上記レーザダイオードに流れている平均値電流
を検出し、この平均値電流が上記レーザダイオードの閾
い値電流になるように制御する構成としてある。
項１に記載の光送信器において、上記バイアス駆動制御
回路が、上記レーザダイオードの発光出力を検出すると
ともに、上記レーザダイオードに流れている平均値電流
を検出し、この平均値電流が上記レーザダイオードの閾
い値電流になるように制御する構成としてある。
【０００７】 さらに、請求項３にかかる発明は、請求項
１または請求項２のいずれかに記載の光送信器におい
て、上記温度補償回路は、サーミスタであって、上記レ
ーザダイオードの発光効率の温度特性において決定され
る所定の駆動電流を満たすように変化する温度特性を有
するとともに、上記レーザダイオードの駆動電流を上記
サーミスタに流れる電流によって所定の駆動電流になる
ように制御する構成としてある。
１または請求項２のいずれかに記載の光送信器におい
て、上記温度補償回路は、サーミスタであって、上記レ
ーザダイオードの発光効率の温度特性において決定され
る所定の駆動電流を満たすように変化する温度特性を有
するとともに、上記レーザダイオードの駆動電流を上記
サーミスタに流れる電流によって所定の駆動電流になる
ように制御する構成としてある。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面にもとづいて本発明の
実施形態を説明する。図１は、本発明を適用する光送信
器の一実施形態を回路図により示している。同図におい
て、光送信器１００は、エミッタを共通に接続され入力
信号１７０,１８０がベースに入力されるとともに同入
力信号１７０,１８０に応じて差動動作する差動増幅回
路であるトランジスタ１１０，１２０と、上記トランジ
スタ１１０のコレクタと接続されるとともに回路で最も
高い電圧で供給される供給電源１３０と、上記トランジ
スタ１２０のコレクタと上記供給電源の間に接続される
サーミスタ１４０と、アノード側を上記供給電源に接続
されるとともにカソード側は上記トランジスタ１２０の
コレクタ側に接続され上記サーミスタと並列接続される
レーザダイオード１５０と、上記トランジスタ１１０,
１２０おける駆動電流が振幅する基準電流値を決定する
上記エミッタに接続され定電流回路１６０とから構成さ
れている。
実施形態を説明する。図１は、本発明を適用する光送信
器の一実施形態を回路図により示している。同図におい
て、光送信器１００は、エミッタを共通に接続され入力
信号１７０,１８０がベースに入力されるとともに同入
力信号１７０,１８０に応じて差動動作する差動増幅回
路であるトランジスタ１１０，１２０と、上記トランジ
スタ１１０のコレクタと接続されるとともに回路で最も
高い電圧で供給される供給電源１３０と、上記トランジ
スタ１２０のコレクタと上記供給電源の間に接続される
サーミスタ１４０と、アノード側を上記供給電源に接続
されるとともにカソード側は上記トランジスタ１２０の
コレクタ側に接続され上記サーミスタと並列接続される
レーザダイオード１５０と、上記トランジスタ１１０,
１２０おける駆動電流が振幅する基準電流値を決定する
上記エミッタに接続され定電流回路１６０とから構成さ
れている。
【０００９】 次に、上記のように構成した光送信器の動
作について説明する。上記入力信号１７０と１８０が上
記トランジスタ１１０と１２０に入力され、同トランジ
スタ１１０と１２０からなる差動増幅回路において、上
記トランジスタ１１０と１２０がＯＮすると上記定電流
回路１６０で決められた駆動電流Ｉｄが流れる。この駆
動電流Ｉｄが流れると、上記サーミスタ１４０と上記レ
ーザダイオード１５０のインピーダンス比で決まる駆動
電流が上記サーミスタ１４０と上記レーザダイオード１
５０に流れる。同レーザダイオード１５０に流れる駆動
電流Ｉｌｄは、上記レーザダイオード１５０のインピー
ダンスをＺｌｄ、上記サーミスタ１４０のインピーダン
スをＺｔｈとすると、 Ｉｌｄ＝Ｉｄ＊Ｚｔｈ／（Ｚｌｄ＋Ｚｔｈ）・・・・・（１） となる。上記（１）式より、上記サーミスタ１４０のイ
ンピーダンスＺｔｈが大きくなるほど、上記レーザダイ
オード１５０に流れる駆動電流のＩｌｄは増加すること
がわかる。
作について説明する。上記入力信号１７０と１８０が上
記トランジスタ１１０と１２０に入力され、同トランジ
スタ１１０と１２０からなる差動増幅回路において、上
記トランジスタ１１０と１２０がＯＮすると上記定電流
回路１６０で決められた駆動電流Ｉｄが流れる。この駆
動電流Ｉｄが流れると、上記サーミスタ１４０と上記レ
ーザダイオード１５０のインピーダンス比で決まる駆動
電流が上記サーミスタ１４０と上記レーザダイオード１
５０に流れる。同レーザダイオード１５０に流れる駆動
電流Ｉｌｄは、上記レーザダイオード１５０のインピー
ダンスをＺｌｄ、上記サーミスタ１４０のインピーダン
スをＺｔｈとすると、 Ｉｌｄ＝Ｉｄ＊Ｚｔｈ／（Ｚｌｄ＋Ｚｔｈ）・・・・・（１） となる。上記（１）式より、上記サーミスタ１４０のイ
ンピーダンスＺｔｈが大きくなるほど、上記レーザダイ
オード１５０に流れる駆動電流のＩｌｄは増加すること
がわかる。
【００１０】 ここで、上記サーミスタ１４０および上記
レーザダイオード１５０の周囲における温度が上昇する
と、図３に示すように上記レーザダイオード１５０の発
光効率は低下する。このとき、図４に示すように上記サ
ーミスタ１４０のインピーダンスＺｔｈが増加するとと
もに、上記レーザダイオード１５０に流れる駆動電流Ｉ
ｌｄが増加する。
レーザダイオード１５０の周囲における温度が上昇する
と、図３に示すように上記レーザダイオード１５０の発
光効率は低下する。このとき、図４に示すように上記サ
ーミスタ１４０のインピーダンスＺｔｈが増加するとと
もに、上記レーザダイオード１５０に流れる駆動電流Ｉ
ｌｄが増加する。
【００１１】 また、上記サーミスタ１４０および上記レ
ーザダイオード１５０の周囲における温度が低下する
と、上記レーザダイオード１５０の発光効率が上昇する
ため、図４に示すように上記サーミスタ１４０のインピ
ーダンスが減少するとともに、上記レーザダイオード１
５０に流れる駆動電流Ｉｌｄが減少する。
ーザダイオード１５０の周囲における温度が低下する
と、上記レーザダイオード１５０の発光効率が上昇する
ため、図４に示すように上記サーミスタ１４０のインピ
ーダンスが減少するとともに、上記レーザダイオード１
５０に流れる駆動電流Ｉｌｄが減少する。
【００１２】 このように、上記サーミスタ１４０の温度
特性が図３に示すように上記レーザダイオード１５０の
発光特性で決まる各温度での駆動電流Ｉｌｄを上記式
（１）が満たすように変化する上記サーミスタ１４０を
選択すれば、温度変化により上記レーザダイオード１５
０の発光効率が変化しても、同レーザダイオードの光出
力レベルは変化しない。
特性が図３に示すように上記レーザダイオード１５０の
発光特性で決まる各温度での駆動電流Ｉｌｄを上記式
（１）が満たすように変化する上記サーミスタ１４０を
選択すれば、温度変化により上記レーザダイオード１５
０の発光効率が変化しても、同レーザダイオードの光出
力レベルは変化しない。
【００１３】 次に、本発明の実施形態にかかる光送信器
を図２の回路図により示す。 同図において、光送信器
２００は、エミッタを共通に接続され入力信号２７０,
２８０がベースに入力されるとともに同入力信号２７
０,２８０に応じて差動動作する差動増幅回路であるト
ランジスタ２１０，２２０と、上記トランジスタ２１０
のコレクタと接続されるとともに回路で最も高い電圧で
供給される供給電源２３０と、上記トランジスタ２２０
のコレクタと上記供給電源の間に接続されるサーミスタ
２４０と、アノード側を上記供給電源に接続されるとと
もにカソード側は上記トランジスタ２２０のコレクタ側
に接続され上記サーミスタと並列接続されるレーザダイ
オード２５０と、上記トランジスタ２１０，２２０おけ
る駆動電流が振幅する基準電流値を決定する上記エミッ
タに接続され定電流回路２６０と、上記レーザダイオー
ド２５０に同レーザダイオード２５０の閾い値電流であ
るバイアス電流を供給するバイアス駆動制御回路２９０
とから構成されている。
を図２の回路図により示す。 同図において、光送信器
２００は、エミッタを共通に接続され入力信号２７０,
２８０がベースに入力されるとともに同入力信号２７
０,２８０に応じて差動動作する差動増幅回路であるト
ランジスタ２１０，２２０と、上記トランジスタ２１０
のコレクタと接続されるとともに回路で最も高い電圧で
供給される供給電源２３０と、上記トランジスタ２２０
のコレクタと上記供給電源の間に接続されるサーミスタ
２４０と、アノード側を上記供給電源に接続されるとと
もにカソード側は上記トランジスタ２２０のコレクタ側
に接続され上記サーミスタと並列接続されるレーザダイ
オード２５０と、上記トランジスタ２１０，２２０おけ
る駆動電流が振幅する基準電流値を決定する上記エミッ
タに接続され定電流回路２６０と、上記レーザダイオー
ド２５０に同レーザダイオード２５０の閾い値電流であ
るバイアス電流を供給するバイアス駆動制御回路２９０
とから構成されている。
【００１４】 また、上記バイアス駆動制御回路２９０
は、上記レーザダイオード１５０の発光を受光するとと
もに同発光に準じた発光電流値に変換するフォトデテク
タ２９０ａと、同発光電流値を発光電圧値に変換するＩ
／Ｖ変換回路２９０ｂと、同発光電圧値から上記レーザ
ダイオード１５０における発光電流値に相当する平均値
電圧を算出する平均値算出回路２９０ｃと、同平均値算
出回路２９０ｃが算出した値に基づいて上記レーザダイ
オード１５０の発光出力が一定になるように同レーザダ
イオード１５０の閾い値電流を供給するバイアス駆動回
路２９０ｄと、上記レーザダイオード２５０のカソード
側に上記バイアス駆動回路２９０ｄから出力される駆動
電流が上記サーミスタ２４０に流れ込まないように付加
されるダイオード２９０ｅとを備える。
は、上記レーザダイオード１５０の発光を受光するとと
もに同発光に準じた発光電流値に変換するフォトデテク
タ２９０ａと、同発光電流値を発光電圧値に変換するＩ
／Ｖ変換回路２９０ｂと、同発光電圧値から上記レーザ
ダイオード１５０における発光電流値に相当する平均値
電圧を算出する平均値算出回路２９０ｃと、同平均値算
出回路２９０ｃが算出した値に基づいて上記レーザダイ
オード１５０の発光出力が一定になるように同レーザダ
イオード１５０の閾い値電流を供給するバイアス駆動回
路２９０ｄと、上記レーザダイオード２５０のカソード
側に上記バイアス駆動回路２９０ｄから出力される駆動
電流が上記サーミスタ２４０に流れ込まないように付加
されるダイオード２９０ｅとを備える。
【００１５】 次に、上記のように構成した本実施形態の
動作について説明する。上記入力信号２７０と２８０が
上記トランジスタ２１０と２２０に入力され、同トラン
ジスタ２１０と２２０からなる差動増幅回路において、
同トランジスタ２１０と２２０がＯＮすると上記定電流
回路２６０で決められた駆動電流Ｉｄが流れる。ここ
で、上記レーザダイオード２５０のインピーダンスをＺ
ｌｄ、上記ダイオード２９０ｅのインピーダンスをＺｄ
および上記サーミスタ２４０のインピーダンスをＺｔｈ
とすると、同レーザダイオード２５０に流れる駆動電流
Ｉｌｄは、 Ｉｌｄ＝Ｉｄ＊Ｚｔｈ／（Ｚｌｄ＋Ｚｄ＋Ｚｔｈ）・・・・・（２） となる。この式（２）より、上記サーミスタ２４０のイ
ンピーダンスＺｔｈが大きくなるほど、Ｉｌｄが増加す
ることがわかる。
動作について説明する。上記入力信号２７０と２８０が
上記トランジスタ２１０と２２０に入力され、同トラン
ジスタ２１０と２２０からなる差動増幅回路において、
同トランジスタ２１０と２２０がＯＮすると上記定電流
回路２６０で決められた駆動電流Ｉｄが流れる。ここ
で、上記レーザダイオード２５０のインピーダンスをＺ
ｌｄ、上記ダイオード２９０ｅのインピーダンスをＺｄ
および上記サーミスタ２４０のインピーダンスをＺｔｈ
とすると、同レーザダイオード２５０に流れる駆動電流
Ｉｌｄは、 Ｉｌｄ＝Ｉｄ＊Ｚｔｈ／（Ｚｌｄ＋Ｚｄ＋Ｚｔｈ）・・・・・（２） となる。この式（２）より、上記サーミスタ２４０のイ
ンピーダンスＺｔｈが大きくなるほど、Ｉｌｄが増加す
ることがわかる。
【００１６】 また、上記サーミスタ２４０と上記レーザ
ダイオード２５０の周囲における温度が上昇すると、図
３に示すように発光効率は低下する。このとき、図４に
示すように上記サーミスタ２４０のインピーダンスＺｔ
ｈが増加するとともに、上記レーザダイオード２５０に
流れる駆動電流Ｉｌｄが増加する。さらに、上記サーミ
スタ２４０と上記レーザダイオード２５０の周囲におけ
る温度が低下すると、上記レーザダイオード２５０の発
光効率が上昇するため、図４に示すように上記サーミス
タ２４０のインピーダンスＺｔｈが低下するとともに、
上記レーザダイオード２５０に流れる駆動電流Ｉｌｄが
減少する。
ダイオード２５０の周囲における温度が上昇すると、図
３に示すように発光効率は低下する。このとき、図４に
示すように上記サーミスタ２４０のインピーダンスＺｔ
ｈが増加するとともに、上記レーザダイオード２５０に
流れる駆動電流Ｉｌｄが増加する。さらに、上記サーミ
スタ２４０と上記レーザダイオード２５０の周囲におけ
る温度が低下すると、上記レーザダイオード２５０の発
光効率が上昇するため、図４に示すように上記サーミス
タ２４０のインピーダンスＺｔｈが低下するとともに、
上記レーザダイオード２５０に流れる駆動電流Ｉｌｄが
減少する。
【００１７】 ここで、上記バイアス駆動制御回路２９０
は、上記レーザダイオード２５０の発光を受光する上記
フォトデテクタ２９０ａによりフォトカレントに変換し
て、上記Ｉ／Ｖ変換回路２９０ｂにおいて電流／電圧変
換して、同変換した電圧から上記平均値検出回路２９０
ｃにより上記レーザダイオード２５０のフォトカレント
に相当する平均値電圧を検出し、同レーザダイオード２
５０の発光出力が一定の出力レベルになるように上記バ
イアス駆動回路２９０ｄの閾い値電流を制御する、いわ
ゆるＡＰＣ回路を構成する。
は、上記レーザダイオード２５０の発光を受光する上記
フォトデテクタ２９０ａによりフォトカレントに変換し
て、上記Ｉ／Ｖ変換回路２９０ｂにおいて電流／電圧変
換して、同変換した電圧から上記平均値検出回路２９０
ｃにより上記レーザダイオード２５０のフォトカレント
に相当する平均値電圧を検出し、同レーザダイオード２
５０の発光出力が一定の出力レベルになるように上記バ
イアス駆動回路２９０ｄの閾い値電流を制御する、いわ
ゆるＡＰＣ回路を構成する。
【００１８】 このように、上記サーミスタ２４０の温度
特性が図３に示すように上記レーザダイオード２５０の
発光特性で決まる各温度での駆動電流Ｉｌｄを式（２）
が満たすように変化する上記サーミスタ２４０を選択す
れば、温度の変化により上記レーザダイオード２５０の
発光効率が低下しても、同レーザダイオード２５０の発
光出力は変化しない。
特性が図３に示すように上記レーザダイオード２５０の
発光特性で決まる各温度での駆動電流Ｉｌｄを式（２）
が満たすように変化する上記サーミスタ２４０を選択す
れば、温度の変化により上記レーザダイオード２５０の
発光効率が低下しても、同レーザダイオード２５０の発
光出力は変化しない。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、簡易な構
成によって、レーザダイオードに流れる電流を制御する
とともに、駆動電流のリンギングによる劣化を防止する
ことが可能な光送信器を提供することができる。
成によって、レーザダイオードに流れる電流を制御する
とともに、駆動電流のリンギングによる劣化を防止する
ことが可能な光送信器を提供することができる。
【図１】本発明を適用する光送信器の一実施形態を示す
回路図である。
回路図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる光送信器を示す回
路図である。
路図である。
【図３】本実施形態にかかるレーザダイオードの発光特
性を示す発光特性図である。
性を示す発光特性図である。
【図４】本実施形態にかかるサーミスタの温度特性を示
す温度特性図である。
す温度特性図である。
１００ 光送信器 １１０ トランジスタ １２０ トランジスタ １３０ 供給電源 １４０ サーミスタ １５０ レーザダイオード １６０ 定電流回路 １７０ 入力信号 １８０ 入力信号
Claims (3)
- 【請求項１】 電気信号を光信号に変換するレーザダイ
オードと、 上記レーザダイオードに加えるために必要な電流を供給
する定電流回路と、上記レーザダイオードと並列に接続されるとともに同レ
ーザダイオードの周囲温度の変化に伴う発光効率の変動
に対して上記定電流回路を補償する温度補償回路とを具
備した光送信器において、 上記レーザダイオードに、当該レーザダイオードの閾い
値特性に対応した閾い値電流をバイアス電流として供給
するバイアス駆動制御回路を接続するとともに、 上記バイアス駆動制御回路が、上記バイアス駆動制回路
からの電流出力が上記温度補償回路に流れないように整
流回路を有する ことを特徴とした光送信器。 - 【請求項２】 上記請求項１に記載の光送信器におい
て、 上記バイアス駆動制御回路が、上記レーザダイオードの
発光出力を検出するとともに、上記レーザダイオードに
流れている平均値電流を検出し、この平均値電流が上記
レーザダイオードの閾い値電流になるように制御するも
のであることを特徴とする光送信器。 - 【請求項３】 上記請求項１又は２に記載の光送信器に
おいて、 上記温度補償回路は、サーミスタであって、上記レーザ
ダイオードの発光効率の温度特性において決定される所
定の駆動電流を満たすように変化する温度特性を有する
とともに、上記レーザダイオードの駆動電流を上記サー
ミスタに流れる電流によって所定の駆動電流になるよう
に制御することを特徴とする光送信器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10035231A JP3139442B2 (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 光送信器 |
| US09/250,436 US5999551A (en) | 1998-02-17 | 1999-02-16 | Optical transmitter with a temperature-compensating means |
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