JP3226624B2 - レーザダイオード駆動回路及び光伝送装置 - Google Patents

レーザダイオード駆動回路及び光伝送装置

Info

Publication number
JP3226624B2
JP3226624B2 JP25435992A JP25435992A JP3226624B2 JP 3226624 B2 JP3226624 B2 JP 3226624B2 JP 25435992 A JP25435992 A JP 25435992A JP 25435992 A JP25435992 A JP 25435992A JP 3226624 B2 JP3226624 B2 JP 3226624B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser diode
value
current
bias current
threshold
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP25435992A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06112561A (ja
Inventor
基 阿部
厚志 高井
Original Assignee
日本オプネクスト株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本オプネクスト株式会社 filed Critical 日本オプネクスト株式会社
Priority to JP25435992A priority Critical patent/JP3226624B2/ja
Priority to EP93115119A priority patent/EP0589397B1/en
Priority to DE69331870T priority patent/DE69331870T2/de
Publication of JPH06112561A publication Critical patent/JPH06112561A/ja
Priority to US08/614,029 priority patent/US5675599A/en
Priority to US08/886,254 priority patent/US5870418A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3226624B2 publication Critical patent/JP3226624B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
    • H01S5/06213—Amplitude modulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50—Transmitters
    • H04B10/501—Structural aspects
    • H04B10/503—Laser transmitters
    • H04B10/504—Laser transmitters using direct modulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0427—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying modulation to the laser

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、短距離光リンクや加入
者系光通信システム等に用いられる光伝送装置に関し、
特に自動光出力制御を必要としない光伝送装置の構成に
関する。
【０００２】
【従来の技術】自動光出力制御、すなわち、「レーザダ
イオードの光出力をモニターして、バイアス電流や変調
電流にフィードバックをかけて、温度変動などに起因す
るしきい電流の変化によらずにレーザダイオードから一
定の光出力を得る制御方式」を採用すると、回路構成が
複雑になるという問題がある。
【０００３】そこで近年、零バイアス、あるいは、固定
バイアスによるレーザダイオードの駆動が注目されてい
る。
【０００４】文献１：１９９２年電子情報通信学会技術
報告（光通信システム），ＯＣＳ９２−３０，ｐ３１に
おいて、レーザダイオードの零バイアス駆動と固定レベ
ル識別受信方式によるアンフォーマット光信号伝送が記
載されている。
【０００５】一方、文献２：１９９２年電子情報通信学
会春季大会講演論文集，Ｂ−１００８に、レーザダイオ
ードの固定バイアス駆動実験が記載されている。
【０００６】上記の文献２では、バイアス電流Ｉｂを使
用温度範囲の高温時のレーザダイオードしきい電流値Ｉ
ｔｈと等しくなる（Ｉｂ＝Ｉｔｈ（高温））ように設定
している。 マーク率がほぼ１／２のＮＲＺ信号を受信
するときには、一般に平均受光パワーのレベルで”０”
と”１”を識別するので、温度上昇に伴ってしきい電流
値が上昇し、高温時のレーザダイオード光出力が低下し
てしまうのを避けているのである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、文献２のよ
うに、固定バイアス電流を使用温度範囲の高温時のレー
ザダイオードしきい電流値となるように設定した状態だ
と、固定バイアス電流が使用温度範囲の低温時のレーザ
ダイオードしきい電流値よりも大きくなる（Ｉｂ＞Ｉｔ
ｈ（低温））ため、レーザダイオードへの電気入力信号
がオフの時の光出力レベル（消光レベル）が上昇し、文
献１記載の固定レベル識別受信方式のアンフォーマット
データ光伝送を行う場合の妨げとなる。
【０００８】つまり、受信側の固定識別レベルを高く設
定しなくてはならず、受信側で”１”と識別するために
必要な、レーザダイオードからの最小光パワーが増大し
てしまうのである。
【０００９】また、図２のレーザダイオードの発光遅延
時間の測定例に示すように、レーザダイオードの零バイ
アス駆動を行うと、バイアス電流を印加した場合に比べ
て、発光遅延時間が大きくなってしまう。
【００１０】本発明の目的は、レーザダイオードの発光
遅延時間を小さくするとともに、固定レベル識別受信方
式のアンフォーマット光信号伝送を可能にすることであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的は、レーザダイ
オードのしきい電流値を超えない固定バイアス電流を印
加する手段を有するレーザダイオード駆動回路で該レー
ザダイオードを駆動することにより達成される。
【００１２】
【作用】レーザダイオードのしきい電流値を超えない固
定バイアス電流を印加することにより、レーザダイオー
ドの発光遅延時間を小さくできる。
【００１３】また、消光レベルを低くすることができる
ので、固定レベル識別受信方式の採用が可能であり、光
受信回路を簡素化できる。
【００１４】さらに、自動光出力制御を行う場合に比べ
て光送信回路が簡素化される。
【００１５】
【実施例】図１は、本発明による光伝送装置の一実施例
である。
【００１６】電気入力信号１が、カレントスイッチ２を
通して、レーザダイオード３に印加される。さらにバイ
アス回路４により、レーザダイオードのしきい電流値Ｉ
ｔｈを超えない固定バイアス電流Ｉｂが、レーザダイオ
ード３に印加される。回路の作製には、Ｓｉバイポーラ
ＩＣプロセスを用いた。
【００１７】レーザダイオード駆動回路５のバイアス電
流は、電源電圧変動１０％、製造プロセスばらつきによ
る抵抗値ばらつき２０％の条件下で、２０度から８０度
の温度範囲において、１．６４ｍＡから２．７５ｍＡの
範囲に収った。
【００１８】一方、レーザダイオード３については、特
性温度が５５度で、２５度におけるしきい電流値が３．
２ｍＡから３．８ｍＡまでの範囲にばらついている場合
に、２０度から８０度の温度範囲において、レーザダイ
オード３のしきい電流が２．９２ｍＡから１０．３３ｍ
Ａの範囲に収まる。
【００１９】レーザダイオード３をレーザダイオード駆
動回路５の近くに置いて両者の温度をほぼ等しくするこ
とにより、２０度から８０度の全温度範囲において、図
２に示すように、レーザダイオード３のしきい電流値ば
らつき、温度変化に伴うしきい電流値変化といったレー
ザダイオード３の特性とは無関係に、レーザダイオード
駆動回路５の側で、実際に、バイアス電流をレーザダイ
オードのしきい電流値より小さく設定できる。
【００２０】図１の実施例において、レーザダイオード
駆動回路のバイアス電流値がレーザダイオードのしきい
電流値を超えないために、消光レベルは自然放出光程度
であり約−３０ｄＢｍである。
【００２１】したがって、例えば、本明細書の従来の技
術で引用した文献１に記載の固定レベル識別光受信機を
用いて、アンフォーマット光伝送を行える。
【００２２】また、図３（ａ）の例に示すように、レー
ザダイオードのしきい電流値２．８ｍＡより小さいバイ
アス電流２．０ｍＡ印加することにより、発光遅延時間
を零バイアス駆動の場合に比べて約１／７程度にでき
る。
【００２３】図３に、レーザダイオードの特性例を示
す。図３（ａ）は、レーザダイオード駆動電流Ｉｄを２
０ｍＡに固定し、温度２５度でバイアス電流Ｉｂを変化
させた場合の、発光遅延時間Ｔｄとｌｎ（（Ｉｄ−Ｉ
ｂ）／（Ｉｄ−Ｉｔｈ））の関係を示す。２５度におけ
るしきい電流値Ｉｔｈは、２．８ｍＡである。
【００２４】Ｉｂが１．０ｍＡよりも大きくなったあた
りから、発光遅延時間の増大率が小さくなっている。こ
のポイントは、図３（ｂ）の静特性グラフ（順方向電圧
及び抵抗のバイアス電流依存性）と見比べると、Ｉｂ−
Ｖプロットのしきい電圧値Ｖｔｈに対応した電流値付近
であることがわかる。
【００２５】したがって、Ｉｂ−Ｖプロットのしきい電
圧値Ｖｔｈに対応した電流値以上の範囲でバイアス電流
を設定すると、レーザダイオードの温度変化などに伴う
発光遅延時間のばらつきを特に小さくできる。
【００２６】図１の実施例では、レーザダイオード駆動
回路の作製にＳｉバイポーラを選んだが、それ以外のバ
イポーラ系やＭＯＳ系やＦＥＴ系でもよい。
【００２７】また、レーザダイオードはｐ基板上のもの
でも、ｎ基板上のものでもよい。
【００２８】しきい電流値より小さく、Ｖｔｈに対応し
た電流値より大きいバイアス電流を印加する例を記した
が、これは、限定を加えるものではなく、システム要求
次第で、Ｖｔｈに対応した電流値より小さいバイアス電
流で構わない。
【００２９】図１に示した実施例のレーザダイオード駆
動回路を、本明細書記載の文献１のようにモノリシック
アレイ化することもありうる。
【００３０】さらに、レーザダイオード駆動回路の固定
バイアス電流に、レーザダイオードの特性とは無関係な
特性、例えば、意図的に温度特性を持たせるたりするこ
ともありうる。
【００３１】
【発明の効果】短距離光リンクや加入者系光通信システ
ム等において、レーザダイオードの立上りスキューを低
減し、固定識別レベル受信を行える。
【００３２】また、光送受信回路を簡素化できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による光伝送装置の一実施例。
【図２】しきい電流とバイアス電流の関係例。
【図３】レーザダイオードの特性例。
【符号の説明】
１…電気入力信号、２…カレントスイッチ、３…レーザ
ダイオード ４…バイアス回路、５…レーザダイオード駆動回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−27633（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−28396（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−12447（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−45085（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−142786（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−283978（ＪＰ，Ａ) 電子情報通信学会技術研究報告 Ｖｏ ｌ．92，Ｎｏ．124 ｐｐ．31−38 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】それを超えるとレーザ発振が生じるしきい
    電流値を有するレーザダイオードと、レーザダイオード
    駆動回路とを有し、前記レーザダイオードを前記駆動回
    路の近くに配置して両者の温度をほぼ等しくしており、 前記駆動回路は （１）駆動電流を前記レーザダイオードに供給するため
    の一の電流スイッチと、 （２）固定バイアス電流(Ib)を前記レーザダイオード
    へ供給するためのものであり、 前記固定バイアス電流(Ib)の値は所定の温度範囲内に
    おける前記しきい電流値よりも小さく、かつ、バイアス
    電流の値を変化させていくことにより本願図3(b)に示す
    静特性グラフ（レーザダイオードの順方向電圧のバイア
    ス電流依存性を示すもの）のIb-Vプロットに示すところ
    の前記レーザダイオードの順方向電圧がしきい電圧値
    (Ｖｔｈ)となるバイアス電流値(Ibth)よりも前記固定バ
    イアス電流(Ib)の値は大きく、かつ、その固定バイアス
    電流(Ib)の値は前記電流値(Ibth)における前記レーザダ
    イオードのターンオン遅延時間よりも小さいターンオン
    遅延時間を与えるものである固定バイアス回路 とを有することを特徴とする光伝送装置。
JP25435992A 1992-09-24 1992-09-24 レーザダイオード駆動回路及び光伝送装置 Expired - Fee Related JP3226624B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25435992A JP3226624B2 (ja) 1992-09-24 1992-09-24 レーザダイオード駆動回路及び光伝送装置
EP93115119A EP0589397B1 (en) 1992-09-24 1993-09-20 Laser diode driving circuit and optical transmission device
DE69331870T DE69331870T2 (de) 1992-09-24 1993-09-20 Treiberschaltung für Laserdiode und optische Übertragungseinrichtung
US08/614,029 US5675599A (en) 1992-09-24 1996-03-12 Driving circuit of laser diode and optical transmission device
US08/886,254 US5870418A (en) 1992-09-24 1997-07-01 Driving circuit of laser diode and optical transmission device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25435992A JP3226624B2 (ja) 1992-09-24 1992-09-24 レーザダイオード駆動回路及び光伝送装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06112561A JPH06112561A (ja) 1994-04-22
JP3226624B2 true JP3226624B2 (ja) 2001-11-05

Family

ID=17263898

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25435992A Expired - Fee Related JP3226624B2 (ja) 1992-09-24 1992-09-24 レーザダイオード駆動回路及び光伝送装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5675599A (ja)
EP (1) EP0589397B1 (ja)
JP (1) JP3226624B2 (ja)
DE (1) DE69331870T2 (ja)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2545557B2 (ja) * 1987-11-12 1996-10-23 ハマダ印刷機械株式会社 巻取紙の端末処理方法およびその装置
KR970704618A (ko) * 1994-07-20 1997-09-06 제럴드 에프. 체니벡 접착 테이프의 부착 장치(apparatus for applying adhesive tape)
IT1285852B1 (it) * 1996-04-24 1998-06-24 Cselt Centro Studi Lab Telecom Circuito di pilotaggio ad alta velocita' di sorgenti ottiche realizzato in tecnologia cmos.
JPH1093170A (ja) * 1996-09-10 1998-04-10 Fuji Xerox Co Ltd レーザダイオード駆動回路、レーザダイオード駆動用半導体集積回路、および画像記録装置
JP3315892B2 (ja) * 1997-04-24 2002-08-19 沖電気工業株式会社 レーザーモジュールの制御回路
US5963570A (en) * 1997-05-12 1999-10-05 At&T Corp. Current control for an analog optical link
US6018538A (en) * 1997-06-18 2000-01-25 Lucent Technologies Inc. High speed non-biased semiconductor laser dione driver for high speed digital communication
JP3736953B2 (ja) * 1997-10-20 2006-01-18 富士通株式会社 電界吸収型光変調器の駆動回路及び、これを用いた光送信器
JPH11191755A (ja) * 1997-10-21 1999-07-13 Furukawa Electric Co Ltd:The 光伝送システム並びにそのためのノード装置および光送信装置
EP0924823A1 (en) * 1997-12-17 1999-06-23 Hewlett-Packard Company Driver circuit for a solid state optical emitter device
JPH11208017A (ja) * 1998-01-30 1999-08-03 Canon Inc 発光素子駆動装置
JP3139442B2 (ja) * 1998-02-17 2001-02-26 日本電気株式会社 光送信器
US6021143A (en) * 1998-04-21 2000-02-01 Lucent Technologies, Inc. Dynamic control for laser diode drivers
US6021144A (en) * 1999-02-24 2000-02-01 Nvision, Inc. Automatic power control circuit for a laser driver
DE69934609T2 (de) * 1999-08-13 2007-10-04 Fujitsu Ltd., Kawasaki Optisches kommunikationssystem und endgerät
US6624917B1 (en) * 1999-10-28 2003-09-23 International Business Machines Corporation Optical power adjustment circuits for parallel optical transmitters
US6609842B1 (en) 2000-03-27 2003-08-26 Marconi Communications, Inc. Linear laser driver circuit
US6707833B1 (en) 2000-03-31 2004-03-16 Marconi Communications, Inc. Digital laser driver circuit
JP2002232072A (ja) * 2001-01-30 2002-08-16 Sony Corp 半導体レーザ駆動回路
US6667661B1 (en) 2001-05-04 2003-12-23 Euvis, Inc. Laser diode driver with high power efficiency
US6917639B2 (en) * 2001-08-09 2005-07-12 Ricoh Company, Ltd. Laser driver circuit
JP2003163412A (ja) * 2001-11-28 2003-06-06 Sharp Corp 窒化物半導体レーザ装置及び半導体光学装置
WO2005001818A2 (en) * 2003-06-27 2005-01-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. A method of controlling a diode device for use in optical storage systems
ES2366564T3 (es) * 2008-11-20 2011-10-21 Sick Ag Sensor optoelectrónico.

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5928396A (ja) * 1982-08-10 1984-02-15 Nec Corp 半導体レ−ザ駆動装置
NZ218022A (en) * 1985-10-22 1991-01-29 Fujitsu Ltd Compensated regulation of light output from semiconductor laser
DE3608930A1 (de) * 1986-03-18 1987-09-24 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zur regelung der optischen leistung eines lasers und schaltung zur ausuebung des verfahrens
US5027362A (en) * 1988-12-29 1991-06-25 At&T Bell Laboratories Laser control method and circuitry
US5127015A (en) * 1990-04-17 1992-06-30 Sharp Kabushiki Kaisha Driving circuit of a semiconductor laser
JP3423115B2 (ja) * 1995-07-18 2003-07-07 富士通株式会社 光信号送信装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
電子情報通信学会技術研究報告 Ｖｏｌ．９２，Ｎｏ．１２４ ｐｐ．３１−３８

Also Published As

Publication number Publication date
US5675599A (en) 1997-10-07
JPH06112561A (ja) 1994-04-22
EP0589397B1 (en) 2002-05-02
EP0589397A1 (en) 1994-03-30
US5870418A (en) 1999-02-09
DE69331870T2 (de) 2003-01-16
DE69331870D1 (de) 2002-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3226624B2 (ja) レーザダイオード駆動回路及び光伝送装置
JP3130571B2 (ja) 半導体レーザアレイ装置
EP0744800B1 (en) Laser-diode driving circuit
EP0377948A2 (en) An optical amplifying device
US4355395A (en) Injection lasers
US5907569A (en) Circuit for controlling the output power of an uncooled laser or light emitting diode
EP0215311A2 (en) Laser diode driving circuit
US4677632A (en) Coupled loop controller for a laser transmitter
JP3449898B2 (ja) 発光素子駆動回路
EP0247834B1 (en) Optical signal regenerator
GB1563944A (en) Imjection lasers
NZ200193A (en) Optical receiver
US5499258A (en) Automatic temperature control circuit of laser diode and electric/optical signal converting unit using the same
JPH05190947A (ja) 半導体レーザの駆動方法
US4580293A (en) Circuit arrangement for driving a current-controlled component
EP0924823A1 (en) Driver circuit for a solid state optical emitter device
US5317581A (en) Electric field absorption light modulation driving apparatus and method having improved feature to eliminate noise from optical output
US6560258B1 (en) Direct-coupled laser diode driver structures and methods
US6912085B2 (en) Optical amplifier
US10177854B2 (en) Modulated optical source and methods of its operation
US5013971A (en) Temperature stabilization of laser diodes and light emitting diodes
JP2000124541A (ja) 半導体レーザおよび半導体レーザモジュール
KR100290261B1 (ko) 온도감지수단을 이용한 레이저 다이오드 구동회로의 변조전류 제어회로
Greulich et al. Laser drivers for free-space optical communication
JPH08162700A (ja) 半導体レーザの駆動回路

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010724

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080831

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080831

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090831

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110831

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120831

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees